JPH0230759A - 真空処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は基板に所定の真空処理を施すための真空処理装
置に関する。

〔従来技術及びその問題点〕

第３図は従来例の真空処理装置を示すもので本装置は全
体として（１）で示され、基板搬送室（２）は独立して
排気可能であって内部に搬送機（３）を備えている。ま
たこの外周の一部には近接して仕切りバルブ（ｔｏ）Ｃ
１ηを介して第１のスパッタ処理室及び第２のスパッタ
処理室（５）が配設されている。これらも独立に排気可
能となっている。また、第２のスパッタ処理室（５）に
対向する位置において基板搬送室（２）に近接して仕切
りバルブ（９）を介してやはり独立して排気可能な仕込
み−取り出し室（６）が配設されている。この仕込み−
取り出し室（６）内には未だ処理されていない基板（γ
）を複数枚、収容するカセット（７）と上述の第１、第
２のスパッタ処理室（４）（５）で処理された基板を収
容するカセット（８）が設けられている。

従来例の真空処理装置（１）は以上のように構成される
のであるが次にこの作用について説明する。

仕込み−取り出し室（６）はいま減圧下におかれている
ものとする。カセット（７）には未処理の基板が何枚か
収容されている。そして仕切りバルブ（９）はいま開放
されているものとする。

またスパッタ処理室（４）（６）と基板搬送室（２）と
の間に設けられる仕切りバルブα０）（２）も開放され
ているものとする。搬送機（８）によりカセット（７）
から未処理の基板が把持され基板搬送室（２）内で所定
の軌跡に沿って移送され第１のスパッタ処理室（４）内
に搬入される。ここで搬送機（８）から降ろされて所定
のスパッタ処理が行われる。この処理を行った後、再び
搬送機（８）により第２のスパッタ処理室（５）にこれ
が搬入される。そしてここで第２のスパッタ処理を受け
る。そしてこの処理を受けだ基板は搬送機（８）により
仕込み−取り出し室（６）の処理済用のカセット（８）
へと搬入される。なお上述の第２のスパッタ処理室（５
）に第１のスパッタ処理を受けた基板を搬入した後、搬
送機（８）は仕込み−取り出し室（６）から次の未処理
の基板をカセット（７）から取り出して、第１のスパッ
タ処理室（４）内へと搬入している。

以上のようにして順次、未処理の基板を収容しているカ
セット（γ）から順次基板を取り出して搬送機（８）に
より第１のスパッタ処理室（４）及び第２のスパッタ処
理室（５）に搬入して所定のスパッタ処理を行った後、
搬送機（８）により仕込み−取り出し室（６）における
処理済み用のカセット（８）に順次搬入されるのである
が、すべての基板が処理されると、仕切りバルブ（９）
を閉じて仕込耐電り出し室（６）は大気へとベントされ
る。この後、仕込み−取り出し室（６）から未処理の基
板を収容するカセット（γ）及び処理済室（６）内に導
ひかれる。また処理済み用の基板をのせるだめのカセッ
ト（８）も同じく仕込み−取り出し室（６）内に導入さ
れる。この後、密封状態にして図示しない排気系により
仕込み−取り出し室（６）内は排気されろ。そして所定
の真空度まで排気したのち、仕切りバルブ（９）が開放
されて上述と同様な操作が行われる。

従来例の真空処理装置（１）は以上のような作用を行う
のであるが仕込み−取り出し室（６）からカセッ）　（
７）　（８）を外部へ取り出すために要するベントの時
間及び次のカセット（γ）（８）を搬入した後において
仕込み−取り出し室（６）内を排気する時間においては
スパッタ処理室（４）及び（５）は何等の処理作用を行
っておらずロスタイムとなる。例えば１バッチ分の基板
の処理に６５分を要しだとすればそのうち約１５分が上
述のだめの時間であり、かなり大きなロスタイムとなる
。

〔発明が解決しようとする問題点〕

本発明は上述の問題に鑑みてなされ、基板の処理のスル
ーブツト、即ち生産効率を向上させる真空処理装置を提
供する事を目的とする。

〔問題点を解決するだめの手段〕

以上の目的は、基板搬送室と、該基板搬送室に近接して
配設された真空処理室と、前記基板搬送室に開閉自在な
仕切バルブを介して近接して配設され、未処理及び前記
真空処理室で所定の処理を施された処理済の基板を収容
する仕込み−取り出し室とを備えた基板処理装置におい
て、前記仕込み−取り出し室詣板搬送室の周りに近接し
て少なくとも２室以上設けたことを特徴とする真空処理
装置によって達成される。

