JPS6215889A - 印刷回路板中の開孔の汚れを除去する方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 Ａ０発切上の利用分野 本発明はＣＦ４−Ｏ２混合気体を使用するプラズマ・エ
ッチングによる印刷回路板（ＰＣＢ）の開孔の汚れ除去
方法に関する。

Ｂ、開示の概要 本発明はプラズマ・クリーニングによるＰＣＢ中の高い
アスペクト比←縦横比）を有するせん孔した開孔の汚れ
落し方法に関する。ＣＦ４の含有量を夫々の場合に選択
する事によって、プラズマ反応器中の各個々のパネル及
びパネルの組全体にわたるエツチング速度及び均一性が
最適化出来る。

最適化はＣＦ４の含有量を６０容量係に、残りを酸素に
した場合に得られる事が見出された。

Ｃ１従来技術 多層印刷回路板（ＰＣＢ）は通常互に絶縁層で分離した
多くの導電性の銅パターンの平面より成る。今日のＰＣ
Ｂ技術の例えば７００ｍｍ　Ｘ　６００ｍｍの面積及び
最大４．６ｍｍ迄の厚さを有するボードは、グラス・フ
ァイバ強化エポキシ樹脂によって分離した２２の電流供
給面及び信号面を有する。

その製造方法は数層のプリプレグより成る所謂基本素子
の両面に銅箔を積層し、その中にホトエッチ方法で回路
を形成するものである。その後、両面上に数層のプリプ
レグ、その上に夫々一枚の銅箔を重ねる。信号線はホト
エッチ法及び半アディティブ銅めっきによって与えられ
る。次の段階はさらに絶縁層及び銅箔を両面に付着して
、開孔をせん孔するためのマスクを形成する事である。

２つの信号面を接続するために、開孔をレーザ・ビ１　
　　　　　−ムでせん孔し、その後信号線をホトエッチ
法及び半アデテイブ銅めっきによって両面に与え、せん
孔した開孔も銅めっきする。最後にこの様ないくつかの
素子及び２つの外部表面上の銅箔を積層方法で結合する
。個々の面の相互接続のためにＰＣＢを連名開孔を与え
る。　上述の寸法を有するＰＣＢでは、略０．４ｍｍの
直径を有する略４００００個の開孔をせん孔している。

この様なせん孔にはドリル板によって切削した材料がせ
ん孔壁に対して押付けられ、ここに蓄積して固体の薄膜
になるという欠点がある。この様な不純物の除去は極め
て困難で、個々の内部面間の接触不良の原因となってい
る。

従来、切削した材料を急速に除去するために、圧搾空気
の噴流を使用して、せん孔中もしくはせん孔径に材料を
コンタクト開孔かも吹出す方法が提案された（西独公開
特許第１７０４２９６号）。

しかしながうこの方法は成功していない。西独特許第２
６０６９８４号はせん孔壁のエポキシ樹脂の汚れを溶解
するクリーニング溶媒として腐食性の酸によって多層Ｐ
ＣＢ中のコンタクト開孔な化学的に清浄にする方法、及
びこの方法を実施する装置を開示している。これによれ
ば、ＰＣＢは、コンタクト開孔を形成した後、閉じたチ
ェンバ中で、処理経路上を一定速度で水平方向に移動さ
れる。この処理経路には、輸送路の下方にその輸送方向
とは垂直に配置された長孔を有する管が形成され、その
管から圧搾された濃硫酸が噴出してＰＣＢのコンタクト
開孔を強力にリンスする。その後、ＰＣＢは強力な空気
の噴流にさらされ、洗浄される。この方法の欠点はせん
孔した開孔の汚れを除くだめに、腐食性の化学薬品を使
用しなければならず、これが環境に害を与える点にある
。これと類似の方法であるが、米国特許第４１５５７７
５号は開孔のアスペクト比が高い、多層ＰＣＢ中の開孔
を清浄化する方法を開示している。この方法によれば、
先ず開孔の表面を蒸気の吹付けによる清浄化を行い、次
に硫酸クロムで開孔表面を清浄にし、次に取れやすくな
った繊維を適切な溶媒で除去している。

