JPH04136168A - イオン処理装置 - Google Patents

イオン処理装置

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JPH04136168A
JPH04136168A JP25645790A JP25645790A JPH04136168A JP H04136168 A JPH04136168 A JP H04136168A JP 25645790 A JP25645790 A JP 25645790A JP 25645790 A JP25645790 A JP 25645790A JP H04136168 A JPH04136168 A JP H04136168A
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wafer
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wafers
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Tsuneo Hiramatsu
平松 恒雄
Yoshitaka Matsumura
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、回転式のウェーハディスクに装着された複
数枚のウェーハを一括して処理(例えばイオン注入)す
る、いわゆるバッチ式のイオン処理装置に関する。
〔従来の技術〕
この種のイオン処理装置の従来例を第3図に示す。
この装置は、イオンビーム2が水平方向から導入される
処理室6と、それに真空弁14a、14bを介して隣接
された二つの真空予備室16a、16bを有しており、
各部屋は図示しない真空排気装置によってそれぞれ真空
排気される。
処理室6内には、表面の周縁部に複数枚のウェーハ4を
装着可能なウェーハディスク8が収納されている。また
処理室6の側壁部には、ウェーハディスク8を水平状M
(図中に実線で示す)と垂直状態(またはそれに近い状
態を含む0図中に1点M&9で示す)との間で回転させ
、垂直状態のウェーハディスク8を例えば矢印Aのよう
に回転させると共に矢印Bのように並進させるディスク
駆動装置10が設けられている。
各真空予備室16a、16b内には、未処理または処理
済の複数枚のウェーハ4を格納するウェーハカセット1
8がそれぞれ収納される。
また、処理室G内には、ウェーハディスク8と真空予備
室16a、16b内のウェーハカセット18との間でウ
ェーハ4をそれぞれ受け渡しする二つのアーム装置12
a、12bが設けられている。
動作例を説明すると、一方の例えば真空予備室16a内
に未処理のウェーハ4を格納したウェーハカセット18
を収納し、そこを真空排気後、真空弁14aを開き、こ
のウェーハカセット18からアーム装置12aによって
ウェーハ4を1枚ずつ取り出し、それをウェーハディス
ク8に1枚ずつ装着する。このとき、ウェーハディスク
8は例えば矢印A方向にウェーハ1枚分ずつ回転させら
れる。
所定枚数のウェーハ4を装着後、ウェーハディスク8を
垂直状態にし、それを回転および並進させながら、ウェ
ーハディスク8上の各ウェーハ4にイオンビーム2を順
次照射してイオン注入等の処理を行う。
処理後は、ウェーハディスク8を水平状態に戻し、そこ
からアーム装置12bで処理済のウェーハ4を1枚ずつ
取り出し、それを他方の真空予備室16 b内のウェー
ハカセット18に格納する。
以降は、必要に応じて上記と同様の動作が繰り返される
〔発明が解決しようとする課題〕
々ころが、上記イオン処理装置においては、連続して処
理を行う場合、ウェーハディスク8上の処理済のウェー
ハ4をアーム装置12bで取り出した後に、アーム装’
W−12aで未処理のウェーハ4を装着しなければなら
ず、この間に比較的大きいロス時間が生じるため、その
ぶんスループットを上げられないという問題がある。
また、上記装置では、ウェーハ4のハンドリングを水平
状態で行い、またイオンビーム2は通常このように水平
方向から導入されるためウェーハ4の処理は垂直状態で
行うため、ウェーハ4の交換時はウェーハディスク8を
水平状態にし、ウェーハ4の処理時はウェーハディスク
