JPH11121901A

JPH11121901A - 回路基板の製造方法

Info

Publication number: JPH11121901A
Application number: JP7585598A
Authority: JP
Inventors: Akira Iwamori; 暁岩森; Noriyuki Yanagawa; 紀行柳川; Mitsuru Sadamoto; 満貞本; Moriji Morita; 守次森田; Kunio Nishihara; 邦夫西原
Original assignee: Mitsui Chemicals Inc
Current assignee: Mitsui Chemicals Inc
Priority date: 1997-08-11
Filing date: 1998-03-24
Publication date: 1999-04-30

Abstract

(57)【要約】【課題】プラズマを用いた回路基板の孔開け加工方法の
提供。【解決手段】回路基板として、導電層と導電層との間に
形成され、かつ、主に樹脂からなる絶縁層を有し、電気
的接続をとる為の孔径が０．３ｍｍを越えないものを使
用する。プラズマを発生させてこの回路基板に孔開け加
工を行う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は回路基板の製造方法
に関する。詳しくは本発明は導電層と絶縁層の積層体か
らなる回路基板において、プラズマを用いて絶縁層に孔
開けを行う回路基板の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、電子産業において、電子機器の高
性能化、高機能化、コンパクト化が求められており、そ
れに伴ってＩＣチップ、ＩＣチップを実装する為のボー
ド（Ｂｏａｒｄ）も微細化、高密度化が進んでいる。Ｉ
Ｃチップでは、シリコン等の微細なパターニングの際に
はプラズマを用いたドライプロセスは必須である。ま
た、導電層である銅箔と絶縁層であるポリイミドを交互
に積層した回路基板はポリイミドの有する優れた耐熱
性、電気的特性等、等の理由によりＩＣの実装用基板と
して広く用いられている。

【０００３】プリント配線板の実装技術、とりわけ回路
基板製造時における、スルーホール、バイアホール形成
技術は特に重要である。現在のスルーホール（Through
Hole）、バイアホール（Via Hole）形成法としてメカニ
カルドリル法、レーザー加工法等のドライプロセスがあ
るが、中でも近年のレーザー加工技術の発展に伴い、レ
ーザーによるスルーホール、バイアホール形成技術が進
歩している。このようなドライプロセスを用いてスルー
ホール、バイアホールを形成する場合、スルーホール、
バイアホール形成時に生じる残渣がその後の工程で不良
を生じさせる原因になっている。

【０００４】また、ウエットエッチングによりスルーホ
ール、バイアホール加工を行う場合でも、穴の形状が小
さい為にエッチング速度分布が生じ、部分的に完全にス
ルーホール、バイアホールが形成されない部分も生じ
る、といった問題がある。また、ウエットエッチングの
場合、その液体の取扱い難さや廃液処理の問題、基板の
汚染、さらにはエッチング形状を自由に制御できないと
いった問題がある。現在、このエッチング形状の制御性
は回路基板のファイン化に伴い益々重要性を増してい
る。具体的には等方的な形状よりも異方的な形状が求め
られている。一方、プラズマを用いたドライエッチング
法は基板を汚染しないこと、廃液等の問題が生じないこ
と、さらには加工形状の制御が可能であるといった特徴
がある。

【０００５】しかしながらプラズマを用いるエッチング
の場合、エッチングの加工形状とエッチング速度は相反
する因子であり、加工形状の制御と高いエッチング速度
を両立させるのは困難であった。そのため、プラズマを
用いて絶縁層であるポリマーをエッチングする技術は報
告されていたものの、実際の回路基板のスルーホール、
バイアホールの形成に応用された例はほとんど報告され
ていなかった。とりわけ、孔径が０．３ｍｍ以下の微細
な孔開け加工に対して応用された例は報告されていな
い。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上記
した問題点のない、プラズマを用いた回路基板の孔開け
加工方法を提供することにある。