米国特許第４０１２３０７号は気体として低圧、低温の
酸素もしくは酸素と４フツ化酸素の混合物を使用するＰ
ＣＢ中の開孔をクリーンニングするプラズマ処理方法を
開示している。この方法はすべてのウェット（湿式）・
クリーニング方法に勝ると云われているが、プラズマが
開孔中に完全に貫入しないので、せん孔した開孔を部分
的にしか清浄出来ない事がわかっている。ところが、環
状電極を有する反応器から平行板電極を有する反応器に
移行することによって成る改良が得られた。

他の改良（ＰＣＴ出願ＷＯ第８０１０２３５３号）では
せん孔した。Ｐ　ＣＢの銅の表面自体を電極として使用
してプラズマを発生し、清浄にすべき開孔の付近の形状
を決定している。さらに、ＰＣＢの表面全体にわたるエ
ポキシ樹脂のエツチングの均一性を改良するために、重
合体材料の誘電場サプレッサをＰＣＢの４隅に置いてい
る。この方法の欠点はＰＣＢの表面に短絡回路が存在す
ると、プラズマが発生しない点にある。従ってこの種の
反応器はＰＣＢの製造には使用されていない。

近年、多くのウェット化学エツチング方法がドライ方法
、例えば気体プラズマ・エッチングによって置換えられ
ている。これ等の方法ではプラズマ中の分子がイオン化
し、多くの他の分子は分離して遊離基を形成している。

即ち結合に関与しない不対電子（ｕｎｐａｉｒｅｄ　ｅ
ｌｅｃｔｒｏｎ　）を有する分子の断片が形成される。

このときイオン、特に遊離基のイオンが存在するために
、プラズマは極めて反応を生じ易くなる。その代表的な
用途は低温、低圧で実施出来る有機材料の表面のエツチ
ングを含む。プラズマを発生して利用する装置は比較的
複雑でなく、ウェット化学処理方法に見られる様な多く
の欠点がない。例えば、プラズマ反応の生成物は気体で
あるから、プラズマ・エッチングの後に、固体の残渣が
残らない。プラズマ・エッチングに使用する代表的な気
体は、酸素（０２）もしくは酸素及び４フツ化炭素（ｃ
Ｆ４）の混合物である。ここで４７ツ化炭素は原子のフ
ッ素源として使用される。エレクトロニクス工業におい
て、プラズマ・エッチング過程は有機材料の表面の一様
！ なエツチングに使用されている。例えば米国特許第３８
０６３６５号は酸素と有機ハロゲン化合物のプラズマに
よって半導体表面からホトレジスト材料を除去する方法
を開示している。米国特許第３８１６１９６号及び第３
８１６１９８号は、半導体の製造方法でホトレジスト・
マスクを通して合成溝膜中にパターンタエッチングする
方法を開示している。米国特許第３６１５９５６号は半
導体ウェハを研摩して清浄にするのに、酸素と４７ツ化
炭素を使用する方法を開示している。

上述の米国特許第４０１２３０７号はＰＣＢ中にせん孔
した開孔中の汚れを取るだめのプラズマ・エッチング方
法を含んでいる。この目的のために、酸素及び４フツ化
炭素の混合物を使用している。この特許は略１５乃至６
０容量係のＣＦ４の含有百分率及び略０．２６７ミｌＪ
・バールの圧力を使用した時にＰＣＢ中にせん孔した開
孔のエポキシ樹脂の汚れを除去する最速のエツチングが
得られる事を示している。従って従来は３０容量係の４
７ツ化炭素及び残比の酸素を含む混合物がアスペ！ クト比が略１：１から１：３迄のＰＣＢ中の開孔をクリ
ーンニングするのに成功していた。しかしながら清浄に
すべき回路板が極めて大きく、例えば６００Ｘ７００ｍ
ｍで開孔のアスペクト比が高く略１：１１乃至１：１６
である時はエツチングの均一性に関して問題がある。

平行パネル反応器中に上述の寸法及び上述のアスペクト
比の、数枚のパネルを装填した時には個々のパネルに関
するエツチングの均一性、パネルとパネルを比較した場
合の均一性が満足すべきものではない事がわかっている
。仮に３０容−ｔ％のＣＦ４を含むエツチング気体を使
用すると、エツチング速度は開孔の入口では最高になる
が、中央に向って減少する。同じ事は個々のパネルにつ
いても云え、エツチング速度はパネルの縁では中央より
も高くなる。

