JPS61163270A - イオン蒸着薄膜形成装置 - Google Patents
イオン蒸着薄膜形成装置Info
- Publication number
- JPS61163270A JPS61163270A JP377385A JP377385A JPS61163270A JP S61163270 A JPS61163270 A JP S61163270A JP 377385 A JP377385 A JP 377385A JP 377385 A JP377385 A JP 377385A JP S61163270 A JPS61163270 A JP S61163270A
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- JP
- Japan
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- disk
- wafer
- ion
- wafers
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、真空中でウェハに対してイオン照射と蒸着
とを行うことによりウェハに薄膜を形成するイオン蒸着
薄膜形成装置に関し、特に、ウェハの両面に薄膜を形成
することができるようにしたイオン蒸着薄膜形成装置に
関する。
とを行うことによりウェハに薄膜を形成するイオン蒸着
薄膜形成装置に関し、特に、ウェハの両面に薄膜を形成
することができるようにしたイオン蒸着薄膜形成装置に
関する。
第４図は、従来のイオン蒸着薄膜形成装置を示ず概略図
である。真空中において、ウェハ２に対して、イオン源
４からのイオンビームＩＢの照射及び蒸発源６からの蒸
発物質ＶＭの蒸着を同時に又は交互に行うことにより、
ウェハ２の表面に薄膜を形成する。
である。真空中において、ウェハ２に対して、イオン源
４からのイオンビームＩＢの照射及び蒸発源６からの蒸
発物質ＶＭの蒸着を同時に又は交互に行うことにより、
ウェハ２の表面に薄膜を形成する。
近年、上述したようなウェハ２の表面のみならず、裏面
にも薄膜、例えば絶縁薄膜等を形成する要望が出始めて
いる。しかしながら、上述したような従来の装置で裏面
にも薄膜を形成するためには、ウェハ２等を収納してい
る高真空（例えば、］、］Ｏ−６〜１０−７Ｔｏ ｒ
ｒ程度）の真空容器（図示省略）の真空を破ってそこか
らウェハ２を一旦取り出して裏返しにし、再び真空容器
内に戻す必要があった。
にも薄膜、例えば絶縁薄膜等を形成する要望が出始めて
いる。しかしながら、上述したような従来の装置で裏面
にも薄膜を形成するためには、ウェハ２等を収納してい
る高真空（例えば、］、］Ｏ−６〜１０−７Ｔｏ ｒ
ｒ程度）の真空容器（図示省略）の真空を破ってそこか
らウェハ２を一旦取り出して裏返しにし、再び真空容器
内に戻す必要があった。
この場合、ウェハ２の裏返しに手間がかかることや、真
空容器を再び高真空にするのに長時間を要すること等の
ために、処理能力（栄位時間当たりのウェハの処理枚数
）は非常に低下していた。
空容器を再び高真空にするのに長時間を要すること等の
ために、処理能力（栄位時間当たりのウェハの処理枚数
）は非常に低下していた。
また、ウェハ２の真空容器からの出し入れや裏返しの際
に、ウェハ２に傷を付ける危険性も高かった。
に、ウェハ２に傷を付ける危険性も高かった。
従ってこの発明は、能率良く、しかもウェハを傷付ける
危険性を排除しながら、ウェハの両面に薄膜を形成する
ことができるイオン蒸着薄膜形成装置を提供することを
目的とする。
危険性を排除しながら、ウェハの両面に薄膜を形成する
ことができるイオン蒸着薄膜形成装置を提供することを
目的とする。
この発明のイオン蒸着薄膜形成装置は、複数枚のウェハ
を装着して回転及び並進するディスクと、前記ディスク
の下側に設りられていて、前記ディスクに装着されたウ
ェハの一方の主面にイオン照射と蒸着とをそれぞれ行う
イオン源及び蒸発源と、前記ディスクの上側に設りられ
ていて、前記ディスクに装着されたウェハの他方の主面
にイオン照射を行うイオン源とを備えている。
を装着して回転及び並進するディスクと、前記ディスク
の下側に設りられていて、前記ディスクに装着されたウ
ェハの一方の主面にイオン照射と蒸着とをそれぞれ行う
イオン源及び蒸発源と、前記ディスクの上側に設りられ
