JPH0991665A - 磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 Ｓ／Ｎに優れた磁気記録媒体を提供すること
である。 【解決手段】 支持体上にＦｅ−Ｃ−Ｏ系の磁性膜が設
けられてなる磁気記録媒体であって、前記Ｆｅ−Ｃ−Ｏ
系磁性膜は斜めコラム構造を有してなり、この磁気コラ
ムの中心部より周辺部の方がＯ濃度は高い磁気記録媒
体。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁
性膜を有する磁気記録媒体に関する。

【０００２】

【発明が解決しようとする課題】磁気テープ等の磁気記
録媒体においては、高密度記録化の要請から、非磁性支
持体上に設けられる磁性膜として、バインダ樹脂を用い
た塗布型のものではなく、バインダ樹脂を用いない金属
薄膜型のものが提案されている。すなわち、無電解メッ
キ等の湿式メッキ手段、真空蒸着、スパッタリングある
いはイオンプレーティング等の乾式メッキ手段により磁
性膜を構成した磁気記録媒体が提案されている。そし
て、この種の磁気記録媒体は磁性体の充填密度が高いこ
とから、高密度記録に適したものである。この種の金属
薄膜型の磁気記録媒体における磁性材料としては、例え
ばＣｏ−Ｃｒ合金やＣｏ−Ｎｉ合金などの磁性金属が用
いられている。しかし、Ｃｏは稀少物質であることか
ら、多量に使用するとコストが高く付く。

【０００３】そこで、非Ｃｏ系金属磁性材料としてＦｅ
とＮｉが考えられるものの、Ｆｅは安価であり、かつ、
環境汚染の問題も少なく、更には飽和磁化が大きいこと
から、金属薄膜型の磁気記録媒体の磁性材料としてＦｅ
が注目され始めた。しかし、Ｆｅは錆やすいことから、
化学的に安定なものとする必要が有る。このような観点
から、磁性膜をＦｅ_x Ｎ（Ｆｅ−Ｎ）やＦｅ−Ｎ−Ｏで
構成することが提案された。そして、これらの磁性膜で
構成した磁気記録媒体は、磁気特性が良好であり、高密
度記録に優れたものであると謳われている。

【０００４】しかし、最近においては、より高いＳ／Ｎ
が求められるようになった。従って、本発明の目的は、
Ｓ／Ｎに優れた磁気記録媒体を提供することである。

【０００５】

【課題を解決するための手段】前記本発明の目的は、支
持体上にＦｅ−Ｃ−Ｏ系の磁性膜が設けられてなる磁気
記録媒体であって、前記Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜は斜めコ
ラム構造を有してなり、この磁気コラムの中心部より周
辺部の方がＯ濃度は高いことを特徴とする磁気記録媒体
によって達成される。

【０００６】又、支持体上にＦｅ−Ｃ−Ｏ系の磁性膜が
設けられてなる磁気記録媒体であって、前記Ｆｅ−Ｃ−
Ｏ系磁性膜のオージェ電子分光分析（スパッタ方向が磁
性膜に対して斜め方向）において、縦軸にＦｅ量、Ｃ
量、及びＯ量（Ｆｅ量＋Ｃ量＋Ｏ量＝１００％）を、横
軸にスパッタ時間をとると、Ｆｅ量、及びＯ量が各々波
打ったパターンを持つことを特徴とする磁気記録媒体に
よって達成される。

【０００７】特に、支持体上にＦｅ−Ｃ−Ｏ系の磁性膜
が設けられてなる磁気記録媒体であって、前記Ｆｅ−Ｃ
−Ｏ系磁性膜のオージェ電子分光分析（スパッタ方向が
磁性膜に対して斜め方向）において、縦軸にＦｅ量、Ｃ
量、及びＯ量（Ｆｅ量＋Ｃ量＋Ｏ量＝１００％）を、横
軸にスパッタ時間をとると、Ｆｅ量、及びＯ量が各々波
打ったパターンを持ち、かつ、Ｆｅ量が山に対応する領
域ではＯ量が谷に対応し、Ｆｅ量が谷に対応する領域で
はＯ量が山に対応し、Ｃ量はほぼ一定であることを特徴
とする磁気記録媒体によって達成される。

