JPH05299366A - 熱処理装置 - Google Patents
熱処理装置Info
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- JPH05299366A JPH05299366A JP9812092A JP9812092A JPH05299366A JP H05299366 A JPH05299366 A JP H05299366A JP 9812092 A JP9812092 A JP 9812092A JP 9812092 A JP9812092 A JP 9812092A JP H05299366 A JPH05299366 A JP H05299366A
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- heat
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- heat treatment
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 耐熱性、耐リーク性に優れ、しかも結露や不
要堆積物の発生を有効に防止することができる熱処理装
置を提供すること。 【構成】 熱処理装置のプロセスチューブ１に処理ガス
を導入するためのガス導入管７と継手７１との接続部及
び反応後のガスを排気するための排気管８と継手８１と
の接続部に高純度の石英繊維からなるシール部材を配設
する。繊維状のシール部材はクッション性、耐熱性、耐
腐食性に優れ、これら接続部にＯリングの代りに入れる
ことにより接続部の密着を確実にするとともに、高温の
廃ガスにさらされても分解したり腐食することがない。
従って、密閉容器へのガスの流入、容器からのガスの流
出を完全に防ぐことができ、これらガスの流出入に伴う
処理の不安定化や廃ガスによる周囲の腐食、汚染の問題
がない。
要堆積物の発生を有効に防止することができる熱処理装
置を提供すること。 【構成】 熱処理装置のプロセスチューブ１に処理ガス
を導入するためのガス導入管７と継手７１との接続部及
び反応後のガスを排気するための排気管８と継手８１と
の接続部に高純度の石英繊維からなるシール部材を配設
する。繊維状のシール部材はクッション性、耐熱性、耐
腐食性に優れ、これら接続部にＯリングの代りに入れる
ことにより接続部の密着を確実にするとともに、高温の
廃ガスにさらされても分解したり腐食することがない。
従って、密閉容器へのガスの流入、容器からのガスの流
出を完全に防ぐことができ、これらガスの流出入に伴う
処理の不安定化や廃ガスによる周囲の腐食、汚染の問題
がない。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体ウェハ等の被
処理体を加熱下で処理するための熱処理装置に関する。
処理体を加熱下で処理するための熱処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から、半導体製造工程においては、
半導体ウェハ上に薄膜や酸化膜を積層したり、あるいは
不純物の拡散等を行うのに、ＣＶＤ装置、酸化膜形成装
置、あるいは拡散装置等が用いられる。これらの装置に
は、半導体ウェハを複数枚水平に支持可能な石英ボート
等で支持して、高温加熱した反応容器内に導入される処
理ガスにより処理を行う熱処理装置があり、熱処理装置
は高温、加熱により複数枚同時に迅速に処理が行えるた
めに多用されている。
半導体ウェハ上に薄膜や酸化膜を積層したり、あるいは
不純物の拡散等を行うのに、ＣＶＤ装置、酸化膜形成装
置、あるいは拡散装置等が用いられる。これらの装置に
は、半導体ウェハを複数枚水平に支持可能な石英ボート
等で支持して、高温加熱した反応容器内に導入される処
理ガスにより処理を行う熱処理装置があり、熱処理装置
は高温、加熱により複数枚同時に迅速に処理が行えるた
めに多用されている。
【０００３】このような熱処理装置は、図３に示すよう
に耐熱材料、例えば石英ガラス等から成る筒状のプロセ
スチューブ１００を直立させて設け、このプロセスチュ
