JP4727047B2 - 多層プリント基板の表面処理方法及び表面処理装置 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、多層プリント基板の表面処理を行なうための表面処理方法及び表面処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
多層プリント基板は、金属等からなり平面回路パターンを有する導電層と、ポリマー等からなり導電層間を電気的に絶縁する絶縁層とを交互に積み重ねて一体化した積層体として構成されている。この多層プリント基板においては、立体的な電気回路を形成するためにビアホールと呼ばれる電気的な導通孔が絶縁層に設けられ、導電層間が電気的に接続される。なお、本願でビアホールとは、ブラインドビアホール等と呼ばれる基板を貫通しないものをいい、基板を貫通するスルーホールと区別するものとする。
【０００３】
一般に、多層プリント基板にビアホール用の孔を形成する際、この孔の底面又は内壁面にスミアと呼ばれる絶縁層の構成物質を含む残滓が残ったり、導電層を構成する金属のバリが発生してしまうことがある。スミアは導電層の露出を妨げてビアホールの導通不良の原因となるため、過マンガン酸カリウム溶液等の酸化剤溶液によってスミアを除去するデスミア処理が行なわれる。また、導電層の酸化物被膜を除去する処理や、孔内表面を粗化してメッキの載りをよくする黒化処理等の他の湿式処理が行なわれることもある。その後、孔内部に金属等の導電性メッキを被覆することにより導電層間が電気的に接続され、ビアホールが完成する。
【０００４】
ところで、多層プリント基板の高密度実装化に伴って、要求されるビアホールの径が例えばφ５０μｍ程度と小さくなってきており、従来の湿式処理では十分にスミアを除去できなくなってきた。そのため、酸化剤溶液を用いた湿式のデスミア処理に代え、溶液等によらない乾式のデスミア処理が用いられつつある。こうした乾式のデスミア処理としては、プラズマ放電を用いた処理技術や、針状電極又は線状電極によるコロナ放電を用いた処理技術等が知られており、こうした処理技術は、特開平８−２１５９３４号公報、特開平３−２６８８８９号公報、特開平３−２８１０８７号公報、特許第２６２５０７８号公報、特許第２５００２９３号公報、特許第２５７２１９９号公報、特開平８−１３２３９２号公報、特許第２５７２２０１号公報、特許第２６１４６９７号公報、特許第２６１８２１１号公報、特許第２６８０９８６号公報、特開昭６０−２２５４９３号公報、特開昭６１−３６９９１号公報、特開平５−１７５０６９号公報、特開昭６２−９８７９８号公報及び特開平７−９９３７８号公報等に開示されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記特開平３−２６８８８９号公報等に開示されたようなプラズマ放電を用いた従来の処理技術には、以下に示すような問題点があった。すなわち、プラズマ放電を用いる場合、除去対象が１００Å程度の有機物のみであるため、これより厚い有機物層の除去には時間がかかるうえに、無機物の除去はできなかった。また、ビアホール用の孔内部にはプラズマが侵入しにくいため、特に小径の孔内部のスミアの除去は困難であった。さらに、プラズマ放電による処理技術では、大型の設備やプラズマを安定させる作業等が必要となり、コストや手間がかかっていた。
【０００６】
一方、上記特許２６２５０７８号公報等に開示されたような針状電極によるコロナ放電を用いた従来の処理技術では、プラズマ放電による処理技術において生じていた問題点は解消できるものの、針状電極を孔近傍に正確に配置する必要があるため、多数の孔が不規則的に配列されている場合等には、針状電極の正確な位置合わせが困難であった。また、上記特開平８−２１５９３４号公報に開示されたような線状電極によるコロナ放電を用いた従来の処理技術では、位置合わせの困難性は軽減されているものの、放電が不安定になりやすく、一箇所に電流集中が生じてアーク放電に移行することがあり、基板表面を損傷してしまうおそれがあった。
【０００７】
本発明は、従来の処理技術が有する上記問題点を解決して、迅速かつ効果的な表面処理を行なうことが可能な多層プリント基板の表面処理方法及び表面処理装置を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る多層プリント基板の表面処理方法は、導電層と絶縁層とが交互に積層された積層体からなる多層プリント基板の表面処理を行なう方法であって、導電層に達するビアホール用の孔が形成された孔形成面と対向する位置に第１電極を配置すると共に、当該孔形成面と当該第１電極との間に誘電体を配置する第１配置工程と、孔形成面と対向する位置に、第１電極と異なる形状を有する第２電極を配置する第２配置工程と、多層プリント基板を挟んで第１電極及び第２電極と対向する位置に板状の第３電極を配置する第３配置工程と、第１電極と第３電極との間に電圧を印加して当該第１電極と導電層との間にコロナ放電を発生させる第１放電工程と、第２電極と第３電極との間に電圧を印加して当該第２電極と導電層との間にコロナ放電を発生させる第２放電工程とを備え、第１電極及び第２電極を、多層プリント基板の孔形成面に沿う方向に互いに離間して配置することを特徴とする。
【０００９】
また、本発明に係る多層プリント基板の表面処理装置は、導電層と絶縁層とが交互に積層された積層体からなる多層プリント基板の表面処理を行なう装置であって、導電層に達するビアホール用の孔が形成された孔形成面と対向する位置に配置された第１電極と、孔形成面と第１電極との間に配置された第１誘電体と、孔形成面と対向する位置に配置された、第１電極と異なる形状を有する第２電極と、多層プリント基板を挟んで第１電極及び第２電極と対向する位置に配置された板状の第３電極と、第１電極と導電層との間、及び、第２電極と当該導電層との間にコロナ放電を発生させるための電圧を、当該第１電極及び当該第２電極と第３電極との間に印加する電圧印加部とを備え、第１電極及び第２電極が、多層プリント基板の孔形成面に沿う方向に互いに離間して配置されていることを特徴とする。
【００１０】
これらの発明によれば、孔形成面と第１電極との間に誘電体が配置されることにより、この誘電体が微小コンデンサの集合体として機能し、放電を特定の位置に集中させないようにする役割を果たす。そのため、線状電極によるコロナ放電を用いた従来の処理技術のようなアーク放電への移行を抑制することができ、孔形成面等に損傷を与えることなくビアホール用の孔内部のスミアを除去することが可能になる。また、コロナ放電により孔形成面を親水化することができるため、小径の孔に対しても湿式処理やメッキ処理等を容易に行なうことが可能になり、ひいては十分な電気的導通を備えたビアホールを形成することができる。
【００１１】
また、これらの発明によれば、孔形成面に対して複数の電極（第１電極及び第２電極）からコロナ放電を照射するため、迅速な表面処理を行なうことが可能になる（単一の電極を用いる場合と比較して２倍の処理速度を得ることが可能になる）と共に、各電極からのコロナ放電照射に異なった意味合いを持たせる（例えば、コロナ放電の照射量を調整すること等により、一方の電極からのコロナ放電照射はビアホール用の孔内部のスミア除去を目的とし、他方の電極からのコロナ放電照射は孔形成面全体の親水化を目的とする）ことも可能になる。従って、孔内部のスミア除去と共に孔形成面全体の親水化を効果的に行なうことが可能になる。
【００１２】
この多層プリント基板の表面処理方法において、上記第２配置工程では、第２電極を配置すると共に、孔形成面と当該第２電極との間に誘電体を配置することも好ましい。
【００１３】
また、この多層プリント基板の表面処理装置において、第２電極と孔形成面との間に配置された第２誘電体をさらに備えることも好ましい。
【００１４】
これらの発明によれば、孔形成面と第２電極との間にも誘電体が配置されることとなり、上記と同様に、第２電極からの放電についてもアーク放電への移行を抑制することができ、基板表面等に損傷を与えることなく表面処理を行なうことが可能になる。
【００１５】
また、この多層プリント基板の表面処理方法において、上記誘電体が、第１電極の少なくとも孔形成面と対向する部位に被覆されたことも好ましい。さらに、上記のように孔形成面と第２電極との間にも誘電体が配置される場合には、この誘電体が、第２電極の少なくとも孔形成面と対向する部位に被覆されることも好ましい。
【００１６】
また、この多層プリント基板の表面処理装置において、上記第１誘電体が、第１電極の少なくとも孔形成面と対向する部位に被覆されたことも好ましい。さらに、上記のように孔形成面と第２電極との間に第２誘電体が配置される場合には、この第２誘電体が、第２電極の少なくとも孔形成面と対向する部位に被覆されることも好ましい。
【００１７】
これらの発明のように、誘電体が第１電極（又は第２電極）に被覆された一体構造とすれば、第１電極（又は第２電極）及び誘電体の配置や移動を容易に行なうことが可能になる。
【００１８】
また、この多層プリント基板の表面処理方法において、上記第１配置工程及び上記第２配置工程では、第１電極及び孔形成面の間隔と第２電極及び当該孔形成面の間隔とが異なるように、それぞれ当該第１電極及び当該第２電極を配置することも好ましい。
【００１９】
また、この多層プリント基板の表面処理装置において、第１電極及び第２電極は、当該第１電極及び孔形成面の間隔と当該第２電極及び当該孔形成面の間隔とが異なるように配置されたことも好ましい。
【００２０】
これらの発明のように、第１電極及び孔形成面の間隔と第２電極及び孔形成面の間隔とが異なるようにすれば、各電極からの基板に対するコロナ放電照射量に変化をつけることができ、各電極からのコロナ放電照射に異なった意味合いを持たせる（例えば、間隔が短い方の電極からのコロナ放電照射はビアホール用の孔内部のスミア除去を目的とし、間隔が長い方の電極からのコロナ放電照射は孔形成面全体の親水化を目的とする）ことが可能になる。
【００２１】
また、この多層プリント基板の表面処理方法において、上記第１配置工程及び上記第２配置工程では、第１電極及び第２電極の間隔Ｌが、上記（数１）式及び上記（数２）式を満たすように、それぞれ当該第１電極及び当該第２電極を配置することも好ましい。
【００２２】
また、この多層プリント基板の表面処理装置において、第１電極及び第２電極は、当該第１電極及び当該第２電極の間隔Ｌが、上記（数３）式及び上記（数４）式を満たすように配置されたことも好ましい。
【００２３】
第１電極及び孔形成面の間隔をａ1、第２電極及び孔形成面の間隔をａ2、第１電極と第３電極との間に印加される最大電圧をＶ1、第２電極と第３電極との間に印加される最大電圧をＶ2とすると、第１電極と孔形成面との間及び第２電極と孔形成面との間に発生する電界の最大値はそれぞれＶ1／ａ1及びＶ2／ａ2となる。一方、第１電極及び第２電極の間隔をＬとすると、第１電極と第２電極との間に発生する電界の最大値は（Ｖ1＋Ｖ2）／Ｌとなる。コロナ放電は電界がある臨界値に達することにより発生するため、第１電極と第２電極との間に発生する電界が第１電極と孔形成面との間に発生する電界より大きい場合（（Ｖ1＋Ｖ2）／Ｌ＞Ｖ1／ａ1、すなわち、Ｌ＜ａ1（Ｖ1＋Ｖ2）／Ｖ1である場合）には、第１電極と第２電極との間にコロナ放電が発生してしまい、第１電極から孔形成面に対するコロナ放電の照射効率が低下することになる。同様に、第１電極と第２電極との間に発生する電界が第２電極と孔形成面との間に発生する電界より大きい場合（（Ｖ1＋Ｖ2）／Ｌ＞Ｖ2／ａ2、すなわち、Ｌ＜ａ2（Ｖ1＋Ｖ2）／Ｖ2である場合）には、第１電極と第２電極との間にコロナ放電が発生してしまい、第２電極から孔形成面に対するコロナ放電の照射効率が低下することになる。従って、これらの発明のように、第１電極及び第２電極の間隔Ｌが、Ｌ＞ａ1（Ｖ1＋Ｖ2）／Ｖ1、及び、Ｌ＞ａ2（Ｖ1＋Ｖ2）／Ｖ2を満たすようにすれば、第１電極と第２電極との間でのコロナ放電の発生を防止し、孔形成面に対して効率的にコロナ放電を照射することが可能になる。
【００２４】
また、この多層プリント基板の表面処理方法において、上記第１配置工程及び上記第２配置工程では、それぞれ第１電極及び第２電極として、長手方向の放電点の長さが孔形成面の対角線の長さ以上である電極を配置することも好ましい。
【００２５】
また、この多層プリント基板の表面処理装置において、第１電極及び第２電極は、それぞれ長手方向の放電点の長さが孔形成面の対角線の長さ以上であることも好ましい。
