JPS6244571A - イオン注入装置 - Google Patents
イオン注入装置Info
- Publication number
- JPS6244571A JPS6244571A JP18277285A JP18277285A JPS6244571A JP S6244571 A JPS6244571 A JP S6244571A JP 18277285 A JP18277285 A JP 18277285A JP 18277285 A JP18277285 A JP 18277285A JP S6244571 A JPS6244571 A JP S6244571A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- chamber
- ion implantation
- vacuum lock
- time
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明はイオン注入装置に関する。
従来のイオン注入装置の一例を第６図および第７図によ
り述べる。イオン注入用のチャンバ１１内に１Ｏ−６Ｔ
ｏｕｒ ［Ｉｆの真空に保たれており、ここには割り出
し台１２とファラデーカップ１３と不図示のウェハ搬送
ｗ１構等とが設けである。割り出し甘１２はウェハ１４
を不図示のクラ／グ機構を介して固定する一対のプラテ
ン１５お工び１６を有し、これは軸Ｚｆｔ甲心として１
８０３の割り出し回転が行われる。なお回転方向は一方
向或いは正逆交互のいづれでもよい。
り述べる。イオン注入用のチャンバ１１内に１Ｏ−６Ｔ
ｏｕｒ ［Ｉｆの真空に保たれており、ここには割り出
し台１２とファラデーカップ１３と不図示のウェハ搬送
ｗ１構等とが設けである。割り出し甘１２はウェハ１４
を不図示のクラ／グ機構を介して固定する一対のプラテ
ン１５お工び１６を有し、これは軸Ｚｆｔ甲心として１
８０３の割り出し回転が行われる。なお回転方向は一方
向或いは正逆交互のいづれでもよい。
ファラデ−カップ１３Ｕ第７図において下側のプラテン
１５に対し隙間を有して対向しており、これはイオン注
入の際ウェハ１４から成敗する２次電子をウェハ１４に
戻すためのものであって、マイナス電圧が与えられてお
り上記隙間は可能な限り小さい万がよい。°またファラ
デーカップ１３はプラテン１５等が割り出し回転をする
ときこれと干渉するのを避けるため回転をするときは一
迂後退（左進）し次いで図示の位置に戻る。なお図にお
いて大きな矢印８はイオンビームである。
１５に対し隙間を有して対向しており、これはイオン注
入の際ウェハ１４から成敗する２次電子をウェハ１４に
戻すためのものであって、マイナス電圧が与えられてお
り上記隙間は可能な限り小さい万がよい。°またファラ
デーカップ１３はプラテン１５等が割り出し回転をする
ときこれと干渉するのを避けるため回転をするときは一
迂後退（左進）し次いで図示の位置に戻る。なお図にお
いて大きな矢印８はイオンビームである。
チャンバ１ｌＫｆｌウエハ１４の搬入および搬出のため
の真空ロック室１７および１８がこれに接して設けられ
ており、各真空ロック室１７および１８はそれぞれ一対
のパルプ１９Ａ・１９Ｂ・２ＯＡ・２Ｏｆｌ金有しかつ
室内を真空引きするための配！（図示せず）と室内に乾
燥窒素を導入し大気圧まで高めるだめの配管（図示せず
）とが接続されている。この真空ロック室１７および１
８は真空引きの時間ｆ、虐小にするため容積は可能な限
り小さくする。
の真空ロック室１７および１８がこれに接して設けられ
ており、各真空ロック室１７および１８はそれぞれ一対
のパルプ１９Ａ・１９Ｂ・２ＯＡ・２Ｏｆｌ金有しかつ
室内を真空引きするための配！（図示せず）と室内に乾
燥窒素を導入し大気圧まで高めるだめの配管（図示せず
）とが接続されている。この真空ロック室１７および１
８は真空引きの時間ｆ、虐小にするため容積は可能な限
り小さくする。
前述した従来例の動作を述べる。カセット２８から取り
出されたウェハ１４は既に開かれているパルプ１９Ａを
通って真空ロック室１７に入りこのときパルプ１９Ｂｉ
閉ざされている。とこでパルプ１９Ａを閉じ真空ロック
室１７を真空引きし所定の真空に達すると、パルプ１９
Ｂｆ開いてウェハ１４をチャンバｌｌ内に移動しさらに
プラテン１６に載置されてクランプされる。ウェハ１４
がチャンバｌｌ内に移動きれると直ちにパルプ１９Ｂ？
閉じてＪｌｃ空ロック室１７には乾燥窒素が導入され、
同ｇ１７内が大気圧に達するとパルプ１９ＡＨ開いて新
しいウェハがカセット２８から送られる。ウェハ１４を
載置し几プラテン１６はＺｓｒ中心にして１８０１割り
出し回転を行い第７図のプラテン１５の置かれた下方位
置でイオン注入を行い、イオン注入が終了するとプラテ
ン１６は再び１８０３割り出し回転されて図示の上方位
置に戻る。このとき真空ロック室１８は既に真空引きさ
れかつパルプ２０Ａは開いているためウェハ１４１ｒ同
呈１８に移し、次いでパルプ２ＯＡを閉じた後同室１８
に乾燥窒素を導入し大気圧になり友ときパルプ２０Ｂ’
ｉ開いて処理ずみのウエノ・１４ｔ−カセット２７に送
りこむ。ウェハ１４ｔ−真空ロック室１８から取り出す
と直ちにパルプ２０Ｂは閉ざされ同室１８の真空引きを
行い所定真空圧に達すると、パルプ２０Ａ？開いて次の
ウェハの導入を待つ。これで１枚のウェハのイオン注入
は終了する。
出されたウェハ１４は既に開かれているパルプ１９Ａを
通って真空ロック室１７に入りこのときパルプ１９Ｂｉ
閉ざされている。とこでパルプ１９Ａを閉じ真空ロック
室１７を真空引きし所定の真空に達すると、パルプ１９