Ｄ０発明が解決しようとする問題点 本発明の目的はＣＦ４　０２混合気体を使用するプラズ
マ・エッチングによって開孔の汚れを除去する方法を与
える事にある。

本発明の方法に従えば高いアスペクト比を有する個々の
開孔のエポキシ樹脂の汚れが除去され、個々のセル中の
パネル及びプラズマ反応器中のすべてのセルの脂肉のパ
ネル内のセル内の開孔が同時に一様にエッチされる。

Ｅ９問題点を解決するための手段 以下説明する様に、プラズマ・クリーンニング方法の効
果を測定を基にして研究し、エポキシ樹脂の汚れを（高
いエツチング速度で）除去する事に関する情報、岬ち開
孔の内部に関するエッチの均一性、個々のパネルに関す
るエッチの均一性、及びパネル間を比較した場合のエッ
チの均一性についての情報を得た。各場合にエツチング
気体のＣＦ４の含有率は２乃至８０容量係間にし、残比
な酸素にした。すべての他のパラメータは一定にした。

開孔のエッチ・バックはパネル中に挿入したサンプルに
ついて測定した。最も有利なエッチ・バック及び均一性
を考えるＣＦ４の含有率で、再現性に関する多くのテス
トを行った。パネルの温度に対するＣＦ４の含有率の影
響も検べた。本発明に従う有効なプラズマ・エッチング
気体のＣＦ４の含有率は略５０乃至８０容−ｉ％、０２
の含有率は５０乃至２０容量係である。

Ｆ、実施例 すべてのテストはカリホルニア州へイワード市（Ｈａｙ
ｗａｒｄ、　ＣＡ　）のプランノン／アイ・ビー・シー
社（Ｂｒａｎｓｏｎ／　Ｉ　ＰＣＩｎｃ、　）　　によ
って販売されている１３．５ＭＣ／Ｓ発生器を備えたタ
イプ７４１５の多重セル平行板プラズマ反応器中で実施
した。すべてのプラズマ・テスト・シリーズのための処
理パラメータ及び処理順序は同じにしてＣＦ４の含有率
だけケ変えた。

パラメータは次の通りである。

全気体の流率　　１．２℃／分 圧力　　　　　　　０．３３３３ミリ・バール電力　　
　　　　　３５００ワツト 負荷　　　　　　　６００Ｘ７００ｍｍの８枚のボート
高周波でプラズマ処理中のボードの温度をエポキシ樹脂
のＴ、点である略１２８°Ｃ以下に保持するために、次
の手順を使用した。

２５分間プラズマ処理を行う。

１０分間反応器のとびらを開けてボード及び装置を冷却
する。

２５分間プラズマ処理を行う。

気体の導入口のＣＦ４の含有率を２乃至８０容量係の範
囲で変えた。負荷の変動、装置の非信頼、性もしくはプ
ロセスの不安定によるシステムの故障を避けるために高
い含有率及び低い含有率のＣＦ４を交互に使用した。

第１表　− ＣＦ４の含有比　　ＣＦ４の流率　　試行番号（容量チ
）　　　（２／分） ２　　　　　　　　　０．０２４　　　　　　　１１１
０　　　　　　　　０．１２０　　　　　　　　６２０
　　　　　　　　　０．２４０　　　　　　　　９３０
　　　　　　　　　０．３６０　　　　　　　７４０　
　　　　　　　　０．４８０　　　　　　　　５５０　
　　　　　　　０．６００　　　　　　　３６０　　　
　　　　　　０．７２０　　　　　　　　１７０　　　
　　　　　　０．８４０　　　　　　　．２８０　　　
　　　　　　０．９６０　　　　　　　　４通常１０枚
のボードを充填出来る平行板反応器の外側の２枚のセル
のエポキシ樹脂のエッチ・バック率は低いので、８枚の
内側のセルだけにエツチングのためのボードを装填した
。反応器中のボードを装填した８枚のセルすべてのエッ
チの均一性を確かめるために、最高のエッチ・バックを
示すセル、即ちセル６（第１図）中のボード、及び最低
のエッチ・バックを示すセル、即ちセル８中のボードに
ついてエポキシ樹脂のエッチ・バックを決定した。汚れ
のエッチ・バックがセル６中で最高であるのは、おそう
（電極対に対する電力の供給が非対称である事と、反応
器中の対応する温度分布による。気体の流れの方向も成
る程度重要な関係があるものと考えられる。すべてのテ
スト試行で、ＰＣＢは平行ボート反応器中のボート間に
浮遊した状態で配置した。第１図はセル２乃至９を装填
したプラズマ反応器を示す。電極は示していない。