【０００８】又、支持体上にＦｅ−Ｃ−Ｏ系の磁性膜が
設けられてなる磁気記録媒体であって、前記Ｆｅ−Ｃ−
Ｏ系磁性膜は斜めコラム構造を有してなり、この磁気コ
ラムの中心部より周辺部の方がＯ濃度は高く、前記Ｆｅ
−Ｃ−Ｏ系磁性膜のオージェ電子分光分析（スパッタ方
向が磁性膜に対して斜め方向）において、縦軸にＦｅ
量、Ｃ量、及びＯ量（Ｆｅ量＋Ｃ量＋Ｏ量＝１００％）
を、横軸にスパッタ時間をとると、Ｆｅ量、及びＯ量が
各々波打ったパターンを持つことを特徴とする磁気記録
媒体によって達成される。

【０００９】特に、支持体上にＦｅ−Ｃ−Ｏ系の磁性膜
が設けられてなる磁気記録媒体であって、前記Ｆｅ−Ｃ
−Ｏ系磁性膜は斜めコラム構造を有してなり、この磁気
コラムの中心部より周辺部の方がＯ濃度は高く、前記Ｆ
ｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜のオージェ電子分光分析（スパッタ
方向が磁性膜に対して斜め方向）において、縦軸にＦｅ
量、Ｃ量、及びＯ量（Ｆｅ量＋Ｃ量＋Ｏ量＝１００％）
を、横軸にスパッタ時間をとると、Ｆｅ量、及びＯ量が
各々波打ったパターンを持ち、かつ、Ｆｅ量が山に対応
する領域ではＯ量が谷に対応し、Ｆｅ量が谷に対応する
領域ではＯ量が山に対応し、Ｃ量はほぼ一定であること
を特徴とする磁気記録媒体によって達成される。

【００１０】又、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜におけるＦｅ
量、Ｃ量、及びＯ量は ５０ａｔ．％≦Ｆｅ量≦９０ａｔ．％ ５ａｔ．％≦Ｃ量≦３５ａｔ．％ ５ａｔ．％≦Ｏ量≦３５ａｔ．％ を満たすことが好ましい。

【００１１】特に、 ６０ａｔ．％≦Ｆｅ量≦８０ａｔ．％ １０ａｔ．％≦Ｃ量≦２５ａｔ．％ １０ａｔ．％≦Ｏ量≦２５ａｔ．％ が好ましい。

【００１２】又、本発明の磁気記録媒体にあっては、Ｆ
ｅ−Ｃ−Ｏ系の磁性膜以外の磁性膜を持っていても良い
が、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜の上には記録再生に用いられ
る磁性膜がない、つまりＦｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜が最上層
にあるのが好ましい。特に、本発明が規定する内容のＦ
ｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜が最上層にあるのが好ましい。