ーブを包囲して内部を９００〜１２００℃以上の高温に
加熱するヒータ１０１を備えている。プロセスチューブ
１００の下方は開口部１００ａとなっており、半導体ウ
ェハＷを水平に複数枚支持した耐熱性の石英ボート１０
２が搬入出可能となっている。開口部１００ａには、内
部を気密に保持するためＯリング等を介して蓋体１０３
が設けられる。蓋体１０３は、上下駆動機構１０４に支
持され、プロセスチューブ１００の開口部１００ａの開
閉を行うようになっている。蓋体上１０３には、内部に
ヒータを設けた保温筒１０５が備えられ、保温筒１０５
上に載置される半導体ウェハＷを支持した石英ボート１
０２の下部がその上部より低温にならないように保温し
て、半導体ウェハＷが均一温度に加熱されて均一処理が
なされるようにしている。
に耐熱材料、例えば石英ガラス等から成る筒状のプロセ
スチューブ１００を直立させて設け、このプロセスチュ
ーブを包囲して内部を９００〜１２００℃以上の高温に
加熱するヒータ１０１を備えている。プロセスチューブ
１００の下方は開口部１００ａとなっており、半導体ウ
ェハＷを水平に複数枚支持した耐熱性の石英ボート１０
２が搬入出可能となっている。開口部１００ａには、内
部を気密に保持するためＯリング等を介して蓋体１０３
が設けられる。蓋体１０３は、上下駆動機構１０４に支
持され、プロセスチューブ１００の開口部１００ａの開
閉を行うようになっている。蓋体上１０３には、内部に
ヒータを設けた保温筒１０５が備えられ、保温筒１０５
上に載置される半導体ウェハＷを支持した石英ボート１
０２の下部がその上部より低温にならないように保温し
て、半導体ウェハＷが均一温度に加熱されて均一処理が
なされるようにしている。
【０００４】このようなプロセスチューブ１００内に処
理ガスを導入するため、処理ガス供給系（図示せず）に
接続された処理ガス導入管１０７がプロセスチューブ１
００の下方から側壁に添って上部まで設けられ、導入管
１０７を通過する間に加熱された処理ガスがプロセスチ
ューブ１００の上部に設けられた供給口１０６から供給
される。そして、半導体ウェハＷを処理して生成された
反応生成物は、余剰の処理ガスと共に、排気装置に接続
されたプロセスチューブ１００の下方に設けられた排気
口２００から排出されるようになっている。
理ガスを導入するため、処理ガス供給系（図示せず）に
接続された処理ガス導入管１０７がプロセスチューブ１
００の下方から側壁に添って上部まで設けられ、導入管
１０７を通過する間に加熱された処理ガスがプロセスチ
ューブ１００の上部に設けられた供給口１０６から供給
される。そして、半導体ウェハＷを処理して生成された
反応生成物は、余剰の処理ガスと共に、排気装置に接続
されたプロセスチューブ１００の下方に設けられた排気
口２００から排出されるようになっている。
【０００５】このような熱処理装置においては、例えば
半導体ウェハのウェット酸化処理では、処理ガスとして
水蒸気（Ｈ2Ｏ）が用いられ、ＨＣｌ酸化処理では、処
理ガスとして塩化水素（ＨＣｌ）が用いられ、熱処理中
は排気が継続されて所定の圧力に減圧された処理容器内
に所定の処理ガスが導入されて半導体ウェハの処理が行
なわれる。熱処理終了後は、処理容器内に窒素等の不活
性ガスが導入されて処理ガスが排気される。
半導体ウェハのウェット酸化処理では、処理ガスとして
水蒸気（Ｈ2Ｏ）が用いられ、ＨＣｌ酸化処理では、処
理ガスとして塩化水素（ＨＣｌ）が用いられ、熱処理中
は排気が継続されて所定の圧力に減圧された処理容器内
に所定の処理ガスが導入されて半導体ウェハの処理が行
なわれる。熱処理終了後は、処理容器内に窒素等の不活
性ガスが導入されて処理ガスが排気される。
【０００６】従って、ガス供給系の導入管の接続部（継
手）やガス排気口と排気管及び排気管と継手の接続部
は、リークが生じないように充分なシールを行なうこと
が必要とされる。そのため、従来では、石英管の接続部
分をクランプ等で固定する、これらの接続部に柔軟なフ
ッ素ゴム等から成るＯリングを介在させる、継手管とし
て屈曲性のあるテフロンパイプを用いる等の方法を用い
てかかるシールを行なっていた。
手）やガス排気口と排気管及び排気管と継手の接続部
