JPH0991667A - 磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 高密度記録に優れた磁気記録媒体を提供する
ことである。 【解決手段】 Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系の磁性膜を備えてなり、
前記Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜の上層部におけるＯ濃度が下
層部におけるＯ濃度より低い磁気記録媒体。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁
性膜を有する磁気記録媒体に関する。

【０００２】

【発明が解決しようとする課題】磁気テープ等の磁気記
録媒体においては、高密度記録化の要請から、非磁性支
持体上に設けられる磁性膜として、バインダ樹脂を用い
た塗布型のものではなく、バインダ樹脂を用いない金属
薄膜型のものが提案されている。すなわち、無電解メッ
キ等の湿式メッキ手段、真空蒸着、スパッタリングある
いはイオンプレーティング等の乾式メッキ手段により磁
性膜を構成した磁気記録媒体が提案されている。そし
て、この種の磁気記録媒体は磁性体の充填密度が高いこ
とから、高密度記録に適したものである。この種の金属
薄膜型の磁気記録媒体における磁性材料としては、例え
ばＣｏ−Ｃｒ合金やＣｏ−Ｎｉ合金などの磁性金属が用
いられている。しかし、Ｃｏは稀少物質であることか
ら、多量に使用するとコストが高く付く。

【０００３】そこで、非Ｃｏ系金属磁性材料としてＦｅ
とＮｉが考えられるものの、Ｆｅは安価であり、かつ、
環境汚染の問題も少なく、更には飽和磁化が大きいこと
から、金属薄膜型の磁気記録媒体の磁性材料としてＦｅ
が注目され始めた。しかし、Ｆｅは錆やすいことから、
化学的に安定なものとする必要が有る。このような観点
から、磁性膜をＦｅ_x Ｎ（Ｆｅ−Ｎ）やＦｅ−Ｎ−Ｏで
構成することが提案された。そして、これらの磁性膜で
構成した磁気記録媒体は、磁気特性が良好であり、高密
度記録に優れたものである。

【０００４】しかし、最近においては、より高密度記録
が求められるようになった。従って、本発明の目的は、
高密度記録に優れた磁気記録媒体を提供することであ
る。

【０００５】

【課題を解決するための手段】前記本発明の目的は、Ｆ
ｅ−Ｃ−Ｏ系の磁性膜を備えてなり、前記Ｆｅ−Ｃ−Ｏ
系磁性膜の上層部におけるＯ濃度が下層部におけるＯ濃
度より低いことを特徴とする磁気記録媒体によって達成
される。

【０００６】又、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系の磁性膜を備えてな
り、前記Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜の下層部にはＯ濃度分布
にピーク値を示す山があり、このピーク値を示す領域か
ら上層部にかけてＯ濃度が低いことを特徴とする磁気記
録媒体によって達成される。又、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系の磁性
膜を備えてなり、前記Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜のオージェ
電子分光分析において、縦軸にＦｅ量、Ｃ量、及びＯ量
（Ｆｅ量＋Ｃ量＋Ｏ量＝１００％）を、横軸にスパッタ
時間をとると、スパッタ開始近傍時におけるＯ量がスパ
ッタ終了近傍時におけるＯ量より少ないことを特徴とす
る磁気記録媒体によって達成される。

【０００７】又、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系の磁性膜を備えてな
り、前記Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜のオージェ電子分光分析
において、縦軸にＦｅ量、Ｃ量、及びＯ量（Ｆｅ量＋Ｃ
量＋Ｏ量＝１００％）を、横軸にスパッタ時間をとる
と、スパッタ終了近傍時におけるＯ量にピーク値を示す
山があり、このピーク値を示す領域からスパッタ開始近
傍時にかけてＯ量が少ないことを特徴とする磁気記録媒
体によって達成される。

【０００８】上記Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜の下層部におけ
るＯ濃度のピーク値Ｏ₁ は１０〜５０ａｔ．％であり、
このピーク値Ｏ₁ を示す点から上層部に移るにつれてＯ
濃度が低下するものが好ましい。又、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁
性膜におけるＣ濃度は、上層界面部及び下層界面部を除
けば、ほぼ一定のものが好ましい。

【０００９】又、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜におけるＣ濃度
がほぼ一定である領域では、磁性膜上層部から下層部に
移るにつれてＦｅ濃度が低下したものが好ましい。又、
Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜におけるＦｅ量、Ｃ量、及びＯ量
は ５０ａｔ．％≦Ｆｅ量≦９０ａｔ．％ ５ａｔ．％≦Ｃ量≦３５ａｔ．％ ５ａｔ．％≦Ｏ量≦３５ａｔ．％ を満たすことが好ましい。