ていて、前記ディスクに装着されたウェハの他方の主面
にイオン照射を行うイオン源とを備えている。
ディスクの下側に設けられたイオン源及び蒸発源は、デ
ィスクに装着された複数枚のウェハの一方の主面に薄膜
を形成する。一方、ディスクの上側に設けられたイオン
源は、上記ウェハの他方の主面に薄膜を形成する。これ
によって、能率良く、しかもウェハを傷付ける危険性無
く、ウェハの両面に薄膜を形成することができる。
ィスクに装着された複数枚のウェハの一方の主面に薄膜
を形成する。一方、ディスクの上側に設けられたイオン
源は、上記ウェハの他方の主面に薄膜を形成する。これ
によって、能率良く、しかもウェハを傷付ける危険性無
く、ウェハの両面に薄膜を形成することができる。
第１図はこの発明の一実施例に係るイオン蒸着薄膜形成
装置の概略を示す縦断面図であり、第２図は第１図の線
ｎ＝ｎに沿う概略断面図である。
装置の概略を示す縦断面図であり、第２図は第１図の線
ｎ＝ｎに沿う概略断面図である。
真空容器８内の略中央部にディスク１２が設けられてお
り、その下側にカバー１０で仕切られてイオン源４ａ及
び蒸発源６が設けられている。更に、ディスク１２の上
側にカバー１１で仕切られてイオン源４ｂが設けられて
いる。ただし、カバー１０のイオン１ｌｆｆ４ａ及び蒸
発源６の上方の部分には、イオン源４ａからのイオンビ
ームＴＢａ及び蒸発源６からの蒸発物質ＶＭを」三方へ
通すための開口部２４及び２６がそれぞれ設けられてい
る。同様に、カバー１１めイオン源４ｂの下方の部分に
は、イオン源４ｂからのイオンビームＩＢｂを下方へ通
ずための開口部２５が設けられている。
り、その下側にカバー１０で仕切られてイオン源４ａ及
び蒸発源６が設けられている。更に、ディスク１２の上
側にカバー１１で仕切られてイオン源４ｂが設けられて
いる。ただし、カバー１０のイオン１ｌｆｆ４ａ及び蒸
発源６の上方の部分には、イオン源４ａからのイオンビ
ームＴＢａ及び蒸発源６からの蒸発物質ＶＭを」三方へ
通すための開口部２４及び２６がそれぞれ設けられてい
る。同様に、カバー１１めイオン源４ｂの下方の部分に
は、イオン源４ｂからのイオンビームＩＢｂを下方へ通
ずための開口部２５が設けられている。
ディスク１２の下面には複数のウェハボルダ１４が設け
られており、その各々にウェハ２が装着されるようにな
っている。この場合、第３図に示すように、各ウェハホ
ルダ１４には、そこに装着したウェハ２の一方の主面、
例えば表面の略全面に下方からのイオンビー１、ＩＢａ
や蒸発物質ＶＭを当てるために開口部１５が設けられて
いる。更に、ウェハ２の装着個所のディスク１２にも、
そこに装着したウェハ２の他方の主面、例えば裏面の略
全面に上方からのイオンビームＩＢｂを照射するための
開口部１３が設けられている。
られており、その各々にウェハ２が装着されるようにな
っている。この場合、第３図に示すように、各ウェハホ
ルダ１４には、そこに装着したウェハ２の一方の主面、
例えば表面の略全面に下方からのイオンビー１、ＩＢａ
や蒸発物質ＶＭを当てるために開口部１５が設けられて
いる。更に、ウェハ２の装着個所のディスク１２にも、
そこに装着したウェハ２の他方の主面、例えば裏面の略
全面に上方からのイオンビームＩＢｂを照射するための
開口部１３が設けられている。
また、ディスク１２は、ディスク回転・並進機構１６に
よって例えば第２図中の矢印Ｒの方向に回転及び矢印Ｓ
の方向に並進させられる。即ち、ディスク回転・並進機
構１６は、ディスク回転モータ１８、ディスク並進モー
タ２０及び機構部２２等を備えており、ディスク回転モ
ータ１８は、軸１９及び機構部２２を介してディスク１
２を回転させ、ディスク並進モータ２０は、軸２１及び
機構部２２を介してディスク１２を例えば第２図中の符
月１２“の辺りまで並進させる。
よって例えば第２図中の矢印Ｒの方向に回転及び矢印Ｓ
の方向に並進させられる。即ち、ディスク回転・並進機
構１６は、ディスク回転モータ１８、ディスク並進モー
タ２０及び機構部２２等を備えており、ディスク回転モ
ータ１８は、軸１９及び機構部２２を介してディスク１
２を回転させ、ディスク並進モータ２０は、軸２１及び
機構部２２を介してディスク１２を例えば第２図中の符
月１２“の辺りまで並進させる。
以−にのような手段によって、ディスク１２に装着され