【０００７】

【課題を解決する為の手段】本発明者等は、０．３ｍｍ
を越えないの微細な孔を有する回路基板の孔開け加工技
術に関し鋭意検討した結果、プラズマを用いることで達
成されることを見いだした。さらに、エッチング速度の
向上、孔開け加工の異方的形状には電極の形状、エッチ
ング時の温度制御、エッチング種の制御が重要であるこ
とを見いだし、本発明を完成するに至った。

【０００８】即ち、本発明の要旨は、（１）導電層と導
電層との間に形成され、かつ、主に樹脂からなる絶縁層
を有し、電気的接続をとる為の孔径が０．３ｍｍを越え
ないものである回路基板において、プラズマを生起させ
て孔開けを行うことを特徴とする回路基板の製造方法で
あり、（２）周波数が１０乃至１００ＭＨｚの高周波電
源を用いてプラズマを生起させることを特徴とする
（１）に記載の回路基板の製造方法であり、（３）高周
波電圧とは独立に、高周波に直流成分を印加することを
特徴とする（１）乃至（２）のいずれかに記載の回路基
板の製造方法であり、（４）高周波印加電極が凹凸構造
を有する電極であることを特徴とする（１）乃至（３）
のいずれかに記載の回路基板の製造方法であり、（５）
凹凸構造を有する電極において、凹部の深さｈが電極間
隔ｄの少なくとも１／２であり、かつ、凸部の幅ｗが電
極間隔ｄの少なくとも１／４であることを特徴とする
（４）に記載の回路基板の製造方法であり、（６）凹凸
構造を有する電極上に回路基板を電極面に対して平行に
設置することを特徴とする（４）乃至（５）のいずれか
に記載の回路基板の製造方法であり、（７）絶縁層であ
る樹脂のガラス転移温度をＴｇとすると、孔開けを行う
際の基板の温度Ｔが、Ｔｇ＋１００℃を越えないことを
特徴とする（１）乃至（６）のいずれかに記載の回路基
板の製造方法であり、（８）プラズマを生起させるのに
用いるガスが酸素にアミンのフッ化物ガスを添加した混
合ガスであることを特徴とする（１）乃至（７）のいず
れかに記載の回路基板の製造方法であり、（９）アミン
のフッ化物ガスが（ＣＦ₃）₃Ｎ、または（Ｃ₂Ｆ₅）
₃Ｎであることを特徴とする（８）に記載の回路基板の
製造方法であり、（１０）プラズマを生起させるのに用
いるガスが酸素にＮＦ₃ガスを添加した混合ガスである
ことを特徴とする（１）乃至（７）のいずれかに記載の
回路基板の製造方法である。

【０００９】

【発明の実施の形態】本発明は導電層である銅箔と絶縁
層である樹脂層を交互に積層した回路基板であれば何れ
の回路基板にも適応できるが、中でも優れた耐熱性、電
気的特性等を有するポリイミドを樹脂層に用いた多層回
路基板に好適である。

【００１０】本発明で用いることのできる高周波電圧は
１０ｋＨｚ〜１０００ＭＨｚ、好ましくは１０ＭＨｚ〜
１００ＭＨｚであるが、電波法上および取扱い上１３．
５６ＭＨｚ、或いは２７ＭＨｚが好適に用いられる。特
にこの範囲の周波数がプラズマ中でのイオン、ラジカル
の運動性を制御する上で好ましい。更に前記した高周波
電圧とは独立に、高周波電圧に直流電圧を印加すること
によりイオンポテンシャルを制御し、イオンによる選択
的エッチング性を制御することができる。

【００１１】次に、エッチング速度を向上させるために
は（ａ）電極の形状、（ｂ）エッチング時の温度制御、
（ｃ）エッチング種の制御が重要である。つまり、
（ａ）電極の構造に凹凸構造をつけることで、プラズマ
密度を向上させ、エッチング速度を向上させることがで
きる。凹凸構造を有する電極において、山の高さ、すな
わち凹部の深さｈが電極間隔ｄの１／２未満では、電極
表面を凹凸に形成した効果が小さくなる。山の高さｈは
電極間隔ｄの少なくとも１／２であることが好ましい。