Ｂｆ開いてウェハ１４をチャンバｌｌ内に移動しさらに
プラテン１６に載置されてクランプされる。ウェハ１４
がチャンバｌｌ内に移動きれると直ちにパルプ１９Ｂ？
閉じてＪｌｃ空ロック室１７には乾燥窒素が導入され、
同ｇ１７内が大気圧に達するとパルプ１９ＡＨ開いて新
しいウェハがカセット２８から送られる。ウェハ１４を
載置し几プラテン１６はＺｓｒ中心にして１８０１割り
出し回転を行い第７図のプラテン１５の置かれた下方位
置でイオン注入を行い、イオン注入が終了するとプラテ
ン１６は再び１８０３割り出し回転されて図示の上方位
置に戻る。このとき真空ロック室１８は既に真空引きさ
れかつパルプ２０Ａは開いているためウェハ１４１ｒ同
呈１８に移し、次いでパルプ２ＯＡを閉じた後同室１８
に乾燥窒素を導入し大気圧になり友ときパルプ２０Ｂ’
ｉ開いて処理ずみのウエノ・１４ｔ−カセット２７に送
りこむ。ウェハ１４ｔ−真空ロック室１８から取り出す
と直ちにパルプ２０Ｂは閉ざされ同室１８の真空引きを
行い所定真空圧に達すると、パルプ２０Ａ？開いて次の
ウェハの導入を待つ。これで１枚のウェハのイオン注入
は終了する。
このような従来例において、イオン注入量の少い場合即
ちイオン注入時間の短い場合は第８図に示すように、処
理ずみのウェハの取りはずしと新しいウェハの取りつけ
に要する時間Ｔｌがイオン圧入時間Ｔ２より長くなる。
ちイオン注入時間の短い場合は第８図に示すように、処
理ずみのウェハの取りはずしと新しいウェハの取りつけ
に要する時間Ｔｌがイオン圧入時間Ｔ２より長くなる。
このような場合Ｔ１にプラテンの割り出し時間Ｔ３を加
えｔサイクルタイムチ４からイオン注入時間Ｔ２を減じ
たイオンビーム遮断時間Ｔ５に長くなる。従ってイオン
ビームは有効に利用されないことになり単位時間当りの
ウェハ処理枚数であるスルーブッ）Ｕ低下する。
えｔサイクルタイムチ４からイオン注入時間Ｔ２を減じ
たイオンビーム遮断時間Ｔ５に長くなる。従ってイオン
ビームは有効に利用されないことになり単位時間当りの
ウェハ処理枚数であるスルーブッ）Ｕ低下する。
本発明はこのような欠点を除去したものでその目的は、
プラテンに対するウェハの取りつけと取りにずしを別の
ステーションで行うことによりウェハの取りつけと取り
はずしに要する時間を短縮しもってスループットを向上
させたイオン注入装置を提供することにある。
プラテンに対するウェハの取りつけと取りにずしを別の
ステーションで行うことによりウェハの取りつけと取り
はずしに要する時間を短縮しもってスループットを向上
させたイオン注入装置を提供することにある。
本発明のイオン注入装置は、イオン注入を行うチャンバ
内にウェハの割り出し台とファラデーカップとウェハ搬
送機構とを有しかつウェハの搬入および搬出のための真
空ロック室をチャンバに接ステージ冒ンに対し順次割り
出し回転する割り出し台と、チャンバに接してそれぞれ
２欠づつ設は友真空ロック室と含有することを特徴にし
ている。
内にウェハの割り出し台とファラデーカップとウェハ搬
送機構とを有しかつウェハの搬入および搬出のための真
空ロック室をチャンバに接ステージ冒ンに対し順次割り
出し回転する割り出し台と、チャンバに接してそれぞれ
２欠づつ設は友真空ロック室と含有することを特徴にし
ている。
以下本発明の一実施例を示した第１図ないし第４図につ
いて説明する。第３図および第４図は割個のプラテン２
０Ａないし２０Ｃｉ有しこれらのプラテン２０Ａ等は下
面が腕２１により互に連結され、かつ腕２１は軸２２．
に固着されているため割り出し台２０に一方向（第３図
では一例として反時計方向）に１２０３づつ割り出し回
転がなされる。第３図において工はイオン注入ステーシ
ョンであって第４図に示すようにファラデーカップ】３
１ｃ対向しており、ａｈ取り外しステージ１ンであり、
■は取り付はステーションであり、１４Ｈウエハである
。割り出し台２０はファラデーカップ１３に対しその軸
直角平面上全回転するため、両者は極めて接近し次位置
に配置することが可能であり、さらにファラデーカップ
１３に移動する必要がない。このｔめ機構が簡単になっ
てコストを低く押えられると共に、摩耗粉の発生も押え
られる。
いて説明する。第３図および第４図は割個のプラテン２
０Ａないし２０Ｃｉ有しこれらのプラテン２０Ａ等は下
面が腕２１により互に連結され、かつ腕２１は軸２２．
に固着されているため割り出し台２０に一方向（第３図
では一例として反時計方向）に１２０３づつ割り出し回
転がなされる。第３図において工はイオン注入ステーシ
ョンであって第４図に示すようにファラデーカップ】３
１ｃ対向しており、ａｈ取り外しステージ１ンであり、
■は取り付はステーションであり、１４Ｈウエハである
。割り出し台２０はファラデーカップ１３に対しその軸
直角平面上全回転するため、両者は極めて接近し次位置
に配置することが可能であり、さらにファラデーカップ
１３に移動する必要がない。このｔめ機構が簡単になっ
てコストを低く押えられると共に、摩耗粉の発生も押え
られる。
また第４図においてウェハ１４はイオン圧入面に塵埃等
を付層させないようにし、歩留りと品質と向上させるた
め、垂直面でプラテン２０Ａに取り付けるようになって
いるが、その面を真下に向けてもよいし中間の角度でも
よくζら＆ｔこｋｎに近ければ上向きでもよい。友だし
、このウェハ１４の位置に応じてイオンビームの入射７
同が定められる。第１図ふ・工び第２図に全体的な配置
ｎを示した２語であって、１Ｏ−６Ｔｏｒｒ程度の真空
に保たれたイオン注入°用のチャンバ２６には、ウェハ
１４の搬送お：び搬出のための真空ロック室が１７Ａ−
