CN116321740B - 一种双面铜产品通孔的加工方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种双面铜产品通孔的加工方法，包括以下步骤：提供双面基材，沿所述双面基材的厚度方向镭射通孔；对镭射有所述通孔的所述双面基材进行AOI自动光学检测；将通过AOI自动光学检测的所述双面基材裁切成预设片料；将所述预设片料送入真空腔室进行等离子处理，包括以下步骤：S1、以预设流速向所述真空腔室内持续通入氮气和氩气，持续时间为3min；S2、以预设流速向所述真空腔室内持续通入氧气和四氟化碳，持续时间为20min；S3、以预设流速向所述真空腔室内持续通入氧气，持续时间为5min。本发明的双面铜产品通孔的加工方法将等离子处理步骤分为三步进行，保证除残胶速度，提高通孔内清洁度，避免出现孔铜角裂不良。
Description
技术领域
本发明属于线路板加工技术领域，尤其涉及一种双面铜产品通孔的加工方法。
背景技术
FPC、PCB板双面铜产品的生产工艺流程中，会涉及到对孔的加工，在现有工艺中，孔的加工步骤为：卷料下料→镭射通孔→AOI裁切片料→线路布建→镀孔铜；但在对下料的卷料镭射通孔的步骤中，孔内会残留有碳粉、残胶类异物，在镀孔铜后切片检测会发现孔铜有角裂不良的情况，且切片异常位置多分布在孔转角位置，不良率高达5％，不经切片检验，检出率低，使得后期的客户端产品存在短路风险，造成损失。因此，如何改进孔的加工工艺，使其内无碳粉、残胶类异物残留，改善孔铜分离角裂不良的状况，因此工艺进行改进：卷料下料→镭射通孔→AOI裁切片料→等离子处理→线路布建→镀孔铜，但等离子处理中，由于参数控制问题，仍会出现除胶速率低、通孔内清洁度达不到预设值，后期仍会出现孔铜角裂不良的情况。因此，仍需对FPC、PCB板双面铜产品的生产工艺流程进行改进。
发明内容
鉴于上述现有线路板加工技术中存在的问题，本发明的主要目的在于提供一种双面铜产品通孔的加工方法，将等离子处理步骤分为三步进行，保证除残胶速度，提高通孔内清洁度，避免出现孔铜角裂不良。
本发明的目的通过如下技术方案得以实现：
本发明提供一种双面铜产品通孔的加工方法，包括以下步骤：
提供双面基材，沿所述双面基材的厚度方向镭射通孔；
对镭射有所述通孔的所述双面基材进行AOI自动光学检测；
将通过AOI自动光学检测的所述双面基材裁切成预设片料；
将所述预设片料送入真空腔室进行等离子处理，包括以下步骤：
S1、以预设流速向所述真空腔室内持续通入氮气和氩气，持续时间为3min；
S2、以预设流速向所述真空腔室内持续通入氧气和四氟化碳，持续时间为20min；
S3、以预设流速向所述真空腔室内持续通入氧气，持续时间为5min。
作为上述技术方案的进一步描述，在步骤“将所述预设片料送入真空腔室进行等离子处理”中，所述真空腔室的真空度为25PA，所述真空腔室的温度为30℃。
作为上述技术方案的进一步描述，在步骤“将所述预设片料送入真空腔室进行等离子处理”中，等离子处理过程的射频功率为5000W～5500W。
作为上述技术方案的进一步描述，在步骤“S1、以预设流速向所述真空腔室内持续通入氮气和氩气”中，所述氮气和氩气的射频功率均为5000W，所述氮气和氩气的预设流速均为300SCCM。
作为上述技术方案的进一步描述，在步骤“S2、以预设流速向所述真空腔室内持续通入氧气和四氟化碳”中，所述氧气和四氟化碳的射频功率均为5500W；所述氧气的预设流速为400SCCM，所述四氟化碳的预设流速为200SCCM。
作为上述技术方案的进一步描述，在步骤“S3、以预设流速向所述真空腔室内持续通入氧气”中，所述氧气的射频功率为5000W，所述氧气的预设流速为600SCCM。
作为上述技术方案的进一步描述，在步骤“将所述预设片料送入真空腔室进行等离子处理”后，还包括以下步骤：
在所述预设片料上布建线路，所述线路经过所述通孔；
对所述通孔镀铜，使所述通孔实现金属化。
作为上述技术方案的进一步描述，在步骤“对所述通孔镀铜，使所述通孔实现金属化”中，采用通孔镀铜技术对所述通孔电镀上铜。
借由以上的技术方案，本发明的突出效果为：