は、リークが生じないように充分なシールを行なうこと
が必要とされる。そのため、従来では、石英管の接続部
分をクランプ等で固定する、これらの接続部に柔軟なフ
ッ素ゴム等から成るＯリングを介在させる、継手管とし
て屈曲性のあるテフロンパイプを用いる等の方法を用い
てかかるシールを行なっていた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし、熱処理装置で
は、熱処理の種類によっても異なるが、通常、処理容器
内が約９００℃から１２００℃の高温に加熱される工程
が多いので、処理容器とガス供給部およびガス排気部と
の接合部の温度は数百℃もの高温となる。従って、Ｏリ
ングを用いてシールする手段では、Ｏリングはフッ素ゴ
ム等から成るものであるため、一般に耐熱温度が２００
℃前後であり、Ｏリングがこの温度以上になると溶けて
変形し、充分なシール効果が得られないという問題があ
る。
は、熱処理の種類によっても異なるが、通常、処理容器
内が約９００℃から１２００℃の高温に加熱される工程
が多いので、処理容器とガス供給部およびガス排気部と
の接合部の温度は数百℃もの高温となる。従って、Ｏリ
ングを用いてシールする手段では、Ｏリングはフッ素ゴ
ム等から成るものであるため、一般に耐熱温度が２００
℃前後であり、Ｏリングがこの温度以上になると溶けて
変形し、充分なシール効果が得られないという問題があ
る。
【０００８】一方、Ｏリング近傍に冷却機構を設けて冷
却する手段も考えられるが、この手段では、冷却部分に
残留処理ガスが堆積し、パーティクルが発生するという
問題が生じ、また、装置の構造が大型化、複雑化する問
題がある。また、テフロンパイプを用いてシールする手
段では、テフロンパイプが経時変化することによりパイ
プ自体から処理ガスがリークする問題がある。特にＨＣ
ｌ酸化処理では腐食性ガスであるＨＣｌを使用するの
で、リークが発生すると周辺部材が損傷する問題が生じ
る。
却する手段も考えられるが、この手段では、冷却部分に
残留処理ガスが堆積し、パーティクルが発生するという
問題が生じ、また、装置の構造が大型化、複雑化する問
題がある。また、テフロンパイプを用いてシールする手
段では、テフロンパイプが経時変化することによりパイ
プ自体から処理ガスがリークする問題がある。特にＨＣ
ｌ酸化処理では腐食性ガスであるＨＣｌを使用するの
で、リークが発生すると周辺部材が損傷する問題が生じ
る。
【０００９】特に、ウェット酸化処理では、テフロンパ
イプ内で結露が生じるとＨ2Ｏの流量が減少するので、
半導体ウェハに損傷を与える問題がある。これに対し
て、テフロンパイプの外表面にテープヒーターを設けて
加熱する手段を採用することも考えられるが、この場合
は取扱がめんどうであり、また、テープヒーターの耐熱
性が約１７０℃程度と低いため、高温処理には不都合で
ある問題がある。
イプ内で結露が生じるとＨ2Ｏの流量が減少するので、
半導体ウェハに損傷を与える問題がある。これに対し
て、テフロンパイプの外表面にテープヒーターを設けて
加熱する手段を採用することも考えられるが、この場合
は取扱がめんどうであり、また、テープヒーターの耐熱
性が約１７０℃程度と低いため、高温処理には不都合で
ある問題がある。
【００１０】一方、石英管のみでシールする手段では、
寸法精度の相違等から充分なシールが困難であり、しか
もグリース等は低圧下で蒸発するため用いることができ
ないので、処理ガスのリークが発生しやすい。
寸法精度の相違等から充分なシールが困難であり、しか
もグリース等は低圧下で蒸発するため用いることができ
ないので、処理ガスのリークが発生しやすい。
【００１１】
【目的】この発明はこのような従来のシール手段の問題
点を解消し、耐熱性、耐リーク性に優れ、しかも結露や
不要堆積物の発生を有効に防止することができる熱処理
装置を提供することを目的とする。
点を解消し、耐熱性、耐リーク性に優れ、しかも結露や
不要堆積物の発生を有効に防止することができる熱処理
装置を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
る本発明の熱処理装置は、被処理体を熱処理するための
