JPH0252449A

JPH0252449A - 基板のロード・アンロード方法

Info

Publication number: JPH0252449A
Application number: JP63203422A
Authority: JP
Inventors: Manabu Amikura; 学網倉
Original assignee: TERU BARIAN KK; Tel Varian Ltd
Current assignee: TERU BARIAN KK; Tel Varian Ltd
Priority date: 1988-08-16
Filing date: 1988-08-16
Publication date: 1990-02-22

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［発明の目的］（産業上の利用分野）本発明は、基板のロード・アンロード方法に関する。

（従来の技術）一般に、半導体製造工程では、基板例えば半導体ウェハ
は、ウェハカセット等の保持具に複数枚収容して搬送す
る。したがって、半導体ウニ／１に所定の処理を施す装
置、例えばイオン注入装置には、ウェハカセット内に収
容された半導体ウェハを処理部にロード・アンロードす
る搬送機構が設けられている。

このような従来の搬送機構としては、例えば特公昭Ｇ１
−３９７２９号公報、特開昭Ｇ１−１７３４４５号公報
に開示されているような搬送機構がある。第５図に示す
ように、この搬送機＋ｎ　１では、ウェハカセット内に
間隔を設けて積層する如く保持された複数の半導体ウェ
ハ３のうち、最下段に収容された半導体ウェハ３から順
次上の段の半導体ウエノ翫３をロード・アンロードして
処理を行うよう構成されている。

したがって、ロード・アンロードを行う半導体ウェハ３
の下側に存在する半導体ウニ／％３は全て処理済み、上
側に存在する半導体ウニ／＼３は全て未処理ということ
になる。これは、半導体ウエノ＼３の出入れに伴って発
生する塵埃が、未処理の半導体ウェハ３上に落下して付
着しないようにするためである。

（発明か解決しようとする課題）上記説明のように従来の方法では、ウェハカセット内に
収容された半導体ウェハを最下段のものから取出し、例
えばイオン注入等の所定の処理を施した後、処理済みの
半導体ウェハをウェハカセット内の元の位置に収容する
ので、半導体ウェハの出入れの際に発生する塵埃が未処
理の半導体ウェハ上に落下して付着することはない。こ
の場合、処理済みの半導体ウェハ上には塵埃が落下して
付着することがあるが、例えばイオン注入処理の場合、
従来は、イオン注入処理後の半導体ウェハは通常アニー
ル処理工程に送られるため、処理済みの半導体ウェハ上
に塵埃が付着することは、特に問題とはならなかった。

しかしながら、近年は半導体技術の進歩に伴い、例えば
イオン注入処理の場合においても、例えば中電流イオン
注入を行った後に大電流イオン注入を行う等、−度イオ
ン注入を行った後別のイオン注入装置でさらにイオン注
入を行う等の処理が考えられており、このため、処理済
みの半導体ウェハに対する塵埃の付着も問題となる可能
性が生じてきた。

本発明は、かかる従来の事情に対処してなされたもので
、未処理基板はもとより、処理済みの基板に対する塵埃
の付着も防止することのできる基板のロード・アンロー
ド方法を提供しようとするものである。

［発明の構成］（課題を解決するための手段）すなわち本発明は、保持具内に間隔を設けて載置する如
く保持された複数の基板を順次基板処理部にロード・ア
ンロードするにあたり、未処理基板を前記保持具の下段
から順次前記基板処理部にロードするとともに、処理済
み基板収容用保持具を設けこの保持具に前記基板処理部
からアンロードした処理済み基板を上段から順次収容す
ることを特徴とする。

（作　用）上記構成の本発明の基板のロード・アンロード方法では
、未処理基板を保持具の下段から順次基板処理部にロー
ドするとともに、処理済み基板収容用保持具を設けこの
保持具に基板処理部からアンロードした処理済み基板を
上段から順次収容する。すなわち、保持具に基板を出し
入れする際に、常にこの出し入れする基板の下側に他の
基板が存〆）ヨしない状態で出し入れを行う。

したがって、基板の出入れの際に発生する塵埃が、未処
理基板および処理済みの基板に落下して付着することを
防止することができる。

（実施例）以下、本発明の基板のロード・アンロード方法をイオン
注入処理に適用した実施例を図面を参照して説明する。

イオン注入装置の真空処理室１１の一端の両側には、そ
れぞれ予備真空室１２ａ、１２ｂが設けられている。こ
れらの予備真空室１２ａ、１２ｂの前方には、それぞれ
搬送機構１３ａ、１３ｂが設けられており、搬送機構１
３ａ、１３ｂの間には、アライメント機構１４が設けら
れている。

また、搬送機構１３ａ、］、　３　ｂの周囲には、それ
ぞれウェハカセット昇降装置１５８％　１５ｂ％１６ａ
、１６ｂが設けられており、これらのウェハカセット昇
降装置１５ａ、１５ｂ、１６ａ、１６ｂには、それぞれ
ウェハカセット１７ａ、１７ｂ、１８ａ、１８ｂが載置
されている。

そして、この実施例では上記ウェハカセット１７ａ、１
７ｂ、１８ａ、１８ｂのうち、ウェハカセット１７ａ、
１８ａはそれぞれ未処理の半導体ウェハ２０を、ウェハ
カセット１７ｂ、１８ｂはそれぞれ処理済みの半導体ウ
ェハ２０を収容するよう構成されている。すなわち、ウ
ェハカセット１７ａ、１８ａから半導体ウェハ２０を真
空処理室１１内にロードし、処理済みの半導体ウェハ２
０を真空処理室１１内からウェハカセット１７ｂ１１８
ｂにアンロードするようｔＲ成されている。