１７Ｂそして１８Ａ・１８Ｂとして２真づつ設けられ、
さらに不図示のウェハ搬送機構が設けられている。
を付層させないようにし、歩留りと品質と向上させるた
め、垂直面でプラテン２０Ａに取り付けるようになって
いるが、その面を真下に向けてもよいし中間の角度でも
よくζら＆ｔこｋｎに近ければ上向きでもよい。友だし
、このウェハ１４の位置に応じてイオンビームの入射７
同が定められる。第１図ふ・工び第２図に全体的な配置
ｎを示した２語であって、１Ｏ−６Ｔｏｒｒ程度の真空
に保たれたイオン注入°用のチャンバ２６には、ウェハ
１４の搬送お：び搬出のための真空ロック室が１７Ａ−
１７Ｂそして１８Ａ・１８Ｂとして２真づつ設けられ、
さらに不図示のウェハ搬送機構が設けられている。
次にＷ、１図および第２図により動作を説明する。
カセット２８から収り出さ一！−Ｌ定ウェハＩ４に既に
バルブ１９Ａが開かれているＸＪＥ空ロック室１７Ａに
入りこのときバルブ１９Ｂは閉ざ寧れている。ここでバ
ルブ１９Ａ’ｉ閉じ真空ロック室＋７Ａを真空引きし所
定の真空圧に達するとバルブ１９Ｂ：開いてウェハ１４
ｉチヤンバ２６内に入れ、さらに取り付はステーション
ＩＩＩ （Ｗｋ３図参照）に置かれたプラテン２０Ｃに
取り付けられかつ不図示のクランプ機構にクランプされ
る。なお上記しｔ真空ロック呈１７Ａの真空引きのとき
に他側の真空ロック室１７Ｂへ別のウェハ１４が搬入さ
れかつ真空引きされる。
バルブ１９Ａが開かれているＸＪＥ空ロック室１７Ａに
入りこのときバルブ１９Ｂは閉ざ寧れている。ここでバ
ルブ１９Ａ’ｉ閉じ真空ロック室＋７Ａを真空引きし所
定の真空圧に達するとバルブ１９Ｂ：開いてウェハ１４
ｉチヤンバ２６内に入れ、さらに取り付はステーション
ＩＩＩ （Ｗｋ３図参照）に置かれたプラテン２０Ｃに
取り付けられかつ不図示のクランプ機構にクランプされ
る。なお上記しｔ真空ロック呈１７Ａの真空引きのとき
に他側の真空ロック室１７Ｂへ別のウェハ１４が搬入さ
れかつ真空引きされる。
ウェハ１４かチャンバ２６内に入ると直ちにバルブ１９
Ｂは閉ざされ真空ロック室１７Ａに乾燥窒素が導入上れ
、同室１７Ａ内が大気圧に達するとパル７’ １９ Ａ
が開いて新しいウェハがカセット２８から送られてくる
。ウェハ１４を取り付は比プラテン２０Ｃｉ−第３図に
おいて反時計方向に１２０″回転させると第２図に示す
ようにウェハ１４ぼファラデーカップ１３に対向しイオ
ンビーム８？受げてイオン注入される。イオン注入が終
了するとプラテン２０Ｃぼさらに反時計方向へ１２０３
回転して取りはずしステージ３ン■にｔｉｔし、ここで
ウェハ１４はプラテン２０Ｃから取り外される。この状
態のとき真空ロック室１８Ａは既に真空引きさｉており
かつバルブ２０ Ａ［開いているためウェハは同室１８
Ａ内に送りこまれる。
Ｂは閉ざされ真空ロック室１７Ａに乾燥窒素が導入上れ
、同室１７Ａ内が大気圧に達するとパル７’ １９ Ａ
が開いて新しいウェハがカセット２８から送られてくる
。ウェハ１４を取り付は比プラテン２０Ｃｉ−第３図に
おいて反時計方向に１２０″回転させると第２図に示す
ようにウェハ１４ぼファラデーカップ１３に対向しイオ
ンビーム８？受げてイオン注入される。イオン注入が終
了するとプラテン２０Ｃぼさらに反時計方向へ１２０３
回転して取りはずしステージ３ン■にｔｉｔし、ここで
ウェハ１４はプラテン２０Ｃから取り外される。この状
態のとき真空ロック室１８Ａは既に真空引きさｉており
かつバルブ２０ Ａ［開いているためウェハは同室１８
Ａ内に送りこまれる。
次いでバルブ２０Ａを閉じ同室１８Ａに乾燥窒素を導入
し、同室１８Ａ内の気圧が大気圧になるとバルブ２０Ｂ
を開いてウェハ１４をカセット２７に入れる。真空ロッ
ク室１８Ａ、１８Ｂは同１７Ａ、１７Ｂと同様に交互に
１吏用される。これをもって１枚のウェハ１４のイオン
注入ぼ終了し続いてパルプ２０Ｂｉ閉じて真空ロック室
１８Ａの真空引きを行い、所定の真空になりｔときバル
ブ２０Ａを開かて次のウェハがくるのを待つ。
し、同室１８Ａ内の気圧が大気圧になるとバルブ２０Ｂ
を開いてウェハ１４をカセット２７に入れる。真空ロッ
ク室１８Ａ、１８Ｂは同１７Ａ、１７Ｂと同様に交互に
１吏用される。これをもって１枚のウェハ１４のイオン
注入ぼ終了し続いてパルプ２０Ｂｉ閉じて真空ロック室
１８Ａの真空引きを行い、所定の真空になりｔときバル
ブ２０Ａを開かて次のウェハがくるのを待つ。
本発明における各動作の所要時間含水したのが４５図で
ろって、ウェハの取り付けと取り外しとは別のステージ
目ンで行っているｔめ、従来のように直列になっ几長Ｌ
ｎ’ｌ’ １ （第８図参照）ではなく並列の短いＴｌ
０ｅありこれにイオン注入時間下 Ｔ２工り短い。従ってサイクルタイム１１はイオヘ ン注入時間Ｖこ割り出し台２００割り出し回転時間′ｒ
３を加えｔ時間である。
ろって、ウェハの取り付けと取り外しとは別のステージ
目ンで行っているｔめ、従来のように直列になっ几長Ｌ
ｎ’ｌ’ １ （第８図参照）ではなく並列の短いＴｌ
０ｅありこれにイオン注入時間下 Ｔ２工り短い。従ってサイクルタイム１１はイオヘ ン注入時間Ｖこ割り出し台２００割り出し回転時間′ｒ
３を加えｔ時間である。
′１’ｔ’ｔｘ璧ａツク呈１７Ａ等Ｖこおけるウェハの
送入と取り出しは、ウェハ送入・真空引き・ウェハ取り
出し・窒素ガス導入の各動作がめる之めその時間Ｔ１２
にかなり長くサイクルタイムＴｌｌより長いが、本発明
では真空ロック室は１７Ａ・１７Ｂおよびｌ ８Ａ−１
８ｉ３と搬入側および搬出側にそれぞれ２＃づつ設ける
ようにしたため実際ノ時閣はＴ１２のｌ／２になる。即
