JPH09147345A - 磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ノイズが少なく、Ｓ／Ｎに優れた磁気記録媒
体を提供することである。 【解決手段】 Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系の磁性膜を備えてなり、
前記Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜の中層部にＣ濃度が高い領域
がある磁気記録媒体。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁
性膜を有する磁気記録媒体に関する。

【０００２】

【発明が解決しようとする課題】磁気テープ等の磁気記
録媒体においては、高密度記録化の要請から、非磁性支
持体上に設けられる磁性膜として、バインダ樹脂を用い
た塗布型のものではなく、バインダ樹脂を用いない金属
薄膜型のものが提案されている。すなわち、無電解メッ
キ等の湿式メッキ手段、真空蒸着、スパッタリングある
いはイオンプレーティング等の乾式メッキ手段により磁
性膜を構成した磁気記録媒体が提案されている。そし
て、この種の磁気記録媒体は磁性体の充填密度が高いこ
とから、高密度記録に適したものである。この種の金属
薄膜型の磁気記録媒体における磁性材料としては、例え
ばＣｏ−Ｃｒ合金やＣｏ−Ｎｉ合金などの磁性金属が用
いられている。しかし、Ｃｏは稀少物質であることか
ら、多量に使用するとコストが高く付く。

【０００３】そこで、非Ｃｏ系金属磁性材料としてＦｅ
とＮｉが考えられるものの、Ｆｅは安価であり、かつ、
環境汚染の問題も少なく、更には飽和磁化が大きいこと
から、金属薄膜型の磁気記録媒体の磁性材料としてＦｅ
が注目され始めた。しかし、Ｆｅは錆やすいことから、
化学的に安定なものとする必要が有る。このような観点
から、磁性膜をＦｅ_x Ｎ（Ｆｅ−Ｎ）やＦｅ−Ｎ−Ｏで
構成することが提案された。そして、これらの磁性膜で
構成した磁気記録媒体は、磁気特性が良好であり、Ｓ／
Ｎに優れたものであると謳われている。

【０００４】しかし、最近においては、よりノイズが少
なく、高いＳ／Ｎが求められるようになった。従って、
本発明の目的は、ノイズが少なく、Ｓ／Ｎに優れた磁気
記録媒体を提供することである。

【０００５】

【課題を解決するための手段】前記本発明の目的は、Ｆ
ｅ−Ｃ−Ｏ系の磁性膜を備えてなり、前記Ｆｅ−Ｃ−Ｏ
系磁性膜の中層部にＣ濃度が高い領域があることを特徴
とする磁気記録媒体によって達成される。特に、Ｆｅ−
Ｃ−Ｏ系の磁性膜を備えてなり、前記Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁
性膜の上層部、中層部、及び下層部にＣ濃度が高い領域
があることを特徴とする磁気記録媒体によって達成され
る。

【０００６】又、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系の磁性膜を備えてな
り、前記Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜のオージェ電子分光分析
において、縦軸にＦｅ量、Ｃ量、及びＯ量（Ｆｅ量＋Ｃ
量＋Ｏ量＝１００％）を、横軸にスパッタ時間をとる
と、スパッタ開始から終了における中間時においてＣ量
に山が認められるものであることを特徴とする磁気記録
媒体によって達成される。

【０００７】特に、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系の磁性膜を備えてな
り、前記Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜のオージェ電子分光分析
において、縦軸にＦｅ量、Ｃ量、及びＯ量（Ｆｅ量＋Ｃ
量＋Ｏ量＝１００％）を、横軸にスパッタ時間をとる
と、スパッタ開始近傍時、スパッタ終了近傍時、及び前
記の中間時においてＣ量に山が認められるものであるこ
とを特徴とする磁気記録媒体によって達成される。

【０００８】上記Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜の中層部におけ
るＣ濃度のピーク値Ｃ₁ は１０〜５０ａｔ．％であるも
のが好ましい。特に、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜の中層部に
おけるＣ濃度のピーク値Ｃ₁ が１０〜５０ａｔ．％、上
層部におけるＣ濃度のピーク値Ｃ₂ が１０〜５０ａｔ．
％、下層部におけるＣ濃度のピーク値Ｃ₃ が１０〜５０
ａｔ．％であるものが好ましい。