【００１０】特に、 ６０ａｔ．％≦Ｆｅ量≦８０ａｔ．％ １０ａｔ．％≦Ｃ量≦２５ａｔ．％ １０ａｔ．％≦Ｏ量≦２５ａｔ．％ が好ましい。

【００１１】又、本発明の磁気記録媒体にあっては、Ｆ
ｅ−Ｃ−Ｏ系の磁性膜以外の磁性膜を持っていても良い
が、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜の上には記録再生に用いられ
る磁性膜がない、つまりＦｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜が最上層
にあるのが好ましい。特に、本発明が規定する内容のＦ
ｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜が最上層にあるのが好ましい。

【００１２】

【発明の実施の形態】本発明の磁気記録媒体は、Ｆｅ−
Ｃ−Ｏ系の磁性膜を備えてなり、前記Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁
性膜の上層部におけるＯ濃度が下層部におけるＯ濃度よ
り低いものである。あるいは、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系の磁性膜
を備えてなり、前記Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜の下層部には
Ｏ濃度分布にピーク値を示す山があり、このピーク値を
示す領域から上層部にかけてＯ濃度が低いものである。
若しくは、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系の磁性膜を備えてなり、前記
Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜のオージェ電子分光分析におい
て、縦軸にＦｅ量、Ｃ量、及びＯ量（Ｆｅ量＋Ｃ量＋Ｏ
量＝１００％）を、横軸にスパッタ時間をとると、スパ
ッタ開始近傍時におけるＯ量がスパッタ終了近傍時にお
けるＯ量より少ないものである。又は、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系
の磁性膜を備えてなり、前記Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜のオ
ージェ電子分光分析において、縦軸にＦｅ量、Ｃ量、及
びＯ量（Ｆｅ量＋Ｃ量＋Ｏ量＝１００％）を、横軸にス
パッタ時間をとると、スパッタ終了近傍時におけるＯ量
にピーク値を示す山があり、このピーク値を示す領域か
らスパッタ開始近傍時にかけてＯ量が少ないものであ
る。

【００１３】特に、上記Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜の下層部
におけるＯ濃度のピーク値Ｏ₁ は１０〜５０ａｔ．％で
あり、このピーク値Ｏ₁ を示す点から上層部に移るにつ
れてＯ濃度が低下する。又、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜にお
けるＣ濃度は、上層界面部及び下層界面部を除けば、ほ
ぼ一定のものである。又、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜におけ
るＣ濃度がほぼ一定である領域では、磁性膜上層部から
下層部に移るにつれてＦｅ濃度が低下したものである。

【００１４】又、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜におけるＦｅ
量、Ｃ量、及びＯ量は ５０ａｔ．％≦Ｆｅ量≦９０ａｔ．％ ５ａｔ．％≦Ｃ量≦３５ａｔ．％ ５ａｔ．％≦Ｏ量≦３５ａｔ．％ を満たす。

【００１５】本発明の磁気記録媒体は、支持体上にイオ
ンアシスト法により磁性膜を成膜して磁気記録媒体を製
造する方法であって、蒸発源物質としてＦｅが用いられ
ての蒸着工程と、炭素イオンを蒸着Ｆｅ膜に衝突させる
衝突工程と、酸素イオンあるいは酸素ガス等の酸化性物
質を蒸着Ｆｅ膜に衝突させる衝突工程とを具備し、前記
酸化性物質を蒸着Ｆｅ膜に衝突させる酸化性物質の衝突
領域や衝突量を制御することによって得られる。例え
ば、Ｆｅが支持体上に堆積し始めた蒸着初期近傍の地点
から堆積が終了し終わる蒸着終期近傍の地点にかけて酸
化性物質の供給量を徐々に少なくしてやることにより、
上層部より下層部においてＯ濃度が高い本発明のＦｅ−
Ｃ−Ｏ系磁性膜が得られる。