以下、第１図に矢印で示すように、ウェハカセット１７
ａ、から半導体ウェハ２０を真空処理室１１内にロード
し、イオン注入処理を行った後、処理済みの半導体ウェ
ハ２０を真空処理室１１内からウェハカセット１７ｂに
アンロードする場合についてその動作を説明する。

すなわち、第２図にも示すように、ウェハカセット昇降
装置１５ａにより予めウェハカセット１７ａ高位置に位
置させ、搬送機構１３ａによりウェハカセット１７ａ内
の半導体ウエノＸ２０を下段のものから取出す。なお、
ウェハカセット昇降装置１５ａは、半導体ウェハ２０が
取出されると　１段分ウェハカセット１７ａを下降させ
、次の半導体ウェハ２０が取出し可能な位置に待機する
。

次に、取出した半導体ウェハ２０をアライメント機構１
４に受は渡してアライメント（位置決め）し、この後搬
送機構１３ｂにより予備真空室１２ｂ内にロードする。

なお、アライメント機構１４に半導体ウェハ２０を受は
渡した後、搬送機構１３ａは、次の半導体ウェハ２０の
取出しを行うかあるいは後述するように処理済みの半導
体ウエノ＼２０の収容を行い、次々と半導体ウニｌ＼２
０の処理を行うよう構成されている。。

Ｔ’　６？ｉ真空室１２ｂ　（１２ａも同じ）には、周
知のように図示しないシャッタ機構、搬送機構等が設け
られており、予備真空室１２ｂ内に半導体ウェハ２０が
搬送されると、この大気側の搬送口に設けられたシャッ
タ機構を閉じて予備真空室１２ｂ内を予備排気する。こ
の後、予備真空室１２ｂと真空処理室１１との間に設け
られたシャッタ機構を開とし、半導体ウェハ２０を予備
真空室１２ｂ内から真空処理室１１内に設けられたプラ
テンに移送し、所定のイオンビームを照射してイオン注
入を行う。

そして、イオン注入処理が終了すると、処理済みの半導
体ウェハ２０を予備真空室１２ａに移送し、予備真空室
１２ａと真空処理室１１との間に設けられたンヤッタ機
構を閉じた状態で予備真空室１２ａを常圧とする。

この後、予備真空室１２ａの大気側の搬送口に設けられ
たシャッタ機構を開として、搬送機構１３ａにより予備
真空室１２ａ内の処理済みの半導体ウェハ２０を取出す
。そして、第３図に示すようにウェハカセット昇降装置
１５ｂによりウエノ＼カセット１７ｂを低位置から順次
上昇させていき、搬送機構１３Ｈによりウェハカセット
１７ｂの上段から半導体ウエノ＼２０を順次収容して行
く。

なお、ウェハカセット１８ａから半導体“ウエノλ２０
を真空処理室１１内にロードし、イオン注入処理を行っ
た後、処理済みの半導体ウェハ２０を真空処理室１１内
からウェハカセット１８ｂにアンロードする場合につい
ても同様にしてロード・アンロードを行う。また、ウェ
ハカセット等の位置関係は変更可能であり、例えば第４
図に矢印で示すように半導体ウニｌ＼２０の搬送経路を
変更することも可能である。

すなわち、この実施例では、ウェハカセット１７ａ、１
８ａから未処理の半導体ウェハ２０を真空処理室１１内
にロードする場合においても、処理済みの半導体ウェハ
２０を真空処理室１１内からウェハカセット１７ｂ、１
８ｂにアンロードする場合においても、常に出入れを行
う半導体ウェハ２０の下に他の半導体ウニｌ＼２０が存
在しない条件下で半導体ウェハ２０の出入れを行う。し
たがって、半導体ウェハ２０のウェハカセット１７ａ、
１７ｂ、１８ａ、１８ｂに対する出入れの際に発生した
塵埃が落下して未処理あるいは処理済みの半導体ウェハ
２０に付着することを防止することができる。

なお、上記実施例では本発明を半導体ウェハのイオン注
入処理に適用した場合について説明したが、本発明はか
かる実施例に限定されるものではなく、例えばレジスト
塗布、露光、現像等の一連の処理あるいはスパッタ処理
等どのような処理にも適用することができる。また、半
導体ウェハに限らず例えば液晶表示装置用のガラス基板
等どのような基板にでも適用することができる。

［発明の効果］上述のように、本発明の基板のロード・アンロード方法
では、未処理基板はもとより、処理済みの基板に対する
塵埃の付着も防止することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明方法の一実施例を説明するためのイオン
注入装置の構成図、第２図および第３図は本発明方法の
一実施例を説明するための搬送機構部の側面図、第４図
は第１図の実施例の変形例を説明するためのイオン注入
装置の構成図、第５図は従来方法を説明するための搬送
機構部の側面図である。１１・・・・・・真空処理室、１２ａ、１２ｂ・・・・
・・予備真空室、１３ａ、１３ｂ・・・・・・搬送機構
、１４・・・・・・アライメント機構、１５ａ、１５ｂ
、１６ａ、１６ｂ・・・・・・ウェハカセット昇降装置
、１７ａ、１８ａ・・・・・・ウェハカセット（未処理
ウェハ用）、１７ｂ、１８ｂ・・・・・・ウェハカセッ
ト（処理済みウェハ用）、２０・・・・・・半導体ウェ
ハ。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）保持具内に間隔を設けて載置する如く保持された
複数の基板を順次基板処理部にロード・アンロードする
にあたり、未処理基板を前記保持具の下段から順次前記基板処理部
にロードするとともに、処理済み基板収容用保持具を設
けこの保持具に前記基板処理部からアンロードした処理
済み基板を上段から順次収容することを特徴とする基板
のロード・アンロード方法。