処理容器と、処理容器に接続されたガスを導入するガス
導入管とガスを排気する排気管とを備えた熱処理装置に
おいて、処理容器に連結される導入管及び排気管の接続
部に耐熱・耐腐食性材料の繊維からなるシール部材を配
設したものであり、シール部材は好適には高純度の石英
ガラスから成るものである。
る本発明の熱処理装置は、被処理体を熱処理するための
処理容器と、処理容器に接続されたガスを導入するガス
導入管とガスを排気する排気管とを備えた熱処理装置に
おいて、処理容器に連結される導入管及び排気管の接続
部に耐熱・耐腐食性材料の繊維からなるシール部材を配
設したものであり、シール部材は好適には高純度の石英
ガラスから成るものである。
【００１３】
【作用】繊維状のシール部材はクッション性に優れ、且
つ耐熱性、耐腐食性に優れる。このようなシール部材
は、石英管から成る導入管と導入管との接続部、排気管
と排気管との接続部にＯリングの代りに入れることによ
り接続部の密着を確実にするとともに、高温の廃ガスに
さらされても分解したり腐食することがない。従って、
密閉容器へのガスの流入、容器からのガスの流出を完全
に防ぐことができ、これらガスの流出入に伴う処理の不
安定化や廃ガスによる周囲の腐食、汚染の問題がない。
つ耐熱性、耐腐食性に優れる。このようなシール部材
は、石英管から成る導入管と導入管との接続部、排気管
と排気管との接続部にＯリングの代りに入れることによ
り接続部の密着を確実にするとともに、高温の廃ガスに
さらされても分解したり腐食することがない。従って、
密閉容器へのガスの流入、容器からのガスの流出を完全
に防ぐことができ、これらガスの流出入に伴う処理の不
安定化や廃ガスによる周囲の腐食、汚染の問題がない。
【００１４】
【実施例】本発明の熱処理装置を半導体ウェハ製造のウ
ェット酸化処置、ＨＣｌ酸化処理、拡散処理等を行なう
ための熱処理装置に適用した一実施例を図面を参照して
説明する。図１に示すように、熱処理装置は耐熱材料、
例えば石英ガラス等から成る筒状の処理容器であるプロ
セスチューブ１が開口部１ａを下方にして直立されて設
けられる。プロセスチューブ１の外周には、加熱部であ
るヒータ２がプロセスチューブ１を包囲して設けられ
る。ヒータ２の外周は、断熱材３で包囲しヒータ２の熱
が効率よく、例えば９００℃〜１２００℃の範囲でプロ
セスチューブ１を加熱するようになっている。また、断
熱材３の外側は、例えば材質鉄製の外皮５０で覆われて
いる。
ェット酸化処置、ＨＣｌ酸化処理、拡散処理等を行なう
ための熱処理装置に適用した一実施例を図面を参照して
説明する。図１に示すように、熱処理装置は耐熱材料、
例えば石英ガラス等から成る筒状の処理容器であるプロ
セスチューブ１が開口部１ａを下方にして直立されて設
けられる。プロセスチューブ１の外周には、加熱部であ
るヒータ２がプロセスチューブ１を包囲して設けられ
る。ヒータ２の外周は、断熱材３で包囲しヒータ２の熱
が効率よく、例えば９００℃〜１２００℃の範囲でプロ
セスチューブ１を加熱するようになっている。また、断
熱材３の外側は、例えば材質鉄製の外皮５０で覆われて
いる。
【００１５】プロセスチューブ１の開口部１ａには、石
英等の耐熱材料で形成された蓋体４が設けられ、開口部
１ａを開閉してプロセスチューブ１内に半導体ウェハＷ
を水平にして複数枚支持する石英等の耐熱材料から成る
支持体である石英ボート５の搬入出を可能としている。
石英ボート５は、蓋体４上に設けられる保温筒６上に載
置され、保温筒６内に埋設される図示しないヒータによ
り石英ボート５の載置部分を加熱し、上部との温度差を
除去している。
英等の耐熱材料で形成された蓋体４が設けられ、開口部
１ａを開閉してプロセスチューブ１内に半導体ウェハＷ
を水平にして複数枚支持する石英等の耐熱材料から成る
支持体である石英ボート５の搬入出を可能としている。
石英ボート５は、蓋体４上に設けられる保温筒６上に載
置され、保温筒６内に埋設される図示しないヒータによ
り石英ボート５の載置部分を加熱し、上部との温度差を
除去している。
【００１６】また、プロセスチューブ１の開口部１ａを
開閉する蓋体４は、上下駆動機構９により支持され、上
