JPH09167326A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
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- JPH09167326A JPH09167326A JP32920395A JP32920395A JPH09167326A JP H09167326 A JPH09167326 A JP H09167326A JP 32920395 A JP32920395 A JP 32920395A JP 32920395 A JP32920395 A JP 32920395A JP H09167326 A JPH09167326 A JP H09167326A
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- Japan
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- magnetic film
- amount
- magnetic
- film
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 耐久性・耐蝕性に優れた磁気記録媒体を提供
することである。 【解決手段】 Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系の磁性膜を備えてなり、
前記Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜の上層部と下層部とにＮ濃度
が高く、上層部と下層部との間にあってはＮ濃度が低い
領域がある磁気記録媒体。
することである。 【解決手段】 Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系の磁性膜を備えてなり、
前記Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜の上層部と下層部とにＮ濃度
が高く、上層部と下層部との間にあってはＮ濃度が低い
領域がある磁気記録媒体。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁
性膜を有する磁気記録媒体に関する。
性膜を有する磁気記録媒体に関する。
【０００２】
【発明が解決しようとする課題】磁気テープ等の磁気記
録媒体においては、高密度記録化の要請から、非磁性支
持体上に設けられる磁性膜として、バインダ樹脂を用い
た塗布型のものではなく、バインダ樹脂を用いない金属
薄膜型のものが提案されている。すなわち、無電解メッ
キ等の湿式メッキ手段、真空蒸着、スパッタリングある
いはイオンプレーティング等の乾式メッキ手段により磁
性膜を構成した磁気記録媒体が提案されている。そし
て、この種の磁気記録媒体は磁性体の充填密度が高いこ
とから、高密度記録に適したものである。この種の金属
薄膜型の磁気記録媒体における磁性材料としては、例え
ばＣｏ−Ｃｒ合金やＣｏ−Ｎｉ合金などの磁性金属が用
いられている。しかし、Ｃｏは稀少物質であることか
ら、多量に使用するとコストが高く付く。
録媒体においては、高密度記録化の要請から、非磁性支
持体上に設けられる磁性膜として、バインダ樹脂を用い
た塗布型のものではなく、バインダ樹脂を用いない金属
薄膜型のものが提案されている。すなわち、無電解メッ
キ等の湿式メッキ手段、真空蒸着、スパッタリングある
いはイオンプレーティング等の乾式メッキ手段により磁
性膜を構成した磁気記録媒体が提案されている。そし
て、この種の磁気記録媒体は磁性体の充填密度が高いこ
とから、高密度記録に適したものである。この種の金属
薄膜型の磁気記録媒体における磁性材料としては、例え
ばＣｏ−Ｃｒ合金やＣｏ−Ｎｉ合金などの磁性金属が用
いられている。しかし、Ｃｏは稀少物質であることか
ら、多量に使用するとコストが高く付く。
【０００３】そこで、非Ｃｏ系金属磁性材料としてＦｅ
とＮｉが考えられるが、Ｆｅは安価であり、かつ、環境
汚染の問題も少なく、更には飽和磁化が大きいことか
ら、金属薄膜型の磁気記録媒体の磁性材料としてＦｅが
注目され始めた。しかし、Ｆｅは錆やすいことから、化
学的に安定なものとする必要が有る。このような観点か
ら、磁性膜をＦｅx Ｎ（Ｆｅ−Ｎ）やＦｅ−Ｎ−Ｏで構
成することが提案された。そして、これらの磁性膜で構
成した磁気記録媒体は、磁気特性が良好であり、かつ、
耐蝕性に優れ、高密度記録に優れたものであると謳われ
ている。
とＮｉが考えられるが、Ｆｅは安価であり、かつ、環境
汚染の問題も少なく、更には飽和磁化が大きいことか
ら、金属薄膜型の磁気記録媒体の磁性材料としてＦｅが
注目され始めた。しかし、Ｆｅは錆やすいことから、化
学的に安定なものとする必要が有る。このような観点か
ら、磁性膜をＦｅx Ｎ（Ｆｅ−Ｎ）やＦｅ−Ｎ−Ｏで構
成することが提案された。そして、これらの磁性膜で構
成した磁気記録媒体は、磁気特性が良好であり、かつ、
耐蝕性に優れ、高密度記録に優れたものであると謳われ
ている。
【０００４】しかし、最近においては、より厳しい条件
下での使用がなされるようになった。従って、本発明の
目的は、より耐久性・耐蝕性に優れた磁気記録媒体を提
供することである。
下での使用がなされるようになった。従って、本発明の
目的は、より耐久性・耐蝕性に優れた磁気記録媒体を提
供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】前記本発明の目的は、Ｆ
ｅ−Ｎ−Ｏ系の磁性膜を備えてなり、前記Ｆｅ−Ｎ−Ｏ
系磁性膜の上層部と下層部とにＮ濃度が高く、上層部と
下層部との間にあってはＮ濃度が低い領域があることを
特徴とする磁気記録媒体によって達成される。
ｅ−Ｎ−Ｏ系の磁性膜を備えてなり、前記Ｆｅ−Ｎ−Ｏ
系磁性膜の上層部と下層部とにＮ濃度が高く、上層部と
下層部との間にあってはＮ濃度が低い領域があることを
特徴とする磁気記録媒体によって達成される。
【０００６】特に、Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系の磁性膜を備えてな
り、前記Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜の上層部と下層部とにＮ
濃度が高い領域があり、上層部と下層部との間にあって
はＮ濃度が低いことを特徴とする磁気記録媒体によって