【００２６】
多層プリント基板の孔形成面は通常長方形又は正方形であるが、各電極の長手方向の放電点の長さが孔形成面の一辺の長さ以上であれば、孔形成面の一辺と各電極の長手方向とを平行に配置することにより、孔形成面の端部まで一度に処理を行なうことができる。しかし、孔形成面の一辺と各電極の長手方向とを平行に配置できなかった場合（すなわち、孔形成面の一辺に対して各電極の長手方向を傾けた状態で配置した場合）には、孔形成面の端部に放電処理が行なわれない部分が生じてしまうことがある。従って、これらの発明のように、各電極の長手方向の放電点の長さを孔形成面の対角線の長さ以上とすれば、孔形成面の一辺に対して各電極を正確に平行に配置しなくても、孔形成面の端部まで一度に処理を行なうことが可能になる。
【００２７】
また、この多層プリント基板の表面処理方法において、上記第１放電工程及び上記第２放電工程では、それぞれ第１電極及び第２電極と孔形成面とを互いに相対的に移動させながらコロナ放電を発生させることも好ましい。
【００２８】
また、この多層プリント基板の表面処理装置において、第１電極及び第２電極と孔形成面とをそれぞれ互いに相対的に移動させる移動手段をさらに備えることも好ましい。
【００２９】
これらの発明のように、各電極と孔形成面とを互いに相対的に移動させることにより、第１電極及び第２電極として例えば線状の電極を用いた場合でも孔形成面全体に対して処理を行なうことができ、処理時間の短縮を図ることが可能になる。
【００３０】
また、この多層プリント基板の表面処理方法において、レーザ光を照射することによりビアホール用の孔を形成する穿孔工程をさらに備えることも好ましい。
【００３１】
また、この多層プリント基板の表面処理装置において、ビアホール用の孔を形成するためのレーザ光を発振するレーザ発振手段をさらに備えることも好ましい。
【００３２】
これらの発明のように、レーザ光（さらに好ましくは赤外域のレーザ光）を用いてビアホール用の孔を形成することにより、穿孔速度及びランニングコスト等の点において有利になる。特に、炭酸ガスレーザによるレーザ光は、銅によって反射されやすいという性質を有するため、銅箔からなる導電層で穿孔を止めることができ、ビアホールの形成に好適である。また、φ５０μｍ程度の小径の孔を形成したい場合には、紫外域のレーザ光を用いることが好適である。
【００３３】
また、この多層プリント基板の表面処理方法において、少なくとも孔形成面に湿式処理を施す湿式処理工程をさらに備えることも好ましく、ビアホール用の孔の内表面に導電性メッキを被覆するメッキ処理工程をさらに備えることも好ましい。
【００３４】
また、この多層プリント基板の表面処理装置において、少なくとも孔形成面に湿式処理を施す湿式処理手段をさらに備えることも好ましく、ビアホール用の孔の内表面に導電性メッキを被覆するメッキ処理手段をさらに備えることも好ましい。
【００３５】
これらの発明によれば、コロナ放電による孔形成面の親水化の効力が薄れる前に、速やかに湿式処理又はメッキ処理を行なうことが可能になる。また、多層プリント基板のビアホール形成処理を本方法及び本装置のみによって完結することができるため、他の処理装置や運搬作業が不要となり、迅速なビアホールの形成を実現することが可能になる。
【００３６】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照しながら、本発明に係る多層プリント基板の表面処理方法及び表面処理装置の実施形態について詳細に説明する。なお、図面の説明において、同一又は相当要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。また、図面における寸法比率等は、説明のものと必ずしも一致していない。
【００３７】
図１は、第１の実施形態に係る多層プリント基板の表面処理方法を説明するフローチャートである。同図に示すように、本実施形態に係る多層プリント基板の表面処理方法は、大きく４つの工程に分けることができる。以下、各工程において用いられる装置及び各工程における処理について詳細に説明する。
【００３８】
まず、多層プリント基板にビアホール用の孔を形成する第１工程について説明する。図２は、第１工程における処理を説明する斜視図である。同図に示すように、この第１工程では、レーザ発振部１１、ガルバノミラー１５及び１６、並びに、ｆ−θレンズ１７が用いられる。ここで、レーザ発振部１１は、炭酸ガス（ＣＯ2）レーザ発振器１２と、コリメートレンズ１３等を含む転写光学系１４とを有する。また、ガルバノミラー１５及び１６は、それぞれ図２におけるｙ軸及びｘ軸について回転可能に設置されており、ｆ−θレンズ１７は、ガルバノミラー１６の下方に設置されている。
【００３９】
第１工程では、絶縁層１０１、導電層１０２及び絶縁層１０３が交互に積層された積層体からなる多層プリント基板１００が、孔形成面を上方に向けてｆ−θレンズ１７の下方に配置された後、ガルバノミラー１５及び１６によってレーザ照射位置の調整が行なわれ、レーザ発振部２２からレーザ光が発振される。このレーザ光は、ガルバノミラー１５及び１６によって反射された後、ｆ−θレンズ１７によって集光され、基板１００の所定のビアホール形成箇所に照射される。また、複数のビアホールを形成する場合には、その都度ガルバノミラー１５及び１６によるレーザ照射位置の調整が行なわれ、レーザ光が繰り返し照射される。これにより、基板１００の孔形成面には導電層１０２に達するビアホール用の孔１０４が形成される。
【００４０】
第１工程において、レーザ光により基板１００に形成されたビアホール用の孔１０４は、図３に示すような、底部の径が上部の径よりやや小さい部分錐形となる。また、この孔１０４の底部には、絶縁層１０１の構成物質の残滓からなるスミア１０５が残っており、この状態で孔１０４に導電メッキを被覆しても、このメッキ層と導電層１０２との導通がとれなくなるため、以下の第２及び第３工程においてスミア１０５が除去されることになる。
【００４１】
次に、孔形成面にコロナ放電照射を行なう第２工程について説明する。図４は、第２工程における処理を説明する斜視図であり、図５は、図４のＩ−Ｉ断面図である。これらの図に示すように、この第２工程では、基板１００の孔形成面の上方に間隔ａ1をおいて第１電極２１が配置される。この第１電極２１は、金属製のパイプからなる電極であり、周囲には第１誘電体２２が被覆されている。また、基板１００の孔形成面の上方に間隔ａ2をおいて第２電極２３が配置される。この第２電極２３は、第１電極２１と異なる径を有する金属製のパイプからなる電極であり、周囲には第２誘電体２４が被覆されている。ここで、第１電極２１及び第２電極２３の長さを基板１００の短辺の長さ以上とすれば、基板１００に一次元状に形成された複数の孔１０４に対して一度に処理を行なえるため好ましく、第１電極２１及び第２電極２３の長さを基板１００の対角線の長さ以上とすれば、基板１００の一辺と第１電極２１及び第２電極２３の長手方向とを正確に平行に配置しなくても、基板１００の端部まで一度に処理を行なえるためより好ましい。さらに、基板１００の孔形成面の反対側には、第１電極２１及び第２電極２３の長手方向と直交する方向に基板１００を移動させるための搬送ローラ２７が設けられている。搬送ローラ２７は、ローラ係止部（図示しない）によってローラ支持台２９に係止されている。
【００４２】
基板１００は、第３電極２６上に配置されている。第３電極２６は、搬送ローラ２７に載置されている。第３電極２６は、基板１００より面積の広い金属板で構成されている。第３電極２６は接地されていてもよく、接地されていなくてもよい。第１電極２１及び第２電極２３と第３電極２６とは、外部回路により高周波電源２５を介して接続されている。この高周波電源２５は、第１電極２１及び第２電極２３と第３電極２６との間に、それぞれ高周波の交流電圧Ｖ1ｓｉｎ（ω1ｔ＋δ1）及びＶ2ｓｉｎ（ω2ｔ＋δ2）（それぞれ最大電圧Ｖ1及びＶ2）を印加することが可能になっている。ここで、第１電極２１及び第２電極２３の間隔をＬとすると、第１電極２１と第２電極２３との間に発生する電界の最大値は（Ｖ1＋Ｖ2）／Ｌとなるため、第１電極２１と第２電極２３との間でのコロナ放電の発生を防止するには、間隔Ｌが（Ｖ1＋Ｖ2）／Ｌ＜Ｖ1／ａ1（すなわちＬ＞ａ1（Ｖ1＋Ｖ2）／Ｖ1）、かつ、（Ｖ1＋Ｖ2）／Ｌ＜Ｖ2／ａ2（すなわちＬ＞ａ2（Ｖ1＋Ｖ2）／Ｖ2）を満たすように第１電極２１及び第２電極２３が配置されることになる。
【００４３】
この第２工程において、高周波電源２５により第１電極２１及び第２電極２３と第３電極２６との間に電圧を印加していくと、各電極間の電界が増大し、電界がある臨界値に達するとコロナ放電が発生する。このとき、第１電極２１及び第２電極２３から発生した放電は、孔１０４において露出した導電層１０２へと集中する。これにより、孔１０４の底部に残るスミア１０５を分解又は蒸発させて除去することができる。また、第１電極２１及び第２電極２３から発生した放電の一部が基板１００の孔形成面に照射される。これにより、孔形成面を親水化することができる。また、第１電極２１及び第２電極２３の２本の電極を放電電極として用いているため、迅速な処理を行なうことができると共に、各電極に印加する電圧量や各電極と孔形成面との間隔に変化を付けてコロナ放電の照射量を調整すること等により、各電極からのコロナ放電照射に異なった意味合いを持たせることもできる。こうしたコロナ放電処理を、搬送ローラ２７により基板１００を第１電極２１及び第２電極２３の長手方向と直交する方向に移動させながら行なうことで、すべての孔１０４の底部に残るスミア１０５を除去すると共に、孔形成面全体を親水化することができる。
【００４４】
具体例を挙げて説明すると、図４及び図５に示す装置において、第１電極２１に外径１５ｍｍ、肉圧１ｍｍ、長さ７００ｍｍのステンレスパイプ、第１誘電体２２に厚さ０．５ｍｍのフッ素樹脂と厚さ１ｍｍのシリコン樹脂、第２電極２３に外径６ｍｍ、肉圧１ｍｍ、長さ７００ｍｍのステンレスパイプ、第２誘電体２４に厚さ１ｍｍのフッ素樹脂をそれぞれ用いた場合、第１電極２１及び第２電極２３からの放電距離をそれぞれ１ｍｍ及び０．５ｍｍとして、搬送ローラ２７により基板１００を１０ｍｍ／ｓで移動させながら第１電極２１及び第２電極２３にそれぞれ８．３ｋＶ及び７．５ｋＶの交流電圧を印加して孔形成面にコロナ放電を照射することにより（この場合、第１電極２１からの強めのコロナ放電照射はビアホール用の孔内部のスミア除去を主目的とし、第２電極２３からの弱めのコロナ放電照射は孔形成面全体の親水化を主目的とすることになる）、φ１００μｍの孔１０４が１ｍｍピッチで形成された２００ｍｍ×３００ｍｍの基板１００の孔形成面に対して十分な処理を行なうことができる。
【００４５】
ここで、この第２工程におけるコロナ放電処理の優位性を、プラズマ放電を用いた従来の処理技術（以下、従来例１）、針状電極によるコロナ放電を用いた従来の処理技術（以下、従来例２）、線状電極によるコロナ放電を用いた従来の処理技術（以下、従来例３）と比較しながら具体的に説明する。
【００４６】
図６は、従来例１における処理技術を説明する断面図である。同図に示すように、この従来例１では、基板１００を挟んで電極３２及び３３が対向して配置されると共に、各電極が外部回路により高周波電源３１を介して接続されており、この高周波電源３１により各電極に電圧を印加させて各電極間にプラズマ放電を発生させ、基板１００の孔形成面にプラズマを照射させる。
【００４７】
しかしながら、この従来例１には以下のような問題点があった。第１の問題点は、除去対象が１００Å程度の有機物のみである点である。そのため、これより厚い有機物層の除去には時間がかかってしまうことになり、孔１０４に厚いスミア層が残っている場合等には、迅速なスミアの除去ができなかった。また、無機物の除去はできないため、穿孔処理の際に生じた導電層１０２のバリを除去することはできなかった。一方、本実施形態の第２工程におけるコロナ放電処理では、孔１０４に厚いスミア層が残っている場合等にも迅速なスミアの除去ができ、穿孔処理（第１工程）の際に生じた導電層１０２のバリも除去することができる。
【００４８】