下駆動機構９により上下動されて、プロセスチューブ１
の開口部１ａを開閉すると共に、半導体ウェハＷを支持
した石英ボート５を上下動してプロセスチューブ１内に
搬入出するようになっている。更に、蓋体４とプロセス
チューブ１とは後述するシール部材によってシールされ
ている。
開閉する蓋体４は、上下駆動機構９により支持され、上
下駆動機構９により上下動されて、プロセスチューブ１
の開口部１ａを開閉すると共に、半導体ウェハＷを支持
した石英ボート５を上下動してプロセスチューブ１内に
搬入出するようになっている。更に、蓋体４とプロセス
チューブ１とは後述するシール部材によってシールされ
ている。
【００１７】更に、プロセスチューブ１の開口部１ａ近
傍に、Ｏ2、Ｈ2、Ｎ2、ＨＣｌ、Ｈ2Ｏ、ＰＯＣｌ3等の
処理ガスを供給するための処理ガス供給系及び外部燃焼
室１０に連結された処理ガス導入管７が下方から側壁に
添って上部まで設けられ、導入管７を通過する間に加熱
された処理ガスがプロセスチューブ１の上部に設けられ
た供給口１ｂから供給される。更に、プロセスチューブ
１の下部には排気口１ｃが備えられ、排気口１ｃは減圧
ポンプ１１等の排気装置に排気管８を介して接続され、
半導体ウェハＷを処理して生成される反応生成物や、余
剰の処理ガスを排気し、内部を所望の圧、例えば７００
mTorrに維持するようになっている。
傍に、Ｏ2、Ｈ2、Ｎ2、ＨＣｌ、Ｈ2Ｏ、ＰＯＣｌ3等の
処理ガスを供給するための処理ガス供給系及び外部燃焼
室１０に連結された処理ガス導入管７が下方から側壁に
添って上部まで設けられ、導入管７を通過する間に加熱
された処理ガスがプロセスチューブ１の上部に設けられ
た供給口１ｂから供給される。更に、プロセスチューブ
１の下部には排気口１ｃが備えられ、排気口１ｃは減圧
ポンプ１１等の排気装置に排気管８を介して接続され、
半導体ウェハＷを処理して生成される反応生成物や、余
剰の処理ガスを排気し、内部を所望の圧、例えば７００
mTorrに維持するようになっている。
【００１８】外部燃焼室１０とプロセスチューブ１とを
連結するガス導入管７と、排気系とプロセスチューブ１
とを連結する排気管８とは、それぞれ石英管から成る継
手７１、８１によって連結されており、ガス導入管７と
継手７１との接続部及び排気管８と継手８１との接続部
には、図２に示すようにシール部材１２が配設されてい
る。シール部材１２は、耐熱性があり、また処理ガスや
廃ガスによって溶かされたり変化したりしない高純度の
繊維状の材料から成る。
連結するガス導入管７と、排気系とプロセスチューブ１
とを連結する排気管８とは、それぞれ石英管から成る継
手７１、８１によって連結されており、ガス導入管７と
継手７１との接続部及び排気管８と継手８１との接続部
には、図２に示すようにシール部材１２が配設されてい
る。シール部材１２は、耐熱性があり、また処理ガスや
廃ガスによって溶かされたり変化したりしない高純度の
繊維状の材料から成る。
【００１９】このような高純度、耐熱性、耐腐食性を兼
備えたシール部材１２の材料としては、石英ガラス繊
維、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）繊維、表面にＳｉＣ
膜をＣＶＤ或いはＣＶＩコートした材料等が挙げられ
る。例えば、石英ガラス繊維は、ゾル−ゲル法（「化学
と工業」第４１巻、第７号）によって製造することがで
き、純度、即ち不純物合計１００ｐｐｍ以下である。こ
れら石英繊維等の繊維は、そのままで或いはクロス状、
マット状、スリーブ状、ロープ状に形成したものをシー
ル部材として使用することができる。通常、数ｍｍ程度
の厚さに形成したものを接続部に挿入する。このような
繊維は例えば厚さ５ｍｍのものが圧縮後１〜２ｍｍ程度
になり、外界との差圧が１０ｍＡｑ程度の接続部におい
ては完全にシールすることが可能である。なお、プロセ
スチューブ１と蓋体４との間のシール部材としても上述
の高純度、耐熱性、耐腐食性の繊維状シール部材４０を
用いることができる。
備えたシール部材１２の材料としては、石英ガラス繊
維、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）繊維、表面にＳｉＣ