た複数枚のウェハ２の全てに対して順次、開口部２４を
通過してきたイオンビームＩＢａの照射と、開口部２６
を通過してきた蒸発物質ＶＭの蒸着とがその表面に対し
て行われる。更に、開口部２５を通過してきたイオンビ
ームＩＢｂの照射がその裏面に対して行われる。これに
よって、複数枚のウェハ２の裏表両面に、順次、薄膜が
形成される。
た複数枚のウェハ２の全てに対して順次、開口部２４を
通過してきたイオンビームＩＢａの照射と、開口部２６
を通過してきた蒸発物質ＶＭの蒸着とがその表面に対し
て行われる。更に、開口部２５を通過してきたイオンビ
ームＩＢｂの照射がその裏面に対して行われる。これに
よって、複数枚のウェハ２の裏表両面に、順次、薄膜が
形成される。
従ってこの装置によれば、従来のようにウェハを真空容
器から取り出して裏返しにするような操作は不要なので
、非常に能率良くウェハ２の両面に薄膜を形成すること
ができる。しかも、ウェハ２を傷付げる危険性も無い。
器から取り出して裏返しにするような操作は不要なので
、非常に能率良くウェハ２の両面に薄膜を形成すること
ができる。しかも、ウェハ２を傷付げる危険性も無い。
更に、各ウェハ２の処理に際してディスク１２を回転及
び並進さ−Ｕるので、それぞれのウェハ２に形成される
薄膜の均一性も従来の場合に比べて大幅に向上する。
び並進さ−Ｕるので、それぞれのウェハ２に形成される
薄膜の均一性も従来の場合に比べて大幅に向上する。
尚、−に起倒では、一つのウェハ２の表面に対するイオ
ン照射と蒸着とは交互に行われるＬＪれども、カバー１
０に設＆ノる開口部２４と２６とを合わせて一つの例え
ば長楕円形の開口部にすれば、イオン照射と蒸着とを同
時に行うこともできる。
ン照射と蒸着とは交互に行われるＬＪれども、カバー１
０に設＆ノる開口部２４と２６とを合わせて一つの例え
ば長楕円形の開口部にすれば、イオン照射と蒸着とを同
時に行うこともできる。
所でこの例では、真空容器８には、真空中でディスク１
２にウェハ２を装着し、かつディスク１２からウェハ２
を取出ずウェハロート・アンロード機構２８が取イζｊ
りられている。ウェハロード・アンロード機構２８は、
大別すれば、真空容器８と同じ高真空（例えば、１０−
ｈ〜１Ｏ−７Ｔｏｒｒ程度）に保たれる高真空室３０と
、低真空（例えば、１０−２〜１０−３′ｒｏ ｒ ｒ
程度）に荒引きされるカセット室４２及び５０等から成
る。カセット室４２内のカセソ１〜４４には、例えば未
処理のウェハ２が予め複数枚収納されており、カセット
室５０内のカセット５２には、例えば処理済みのウェハ
２が複数枚収納される。
２にウェハ２を装着し、かつディスク１２からウェハ２
を取出ずウェハロート・アンロード機構２８が取イζｊ
りられている。ウェハロード・アンロード機構２８は、
大別すれば、真空容器８と同じ高真空（例えば、１０−
ｈ〜１Ｏ−７Ｔｏｒｒ程度）に保たれる高真空室３０と
、低真空（例えば、１０−２〜１０−３′ｒｏ ｒ ｒ
程度）に荒引きされるカセット室４２及び５０等から成
る。カセット室４２内のカセソ１〜４４には、例えば未
処理のウェハ２が予め複数枚収納されており、カセット
室５０内のカセット５２には、例えば処理済みのウェハ
２が複数枚収納される。
真空中でディスク１２へ未処理のウェハ２を装着し、か
つディスク１２から処理済みのウェハ２を取出す動作の
一例を説明する。まず、カセ・７ト室４２及び５０を予
め荒引きしておいてゲートバルブ４８及び５６を開け、
搬送ベルト４６によってカセット４４からウェハ２を一
枚取出してそれを１般送ヘルド３４によって回転板３２
」二に搬送する。これと並行して、真空容器８内の搬送
ヘルド４０によってディスク１２からウェハを一枚取出
（７てそれを搬送ベルト３６によって回転板３２上に搬
送する。次に、回転板３２を上昇させ、矢印Ａ方向に９
０度回転させた後降下させる。そして、搬送ヘルド３６
及び４０を逆転させて未処理のウェハ２をディスク１２
に装着すると共に、搬送ベルト３８及び５４によって処
理済みのウェハ２をカセット５２に収納する。
つディスク１２から処理済みのウェハ２を取出す動作の
一例を説明する。まず、カセ・７ト室４２及び５０を予
め荒引きしておいてゲートバルブ４８及び５６を開け、
搬送ベルト４６によってカセット４４からウェハ２を一
枚取出してそれを１般送ヘルド３４によって回転板３２