ちサイクルタイム゛１１１１よりは短くなる。
送入と取り出しは、ウェハ送入・真空引き・ウェハ取り
出し・窒素ガス導入の各動作がめる之めその時間Ｔ１２
にかなり長くサイクルタイムＴｌｌより長いが、本発明
では真空ロック室は１７Ａ・１７Ｂおよびｌ ８Ａ−１
８ｉ３と搬入側および搬出側にそれぞれ２＃づつ設ける
ようにしたため実際ノ時閣はＴ１２のｌ／２になる。即
ちサイクルタイム゛１１１１よりは短くなる。
本発明のイオン注入装置は以上説明したように、ウェハ
の取り付けと取り外しとを別のステーシランで行うよう
にし几ごとならびにチャンバに対すにエリ割り出し台が
割り出し回転をしている間もイオン注入が可能になり、
従来のサイクルタイムに比較すると時間は大巾に短縮さ
れ、かつ装置の運転中はとんどの時間がイオン注入に開
用されているためイオンビームに有効に利用される。
の取り付けと取り外しとを別のステーシランで行うよう
にし几ごとならびにチャンバに対すにエリ割り出し台が
割り出し回転をしている間もイオン注入が可能になり、
従来のサイクルタイムに比較すると時間は大巾に短縮さ
れ、かつ装置の運転中はとんどの時間がイオン注入に開
用されているためイオンビームに有効に利用される。
第１図ないし第４図は本発明の一実施例を示し第１図に
平面図、第２図は側面図、第３図は割り出し台の平面図
、第４図は割り出し台とファラデーカップの側面図、第
５図は本発明の割り出し台に係る動作時間の説明図、第
６図および第７図は５従来例を示し第６図に平面図、第
７図は側面図、第８図は従来例の割り出し台に係る動作
時間と真空ロック呈の動作時間の説明図である。
平面図、第２図は側面図、第３図は割り出し台の平面図
、第４図は割り出し台とファラデーカップの側面図、第
５図は本発明の割り出し台に係る動作時間の説明図、第
６図および第７図は５従来例を示し第６図に平面図、第
７図は側面図、第８図は従来例の割り出し台に係る動作
時間と真空ロック呈の動作時間の説明図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 イオン圧入を行うチャンバ内にウェハの割り出し台とフ
ァラデーカップとウェハ搬送機構とを有しかつ前記ウェ
ハの搬入および搬出のための真空ロック室を前記チャン
バに接して設けたイオン注入装置において、 等間隔に配置した３個のプラテンを有しこれらのプラテ
ンを注入ステーション・ウェハ取り外しステーション・
ウェハ取り付けステーションの３ステーションに対し順
次割り出し回転する前記割り出し台と、前記チャンバに
接してそれぞれ２つづつ設けた前記真空ロック室とを有
するイオン圧入装置。 ２）プラテンのウェハ取付面を、垂直・水平下向き・垂
直と水平下向きの中間、ならびに垂直に近い上向きのい
ずれかにしたことを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載のイオン注入装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18277285A JPS6244571A (ja) | 1985-08-20 | 1985-08-20 | イオン注入装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18277285A JPS6244571A (ja) | 1985-08-20 | 1985-08-20 | イオン注入装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6244571A true JPS6244571A (ja) | 1987-02-26 |
Family
ID=16124148
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18277285A Pending JPS6244571A (ja) | 1985-08-20 | 1985-08-20 | イオン注入装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6244571A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6364770U (ja) * | 1986-10-15 | 1988-04-28 | ||
| JPH028369A (ja) * | 1988-01-29 | 1990-01-11 | Anelva Corp | 真空処理装置 |
| US6070341A (en) * | 1990-08-29 | 2000-06-06 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing and operating method with wafers, substrates and/or semiconductors |
| US7089680B1 (en) | 1990-08-29 | 2006-08-15 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing apparatus and operating method therefor |
| USRE39756E1 (en) | 1990-08-29 | 2007-08-07 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing operating method with wafers, substrates and/or semiconductors |