〔作　　用〕

今、仕込み−取り出し室が２室あるとすれば、一方の仕
込み−取り出し室から基板を搬送機により取り出して真
空処理室へ搬入し、こ＼で所定の処理を行なった後、再
び搬送機により処理済の基板を仕込み−取り出し室に搬
入し、以下、同様な操作をくり返している中に、他方の
仕込み−取り出し室をベントし、排気して未処理の基板
を待機させておくことができる。よって、この他方の仕
込み−取り出し室から基板の真空処理操作を開始すると
きには、真空処理室をそのま＼継続して使用することが
でき、何らロスタイムを必要としない。結局、装置のス
ルーブツトを従来より大巾に向上させることができる。

〔実施例〕

以下、本発明の実施例による真空処理装置について第１
図及び第２図を参照して説明する。

第１図は本発明の第１実施例を示すもので、第３図に対
応する部分については同一の符号を付し、その詳細な説
明は省略する。

本実施例の真空処理装置は全体として（イ）で示され、
基板搬送室（２）に近接して仕切りバルブ（２）μｓ）
を介して、それぞれ仕込み−取り出し室（２１）及び−
が配設されている。この仕込み−取り出し室（２１１（
２２１内には従来と同様に未処理の基板を何枚かのせる
カセット−）−が配設されており、また処理済みの基板
を収容しておくだめのカセット（財）（至）が設けられ
ている。

即ち本実施例によれば基板搬送室（２）に近接して２つ
の仕込み−取り出し室ｍ１ｌ（イ）が設けられているの
であるが、このような構成の作用について以下説明する
。

今、仕込み−取り出し室＋２１１　（２２には図示して
いるが、いずれの室（２１）＠においてもカセットＨ）
乃至（支））は存在していないものとする。即ち仕切り
バルブ（ロ）（至））は閉じており室（２１）□□□内
は大気と連通しているものとする。この状態で一方の仕
込み−取り出し室彰１）内に未処理の基板を収納させた
カセット隣）が図示する位置に搬入され、かつ処理済の
基板を収納するためのカセット（財）が導入される。こ
のあと室（２１）内は密閉状態におかれて室内は排気さ
れる。そして所定の真空度に排気した後、仕切りバルブ
（ロ）が開放され、搬送機（８）によりカセット（至）
から未処理の基板を一枚とり、所定の軌跡に沿って移送
し第１のスパッタ処理室（４）に搬入し、ここで第１の
スパッタ処理を受ける。そしてこの処理を受けた後、搬
送機（３）により第２のスパッタ処理室（５）ヘト第１
のスパッタ処理済みの基板を搬入する。搬送機（８）は
この後、仕込み−取り出し室（２１）から次の未処理の
基板をカセット俟）から取り上げて第１のスパッタ処理
室（４）へと搬入する。以下の工程は第３図で説明した
従来例と同様である。

以上のような工程中において他方の仕込み−取り出し室
に）内に未処理の基板を何枚か収納したカセット（財）
及び処理済みの基板を収納すべきカセット（至）が搬入
される。そして室翰が密閉状態にした後、図示しない排
気系により室□□□）内は排気され所定の真空度になる
と仕切りバルブ（財））が開放される。

なお他方の仕込み−取り出し室＠１）内の未処理の基板
−）が未だ残っており、上述のような作用を行っている
間は仕切りバルブ＠）は閉じて減圧下において待機して
いてもよい。

第１の仕込み−取り出し室（２１１において未処理の基
板−）がすべて処理されると仕切りバルブ（ロ）が閉じ
られ仕込み−取り出し室（２１）内は大気へと戻され（
ベントされ〕た後、処理済みの基板を収納したカセット
−及び空になったカセット！２３１が外部へと取り出さ
れ、次の未処理の基板を収納したカセット例および処理
済みの基板を収納するためのカセット−が搬入され、こ
の後、室内は密閉状態にした後、所定の真空度まで排気
される。

なお一方の仕込み−取り出し室（２１）内の基板がすべ
て処理されて、仕切りバルブ（ロ）が閉じた後、直ちに
搬送機（３）により他方の仕込み−取り出し室に）内で
待機しているカセット（財）から基板を取り上げて第１
のスパッタ処理室（４）へと運ぶ。以下の作用は一方の
仕込み−取り出し室（２１）で述べたと同様である。そ
してこの第２の仕込み−取り出し室に）においてもカセ
ット（財）における未処理の基板をすべて処理して他方
のカセット（至）に移した後は、仕切りバルブ（財））
が閉じられ、仕込み−取り出し室−内は大気に戻されて
、カセット−に）は外部に取り出され、次の未処理の基
板を収納したカセット■及び処理済の基板を収納するカ
セット（至）が搬入された後、密閉状態にして所定の真
空度に排気され、一方の仕込み−取り出し室（２１）に
おける未処理の基板がすべて処理されるまで待機する。