本发明所提供的双面铜产品通孔的加工方法中，等离子处理中所使用的真空腔室的真空度和温度恒定为等离子处理过程提供了稳定的预设条件，对预设片料的等离子处理分为三步控制用于等离子处理的各气体的射频功率和流速，在第一步骤中快速去除预设片料上的有机物，在第二步骤中再去除残胶和孔内残渣，两次清洁，有机物和无机物分开去除，保证了通孔内清洁度达到预设值，使得后续镀铜和通孔粘结性强，不会发生角裂不良；同时在第三步骤中利用氧气进行了气体交换，无高浓度四氟化碳气体在预设片料出真空腔室时逸散，保证了后续作业人员的人身安全。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例中双面铜产品通孔的加工方法的流程示意图；
图2为现有技术中双面铜产品通孔镀铜后出现角裂不良的实际切片示意图；
图3为本发明实施例中双面铜产品通孔镀铜后的实际切片示意图。
附图标记：
1、预设片料；2、通孔；3、孔铜；4、角裂不良。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中，需要说明的是，术语“上”、“中”、“下”、“内”、“外”、“前”、“后”、“左”、“右”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或组件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。下面根据本发明的整体结构，对其实施方式进行说明。
请参阅图1至图3，本发明公开了一种双面铜产品通孔2的加工方法，包括以下步骤：
提供双面基材，沿所述双面基材的厚度方向镭射通孔2；
对镭射有所述通孔2的所述双面基材进行AOI自动光学检测；
将通过AOI自动光学检测的所述双面基材裁切成预设片料1；
将所述预设片料1送入真空腔室进行等离子处理，包括以下步骤：
S1、以预设流速向所述真空腔室内持续通入氮气和氩气，持续时间为3min；
S2、以预设流速向所述真空腔室内持续通入氧气和四氟化碳，持续时间为20min；
S3、以预设流速向所述真空腔室内持续通入氧气，持续时间为5min。
借由上述方法，首先将提供的所述双面基材沿其厚度方向镭射出通孔2，再使用AOI自动光学检测机对双面基材进行检测，通过AOI自动光学检测的所述双面基材继而被裁切成合乎尺寸需求的预设片料1，随之将所述预设片料1送入真空腔室内进行三步等离子处理：首先以预设流速向所述真空腔室内持续通入氮气和氩气对所述预设片料1进行等离子处理，持续时长处理3min，从而将所述预设片料1表面(包括所述通孔2的表面)的有机物清除；接着以预设流速向所述真空腔室内持续通入氧气和四氟化碳20min，利用四氟化碳气体离子化，在电极板磁场之间高速碰撞运动，从而咬蚀所述预设片料1的上的胶状物，清洁所述通孔2内的残渣；最后向所述真空腔室内以预设流速持续通入氧气，持续时间为5min，该阶段主要是利用氧气与所述真空腔室内的混合气体进行交换，对腔体气体进行清洁，在预设片料1出真空腔室时无高浓度四氟化碳气体逸散，保证了后续作业人员的人身安全。由此，将对所述预设片料1的等离子处理分为三个步骤进行，其上镭射的通孔2上所附着的碳粉、残胶等异物，以有机物和无机物分类方式先后去除，保证了所述通孔2内清洁度达到预设值，使得所述通孔2在后续的电镀中铜的粘结性强，孔铜3层不会出现如图2所示的角裂不良4的情况，在第三步进行气体交换，无高浓度四氟化碳气体逸散，保证了作业人员在生产过程中的安全。
具体的，本实施例中，在步骤“将所述预设片料1送入真空腔室进行等离子处理”中，所述真空腔室的温度为30℃，该温度在所述预设片料1在送入前达到，从而将所述真空腔室的内部结构升温；所述真空腔室的真空度为25PA，保证后续通入的气体对所述预设片料1具有足够且适当的物理轰击作用，从而保证清洁效果。应当理解的是，随着物理轰击作用的持续，所述真空腔室内的温度会上升，但温度的上限小于所述预设片料1氧化的温度。