【００１６】図１に、本発明で用いるイオンアシスト斜
め蒸着装置を示す。図１中、１１はガイド部材、１２は
支持体１の供給側ロール、１３は支持体１の巻取側ロー
ル、１４は遮蔽板、１５はルツボ、１６はＦｅ、１７は
電子銃、１８は真空容器、１９，２０はイオン銃であ
る。図１では、酸素イオンを供給するタイプのものを示
したが、酸素ガスを供給するようにしても良い。そし
て、イオン銃１９，２０による炭素イオンや酸素イオン
の供給量や向きを特定のものとした他は、通常のイオン
アシスト斜め蒸着に準じて行わせることによって、本発
明になる図３などのオージェプロファイルのＦｅ−Ｃ−
Ｏ系磁性膜が得られる。

【００１７】このようにして得られた本発明になる磁気
記録媒体を図２に示す。図２中、１は支持体である。こ
の支持体１は磁性を有するものでも非磁性のものでも良
いが、一般的には、非磁性のものである。例えば、ポリ
エチレンテレフタレート等のポリエステル、ポリアミ
ド、ポリイミド、ポリスルフォン、ポリカーボネート、
ポリプロピレン等のオレフィン系の樹脂、セルロース系
の樹脂、塩化ビニル系の樹脂といった高分子材料、ガラ
スやセラミック等の無機系材料、アルミニウム合金など
の金属材料が用いられる。支持体１面上には磁性膜の密
着性を向上させる為のアンダーコート層が必要に応じて
設けられる。すなわち、表面の粗さを適度に粗すことに
より乾式メッキで構成される磁性膜の密着性を向上さ
せ、さらに磁気記録媒体表面の表面粗さを適度なものと
して走行性を改善する為、例えばＳｉＯ₂ 等の粒子を含
有させた厚さが０．０１〜０．５μｍの塗膜を設けるこ
とによってアンダーコート層が構成されている。

【００１８】アンダーコート層の上には、図１に示した
イオンアシスト斜め蒸着装置によってＦｅ−Ｃ−Ｏ系の
金属薄膜型の磁性膜２が設けられる。例えば、１０^-4〜
１０ ^-6Ｔｏｒｒ程度の真空雰囲気下でＦｅを抵抗加熱、
高周波加熱、電子ビーム加熱などにより蒸発させ、支持
体１のアンダーコート層面上に堆積（蒸着）させること
により、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜２が５００〜１００００
Å、特に１０００〜４０００Å厚形成される。斜め蒸着
の際の入射角は３０°〜８０°、望ましくは約４５°〜
７０°である。このＦｅの蒸着時には全般的に炭素イオ
ンを蒸着Ｆｅ膜に衝突させる。かつ、酸素イオンも蒸着
Ｆｅ膜に衝突させる。但し、酸素イオンを、Ｆｅが支持
体上に堆積が終了し終わる蒸着終期より堆積し始めた蒸
着初期において一層多く供給する。前記炭素イオンや酸
素イオンの供給は、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜が上記に規定
された内容のものになるよう制御される。

【００１９】３は、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜２の上に設け
られた厚さが１０〜２００Å程度の保護膜である。この
保護膜３は、例えばダイヤモンドライクカーボン、グラ
ファイト等のカーボン膜、酸化珪素、炭化珪素などの含
珪素膜などで構成される。これらの中でも、ダイヤモン
ドライクカーボンが好ましい。尚、図３のオージェプロ
ファイルは、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜の上にダイヤモンド
ライクカーボン膜や後述の潤滑剤膜が設けられた場合の
ものである。従って、図３のオージェプロファイルで
は、スパッタ開始時にはＣのみであって、ＦｅやＯが検
出されていない。そして、スパッタが進むにつれてＦｅ
やＯが検出されて行く。この為、磁性膜の表面がどこか
らかの決定は極めて困難であり、磁性膜の表面がどこか
らかの決定は一般的な取扱いに従う。本実施例では、ダ
イヤモンドライクカーボン膜などのカーボン膜が設けら
れている場合においては、オージェプロファイルにおけ
るＦｅ量とＣ量とが等しくなるポイントから磁性膜にな
ると考える。同様に、磁性膜の下面（支持体側の界面）
がどこかの決定も一般的な取扱いに従う。本実施例で
は、支持体がＣを含む支持体である場合においては、オ
ージェプロファイルにおけるＦｅ量とＣ量とが等しくな
るポイントが界面と考える。