【００１２】更に、凹凸構造を有する電極において、山
の幅、すなわち凸部の幅ｗが電極間隔ｄの１／４未満で
は、電極の凹凸構造による効果が小さくなる。特にこの
幅ｗはエッチングの均一性に影響を及ぼす。つまり、凸
部の幅ｗが電極間隔ｄの少なくとも１／４であれば、均
一性は著しく向上し、エッチング速度の場所依存性が殆
ど無くなることが分かった。

【００１３】また、（ｂ）エッチングは物理的反応でな
くむしろ化学的反応で進行することを考えると、加熱下
に行うことが反応速度を向上させる上で必要であり、特
に絶縁層のガラス転移温度（Ｔｇ）付近に加熱した雰囲
気下で行えば、最も反応性が高いことを見いだした。つ
まり基板温度（Ｔ）がＴｇ付近に加熱されていると、エ
ッチング速度が高くなることを見いだしたのである。

【００１４】ポリマーの種類により最適な温度（Ｔ）は
異なるが、例えばＴｇが１５０℃以上の耐熱性を有する
ポリマーの場合、そのポリマーのガラス転移温度をＴｇ
とすると、Ｔｇ−１００℃≦Ｔ≦Ｔｇ＋１００℃で行え
ば、室温で行った場合よりも高いエッチング速度が得ら
れること、更にこのエッチング速度はＴｇ或いはそれ以
上の温度雰囲気中で更に高くなる。

【００１５】（ｃ）更に、エッチング種として酸素ガス
の他にアミン化合物のフッ化物、あるいはＮＦ₃ガスを
添加した系が良いこと、つまり酸素ガスにこれらのガス
を添加した系は高速エッチングに効果的である。これら
のガスの添加が効果的である理由は一般的にエッチング
種として用いられているＣＦ₄等のフッ素系ガスに比
べ、Ｎ−Ｆ結合がＣ−Ｆ結合エネルギーより低く、プラ
ズマ中で容易にイオン、ラジカルになり易いためであ
る。

【００１６】（ａ）電極の凹凸構造はその形状は特に制
限されるものではないが、プラズマの均一性を考えると
対称性を有するものが好ましい。本発明に用いる凹凸電
極の一例を図３乃至図５に示す。

【００１７】（ｂ）本発明において回路基板の絶縁層と
してのポリマーは特に限定されるわけではないが、現在
はポリイミド系の樹脂を用いている場合が多い。

【００１８】ポリイミド層として具体的な例を示すとす
れば、カプトン、ユーピレックス、アピカル等の商品名
として、市場で入手できるポリイミドフィルムを有効に
用いることができる。さらに、ピロメリット酸無水物、
ビフタル酸無水物、ベンゾフェノンテトラカルボン酸無
水物、オキシジフタル酸無水物、ハイドロフランジフタ
ル酸無水物等の酸無水物とメトキシジアミノベンゼン、
４，４’−オキシジアニリン、３，４’−オキシジアニ
リン、３，３’−オキシジアニリン、ビスジアニリノメ
タン、３，３’−ジアミノベンゾフェノン、ｐ，ｐ−ア
ミノフェノキシベンゼン、ｐ，ｍ−アミノフェノキシベ
ンゼン、ｍ，ｐ−アミノフェノキシベンゼン、ｍ，ｍ−
アミノフェノキシベンゼン、クロル−ｍ−アミノフェノ
キシベンゼン、ｐ−ピリジンアミノフェノキシベンゼ
ン、ｍ−ピリジンアミノフェノキシベンゼン、ｐ−アミ
ノフェノキシビフェニル、ｍ−アミノフェノキシビフェ
ニル、ｐ−ビスアミノフェノキシベンジルスルホン、ｍ
−ビスアミノフェノキシベンジルスルホン、ｐ−ビスア
ミノフェノキシベンジルケトン、ｍ−ビスアミノフェノ
キシベンジルケトン、ｐ−ビスアミノフェノキシベンジ
ルヘキサフルオロプロパン、ｍ−ビスアミノフェノキシ
ベンジルヘキサフルオロプロパン、ｍ−ビスアミノフェ
ノキシベンジルヘキサフルオロプロパン、ｐ−ビスアミ
ノフェノキシベンジルプロパン、ｏ−ビスアミノフェノ
キシベンジルプロパン、ｍ−ビスアミノフェノキシベン
ジルプロパン、ｐ−ジアミノフェノキシベンジルチオエ
ーテル、ｍ−ジアミノフェノキシベンジルチオエーテ
ル、インダンジアミン、スピロビジアミン、ジケトンジ
アミン等のアミンと反応、イミド化して形成されるポリ
イミドも本発明に効果的に用いることができる。