膜をＣＶＤ或いはＣＶＩコートした材料等が挙げられ
る。例えば、石英ガラス繊維は、ゾル−ゲル法（「化学
と工業」第４１巻、第７号）によって製造することがで
き、純度、即ち不純物合計１００ｐｐｍ以下である。こ
れら石英繊維等の繊維は、そのままで或いはクロス状、
マット状、スリーブ状、ロープ状に形成したものをシー
ル部材として使用することができる。通常、数ｍｍ程度
の厚さに形成したものを接続部に挿入する。このような
繊維は例えば厚さ５ｍｍのものが圧縮後１〜２ｍｍ程度
になり、外界との差圧が１０ｍＡｑ程度の接続部におい
ては完全にシールすることが可能である。なお、プロセ
スチューブ１と蓋体４との間のシール部材としても上述
の高純度、耐熱性、耐腐食性の繊維状シール部材４０を
用いることができる。
【００２０】ガス導入管７及び排気管８と継手７１、８
１との接続部は接続される管の端面がそれぞれ平面状で
あってもよいが、図２に示すように段差状（ａ）及び
（ｂ）、ボールジョイント状（ｃ）、テーパ状（ｄ）で
もよい。段差状（ａ）とすることにより、シール部材７
が直接廃ガスにさらされることがなく、その耐久性を高
めることができる。また、ボールジョイント状、テーパ
状にした場合には、装置の組立精度が低くても確実な接
続を図ることができる。更に、接続部外周はクランプ１
３により固定する。
１との接続部は接続される管の端面がそれぞれ平面状で
あってもよいが、図２に示すように段差状（ａ）及び
（ｂ）、ボールジョイント状（ｃ）、テーパ状（ｄ）で
もよい。段差状（ａ）とすることにより、シール部材７
が直接廃ガスにさらされることがなく、その耐久性を高
めることができる。また、ボールジョイント状、テーパ
状にした場合には、装置の組立精度が低くても確実な接
続を図ることができる。更に、接続部外周はクランプ１
３により固定する。
【００２１】さらに、ガス導入管７、継手７１、排気管
８及び継手８１には処理ガス或いは廃ガスの反応生成物
が管壁、接続部へ付着するのを防止するために、外周に
発熱手段を設けることが好ましい。このような発熱手段
は継手の外周にリボンヒーターを巻きつけてもよいが、
好適にはＳｎＯ2膜、ＩＴＯ（すずドープ酸化インジウ
ム）膜、ＣＴＯ（すず酸カドミウム）膜 等の透明性半
導電膜から成る発熱体をコーティングしたものを用い
る。これら透明性半導電膜は、真空蒸着法、反応性スパ
ッタリング、イオンプレーティング、ＣＶＤ等公知の方
法によって石英管の外周に設けることができ、図示しな
い電力制御装置によって温度を容易に制御することが可
能で、一般に３００℃以下に石英管を加熱することがで
きる。
８及び継手８１には処理ガス或いは廃ガスの反応生成物
が管壁、接続部へ付着するのを防止するために、外周に
発熱手段を設けることが好ましい。このような発熱手段
は継手の外周にリボンヒーターを巻きつけてもよいが、
好適にはＳｎＯ2膜、ＩＴＯ（すずドープ酸化インジウ
ム）膜、ＣＴＯ（すず酸カドミウム）膜 等の透明性半
導電膜から成る発熱体をコーティングしたものを用い
る。これら透明性半導電膜は、真空蒸着法、反応性スパ
ッタリング、イオンプレーティング、ＣＶＤ等公知の方
法によって石英管の外周に設けることができ、図示しな
い電力制御装置によって温度を容易に制御することが可
能で、一般に３００℃以下に石英管を加熱することがで
きる。
【００２２】以上のような構成の熱処理装置を用いて半
導体ウェハＷの処理を行うには、図示しない搬送装置で
未処理の半導体ウェハＷを載置した石英ボート５を熱処
理装置の上下駆動機構９で下降された蓋体４上の保温筒
６上に載置し、上下駆動機構９を上昇させて石英ボート
５をプロセスチューブ１内に搬入させ、蓋体４でプロセ
スチューブ１の開口部１ａを閉成させる。蓋体４は、プ
ロセスチューブ１との間に繊維状のシール部材が介在す
ることにより確実に密閉させることができる。
導体ウェハＷの処理を行うには、図示しない搬送装置で
未処理の半導体ウェハＷを載置した石英ボート５を熱処
理装置の上下駆動機構９で下降された蓋体４上の保温筒
６上に載置し、上下駆動機構９を上昇させて石英ボート