| USRE39776E1 (en) | 1990-08-29 | 2007-08-21 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing apparatus and operating method with wafers, substrates and/or semiconductors |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59208074A (ja) * | 1983-05-13 | 1984-11-26 | Toshiba Corp | 枚葉式膜形成装置 |
-
1985
- 1985-08-20 JP JP18277285A patent/JPS6244571A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59208074A (ja) * | 1983-05-13 | 1984-11-26 | Toshiba Corp | 枚葉式膜形成装置 |
Cited By (44)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6364770U (ja) * | 1986-10-15 | 1988-04-28 | ||
| JPH028369A (ja) * | 1988-01-29 | 1990-01-11 | Anelva Corp | 真空処理装置 |
| US6634116B2 (en) | 1990-08-09 | 2003-10-21 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing apparatus |
| US6487794B2 (en) | 1990-08-29 | 2002-12-03 | Hitachi, Ltd. | Substrate changing-over mechanism in vacuum tank |
| US6332280B2 (en) | 1990-08-29 | 2001-12-25 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing apparatus |
| US6263588B1 (en) | 1990-08-29 | 2001-07-24 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing apparatus and operating method therefor |
| US6487793B2 (en) | 1990-08-29 | 2002-12-03 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing apparatus and operating method therefor |
| US6301802B1 (en) | 1990-08-29 | 2001-10-16 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing apparatus and operating method therefor |
| US6490810B2 (en) | 1990-08-29 | 2002-12-10 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing apparatus |
| US6330756B1 (en) | 1990-08-29 | 2001-12-18 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing apparatus and operating method therefor |
| US6487791B2 (en) | 1990-08-29 | 2002-12-03 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing apparatus |
| US6446353B2 (en) | 1990-08-29 | 2002-09-10 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing apparatus |
| US6457253B2 (en) | 1990-08-29 | 2002-10-01 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing apparatus |
| US6460270B2 (en) | 1990-08-29 | 2002-10-08 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing apparatus |
| US6463678B2 (en) | 1990-08-29 | 2002-10-15 | Hitachi, Ltd. | Substrate changing-over mechanism in a vaccum tank |
| US6463676B1 (en) | 1990-08-29 | 2002-10-15 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing apparatus and operating method therefor |