【００２０】４は、保護膜３の上に設けられた潤滑剤層
である。すなわち、炭化水素系の潤滑剤やパーフルオロ
ポリエーテル等のフッ素系潤滑剤、特にフッ素系潤滑剤
を含有させた塗料を所定の手段で塗布することにより、
約２〜５０Å、好ましくは約１０〜３０Å程度の厚さの
潤滑剤層４が設けられる。５は、支持体１の他面に設け
られたカーボンブラック等を含有させた厚さが０．１〜
１μｍ程度のバックコート層である。尚、バックコート
層５は、Ａｌ−Ｃｕ合金等の金属を蒸着させて形成した
ものであっても良い。

【００２１】

【実施例１】図１に示されるイオンアシスト斜め蒸着装
置に１０μｍ厚のＰＥＴフィルム１を装着し、ＰＥＴフ
ィルム１が２ｍ／分の走行速度で走行させられている。
酸化マグネシウム製のルツボ１５にＦｅ１６が入ってお
り、３０ｋＷの電子銃１７を作動させてＦｅを蒸発さ
せ、ＰＥＴフィルム１にＦｅを蒸着させると共に、メタ
ンガスを出力４００Ｗのイオン銃１９に供給（メタンガ
ス供給量は５０ｓｃｃｍ）し、ＰＥＴフィルム１上のＦ
ｅ膜に向けて炭素イオンを照射する。又、イオン銃２０
に酸素ガスを１２ｓｃｃｍ供給し、図２に示されるタイ
プの８ｍｍＶＴＲ用磁気テープを得た。

【００２２】この磁気テープのオージェプロファイル
（測定条件：電子銃；加速電圧１０ｋＶ、エミッション
電流１０ｎＡ、倍率２０００倍、エッチング条件；エッ
チングガスはアルゴン、加速電圧３ｋＶ、イオン電流３
００ｎＡ、３０秒間毎にエッチング）を図３に示す。こ
のＦｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜のオージェプロファイルにおい
て、縦軸にＦｅ量、Ｃ量、及びＯ量（Ｆｅ量＋Ｃ量＋Ｏ
量＝１００％）を、横軸にスパッタ時間をとると、スパ
ッタ開始近傍時におけるＯ量がスパッタ終了近傍時にお
けるＯ量より少ない。特に、スパッタ終了近傍時におけ
るＯ量にピーク値Ｏ₁ （３０ａｔ．％）を示す山があ
り、このピーク値を示す領域からスパッタ開始近傍時に
かけてＯ量が徐々に少なくなっている。すなわち、Ｆｅ
−Ｃ−Ｏ系磁性膜の上層部におけるＯ濃度は下層部にお
けるＯ濃度より低い。特に、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜の下
層部にはＯ濃度分布にピーク値を示す山があり、このピ
ーク値を示す領域から上層部にかけてＯ濃度が徐々に低
くなっている。図３のグラフから判る通り、Ｆｅ−Ｃ−
Ｏ系磁性膜におけるＣ濃度は、上層界面部及び下層界面
部を除けば、ほぼ一定のものである。そして、Ｃ濃度が
ほぼ一定である領域では、磁性膜上層部から下層部に移
るにつれてＦｅ濃度が低下したものとなっている。又、
Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜におけるＦｅ量は７０ａｔ．％、
Ｃ量は１４ａｔ．％、Ｏ量は１６ａｔ．％である。

【００２３】

【実施例２】実施例１において、イオン銃１９へのメタ
ンガス供給量を５５ｓｃｃｍ、イオン銃２０への酸素ガ
スの供給量を２０ｓｃｃｍとした以外は実施例１に準じ
て行い、図２に示されるタイプの８ｍｍＶＴＲ用磁気テ
ープを得た。この磁気テープのオージェプロファイルを
図４に示す。このＦｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜のオージェプロ
ファイルにおいて、縦軸にＦｅ量、Ｃ量、及びＯ量（Ｆ
ｅ量＋Ｃ量＋Ｏ量＝１００％）を、横軸にスパッタ時間
をとると、スパッタ開始近傍時におけるＯ量がスパッタ
終了近傍時におけるＯ量より少ない。特に、スパッタ終
了近傍時におけるＯ量にピーク値Ｏ₁ （３６ａｔ．％）
を示す山があり、このピーク値を示す領域からスパッタ
開始近傍時にかけてＯ量が徐々に少なくなっている。す
なわち、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜の上層部におけるＯ濃度
は下層部におけるＯ濃度より低い。特に、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ
系磁性膜の下層部にはＯ濃度分布にピーク値を示す山が
あり、このピーク値を示す領域から上層部にかけてＯ濃
度が徐々に低くなっている。図４のグラフから判る通
り、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜におけるＣ濃度は、上層界面
部及び下層界面部を除けば、ほぼ一定のものである。そ
して、Ｃ濃度がほぼ一定である領域では、磁性膜上層部
から下層部に移るにつれてＦｅ濃度が低下したものとな
っている。又、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜におけるＦｅ量は
６２ａｔ．％、Ｃ量は１５ａｔ．％、Ｏ量は２３ａｔ．
％である。