【０００９】又、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜におけるＣ濃度
のピーク値Ｃ₁ に対応した点においてはＦｅ濃度が低下
したものが好ましい。又、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜の上層
部におけるピーク値Ｃ₂ に対応した点と下層部における
ピーク値Ｃ₃ に対応した点との間においてはＯ濃度がほ
ぼ一定であるものが好ましい。

【００１０】又、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜におけるＦｅ
量、Ｃ量、及びＯ量は ５０ａｔ．％≦Ｆｅ量≦９０ａｔ．％ ５ａｔ．％≦Ｃ量≦３５ａｔ．％ ５ａｔ．％≦Ｏ量≦３５ａｔ．％ を満たすことが好ましい。

【００１１】特に、 ６０ａｔ．％≦Ｆｅ量≦８０ａｔ．％ ８ａｔ．％≦Ｃ量≦３０ａｔ．％ ８ａｔ．％≦Ｏ量≦３０ａｔ．％ が好ましい。

【００１２】又、本発明の磁気記録媒体にあっては、Ｆ
ｅ−Ｃ−Ｏ系の磁性膜以外の磁性膜を持っていても良い
が、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜の上には記録再生に用いられ
る磁性膜がない、つまりＦｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜が最上層
にあるのが好ましい。特に、本発明が規定する内容のＦ
ｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜が最上層にあるのが好ましい。

【００１３】

【発明の実施の形態】本発明の磁気記録媒体は、Ｆｅ−
Ｃ−Ｏ系の磁性膜を備えてなり、前記Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁
性膜の中層部にＣ濃度が高い領域がある。特に、Ｆｅ−
Ｃ−Ｏ系の磁性膜を備えてなり、前記Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁
性膜の上層部、中層部、及び下層部にＣ濃度が高い領域
がある。

【００１４】あるいは、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系の磁性膜を備え
てなり、前記Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜のオージェ電子分光
分析において、縦軸にＦｅ量、Ｃ量、及びＯ量（Ｆｅ量
＋Ｃ量＋Ｏ量＝１００％）を、横軸にスパッタ時間をと
ると、スパッタ開始から終了における中間時においてＣ
量に山が認められるものである。特に、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系
の磁性膜を備えてなり、前記Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜のオ
ージェ電子分光分析において、縦軸にＦｅ量、Ｃ量、及
びＯ量（Ｆｅ量＋Ｃ量＋Ｏ量＝１００％）を、横軸にス
パッタ時間をとると、スパッタ開始近傍時、スパッタ終
了近傍時、及び前記の中間時においてＣ量に山が認めら
れるものである。

【００１５】上記Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜の中層部におけ
るＣ濃度のピーク値Ｃ₁ は１０〜５０ａｔ．％である。
上層部におけるＣ濃度のピーク値Ｃ₂ は１０〜５０ａ
ｔ．％、下層部におけるＣ濃度のピーク値Ｃ₃ は１０〜
５０ａｔ．％である。そして、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜に
おけるＣ濃度のピーク値Ｃ₁ に対応した点においてはＦ
ｅ濃度が低下したものである。又、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性
膜の上層部におけるピーク値Ｃ₂ に対応した点と下層部
におけるピーク値Ｃ₃ に対応した点との間においてはＯ
濃度がほぼ一定である。

【００１６】又、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜におけるＦｅ
量、Ｃ量、及びＯ量は ５０ａｔ．％≦Ｆｅ量≦９０ａｔ．％ ５ａｔ．％≦Ｃ量≦３５ａｔ．％ ５ａｔ．％≦Ｏ量≦３５ａｔ．％ を満たす。

【００１７】本発明の磁気記録媒体は、支持体上にイオ
ンアシスト法により磁性膜を成膜して磁気記録媒体を製
造する方法であって、蒸発源物質としてＦｅが用いられ
ての蒸着工程と、炭素イオンや炭素活性種を蒸着Ｆｅ膜
に衝突させる衝突工程と、酸素イオンや酸素ガス等の酸
素活性種を蒸着Ｆｅ膜に衝突させる衝突工程とを具備
し、前記炭素イオンや炭素活性種を蒸着Ｆｅ膜に衝突さ
せる衝突範囲や衝突量を制御することによって得られ
る。例えば、Ｆｅが支持体上に堆積し始めた蒸着初期近
傍の地点及び堆積が終了し終わる蒸着終期近傍の地点、
及びこれらの間の中間地点の三地点向けて炭素イオンや
炭素活性種を供給してやることにより、上層部、下層
部、及び中層部にＣ濃度が高い領域があるＦｅ−Ｃ−Ｏ
系磁性膜が得られる。