具体的，本实施例中，在步骤“将所述预设片料1送入真空腔室进行等离子处理”中，等离子处理过程的射频功率为5000W～5500W，从而保证对所述预设片料1的清洗效果和清洗效率。优选的，本实施例中，在步骤“S1、以预设流速向所述真空腔室内持续通入氮气和氩气”中，所述氮气和氩气的射频功率均为5000W，所述氮气和氩气的预设流速均为300SCCM，在该步骤中，首先将所述真空腔室的内部结构进行升温，以及将所述预设片料1表面的有机物去除；在步骤“S2、以预设流速向所述真空腔室内持续通入氧气和四氟化碳”中，所述氧气和四氟化碳的射频功率均为5500W；所述氧气的预设流速为400SCCM，所述四氟化碳的预设流速为200SCCM，在该步骤中，主要利用四氟化碳气体离子化，在电极板磁场之间高速碰撞运动，从而咬蚀所述预设片料1的上的胶状物，清洁所述通孔2内的残渣；在步骤“S3、以预设流速向所述真空腔室内持续通入氧气”中，所述氧气的射频功率为5000W，所述氧气的预设流速为600SCCM，主要利用高流速的氧气与所述真空腔室内的混合气体进行交换，清洁所述真空腔室，在预设片料1出真空腔室时无高浓度四氟化碳气体逸散，保证了后续作业人员的人身安全。
具体的，本实施例中，所述预设片料1经过等离子处理后，可以继续按照常规工艺进行线路的布建，所述线路经过所述通孔2，即该线路包括所述通孔2内的通孔2线路以及所述预设片料1两面的面线路，所述通孔2线路和所述面线路是连通的。
具体的，在本实施例中，所述预设片料1上的线路布建完成后，继续对所述通孔2镀铜，使所述通孔2实现金属化，例如可以采用电镀的方式镀孔铜3。
最后应说明的是：以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不限于限制本发明，尽管参照前述实施例对本发明进行了详细说明，对于本领域的技术人员来说，其仍然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何更改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (3)
1.一种双面铜产品通孔的加工方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供双面基材，沿所述双面基材的厚度方向镭射通孔；
对镭射有所述通孔的所述双面基材进行AOI自动光学检测；
将通过AOI自动光学检测的所述双面基材裁切成预设片料；
将所述预设片料送入真空腔室进行等离子处理，包括以下步骤：
S1、向所述真空腔室内持续通入氮气和氩气，持续时间为3min，所述氮气和氩气的射频功率均为5000W，所述氮气和氩气的预设流速均为300SCCM，从而将所述预设片料表面的有机物清除，所述预设片料的表面包括通孔的表面；
S2、向所述真空腔室内持续通入氧气和四氟化碳，持续时间为20min，所述氧气和四氟化碳的射频功率均为5500W；所述氧气的预设流速为400SCCM，所述四氟化碳的预设流速为200SCCM，从而利用四氟化碳气体离子化，在电极板磁场之间高速碰撞运动，咬蚀所述预设片料上的胶状物，清洁所述通孔内的残渣，以使所述通孔内清洁度达到预设值，从而通孔在后续的电镀中与铜的粘结性强，以使孔铜层不会发生角裂不良；
S3、向所述真空腔室内持续通入氧气，持续时间为5min，所述氧气的射频功率为5000W，所述氧气的预设流速为600SCCM，利用氧气与所述真空腔室内的混合气体进行交换，对腔体气体进行清洁，在预设片料出真空腔室时无高浓度四氟化碳气体逸散；
所述真空腔室的真空度为25PA，所述真空腔室的温度为30℃。
2.根据权利要求1所述的双面铜产品通孔的加工方法，其特征在于，在步骤“将所述预设片料送入真空腔室进行等离子处理”后，还包括以下步骤：
在所述预设片料上布建线路，所述线路经过所述通孔；
对所述通孔镀铜，使所述通孔实现金属化。
3.根据权利要求2所述的双面铜产品通孔的加工方法，其特征在于，在步骤“对所述通孔镀铜，使所述通孔实现金属化”中，采用通孔镀铜技术对所述通孔电镀上铜。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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| GR01 | Patent grant | ||
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