【００２４】

【実施例３】実施例１において、イオン銃１９へのメタ
ンガス供給量を３０ｓｃｃｍ、イオン銃２０への酸素ガ
スの供給量を１２ｓｃｃｍとした以外は実施例１に準じ
て行い、図２に示されるタイプの８ｍｍＶＴＲ用磁気テ
ープを得た。この磁気テープのオージェプロファイルを
図５に示す。このＦｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜のオージェプロ
ファイルにおいて、縦軸にＦｅ量、Ｃ量、及びＯ量（Ｆ
ｅ量＋Ｃ量＋Ｏ量＝１００％）を、横軸にスパッタ時間
をとると、スパッタ開始近傍時におけるＯ量がスパッタ
終了近傍時におけるＯ量より少ない。特に、スパッタ終
了近傍時におけるＯ量にピーク値Ｏ₁ （３０ａｔ．％）
を示す山があり、このピーク値を示す領域からスパッタ
開始近傍時にかけてＯ量が徐々に少なくなっている。す
なわち、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜の上層部におけるＯ濃度
は下層部におけるＯ濃度より低い。特に、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ
系磁性膜の下層部にはＯ濃度分布にピーク値を示す山が
あり、このピーク値を示す領域から上層部にかけてＯ濃
度が徐々に低くなっている。図５のグラフから判る通
り、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜におけるＣ濃度は、上層界面
部及び下層界面部を除けば、ほぼ一定のものである。そ
して、Ｃ濃度がほぼ一定である領域では、磁性膜上層部
から下層部に移るにつれてＦｅ濃度が低下したものとな
っている。又、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜におけるＦｅ量は
７５ａｔ．％、Ｃ量は１０ａｔ．％、Ｏ量は１５ａｔ．
％である。

【００２５】

【実施例４】実施例１において、イオン銃１９へのメタ
ンガス供給量を７０ｓｃｃｍ、イオン銃２０への酸素ガ
スの供給量を２０ｓｃｃｍとした以外は実施例１に準じ
て行い、図２に示されるタイプの８ｍｍＶＴＲ用磁気テ
ープを得た。この磁気テープのオージェプロファイルを
図６に示す。このＦｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜のオージェプロ
ファイルにおいて、縦軸にＦｅ量、Ｃ量、及びＯ量（Ｆ
ｅ量＋Ｃ量＋Ｏ量＝１００％）を、横軸にスパッタ時間
をとると、スパッタ開始近傍時におけるＯ量がスパッタ
終了近傍時におけるＯ量より少ない。特に、スパッタ終
了近傍時におけるＯ量にピーク値Ｏ₁ （４５ａｔ．％）
を示す山があり、このピーク値を示す領域からスパッタ
開始近傍時にかけてＯ量が徐々に少なくなっている。す
なわち、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜の上層部におけるＯ濃度
は下層部におけるＯ濃度より低い。特に、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ
系磁性膜の下層部にはＯ濃度分布にピーク値を示す山が
あり、このピーク値を示す領域から上層部にかけてＯ濃
度が徐々に低くなっている。図６のグラフから判る通
り、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜におけるＣ濃度は、上層界面
部及び下層界面部を除けば、ほぼ一定のものである。そ
して、Ｃ濃度がほぼ一定である領域では、磁性膜上層部
から下層部に移るにつれてＦｅ濃度が低下したものとな
っている。又、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜におけるＦｅ量は
５６ａｔ．％、Ｃ量は２２ａｔ．％、Ｏ量は２２ａｔ．
％である。

【００２６】

【比較例１】実施例１において、イオン銃１９へのメタ
ンガス供給量を５０ｓｃｃｍ、セット位置を変えたイオ
ン銃への酸素ガスの供給量を１０ｓｃｃｍとした以外は
実施例１に準じて行い、図２に示されるタイプの８ｍｍ
ＶＴＲ用磁気テープを得た。この磁気テープのオージェ
プロファイルを図７に示す。尚、このＦｅ−Ｃ−Ｏ系磁
性膜におけるＦｅ量は７４ａｔ．％、Ｃ量は１５ａｔ．
％、Ｏ量は１１ａｔ．％である。