セル２乃至９のエッチの均一性はセル６及び８の外側の
最高のエッチ位置（Ａとして示されている）及びボード
の中央の最低のエッチ位置（Ｅで示しである）にある開
孔のエポキシ樹脂のエッチ・バックを特に検べろ事によ
って確かめられた。

これ等のセル６．８には前処理したＰＣＢ　１が装填さ
れ、そのＰＣＢの点（Ａ及びＥ）にサンプル２゛が挿入
されている（第２図）。残りのセルには前処理しないボ
ードヶ挿入した。

挿入サンプルによるボード全体のエッチの均一性の検査
について第３Ａ図乃至第３Ｅ図を参照して説明する（又
、１９８２年６月刊アイ・ビイ・エム−・テクニカル・
ディスクロジャ・プルティン第２５巻、第１号、第２８
４−２８５頁のプラズマ・エッチ・プロセスのためのテ
スト標本と題するダブリユウ・ディ・ルーの論文　（Ｉ
ＢＭ＝Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ　Ｄｉｓｃｌｏｓｕｒｅ　Ｂ
ｕｌｌｅｔｉｎ　Ｖｏｌ、２５゜Ｎｏ、　１．　Ｊｕｎ
ｅ　１９８２．　ｐｐ　２８４−２８５．　Ｗ、　Ｄ　
、　Ｒｕｈ。

Ｔｅ５ｔ　Ｓｐｅｃｉｍｅｎ　ｆｏｒ　Ｐｌａｓｍａ　
Ｅｔｃｈ　Ｐｒｏｃｅｓｓを参照されたい）。テストを
行うために、寸法が２５ｍｍＸ２５ｍｍのサンプル３１
及び１０　ｍｍ　Ｘ　２５ｍｍのマスク３６をせん孔し
たボードから切取りた。従ってサンプル３１はせん孔し
た開孔３２を含んでいる。サンプル及びマスクの夫々の
一つの表面を研摩して、両者を重ねた時に密着する様に
した。マスク３６の研摩表面は溝３４を有し、サンプル
３１及びマスク３３の研摩表面を一致させた時にせん孔
した開孔をシミュレートする（第６Ｂ図開孔３４ａ）。

マスクを介してエツチングすると、通常の様にせん孔し
た開孔の直径と路幅が等しい（ぼみ３４ｂが形成される
（第３Ｄ図）。

第３Ｃ図に示した様にマスク−サンプル対をエツチング
のためにボート３７の窓中に挿入した。第６Ｂ図に拡大
して示した様に、ボードはくさび３５によって挿入され
、互に押付げられる。各サンプル−マスク対の両側は銅
のコーティング３６で被複した。サンプル６１中の開孔
３２の半分をエツチング中にアルミニウム箔３８で覆っ
た。プラズマ・エッチング中、サンプル６１のシミュレ
ート ト開孔領域の研摩表面は反応種によってエッチされた。

グラス・ファイバのないサンプル中にはくぼみ３４ｂが
出来、これと同時に銅板も著しくエッチされた。エッチ
したサンプルのエポキシ樹脂のエッチ・バックは表面検
査器によって確かめた。

表面検査器のスタイラスの追跡トラックの方向は第３Ｄ
図の矢印３９で示しである。エポキシ樹脂のエッチ・バ
ックの追跡トラックからエッチしたくぼみ３４ｂに沿う
エツチング速度及びエツチングの均一性を計算する事が
出来る。

上述の動作と同時に、開孔６２を有するサンプルを使用
して、開孔を銅めっきした後の平坦部及び断面部を基に
してプラズマで清浄した開孔及び清浄にしない開孔を比
較する事が出来る。この目的のために、上述の如く、サ
ンプル３１中にせん孔した開孔３２の半分の両側（上下
）を自己接着性のアルミニウム箔３８で覆い、処理中の
プラズマの影響をなくした（第６Ｂ図、及び第３Ｅ図）
。