| US6467187B2 (en) | 1990-08-29 | 2002-10-22 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing apparatus and operating method therefor |
| US6467186B2 (en) | 1990-08-29 | 2002-10-22 | Hitachi, Ltd. | Transferring device for a vacuum processing apparatus and operating method therefor |
| US6470596B2 (en) | 1990-08-29 | 2002-10-29 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing apparatus and operating method therefor |
| US6473989B2 (en) | 1990-08-29 | 2002-11-05 | Hitachi, Ltd. | Conveying system for a vacuum processing apparatus |
| US6484415B2 (en) | 1990-08-29 | 2002-11-26 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing apparatus |
| US6484414B2 (en) | 1990-08-29 | 2002-11-26 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing apparatus |
| US6108929A (en) * | 1990-08-29 | 2000-08-29 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing apparatus |
| US6301801B1 (en) | 1990-08-29 | 2001-10-16 | Shigekazu Kato | Vacuum processing apparatus and operating method therefor |
| US6112431A (en) * | 1990-08-29 | 2000-09-05 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing and operating method |
| US6330755B1 (en) | 1990-08-29 | 2001-12-18 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing and operating method |
| US6499229B2 (en) | 1990-08-29 | 2002-12-31 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing apparatus |
| US6505415B2 (en) | 1990-08-29 | 2003-01-14 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing apparatus |
| US6588121B2 (en) | 1990-08-29 | 2003-07-08 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing apparatus |
| US6625899B2 (en) | 1990-08-29 | 2003-09-30 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing apparatus |
| US6070341A (en) * | 1990-08-29 | 2000-06-06 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing and operating method with wafers, substrates and/or semiconductors |
| US6655044B2 (en) | 1990-08-29 | 2003-12-02 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing apparatus and operating method therefor |
| US6662465B2 (en) | 1990-08-29 | 2003-12-16 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing apparatus |
| US6880264B2 (en) | 1990-08-29 | 2005-04-19 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing apparatus and operating method therefor |
| US6886272B2 (en) | 1990-08-29 | 2005-05-03 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing apparatus and operating method therefor |