」二に搬送する。これと並行して、真空容器８内の搬送
ヘルド４０によってディスク１２からウェハを一枚取出
（７てそれを搬送ベルト３６によって回転板３２上に搬
送する。次に、回転板３２を上昇させ、矢印Ａ方向に９
０度回転させた後降下させる。そして、搬送ヘルド３６
及び４０を逆転させて未処理のウェハ２をディスク１２
に装着すると共に、搬送ベルト３８及び５４によって処
理済みのウェハ２をカセット５２に収納する。
次に、回転板３２を上昇させ、矢印Ｂ方向に９０度戻し
た後降下させる。この時、ディスク１２も矢印Ｒ方向に
一段階（即ち、隣のウェハ２が搬、 送へルー−４０
上に来るまで）回転させる。そして再び上述した一連の
動作を繰り返す。このような動作を続けることにより、
ディスク１２に装着されていた処理済みのウェハ２がカ
セット５２に順次回収され、カセット４４に収納されて
いた未処理のウェハ２がディスク１２に順次装着される
。
た後降下させる。この時、ディスク１２も矢印Ｒ方向に
一段階（即ち、隣のウェハ２が搬、 送へルー−４０
上に来るまで）回転させる。そして再び上述した一連の
動作を繰り返す。このような動作を続けることにより、
ディスク１２に装着されていた処理済みのウェハ２がカ
セット５２に順次回収され、カセット４４に収納されて
いた未処理のウェハ２がディスク１２に順次装着される
。
そしてそれが完了すると、ゲートバルブ４８及び５６を
閉しることにより、ディスク１２に新たに装着されたウ
ェハ２の処理と並行して、カセット４４及び５２の交換
やカセット室４２及び５０の荒引き等の作業を行うこと
ができる。
閉しることにより、ディスク１２に新たに装着されたウ
ェハ２の処理と並行して、カセット４４及び５２の交換
やカセット室４２及び５０の荒引き等の作業を行うこと
ができる。
以上のように、ウェハロード・アンロード機構２８によ
って、ディスク１２に装着された複数枚のウェハ２の交
換ば真空中で行うことができ、それゆえウェハ交換の度
毎に真空容器８を大気圧にする必要は無く、これによっ
て処理能力は更に向」二する。尚、」二連した１シエハ
ロード・アンロード機構２８等の動作ばあ（までも−例
であり、上述以外の動作によってディスク１２へのウェ
ハ２の装着及びディスク１２からのウェハ２の取出しを
行うこともできる。
って、ディスク１２に装着された複数枚のウェハ２の交
換ば真空中で行うことができ、それゆえウェハ交換の度
毎に真空容器８を大気圧にする必要は無く、これによっ
て処理能力は更に向」二する。尚、」二連した１シエハ
ロード・アンロード機構２８等の動作ばあ（までも−例
であり、上述以外の動作によってディスク１２へのウェ
ハ２の装着及びディスク１２からのウェハ２の取出しを
行うこともできる。
以」−のようにこの発明によれば、ウェハの両面に非常
に能率良く薄膜を形成することができる。
に能率良く薄膜を形成することができる。
しかも、ウェハを裏返ずような操作は行わないので、ウ
ェハを傷付ける危険性も無い。更に、各ウェハに形成さ
れる薄膜の均一性も大幅に向上する。
ェハを傷付ける危険性も無い。更に、各ウェハに形成さ
れる薄膜の均一性も大幅に向上する。
第１図は、この発明の一実施例に係るイオン蒸着薄膜形
成装置の概略を示す縦断面図である。第２図は、第１図
の線ｎ−ｎに沿う概略断面図である。第３図は、第１図
の０部を詳細に示す断面図である。第４図は、従来のイ
オン蒸着薄膜形成装置を示す概略図である。 ２・・・ウェハ、４ａ、４ｂ・・・イオン源、６・・・
蒸発源、１２・・・ディスク、１６・・・ディスク回転
・並進機構、２８・・・ウェハロード・アンロード機構
成装置の概略を示す縦断面図である。第２図は、第１図
の線ｎ−ｎに沿う概略断面図である。第３図は、第１図
の０部を詳細に示す断面図である。第４図は、従来のイ
オン蒸着薄膜形成装置を示す概略図である。 ２・・・ウェハ、４ａ、４ｂ・・・イオン源、６・・・
蒸発源、１２・・・ディスク、１６・・・ディスク回転
・並進機構、２８・・・ウェハロード・アンロード機構
Claims (1)
- （１）イオン源と蒸発源とを有していて、真空中でウェ
ハに対してイオン照射と蒸着とを行うイオン蒸着薄膜形
成装置において、 複数枚のウェハを装着して回転及び並進するディスクと
、 前記ディスクの下側に設けられていて、前記ディスクに