【００１８】図１に、本発明で用いるイオンアシスト斜
め蒸着装置を示す。図１中、１１はガイド部材、１２は
支持体１の供給側ロール、１３は支持体１の巻取側ロー
ル、１４は遮蔽板、１５はルツボ、１６はＦｅ、１７は
電子銃、１８は真空容器、１９ａ，１９ｂ，１９ｃはイ
オン銃、２０は酸素ガス供給ノズルである。図１では、
酸素ガスを供給するタイプのものを示したが、酸素イオ
ンを供給するようにしても良い。そして、イオン銃１９
ａ，１９ｂ，１９ｃによる炭素イオンの目標照射位置や
供給量、及び酸素ガス供給ノズル２０による酸素ガスの
供給量を特定のものとした他は、通常のイオンアシスト
斜め蒸着に準じて行わせることによって、本発明になる
図３などのオージェプロファイルのＦｅ−Ｃ−Ｏ系磁性
膜が得られる。

【００１９】このようにして得られた本発明になる磁気
記録媒体を図２に示す。図２中、１は支持体である。こ
の支持体１は磁性を有するものでも非磁性のものでも良
いが、一般的には、非磁性のものである。例えば、ポリ
エチレンテレフタレート等のポリエステル、ポリアミ
ド、ポリイミド、ポリスルフォン、ポリカーボネート、
ポリプロピレン等のオレフィン系の樹脂、セルロース系
の樹脂、塩化ビニル系の樹脂といった高分子材料、ガラ
スやセラミック等の無機系材料、アルミニウム合金など
の金属材料が用いられる。支持体１面上には磁性膜の密
着性を向上させる為のアンダーコート層が必要に応じて
設けられる。すなわち、表面の粗さを適度に粗すことに
より乾式メッキで構成される磁性膜の密着性を向上さ
せ、さらに磁気記録媒体表面の表面粗さを適度なものと
して走行性を改善する為、例えばＳｉＯ₂ 等の粒子を含
有させた厚さが０．０１〜０．５μｍの塗膜を設けるこ
とによってアンダーコート層が構成されている。

【００２０】アンダーコート層の上には、図１に示した
イオンアシスト斜め蒸着装置によってＦｅ−Ｃ−Ｏ系の
金属薄膜型の磁性膜２が設けられる。例えば、１０^-4〜
１０ ^-6Ｔｏｒｒ程度の真空雰囲気下でＦｅを抵抗加熱、
高周波加熱、電子ビーム加熱などにより蒸発させ、支持
体１のアンダーコート層面上に堆積（蒸着）させること
により、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜２が５００〜１００００
Å、特に１０００〜４０００Å厚形成される。斜め蒸着
の際の入射角は３０°〜８０°、望ましくは約４５°〜
７０°である。このＦｅの蒸着時には炭素イオンと酸素
ガスを照射する。但し、炭素イオンは、Ｆｅが支持体上
に堆積し始めた蒸着初期及び堆積が終了し終わる蒸着終
期、並びにこれらの中間の三地点に向けて供給する。前
記炭素イオンや酸素ガス（酸素イオン）の供給は、Ｆｅ
−Ｃ−Ｏ系磁性膜が上記に規定された内容のものになる
よう制御される。

【００２１】３は、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜２の上に設け
られた厚さが１０〜２００Å程度の保護膜である。この
保護膜３は、例えばダイヤモンドライクカーボン、グラ
ファイト等のカーボン膜、酸化珪素、炭化珪素などの含
珪素膜などで構成される。これらの中でも、ダイヤモン
ドライクカーボンが好ましい。尚、図３のオージェプロ
ファイルは、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜の上にダイヤモンド
ライクカーボン膜や後述の潤滑剤膜が設けられた場合の
ものである。従って、図３のオージェプロファイルで
は、スパッタ開始時にはＣのみであって、ＦｅやＯが検
出されていない。そして、スパッタが進むにつれてＦｅ
やＯが検出されて行く。この為、磁性膜の表面がどこか
らかの決定は極めて困難なるも、磁性膜の表面がどこか
らかの決定は一般的な取扱いに従う。本実施例では、ダ
イヤモンドライクカーボン膜などのカーボン膜が設けら
れている場合においては、オージェプロファイルにおけ
るＦｅ量とＣ量とが等しくなるポイントから磁性膜にな
ると考える。同様に、磁性膜の下面（支持体側の界面）
がどこからかの決定も一般的な取扱いに従う。本実施例
では、支持体がＣを含む支持体である場合においては、
オージェプロファイルにおけるＦｅ量とＣ量とが等しく
なるポイントが界面と考える。