| US6904699B2 (en) | 1990-08-29 | 2005-06-14 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing apparatus and operating method therefor |
| US6968630B2 (en) | 1990-08-29 | 2005-11-29 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing apparatus and operating method therefor |
| US7089680B1 (en) | 1990-08-29 | 2006-08-15 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing apparatus and operating method therefor |
| USRE39756E1 (en) | 1990-08-29 | 2007-08-07 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing operating method with wafers, substrates and/or semiconductors |
| USRE39776E1 (en) | 1990-08-29 | 2007-08-21 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing apparatus and operating method with wafers, substrates and/or semiconductors |
| USRE39775E1 (en) | 1990-08-29 | 2007-08-21 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing operating method with wafers, substrates and/or semiconductors |
| USRE39823E1 (en) | 1990-08-29 | 2007-09-11 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing operating method with wafers, substrates and/or semiconductors |
| USRE39824E1 (en) | 1990-08-29 | 2007-09-11 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing apparatus and operating method with wafers, substrates and/or semiconductors |
| US7367135B2 (en) | 1990-08-29 | 2008-05-06 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing apparatus and operating method therefor |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4548699A (en) | Transfer plate rotation system | |
| US4534314A (en) | Load lock pumping mechanism | |
| US4664062A (en) | Apparatus for manufacturing semiconductors | |
| JP2600399B2 (ja) | 半導体ウエーハ処理装置 | |
| JPS6244571A (ja) | イオン注入装置 | |
| JPH0719149Y2 (ja) | 二重フオーク横型搬送装置 | |
| JPS60113428A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JP2884753B2 (ja) | イオン処理装置 | |
| JP3452422B2 (ja) | 真空処理装置 | |
| JP2639093B2 (ja) | イオン処理装置 | |
| JPH01120811A (ja) | 半導体ウエハ処理装置 | |
| JP2626782B2 (ja) | 真空処理装置 | |
| JPH0652721B2 (ja) | 半導体ウエハ処理装置 | |
| JPS61159570A (ja) | イオン注入装置 | |
| JPH09129571A (ja) | 処理装置および処理方法 | |
| JPS62204515A (ja) | 試料の搬送装置 | |
| JPH0367451A (ja) | イオン注入装置 | |
| JPS61168934A (ja) | ウエハハンドリング方法 | |
| KR960001463Y1 (ko) | 고속 회전 이온 주입시 웨이퍼 파손 방지를 위한 기억자형 웨이퍼 지지핀 | |
| JPH06140294A (ja) | 真空処理装置 | |
| JPS57205955A (en) | Ion implanting device | |
| JPH05230673A (ja) | ドライエッチング装置 | |
| JPH0669034B2 (ja) | 回転式連続気相真空プロセス装置 | |
| JPH0280569A (ja) | ロードロック機構を備えたミリング装置 | |
| JPH0429562Y2 (ja) |