装着されたウェハの一方の主面にイオン照射と蒸着とを
それぞれ行うイオン源及び蒸発源と、 前記ディスクの上側に設けられていて、前記ディスクに
装着されたウェハの他方の主面にイオン照射を行うイオ
ン源とを備えることを特徴とするイオン蒸着薄膜形成装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP377385A JPS61163270A (ja) | 1985-01-12 | 1985-01-12 | イオン蒸着薄膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP377385A JPS61163270A (ja) | 1985-01-12 | 1985-01-12 | イオン蒸着薄膜形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61163270A true JPS61163270A (ja) | 1986-07-23 |
Family
ID=11566496
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP377385A Pending JPS61163270A (ja) | 1985-01-12 | 1985-01-12 | イオン蒸着薄膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61163270A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6841789B2 (en) | 1997-12-05 | 2005-01-11 | Korea Institute Of Science And Technology | Apparatus for surface modification of polymer, metal and ceramic materials using ion beam |
| WO2012136583A1 (fr) * | 2011-04-08 | 2012-10-11 | Valeo Systemes D'essuyage | Installation pour le traitement par bombardement ionique de deux surfaces opposees |
| JP2019173066A (ja) * | 2018-03-27 | 2019-10-10 | キヤノントッキ株式会社 | 基板処理装置及びその制御方法、成膜装置、電子部品の製造方法 |
-
1985
- 1985-01-12 JP JP377385A patent/JPS61163270A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6841789B2 (en) | 1997-12-05 | 2005-01-11 | Korea Institute Of Science And Technology | Apparatus for surface modification of polymer, metal and ceramic materials using ion beam |
| WO2012136583A1 (fr) * | 2011-04-08 | 2012-10-11 | Valeo Systemes D'essuyage | Installation pour le traitement par bombardement ionique de deux surfaces opposees |
| FR2973811A1 (fr) * | 2011-04-08 | 2012-10-12 | Valeo Systemes Dessuyage | Installation pour le traitement par bombardement ionique de deux surfaces opposees |
| JP2019173066A (ja) * | 2018-03-27 | 2019-10-10 | キヤノントッキ株式会社 | 基板処理装置及びその制御方法、成膜装置、電子部品の製造方法 |
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