断面テスト方法の長所は、処理したボード自体に実施出
来て製品の品質を評価出来る点にある。一方その欠点は
顕微鏡の拡大率が２５０倍と低く、せん孔した開孔の壁
が粗いためにグラス・ファイバのあるところのエポキシ
樹脂のエッチ・バックの検査可能な最低値がわずか略６
μｍであるため、分解能が低い点にある。しかしながら
上述の挿入サンプルによるエポキシ樹脂のエッチ・バッ
クの決定方法はサンプルの表面が研摩されている事と、
機械的な表面検査器の分解能が高いために（略５０００
倍）、略０．２μｍの分解能を有する。この高い分解能
によって、くぼみ３４ｂに沿うエッチ・バックのプロフ
ィールが、内部の銅の平面及びグラス・ファイバの表面
を測定の基準線として極めて正確に確定出来る。この方
法を使用してセル６及びセル８中のＰＣＢの位置Ａ及び
Ｅにおける（ぼみ３４ａ中のエポキシ樹脂のエッチ・バ
ックのプロフィールを決定した。エッチの均一性はセル
６及び８の全面、他セルの組即ちセル２乃至９全面につ
いて決定した。

プラズマ・エッチ中のパネル温度は４つの挿入サンプル
の近くのパネルについて両方のセルで測定した。略７４
乃至１２１°Ｃの温度が測定された。

温度は５乃至６°Ｃの段階で記録した。温度を測定する
のに使用する条片を覆う自己接着性のアルミニウム箔が
条片をプラズマから防止した。

以下第４図乃至第６図を参照して、実験結果について説
萌する。上述の様に、最大のエポキシ樹脂のエッチ・バ
ックはＰＣＢの外側の帯域、例えば位置Ａの開孔の入口
で生じ、最小のエッチ・バックはボードの中央の位置Ｅ
の開孔の真中で生ずる。例えば、２０容量チのＣＦ４及
び残りを酸素とする混合物を使用した場合のセル６中の
ＰＣＢ（７）位置Ａにおける開孔の入口のエポキシ樹脂
のエッチ・バック６　Ａ　ＨＥは１８．９μｍ及び１７
．１μｍであり、即ち平均１８．０μｍである。エッチ
・バックの最小値は同じ気体を使用した場合、位置Ｅの
パネルの真中で６ＥＨＭ＝１．１μｍである。

第４図及び第５図は夫々プラズマ反応器のセル８及び６
に関して、エッチ気体のＣＦ４の含有百分率（２乃至８
０容量％）に対する位置Ａの２つの開孔の入口で測った
２つのエッチ・バック値の平均値６Ａ−及び８Ａ　　、
　　位置Ｅの開孔の真Ｅ 中のエッチ・バック値６Ｅ　及び８Ｅ　　並びＨＭ　　
　　　　　　ＨＭ にパネル全面についての対応するエッチの均一性を示す
。

ＣＦ４の含有率以外に、第４図は種々のＣＦ４濃度で測
定した場合の順序を示す。

セル全体のエッチの均一性、即ちＣＦ４の含有率の関数
としてのパネル全体のエッチの均一性は開孔の入口のエ
ポキシ樹脂のエッチ・バック（位置Ａ）に強く依存する
。最大のエッチ速度を有するセル６（第４図）の場合に
は、開孔の入口のエッチ・バック６　Ａ　ｕ　Ｅは次の
様にエッチ気体のＣＦ４の含有率を略６０容量係に上昇
する迄急激に増大し、その後減少する。　　　′ ＣＦ４チ　２　１０　２０　３０　４０　５０　６０　
７０　８０６ＡＨＥ５．６９．０１８．０２Ｂ、３２６
．５２２．８１０．７６．０１．４（μｍ） 開孔の真中のエポキシ樹脂のエッチ・バック（位置Ｅ）
も又次の様にＣＦ４の含有率の上昇と共に増大するが、
急激ではない。

ＣＦ４係　２　１０　２０　３０　４０　５０　６０　
７０　８０６ＥＨＭ１．６０．４１．１１．４２．６４
．７６．１２．５１．３上の数値列から６ＥＨＭのエッ
チ気体のＣＦ４の含有率が略６０容量係の時に得られる
事がわかる。

パネル全体のエッチの均一性は開孔の真中のエッチ・バ
ックに対する値を開孔の入口のエッチ・バックのだめの
平均値で除算する事によって計算される。

ＣＦ４ｑ６２　１０　２０　３０　４０　５０　６０７
０８０これ等の数値はＣＦ４の濃度が略１０容量係以下
の場合にセルのエッチの均一性が極めて高い事を示して
いる。この場合エッチ気体のフッ素の含有率は極めて低
く、酸素がエツチング種を補うので開孔の入口ではほと
んどエツチングの加速はない。開孔の真中の最高のエッ
チ・バックは６０容量チのＣＦ４で得られるが開孔の入
口のエッチ・バックはこのＣＦ４の含有率の時は安定化
（パシベーション）のために既に減少している。従って
このＣＦ４の濃度では０．５７という高いエッチの均一
性な与える。より高い方にＣＦ４の含有率が移行すると
、エッチの均一性は増大するが同時にエッチ・バック自
体の値が減少する。