従来例１の第２の問題点は、孔１０４内部にはプラズマが侵入しにくい点である。すなわち、図７に示すようにプラズマは孔形成面までしか到達しないため、特に孔１０４が小径である場合には内部のスミアの除去は困難になる。図８に示すように孔１０４の底面までプラズマを到達させるには、必要以上にプラズマ強度を高くしなければならないが、必要以上にプラズマ強度を高くすると、図９の破線の位置であった孔形成面が削られてしまい、図９の実線のように表面が荒れてしまうことがあった。一方、本実施形態の第２工程におけるコロナ放電処理では、第１電極２１及び第２電極２３から発生した放電は、その放電特性上、図１０の矢印に示すように孔１０４において露出した導電層１０２へと集中するため、孔１０４が小径であっても内部に侵入させることができる。
【００４９】
従来例１の第３の問題点は、処理にコストや手間がかかる点である。すなわち、従来例１では、ＭＨｚオーダーの高周波電圧を印加させる高周波電源や圧力制御可能なチャンバー等の大型の装置が必要とされると共に、プラズマ源として酸素、ヘリウム又はアルゴン等のプラズマガスの供給が必要とされていた。また、チャンバー内を減圧する作業やプラズマを安定させるための調整作業が必要となり、処理時間が長くなっていた。一方、本実施形態の第２工程におけるコロナ放電処理に用いられる高周波電源２５はｋＨｚオーダーのものでよく、大気圧下の空気中で放電を行なえるため特殊な設備や作業が不要であり、迅速な処理を行なうことができる。
【００５０】
図１１は、従来例２における処理技術を説明する断面図である。同図に示すように、この従来例２では、基板１００の孔形成面側に針状電極３５が配置されると共に、孔形成面の反対面側に対向電極３６が配置され、各電極が外部回路により高周波電源３４を介して接続されている。この従来例２においては、針状電極３５を孔１０４近傍に配置した後、高周波電源３４により各電極に電圧を印加させて各電極間にコロナ放電を発生させ、基板１００の孔形成面に放電を照射させる。
【００５１】
しかしながら、この従来例２では、基板１００に形成された孔１０４の位置を正確に把握すると共に、針状電極３５をこの孔１０４近傍に正確に配置する必要がある。そのため、針状電極３５を正確に位置合わせする手段が別途必要となり、特に孔１０４が小径である場合には針状電極３５の正確な位置合わせが困難なものとなっていた。また、多数の孔が不規則的に配列されている場合等には、針状電極３５の位置合わせを繰り返し行なわなければならず、手間が増えて処理時間が長くなっていた。
【００５２】
また、従来例３では、図１２に示すような線状電極３７を用いて基板１００の孔形成面にコロナ放電を照射させる。この従来例３では、針状電極に代えて線状電極３７が用いられているため位置合わせの困難性は軽減されているが、このように線状電極３７をむき出しにした状態でコロナ放電を発生させると、放電は不安定になりやすく、一箇所に電流集中が生じてアーク放電に移行することがあり、必要以上の大電流が流れるおそれがあった。そのため、孔形成面全体にまんべんなくコロナ放電を照射することが難しく、図１２の破線の位置であった絶縁層１０１を損傷して、図１２の実線のように孔１０４を広げてしまうこともあった。
【００５３】
一方、本実施形態の第２工程において用いられる第１電極２１及び第２電極２３には第１誘電体２２及び第２誘電体２４が被覆されている。この第１誘電体２２及び第２誘電体２４は、図１３に示すような微小コンデンサ２８ａ、２８ｂ、…、２８ｎの集合として機能し、放電を特定の位置に集中させないようにする役割を果たす。すなわち、印加される高周波電圧の半周期において、ある微小コンデンサが充電されてしまえばその微小コンデンサの位置で電流は流れなくなって他の微小コンデンサの位置で電流が流れ、またその微小コンデンサが充電されてしまえば他の微小コンデンサの位置で電流が流れ、といったように、電流が流れる位置が順次変化することになる。また、次の半周期においては、微小コンデンサには逆向きの充電が行なわれ、逆向きの電流が流れる位置が順次変化することになる。つまり、高周波電圧Ｖの半周期ごとに図１４に示すような電流Ｉが流れることになる。このように、本実施形態の第２工程では、従来例３のような特定の位置への放電集中を防止してアーク放電への移行を抑制するため、絶縁層１０１等に損傷を与えるおそれがなく、孔形成面全体にまんべんなくコロナ放電を照射することができる。
【００５４】
以上のように、本実施形態の第２工程におけるコロナ放電処理では、従来例１、従来例２及び従来例３における問題点を解決し、迅速かつ効果的な表面処理が行なえる。
【００５５】
なお、ここで本実施形態の第２工程におけるコロナ放電処理による親水化の効果を表わす実験例を示す。この実験例では、基板１００の絶縁層１０１として用いられるエポキシ樹脂層表面にコロナ放電を照射し、その照射時間とエポキシ樹脂層表面の放電照射部位における水の接触角との関係を測定したところ、図１５の実線に示すような測定結果を得た。コロナ放電に代えて紫外線をエポキシ樹脂層表面に照射した例（同図破線参照）と比較しても明らかなように、コロナ放電の照射によりエポキシ樹脂層表面が迅速（約１秒程度）に親水化できることが分かる。また、導電層（銅層）表面に対しても同様の測定を行なったところ、同図に示すように、エポキシ樹脂層表面の場合と同じく非常に迅速に親水化できることが分かる。さらに、図示はしないが、プラズマを絶縁層及び導電層表面に照射した場合には親水化に数分程度かかることが測定されており、プラズマを用いた表面処理と比較してもコロナ放電の照射により孔形成面を迅速に親水化できることが確認される。
【００５６】
また、導電層１０２が銅から構成される場合、コロナ放電処理の時間が長いと銅が酸化してしまうため、酸化を防止するにはコロナ放電処理の時間を１〜５秒程度にとどめることが好ましい。上述のように、基板１００を第１電極２１及び第２電極２３の長手方向と直交する方向に移動させることによって孔形成面全体にコロナ放電処理を行なう場合には、基板１００の移動速度を変えることで放電処理時間を調整することができ、導電層１０２の酸化を防止することができる。
【００５７】
次に、孔形成面に湿式処理を施す第３工程について説明する。図１６は、第３工程における処理を説明する断面図である。同図に示すように、この第３工程では、過マンガン酸カリウム溶液等のデスミア溶液７２が入った処理漕７１内に基板１００が浸され、孔形成面が湿式処理される。一般に、孔１０４の径が１００μｍ以下であると表面張力によって液体が孔１０４内部に浸入することは困難となるが、第２工程におけるコロナ放電照射の効果により、デスミア溶液７２が孔１０４内部にスムーズに浸入することができ、これにより第２工程で除去できなかったスミア１０５を除去することができる。
【００５８】
なお、この第３工程では、上述したデスミア処理のほか、必要に応じて他の湿式処理も行なわれる。例えば、孔１０４内における導電層１０２の露出部分が酸化物被膜で覆われている場合には導通不良の原因となってしまうため、還元剤溶液等によって酸化物被膜を除去する処理が行なわれる。また、孔１０４内表面を粗化してメッキ載りをよくするために、触媒等を含む処理溶液による黒化処理が行なわれる。こうした他の湿式処理においても、第２工程におけるコロナ放電照射の効果により、各溶液を孔１０４内部にスムーズに浸入させることができる。
【００５９】
最後に、孔内部にメッキを被覆する第４工程について説明する。図１７は、第４工程における処理を説明する断面図である。同図に示すように、この第４工程では、孔形成面及び孔１０４内表面に無電解銅メッキ７３が被覆される。このメッキ被覆処理は、第３工程と同様にメッキ液の入った浴槽内に基板を浸すことにより行なわれるが、ここでも第２工程におけるコロナ放電照射の効果により、メッキ液を孔１０４内部にスムーズに浸入させることができる。こうしたメッキ被覆処理により、孔１０４にビアホールが形成され、基板１００に立体的な電気回路が形成されることになる。
【００６０】
以上説明したように、第１の実施形態によれば、上記従来例１、従来例２及び従来例３と比較して、迅速かつ効果的な表面処理を行なうことができる。すなわち、特定の位置への放電集中を防止してアーク放電への移行を抑制し、孔形成面等に損傷を与えることなくビアホール用の孔内部のスミアを除去することができる。また、孔形成面に対して複数の電極（第１電極及び第２電極）からコロナ放電を照射するため、迅速な表面処理を行なうことが可能になると共に、各電極からのコロナ放電照射に異なった意味合いを持たせる（例えば、コロナ放電の照射量を調整すること等により、一方の電極からのコロナ放電照射はビアホール用の孔内部のスミア除去を目的とし、他方の電極からのコロナ放電照射は孔形成面全体の親水化を目的とする）ことも可能になる。従って、孔内部のスミア除去と共に孔形成面全体の親水化を効果的に行なうことが可能になり、湿式処理やメッキ処理等の後処理を容易に行なうことができる。
【００６１】
続いて、第２〜第４の実施形態に係る多層プリント基板の表面処理方法及び表面処理装置について説明する。なお、第２〜第４の実施形態が上記第１の実施形態と異なる点は、第２工程における電極の形状及び配置等のみであるため、他の工程についての説明や、電源及び移動手段等についての説明は省略する。
【００６２】
図１８は、第２の実施形態に係る多層プリント基板の表面処理方法の第２工程における処理を説明する断面図である。同図に示すように、本実施形態の第２工程における第１電極４１は、端部を上方に湾曲させて形成された金属板からなる電極であり、周囲には第１誘電体４２が被覆されている。また、第２電極４３は、第１の実施形態と同様な金属製のパイプからなる電極であり、周囲には第２誘電体４４が被覆されている。第１電極４１及び第２電極４３は、第１の実施形態と同様に、第１電極４１と第２電極４３との間でのコロナ放電の発生を防止するように（すなわち、間隔ＬがＬ＞ａ1（Ｖ1＋Ｖ2）／Ｖ1、かつ、Ｌ＞ａ2（Ｖ1＋Ｖ2）／Ｖ2を満たすように）配置される。
【００６３】
本実施形態の第２工程では、金属板からなる第１電極４１が用いられるため、幅の広いコロナ放電を基板１００の孔形成面に照射することができ、より迅速な表面処理を行なうことができる。具体例を挙げて説明すると、第１電極４１に幅３０ｍｍ、厚さ１ｍｍ、長さ７００ｍｍのステンレス板、第１誘電体４２に厚さ２ｍｍのシリコン樹脂、第２電極４３に外径６ｍｍ、肉圧１ｍｍ、長さ７００ｍｍのステンレスパイプ、第２誘電体４４に厚さ１ｍｍのフッ素樹脂をそれぞれ用い、第１電極４１及び第２電極４３からの放電距離をそれぞれ１ｍｍ及び０．５ｍｍとし、第１電極４１及び第２電極４３にそれぞれ８ｋＶ及び７．５ｋＶの交流電圧を印加して孔形成面にコロナ放電を照射する場合、基板の移動速度を２０ｍｍ／ｓ（すなわち第１の実施形態の２倍）としても第１の実施形態と同等以上の表面処理効果を得ることができる。
【００６４】
図１９は、第３の実施形態に係る多層プリント基板の表面処理方法の第２工程における処理を説明する断面図である。同図に示すように、本実施形態の第２工程における第１電極５１は、金属板の下部に複数個（本実施形態では４個）の金属製の半円柱を付加してなる電極であり、周囲には第１誘電体５２が被覆されている。第２電極５３は、第１の実施形態と同様な金属製のパイプからなる電極であるが、周囲には誘電体が被覆されておらず電極がむき出しのままとされている。また、孔形成面の反対面側（基板１００と第３電極との間）には、誘電体板５４が配置されている。第１電極５１及び第２電極５３は、第１の実施形態と同様に、第１電極５１と第２電極５３との間でのコロナ放電の発生を防止するように（すなわち、間隔ＬがＬ＞ａ1（Ｖ1＋Ｖ2）／Ｖ1、かつ、Ｌ＞ａ2（Ｖ1＋Ｖ2）／Ｖ2を満たすように）配置される。
【００６５】
本実施形態の第２工程では、金属板に金属製の半円柱が付加された第１電極５１が用いられるため、第２の実施形態と同様に、幅の広いコロナ放電を基板１００の孔形成面に照射することができ、より迅速な表面処理を行なうことができる。また、第２電極５３に誘電体を被覆せず、強めのコロナ放電を照射させることで、第１電極５１及び第２電極５３によるコロナ放電の目的を明確にする（第１電極５１からのコロナ放電照射は孔形成面全体の親水化を目的とし、第２電極５３からのコロナ放電照射はビアホール用の孔内部のスミア除去を目的とする）ことができる。具体例を挙げて説明すると、第１電極５１にアルミニウム板（厚さ１ｍｍ）及びアルミニウム製の半円柱（ｒ＝２．５ｍｍ）、第１誘電体５２に厚さ２ｍｍのシリコン樹脂、第２電極５３に外径６ｍｍ、肉圧１ｍｍ、長さ７００ｍｍのステンレスパイプ、誘電体板５４に厚さ１ｍｍの石英ガラス板をそれぞれ用い、第１電極４１及び第２電極４３からの放電距離をそれぞれ１ｍｍ及び２ｍｍとし、第１電極４１及び第２電極４３にそれぞれ９．５ｋＶ及び５ｋＶの交流電圧を印加して孔形成面にコロナ放電を照射する場合、第１の実施形態より基板の移動速度を早くしても第１の実施形態と同等以上の表面処理効果を得ることができる。