達成される。又、Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系の磁性膜を備えてな
り、前記Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜のオージェ電子分光分析
において、縦軸にＦｅ量、Ｎ量、及びＯ量を、横軸にス
パッタ時間をとると、スパッタ開始近傍時とスパッタ終
了近傍時においてＮ量に山が認められるものであること
を特徴とする磁気記録媒体によって達成される。
り、前記Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜の上層部と下層部とにＮ
濃度が高い領域があり、上層部と下層部との間にあって
はＮ濃度が低いことを特徴とする磁気記録媒体によって
達成される。又、Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系の磁性膜を備えてな
り、前記Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜のオージェ電子分光分析
において、縦軸にＦｅ量、Ｎ量、及びＯ量を、横軸にス
パッタ時間をとると、スパッタ開始近傍時とスパッタ終
了近傍時においてＮ量に山が認められるものであること
を特徴とする磁気記録媒体によって達成される。
【０００７】上記Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜の上層部におけ
るＮ濃度のピーク値Ｎ1 は２０〜４０ａｔ．％、下層部
におけるＮ濃度のピークＮ2 は２０〜４０ａｔ．％であ
るものが好ましい。特に、Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜の上層
部におけるＮ濃度のピーク値Ｎ1 が２０〜４０ａｔ．
％、下層部におけるＮ濃度のピーク値Ｎ2 は２０〜４０
ａｔ．％、前記上層部と下層部との中間におけるＮ濃度
Ｎ3 は５〜２０ａｔ．％であり、Ｎ1 ＞Ｎ3 ，Ｎ2 ＞Ｎ
3 であるものが好ましい。
るＮ濃度のピーク値Ｎ1 は２０〜４０ａｔ．％、下層部
におけるＮ濃度のピークＮ2 は２０〜４０ａｔ．％であ
るものが好ましい。特に、Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜の上層
部におけるＮ濃度のピーク値Ｎ1 が２０〜４０ａｔ．
％、下層部におけるＮ濃度のピーク値Ｎ2 は２０〜４０
ａｔ．％、前記上層部と下層部との中間におけるＮ濃度
Ｎ3 は５〜２０ａｔ．％であり、Ｎ1 ＞Ｎ3 ，Ｎ2 ＞Ｎ
3 であるものが好ましい。
【０００８】又、Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜におけるＮ濃度
のピーク値Ｎ1 ，Ｎ2 に対応した点においてはＦｅ濃度
が低下したものが好ましい。すなわち、Ｎ濃度において
Ｎ1やＮ2 の値を示す山（ピーク）の位置に対応した位
置で、Ｆｅ濃度が低下したものが好ましい。前記Ｆｅ−
Ｎ−Ｏ系磁性膜においては、Ｎ濃度分布に山があること
を述べたが、前記山の間の領域においてはＯ濃度がほぼ
一定であるのが好ましい。
のピーク値Ｎ1 ，Ｎ2 に対応した点においてはＦｅ濃度
が低下したものが好ましい。すなわち、Ｎ濃度において
Ｎ1やＮ2 の値を示す山（ピーク）の位置に対応した位
置で、Ｆｅ濃度が低下したものが好ましい。前記Ｆｅ−
Ｎ−Ｏ系磁性膜においては、Ｎ濃度分布に山があること
を述べたが、前記山の間の領域においてはＯ濃度がほぼ
一定であるのが好ましい。
【０００９】又、Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜におけるＦｅ
量、Ｎ量、及びＯ量は ５０ａｔ．％≦Ｆｅ量≦９０ａｔ．％ ５ａｔ．％≦Ｎ量≦３５ａｔ．％ ５ａｔ．％≦Ｏ量≦３５ａｔ．％ を満たすことが好ましい。
量、Ｎ量、及びＯ量は ５０ａｔ．％≦Ｆｅ量≦９０ａｔ．％ ５ａｔ．％≦Ｎ量≦３５ａｔ．％ ５ａｔ．％≦Ｏ量≦３５ａｔ．％ を満たすことが好ましい。
【００１０】特に、 ６０ａｔ．％≦Ｆｅ量≦８４ａｔ．％ ８ａｔ．％≦Ｎ量≦２０ａｔ．％ ８ａｔ．％≦Ｏ量≦２０ａｔ．％ が好ましい。
【００１１】又、本発明の磁気記録媒体にあっては、Ｆ
ｅ−Ｎ−Ｏ系の磁性膜以外の磁性膜を持っていても良い
が、Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜の上には記録再生に用いられ
る磁性膜がない、つまりＦｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜が最上層
にあるのが好ましい。特に、本発明が規定する内容のＦ
ｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜が最上層にあるのが好ましい。尚、
磁性膜の下層部は磁性膜における支持体近傍の部分を言
い、磁性膜の上層部は磁性膜における支持体から遠い表
面近傍の部分を言う。
ｅ−Ｎ−Ｏ系の磁性膜以外の磁性膜を持っていても良い
が、Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜の上には記録再生に用いられ
る磁性膜がない、つまりＦｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜が最上層
にあるのが好ましい。特に、本発明が規定する内容のＦ
ｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜が最上層にあるのが好ましい。尚、
磁性膜の下層部は磁性膜における支持体近傍の部分を言
い、磁性膜の上層部は磁性膜における支持体から遠い表
面近傍の部分を言う。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明の磁気記録媒体は、Ｆｅ−
Ｎ−Ｏ系の磁性膜を備えてなり、前記Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁
性膜の上層部と下層部とにＮ濃度が高く、上層部と下層
部との間にあってはＮ濃度が低い領域がある。特に、Ｆ
ｅ−Ｎ−Ｏ系の磁性膜を備えてなり、前記Ｆｅ−Ｎ−Ｏ
系磁性膜の上層部と下層部とにＮ濃度が高い領域があ
り、上層部と下層部との間にあってはＮ濃度が低い。
Ｎ−Ｏ系の磁性膜を備えてなり、前記Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁
性膜の上層部と下層部とにＮ濃度が高く、上層部と下層
部との間にあってはＮ濃度が低い領域がある。特に、Ｆ
ｅ−Ｎ−Ｏ系の磁性膜を備えてなり、前記Ｆｅ−Ｎ−Ｏ
系磁性膜の上層部と下層部とにＮ濃度が高い領域があ
り、上層部と下層部との間にあってはＮ濃度が低い。
【００１３】あるいは、Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系の磁性膜を備え
てなり、前記Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜のオージェ電子分光
分析において、縦軸にＦｅ量、Ｎ量、及びＯ量を、横軸
にスパッタ時間をとると、スパッタ開始近傍時とスパッ
タ終了近傍時においてＮ量に山が認められるものであ
る。上記Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜の上層部におけるＮ濃度
のピーク値Ｎ1 は２０〜４０ａｔ．％、下層部における
Ｎ濃度のピークＮ2 は２０〜４０ａｔ．％である。特
に、Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜の上層部におけるＮ濃度のピ
ーク値Ｎ1 が２０〜４０ａｔ．％、下層部におけるＮ濃
度のピーク値Ｎ2 は２０〜４０ａｔ．％、前記上層部と
下層部との中間におけるＮ濃度Ｎ3 は５〜２０ａｔ．％
であり、Ｎ1 ＞Ｎ3 ，Ｎ2 ＞Ｎ3 である。
てなり、前記Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜のオージェ電子分光
分析において、縦軸にＦｅ量、Ｎ量、及びＯ量を、横軸
にスパッタ時間をとると、スパッタ開始近傍時とスパッ
タ終了近傍時においてＮ量に山が認められるものであ
る。上記Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜の上層部におけるＮ濃度
のピーク値Ｎ1 は２０〜４０ａｔ．％、下層部における
Ｎ濃度のピークＮ2 は２０〜４０ａｔ．％である。特
に、Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜の上層部におけるＮ濃度のピ
ーク値Ｎ1 が２０〜４０ａｔ．％、下層部におけるＮ濃
度のピーク値Ｎ2 は２０〜４０ａｔ．％、前記上層部と
下層部との中間におけるＮ濃度Ｎ3 は５〜２０ａｔ．％
であり、Ｎ1 ＞Ｎ3 ，Ｎ2 ＞Ｎ3 である。
【００１４】又、Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜におけるＮ濃度
のピーク値Ｎ1 ，Ｎ2 に対応した点においてはＦｅ濃度
が低下したものである。前記Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜にお
いては、Ｎ濃度分布に山があることを述べたが、前記山
の間の領域においてはＯ濃度がほぼ一定である。又、Ｆ
ｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜におけるＦｅ量、Ｎ量、及びＯ量は ５０ａｔ．％≦Ｆｅ量≦９０ａｔ．％ ５ａｔ．％≦Ｎ量≦３５ａｔ．％ ５ａｔ．％≦Ｏ量≦３５ａｔ．％ を満たす。
のピーク値Ｎ1 ，Ｎ2 に対応した点においてはＦｅ濃度
が低下したものである。前記Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜にお
いては、Ｎ濃度分布に山があることを述べたが、前記山
の間の領域においてはＯ濃度がほぼ一定である。又、Ｆ
ｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜におけるＦｅ量、Ｎ量、及びＯ量は ５０ａｔ．％≦Ｆｅ量≦９０ａｔ．％ ５ａｔ．％≦Ｎ量≦３５ａｔ．％ ５ａｔ．％≦Ｏ量≦３５ａｔ．％ を満たす。
【００１５】本発明の磁気記録媒体は、支持体上にイオ
ンアシスト法により磁性膜を成膜して磁気記録媒体を製
造する方法であって、蒸発源物質としてＦｅが用いられ
ての蒸着工程と、窒素イオンや窒素活性種を蒸着Ｆｅ膜
に衝突させる衝突工程と、酸素イオンあるいは酸素ガス
等の酸素活性種を蒸着Ｆｅ膜に衝突させる衝突工程とを
具備し、前記窒素イオンや窒素活性種を蒸着Ｆｅ膜に衝
突させる衝突範囲や衝突量を制御することによって得ら
れる。例えば、Ｆｅが支持体上に堆積し始めた蒸着初期
近傍の地点及び堆積が終了し終わる蒸着終期近傍の地点
の二地点に向けて窒素イオンや窒素活性種を供給してや
ることにより、上層部と下層部とにＮ濃度が高い領域が
あり、上層部と下層部との間にあってはＮ濃度が低いＦ
ｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜が得られる。
ンアシスト法により磁性膜を成膜して磁気記録媒体を製
造する方法であって、蒸発源物質としてＦｅが用いられ
ての蒸着工程と、窒素イオンや窒素活性種を蒸着Ｆｅ膜
に衝突させる衝突工程と、酸素イオンあるいは酸素ガス
等の酸素活性種を蒸着Ｆｅ膜に衝突させる衝突工程とを
具備し、前記窒素イオンや窒素活性種を蒸着Ｆｅ膜に衝
突させる衝突範囲や衝突量を制御することによって得ら
れる。例えば、Ｆｅが支持体上に堆積し始めた蒸着初期
近傍の地点及び堆積が終了し終わる蒸着終期近傍の地点
の二地点に向けて窒素イオンや窒素活性種を供給してや
ることにより、上層部と下層部とにＮ濃度が高い領域が
あり、上層部と下層部との間にあってはＮ濃度が低いＦ
ｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜が得られる。
【００１６】図１に、本発明で用いるイオンアシスト斜
め蒸着装置を示す。図１中、１は支持体、２ａは支持体
１の供給側ロール、２ｂは支持体１の巻取側ロール、３
は冷却キャンロール、４は遮蔽板、５はルツボ、６はＦ
ｅ、７は電子銃、８は真空槽、９は酸素ガス供給ノズ
ル、１０はイオン銃である。図１では、酸素ガスを供給
するタイプのものを示したが、酸素イオンを供給するよ
うにしても良い。又、イオン銃は図２に示すマスクＭを
用いることによって一台で二箇所に向けて分散照射でき
るように工夫したものであるが、二つのイオン銃を用い
ても良い。そして、イオン銃１０による窒素イオンの目
標照射位置や供給量、及び酸素ガス供給ノズル９による
酸素ガスの供給量を特定のものとした他は、通常のイオ
ンアシスト斜め蒸着に準じて行わせることによって、本
発明になる図４などのオージェプロファイルのＦｅ−Ｎ