セル８、即ちプラズマ反応器中で最低のエッチ率を有す
るセル中でもＣＦ４のエッチ気体の含有率を上昇すると
、エポキシ樹脂のエッチ・バックが増大するが、全体的
にはセル６の場合よりもはるかに低い。開孔の入口にお
けるエッチ・バックの最大値８　Ａ　ＨＦ＝　２４　μ
ｍ　（第５図）はＣＦ４の含有率が４０容量φの時だけ
に達成される（セル６中では３０容量係の時）。開孔の
真中では、エッチ・バックの最大値８Ｅπ習＝２．５μ
ｍは、セル６の場合と同様にＣＦ４が６０容量係の時に
得られ・巻枦ゼル８中の４０も゛じ・〈−は１６０容量
４めＣ・Ｆ、の時のエッチの均一性を示す値は夫々０．
０７３５及び０．２３１である。セル８中のエポキシ樹
脂のエッチ・バックが全体としてセル６中の場合よりも
低いツバプラズマ・エッチングのパネル温度の差による
。それはセル日中のパネル温度はセル６中よりも常に低
いからである。各セル中のパネル温度はＣＦ４の含有率
を上げると上昇し、セル６では５０乃至６０容量係のＣ
Ｆ４で最大約１２１℃　になり、セル８では６０容量の
ＣＦ４で最大約１０８０Ｃになる。

エポキシのエッチ・バックのための曲線は、プラズマ系
０□／ＣＦ４　による重合体材料のエッチ、バックに対
する機構で説明出来る。この機構に従えばエポキシ樹脂
の表面のフッ素原子の相対濃度は最初ＣＦ４の濃度を増
大すると増大する。フッ素の原子はエポキシ樹脂と反応
して、存在する結合を破壊してエツチング媒質の侵食の
ための活性中心となる。一方ＣＦ４の濃度が高いと、多
くのＣＦ　　の結合がエポキシ樹脂の表面上に出来、こ
れによって表面が安定化して、エポキシ樹脂のエッチ・
バックが減少する。この知見は、高いアスペクト比の開
孔を清浄にするために利用できる。

即ちＣＦ４の含有率の高いエッチ気体はすべての利用可
能なフッ素を使用し尽すことにより、開孔の入口のエポ
キシ樹脂を強力にエッチ・バック出来る。これと同時に
活性フッ素がなくなるので、開孔の真中ではエッチ・バ
ックは低くなる。尚、ＣＦ４の成分が多い場合に生じる
表面のパシベーション現象は、孔の入口でのエツチング
の減少と孔の中央でのエツチングの増大を説明し得る。

というのは、ＣＦ４の成分が多いと、孔の中央で再び活
性フッ素が利用可能となるからである。さらにＣＦ４の
含有率を増大すると、開孔の真中の表面の安定化が生じ
、従って開孔の真中と開孔の入口のエッチ・バックが略
バランスし、セル全体にわたっては時間と共にエッチの
均一性が増大する。

例えばセル６では、ＣＦ４の含有率を６０容量係にした
場合のセルの均一性は０．７５である。ＣＦ４の含有率
を７０容量係にした場合には、開孔の真中でも表面の安
定化が生ずるのでセル全体の均一性は０．８３となる。

第６図はセル６からセル８迄のプラズマ反応器全体のエ
ッチの均−性及び両セルでエッチ・バックが最低になる
点、即ちセル８のパネルの中心の開孔（位置Ｅ）の真中
のエッチ・バックをＣＦ４の関数として示している。全
体的なエッチの均一性はセル８の開孔の真中のエッチ・
バックの値８ＥＨＭをセル６の開孔の入口のエッチ・バ
ックの値６ＡＨＦ、で割る事によって計算出来る。