【００２２】４は、保護膜３の上に設けられた潤滑剤層
である。すなわち、炭化水素系の潤滑剤やパーフルオロ
ポリエーテル等のフッ素系潤滑剤、特にフッ素系潤滑剤
を含有させた塗料を所定の手段で塗布することにより、
約２〜５０Å、好ましくは約１０〜３０Å程度の厚さの
潤滑剤層４が設けられる。５は、支持体１の他面に設け
られたカーボンブラック等を含有させた厚さが０．１〜
１μｍ程度のバックコート層である。尚、バックコート
層５は、Ａｌ−Ｃｕ合金等の金属を蒸着させて形成した
ものであっても良い。

【００２３】

【実施例１】図１に示されるイオンアシスト斜め蒸着装
置に１０μｍ厚のＰＥＴフィルム１を装着し、ＰＥＴフ
ィルム１が２ｍ／分の走行速度で走行させられている。
酸化マグネシウム製のルツボ１５にＦｅ１６が入ってお
り、３０ｋＷの電子銃１７を作動させてＦｅを蒸発さ
せ、ＰＥＴフィルム１にＦｅを蒸着させると共に、メタ
ンガスを出力４００Ｗのイオン銃１９ａ，１９ｂ，１９
ｃに供給（イオン銃１９ａへのメタンガス供給量は２０
ｓｃｃｍ、イオン銃１９ｂへのメタンガス供給量は２０
ｓｃｃｍ、イオン銃１９ｃへのメタンガス供給量は２０
ｓｃｃｍ）し、ＰＥＴフィルム１上のＦｅ膜に向けて炭
素イオンを照射する。又、酸素ガス供給ノズル２０より
酸素ガスを１５ｓｃｃｍ供給し、図２に示されるタイプ
の８ｍｍＶＴＲ用磁気テープを得た。

【００２４】この磁気テープのオージェプロファイル
（測定条件：電子銃；加速電圧１０ｋＶ、エミッション
電流１０ｎＡ、倍率２０００倍、エッチング条件；エッ
チングガスはアルゴン、加速電圧３ｋＶ、イオン電流３
００ｎＡ、３０秒間毎にエッチング）を図３に示す。こ
のＦｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜のオージェプロファイルにおい
て、縦軸にＦｅ量、Ｃ量、及びＯ量（Ｆｅ量＋Ｃ量＋Ｏ
量＝１００％）を、横軸にスパッタ時間をとると、スパ
ッタ開始から終了における中間時においてＣ量にピーク
値Ｃ₁ ２０ａｔ．％の山が認められる。すなわち、Ｆｅ
−Ｃ−Ｏ系磁性膜の中層部にＣ濃度が高い領域がある。
特に、スパッタ開始から終了における中間時においてＣ
量にピーク値Ｃ₁ ２０ａｔ．％の山、スパッタ開始近傍
時においてＣ量にピーク値Ｃ₂ １９ａｔ．％の山、スパ
ッタ終了近傍時においてＣ量にピーク値Ｃ₃ １８ａｔ．
％の山が認められる。すなわち、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜
の中層部、上層部、及び下層部にＣ濃度が高い領域があ
る。そして、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜におけるＣ濃度のピ
ーク値Ｃ₁ に対応した点においてはＦｅ濃度は、例えば
谷の如く、低くなっている。又、Ｃ濃度のピーク値Ｃ₂
に対応した点においてはＦｅ濃度は、例えば谷の如く、
低くなっている。又、Ｃ濃度のピーク値Ｃ₃ に対応した
点においてはＦｅ濃度は低くなっているが、これより深
い部分ではＦｅが基本的に少なくなるから、谷のように
はならない。又、ピーク値Ｃ₂ とピーク値Ｃ₃ との間に
おいてはＯ濃度がほぼ一定である。そして、Ｆｅ−Ｃ−
Ｏ系磁性膜におけるＦｅ量は７０ａｔ．％、Ｃ量は１６
ａｔ．％、Ｏ量は１４ａｔ．％である。