8を垂直状態にしなければならず、この間にもロス時間
が生じるため、これもスループット低下の原因となって
いる。
そこでこの発明は、ウェーハディスクを立てたままでウ
ェーハの処理のみならずウェーハの交換をも行うことが
でき、しかもその交換を迅速に行う二七ができるように
し、それによって高スループツト性能を得ることができ
るようにしたイオン処理装置を提供することを主たる目
的とする。
〔課題を解決するための手段〕
上記目的を達成するため、この発明のイオン処理装置は
、イオンビームが横方向から導入され、それをウェーハ
に照射して処理を施すための処理室と、この処理室内に
立てた状態で収納されていて、周縁部の複数個所にウェ
ーハ保持手段を有するウェーハディスクと、このウェー
ハディスクを処理室内で回転および実質的に並進させる
ディスク駆動装置と、処理室に真空弁を介して隣接され
た真空予備室と、複数枚のウェーハを立てた状態で格納
したウェーハカセットを大気圧側と処理室との間で真空
予備室を経由して搬出入するカセットIII送装置と、
処理室内に収納されていて、先端部にウェーハ保持手段
を有し、処理室内に搬入されたウェーハカセットに対し
てウェーハを1枚ずつ出し入れする第1のアームと、こ
の第1のアームを処理室内においてウェーハディスクと
ほぼ平行な面内で回転させるアーム回転装置と、処理室
内に収納されていて、互いに180度異なる2個所にウ
ェーハ保持手段を有し、ウェーハディスクおよび第1の
アームとの間で同時にウェーハを受け渡しすることがで
きる第2のアームと、この第2のアームを処理室内にお
いてウェーハディスクとほぼ平行な面内で回転させかつ
前後に移動させるアーム駆動装置とを備えることを特徴
とする。
〔実施例〕
第1図は、この発明の一実施例に係るイオン処理装置を
示す概略平面図である。第2図は、第1図のウェーハカ
セットから二つのアームおよびウェーハディスク周りを
右側から見て拡大して示す概略図である。
この実施例のイオン処理装置は、イオンビーム2が横方
向(例えば水平方向)から導入され、それをウェーハ4
に照射して処理を施すための処理室26を備えている。
この処理室26は、図示しない真空排気装置によって真
空排気される。
この処理室26内には、ウェーハディスク8が例えば垂
直かそれに近い状態に立てた状態で収納されている。こ
のウェーハディスク8には、第2図に示すように、その
周縁部の複数個所に、ウェーハ保持手段として、複数個
(図示例のような4個に限らない)を−組としてウェー
ハ4の周辺部を把持する爪29が設けられている。冬瓜
29は、図示しない機構によって、ウェーハ4を着脱す
る際は外方に動かされ、ウェーハ4を保持する際は内方
に動かされる。但しこれとは別の構造のウェーハ保持手
段を設けても良い。
処理室26の側壁部には、ウェーハディスク2Bを処理
室26内で立てた状態で、例えば矢印Cのように回転さ
せると共に矢印りのように実質的に並進させるディスク
駆動装置30が設けられている。このディスク駆動装置
30は、ウェーハディスク28を、矢印り方向に直進さ
せるものでも良いし、矢印り方向に大きな円弧を描くよ
うに揺動させるものでも良い。
この処理室26のイオンビーム2が導入される側とは反
対側の部分に、真空弁34を介して、真空予備室36が
隣接されている。それと大気圧側との間には真空弁35
が設けられている。この真空予備室36も、図示しない
真空排気装置によって真空排気される。
この真空予備室36の外側から処理室26内の部分にか
けて、図示しないけれども、ウェーハカセット38を矢
印1]のように、大気圧側と処理室26との間で真空予
備室36を経由して搬出入するカセット搬送装置が設け
られている。
このウェーハカセット38には、複数枚のウェーハ4を
並べて立てた状態で格納することができる。またその上
側は、第2図に示すように、後述するアーム40との間
でウェーハ4の受け渡しが可能なように、開かれている
。またこのウェーハカセット3日は、ウェーハ4を出し
入れする際は処理室26内において、上記カセット搬送
装置によって、または別の装置によって、矢印Iのよう
にウェーハ1枚分ずつ前後に移動させられる。
処理室26内には、第1のアーム40が収納されており
、このアーム40は、側壁部に設けられたアーム回転装