−Ｏ系磁性膜が得られる。
め蒸着装置を示す。図１中、１は支持体、２ａは支持体
１の供給側ロール、２ｂは支持体１の巻取側ロール、３
は冷却キャンロール、４は遮蔽板、５はルツボ、６はＦ
ｅ、７は電子銃、８は真空槽、９は酸素ガス供給ノズ
ル、１０はイオン銃である。図１では、酸素ガスを供給
するタイプのものを示したが、酸素イオンを供給するよ
うにしても良い。又、イオン銃は図２に示すマスクＭを
用いることによって一台で二箇所に向けて分散照射でき
るように工夫したものであるが、二つのイオン銃を用い
ても良い。そして、イオン銃１０による窒素イオンの目
標照射位置や供給量、及び酸素ガス供給ノズル９による
酸素ガスの供給量を特定のものとした他は、通常のイオ
ンアシスト斜め蒸着に準じて行わせることによって、本
発明になる図４などのオージェプロファイルのＦｅ−Ｎ
−Ｏ系磁性膜が得られる。
【００１７】このようにして得られた本発明になる磁気
記録媒体を図３に示す。図３中、１は支持体である。こ
の支持体１は磁性を有するものでも非磁性のものでも良
いが、一般的には、非磁性のものである。例えば、ポリ
エチレンテレフタレート等のポリエステル、ポリアミ
ド、ポリイミド、ポリスルフォン、ポリカーボネート、
ポリプロピレン等のオレフィン系の樹脂、セルロース系
の樹脂、塩化ビニル系の樹脂といった高分子材料、ガラ
スやセラミック等の無機系材料、アルミニウム合金など
の金属材料が用いられる。支持体１面上には磁性膜の密
着性を向上させる為のアンダーコート層が必要に応じて
設けられる。すなわち、乾式メッキで構成される磁性膜
の密着性を向上させ、さらに磁気記録媒体表面の表面粗
さを適度なものとして走行性を改善する為、例えばＳｉ
Ｏ2 等の粒子を含有させた厚さが０．０１〜０．５μｍ
の塗膜を設けることによってアンダーコート層が構成さ
れている。
記録媒体を図３に示す。図３中、１は支持体である。こ
の支持体１は磁性を有するものでも非磁性のものでも良
いが、一般的には、非磁性のものである。例えば、ポリ
エチレンテレフタレート等のポリエステル、ポリアミ
ド、ポリイミド、ポリスルフォン、ポリカーボネート、
ポリプロピレン等のオレフィン系の樹脂、セルロース系
の樹脂、塩化ビニル系の樹脂といった高分子材料、ガラ
スやセラミック等の無機系材料、アルミニウム合金など
の金属材料が用いられる。支持体１面上には磁性膜の密
着性を向上させる為のアンダーコート層が必要に応じて
設けられる。すなわち、乾式メッキで構成される磁性膜
の密着性を向上させ、さらに磁気記録媒体表面の表面粗
さを適度なものとして走行性を改善する為、例えばＳｉ
Ｏ2 等の粒子を含有させた厚さが０．０１〜０．５μｍ
の塗膜を設けることによってアンダーコート層が構成さ
れている。
【００１８】アンダーコート層の上には、図１に示した
イオンアシスト斜め蒸着装置によってＦｅ−Ｎ−Ｏ系の
金属薄膜型の磁性膜１１が設けられる。例えば、１０-4
〜１０-6Ｔｏｒｒ程度の真空雰囲気下でＦｅを抵抗加
熱、高周波加熱、電子ビーム加熱などにより蒸発させ、
支持体１のアンダーコート層面上に堆積（蒸着）させる
ことにより、Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜１１が５００〜５０
００Å、特に５００〜２５００Å厚形成される。斜め蒸
着の際の入射角は３０°〜８０°、望ましくは約４５°
〜７０°である。このＦｅの蒸着時には窒素イオンや酸
素ガスを蒸着Ｆｅ膜に衝突させる。但し、窒素イオン
を、Ｆｅが支持体上に堆積し始めた蒸着初期及び堆積が
終了し終わる蒸着終期の二地点に向けて供給する。前記
窒素イオンや酸素ガスの供給は、Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜
が上記に規定された内容のものになるよう制御される。
イオンアシスト斜め蒸着装置によってＦｅ−Ｎ−Ｏ系の
金属薄膜型の磁性膜１１が設けられる。例えば、１０-4
〜１０-6Ｔｏｒｒ程度の真空雰囲気下でＦｅを抵抗加
熱、高周波加熱、電子ビーム加熱などにより蒸発させ、
支持体１のアンダーコート層面上に堆積（蒸着）させる
ことにより、Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜１１が５００〜５０
００Å、特に５００〜２５００Å厚形成される。斜め蒸
着の際の入射角は３０°〜８０°、望ましくは約４５°
〜７０°である。このＦｅの蒸着時には窒素イオンや酸
素ガスを蒸着Ｆｅ膜に衝突させる。但し、窒素イオン
を、Ｆｅが支持体上に堆積し始めた蒸着初期及び堆積が
終了し終わる蒸着終期の二地点に向けて供給する。前記
窒素イオンや酸素ガスの供給は、Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜
が上記に規定された内容のものになるよう制御される。
【００１９】１２は潤滑剤層である。すなわち、炭化水
素系の潤滑剤やパーフルオロポリエーテル等のフッ素系
潤滑剤、特にフッ素系潤滑剤を含有させた塗料を所定の
手段で塗布することにより、約２〜５０Å、好ましくは
約１０〜３０Å程度の厚さの潤滑剤層１２が設けられ
る。１３は、支持体１の他面に設けられたカーボンブラ
ック等を含有させた厚さが０．１〜１μｍ程度のバック
コート層である。尚、バックコート層１３は、例えばＡ
ｌ−Ｃｕ合金等の金属を蒸着させて形成したものであっ
ても良い。
素系の潤滑剤やパーフルオロポリエーテル等のフッ素系
潤滑剤、特にフッ素系潤滑剤を含有させた塗料を所定の
手段で塗布することにより、約２〜５０Å、好ましくは
約１０〜３０Å程度の厚さの潤滑剤層１２が設けられ
る。１３は、支持体１の他面に設けられたカーボンブラ
ック等を含有させた厚さが０．１〜１μｍ程度のバック
コート層である。尚、バックコート層１３は、例えばＡ
ｌ−Ｃｕ合金等の金属を蒸着させて形成したものであっ
ても良い。
【００２０】尚、Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜１１の上には厚
さが１０〜２００Å程度の保護膜を設けることが好まし
い。例えば、ダイヤモンドライクカーボン、グラファイ
ト等のカーボン膜、酸化珪素、炭化珪素などの含珪素
膜、特にダイヤモンドライクカーボンからなる保護膜を
設けることが好ましい。
さが１０〜２００Å程度の保護膜を設けることが好まし
い。例えば、ダイヤモンドライクカーボン、グラファイ
ト等のカーボン膜、酸化珪素、炭化珪素などの含珪素
膜、特にダイヤモンドライクカーボンからなる保護膜を