【００２７】

【特性】上記各例の磁気テープについての再生出力を調
べたので、その結果を表−１に示す。 表−１ 再生出力（ｄＢ） １ＭＨｚ ５ＭＨｚ １０ＭＨｚ １５ＭＨｚ 実施例１ ＋０．２ ＋０．２ ＋１．５ ＋２．１ 実施例２ ０ ＋０．２ ＋０．７ ＋１．５ 実施例３ ＋０．３ ＋０．４ ＋０．５ ＋１．９ 実施例４ ０ ０ ＋０．５ ＋１．９ 比較例１ ０ ０ ０ ０ ＊比較例１を基準（０ｄＢ）

【００２８】

【発明の効果】再生特性、特に高域における再生特性に
優れたものが得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】磁気記録媒体製造装置の概略図

【図２】磁気記録媒体の概略断面図

【図３】実施例１のＦｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜のオージェプ
ロファイル

【図４】実施例２のＦｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜のオージェプ
ロファイル

【図５】実施例３のＦｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜のオージェプ
ロファイル

【図６】実施例４のＦｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜のオージェプ
ロファイル

【図７】比較例１のＦｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜のオージェプ
ロファイル

【符号の説明】

１ 支持体 ２ 磁性膜（Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜） ３ 保護膜

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 石川 准子 栃木県芳賀郡市貝町大字赤羽2606 花王株 式会社情報科学研究所内 (72)発明者 遠藤 克巳 栃木県芳賀郡市貝町大字赤羽2606 花王株 式会社情報科学研究所内

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系の磁性膜を備えてなり、 前記Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜の上層部におけるＯ濃度が下
   層部におけるＯ濃度より低いことを特徴とする磁気記録
   媒体。
2. 【請求項２】 Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系の磁性膜を備えてなり、 前記Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜の下層部にはＯ濃度分布にピ
   ーク値を示す山があり、このピーク値を示す領域から上
   層部にかけてＯ濃度が低いことを特徴とする磁気記録媒
   体。
3. 【請求項３】 Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系の磁性膜を備えてなり、 前記Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜のオージェ電子分光分析にお
   いて、縦軸にＦｅ量、Ｃ量、及びＯ量（Ｆｅ量＋Ｃ量＋
   Ｏ量＝１００％）を、横軸にスパッタ時間をとると、ス
   パッタ開始近傍時におけるＯ量がスパッタ終了近傍時に
   おけるＯ量より少ないことを特徴とする磁気記録媒体。
4. 【請求項４】 Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系の磁性膜を備えてなり、 前記Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜のオージェ電子分光分析にお
   いて、縦軸にＦｅ量、Ｃ量、及びＯ量（Ｆｅ量＋Ｃ量＋
   Ｏ量＝１００％）を、横軸にスパッタ時間をとると、ス
   パッタ終了近傍時におけるＯ量にピーク値を示す山があ
   り、このピーク値を示す領域からスパッタ開始近傍時に
   かけてＯ量が少ないことを特徴とする磁気記録媒体。
5. 【請求項５】 Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜の下層部における
   Ｏ濃度のピーク値Ｏ ₁ が１０〜５０ａｔ．％であり、こ
   のピーク値Ｏ₁ を示す点から上層部に移るにつれてＯ濃
   度が低下するものであることを特徴とする請求項１〜請
   求項４いずれかの磁気記録媒体。
6. 【請求項６】 Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜におけるＣ濃度
   は、上層界面部及び下層界面部を除けば、ほぼ一定のも
   のであることを特徴とする請求項１〜請求項５いずれか
   の磁気記録媒体。
7. 【請求項７】 Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜におけるＣ濃度が
   ほぼ一定である領域では、磁性膜上層部から下層部に移
   るにつれてＦｅ濃度が低下したものであることを特徴と
   する請求項１〜請求項６いずれかの磁気記録媒体。
8. 【請求項８】 Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜におけるＦｅ量、
   Ｃ量、及びＯ量は ５０ａｔ．％≦Ｆｅ量≦９０ａｔ．％ ５ａｔ．％≦Ｃ量≦３５ａｔ．％ ５ａｔ．％≦Ｏ量≦３５ａｔ．％ を満たすことを特徴とする請求項１〜請求項７いずれか
   の磁気記録媒体。