【００１９】このようなポリイミド系の樹脂を中心とし
た絶縁層を有する回路基板をプラズマによるドライエッ
チングを行うに際し、絶縁層樹脂のＴｇに近い温度雰囲
気下、より具体的には例えば、Ｔｇが約２５０℃のポリ
イミド絶縁層の場合、１５０℃〜３５０℃の範囲で加熱
してエッチングを行うとエッチング速度が飛躍的に向上
することが判った。より高い温度雰囲気下でエッチング
を行えばエッチング速度は向上するが、Ｔｇよりも高い
温度では絶縁層の物性が変化し、形態変化が生じる場合
があるので好ましいとは言えない。

【００２０】（ｃ）エッチングガスとしてはアミン化合
物のフッ化物、あるいはＮＦ₃ガスを酸素ガスに添加し
た系が良いことは既に述べたが、これらガスの添加量は
好ましくは５〜９０ vol％、より好ましくは１０〜５０
vol％程度である。アミン化合物のフッ化物としては特
に限定はされないもののメチルアミン或いはエチルアミ
ンのフッ化物が好適に用いられ、（ＣＦ₃）₃Ｎ、（Ｃ
₂Ｆ₅）₃Ｎ等を用いることができる。

【００２１】このようなアミン化合物の製造法として、
例えば、（ＣＦ₃）₃Ｎ（沸点−６．５℃）の製造法
は、ＵＳ特許２６１６９２７号公報において、コーク、
サイモン（Ｋａｕｃｋ、Ｓｉｍｏｎｓ）等が報告してい
るように、無水フッ化水素中でトリメチルアミンを電気
化学的にフッ素化することで製造される。その他の製法
として、（ＣＨ₃）₃Ｎのフッ素ガスによる直接フッ素
化、或いは、（ＣＨ₃） ₃ＮのＣｏＦ₃によるフッ素化
により製造することも可能である。

【００２２】本発明の装置は、少なくとも、（ａ）回路
基板の導入手段、その保持手段、その排出手段を具備し
た、プラズマ処理を行うプラズマ処理室、（ｂ）電力印
加装置、（ｃ）真空排気手段、を備えたドライエッチン
グ装置であればよい。更に、エッチング工程の効率を向
上させる為には（ｄ）基板ホルダー上に設置された回路
基板を搬入する為の搬入室、（ｅ）搬出する為の搬出
室、ならびに（ｆ）搬入室からプラズマ処理室、プラズ
マ処理室から搬出室へ基板ホルダーを搬送する為の搬送
機構、を備えた装置を用いるのが良い。これは、プラズ
マ処理を連続的に行なう場合、処理室は高真空である
為、予めある程度の真空を保ったチャンバー内に回路基
板を保持させておき、そこからエッチング処理を行う処
理室へ回路基板を搬送させた方が高真空になるまでの時
間を短縮できるからである。ここで言う予備室とは、こ
の予めある程度の真空を保ったチャンバーで（ｄ）搬入
室と（ｅ）搬出室のことを指す。