設けることが好ましい。
【００２１】
【実施例１】図１に示されるイオンアシスト斜め蒸着装
置に１０μｍ厚のＰＥＴフィルム１を装着し、ＰＥＴフ
ィルム１が２ｍ／分の走行速度で走行させられている。
酸化マグネシウム製のルツボ５にＦｅ６が入っており、
５ｋＷの電子銃７を作動させてＦｅを蒸発させ、ＰＥＴ
フィルム１にＦｅを蒸着させると共に、窒素ガスを加速
電圧３００Ｖ、フィラメント電流７．５Ａのカウフマン
型イオン銃（このイオン銃に装着されたマスクＭは図２
（ａ）タイプのもの）１０に供給（窒素ガス供給量は１
０ｓｃｃｍ）し、ＰＥＴフィルム１上のＦｅ膜に向けて
窒素イオンを照射する。又、酸素ガス供給ノズル９より
酸素ガスを６ｓｃｃｍ供給し、厚さが２３２０ÅのＦｅ
−Ｎ−Ｏ系磁性膜を成膜し、その表面にパーフルオロポ
リエーテル（潤滑剤）を塗布し、図３に示されるタイプ
の８ｍｍＶＴＲ用磁気テープを得た。
置に１０μｍ厚のＰＥＴフィルム１を装着し、ＰＥＴフ
ィルム１が２ｍ／分の走行速度で走行させられている。
酸化マグネシウム製のルツボ５にＦｅ６が入っており、
５ｋＷの電子銃７を作動させてＦｅを蒸発させ、ＰＥＴ
フィルム１にＦｅを蒸着させると共に、窒素ガスを加速
電圧３００Ｖ、フィラメント電流７．５Ａのカウフマン
型イオン銃（このイオン銃に装着されたマスクＭは図２
（ａ）タイプのもの）１０に供給（窒素ガス供給量は１
０ｓｃｃｍ）し、ＰＥＴフィルム１上のＦｅ膜に向けて
窒素イオンを照射する。又、酸素ガス供給ノズル９より
酸素ガスを６ｓｃｃｍ供給し、厚さが２３２０ÅのＦｅ
−Ｎ−Ｏ系磁性膜を成膜し、その表面にパーフルオロポ
リエーテル（潤滑剤）を塗布し、図３に示されるタイプ
の８ｍｍＶＴＲ用磁気テープを得た。
【００２２】この磁気テープのオージェプロファイル
（測定条件：電子銃；加速電圧１０ｋＶ、エミッション
電流１０ｎＡ、倍率２０００倍、エッチング条件；エッ
チングガスはアルゴン、加速電圧３ｋＶ、イオン電流３
００ｎＡ、３０秒間毎にエッチング）を図４に示す。こ
のＦｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜のオージェプロファイルにおい
て、縦軸にＦｅ量、Ｎ量、及びＯ量（Ｆｅ量＋Ｎ量＋Ｏ
量＝１００％。尚、最表面層は潤滑剤成分からのＣが、
又、支持体との界面側にあっては支持体成分からのＣが
認められるが、Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜の領域にあっては
基本的にＣはないと考える。）を、横軸にスパッタ時間
をとると、スパッタ開始近傍時とスパッタ終了近傍時に
おいてＮ量に山が認められる。すなわち、Ｆｅ−Ｎ−Ｏ
系磁性膜の上層部（Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜表面から６０
０Å以内の深さにある上層部）と下層部（Ｆｅ−Ｎ−Ｏ
系磁性膜表面から１３００Å以上の深さにある下層部）
とにＮ濃度が高い（山）領域があり、上層部と下層部と
の間にあってはＮ濃度が低い。特に、Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁
性膜の上層部におけるＮ濃度のピーク値Ｎ1 は２４ａ
ｔ．％、下層部におけるＮ濃度のピーク値Ｎ2 は２２ａ
ｔ．％、前記二つのピーク値を示す間におけるＮ濃度Ｎ
3 は１３〜１５ａｔ．％である。又、ピーク値Ｎ 1 とピ
ーク値Ｎ2 との間にあってはＯ濃度はほぼ一定である。
そして、Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜におけるＦｅ量は７４ａ
ｔ．％、Ｎ量は１５ａｔ．％、Ｏ量は１１ａｔ．％であ
る。
（測定条件：電子銃；加速電圧１０ｋＶ、エミッション
電流１０ｎＡ、倍率２０００倍、エッチング条件；エッ
チングガスはアルゴン、加速電圧３ｋＶ、イオン電流３
００ｎＡ、３０秒間毎にエッチング）を図４に示す。こ
のＦｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜のオージェプロファイルにおい
て、縦軸にＦｅ量、Ｎ量、及びＯ量（Ｆｅ量＋Ｎ量＋Ｏ
量＝１００％。尚、最表面層は潤滑剤成分からのＣが、
又、支持体との界面側にあっては支持体成分からのＣが
認められるが、Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜の領域にあっては
基本的にＣはないと考える。）を、横軸にスパッタ時間
をとると、スパッタ開始近傍時とスパッタ終了近傍時に
おいてＮ量に山が認められる。すなわち、Ｆｅ−Ｎ−Ｏ
系磁性膜の上層部（Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜表面から６０
０Å以内の深さにある上層部）と下層部（Ｆｅ−Ｎ−Ｏ
系磁性膜表面から１３００Å以上の深さにある下層部）
とにＮ濃度が高い（山）領域があり、上層部と下層部と
の間にあってはＮ濃度が低い。特に、Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁
性膜の上層部におけるＮ濃度のピーク値Ｎ1 は２４ａ
ｔ．％、下層部におけるＮ濃度のピーク値Ｎ2 は２２ａ
ｔ．％、前記二つのピーク値を示す間におけるＮ濃度Ｎ
3 は１３〜１５ａｔ．％である。又、ピーク値Ｎ 1 とピ
ーク値Ｎ2 との間にあってはＯ濃度はほぼ一定である。
そして、Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜におけるＦｅ量は７４ａ
ｔ．％、Ｎ量は１５ａｔ．％、Ｏ量は１１ａｔ．％であ
る。
【００２３】尚、本発明の磁気記録媒体におけるＦｅ−
Ｎ−Ｏ系磁性膜の界面（支持体と磁性膜との界面）につ
いては、オージェプロファイルの一般的な取扱いに従
う。
Ｎ−Ｏ系磁性膜の界面（支持体と磁性膜との界面）につ
いては、オージェプロファイルの一般的な取扱いに従
う。
【００２４】
【実施例２】実施例１において、イオン銃１０に装着す
るマスクＭとして図２（ｂ）タイプのものを用い、又、
イオン銃１０への窒素ガス供給量を８ｓｃｃｍ、酸素ガ
ス供給ノズル９よりの酸素ガス供給量を６ｓｃｃｍとし
た以外は実施例１に準じて行い、図３に示されるタイプ
の８ｍｍＶＴＲ用磁気テープを得た。尚、Ｆｅ−Ｎ−Ｏ
系磁性膜の厚さは２３４０Åである。
るマスクＭとして図２（ｂ）タイプのものを用い、又、
イオン銃１０への窒素ガス供給量を８ｓｃｃｍ、酸素ガ
ス供給ノズル９よりの酸素ガス供給量を６ｓｃｃｍとし