置46によって、ウェーハディスク28とほぼ平行な面
内で矢印Eのように往復回転させられる。
このアーム40の先端部は、第2図に示すように、ウェ
ーハ4に沿った円弧状をしており、その内側には、ウェ
ーハ保持手段として、V形溝を有するローラ42が何個
か固定されており、また1個はレバー44によって内外
方向に動かせるようにされている。即ち、ウェーハ4を
着脱する際はレバー44は外に開かれ、ウェーハ4を保
持する際はレバー44は閉じられる。但しこれとは別の
構造のウェーハ保持手段を設けても良い。
更に、処理室26内には、第2のアーム48が収納され
ており、このアーム48は、側壁部に設けられたアーム
駆動装置52によって、ウェーハディスク28とほぼ平
行な面内で矢印Fのように1方向にあるいは往復方向に
回転させられる。その回転中心は、第2図に示すように
、ウェーハディスク28上の着脱位置のウェーハ4の中
心と、受け渡し位置にあるアーム40上のウェーハ4の
中心とのちょうど中間にある。
更にこのアーム48は、アーム駆動装置52によって、
矢印Gのように、ウェーハディスク28およびアーム4
0に近接してそれらとの間でウェーハ4を受け渡しでき
るように前方に移動させられ、かつ元に戻される。
アーム48には、第2図に示すように、その回転中心を
中心として互いに180度異なる2個所に、ウェーハ保
持手段として、複数個(図示例のように4個に限らない
)を−組としてウェーハ4の周辺部を把持する爪50が
設けられている。冬瓜50は、図示しない機構によって
、ウェーハ4を着脱する際は外方に動かされ、ウェーハ
4を保持する際は内方に動かされる。但しこれとは別の
構造のウェーハ保持手段を設けても良い。
この実施例の全体的な動作例を説明する。
この場合、ウェーハディスク28上には、以下に述べる
ような動作て予め複数枚のウェーハ4が装着されており
、かつ各ウェーハ4に対するイオン注入等の処理が既に
完了しているものとする。
まず、複数枚の未処理のウェーハ4を立てた状態で格納
したウェーバカセント38を、真空弁35を開いて真空
予備室36内に搬入し、そこを真空排気後、真空弁34
を開いて処理室26内の所定位置に搬入する。
次いで、アーム40がウェーハカセット3日から1枚の
ウェーハ4を取り出し、所定位置(第2図中に2点鎖線
で示す位置)まで回転する。
その状態で、アーム48が前方にスライドし、アーム4
0とウェーハディスク28とに近接する。
そしてその状態で、両端部の爪50によって、アーム4
0からは未処理のウェーハ4を受け取り、ウェーハディ
スク28からは処理済のウェーハ4を受け取る。二〇ウ
ェーハ4を受け取る両方の動作が同時に行われる。
その後アーム48は元の位置にスライドし、例えば矢印
Fのように180度回転する。そして再びアーム48は
前方にスライドし、ウェーハディスク28には未処理の
ウェーハ4を渡し、アーム40には処理済のウェーハ4
を渡す、このウェーハ4を渡す両方の動作が同時に行わ
れる。
アーム40は、処理済のウェーハ4を受け取った後、ウ
ェーハカセット38の方に回転して、それをウェーハカ
セット38内の例えば元の位置に格納する。
その後、ウェーハカセット3Bはウェーハ1枚分だけ奥
の方に移動させられ、アーム40はそこから次の未処理
のウェーハ4を取り出す、一方、ウェーハディスク28
は、例えば第2図中の矢印Cで示す方向にウェーハ1枚
分だけ回転させられ、アーム48との受け渡し位置には
次の処理済のウェーハ4が来る。この二つの動作がほぼ
同時に行われる。
その後は、上記のような動作が繰り返され、つ工−ハデ
ィスク28上のウェーハ4の交換が全て終了したら、処
理済のウェーハ4を格納したウェーハカセット38は真
空予備室36を経由して大気圧側へ搬出される。また、
ディスク駆動装置30によってウェーハディスク28を
回転および並進させながら、ウェーハディスク28上の
各ウェーハ4にイオンビーム2が照射され、イオン注入
等の処理が行われる。
以降は、必要に応じて上記のような動作が繰り返される
このようにこの実施例の装置では、ウェーハディスク2
8を立てたままでウェーハ4の処理のみならずウェーハ
4の交換をも行うことができるので、従来例のようにウ
ェーハ4の処理と交換との間でウェーハディスク8を立
てたり倒したする際のロス時間が全く発生しない。