【００２５】

【実施例２】実施例１において、イオン銃１９ａへのメ
タンガス供給量は３０ｓｃｃｍ、イオン銃１９ｂへのメ
タンガス供給量は２０ｓｃｃｍ、イオン銃１９ｃへのメ
タンガス供給量は２５ｓｃｃｍ、酸素ガス供給ノズル２
０より酸素ガスの供給量を１５ｓｃｃｍとした以外は実
施例１に準じて行い、図２に示されるタイプの８ｍｍＶ
ＴＲ用磁気テープを得た。

【００２６】この磁気テープのオージェプロファイルを
図４に示す。このＦｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜のオージェプロ
ファイルにおいて、縦軸にＦｅ量、Ｃ量、及びＯ量（Ｆ
ｅ量＋Ｃ量＋Ｏ量＝１００％）を、横軸にスパッタ時間
をとると、スパッタ開始から終了における中間時におい
てＣ量にピーク値Ｃ₁ ２１ａｔ．％の山が認められる。
すなわち、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜の中層部にＣ濃度が高
い領域がある。特に、スパッタ開始から終了における中
間時においてＣ量にピーク値Ｃ₁ ２１ａｔ．％の山、ス
パッタ開始近傍時においてＣ量にピーク値Ｃ₂ ４３ａ
ｔ．％の山、スパッタ終了近傍時においてＣ量にピーク
値Ｃ₃ ３３ａｔ．％の山が認められる。すなわち、Ｆｅ
−Ｃ−Ｏ系磁性膜の上層部、中層部、及び下層部にＣ濃
度が高い領域がある。そして、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜に
おけるＣ濃度のピーク値Ｃ₁ に対応した点においてはＦ
ｅ濃度は、例えば谷の如く、低くなっている。又、Ｃ濃
度のピーク値Ｃ₂ に対応した点においてはＦｅ濃度は、
例えば谷の如く、低くなっている。又、Ｃ濃度のピーク
値Ｃ₃ に対応した点においてはＦｅ濃度は低くなってい
るが、これより深い部分ではＦｅが基本的に少なくなる
から、谷のようにはならない。又、ピーク値Ｃ₂ とピー
ク値Ｃ₃ との間においてはＯ濃度がほぼ一定である。そ
して、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜におけるＦｅ量は６５ａ
ｔ．％、Ｃ量は２０ａｔ．％、Ｏ量は１５ａｔ．％であ
る。

【００２７】

【実施例３】実施例１において、イオン銃１９ａへのメ
タンガス供給量は２０ｓｃｃｍ、イオン銃１９ｂへのメ
タンガス供給量は２０ｓｃｃｍ、イオン銃１９ｃへのメ
タンガス供給量は２７ｓｃｃｍ、酸素ガス供給ノズル２
０より酸素ガスの供給量を２０ｓｃｃｍとした以外は実
施例１に準じて行い、図２に示されるタイプの８ｍｍＶ
ＴＲ用磁気テープを得た。

【００２８】この磁気テープのオージェプロファイルを
図５に示す。このＦｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜のオージェプロ
ファイルにおいて、縦軸にＦｅ量、Ｃ量、及びＯ量（Ｆ
ｅ量＋Ｃ量＋Ｏ量＝１００％）を、横軸にスパッタ時間
をとると、スパッタ開始から終了における中間時におい
てＣ量にピーク値Ｃ₁ ２１ａｔ．％の山が認められる。
すなわち、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜の中層部にＣ濃度が高
い領域がある。特に、スパッタ開始から終了における中
間時においてＣ量にピーク値Ｃ₁ ２１ａｔ．％の山、ス
パッタ開始近傍時においてＣ量にピーク値Ｃ₂ ２０ａ
ｔ．％の山、スパッタ終了近傍時においてＣ量にピーク
値Ｃ₃ ３５ａｔ．％の山が認められる。すなわち、Ｆｅ
−Ｃ−Ｏ系磁性膜の上層部、中層部、及び下層部にＣ濃
度が高い領域がある。そして、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜に
おけるＣ濃度のピーク値Ｃ₁ に対応した点においてはＦ
ｅ濃度は、例えば谷の如く、低くなっている。又、Ｃ濃
度のピーク値Ｃ₂ に対応した点においてはＦｅ濃度は、
例えば谷の如く、低くなっている。又、Ｃ濃度のピーク
値Ｃ₃ に対応した点においてはＦｅ濃度は低くなってい
るが、これより深い部分ではＦｅが基本的に少なくなる
から、谷のようにはならない。又、ピーク値Ｃ₂ とピー
ク値Ｃ₃ との間においてはＯ濃度がほぼ一定である。そ
して、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜におけるＦｅ量は６４ａ
ｔ．％、Ｃ量は１７ａｔ．％、Ｏ量は１９ａｔ．％であ
る。