た以外は実施例１に準じて行い、図３に示されるタイプ
の８ｍｍＶＴＲ用磁気テープを得た。尚、Ｆｅ−Ｎ−Ｏ
系磁性膜の厚さは２３４０Åである。
【００２５】この磁気テープのオージェプロファイルを
図５に示す。このＦｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜のオージェプロ
ファイルにおいて、縦軸にＦｅ量、Ｎ量、及びＯ量（Ｆ
ｅ量＋Ｎ量＋Ｏ量＝１００％）を、横軸にスパッタ時間
をとると、スパッタ開始近傍時とスパッタ終了近傍時に
おいてＮ量に山が認められる。すなわち、Ｆｅ−Ｎ−Ｏ
系磁性膜の上層部（Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜表面から６０
０Å以内の深さにある上層部）と下層部（Ｆｅ−Ｎ−Ｏ
系磁性膜表面から１３００Å以上の深さにある下層部）
とにＮ濃度が高い領域があり、上層部と下層部との間に
あってはＮ濃度が低い。特に、Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜の
上層部におけるＮ濃度のピーク値Ｎ1 は２４ａｔ．％、
下層部におけるＮ濃度のピーク値Ｎ2 は１９ａｔ．％、
前記二つのピーク値を示す間におけるＮ濃度Ｎ3 は１４
〜１７ａｔ．％である。又、ピーク値Ｎ1 とピーク値Ｎ
2 との間にあってはＯ濃度はほぼ一定である。そして、
Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜におけるＦｅ量は７４ａｔ．％、
Ｎ量は１６ａｔ．％、Ｏ量は１０ａｔ．％である。
図５に示す。このＦｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜のオージェプロ
ファイルにおいて、縦軸にＦｅ量、Ｎ量、及びＯ量（Ｆ
ｅ量＋Ｎ量＋Ｏ量＝１００％）を、横軸にスパッタ時間
をとると、スパッタ開始近傍時とスパッタ終了近傍時に
おいてＮ量に山が認められる。すなわち、Ｆｅ−Ｎ−Ｏ
系磁性膜の上層部（Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜表面から６０
０Å以内の深さにある上層部）と下層部（Ｆｅ−Ｎ−Ｏ
系磁性膜表面から１３００Å以上の深さにある下層部）
とにＮ濃度が高い領域があり、上層部と下層部との間に
あってはＮ濃度が低い。特に、Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜の
上層部におけるＮ濃度のピーク値Ｎ1 は２４ａｔ．％、
下層部におけるＮ濃度のピーク値Ｎ2 は１９ａｔ．％、
前記二つのピーク値を示す間におけるＮ濃度Ｎ3 は１４
〜１７ａｔ．％である。又、ピーク値Ｎ1 とピーク値Ｎ
2 との間にあってはＯ濃度はほぼ一定である。そして、
Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜におけるＦｅ量は７４ａｔ．％、
Ｎ量は１６ａｔ．％、Ｏ量は１０ａｔ．％である。
【００２６】
【実施例３】実施例１において、イオン銃１０に装着す
るマスクＭとして図２（ｃ）タイプのものを用い、又、
イオン銃１０への窒素ガス供給量を８ｓｃｃｍ、酸素ガ
ス供給ノズル９よりの酸素ガス供給量を６ｓｃｃｍとし
た以外は実施例１に準じて行い、図３に示されるタイプ
の８ｍｍＶＴＲ用磁気テープを得た。尚、Ｆｅ−Ｎ−Ｏ
系磁性膜の厚さは２２９０Åである。
るマスクＭとして図２（ｃ）タイプのものを用い、又、
イオン銃１０への窒素ガス供給量を８ｓｃｃｍ、酸素ガ
ス供給ノズル９よりの酸素ガス供給量を６ｓｃｃｍとし
た以外は実施例１に準じて行い、図３に示されるタイプ
の８ｍｍＶＴＲ用磁気テープを得た。尚、Ｆｅ−Ｎ−Ｏ
系磁性膜の厚さは２２９０Åである。
【００２７】この磁気テープのオージェプロファイルを
図６に示す。このＦｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜のオージェプロ
ファイルにおいて、縦軸にＦｅ量、Ｎ量、及びＯ量（Ｆ
ｅ量＋Ｎ量＋Ｏ量＝１００％）を、横軸にスパッタ時間
をとると、スパッタ開始近傍時とスパッタ終了近傍時に
おいてＮ量に山が認められる。すなわち、Ｆｅ−Ｎ−Ｏ
系磁性膜の上層部（Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜表面から６０
０Å以内の深さにある上層部）と下層部（Ｆｅ−Ｎ−Ｏ
系磁性膜表面から１３００Å以上の深さにある下層部）
とにＮ濃度が高い領域があり、上層部と下層部との間に
あってはＮ濃度が低い。特に、Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜の
上層部におけるＮ濃度のピーク値Ｎ1 は１９ａｔ．％、
下層部におけるＮ濃度のピーク値Ｎ2 は２５ａｔ．％、
前記二つのピーク値を示す間におけるＮ濃度Ｎ3 は１４
〜１７ａｔ．％である。又、ピーク値Ｎ1 とピーク値Ｎ
2 との間にあってはＯ濃度はほぼ一定である。そして、
Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜におけるＦｅ量は７４ａｔ．％、
Ｎ量は１５ａｔ．％、Ｏ量は１１ａｔ．％である。
図６に示す。このＦｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜のオージェプロ
ファイルにおいて、縦軸にＦｅ量、Ｎ量、及びＯ量（Ｆ
ｅ量＋Ｎ量＋Ｏ量＝１００％）を、横軸にスパッタ時間
をとると、スパッタ開始近傍時とスパッタ終了近傍時に
おいてＮ量に山が認められる。すなわち、Ｆｅ−Ｎ−Ｏ
系磁性膜の上層部（Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜表面から６０
０Å以内の深さにある上層部）と下層部（Ｆｅ−Ｎ−Ｏ
系磁性膜表面から１３００Å以上の深さにある下層部）
とにＮ濃度が高い領域があり、上層部と下層部との間に
あってはＮ濃度が低い。特に、Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜の
上層部におけるＮ濃度のピーク値Ｎ1 は１９ａｔ．％、
下層部におけるＮ濃度のピーク値Ｎ2 は２５ａｔ．％、
前記二つのピーク値を示す間におけるＮ濃度Ｎ3 は１４
〜１７ａｔ．％である。又、ピーク値Ｎ1 とピーク値Ｎ
2 との間にあってはＯ濃度はほぼ一定である。そして、
Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜におけるＦｅ量は７４ａｔ．％、
Ｎ量は１５ａｔ．％、Ｏ量は１１ａｔ．％である。
【００２８】
【実施例４】実施例１に準じてＦｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜の
成膜を行った。尚、Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜の厚さは２３
６０Åである。そして、Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜１１の成
膜後に、ＥＣＲ−ＣＶＤ装置を用いてＦｅ−Ｎ−Ｏ系磁
性膜１１の上に厚さが１１０Åのダイヤモンドライクカ
ーボンからなる保護膜を成膜（供給ガスはＣＨ4 、照射
マイクロ波は２．４５ＧＨｚで出力６００ｗ、真空度１
０ｍＴｏｒｒ）した。
成膜を行った。尚、Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜の厚さは２３
６０Åである。そして、Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜１１の成
膜後に、ＥＣＲ−ＣＶＤ装置を用いてＦｅ−Ｎ−Ｏ系磁
性膜１１の上に厚さが１１０Åのダイヤモンドライクカ
ーボンからなる保護膜を成膜（供給ガスはＣＨ4 、照射
マイクロ波は２．４５ＧＨｚで出力６００ｗ、真空度１
０ｍＴｏｒｒ）した。
【００２９】この磁気テープのオージェプロファイルを
図７に示す。このＦｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜のオージェプロ
ファイルにおいて、縦軸にＦｅ量、Ｎ量、及びＯ量（Ｆ
ｅ量＋Ｎ量＋Ｏ量＝１００％）を、横軸にスパッタ時間
をとると、スパッタ開始近傍時とスパッタ終了近傍時に
おいてＮ量に山が認められる。すなわち、Ｆｅ−Ｎ−Ｏ
系磁性膜の上層部（Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜表面から６０
０Å以内の深さにある上層部）と下層部（Ｆｅ−Ｎ−Ｏ
系磁性膜表面から１３００Å以上の深さにある下層部）
とにＮ濃度が高い領域があり、上層部と下層部との間に
あってはＮ濃度が低い。特に、Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜の
上層部におけるＮ濃度のピーク値Ｎ1 は２３ａｔ．％、
下層部におけるＮ濃度のピーク値Ｎ2 は２５ａｔ．％、
前記二つのピーク値を示す間におけるＮ濃度Ｎ3 は１４
〜１７ａｔ．％である。又、ピーク値Ｎ1 とピーク値Ｎ
2 との間にあってはＯ濃度はほぼ一定である。そして、
Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜におけるＦｅ量は７５ａｔ．％、
Ｎ量は１５ａｔ．％、Ｏ量は１０ａｔ．％である。
図７に示す。このＦｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜のオージェプロ
ファイルにおいて、縦軸にＦｅ量、Ｎ量、及びＯ量（Ｆ
ｅ量＋Ｎ量＋Ｏ量＝１００％）を、横軸にスパッタ時間
をとると、スパッタ開始近傍時とスパッタ終了近傍時に
おいてＮ量に山が認められる。すなわち、Ｆｅ−Ｎ−Ｏ
系磁性膜の上層部（Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜表面から６０
０Å以内の深さにある上層部）と下層部（Ｆｅ−Ｎ−Ｏ
系磁性膜表面から１３００Å以上の深さにある下層部）
とにＮ濃度が高い領域があり、上層部と下層部との間に
あってはＮ濃度が低い。特に、Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜の
上層部におけるＮ濃度のピーク値Ｎ1 は２３ａｔ．％、
下層部におけるＮ濃度のピーク値Ｎ2 は２５ａｔ．％、
前記二つのピーク値を示す間におけるＮ濃度Ｎ3 は１４
〜１７ａｔ．％である。又、ピーク値Ｎ1 とピーク値Ｎ
2 との間にあってはＯ濃度はほぼ一定である。そして、
Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜におけるＦｅ量は７５ａｔ．％、
Ｎ量は１５ａｔ．％、Ｏ量は１０ａｔ．％である。
【００３０】尚、本実施例にあっては、Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系
磁性膜の上にダイヤモンドライクカーボンからなる保護
膜が設けられているから、スパッタ開始初期にあっては
保護膜のＣが認められ、この後Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜の
Ｆｅ，Ｎ，Ｏが認められ出す。
磁性膜の上にダイヤモンドライクカーボンからなる保護
膜が設けられているから、スパッタ開始初期にあっては
保護膜のＣが認められ、この後Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜の
Ｆｅ，Ｎ，Ｏが認められ出す。
【００３１】
【比較例１】実施例１において、イオン銃１０に装着す
るマスクＭとして図２（ｄ）タイプのものを用い、又、
イオン銃１０への窒素ガス供給量は１０ｓｃｃｍ、酸素
ガス供給ノズル９より酸素ガスの供給量を６ｓｃｃｍと
した以外は実施例１に準じて行い、図３に示されるタイ
プの８ｍｍＶＴＲ用磁気テープを得た。尚、Ｆｅ−Ｎ−
Ｏ系磁性膜の厚さは２２７０Åである。
るマスクＭとして図２（ｄ）タイプのものを用い、又、
イオン銃１０への窒素ガス供給量は１０ｓｃｃｍ、酸素
ガス供給ノズル９より酸素ガスの供給量を６ｓｃｃｍと
した以外は実施例１に準じて行い、図３に示されるタイ
プの８ｍｍＶＴＲ用磁気テープを得た。尚、Ｆｅ−Ｎ−
Ｏ系磁性膜の厚さは２２７０Åである。
【００３２】この磁気テープのオージェプロファイルを
図８に示す。尚、このＦｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜におけるＦ
ｅ量は７６ａｔ．％、Ｎ量は１６ａｔ．％、Ｏ量は８ａ
ｔ．％である。
図８に示す。尚、このＦｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜におけるＦ
ｅ量は７６ａｔ．％、Ｎ量は１６ａｔ．％、Ｏ量は８ａ
ｔ．％である。
【００３３】
【特性】上記各例の磁気テープについてのスチル耐久