【００１３】

【発明の実施の形態】本発明の磁気記録媒体は、支持体
上にＦｅ−Ｃ−Ｏ系の磁性膜が設けられてなる磁気記録
媒体であって、前記Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜は斜めコラム
構造を有してなり、この磁気コラムの中心部より周辺部
の方がＯ濃度は高いものである。あるいは、支持体上に
Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系の磁性膜が設けられてなる磁気記録媒体
であって、前記Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜のオージェ電子分
光分析（スパッタ方向が磁性膜に対して斜め方向）にお
いて、縦軸にＦｅ量、Ｃ量、及びＯ量（Ｆｅ量＋Ｃ量＋
Ｏ量＝１００％）を、横軸にスパッタ時間をとると、Ｆ
ｅ量、及びＯ量が各々波打ったパターンを持つものであ
る。特に、支持体上にＦｅ−Ｃ−Ｏ系の磁性膜が設けら
れてなる磁気記録媒体であって、前記Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁
性膜のオージェ電子分光分析（スパッタ方向が磁性膜に
対して斜め方向）において、縦軸にＦｅ量、Ｃ量、及び
Ｏ量（Ｆｅ量＋Ｃ量＋Ｏ量＝１００％）を、横軸にスパ
ッタ時間をとると、Ｆｅ量、及びＯ量が各々波打ったパ
ターンを持ち、かつ、Ｆｅ量が山に対応する領域ではＯ
量が谷に対応し、Ｆｅ量が谷に対応する領域ではＯ量が
山に対応し、Ｃ量はほぼ一定のものである。又は、支持
体上にＦｅ−Ｃ−Ｏ系の磁性膜が設けられてなる磁気記
録媒体であって、前記Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜は斜めコラ
ム構造を有してなり、この磁気コラムの中心部より周辺
部の方がＯ濃度は高く、前記Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜のオ
ージェ電子分光分析（スパッタ方向が磁性膜に対して斜
め方向）において、縦軸にＦｅ量、Ｃ量、及びＯ量（Ｆ
ｅ量＋Ｃ量＋Ｏ量＝１００％）を、横軸にスパッタ時間
をとると、Ｆｅ量、及びＯ量が各々波打ったパターンを
持つものである。特に、支持体上にＦｅ−Ｃ−Ｏ系の磁
性膜が設けられてなる磁気記録媒体であって、前記Ｆｅ
−Ｃ−Ｏ系磁性膜は斜めコラム構造を有してなり、この
磁気コラムの中心部より周辺部の方がＯ濃度は高く、前
記Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜のオージェ電子分光分析（スパ
ッタ方向が磁性膜に対して斜め方向）において、縦軸に
Ｆｅ量、Ｃ量、及びＯ量（Ｆｅ量＋Ｃ量＋Ｏ量＝１００
％）を、横軸にスパッタ時間をとると、Ｆｅ量、及びＯ
量が各々波打ったパターンを持ち、かつ、Ｆｅ量が山に
対応する領域ではＯ量が谷に対応し、Ｆｅ量が谷に対応
する領域ではＯ量が山に対応し、Ｃ量はほぼ一定のもの
である。

【００１４】そして、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜におけるＦ
ｅ量、Ｃ量、及びＯ量は ５０ａｔ．％≦Ｆｅ量≦９０ａｔ．％ ５ａｔ．％≦Ｃ量≦３５ａｔ．％ ５ａｔ．％≦Ｏ量≦３５ａｔ．％ を満たすものである。

【００１５】本発明の磁気記録媒体は、支持体上にイオ
ンアシスト法により磁性膜を成膜して磁気記録媒体を製
造する方法であって、蒸発源物質としてＦｅが用いられ
ての蒸着工程と、炭素イオンを蒸着Ｆｅ膜に衝突させる
衝突工程と、酸素イオンあるいは酸素ガス等の酸化性物
質を蒸着Ｆｅ膜に衝突させる衝突工程とを具備し、前記
酸化性物質を蒸着Ｆｅ膜に衝突させる酸化性物質の衝突
具合や衝突量（酸化性物質の供給具合）を制御すること
によって得られる。例えば、図１に示す如く、走行する
支持体に対して、走行方向とは逆の方向から斜めに酸素
ガスを供給することにより、磁気コラムの中心部より周
辺部の方がＯ濃度は高く、磁性膜のオージェ電子分光分
析（スパッタ方向が磁性膜に対して斜め方向）におい
て、縦軸にＦｅ量、Ｃ量、及びＯ量（Ｆｅ量＋Ｃ量＋Ｏ
量＝１００％）を、横軸にスパッタ時間をとると、Ｆｅ
量、及びＯ量が各々波打ったパターンを持つＦｅ−Ｃ−
Ｏ系磁性膜が得られる。

【００１６】尚、本明細書に言う波打ったパターンと
は、初期ピークを除いて、その中心仮想線から約５％以
上の振幅変動が認められるものを言う。従って、２〜３
％程度の小さい振動の場合には、波打ったパターンとは
見做さない。図１に、本発明で用いるイオンアシスト斜
め蒸着装置を示す。図１中、１１はガイド部材、１２は
支持体１の供給側ロール、１３は支持体１の巻取側ロー
ル、１４は遮蔽板、１５はルツボ、１６はＦｅ、１７は
電子銃、１８は真空容器、１９はイオン銃、２０は酸素
ガス供給ノズルである。図１では、酸素ガスを供給する
タイプのものを示したが、酸素イオンを供給するように
しても良い。そして、イオン銃１９による炭素イオンの
供給、及び酸素ガス供給ノズル２０による酸素ガスの供
給を特定のものとした他は、通常のイオンアシスト斜め
蒸着に準じて行わせることによって、本発明になる図３
などのオージェプロファイルのＦｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜が
得られる。