【００２９】

【実施例４】実施例１において、イオン銃１９ａへのメ
タンガス供給量は１５ｓｃｃｍ、イオン銃１９ｂへのメ
タンガス供給量は２５ｓｃｃｍ、イオン銃１９ｃへのメ
タンガス供給量は１５ｓｃｃｍ、酸素ガス供給ノズル２
０より酸素ガスの供給量を１４ｓｃｃｍとした以外は実
施例１に準じて行い、図２に示されるタイプの８ｍｍＶ
ＴＲ用磁気テープを得た。

【００３０】この磁気テープのオージェプロファイルを
図６に示す。このＦｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜のオージェプロ
ファイルにおいて、縦軸にＦｅ量、Ｃ量、及びＯ量（Ｆ
ｅ量＋Ｃ量＋Ｏ量＝１００％）を、横軸にスパッタ時間
をとると、スパッタ開始から終了における中間時におい
てＣ量にピーク値Ｃ₁ ３０ａｔ．％の山が認められる。
すなわち、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜の中層部にＣ濃度が高
い領域がある。特に、スパッタ開始から終了における中
間時においてＣ量にピーク値Ｃ₁ ３０ａｔ．％の山、ス
パッタ開始近傍時においてＣ量にピーク値Ｃ₂ １４ａ
ｔ．％の山、スパッタ終了近傍時においてＣ量にピーク
値Ｃ₃ １５ａｔ．％の山が認められる。すなわち、Ｆｅ
−Ｃ−Ｏ系磁性膜の上層部、中層部、及び下層部にＣ濃
度が高い領域がある。そして、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜に
おけるＣ濃度のピーク値Ｃ₁ に対応した点においてはＦ
ｅ濃度は、例えば谷の如く、低くなっている。又、Ｃ濃
度のピーク値Ｃ₂ に対応した点においてはＦｅ濃度は、
例えば谷の如く、低くなっている。又、Ｃ濃度のピーク
値Ｃ₃ に対応した点においてはＦｅ濃度は低くなってい
るが、これより深い部分ではＦｅが基本的に少なくなる
から、谷のようにはならない。又、ピーク値Ｃ₂ とピー
ク値Ｃ₃ との間においてはＯ濃度がほぼ一定である。そ
して、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜におけるＦｅ量は７３ａ
ｔ．％、Ｃ量は１５ａｔ．％、Ｏ量は１２ａｔ．％であ
る。

【００３１】

【比較例１】実施例１において、セット位置を変えたイ
オン銃１９ｂへのメタンガス供給量を４０ｓｃｃｍ、酸
素ガス供給ノズル２０より酸素ガスの供給量を１５ｓｃ
ｃｍとした以外は実施例１に準じて行い、図２に示され
るタイプの８ｍｍＶＴＲ用磁気テープを得た。

【００３２】この磁気テープのオージェプロファイルを
図７に示す。尚、このＦｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜におけるＦ
ｅ量は７４ａｔ．％、Ｃ量は１５ａｔ．％、Ｏ量は１１
ａｔ．％である。