５をプロセスチューブ１内に搬入させ、蓋体４でプロセ
スチューブ１の開口部１ａを閉成させる。蓋体４は、プ
ロセスチューブ１との間に繊維状のシール部材が介在す
ることにより確実に密閉させることができる。
【００２３】このような状態で排気口１ｃからプロセス
チューブ１内の空気を吸引すると共に、ヒータ２により
プロセスチューブ１を所望の温度９００〜１２００℃に
加熱する。その後、Ｏ2、Ｈ2、Ｎ2、ＨＣｌ、Ｈ2Ｏ、Ｐ
ＯＣｌ3等の処理ガスを処理ガス導入管７から供給口１
ｂを介してプロセスチューブ１内に導入し、石英ボート
５上の半導体ウェハＷに供給する。同時に、排気系によ
り排気口１ｃから吸引し、余剰の処理ガスと共に反応生
成物を排気する。
チューブ１内の空気を吸引すると共に、ヒータ２により
プロセスチューブ１を所望の温度９００〜１２００℃に
加熱する。その後、Ｏ2、Ｈ2、Ｎ2、ＨＣｌ、Ｈ2Ｏ、Ｐ
ＯＣｌ3等の処理ガスを処理ガス導入管７から供給口１
ｂを介してプロセスチューブ１内に導入し、石英ボート
５上の半導体ウェハＷに供給する。同時に、排気系によ
り排気口１ｃから吸引し、余剰の処理ガスと共に反応生
成物を排気する。
【００２４】この時、ガス導入管７及び排気管８の継手
との接続部はそれぞれ耐熱性、耐腐食性の繊維状シール
部材によりシールされているので、処理ガスや廃ガスが
熱処理装置の設置されるクリーンルーム内に漏洩するこ
とはなく、従ってクリーンルームを汚染することはな
い。また、逆に装置内に外部から酸素等が混入すること
がなく、安定した処理を行なうことができる。更にガス
導入管７、排気管８及び各継手を加熱することにより、
これらの壁面や接続部に結露したり不要な反応生成物等
が付着することがない。
との接続部はそれぞれ耐熱性、耐腐食性の繊維状シール
部材によりシールされているので、処理ガスや廃ガスが
熱処理装置の設置されるクリーンルーム内に漏洩するこ
とはなく、従ってクリーンルームを汚染することはな
い。また、逆に装置内に外部から酸素等が混入すること
がなく、安定した処理を行なうことができる。更にガス
導入管７、排気管８及び各継手を加熱することにより、
これらの壁面や接続部に結露したり不要な反応生成物等
が付着することがない。
【００２５】半導体ウェハ処理後、一定の冷却時間経過
後に上下駆動機構９により、蓋体４を下降させると共に
石英ボート５を下降させ、処理済の半導体ウェハＷを搬
出させる。以上の説明は本発明の一実施例の説明であっ
て、本発明はこれに限定されない。即ち、ガス導入管、
排気口の配置、ガス導入方法等は図１に示すような熱処
理装置に限定されるものではなく、この分野で用いられ
る各種熱処理装置に適用できるのはいうまでもない。ま
た半導体ウェハの支持に回転機構を備えた装置であって
もよい。更に、半導体ウェハの熱処理装置のみでなくＬ
ＳＩ等の製造装置にも好適に適用できる。
後に上下駆動機構９により、蓋体４を下降させると共に
石英ボート５を下降させ、処理済の半導体ウェハＷを搬
出させる。以上の説明は本発明の一実施例の説明であっ
て、本発明はこれに限定されない。即ち、ガス導入管、
排気口の配置、ガス導入方法等は図１に示すような熱処
理装置に限定されるものではなく、この分野で用いられ
る各種熱処理装置に適用できるのはいうまでもない。ま
た半導体ウェハの支持に回転機構を備えた装置であって
もよい。更に、半導体ウェハの熱処理装置のみでなくＬ
ＳＩ等の製造装置にも好適に適用できる。
【００２６】
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明の熱処理装置はガス導入管や排気管の接続部、蓋体と
反応容器との接続部に高純度、耐熱性、耐腐食性の繊維
状シール部材を用いたので、接続部が処理ガスや廃ガス
に侵されることなく、また熱により劣化することなく、
確実に外界とシールし、クリーンルームへのガスの漏出
や反応容器内への空気の混入を防ぐことができる。
明の熱処理装置はガス導入管や排気管の接続部、蓋体と
反応容器との接続部に高純度、耐熱性、耐腐食性の繊維
状シール部材を用いたので、接続部が処理ガスや廃ガス
に侵されることなく、また熱により劣化することなく、