【００１７】このようにして得られた本発明になる磁気
記録媒体を図２に示す。図２中、１は支持体である。こ
の支持体１は磁性を有するものでも非磁性のものでも良
いが、一般的には、非磁性のものである。例えば、ポリ
エチレンテレフタレート等のポリエステル、ポリアミ
ド、ポリイミド、ポリスルフォン、ポリカーボネート、
ポリプロピレン等のオレフィン系の樹脂、セルロース系
の樹脂、塩化ビニル系の樹脂といった高分子材料、ガラ
スやセラミック等の無機系材料、アルミニウム合金など
の金属材料が用いられる。支持体１面上には磁性膜の密
着性を向上させる為のアンダーコート層が必要に応じて
設けられる。すなわち、表面の粗さを適度に粗すことに
より乾式メッキで構成される磁性膜の密着性を向上さ
せ、さらに磁気記録媒体表面の表面粗さを適度なものと
して走行性を改善する為、例えばＳｉＯ₂ 等の粒子を含
有させた厚さが０．０１〜０．５μｍの塗膜を設けるこ
とによってアンダーコート層が構成されている。

【００１８】アンダーコート層の上には、図１に示した
イオンアシスト斜め蒸着装置によって保磁力Ｈｃが９０
０〜１９００Ｏｅ、飽和磁束密度Ｂｓが３５００〜７０
００Ｇ、Ｂｒ／Ｂｓが０．６〜０．９９のＦｅ−Ｃ−Ｏ
系の金属薄膜型の磁性膜２が設けられる。例えば、１０
^-4〜１０^-6Ｔｏｒｒ程度の真空雰囲気下でＦｅを抵抗加
熱、高周波加熱、電子ビーム加熱などにより蒸発させ、
支持体１のアンダーコート層面上に堆積（蒸着）させる
ことにより、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜２が５００〜１００
００Å、特に１０００〜４０００Å厚形成される。斜め
蒸着の際の入射角は３０°〜８０°、望ましくは約４５
°〜７０°である。このＦｅの蒸着時には全般的に炭素
イオンを蒸着Ｆｅ膜に衝突させる。かつ、酸素ガス（酸
素イオン）も蒸着Ｆｅ膜に衝突させる。但し、酸素ガス
（酸素イオン）を斜めに向けて供給する。前記炭素イオ
ンや酸素ガス（酸素イオン）の供給は、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系
磁性膜が上記に規定された内容のものになるよう制御さ
れる。

【００１９】３は、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜２の上に設け
られた厚さが１０〜２００Å程度の保護膜である。この
保護膜３は、例えばダイヤモンドライクカーボン、グラ
ファイト等のカーボン膜、酸化珪素、炭化珪素などの含
珪素膜などで構成される。これらの中でも、ダイヤモン
ドライクカーボンが好ましい。尚、図３のオージェプロ
ファイルは、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜の上にダイヤモンド
ライクカーボン膜や後述の潤滑剤膜が設けられた場合の
ものである。従って、図３のオージェプロファイルで
は、スパッタ開始時にはＣのみであって、ＦｅやＯが検
出されていない。そして、スパッタが進むにつれてＦｅ
やＯが検出されて行く。この為、磁性膜の表面がどこか
らかの決定は極めて困難なるも、磁性膜の表面がどこか
らかの決定は一般的な取扱いに従う。本実施例では、ダ
イヤモンドライクカーボン膜などのカーボン膜が設けら
れている場合においては、オージェプロファイルにおけ
るＦｅ量とＣ量とが等しくなるポイントから磁性膜にな
ると考える。同様に、磁性膜の下面（支持体側の界面）
がどこからかの決定も一般的な取扱いに従う。本実施例
では、支持体がＣを含む支持体である場合においては、
オージェプロファイルにおけるＦｅ量とＣ量とが等しく
なるポイントが界面と考える。

【００２０】４は、保護膜３の上に設けられた潤滑剤層
である。すなわち、炭化水素系の潤滑剤やパーフルオロ
ポリエーテル等のフッ素系潤滑剤、特にフッ素系潤滑剤
を含有させた塗料を所定の手段で塗布することにより、
約２〜５０Å、好ましくは約１０〜３０Å程度の厚さの
潤滑剤層４が設けられる。５は、支持体１の他面に設け
られたカーボンブラック等を含有させた厚さが０．１〜
１μｍ程度のバックコート層である。尚、バックコート
層５は、Ａｌ−Ｃｕ合金等の金属を蒸着させて形成した
ものであっても良い。