【００６６】
図２０は、第４の実施形態に係る多層プリント基板の表面処理方法の第２工程における処理を説明する断面図である。同図に示すように、本実施形態の第２工程における第１電極６１は、第１の実施形態と同様な金属製のパイプからなる電極であり、周囲には第１誘電体６２が被覆されている。また、第２電極６３は、頂点を下部側（基板１００側）に向けた状態で配置された金属製の三角柱からなる電極であり、周囲には第２誘電体６４が被覆されている。第１電極６１及び第２電極６３は、第１の実施形態と同様に、第１電極６１と第２電極６３との間でのコロナ放電の発生を防止するように（すなわち、間隔ＬがＬ＞ａ1（Ｖ1＋Ｖ2）／Ｖ1、かつ、Ｌ＞ａ2（Ｖ1＋Ｖ2）／Ｖ2を満たすように）配置される。
【００６７】
本実施形態の第２工程では、金属製の三角柱からなる第２電極６３が用いられるため、幅の狭いコロナ放電を発生させることができ、小径の孔１０４に対しても十分な処理を行なうことができる。具体例を挙げて説明すると、第１電極６１に外径６ｍｍ、肉圧１ｍｍ、長さ７００ｍｍのステンレスパイプ、第１誘電体６２に厚さ１ｍｍのフッ素樹脂、第２電極６３に幅１０ｍｍ、高さ７ｍｍのアルミニウム製の三角柱、第２誘電体６４に厚さ１ｍｍのシリコン樹脂をそれぞれ用い、第１電極６１及び第２電極６３からの放電距離をそれぞれ０．５ｍｍとし、第１電極６１及び第２電極６３にそれぞれ７．５ｋＶの交流電圧を印加して孔形成面にコロナ放電を照射する場合、基板の移動速度を１５ｍｍ／ｓ（すなわち第１の実施形態の１．５倍）としても第１の実施形態と同等以上の表面処理効果を得ることができる。
【００６８】
なお、本発明に係る多層プリント基板の表面処理方法及び表面処理装置は、上記実施形態に記載の態様に限定されるものではなく、他の条件等に応じて種々の変形態様をとることが可能である。例えば、上記実施形態の第２工程では、放電電極として第１電極及び第２電極の２本の電極を用いているが、より迅速な放電処理を行ないたい場合には、３本以上の放電電極を用いることとしてもよい。放電電極の本数は、求められる処理速度とコストとの関係で決定されることになる。
【００６９】
また、上記実施形態の第２工程では、第１電極（又は第２電極）の全面に誘電体が被覆される例について説明したが、これに限定されるものではなく、誘電体が第１電極（又は第２電極）と基板との間に配置されていればよい。例えば、図４及び図５における第１電極２１及び第２電極２３の下部側のみにそれぞれ第１誘電体２２及び第２誘電体２４を被覆することとしてもよい。
【００７０】
また、上記実施形態の第２工程では、基板を移動させる移動手段として搬送ローラを用いる例について説明したが、例えば移動テーブルのような他の移動手段を用いて基板を移動させることとしてもよい。また、基板を移動させる代わりに、第１電極及び第２電極をその長手方向と直交する方向に移動させることによって孔形成面全体に処理を行なうこともできる。
【００７１】
また、上記実施形態の第２工程では、１台の高周波電源によって第１電極及び第２電極に電圧を印加する例について説明したが、それぞれ別の電源を用いて第１電極及び第２電極に電圧を印加することとしてもよい。
【００７２】
【発明の効果】
本発明に係る多層プリント基板の表面処理方法及び表面処理装置によれば、従来の処理技術が有する問題点を解決し、迅速かつ効果的な表面処理を行なうことが可能になる。
【００７３】
すなわち、孔形成面と第１電極との間に誘電体が配置されることにより、この誘電体が微小コンデンサの集合体として機能し、放電を特定の位置に集中させないようにする役割を果たす。そのため、線状電極によるコロナ放電を用いた従来の処理技術のようなアーク放電への移行を抑制することができ、孔形成面等に損傷を与えることなくビアホール用の孔内部のスミアを除去することが可能になる。また、コロナ放電により孔形成面を親水化することができるため、小径の孔に対しても湿式処理やメッキ処理等を容易に行なうことが可能になり、ひいては十分な電気的導通を備えたビアホールを形成することができる。
【００７４】
また、孔形成面に対して複数の電極（第１電極及び第２電極）からコロナ放電を照射するため、迅速な表面処理を行なうことが可能になると共に、各電極からのコロナ放電照射に異なった意味合いを持たせる（例えば、コロナ放電の照射量を調整すること等により、一方の電極からのコロナ放電照射はビアホール用の孔内部のスミア除去を目的とし、他方の電極からのコロナ放電照射は孔形成面全体の親水化を目的とする）ことも可能になる。従って、孔内部のスミア除去と共に孔形成面全体の親水化を効果的に行なうことが可能になる。
【００７５】
また、孔形成面と第２電極との間にも誘電体を配置することによって、上記と同様に、第２電極からの放電についてもアーク放電への移行を抑制することができ、基板表面等に損傷を与えることなく表面処理を行なうことが可能になる。
【００７６】
また、誘電体が第１電極（又は第２電極）に被覆された一体構造とすることによって、第１電極（又は第２電極）及び誘電体の配置や移動を容易に行なうことが可能になる。
【００７７】
また、第１電極及び孔形成面の間隔と第２電極及び孔形成面の間隔とが異なるようにすることによって、各電極からの基板に対するコロナ放電照射量に変化をつけることができ、各電極からのコロナ放電照射に異なった意味合いを持たせる（例えば、間隔が短い方の電極からのコロナ放電照射はビアホール用の孔内部のスミア除去を目的とし、間隔が長い方の電極からのコロナ放電照射は孔形成面全体の親水化を目的とする）ことが可能になる。
【００７８】
また、第１電極及び第２電極の間隔Ｌが上記数式を満たすように配置することによって、第１電極と第２電極との間でのコロナ放電の発生を防止し、孔形成面に対して効率的にコロナ放電を照射することが可能になる。
【００７９】
また、各電極の長手方向の放電点の長さを孔形成面の対角線の長さ以上とすることによって、孔形成面の一辺に対して各電極を正確に平行に配置しなくても、孔形成面の端部まで一度に処理を行なうことが可能になる。
【００８０】
また、各電極と孔形成面とを互いに相対的に移動させることによって、第１電極及び第２電極として例えば線状の電極を用いた場合でも孔形成面全体に対して処理を行なうことができ、処理時間の短縮を図ることが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の実施形態に係る多層プリント基板の表面処理方法を説明するフローチャートである。
【図２】第１工程における処理を説明する斜視図である。
【図３】第１工程において形成されたビアホール用の孔を示す斜視図である。
【図４】第２工程における処理を説明する斜視図である。
【図５】図４のＩ−Ｉ断面図である。
【図６】従来例１における処理技術を説明する断面図である。
【図７】従来例１における処理技術を説明する断面図である。
【図８】従来例１における処理技術を説明する断面図である。
【図９】従来例１における処理技術を説明する断面図である。
【図１０】第２工程における処理を説明する断面図である。
【図１１】従来例２における処理技術を説明する断面図である。
【図１２】従来例３における処理技術を説明する断面図である。
【図１３】第２工程における処理を説明する斜視図である。
【図１４】第２工程における処理を説明するグラフである。
【図１５】第２工程における処理による親水化の効果を示すグラフである。
【図１６】第３工程における処理を説明する断面図である。
【図１７】第４工程における処理を説明する断面図である。
【図１８】第２の実施形態に係る多層プリント基板の表面処理方法の第２工程における処理を説明する断面図である。
【図１９】第３の実施形態に係る多層プリント基板の表面処理方法の第２工程における処理を説明する断面図である。
【図２０】第４の実施形態に係る多層プリント基板の表面処理方法の第２工程における処理を説明する断面図である。
【符号の説明】
１１…レーザ発振部、１２…レーザ発振器、１３…コリメートレンズ、１４…転写光学系、１５…ガルバノミラー、１６…ガルバノミラー、１７…ｆ−θレンズ、２１…第１電極、２２…第１誘電体、２３…第２電極、２４…第２誘電体、２５…高周波電源、２６…第３電極、２７…搬送ローラ、２８…微小コンデンサ、２９…ローラ支持台、３１…高周波電源、３２…電極、３３…電極、３４…高周波電源、３５…針状電極、３６…対向電極、３７…線状電極、４１…第１電極、４２…第１誘電体、４３…第２電極、４４…第２誘電体、５１…第１電極、５２…第１誘電体、５３…第２電極、５４…誘電体、６１…第１電極、６２…第１誘電体、６３…第２電極、６４…第２誘電体、７１…処理漕、７２…デスミア溶液、７３…無電解銅メッキ、１００…多層プリント基板、１０１…絶縁層、１０２…導電層、１０３…絶縁層、１０４…孔、１０５…スミア。
【発明の属する技術分野】
本発明は、多層プリント基板の表面処理を行なうための表面処理方法及び表面処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
多層プリント基板は、金属等からなり平面回路パターンを有する導電層と、ポリマー等からなり導電層間を電気的に絶縁する絶縁層とを交互に積み重ねて一体化した積層体として構成されている。この多層プリント基板においては、立体的な電気回路を形成するためにビアホールと呼ばれる電気的な導通孔が絶縁層に設けられ、導電層間が電気的に接続される。なお、本願でビアホールとは、ブラインドビアホール等と呼ばれる基板を貫通しないものをいい、基板を貫通するスルーホールと区別するものとする。
【０００３】
一般に、多層プリント基板にビアホール用の孔を形成する際、この孔の底面又は内壁面にスミアと呼ばれる絶縁層の構成物質を含む残滓が残ったり、導電層を構成する金属のバリが発生してしまうことがある。スミアは導電層の露出を妨げてビアホールの導通不良の原因となるため、過マンガン酸カリウム溶液等の酸化剤溶液によってスミアを除去するデスミア処理が行なわれる。また、導電層の酸化物被膜を除去する処理や、孔内表面を粗化してメッキの載りをよくする黒化処理等の他の湿式処理が行なわれることもある。その後、孔内部に金属等の導電性メッキを被覆することにより導電層間が電気的に接続され、ビアホールが完成する。
【０００４】
ところで、多層プリント基板の高密度実装化に伴って、要求されるビアホールの径が例えばφ５０μｍ程度と小さくなってきており、従来の湿式処理では十分にスミアを除去できなくなってきた。そのため、酸化剤溶液を用いた湿式のデスミア処理に代え、溶液等によらない乾式のデスミア処理が用いられつつある。こうした乾式のデスミア処理としては、プラズマ放電を用いた処理技術や、針状電極又は線状電極によるコロナ放電を用いた処理技術等が知られており、こうした処理技術は、特開平８−２１５９３４号公報、特開平３−２６８８８９号公報、特開平３−２８１０８７号公報、特許第２６２５０７８号公報、特許第２５００２９３号公報、特許第２５７２１９９号公報、特開平８−１３２３９２号公報、特許第２５７２２０１号公報、特許第２６１４６９７号公報、特許第２６１８２１１号公報、特許第２６８０９８６号公報、特開昭６０−２２５４９３号公報、特開昭６１−３６９９１号公報、特開平５−１７５０６９号公報、特開昭６２−９８７９８号公報及び特開平７−９９３７８号公報等に開示されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記特開平３−２６８８８９号公報等に開示されたようなプラズマ放電を用いた従来の処理技術には、以下に示すような問題点があった。すなわち、プラズマ放電を用いる場合、除去対象が１００Å程度の有機物のみであるため、これより厚い有機物層の除去には時間がかかるうえに、無機物の除去はできなかった。また、ビアホール用の孔内部にはプラズマが侵入しにくいため、特に小径の孔内部のスミアの除去は困難であった。さらに、プラズマ放電による処理技術では、大型の設備やプラズマを安定させる作業等が必要となり、コストや手間がかかっていた。
【０００６】