【００３３】

【特性】上記各例の磁気テープをカセットにローディン
グし、これをノイズメータが接続されたＶＴＲに装填
し、Ｓ／Ｎ（Ｙ−Ｓ／Ｎ，Ｃ−Ｓ／Ｎ）を調べたので、
その結果を表−１に示す。 表−１ Ｙ−Ｓ／Ｎ（ｄＢ） Ｃ−Ｓ／Ｎ（ｄＢ） ＡＭ ＰＭ 実施例１ ＋１．９ ＋２．３ ＋１．９ 実施例２ ＋２．１ ＋２．５ ＋２．３ 実施例３ ＋１．３ ＋３．１ ＋２．７ 実施例４ ＋１．１ ＋３．３ ＋２．８ 比較例１ ０ ０ ０

【００３４】

【発明の効果】ノイズが少なく、Ｓ／Ｎに優れたものが
得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】磁気記録媒体製造装置の概略図

【図２】磁気記録媒体の概略断面図

【図３】実施例１のＦｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜のオージェプ
ロファイル

【図４】実施例２のＦｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜のオージェプ
ロファイル

【図５】実施例３のＦｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜のオージェプ
ロファイル

【図６】実施例４のＦｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜のオージェプ
ロファイル

【図７】比較例１のＦｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜のオージェプ
ロファイル

【符号の説明】

１ 支持体 ２ 磁性膜（Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜） ３ 保護膜

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 石川 准子 栃木県芳賀郡市貝町大字赤羽2606 花王株 式会社情報科学研究所内 (72)発明者 遠藤 克巳 栃木県芳賀郡市貝町大字赤羽2606 花王株 式会社情報科学研究所内

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系の磁性膜を備えてなり、 前記Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜の中層部にＣ濃度が高い領域
   があることを特徴とする磁気記録媒体。
2. 【請求項２】 Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系の磁性膜を備えてなり、 前記Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜の上層部、中層部、及び下層
   部にＣ濃度が高い領域があることを特徴とする磁気記録
   媒体。
3. 【請求項３】 Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系の磁性膜を備えてなり、 前記Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜のオージェ電子分光分析にお
   いて、縦軸にＦｅ量、Ｃ量、及びＯ量（Ｆｅ量＋Ｃ量＋
   Ｏ量＝１００％）を、横軸にスパッタ時間をとると、ス
   パッタ開始から終了における中間時においてＣ量に山が
   認められるものであることを特徴とする磁気記録媒体。
4. 【請求項４】 Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系の磁性膜を備えてなり、 前記Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜のオージェ電子分光分析にお
   いて、縦軸にＦｅ量、Ｃ量、及びＯ量（Ｆｅ量＋Ｃ量＋
   Ｏ量＝１００％）を、横軸にスパッタ時間をとると、ス
   パッタ開始近傍時、スパッタ終了近傍時、及び前記の中
   間時においてＣ量に山が認められるものであることを特
   徴とする磁気記録媒体。
5. 【請求項５】 Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜の中層部における
   Ｃ濃度のピーク値Ｃ ₁ が１０〜５０ａｔ．％であること
   を特徴とする請求項１〜請求項４いずれかの磁気記録媒
   体。
6. 【請求項６】 Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜の中層部における
   Ｃ濃度のピーク値Ｃ ₁ が１０〜５０ａｔ．％、上層部に
   おけるＣ濃度のピーク値Ｃ₂ が１０〜５０ａｔ．％、下
   層部におけるＣ濃度のピーク値Ｃ₃ が１０〜５０ａｔ．
   ％であることを特徴とする請求項１〜請求項４いずれか
   の磁気記録媒体。
7. 【請求項７】 Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜におけるＣ濃度の
   ピーク値Ｃ₁ に対応した点においてはＦｅ濃度が低下し
   たものであることを特徴とする請求項１〜請求項６いず
   れかの磁気記録媒体。
8. 【請求項８】 Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜の上層部における
   ピーク値Ｃ₂ に対応した点と下層部におけるピーク値Ｃ
   ₃ に対応した点との間においてはＯ濃度がほぼ一定であ
   ることを特徴とする請求項１〜請求項７いずれかの磁気
   記録媒体。
9. 【請求項９】 Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜におけるＦｅ量、
   Ｃ量、及びＯ量は ５０ａｔ．％≦Ｆｅ量≦９０ａｔ．％ ５ａｔ．％≦Ｃ量≦３５ａｔ．％ ５ａｔ．％≦Ｏ量≦３５ａｔ．％ を満たすことを特徴とする請求項１〜請求項８いずれか
   の磁気記録媒体。