性、及び耐蝕性を調べたので、その結果を表−１に示
す。 表−１ スチル耐久性（分） 耐蝕性ΔＢｓ（％） 実施例１ ２８ ６ 実施例２ １６ １０ 実施例３ ３１ １３ 実施例４ ６０＜ ５ 比較例１ １４ １８ ＊耐蝕性は、６０℃、９０％ＲＨの環境下に１週間放置後の磁化の劣化率 ＊スチル耐久性は、ドラムテスタを用い、ヘッド−テープの相対速度を１０ ｍ／ｓとした時、出力が初期値より３ｄＢ低下するまでの時間
性、及び耐蝕性を調べたので、その結果を表−１に示
す。 表−１ スチル耐久性（分） 耐蝕性ΔＢｓ（％） 実施例１ ２８ ６ 実施例２ １６ １０ 実施例３ ３１ １３ 実施例４ ６０＜ ５ 比較例１ １４ １８ ＊耐蝕性は、６０℃、９０％ＲＨの環境下に１週間放置後の磁化の劣化率 ＊スチル耐久性は、ドラムテスタを用い、ヘッド−テープの相対速度を１０ ｍ／ｓとした時、出力が初期値より３ｄＢ低下するまでの時間
【００３４】
【発明の効果】耐久性、及び耐蝕性に富む。
【図１】磁気記録媒体製造装置の概略図
【図２】（ａ）〜（ｄ）はイオン銃に装着されたマスク
の説明図
の説明図
【図３】磁気記録媒体の概略断面図
【図４】実施例１のＦｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜のオージェプ
ロファイル
ロファイル
【図５】実施例２のＦｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜のオージェプ
ロファイル
ロファイル
【図６】実施例３のＦｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜のオージェプ
ロファイル
ロファイル
【図７】実施例４のＦｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜のオージェプ
ロファイル
ロファイル
【図８】比較例１のＦｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜のオージェプ
ロファイル
ロファイル
１ 支持体 １１ 磁性膜（Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 石川 准子 栃木県芳賀郡市貝町大字赤羽2606 花王株 式会社情報科学研究所内 (72)発明者 遠藤 克巳 栃木県芳賀郡市貝町大字赤羽2606 花王株 式会社情報科学研究所内
Claims (6)
- 【請求項１】 Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系の磁性膜を備えてなり、 前記Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜の上層部と下層部とにＮ濃度
が高く、上層部と下層部との間にあってはＮ濃度が低い
領域があることを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項２】 Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系の磁性膜を備えてなり、 前記Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜のオージェ電子分光分析にお
いて、縦軸にＦｅ量、Ｎ量、及びＯ量を、横軸にスパッ
タ時間をとると、スパッタ開始近傍時とスパッタ終了近
傍時においてＮ量に山が認められるものであることを特
徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項３】 Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜の上層部における
Ｎ濃度のピーク値Ｎ 1 が２０〜４０ａｔ．％、下層部に
おけるＮ濃度のピークＮ2 は２０〜４０ａｔ．％である
ことを特徴とする請求項１又は請求項２の磁気記録媒
体。 - 【請求項４】 Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜の上層部における
Ｎ濃度のピーク値Ｎ 1 が２０〜４０ａｔ．％、下層部に
おけるＮ濃度のピーク値Ｎ2 は２０〜４０ａｔ．％、前
記上層部と下層部との中間におけるＮ濃度Ｎ3 は５〜２
０ａｔ．％であり、Ｎ1 ＞Ｎ3 ，Ｎ2 ＞Ｎ3 であること
を特徴とする請求項１又は請求項２の磁気記録媒体。 - 【請求項５】 Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜の上層部における
ピーク値Ｎ1 に対応した点と下層部におけるピーク値Ｎ
2 に対応した点との間においてはＯ濃度がほぼ一定であ
ることを特徴とする請求項１又は請求項２の磁気記録媒
体。 - 【請求項６】 Ｆｅ−Ｎ−Ｏ系磁性膜におけるＦｅ量、
Ｎ量、及びＯ量は ５０ａｔ．％≦Ｆｅ量≦９０ａｔ．％ ５ａｔ．％≦Ｎ量≦３５ａｔ．％ ５ａｔ．％≦Ｏ量≦３５ａｔ．％ を満たすことを特徴とする請求項１〜請求項５いずれか
の磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32920395A JPH09167326A (ja) | 1995-12-18 | 1995-12-18 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32920395A JPH09167326A (ja) | 1995-12-18 | 1995-12-18 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09167326A true JPH09167326A (ja) | 1997-06-24 |
Family
ID=18218814
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32920395A Pending JPH09167326A (ja) | 1995-12-18 | 1995-12-18 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09167326A (ja) |
-
1995
- 1995-12-18 JP JP32920395A patent/JPH09167326A/ja active Pending
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