一方、上記特許２６２５０７８号公報等に開示されたような針状電極によるコロナ放電を用いた従来の処理技術では、プラズマ放電による処理技術において生じていた問題点は解消できるものの、針状電極を孔近傍に正確に配置する必要があるため、多数の孔が不規則的に配列されている場合等には、針状電極の正確な位置合わせが困難であった。また、上記特開平８−２１５９３４号公報に開示されたような線状電極によるコロナ放電を用いた従来の処理技術では、位置合わせの困難性は軽減されているものの、放電が不安定になりやすく、一箇所に電流集中が生じてアーク放電に移行することがあり、基板表面を損傷してしまうおそれがあった。
【０００７】
本発明は、従来の処理技術が有する上記問題点を解決して、迅速かつ効果的な表面処理を行なうことが可能な多層プリント基板の表面処理方法及び表面処理装置を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る多層プリント基板の表面処理方法は、導電層と絶縁層とが交互に積層された積層体からなる多層プリント基板の表面処理を行なう方法であって、導電層に達するビアホール用の孔が形成された孔形成面と対向する位置に第１電極を配置すると共に、当該孔形成面と当該第１電極との間に誘電体を配置する第１配置工程と、孔形成面と対向する位置に、第１電極と異なる形状を有する第２電極を配置する第２配置工程と、多層プリント基板を挟んで第１電極及び第２電極と対向する位置に板状の第３電極を配置する第３配置工程と、第１電極と第３電極との間に電圧を印加して当該第１電極と導電層との間にコロナ放電を発生させる第１放電工程と、第２電極と第３電極との間に電圧を印加して当該第２電極と導電層との間にコロナ放電を発生させる第２放電工程とを備え、第１電極及び第２電極を、多層プリント基板の孔形成面に沿う方向に互いに離間して配置することを特徴とする。
【０００９】
また、本発明に係る多層プリント基板の表面処理装置は、導電層と絶縁層とが交互に積層された積層体からなる多層プリント基板の表面処理を行なう装置であって、導電層に達するビアホール用の孔が形成された孔形成面と対向する位置に配置された第１電極と、孔形成面と第１電極との間に配置された第１誘電体と、孔形成面と対向する位置に配置された、第１電極と異なる形状を有する第２電極と、多層プリント基板を挟んで第１電極及び第２電極と対向する位置に配置された板状の第３電極と、第１電極と導電層との間、及び、第２電極と当該導電層との間にコロナ放電を発生させるための電圧を、当該第１電極及び当該第２電極と第３電極との間に印加する電圧印加部とを備え、第１電極及び第２電極が、多層プリント基板の孔形成面に沿う方向に互いに離間して配置されていることを特徴とする。
【００１０】
これらの発明によれば、孔形成面と第１電極との間に誘電体が配置されることにより、この誘電体が微小コンデンサの集合体として機能し、放電を特定の位置に集中させないようにする役割を果たす。そのため、線状電極によるコロナ放電を用いた従来の処理技術のようなアーク放電への移行を抑制することができ、孔形成面等に損傷を与えることなくビアホール用の孔内部のスミアを除去することが可能になる。また、コロナ放電により孔形成面を親水化することができるため、小径の孔に対しても湿式処理やメッキ処理等を容易に行なうことが可能になり、ひいては十分な電気的導通を備えたビアホールを形成することができる。
【００１１】
また、これらの発明によれば、孔形成面に対して複数の電極（第１電極及び第２電極）からコロナ放電を照射するため、迅速な表面処理を行なうことが可能になる（単一の電極を用いる場合と比較して２倍の処理速度を得ることが可能になる）と共に、各電極からのコロナ放電照射に異なった意味合いを持たせる（例えば、コロナ放電の照射量を調整すること等により、一方の電極からのコロナ放電照射はビアホール用の孔内部のスミア除去を目的とし、他方の電極からのコロナ放電照射は孔形成面全体の親水化を目的とする）ことも可能になる。従って、孔内部のスミア除去と共に孔形成面全体の親水化を効果的に行なうことが可能になる。
【００１２】
この多層プリント基板の表面処理方法において、上記第２配置工程では、第２電極を配置すると共に、孔形成面と当該第２電極との間に誘電体を配置することも好ましい。
【００１３】
また、この多層プリント基板の表面処理装置において、第２電極と孔形成面との間に配置された第２誘電体をさらに備えることも好ましい。
【００１４】
これらの発明によれば、孔形成面と第２電極との間にも誘電体が配置されることとなり、上記と同様に、第２電極からの放電についてもアーク放電への移行を抑制することができ、基板表面等に損傷を与えることなく表面処理を行なうことが可能になる。
【００１５】
また、この多層プリント基板の表面処理方法において、上記誘電体が、第１電極の少なくとも孔形成面と対向する部位に被覆されたことも好ましい。さらに、上記のように孔形成面と第２電極との間にも誘電体が配置される場合には、この誘電体が、第２電極の少なくとも孔形成面と対向する部位に被覆されることも好ましい。
【００１６】
また、この多層プリント基板の表面処理装置において、上記第１誘電体が、第１電極の少なくとも孔形成面と対向する部位に被覆されたことも好ましい。さらに、上記のように孔形成面と第２電極との間に第２誘電体が配置される場合には、この第２誘電体が、第２電極の少なくとも孔形成面と対向する部位に被覆されることも好ましい。
【００１７】
これらの発明のように、誘電体が第１電極（又は第２電極）に被覆された一体構造とすれば、第１電極（又は第２電極）及び誘電体の配置や移動を容易に行なうことが可能になる。
【００１８】
また、この多層プリント基板の表面処理方法において、上記第１配置工程及び上記第２配置工程では、第１電極及び孔形成面の間隔と第２電極及び当該孔形成面の間隔とが異なるように、それぞれ当該第１電極及び当該第２電極を配置することも好ましい。
【００１９】
また、この多層プリント基板の表面処理装置において、第１電極及び第２電極は、当該第１電極及び孔形成面の間隔と当該第２電極及び当該孔形成面の間隔とが異なるように配置されたことも好ましい。
【００２０】
これらの発明のように、第１電極及び孔形成面の間隔と第２電極及び孔形成面の間隔とが異なるようにすれば、各電極からの基板に対するコロナ放電照射量に変化をつけることができ、各電極からのコロナ放電照射に異なった意味合いを持たせる（例えば、間隔が短い方の電極からのコロナ放電照射はビアホール用の孔内部のスミア除去を目的とし、間隔が長い方の電極からのコロナ放電照射は孔形成面全体の親水化を目的とする）ことが可能になる。
【００２１】
また、この多層プリント基板の表面処理方法において、上記第１配置工程及び上記第２配置工程では、第１電極及び第２電極の間隔Ｌが、上記（数１）式及び上記（数２）式を満たすように、それぞれ当該第１電極及び当該第２電極を配置することも好ましい。
【００２２】
また、この多層プリント基板の表面処理装置において、第１電極及び第２電極は、当該第１電極及び当該第２電極の間隔Ｌが、上記（数３）式及び上記（数４）式を満たすように配置されたことも好ましい。
【００２３】
第１電極及び孔形成面の間隔をａ1、第２電極及び孔形成面の間隔をａ2、第１電極と第３電極との間に印加される最大電圧をＶ1、第２電極と第３電極との間に印加される最大電圧をＶ2とすると、第１電極と孔形成面との間及び第２電極と孔形成面との間に発生する電界の最大値はそれぞれＶ1／ａ1及びＶ2／ａ2となる。一方、第１電極及び第２電極の間隔をＬとすると、第１電極と第２電極との間に発生する電界の最大値は（Ｖ1＋Ｖ2）／Ｌとなる。コロナ放電は電界がある臨界値に達することにより発生するため、第１電極と第２電極との間に発生する電界が第１電極と孔形成面との間に発生する電界より大きい場合（（Ｖ1＋Ｖ2）／Ｌ＞Ｖ1／ａ1、すなわち、Ｌ＜ａ1（Ｖ1＋Ｖ2）／Ｖ1である場合）には、第１電極と第２電極との間にコロナ放電が発生してしまい、第１電極から孔形成面に対するコロナ放電の照射効率が低下することになる。同様に、第１電極と第２電極との間に発生する電界が第２電極と孔形成面との間に発生する電界より大きい場合（（Ｖ1＋Ｖ2）／Ｌ＞Ｖ2／ａ2、すなわち、Ｌ＜ａ2（Ｖ1＋Ｖ2）／Ｖ2である場合）には、第１電極と第２電極との間にコロナ放電が発生してしまい、第２電極から孔形成面に対するコロナ放電の照射効率が低下することになる。従って、これらの発明のように、第１電極及び第２電極の間隔Ｌが、Ｌ＞ａ1（Ｖ1＋Ｖ2）／Ｖ1、及び、Ｌ＞ａ2（Ｖ1＋Ｖ2）／Ｖ2を満たすようにすれば、第１電極と第２電極との間でのコロナ放電の発生を防止し、孔形成面に対して効率的にコロナ放電を照射することが可能になる。
【００２４】
また、この多層プリント基板の表面処理方法において、上記第１配置工程及び上記第２配置工程では、それぞれ第１電極及び第２電極として、長手方向の放電点の長さが孔形成面の対角線の長さ以上である電極を配置することも好ましい。
【００２５】
また、この多層プリント基板の表面処理装置において、第１電極及び第２電極は、それぞれ長手方向の放電点の長さが孔形成面の対角線の長さ以上であることも好ましい。
【００２６】
多層プリント基板の孔形成面は通常長方形又は正方形であるが、各電極の長手方向の放電点の長さが孔形成面の一辺の長さ以上であれば、孔形成面の一辺と各電極の長手方向とを平行に配置することにより、孔形成面の端部まで一度に処理を行なうことができる。しかし、孔形成面の一辺と各電極の長手方向とを平行に配置できなかった場合（すなわち、孔形成面の一辺に対して各電極の長手方向を傾けた状態で配置した場合）には、孔形成面の端部に放電処理が行なわれない部分が生じてしまうことがある。従って、これらの発明のように、各電極の長手方向の放電点の長さを孔形成面の対角線の長さ以上とすれば、孔形成面の一辺に対して各電極を正確に平行に配置しなくても、孔形成面の端部まで一度に処理を行なうことが可能になる。
【００２７】
また、この多層プリント基板の表面処理方法において、上記第１放電工程及び上記第２放電工程では、それぞれ第１電極及び第２電極と孔形成面とを互いに相対的に移動させながらコロナ放電を発生させることも好ましい。
【００２８】
また、この多層プリント基板の表面処理装置において、第１電極及び第２電極と孔形成面とをそれぞれ互いに相対的に移動させる移動手段をさらに備えることも好ましい。
【００２９】
これらの発明のように、各電極と孔形成面とを互いに相対的に移動させることにより、第１電極及び第２電極として例えば線状の電極を用いた場合でも孔形成面全体に対して処理を行なうことができ、処理時間の短縮を図ることが可能になる。
【００３０】
また、この多層プリント基板の表面処理方法において、レーザ光を照射することによりビアホール用の孔を形成する穿孔工程をさらに備えることも好ましい。
【００３１】
また、この多層プリント基板の表面処理装置において、ビアホール用の孔を形成するためのレーザ光を発振するレーザ発振手段をさらに備えることも好ましい。
【００３２】
これらの発明のように、レーザ光（さらに好ましくは赤外域のレーザ光）を用いてビアホール用の孔を形成することにより、穿孔速度及びランニングコスト等の点において有利になる。特に、炭酸ガスレーザによるレーザ光は、銅によって反射されやすいという性質を有するため、銅箔からなる導電層で穿孔を止めることができ、ビアホールの形成に好適である。また、φ５０μｍ程度の小径の孔を形成したい場合には、紫外域のレーザ光を用いることが好適である。
【００３３】
また、この多層プリント基板の表面処理方法において、少なくとも孔形成面に湿式処理を施す湿式処理工程をさらに備えることも好ましく、ビアホール用の孔の内表面に導電性メッキを被覆するメッキ処理工程をさらに備えることも好ましい。
【００３４】
また、この多層プリント基板の表面処理装置において、少なくとも孔形成面に湿式処理を施す湿式処理手段をさらに備えることも好ましく、ビアホール用の孔の内表面に導電性メッキを被覆するメッキ処理手段をさらに備えることも好ましい。
【００３５】
これらの発明によれば、コロナ放電による孔形成面の親水化の効力が薄れる前に、速やかに湿式処理又はメッキ処理を行なうことが可能になる。また、多層プリント基板のビアホール形成処理を本方法及び本装置のみによって完結することができるため、他の処理装置や運搬作業が不要となり、迅速なビアホールの形成を実現することが可能になる。
【００３６】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照しながら、本発明に係る多層プリント基板の表面処理方法及び表面処理装置の実施形態について詳細に説明する。なお、図面の説明において、同一又は相当要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。また、図面における寸法比率等は、説明のものと必ずしも一致していない。