しかも、ウェーハディスク28に対するウェーハ4の交
換に際しても、アーム40およびアーム4Bを用いるこ
とによって、処理済のウェーハ4および未処理のウェー
ハ4の受け渡しを同時に行うことができるので、ウェー
ハ4の交換をロス時間を殆ど発生させることなく迅速に
行うことができる。
その結果、ウェーハ交換の時間が短縮され、高スルーブ
ツト性能を得ることができる。
〔発明の効果〕
以上のようにこの発明によれば、ウェーハディスフを立
てたままでウェーハの処理のみならずウェーハの交換を
も行うことができ、しかもその交換を迅速に行うことが
できるので、ウェーハ交換の時間が短縮され、高スルー
プツト性能を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、この発明の一実施例に係るイオン処理装置を
示す概略平面図である。第2図は、第1図のウェーハカ
セットから二つのアームおよびウェーハディスク周りを
右側から見て拡大して示す概略図である。第3図は、従
来のイオン処理装置の一例を示す概略平面図である。 2・・・イオンビーム、4・・・ウェーハ、26・・・
処理室、28・・、ウェーハディスク、29・・・爪、
30・・・ディスク駆動装置、36・・・真空予備室、
38・・・ウェーハカセット、40・・・第1のアーム
、42・・・ ローラ、46・・・アーム回転装置、4
8・・・第2のアーム、50・・・爪、52・・・アー
ム駆動装置。 ウェーハカセット 真空予備室

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)イオンビームが横方向から導入され、それをウェ
    ーハに照射して処理を施すための処理室と、この処理室
    内に立てた状態で収納されていて、周縁部の複数個所に
    ウェーハ保持手段を有するウェーハディスクと、このウ
    ェーハディスクを処理室内で回転および実質的に並進さ
    せるディスク駆動装置と、処理室に真空弁を介して隣接
    された真空予備室と、複数枚のウェーハを立てた状態で
    格納したウェーハカセットを大気圧側と処理室との間で
    真空予備室を経由して搬出入するカセット搬送装置と、
    処理室内に収納されていて、先端部にウェーハ保持手段
    を有し、処理室内に搬入されたウェーハカセットに対し
    てウェーハを1枚ずつ出し入れする第1のアームと、こ
    の第1のアームを処理室内においてウェーハディスクと
    ほぼ平行な面内で回転させるアーム回転装置と、処理室
    内に収納されていて、互いに180度異なる2個所にウ
    ェーハ保持手段を有し、ウェーハディスクおよび第1の
    アームとの間で同時にウェーハを受け渡しすることがで
    きる第2のアームと、この第2のアームを処理室内にお
    いてウェーハディスクとほぼ平行な面内で回転させかつ
    前後に移動させるアーム駆動装置とを備えることを特徴
    とするイオン処理装置。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004288878A (ja) * 2003-03-20 2004-10-14 Shibaura Mechatronics Corp 真空処理装置及び真空空間の形成方法
JP2010509784A (ja) * 2006-11-15 2010-03-25 ダイナミック マイクロシステムズ セミコンダクター イクイップメント ゲーエムベーハー 環状に配置されているワークピースストッカ
KR20160137660A (ko) * 2009-03-18 2016-11-30 에바텍 어드벤스드 테크놀로지스 아크티엔게젤샤프트 진공처리 장치

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KR20190111164A (ko) * 2009-03-18 2019-10-01 에바텍 아크티엔게젤샤프트 진공처리 장치
KR20200044131A (ko) * 2009-03-18 2020-04-28 에바텍 아크티엔게젤샤프트 진공처리 장치

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