以上のようにして本実施例によればスパッタ処理室（４
）（５）は常にスパッタ処理を行っていてロスタイムが
全くない。即ち第３図の従来例では仕込み−取り出し室
（６）の排気及びベントの時間中はスパッタ処理室（４
）（６）では全くスパッタ処理作用が行われていなかっ
たが、本実施例だよれば一方の仕込み−取り出し室体１
）から未処理の基板を取り上げこれを第１スパツタ処理
した後、第２スパツタ処理をし、処理済み用のカセット
例へ搬入する工程中においてすでにベントと排気とを終
えて未処理の基板を収容した他方の仕込み−取り出し室
（財）が−方の仕込み−取り出し室（２１）の基板がす
べて処理されるまで待機している。これが順次、繰返さ
れるので全工程における排気、ベントの占める時間は無
視し得る程度になり、従来にくらべてスループット即ち
基板の生産効率は一段と向上させる事が出来る。

第２図は本発明の第２実施例を示すものである。

やはり第３図に対応する部分については同一の符号を付
しその詳細な説明は省略する。なお第２図においては搬
送機（８）は第１図と異なった位置にあるが同じ搬送機
であり一方の処理室だ未処理の基板を搬入した直後の位
置を示しているにすぎない。

即ち本実施例による真空処理装置は全体として（Ｒｏｔ
で示されるが、基板搬送室（２）に近接して仕切りバル
ブ（ハ）姉）を介してエツチング処理室−及びスパッタ
処理室（痢が配設されている。そしてこれらに対向して
仕込み−取り出し室（３）Ｉ￥７）が仕切りバルブ（３
８１（２））を介して基板搬送室（２）に近接して配設
されている。本実施例によれば未処理の基板を収納する
カセット及び処理済みの基板を収納するカセットは共通
であり上下て未処理及び処理済みの基板を収納するよう
にしている。更に本実施例によれば基板搬送室（２）に
近接して予熱室内）が設けられている。

作用については第１実施例とほば同様であるが本実施例
ではカセットが共通であるために未処理の基板を収納す
るカセット及び処理済みの基板を収納するカセットを仕
込み−取り出し室から取り出し、及び搬入する第１実施
例の操作より簡単となる。それだけ生産効率を上げる事
が出来る。また本実施例では搬送機（８）により各基板
は先づ予熱室（８１）で所定温度で加熱された後にエツ
チング処理室−へと搬入される。次いでスパッタ処理室
側へと搬入される。

第２実施例においても第１実施例と同様な効果を奏する
事は明らかである。

以上、本発明の各実施例について説明しだが、勿論、本
発明はこれら実施例に限定される事なく本発明の技術的
思想に基づいて種々の変形が可能である。

例えば以上の実施例では仕込み−取り出し室を２箇所設
けるようにしたが更に多く３箇所、４箇所又はそれ以上
設けるようにしてもよい。まだ真空処理室としては第１
実施例では第１、第２のスパッタ処理室（４）（５）及
び第２実施例ではエツチング室（支）とスパッタ処理室
間を説明したが、勿論これ以外の真空処理室、例えばプ
ラズマＣＶＤ室やアニール室としてもよい。あるいはこ
れらの任意の組合せが考えられる。

〔発明の効果〕

以上述べたように本発明の真空処理室においては極めて
簡単な構成であるにもか＼わらず真空処理の生産効率を
従来より一段と向上させる事が出来る。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第１実施例による真空処理装置の概略
断面図、第２図は同第２実施例の概略断面図及び第３図
は従来例の真空処理装置の概略断面図である。 なお図において

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 基板搬送室と、該基板搬送室に近接して配設された真空
   処理室と、前記基板搬送室に開閉自在な仕切バルブを介
   して近接して配設され、未処理及び前記真空処理室で所
   定の処理を施された処理済の基板を収容する仕込−取出
   室とを備えた基板処理装置において、前記仕込−取出室
   を前記基板搬送室の周りに近接して少なくとも２室以上
   設けたことを特徴とする真空処理装置。