【００３７】
図１は、第１の実施形態に係る多層プリント基板の表面処理方法を説明するフローチャートである。同図に示すように、本実施形態に係る多層プリント基板の表面処理方法は、大きく４つの工程に分けることができる。以下、各工程において用いられる装置及び各工程における処理について詳細に説明する。
【００３８】
まず、多層プリント基板にビアホール用の孔を形成する第１工程について説明する。図２は、第１工程における処理を説明する斜視図である。同図に示すように、この第１工程では、レーザ発振部１１、ガルバノミラー１５及び１６、並びに、ｆ−θレンズ１７が用いられる。ここで、レーザ発振部１１は、炭酸ガス（ＣＯ2）レーザ発振器１２と、コリメートレンズ１３等を含む転写光学系１４とを有する。また、ガルバノミラー１５及び１６は、それぞれ図２におけるｙ軸及びｘ軸について回転可能に設置されており、ｆ−θレンズ１７は、ガルバノミラー１６の下方に設置されている。
【００３９】
第１工程では、絶縁層１０１、導電層１０２及び絶縁層１０３が交互に積層された積層体からなる多層プリント基板１００が、孔形成面を上方に向けてｆ−θレンズ１７の下方に配置された後、ガルバノミラー１５及び１６によってレーザ照射位置の調整が行なわれ、レーザ発振部２２からレーザ光が発振される。このレーザ光は、ガルバノミラー１５及び１６によって反射された後、ｆ−θレンズ１７によって集光され、基板１００の所定のビアホール形成箇所に照射される。また、複数のビアホールを形成する場合には、その都度ガルバノミラー１５及び１６によるレーザ照射位置の調整が行なわれ、レーザ光が繰り返し照射される。これにより、基板１００の孔形成面には導電層１０２に達するビアホール用の孔１０４が形成される。
【００４０】
第１工程において、レーザ光により基板１００に形成されたビアホール用の孔１０４は、図３に示すような、底部の径が上部の径よりやや小さい部分錐形となる。また、この孔１０４の底部には、絶縁層１０１の構成物質の残滓からなるスミア１０５が残っており、この状態で孔１０４に導電メッキを被覆しても、このメッキ層と導電層１０２との導通がとれなくなるため、以下の第２及び第３工程においてスミア１０５が除去されることになる。
【００４１】
次に、孔形成面にコロナ放電照射を行なう第２工程について説明する。図４は、第２工程における処理を説明する斜視図であり、図５は、図４のＩ−Ｉ断面図である。これらの図に示すように、この第２工程では、基板１００の孔形成面の上方に間隔ａ1をおいて第１電極２１が配置される。この第１電極２１は、金属製のパイプからなる電極であり、周囲には第１誘電体２２が被覆されている。また、基板１００の孔形成面の上方に間隔ａ2をおいて第２電極２３が配置される。この第２電極２３は、第１電極２１と異なる径を有する金属製のパイプからなる電極であり、周囲には第２誘電体２４が被覆されている。ここで、第１電極２１及び第２電極２３の長さを基板１００の短辺の長さ以上とすれば、基板１００に一次元状に形成された複数の孔１０４に対して一度に処理を行なえるため好ましく、第１電極２１及び第２電極２３の長さを基板１００の対角線の長さ以上とすれば、基板１００の一辺と第１電極２１及び第２電極２３の長手方向とを正確に平行に配置しなくても、基板１００の端部まで一度に処理を行なえるためより好ましい。さらに、基板１００の孔形成面の反対側には、第１電極２１及び第２電極２３の長手方向と直交する方向に基板１００を移動させるための搬送ローラ２７が設けられている。搬送ローラ２７は、ローラ係止部（図示しない）によってローラ支持台２９に係止されている。
【００４２】
基板１００は、第３電極２６上に配置されている。第３電極２６は、搬送ローラ２７に載置されている。第３電極２６は、基板１００より面積の広い金属板で構成されている。第３電極２６は接地されていてもよく、接地されていなくてもよい。第１電極２１及び第２電極２３と第３電極２６とは、外部回路により高周波電源２５を介して接続されている。この高周波電源２５は、第１電極２１及び第２電極２３と第３電極２６との間に、それぞれ高周波の交流電圧Ｖ1ｓｉｎ（ω1ｔ＋δ1）及びＶ2ｓｉｎ（ω2ｔ＋δ2）（それぞれ最大電圧Ｖ1及びＶ2）を印加することが可能になっている。ここで、第１電極２１及び第２電極２３の間隔をＬとすると、第１電極２１と第２電極２３との間に発生する電界の最大値は（Ｖ1＋Ｖ2）／Ｌとなるため、第１電極２１と第２電極２３との間でのコロナ放電の発生を防止するには、間隔Ｌが（Ｖ1＋Ｖ2）／Ｌ＜Ｖ1／ａ1（すなわちＬ＞ａ1（Ｖ1＋Ｖ2）／Ｖ1）、かつ、（Ｖ1＋Ｖ2）／Ｌ＜Ｖ2／ａ2（すなわちＬ＞ａ2（Ｖ1＋Ｖ2）／Ｖ2）を満たすように第１電極２１及び第２電極２３が配置されることになる。
【００４３】
この第２工程において、高周波電源２５により第１電極２１及び第２電極２３と第３電極２６との間に電圧を印加していくと、各電極間の電界が増大し、電界がある臨界値に達するとコロナ放電が発生する。このとき、第１電極２１及び第２電極２３から発生した放電は、孔１０４において露出した導電層１０２へと集中する。これにより、孔１０４の底部に残るスミア１０５を分解又は蒸発させて除去することができる。また、第１電極２１及び第２電極２３から発生した放電の一部が基板１００の孔形成面に照射される。これにより、孔形成面を親水化することができる。また、第１電極２１及び第２電極２３の２本の電極を放電電極として用いているため、迅速な処理を行なうことができると共に、各電極に印加する電圧量や各電極と孔形成面との間隔に変化を付けてコロナ放電の照射量を調整すること等により、各電極からのコロナ放電照射に異なった意味合いを持たせることもできる。こうしたコロナ放電処理を、搬送ローラ２７により基板１００を第１電極２１及び第２電極２３の長手方向と直交する方向に移動させながら行なうことで、すべての孔１０４の底部に残るスミア１０５を除去すると共に、孔形成面全体を親水化することができる。
【００４４】
具体例を挙げて説明すると、図４及び図５に示す装置において、第１電極２１に外径１５ｍｍ、肉圧１ｍｍ、長さ７００ｍｍのステンレスパイプ、第１誘電体２２に厚さ０．５ｍｍのフッ素樹脂と厚さ１ｍｍのシリコン樹脂、第２電極２３に外径６ｍｍ、肉圧１ｍｍ、長さ７００ｍｍのステンレスパイプ、第２誘電体２４に厚さ１ｍｍのフッ素樹脂をそれぞれ用いた場合、第１電極２１及び第２電極２３からの放電距離をそれぞれ１ｍｍ及び０．５ｍｍとして、搬送ローラ２７により基板１００を１０ｍｍ／ｓで移動させながら第１電極２１及び第２電極２３にそれぞれ８．３ｋＶ及び７．５ｋＶの交流電圧を印加して孔形成面にコロナ放電を照射することにより（この場合、第１電極２１からの強めのコロナ放電照射はビアホール用の孔内部のスミア除去を主目的とし、第２電極２３からの弱めのコロナ放電照射は孔形成面全体の親水化を主目的とすることになる）、φ１００μｍの孔１０４が１ｍｍピッチで形成された２００ｍｍ×３００ｍｍの基板１００の孔形成面に対して十分な処理を行なうことができる。
【００４５】
ここで、この第２工程におけるコロナ放電処理の優位性を、プラズマ放電を用いた従来の処理技術（以下、従来例１）、針状電極によるコロナ放電を用いた従来の処理技術（以下、従来例２）、線状電極によるコロナ放電を用いた従来の処理技術（以下、従来例３）と比較しながら具体的に説明する。
【００４６】
図６は、従来例１における処理技術を説明する断面図である。同図に示すように、この従来例１では、基板１００を挟んで電極３２及び３３が対向して配置されると共に、各電極が外部回路により高周波電源３１を介して接続されており、この高周波電源３１により各電極に電圧を印加させて各電極間にプラズマ放電を発生させ、基板１００の孔形成面にプラズマを照射させる。
【００４７】
しかしながら、この従来例１には以下のような問題点があった。第１の問題点は、除去対象が１００Å程度の有機物のみである点である。そのため、これより厚い有機物層の除去には時間がかかってしまうことになり、孔１０４に厚いスミア層が残っている場合等には、迅速なスミアの除去ができなかった。また、無機物の除去はできないため、穿孔処理の際に生じた導電層１０２のバリを除去することはできなかった。一方、本実施形態の第２工程におけるコロナ放電処理では、孔１０４に厚いスミア層が残っている場合等にも迅速なスミアの除去ができ、穿孔処理（第１工程）の際に生じた導電層１０２のバリも除去することができる。
【００４８】
従来例１の第２の問題点は、孔１０４内部にはプラズマが侵入しにくい点である。すなわち、図７に示すようにプラズマは孔形成面までしか到達しないため、特に孔１０４が小径である場合には内部のスミアの除去は困難になる。図８に示すように孔１０４の底面までプラズマを到達させるには、必要以上にプラズマ強度を高くしなければならないが、必要以上にプラズマ強度を高くすると、図９の破線の位置であった孔形成面が削られてしまい、図９の実線のように表面が荒れてしまうことがあった。一方、本実施形態の第２工程におけるコロナ放電処理では、第１電極２１及び第２電極２３から発生した放電は、その放電特性上、図１０の矢印に示すように孔１０４において露出した導電層１０２へと集中するため、孔１０４が小径であっても内部に侵入させることができる。
【００４９】
従来例１の第３の問題点は、処理にコストや手間がかかる点である。すなわち、従来例１では、ＭＨｚオーダーの高周波電圧を印加させる高周波電源や圧力制御可能なチャンバー等の大型の装置が必要とされると共に、プラズマ源として酸素、ヘリウム又はアルゴン等のプラズマガスの供給が必要とされていた。また、チャンバー内を減圧する作業やプラズマを安定させるための調整作業が必要となり、処理時間が長くなっていた。一方、本実施形態の第２工程におけるコロナ放電処理に用いられる高周波電源２５はｋＨｚオーダーのものでよく、大気圧下の空気中で放電を行なえるため特殊な設備や作業が不要であり、迅速な処理を行なうことができる。
【００５０】
図１１は、従来例２における処理技術を説明する断面図である。同図に示すように、この従来例２では、基板１００の孔形成面側に針状電極３５が配置されると共に、孔形成面の反対面側に対向電極３６が配置され、各電極が外部回路により高周波電源３４を介して接続されている。この従来例２においては、針状電極３５を孔１０４近傍に配置した後、高周波電源３４により各電極に電圧を印加させて各電極間にコロナ放電を発生させ、基板１００の孔形成面に放電を照射させる。
【００５１】
しかしながら、この従来例２では、基板１００に形成された孔１０４の位置を正確に把握すると共に、針状電極３５をこの孔１０４近傍に正確に配置する必要がある。そのため、針状電極３５を正確に位置合わせする手段が別途必要となり、特に孔１０４が小径である場合には針状電極３５の正確な位置合わせが困難なものとなっていた。また、多数の孔が不規則的に配列されている場合等には、針状電極３５の位置合わせを繰り返し行なわなければならず、手間が増えて処理時間が長くなっていた。
【００５２】
また、従来例３では、図１２に示すような線状電極３７を用いて基板１００の孔形成面にコロナ放電を照射させる。この従来例３では、針状電極に代えて線状電極３７が用いられているため位置合わせの困難性は軽減されているが、このように線状電極３７をむき出しにした状態でコロナ放電を発生させると、放電は不安定になりやすく、一箇所に電流集中が生じてアーク放電に移行することがあり、必要以上の大電流が流れるおそれがあった。そのため、孔形成面全体にまんべんなくコロナ放電を照射することが難しく、図１２の破線の位置であった絶縁層１０１を損傷して、図１２の実線のように孔１０４を広げてしまうこともあった。
【００５３】
一方、本実施形態の第２工程において用いられる第１電極２１及び第２電極２３には第１誘電体２２及び第２誘電体２４が被覆されている。この第１誘電体２２及び第２誘電体２４は、図１３に示すような微小コンデンサ２８ａ、２８ｂ、…、２８ｎの集合として機能し、放電を特定の位置に集中させないようにする役割を果たす。すなわち、印加される高周波電圧の半周期において、ある微小コンデンサが充電されてしまえばその微小コンデンサの位置で電流は流れなくなって他の微小コンデンサの位置で電流が流れ、またその微小コンデンサが充電されてしまえば他の微小コンデンサの位置で電流が流れ、といったように、電流が流れる位置が順次変化することになる。また、次の半周期においては、微小コンデンサには逆向きの充電が行なわれ、逆向きの電流が流れる位置が順次変化することになる。つまり、高周波電圧Ｖの半周期ごとに図１４に示すような電流Ｉが流れることになる。このように、本実施形態の第２工程では、従来例３のような特定の位置への放電集中を防止してアーク放電への移行を抑制するため、絶縁層１０１等に損傷を与えるおそれがなく、孔形成面全体にまんべんなくコロナ放電を照射することができる。