【００２３】また、本発明におけるプラズマ処理装置の
操作圧力は、プラズマ処理室はプラズマが生起可能な圧
力であれば特に限定はされないが、例えば０．１３〜
１，３３０Ｐａ、好ましくは１．３〜２７０Ｐａ程度で
ある。また、搬入室と搬出室の操作圧力はプラズマ処理
室の圧力よりも高い圧力、例えば１．３〜１３，３００
Ｐａ、好ましくは１３〜１，３３０Ｐａ程度である。搬
入室と搬出室の圧力が高いのは、プラズマ処理室を真空
に引く為の時間を節約する為であり、前記した圧力から
大気開放、大気から前記した圧力に真空引きを行って操
作する。尚、プラズマ処理室の圧力のコントロールは、
搬入室との間のゲートバルブ開放時に室内の圧力が上昇
するので、プラズマ生起圧力まで真空引きを行い、一
方、搬出室との間のゲートバルブ開放時に再び室内の圧
力が上昇するので、プラズマ生起圧力まで真空引きを行
うことによって行われる。以下、平行平板型のＲＦ電極
を用いた場合の連続処理装置を例にして、より具体的に
説明する。

【００２４】プラズマ処理室１１は、１３．５６ＭＨｚ
の平行平板型高周波電極（ＲＦ電源を含む電極）６１と
それとは独立にＲＦ電極６１に直流電圧を印加できるロ
ーパスフィルター６２と、対向電極７１（接地）を有す
る。該プラズマ処理室１１にベローバルブ付きフランジ
８１、８１’、部屋を仕切るゲートバルブ８２、８２’
を取り付け、次いで基板搬入室２１、基板搬出室２２を
連結した。

【００２５】尚、プラズマ処理室１１と電極６１、７１
には加熱できるようヒーターが取り付けてある。また、
基板搬入室２１とプラズマ処理室１１間の基板の搬入手
段及び、基板搬出室２２とプラズマ処理室１１間の基板
の搬出手段には搬送用のアーム４１、４１’がそれぞれ
設置されている。搬送用アーム４１、４１’の先端は、
基板ホルダー３１が載せられるように、フォーク状の構
造になっている。基板搬入室２１、基板搬出室２２はリ
ークバルブが備え付けられ大気開放できるようになって
いる。また、プラズマ処理室１１の内部を真空にできる
ようにロータリーポンプ１２が、更に高い真空度を達成
できるようにメカニカルブースターポンプ１３が連結さ
れており、また基板搬入室２１及び搬出室２２も真空に
保てるようにロータリーポンプ１２’、１２”がそれぞ
れ備え付けられている。また、プラズマ処理室１１には
エッチングに用いるガスライン１４（酸素及びＮＦ
₃他）が連結されている。基板ホルダーの一例を示す模
式図を図２に示す。

【００２６】プラズマエッチング法として、まず回路基
板５１を基板ホルダー３１に設置する。その後、回路基
板５１及び基板ホルダー３１を基板搬入室２１内の基板
搬入用アーム４１の先端（フォーク状構造）に設置し、
基板搬入室２１の蓋を閉じ、真空引きを行う。真空度が
プラズマ処理室１１と同等かやや高い圧力に達するとゲ
ートバルブ８２が開く。ゲートバルブ８２が開いた後、
基板５１を載せた基板ホルダー３１をプラズマ処理室１
１に搬送し、電極６１上に設置する。その後、搬送用ア
ーム４１は基板搬入室２１へ戻り、ゲートバルブ８２は
閉じる。