７０容量チのＣＦ４の場合には０．４８のエッチの均一
性が達成されるが、エッチ・バック率は低い。

次の第２表は６０容量ヂのＣＦ４及び残比の０□より成
る混合気体を使用した場合のすべての場合のエッチの均
一性を示す。

！ 以上の事から、ブランンン（Ｂｒｔａｎｓｏｎ　）　　
７４１５の多重セル平行板反応器中で、開孔の直径対パ
ネルの厚さのアスペクト比が略１：１１乃至１：１３と
高い、ＰＣＢ中のせん孔した開孔のエポキシ樹脂のエッ
チ・バック及びエッチの均一性に対するＣＦ４の含有量
の影響力を、挿入したサンプルによってテスト出来たと
結論出来る。エポキシ樹脂のエッチ・バックの平均値、
せん孔した開孔内の均−往側々のパネルにまたがる均一
性、及び全プラズマ反応器内の均一性について、６０容
ｔ％のＣＦ４及び残りの０２によるプラズマ・クリーニ
ング処理は最適な結果を示した。略１０容量係及びそれ
以下のＣＦ４の含有率の場合でもエッチの均一性は改良
されるが、この濃度のＣＦ４によるエポキシ樹脂のエッ
チ・バックは６０容量係のＣＦ４の場合と比較して著し
く減少する。

挿入したサンプルの場合、エッチ気体のＣＦ４の含有率
がせん孔した開孔のエッチの前縁を決定し、従ってＣＦ
４の含有率に依存してせん孔した開孔の壁の断面は凹面
、直線もしくは凸面をなす事がわかった。

Ｇ０発明の効果 本発明に従５ＣＦ４−０２混合気体を使用するプラズマ
・エッチングにより、高いアスペクト比を有する個々の
開孔中のエポキシ樹脂の汚れが除去され、個々の各開孔
全体、個々のセル中のパネル、プラズマ反応器中のすべ
てのセル内の開孔が同時に一様にエッチされる。

【図面の簡単な説明】

第１図は複数のセルを塔載した平行板反応器を示した概
略図である。第２図は隅及び中央の位置にサンプルを挿
入した印刷回路板を示した概略図である。第６Ａ図、第
３Ｂ図、第３Ｃ図、第３Ｄ図及び第３Ｅ図は挿入サンプ
ルによる検査方法を示す図である。第４図はセル６のエ
ポキシ樹脂のエッチ・バックとエッチの均一性＠ＣＦ４
の濃度！　　　　　の関数として示した図である。第５
図はセル８のエポキシ樹脂のエッチ・バック及びエッチ
の均一性をＣＦ４の濃度の関数として示した図である。 第６図はセル６とセル８を比較した時のエッチ、の均−
性及びセル８のパネルの中央の開孔の真中のエッチ・バ
ックをＣＦ４の濃度の関数として示した図である。 １・・・・印刷回路板、２．６．４．５．６．７．９、
？・・・・セル、２１・・・・サンプル、３１・・・・
サンプル、５２・・・・開孔、３３・・・・マスク、６
４・・・・シミュレート溝、６４ａ・・・・シミュレー
ト開孔、３５・・・・（さび、３６・・・・銅コーテイ
ング、３７・・・・ボード。 出願人インターｆ’１３ナル・ヒ林ス・マシーンズ・コ
セーション代理人　弁理士　　山　　本　　仁　　朗（
外１名） サンプル植挿入した印刷回路板 箪２図 挿入すンブ１しの形次 第３Ｅ図 エッ＋ノＮ　−Ｐ＝、　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　工どキシ・エッチ・ノぐ′・ンクエッチ
／）均一性 １・ｌ千の均一性 １・ｙ干の均−性 第５図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 　ＣＦ＿４及びＯ＿２の混合物によるプラズマ・エッチ
   ングによつて印刷回路板中の高いアスペクト比を有する
   開孔の汚れを除去する方法であつて、 （ａ）清浄にすべき印刷回路板をプラズマ反応器中に装
   填し、反応器を第１の予じめ定まつた圧力になる迄排気
   し、 （ｂ）第２の予じめ定まつた圧力になる迄略５０乃至８
   ０容量％のＣＦ＿４及び５０乃至２０容量％のＯ＿２よ
   り成る混合気体を供給し、 （ｃ）プラズマ反応器に接続した高周波発生器を動作さ
   してプラズマを発生し、 （ｄ）せん孔した開孔の汚れを除去するに十分な時間プ
   ラズマを保持し、 （ｅ）高周波数発生器の動作を中止し、空気を供給して
   プラズマ反応器を解放する段階より成る、印刷回路板中
   の開孔の汚れを除去する方法。