【００５４】
以上のように、本実施形態の第２工程におけるコロナ放電処理では、従来例１、従来例２及び従来例３における問題点を解決し、迅速かつ効果的な表面処理が行なえる。
【００５５】
なお、ここで本実施形態の第２工程におけるコロナ放電処理による親水化の効果を表わす実験例を示す。この実験例では、基板１００の絶縁層１０１として用いられるエポキシ樹脂層表面にコロナ放電を照射し、その照射時間とエポキシ樹脂層表面の放電照射部位における水の接触角との関係を測定したところ、図１５の実線に示すような測定結果を得た。コロナ放電に代えて紫外線をエポキシ樹脂層表面に照射した例（同図破線参照）と比較しても明らかなように、コロナ放電の照射によりエポキシ樹脂層表面が迅速（約１秒程度）に親水化できることが分かる。また、導電層（銅層）表面に対しても同様の測定を行なったところ、同図に示すように、エポキシ樹脂層表面の場合と同じく非常に迅速に親水化できることが分かる。さらに、図示はしないが、プラズマを絶縁層及び導電層表面に照射した場合には親水化に数分程度かかることが測定されており、プラズマを用いた表面処理と比較してもコロナ放電の照射により孔形成面を迅速に親水化できることが確認される。
【００５６】
また、導電層１０２が銅から構成される場合、コロナ放電処理の時間が長いと銅が酸化してしまうため、酸化を防止するにはコロナ放電処理の時間を１〜５秒程度にとどめることが好ましい。上述のように、基板１００を第１電極２１及び第２電極２３の長手方向と直交する方向に移動させることによって孔形成面全体にコロナ放電処理を行なう場合には、基板１００の移動速度を変えることで放電処理時間を調整することができ、導電層１０２の酸化を防止することができる。
【００５７】
次に、孔形成面に湿式処理を施す第３工程について説明する。図１６は、第３工程における処理を説明する断面図である。同図に示すように、この第３工程では、過マンガン酸カリウム溶液等のデスミア溶液７２が入った処理漕７１内に基板１００が浸され、孔形成面が湿式処理される。一般に、孔１０４の径が１００μｍ以下であると表面張力によって液体が孔１０４内部に浸入することは困難となるが、第２工程におけるコロナ放電照射の効果により、デスミア溶液７２が孔１０４内部にスムーズに浸入することができ、これにより第２工程で除去できなかったスミア１０５を除去することができる。
【００５８】
なお、この第３工程では、上述したデスミア処理のほか、必要に応じて他の湿式処理も行なわれる。例えば、孔１０４内における導電層１０２の露出部分が酸化物被膜で覆われている場合には導通不良の原因となってしまうため、還元剤溶液等によって酸化物被膜を除去する処理が行なわれる。また、孔１０４内表面を粗化してメッキ載りをよくするために、触媒等を含む処理溶液による黒化処理が行なわれる。こうした他の湿式処理においても、第２工程におけるコロナ放電照射の効果により、各溶液を孔１０４内部にスムーズに浸入させることができる。
【００５９】
最後に、孔内部にメッキを被覆する第４工程について説明する。図１７は、第４工程における処理を説明する断面図である。同図に示すように、この第４工程では、孔形成面及び孔１０４内表面に無電解銅メッキ７３が被覆される。このメッキ被覆処理は、第３工程と同様にメッキ液の入った浴槽内に基板を浸すことにより行なわれるが、ここでも第２工程におけるコロナ放電照射の効果により、メッキ液を孔１０４内部にスムーズに浸入させることができる。こうしたメッキ被覆処理により、孔１０４にビアホールが形成され、基板１００に立体的な電気回路が形成されることになる。
【００６０】
以上説明したように、第１の実施形態によれば、上記従来例１、従来例２及び従来例３と比較して、迅速かつ効果的な表面処理を行なうことができる。すなわち、特定の位置への放電集中を防止してアーク放電への移行を抑制し、孔形成面等に損傷を与えることなくビアホール用の孔内部のスミアを除去することができる。また、孔形成面に対して複数の電極（第１電極及び第２電極）からコロナ放電を照射するため、迅速な表面処理を行なうことが可能になると共に、各電極からのコロナ放電照射に異なった意味合いを持たせる（例えば、コロナ放電の照射量を調整すること等により、一方の電極からのコロナ放電照射はビアホール用の孔内部のスミア除去を目的とし、他方の電極からのコロナ放電照射は孔形成面全体の親水化を目的とする）ことも可能になる。従って、孔内部のスミア除去と共に孔形成面全体の親水化を効果的に行なうことが可能になり、湿式処理やメッキ処理等の後処理を容易に行なうことができる。
【００６１】
続いて、第２〜第４の実施形態に係る多層プリント基板の表面処理方法及び表面処理装置について説明する。なお、第２〜第４の実施形態が上記第１の実施形態と異なる点は、第２工程における電極の形状及び配置等のみであるため、他の工程についての説明や、電源及び移動手段等についての説明は省略する。
【００６２】
図１８は、第２の実施形態に係る多層プリント基板の表面処理方法の第２工程における処理を説明する断面図である。同図に示すように、本実施形態の第２工程における第１電極４１は、端部を上方に湾曲させて形成された金属板からなる電極であり、周囲には第１誘電体４２が被覆されている。また、第２電極４３は、第１の実施形態と同様な金属製のパイプからなる電極であり、周囲には第２誘電体４４が被覆されている。第１電極４１及び第２電極４３は、第１の実施形態と同様に、第１電極４１と第２電極４３との間でのコロナ放電の発生を防止するように（すなわち、間隔ＬがＬ＞ａ1（Ｖ1＋Ｖ2）／Ｖ1、かつ、Ｌ＞ａ2（Ｖ1＋Ｖ2）／Ｖ2を満たすように）配置される。
【００６３】
本実施形態の第２工程では、金属板からなる第１電極４１が用いられるため、幅の広いコロナ放電を基板１００の孔形成面に照射することができ、より迅速な表面処理を行なうことができる。具体例を挙げて説明すると、第１電極４１に幅３０ｍｍ、厚さ１ｍｍ、長さ７００ｍｍのステンレス板、第１誘電体４２に厚さ２ｍｍのシリコン樹脂、第２電極４３に外径６ｍｍ、肉圧１ｍｍ、長さ７００ｍｍのステンレスパイプ、第２誘電体４４に厚さ１ｍｍのフッ素樹脂をそれぞれ用い、第１電極４１及び第２電極４３からの放電距離をそれぞれ１ｍｍ及び０．５ｍｍとし、第１電極４１及び第２電極４３にそれぞれ８ｋＶ及び７．５ｋＶの交流電圧を印加して孔形成面にコロナ放電を照射する場合、基板の移動速度を２０ｍｍ／ｓ（すなわち第１の実施形態の２倍）としても第１の実施形態と同等以上の表面処理効果を得ることができる。
【００６４】
図１９は、第３の実施形態に係る多層プリント基板の表面処理方法の第２工程における処理を説明する断面図である。同図に示すように、本実施形態の第２工程における第１電極５１は、金属板の下部に複数個（本実施形態では４個）の金属製の半円柱を付加してなる電極であり、周囲には第１誘電体５２が被覆されている。第２電極５３は、第１の実施形態と同様な金属製のパイプからなる電極であるが、周囲には誘電体が被覆されておらず電極がむき出しのままとされている。また、孔形成面の反対面側（基板１００と第３電極との間）には、誘電体板５４が配置されている。第１電極５１及び第２電極５３は、第１の実施形態と同様に、第１電極５１と第２電極５３との間でのコロナ放電の発生を防止するように（すなわち、間隔ＬがＬ＞ａ1（Ｖ1＋Ｖ2）／Ｖ1、かつ、Ｌ＞ａ2（Ｖ1＋Ｖ2）／Ｖ2を満たすように）配置される。
【００６５】
本実施形態の第２工程では、金属板に金属製の半円柱が付加された第１電極５１が用いられるため、第２の実施形態と同様に、幅の広いコロナ放電を基板１００の孔形成面に照射することができ、より迅速な表面処理を行なうことができる。また、第２電極５３に誘電体を被覆せず、強めのコロナ放電を照射させることで、第１電極５１及び第２電極５３によるコロナ放電の目的を明確にする（第１電極５１からのコロナ放電照射は孔形成面全体の親水化を目的とし、第２電極５３からのコロナ放電照射はビアホール用の孔内部のスミア除去を目的とする）ことができる。具体例を挙げて説明すると、第１電極５１にアルミニウム板（厚さ１ｍｍ）及びアルミニウム製の半円柱（ｒ＝２．５ｍｍ）、第１誘電体５２に厚さ２ｍｍのシリコン樹脂、第２電極５３に外径６ｍｍ、肉圧１ｍｍ、長さ７００ｍｍのステンレスパイプ、誘電体板５４に厚さ１ｍｍの石英ガラス板をそれぞれ用い、第１電極４１及び第２電極４３からの放電距離をそれぞれ１ｍｍ及び２ｍｍとし、第１電極４１及び第２電極４３にそれぞれ９．５ｋＶ及び５ｋＶの交流電圧を印加して孔形成面にコロナ放電を照射する場合、第１の実施形態より基板の移動速度を早くしても第１の実施形態と同等以上の表面処理効果を得ることができる。
【００６６】
図２０は、第４の実施形態に係る多層プリント基板の表面処理方法の第２工程における処理を説明する断面図である。同図に示すように、本実施形態の第２工程における第１電極６１は、第１の実施形態と同様な金属製のパイプからなる電極であり、周囲には第１誘電体６２が被覆されている。また、第２電極６３は、頂点を下部側（基板１００側）に向けた状態で配置された金属製の三角柱からなる電極であり、周囲には第２誘電体６４が被覆されている。第１電極６１及び第２電極６３は、第１の実施形態と同様に、第１電極６１と第２電極６３との間でのコロナ放電の発生を防止するように（すなわち、間隔ＬがＬ＞ａ1（Ｖ1＋Ｖ2）／Ｖ1、かつ、Ｌ＞ａ2（Ｖ1＋Ｖ2）／Ｖ2を満たすように）配置される。
【００６７】
本実施形態の第２工程では、金属製の三角柱からなる第２電極６３が用いられるため、幅の狭いコロナ放電を発生させることができ、小径の孔１０４に対しても十分な処理を行なうことができる。具体例を挙げて説明すると、第１電極６１に外径６ｍｍ、肉圧１ｍｍ、長さ７００ｍｍのステンレスパイプ、第１誘電体６２に厚さ１ｍｍのフッ素樹脂、第２電極６３に幅１０ｍｍ、高さ７ｍｍのアルミニウム製の三角柱、第２誘電体６４に厚さ１ｍｍのシリコン樹脂をそれぞれ用い、第１電極６１及び第２電極６３からの放電距離をそれぞれ０．５ｍｍとし、第１電極６１及び第２電極６３にそれぞれ７．５ｋＶの交流電圧を印加して孔形成面にコロナ放電を照射する場合、基板の移動速度を１５ｍｍ／ｓ（すなわち第１の実施形態の１．５倍）としても第１の実施形態と同等以上の表面処理効果を得ることができる。
【００６８】
なお、本発明に係る多層プリント基板の表面処理方法及び表面処理装置は、上記実施形態に記載の態様に限定されるものではなく、他の条件等に応じて種々の変形態様をとることが可能である。例えば、上記実施形態の第２工程では、放電電極として第１電極及び第２電極の２本の電極を用いているが、より迅速な放電処理を行ないたい場合には、３本以上の放電電極を用いることとしてもよい。放電電極の本数は、求められる処理速度とコストとの関係で決定されることになる。
【００６９】
また、上記実施形態の第２工程では、第１電極（又は第２電極）の全面に誘電体が被覆される例について説明したが、これに限定されるものではなく、誘電体が第１電極（又は第２電極）と基板との間に配置されていればよい。例えば、図４及び図５における第１電極２１及び第２電極２３の下部側のみにそれぞれ第１誘電体２２及び第２誘電体２４を被覆することとしてもよい。
【００７０】
また、上記実施形態の第２工程では、基板を移動させる移動手段として搬送ローラを用いる例について説明したが、例えば移動テーブルのような他の移動手段を用いて基板を移動させることとしてもよい。また、基板を移動させる代わりに、第１電極及び第２電極をその長手方向と直交する方向に移動させることによって孔形成面全体に処理を行なうこともできる。
【００７１】
また、上記実施形態の第２工程では、１台の高周波電源によって第１電極及び第２電極に電圧を印加する例について説明したが、それぞれ別の電源を用いて第１電極及び第２電極に電圧を印加することとしてもよい。
【００７２】
【発明の効果】
本発明に係る多層プリント基板の表面処理方法及び表面処理装置によれば、従来の処理技術が有する問題点を解決し、迅速かつ効果的な表面処理を行なうことが可能になる。
【００７３】