確実に外界とシールし、クリーンルームへのガスの漏出
や反応容器内への空気の混入を防ぐことができる。
【００２７】さらに本発明の熱処理装置によれば、材料
の腐食や劣化が極めて少ないのでメンテナンスも頻繁に
行う必要もなく作業効率を向上させ、付着物による汚染
がなく、歩留りを向上させることができる。
の腐食や劣化が極めて少ないのでメンテナンスも頻繁に
行う必要もなく作業効率を向上させ、付着物による汚染
がなく、歩留りを向上させることができる。
【図１】本発明の熱処理装置を適用した一実施例の構成
図。
図。
【図２】図１の熱処理装置の要部を示す図で、（ａ）、
（ｂ）、（ｃ）及び（ｄ）はそれぞれ異なる実施例を示
す図。
（ｂ）、（ｃ）及び（ｄ）はそれぞれ異なる実施例を示
す図。
【図３】従来の熱処理装置を示す図。
１・・・・・・プロセスチューブ（処理容器） ７・・・・・・ガス導入管 ７１・・・・・・継手 ８・・・・・・排気管 ８１・・・・・・継手 １２・・・・・・シール部材 Ｗ・・・・・・・・・半導体ウェハ（被処理体）
Claims (2)
- 【請求項１】被処理体を熱処理するための処理容器と、
前記処理容器に接続されたガスを導入するガス導入管と
ガスを排気する排気管とを備えた熱処理装置において、
前記処理容器に連結される導入管及び排気管の接続部に
耐熱・耐腐食性材料の繊維からなるシール部材を配設し
たことを特徴とする熱処理装置。 - 【請求項２】前記シール部材は石英ガラスであることを
特徴とする熱処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9812092A JPH05299366A (ja) | 1992-04-17 | 1992-04-17 | 熱処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9812092A JPH05299366A (ja) | 1992-04-17 | 1992-04-17 | 熱処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05299366A true JPH05299366A (ja) | 1993-11-12 |
Family
ID=14211439
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9812092A Withdrawn JPH05299366A (ja) | 1992-04-17 | 1992-04-17 | 熱処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05299366A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100244040B1 (ko) * | 1995-03-20 | 2000-02-01 | 엔도 마코토 | 반도체 제조장치 및 기판처리방법 |
| US10692734B2 (en) | 2018-10-25 | 2020-06-23 | Applied Materials, Inc. | Methods of patterning nickel silicide layers on a semiconductor device |
-
1992
- 1992-04-17 JP JP9812092A patent/JPH05299366A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100244040B1 (ko) * | 1995-03-20 | 2000-02-01 | 엔도 마코토 | 반도체 제조장치 및 기판처리방법 |
| US10692734B2 (en) | 2018-10-25 | 2020-06-23 | Applied Materials, Inc. | Methods of patterning nickel silicide layers on a semiconductor device |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990706 |