【００２１】

【実施例１】図１に示されるイオンアシスト斜め蒸着装
置に１０μｍ厚のＰＥＴフィルム１を装着し、ＰＥＴフ
ィルム１が２ｍ／分の走行速度で走行させられている。
酸化マグネシウム製のルツボ１５にＦｅ１６が入ってお
り、３０ｋＷの電子銃１７を作動させてＦｅを蒸発さ
せ、ＰＥＴフィルム１にＦｅを蒸着させると共に、メタ
ンガスを出力４００Ｗのイオン銃１９に供給（メタンガ
ス供給量は５２ｓｃｃｍ）し、ＰＥＴフィルム１上のＦ
ｅ膜に向けて炭素イオンを照射する。又、酸素ガス供給
ノズル２０より酸素ガスを１１ｓｃｃｍ供給し、図２に
示されるタイプの８ｍｍＶＴＲ用磁気テープ（磁性膜の
厚さ；１８００Å、保磁力Ｈｃ；１３５０Ｏｅ、飽和磁
束密度Ｂｓ；５２００Ｇ、Ｂｒ／Ｂｓ；０．８２）を得
た。

【００２２】この磁気テープのオージェプロファイル
（測定条件：電子銃；加速電圧１０ｋＶ、エミッション
電流１０ｎＡ、倍率２０００倍、エッチング条件；エッ
チングガスはアルゴン、加速電圧３ｋＶ、イオン電流３
００ｎＡ、３０秒間毎にエッチング、スパッタ方向は金
属磁性膜（コラム）に対して斜め方向）を図３に示す。
このＦｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜のオージェプロファイルにお
いて、縦軸にＦｅ量、Ｃ量、及びＯ量（Ｍ量＋Ｘ量＋Ｏ
量＝１００％）を、横軸にスパッタ時間をとると、Ｆｅ
量、及びＯ量が各々波打ったパターンを持つ。特に、Ｆ
ｅ量、及びＯ量が各々波打ったパターンを持ち、Ｆｅ量
が山に対応する領域ではＯ量が谷に対応し、Ｆｅ量が谷
に対応する領域ではＯ量が山に対応し、Ｃ量はほぼ一定
である。すなわち、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜の斜めコラム
構造にあっては、この磁気コラムの中心部より周辺部の
方がＯ濃度は高いものである。そして、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系
磁性膜におけるＦｅ量は６８ａｔ．％、Ｃ量は１８ａ
ｔ．％、Ｏ量は１４ａｔ．％である。

【００２３】

【実施例２】実施例１において、イオン銃１９へのメタ
ンガス供給量を４５ｓｃｃｍ、酸素ガス供給ノズル２０
より酸素ガスの供給量を１０ｓｃｃｍとした以外は実施
例１に準じて行い、図２に示されるタイプの８ｍｍＶＴ
Ｒ用磁気テープ（磁性膜の厚さ；１９００Å、保磁力Ｈ
ｃ；１２９０Ｏｅ、飽和磁束密度Ｂｓ；５９００Ｇ、Ｂ
ｒ／Ｂｓ；０．８３）を得た。

【００２４】この磁気テープのオージェプロファイルを
図４に示す。このＦｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜のオージェプロ
ファイルにおいて、縦軸にＦｅ量、Ｃ量、及びＯ量（Ｍ
量＋Ｘ量＋Ｏ量＝１００％）を、横軸にスパッタ時間を
とると、Ｆｅ量、及びＯ量が各々波打ったパターンを持
つ。特に、Ｆｅ量、及びＯ量が各々波打ったパターンを
持ち、Ｆｅ量が山に対応する領域ではＯ量が谷に対応
し、Ｆｅ量が谷に対応する領域ではＯ量が山に対応し、
Ｃ量はほぼ一定である。すなわち、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性
膜の斜めコラム構造にあっては、この磁気コラムの中心
部より周辺部の方がＯ濃度は高いものである。そして、
Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜におけるＦｅ量は７４ａｔ．％、
Ｃ量は１３ａｔ．％、Ｏ量は１３ａｔ．％である。