すなわち、孔形成面と第１電極との間に誘電体が配置されることにより、この誘電体が微小コンデンサの集合体として機能し、放電を特定の位置に集中させないようにする役割を果たす。そのため、線状電極によるコロナ放電を用いた従来の処理技術のようなアーク放電への移行を抑制することができ、孔形成面等に損傷を与えることなくビアホール用の孔内部のスミアを除去することが可能になる。また、コロナ放電により孔形成面を親水化することができるため、小径の孔に対しても湿式処理やメッキ処理等を容易に行なうことが可能になり、ひいては十分な電気的導通を備えたビアホールを形成することができる。
【００７４】
また、孔形成面に対して複数の電極（第１電極及び第２電極）からコロナ放電を照射するため、迅速な表面処理を行なうことが可能になると共に、各電極からのコロナ放電照射に異なった意味合いを持たせる（例えば、コロナ放電の照射量を調整すること等により、一方の電極からのコロナ放電照射はビアホール用の孔内部のスミア除去を目的とし、他方の電極からのコロナ放電照射は孔形成面全体の親水化を目的とする）ことも可能になる。従って、孔内部のスミア除去と共に孔形成面全体の親水化を効果的に行なうことが可能になる。
【００７５】
また、孔形成面と第２電極との間にも誘電体を配置することによって、上記と同様に、第２電極からの放電についてもアーク放電への移行を抑制することができ、基板表面等に損傷を与えることなく表面処理を行なうことが可能になる。
【００７６】
また、誘電体が第１電極（又は第２電極）に被覆された一体構造とすることによって、第１電極（又は第２電極）及び誘電体の配置や移動を容易に行なうことが可能になる。
【００７７】
また、第１電極及び孔形成面の間隔と第２電極及び孔形成面の間隔とが異なるようにすることによって、各電極からの基板に対するコロナ放電照射量に変化をつけることができ、各電極からのコロナ放電照射に異なった意味合いを持たせる（例えば、間隔が短い方の電極からのコロナ放電照射はビアホール用の孔内部のスミア除去を目的とし、間隔が長い方の電極からのコロナ放電照射は孔形成面全体の親水化を目的とする）ことが可能になる。
【００７８】
また、第１電極及び第２電極の間隔Ｌが上記数式を満たすように配置することによって、第１電極と第２電極との間でのコロナ放電の発生を防止し、孔形成面に対して効率的にコロナ放電を照射することが可能になる。
【００７９】
また、各電極の長手方向の放電点の長さを孔形成面の対角線の長さ以上とすることによって、孔形成面の一辺に対して各電極を正確に平行に配置しなくても、孔形成面の端部まで一度に処理を行なうことが可能になる。
【００８０】
また、各電極と孔形成面とを互いに相対的に移動させることによって、第１電極及び第２電極として例えば線状の電極を用いた場合でも孔形成面全体に対して処理を行なうことができ、処理時間の短縮を図ることが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の実施形態に係る多層プリント基板の表面処理方法を説明するフローチャートである。
【図２】第１工程における処理を説明する斜視図である。
【図３】第１工程において形成されたビアホール用の孔を示す斜視図である。
【図４】第２工程における処理を説明する斜視図である。
【図５】図４のＩ−Ｉ断面図である。
【図６】従来例１における処理技術を説明する断面図である。
【図７】従来例１における処理技術を説明する断面図である。
【図８】従来例１における処理技術を説明する断面図である。
【図９】従来例１における処理技術を説明する断面図である。
【図１０】第２工程における処理を説明する断面図である。
【図１１】従来例２における処理技術を説明する断面図である。
【図１２】従来例３における処理技術を説明する断面図である。
【図１３】第２工程における処理を説明する斜視図である。
【図１４】第２工程における処理を説明するグラフである。
【図１５】第２工程における処理による親水化の効果を示すグラフである。
【図１６】第３工程における処理を説明する断面図である。
【図１７】第４工程における処理を説明する断面図である。
【図１８】第２の実施形態に係る多層プリント基板の表面処理方法の第２工程における処理を説明する断面図である。
【図１９】第３の実施形態に係る多層プリント基板の表面処理方法の第２工程における処理を説明する断面図である。
【図２０】第４の実施形態に係る多層プリント基板の表面処理方法の第２工程における処理を説明する断面図である。
【符号の説明】
１１…レーザ発振部、１２…レーザ発振器、１３…コリメートレンズ、１４…転写光学系、１５…ガルバノミラー、１６…ガルバノミラー、１７…ｆ−θレンズ、２１…第１電極、２２…第１誘電体、２３…第２電極、２４…第２誘電体、２５…高周波電源、２６…第３電極、２７…搬送ローラ、２８…微小コンデンサ、２９…ローラ支持台、３１…高周波電源、３２…電極、３３…電極、３４…高周波電源、３５…針状電極、３６…対向電極、３７…線状電極、４１…第１電極、４２…第１誘電体、４３…第２電極、４４…第２誘電体、５１…第１電極、５２…第１誘電体、５３…第２電極、５４…誘電体、６１…第１電極、６２…第１誘電体、６３…第２電極、６４…第２誘電体、７１…処理漕、７２…デスミア溶液、７３…無電解銅メッキ、１００…多層プリント基板、１０１…絶縁層、１０２…導電層、１０３…絶縁層、１０４…孔、１０５…スミア。
Claims (20)
- 導電層と絶縁層とが交互に積層された積層体からなる多層プリント基板の表面処理を行なう方法であって、
前記導電層に達するビアホール用の孔が形成された孔形成面と対向する位置に第１電極を配置すると共に、当該孔形成面と当該第１電極との間に誘電体を配置する第１配置工程と、
前記孔形成面と対向する位置に、前記第１電極と異なる形状を有する第２電極を配置する第２配置工程と、
前記多層プリント基板を挟んで前記第１電極及び前記第２電極と対向する位置に板状の第３電極を配置する第３配置工程と、
前記第１電極と前記第３電極との間に電圧を印加して当該第１電極と前記導電層との間にコロナ放電を発生させる第１放電工程と、
前記第２電極と前記第３電極との間に電圧を印加して当該第２電極と前記導電層との間にコロナ放電を発生させる第２放電工程とを備え、
前記第１電極及び前記第２電極を、前記多層プリント基板の前記孔形成面に沿う方向に互いに離間して配置することを特徴とする多層プリント基板の表面処理方法。 - 前記第２配置工程では、前記第２電極を配置すると共に、前記孔形成面と当該第２電極との間に誘電体を配置することを特徴とする請求項１に記載の多層プリント基板の表面処理方法。
- 前記誘電体は、前記第１電極の少なくとも前記孔形成面と対向する部位に被覆されたことを特徴とする請求項１又は２に記載の多層プリント基板の表面処理方法。
- 前記第１配置工程及び前記第２配置工程では、前記第１電極及び前記孔形成面の間隔と前記第２電極及び当該孔形成面の間隔とが異なるように、それぞれ当該第１電極及び当該第２電極を配置することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の多層プリント基板の表面処理方法。
- 前記第１配置工程及び前記第２配置工程では、前記第１電極及び前記第２電極の間隔Ｌが、
（数１）
Ｌ＞ａ1（Ｖ1＋Ｖ2）／Ｖ1
及び
（数２）
Ｌ＞ａ2（Ｖ1＋Ｖ2）／Ｖ2
（ただし、ａ1は当該第１電極及び前記孔形成面の間隔、ａ2は当該第２電極及び当該孔形成面の間隔、Ｖ1は前記第１放電工程において当該第１電極と前記第３電極との間に印加される最大電圧、Ｖ2は前記第２放電工程において当該第２電極と当該第３電極との間に印加される最大電圧を表すものとする。）
を満たすように、それぞれ当該第１電極及び当該第２電極を配置することを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の多層プリント基板の表面処理方法。 - 前記第１配置工程及び前記第２配置工程では、それぞれ前記第１電極及び前記第２電極として、長手方向の放電点の長さが前記孔形成面の対角線の長さ以上である電極を配置することを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の多層プリント基板の表面処理方法。
- 前記第１放電工程及び前記第２放電工程では、それぞれ前記第１電極及び前記第２電極と前記孔形成面とを互いに相対的に移動させながら前記コロナ放電を発生させることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の多層プリント基板の表面処理方法。
- レーザ光を照射することにより前記ビアホール用の孔を形成する穿孔工程をさらに備えることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の多層プリント基板の表面処理方法。
- 少なくとも前記孔形成面に湿式処理を施す湿式処理工程をさらに備えることを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の多層プリント基板の表面処理方法。
- 前記ビアホール用の孔の内表面に導電性メッキを被覆するメッキ処理工程をさらに備えることを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載の多層プリント基板の表面処理方法。
- 導電層と絶縁層とが交互に積層された積層体からなる多層プリント基板の表面処理を行なう装置であって、
前記導電層に達するビアホール用の孔が形成された孔形成面と対向する位置に配置された第１電極と、
前記孔形成面と前記第１電極との間に配置された第１誘電体と、
前記孔形成面と対向する位置に配置された、前記第１電極と異なる形状を有する第２電極と、
前記多層プリント基板を挟んで前記第１電極及び前記第２電極と対向する位置に配置された板状の第３電極と、
前記第１電極と前記導電層との間、及び、前記第２電極と当該導電層との間にコロナ放電を発生させるための電圧を、当該第１電極及び当該第２電極と前記第３電極との間に印加する電圧印加部と
を備え、
前記第１電極及び前記第２電極が、前記多層プリント基板の前記孔形成面に沿う方向に互いに離間して配置されていることを特徴とする多層プリント基板の表面処理装置。 - 前記第２電極と前記孔形成面との間に配置された第２誘電体をさらに備えることを特徴とする請求項１１に記載の多層プリント基板の表面処理装置。
- 前記第１誘電体は、前記第１電極の少なくとも前記孔形成面と対向する部位に被覆されたことを特徴とする請求項１１又は１２に記載の多層プリント基板の表面処理装置。
- 前記第１電極及び前記第２電極は、当該第１電極及び前記孔形成面の間隔と当該第２電極及び当該孔形成面の間隔とが異なるように配置されたことを特徴とする請求項１１〜１３のいずれかに記載の多層プリント基板の表面処理装置。
- 前記第１電極及び前記第２電極は、当該第１電極及び当該第２電極の間隔Ｌが、
（数３）
Ｌ＞ａ1（Ｖ1＋Ｖ2）／Ｖ1
及び
（数４）
Ｌ＞ａ2（Ｖ1＋Ｖ2）／Ｖ2
（ただし、ａ1は当該第１電極及び前記孔形成面の間隔、ａ2は当該第２電極及び当該孔形成面の間隔、Ｖ1は前記電圧印加部により当該第１電極と前記第３電極との間に印加される最大電圧、Ｖ2は当該電圧印加部により当該第２電極と当該第３電極との間に印加される最大電圧を表すものとする。）
を満たすように配置されたことを特徴とする請求項１１〜１４のいずれかに記載の多層プリント基板の表面処理装置。 - 前記第１電極及び前記第２電極は、それぞれ長手方向の放電点の長さが前記孔形成面の対角線の長さ以上であることを特徴とする請求項１１〜１５のいずれかに記載の多層プリント基板の表面処理装置。
- 前記第１電極及び前記第２電極と前記孔形成面とをそれぞれ互いに相対的に移動させる移動手段をさらに備えることを特徴とする請求項１１〜１６のいずれかに記載の多層プリント基板の表面処理装置。
- 前記ビアホール用の孔を形成するためのレーザ光を発振するレーザ発振手段をさらに備えることを特徴とする請求項１１〜１７のいずれかに記載の多層プリント基板の表面処理装置。
- 少なくとも前記孔形成面に湿式処理を施す湿式処理手段をさらに備えることを特徴とする請求項１１〜１８のいずれかに記載の多層プリント基板の表面処理装置。
- 前記ビアホール用の孔の内表面に導電性メッキを被覆するメッキ処理手段をさらに備えることを特徴とする請求項１１〜１９のいずれかに記載の多層プリント基板の表面処理装置。
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