【００２７】プラズマ処理室１１にはガスライン１４を
通してガスが流れ、一定時間プラズマを生起させる。こ
の時、基板搬入室２１は大気開放されているので新たな
基板５１を載せた基板ホルダー３１がセットできる。一
定時間のプラズマ処理（エッチング）が終了した後、基
板搬出室２２の真空度がプラズマ処理室１１と同等かや
や高い圧力に達するとゲートバルブ８２’が開く。ゲー
トバルブ８２’が開いた後、基板搬出室２２にあった搬
送用アーム４１’が基板５１を載せた基板ホルダー３１
をプラズマ処理室１１から基板搬出室２２へ搬送し、ゲ
ートバルブ８２’を閉じる。基板搬出室２２は大気開放
され、大気圧に戻ったならば基板５１並びに基板ホルダ
ー３１を取り出す。

【００２８】この時、基板搬入室２１にある基板ホルダ
ー３１にセットされた新たな基板５１はゲートバルブ８
２が開放された後、プラズマ処理室１１へ搬送される。
このようにして搬送、プラズマ処理を繰り返し行うこと
で、連続的にかつ高速で回路基板のエッチングが行われ
る。

【００２９】

【実施例】以下、実施例により本発明をさらに具体的に
説明する。実施例１厚さ１８μｍ、０．２ｍｍφの孔径を有する銅薄膜と、
低膨張率ポリイミドフィルム（商品名：カプトンＥＮＺ
Ｔ，東レ−デュポン社製）の両面に熱可塑性の接着性ポ
リイミドＰＩ−Ａ（三井化学株式会社製：厚さ３μｍ、
Ｔｇ＝約２００℃）を塗布して得たポリイミド層とおよ
び、厚さ２ｍｍの銅板とをプレスにより張り合わせて銅
板／ポリイミド層／銅薄膜からなる積層体を形成し、こ
れを回路基板とした。該ポリイミド層が絶縁層として機
能する。酸素ガスとＮＦ₃の混合ガス（組成比は８０：
２０）を用いて、図１に記載のプラズマエッチング装置
（但し、ローパスフィルター６２による直流電圧の印加
は行わなかった）によりエッチングを行った。エッチン
グ条件を以下に示す。エッチング条件：酸素ガス／ＮＦ₃ガス流量８０／２０ｓｃｃｍ搬送室、搬出室圧力１３３Ｐａ処理室圧力２７ＰａＲＦ電極パワー２００Ｗ温度２０ ℃ （処理室）

【００３０】実施例２実施例１記載の回路基板を用いた。酸素ガスとＮＦ₃の
混合ガス（組成比は８０：２０）を用いて、図１に記載
のプラズマエッチング装置（但し、ローパスフィルター
６２による直流電圧の印加を行なった）によりエッチン
グを行った。エッチング条件を以下に示す。エッチング条件：酸素ガス／ＮＦ₃ガス流量８０／２０ｓｃｃｍ搬送室、搬出室圧力１３３Ｐａ処理室圧力２７ＰａＲＦ電極パワー２００Ｗ直流電圧 −３００Ｖ温度２０ ℃ （処理室）

【００３１】実施例３実施例１記載の回路基板を用いた。酸素ガスとＮＦ₃の
混合ガス（組成比は８０：２０）を用いて、図１に記載
のプラズマエッチング装置（但し、ローパスフィルター
６２による直流電圧の印加を行なわなかった）によりエ
ッチングを行った。

【００３２】また、図３に示す凹凸構造を有する電極
を、図１に示した１３．５６ＭＨｚの平行平板型高周波
電極（ＲＦ電極）６１上に取り付けた（図６）。凹凸構
造を有する電極において、山の高さ、すなわち凹部の深
さｈが電極間隔ｄの１．５倍、山の幅、すなわち凸部の
幅ｗが電極間隔ｄの０．６７倍であるのものを使用し
た。ｈが３ｃｍ、ｄが２ｃｍ、ｗが１．３ｃｍのものを
使用した。エッチング条件を以下に示す。エッチング条件：酸素ガス／ＮＦ₃ガス流量８０／２０ｓｃｃｍ搬送室、搬出室圧力１３３Ｐａ処理室圧力２７ＰａＲＦ電極パワー２００Ｗ温度２０ ℃ （処理室）