【００２５】

【実施例３】実施例１において、イオン銃１９へのメタ
ンガス供給量を２５ｓｃｃｍ、酸素ガス供給ノズル２０
より酸素ガスの供給量を２５ｓｃｃｍとした以外は実施
例１に準じて行い、図２に示されるタイプの８ｍｍＶＴ
Ｒ用磁気テープ（磁性膜の厚さ；３４００Å、保磁力Ｈ
ｃ；１５１０Ｏｅ、飽和磁束密度Ｂｓ；４８００Ｇ、Ｂ
ｒ／Ｂｓ；０．９１）を得た。

【００２６】この磁気テープのオージェプロファイルを
図５に示す。このＦｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜のオージェプロ
ファイルにおいて、縦軸にＦｅ量、Ｃ量、及びＯ量（Ｍ
量＋Ｘ量＋Ｏ量＝１００％）を、横軸にスパッタ時間を
とると、Ｆｅ量、及びＯ量が各々波打ったパターンを持
つ。特に、Ｆｅ量、及びＯ量が各々波打ったパターンを
持ち、Ｆｅ量が山に対応する領域ではＯ量が谷に対応
し、Ｆｅ量が谷に対応する領域ではＯ量が山に対応し、
Ｃ量はほぼ一定である。すなわち、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性
膜の斜めコラム構造にあっては、この磁気コラムの中心
部より周辺部の方がＯ濃度は高いものである。そして、
Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜におけるＦｅ量は６０ａｔ．％、
Ｃ量は１０ａｔ．％、Ｏ量は３０ａｔ．％である。

【００２７】

【実施例４】実施例１において、イオン銃１９へのメタ
ンガス供給量を３０ｓｃｃｍ、酸素ガス供給ノズル２０
より酸素ガスの供給量を１５ｓｃｃｍとした以外は実施
例１に準じて行い、図２に示されるタイプの８ｍｍＶＴ
Ｒ用磁気テープ（磁性膜の厚さ；２３００Å、保磁力Ｈ
ｃ；１４２０Ｏｅ、飽和磁束密度Ｂｓ；５０００Ｇ、Ｂ
ｒ／Ｂｓ；０．８５）を得た。

【００２８】この磁気テープのオージェプロファイルを
図６に示す。このＦｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜のオージェプロ
ファイルにおいて、縦軸にＦｅ量、Ｃ量、及びＯ量（Ｍ
量＋Ｘ量＋Ｏ量＝１００％）を、横軸にスパッタ時間を
とると、Ｆｅ量、及びＯ量が各々波打ったパターンを持
つ。特に、Ｆｅ量、及びＯ量が各々波打ったパターンを
持ち、Ｆｅ量が山に対応する領域ではＯ量が谷に対応
し、Ｆｅ量が谷に対応する領域ではＯ量が山に対応し、
Ｃ量はほぼ一定である。すなわち、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性
膜の斜めコラム構造にあっては、この磁気コラムの中心
部より周辺部の方がＯ濃度は高いものである。そして、
Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜におけるＦｅ量は６５ａｔ．％、
Ｃ量は２０ａｔ．％、Ｏ量は１５ａｔ．％である。

【００２９】

【比較例１】実施例１において、イオン銃１９へのメタ
ンガス供給量を５０ｓｃｃｍ、セット位置を変えた酸素
ガス供給ノズルより酸素ガスの供給量を２０ｓｃｃｍと
した以外は実施例１に準じて行い、図２に示されるタイ
プの８ｍｍＶＴＲ用磁気テープ（磁性膜の厚さ；１６０
０Å、保磁力Ｈｃ；１３２０Ｏｅ、飽和磁束密度Ｂｓ；
４７００Ｇ、Ｂｒ／Ｂｓ；０．８３）を得た。

【００３０】この磁気テープのオージェプロファイルを
図７に示す。尚、このＦｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜におけるＦ
ｅ量は６１ａｔ．％、Ｃ量は１４ａｔ．％、Ｏ量は２５
ａｔ．％である。