【００３３】実施例４実施例１記載の回路基板を用いた。酸素ガスとＮＦ₃の
混合ガス（組成比は８０：２０）を用いて、図１に記載
のプラズマエッチング装置（但し、ローパスフィルター
６２による直流電圧の印加を行なわなかった）によりエ
ッチングを行った。

【００３４】また、チャンバー（処理室）及び電極の温
度を２００℃に制御し、エッチングを行った。エッチン
グ条件を以下に示す。エッチング条件：酸素ガス／ＮＦ₃ガス流量８０／２０ｓｃｃｍ搬送室、搬出室圧力１３３Ｐａ処理室圧力２７ＰａＲＦ電極パワー２００Ｗ温度２００ ℃ （処理室）

【００３５】実施例５実施例１で用いた回路基板を用い、エッチングを行っ
た。また、図４に示す凹凸構造を有する電極を１３．５
６ＭＨｚの平行平板型高周波電極（ＲＦ電極）６１上に
取り付け、酸素ガスとＮＦ₃の混合ガス（組成比は８
０：２０）を用いて、図１に記載のプラズマエッチング
装置（但し、ローパスフィルター６２による直流電圧の
印加を行なった）によりエッチングを行った。また、チ
ャンバー（処理室）及び電極の温度を２００℃に制御
し、エッチングを行った。エッチング条件を以下に示
す。エッチング条件：酸素ガス／ＮＦ₃ガス流量８０／２０ｓｃｃｍ搬送室、搬出室圧力１３３Ｐａ処理室圧力２７ＰａＲＦ電極パワー２００Ｗ直流電圧 −３００Ｖ温度２００ ℃ （処理室）

【００３６】実施例６実施例５と同様な条件でエッチングを行った。但し、Ｎ
Ｆ₃の代わりに（Ｃ₂Ｆ₅）₃Ｎを用いた。（Ｃ
₂Ｆ₅）₃Ｎは７０℃に加熱し、Ｈｅガスによるバブリ
ングすることで、図１に記載のプラズマエッチング装置
のプラズマ処理室１１に導入した。エッチング条件：酸素ガス／（Ｃ₂Ｆ₅）₃Ｎ（Ｈｅ）ガス流量８０／２０ｓｃｃｍ搬送室、搬出室圧力１３３Ｐａ処理室圧力２７ＰａＲＦ電極パワー２００Ｗ直流電圧 −３００Ｖ温度２００ ℃ （処理室）

【００３７】実施例７図１において１３．５６ＭＨｚの高周波電源に換えて２
７ＭＨｚの高周波電源を用いた以外は、実施例１と同様
な条件でエッチングを行った。エッチング条件：酸素ガス／ＮＦ₃ガス流量８０／２０ｓｃｃｍ搬送室、搬出室圧力１３３Ｐａ処理室圧力２７ＰａＲＦ電極パワー２００Ｗ温度２０ ℃ （処理室）

【００３８】比較例１実施例１記載の回路基板を用いて、ヒドラジン溶液によ
りエッチングを行った。

【００３９】比較例２実施例１記載の回路基板を用いた。酸素ガスとＣＦ₄の
混合ガス（組成比は８０：２０）を用いて、図１に記載
のプラズマエッチング装置（但し、ローパスフィルター
６２による直流電圧の印加を行なわなかった）によりエ
ッチングを行った。エッチング条件を以下に示す。エッチング条件：酸素ガス／ＮＦ₃ガス流量８０／２０ｓｃｃｍ搬送室、搬出室圧力１３３Ｐａ処理室圧力２７ＰａＲＦ電極パワー２００Ｗ温度２０ ℃ （処理室）

【００４０】試験例１実施例１〜６、および比較例１、２において、ポリイミ
ド層（４０μｍ厚）の孔開けに要した時間を測定し、表
１にまとめた。また、エッチング加工形状についても評
価を行ない、異方性を＋＋、＋、±、−（異方性の大き
いものは＋＋、等方的なものは−）で記した。

【００４１】

【表１】尚、絶縁層であるポリイミド樹脂層を他の樹脂に変えて
も同様な結果が得られた。さらに、孔径を０．２ｍｍφ
以下、すなわち０．１５ｍｍφ、０．１０ｍｍφのもの
を用いても同様な結果が得られた。

【００４２】

【発明の効果】本発明によって、ドライプロセスにより
回路基板の孔開け加工法が提供可能になった。

【図面の簡単な説明】

【図１】装置の模式図である。

【図２】基板ホルダーの一例を示す模式図である。

【図３】凹凸電極の一例を示す模式図である。

【図４】凹凸電極の一例を示す模式図である。

【図５】凹凸電極の一例を示す模式図である。

【図６】装置の模式図である。

【符号の説明】

１１：プラズマ処理室１２、１２’、１２”：ロータリーポンプ１３：メカニカルブースターポンプ１４：ガスライン２１：基板搬入室２２：基板搬出室３１：基板ホルダー４１、４１’：搬送用アーム５１：回路基板６１：ＲＦ電極６２：直流電圧を印加する為のローパスフィルター７１：対向電極８１、８１’：バルブ付きフランジ８２、８２’：ゲートバルブ９１：凹凸構造を有する電極

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者森田守次神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地三井化学株式会社内 (72)発明者西原邦夫神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地三井化学株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】導電層と導電層との間に形成され、かつ、
主に樹脂からなる絶縁層を有し、電気的接続をとる為の
孔径が０．３ｍｍを越えないものである回路基板におい
て、プラズマを生起させて孔開けを行うことを特徴とす
る回路基板の製造方法。
【請求項２】周波数が１０乃至１００ＭＨｚの高周波電
源を用いてプラズマを生起させることを特徴とする請求
項１に記載の回路基板の製造方法。
【請求項３】高周波電圧とは独立に、高周波に直流成分
を印加することを特徴とする請求項１乃至２のいずれか
に記載の回路基板の製造方法。
【請求項４】高周波印加電極が凹凸構造を有する電極で
あることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載
の回路基板の製造方法。
【請求項５】凹凸構造を有する電極において、凹部の深
さｈが電極間隔ｄの少なくとも１／２であり、かつ、凸
部の幅ｗが電極間隔ｄの少なくとも１／４であることを
特徴とする請求項４に記載の回路基板の製造方法。
【請求項６】凹凸構造を有する電極上に回路基板を電極
面に対して平行に設置することを特徴とする請求項４乃
至５のいずれかに記載の回路基板の製造方法。
【請求項７】絶縁層である樹脂のガラス転移温度をＴｇ
とすると、孔開けを行う際の基板の温度Ｔが、Ｔｇ＋１
００℃を越えないことを特徴とする請求項１乃至６のい
ずれかに記載の回路基板の製造方法。
【請求項８】プラズマを生起させるのに用いるガスが酸
素にアミンのフッ化物ガスを添加した混合ガスであるこ
とを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載の回路
基板の製造方法。
【請求項９】アミンのフッ化物ガスが（ＣＦ₃）₃Ｎ、
または（Ｃ₂Ｆ₅） ₃Ｎであることを特徴とする請求項
８に記載の回路基板の製造方法。
【請求項１０】プラズマを生起させるのに用いるガスが
酸素にＮＦ₃ガスを添加した混合ガスであることを特徴
とする請求項１乃至７のいずれかに記載の回路基板の製
造方法。