【００３１】

【特性】上記各例の磁気テープをカセットに装填し、こ
れをノイズメータにつないだＶＴＲに装填してＳ／Ｎを
調べたので、その結果を表−１に示す。 表−１ Ｙ−Ｓ／Ｎ（ｄＢ） Ｃ−Ｓ／Ｎ（ｄＢ） ＡＭ ＰＭ 実施例１ ＋１．２ ＋１．１ ＋１．２ 実施例２ ＋０．８ ＋１．５ ＋１．３ 実施例３ ＋１．９ ＋１．０ ＋０．９ 実施例４ ＋１．３ ＋０．８ ＋１．１ 比較例１ ０ ０ ０ ＊比較例１を基準（０ｄＢ）

【００３２】

【発明の効果】Ｓ／Ｎに優れたものが得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】磁気記録媒体製造装置の概略図

【図２】磁気記録媒体の概略断面図

【図３】実施例１のＦｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜のオージェプ
ロファイル

【図４】実施例２のＦｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜のオージェプ
ロファイル

【図５】実施例３のＦｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜のオージェプ
ロファイル

【図６】実施例４のＦｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜のオージェプ
ロファイル

【図７】比較例１のＦｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜のオージェプ
ロファイル

【符号の説明】

１ 支持体 ２ 磁性膜（Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜） ３ 保護膜

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 石川 准子 栃木県芳賀郡市貝町大字赤羽2606 花王株 式会社情報科学研究所内 (72)発明者 遠藤 克巳 栃木県芳賀郡市貝町大字赤羽2606 花王株 式会社情報科学研究所内

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 支持体上にＦｅ−Ｃ−Ｏ系の磁性膜が設
   けられてなる磁気記録媒体であって、 前記Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜は斜めコラム構造を有してな
   り、 この磁気コラムの中心部より周辺部の方がＯ濃度は高い
   ことを特徴とする磁気記録媒体。
2. 【請求項２】 支持体上にＦｅ−Ｃ−Ｏ系の磁性膜が設
   けられてなる磁気記録媒体であって、 前記Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜のオージェ電子分光分析（ス
   パッタ方向が磁性膜に対して斜め方向）において、縦軸
   にＦｅ量、Ｃ量、及びＯ量（Ｆｅ量＋Ｃ量＋Ｏ量＝１０
   ０％）を、横軸にスパッタ時間をとると、Ｆｅ量、及び
   Ｏ量が各々波打ったパターンを持つことを特徴とする磁
   気記録媒体。
3. 【請求項３】 支持体上にＦｅ−Ｃ−Ｏ系の磁性膜が設
   けられてなる磁気記録媒体であって、 前記Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜は斜めコラム構造を有してな
   り、 この磁気コラムの中心部より周辺部の方がＯ濃度は高
   く、 前記Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜のオージェ電子分光分析（ス
   パッタ方向が磁性膜に対して斜め方向）において、縦軸
   にＦｅ量、Ｃ量、及びＯ量（Ｆｅ量＋Ｃ量＋Ｏ量＝１０
   ０％）を、横軸にスパッタ時間をとると、Ｆｅ量、及び
   Ｏ量が各々波打ったパターンを持つことを特徴とする磁
   気記録媒体。
4. 【請求項４】 Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜のオージェ電子分
   光分析（スパッタ方向が磁性膜に対して斜め方向）にお
   いて、縦軸にＦｅ量、Ｃ量、及びＯ量（Ｆｅ量＋Ｃ量＋
   Ｏ量＝１００％）を、横軸にスパッタ時間をとると、Ｆ
   ｅ量、及びＯ量が各々波打ったパターンを持ち、Ｆｅ量
   が山に対応する領域ではＯ量が谷に対応し、Ｆｅ量が谷
   に対応する領域ではＯ量が山に対応し、Ｃ量はほぼ一定
   であることを特徴とする請求項２又は請求項３の磁気記
   録媒体。
5. 【請求項５】 Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜におけるＦｅ量、
   Ｃ量、及びＯ量は ５０ａｔ．％≦Ｆｅ量≦９０ａｔ．％ ５ａｔ．％≦Ｃ量≦３５ａｔ．％ ５ａｔ．％≦Ｏ量≦３５ａｔ．％ を満たすことを特徴とする請求項１〜請求項４いずれか
   の磁気記録媒体。