TW202124758A - 基板處理裝置，半導體裝置的製造方法及程式 - Google Patents

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Abstract

本發明的課題是可抑制往排氣配管的反應副生成物堆積。 其解決手段為提供一種具有下列構成的技術， 處理室，其係處理基板； 處理室氣體供給系，其係供給處理氣體、淨化氣體或洗滌氣體至處理室； 排氣配管，其係進行來自處理室的氣體排氣； 排氣配管氣體供給系，其係被連接至排氣配管的預定的堆積擔心處，供給洗滌貢獻氣體至堆積擔心處；及 控制部，其係控制來自處理室氣體供給系的氣體供給及來自排氣配管氣體供給系的氣體供給。

Description

基板處理裝置，半導體裝置的製造方法及程式
本案是有關基板處理裝置，半導體裝置的製造方法及程式。
作為被用在半導體裝置的製造工程之一工程的基板處理裝置，有被構成為供給處理氣體至收容基板的處理室，且經由排氣配管來進行來自處理室的氣體排氣，藉此進行對於處理室內的基板之處理者(例如參照專利文獻1)。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2015-183271號公報
(發明所欲解決的課題)
在基板處理裝置的排氣配管中，有堆積反應副生成物的情形。因此，在排氣配管內，氣流的傳導(conductance)會降低，處理室內的壓力梯度變大，其結果，恐有對於基板的處理的均一性惡化之虞。
本案是提供可抑制往排氣配管的反應副生成物堆積之技術。 (用以解決課題的手段)
若根據一形態，則提供一種具有下列構成的技術， 處理室，其係處理基板； 處理室氣體供給系，其係供給處理氣體、淨化氣體或洗滌氣體至前述處理室； 排氣配管，其係進行來自前述處理室的氣體排氣； 排氣配管氣體供給系，其係被連接至前述排氣配管的預定的堆積擔心處，供給洗滌貢獻氣體至前述堆積擔心處；及 控制部，其係控制來自前述處理室氣體供給系的氣體供給及來自前述排氣配管氣體供給系的氣體供給。 [發明的效果]
若根據本案，則可抑制往排氣配管的反應副生成物堆積。
以下，一邊參照圖面，一邊說明有關本案的實施形態。
在以下的說明舉例的基板處理裝置是可用在半導體裝置的製造工程者，被構成為對於成為處理對象的基板進行預定的製程處理者。 成為處理對象的基板是例如作為製入半導體裝置(semiconductor device)的半導體基板的矽晶圓(以下簡稱「晶圓」)。另外，在本說明書中，使用稱為「晶圓」的言辭時，有意思「晶圓本身」的情況，或意思「晶圓與被形成於其表面的預定的層或膜等的層疊體(集合體)」的情況(亦即，包含被形成於表面的預定的層或膜等來稱為晶圓的情況)。並且，在本說明書中使用稱為「晶圓的表面」的言辭時，有意思「晶圓本身的表面(露出面)」的情況，或意思「被形成於晶圓上的預定的層或膜等的表面，亦即作為層疊體的晶圓的最表面」的情況。在本說明書中使用稱為「基板」的言辭時，也有與使用稱為「晶圓」的言辭時同義。 作為對於晶圓進行的預定的製程處理(以下亦有時簡稱為「處理」)是例如氧化處理、擴散處理、退火處理、蝕刻處理、預洗滌處理、腔室洗滌處理、成膜處理等。在本實施形態中，特別舉進行成膜處理的情況為例。
＜第1實施形態＞ 首先，具體地說明有關本案的第1實施形態。
(1)基板處理裝置的構成 以下，說明有關本實施形態的基板處理裝置的構成。在此，舉對於成為處理對象的晶圓逐個進行處理的單片式的基板處理裝置為例。 圖1是本實施形態的單片式的基板處理裝置的概略構成圖。
(處理容器) 如圖1所示般，基板處理裝置100是具備處理容器202。處理容器202是例如橫截面為圓形且扁平的密閉容器，藉由鋁(Al)或不鏽鋼(SUS)等的金屬材料所構成。處理容器202是以上部容器202a及下部容器202b所構成。在上部容器202a與下部容器202b之間設有隔板204。
在處理容器202內是形成有：用以進行對於晶圓200的處理的處理空間之處理室201、及在將晶圓200搬送至處理室201時晶圓200所通過的搬送空間203。
在上部容器202a的內部的外周端緣附近是設有排氣緩衝室209。排氣緩衝室209是作為將處理室201內的氣體朝向側方周圍排出時的緩衝空間機能者。為此，排氣緩衝室209是持有被設成包圍處理室201的側方外周的空間。亦即，排氣緩衝室209是在處理室201的外周側具有被形成平面視環狀(圓環狀)的空間。
在下部容器202b的側面是設有與閘閥205鄰接的基板搬出入口206，晶圓200是經由基板搬出入口206來移動於與未圖示的搬送室之間。在下部容器202b的底部是設有複數個昇降銷207。
(基板支撐部) 在處理室201內是設有支撐晶圓200的基板支撐部210。基板支撐部210是主要具有：載置晶圓200的基板載置面211、在表面持有基板載置面211的基板載置台212、及被內包於基板載置台212的作為加熱源的加熱器213。在基板載置台212是昇降銷207所貫通的貫通孔214會分別被設在與昇降銷207對應的位置。
基板載置台212是藉由傳動軸217來支撐。傳動軸217是貫通處理容器202的底部，進一步在處理容器202的外部被連接至昇降機構218。藉由使昇降機構218作動來使傳動軸217及基板載置台212昇降，可使被載置於基板載置面211上的晶圓200昇降。另外，傳動軸217的下端部的周圍是藉由波紋管219所覆蓋，處理容器202內被保持於氣密。
基板載置台212是在晶圓200的搬送時，下降至基板載置面211對向於基板搬出入口206的位置(晶圓搬送位置)，在晶圓200的處理時，如圖1所示般，晶圓200上昇至成為處理室201內的處理位置(晶圓處理位置)。 具體而言，在使基板載置台212下降至晶圓搬送位置時，昇降銷207的上端部會從基板載置面211的上面突出，昇降銷207會從下方支撐晶圓200。並且，在使基板載置台212上昇至晶圓處理位置時，昇降銷207是從基板載置面211的上面埋沒，基板載置面211會從下方支撐晶圓200。
(淋浴頭) 在處理室201的上部(氣體供給方向上游側)設有作為氣體分散機構的淋浴頭230。在淋浴頭230的蓋231是設有氣體導入口241。該氣體導入口241是被構成為後述的氣體供給系連通。從氣體導入口241導入的氣體是被供給至淋浴頭230的緩衝空間232。
淋浴頭230的蓋231是以具有導電性的金屬所形成，可作為用以在緩衝空間232或處理室201內產生電漿的電極使用。在蓋231與上部容器202a之間是設有絕緣塊233，將蓋231與上部容器202a之間絕緣。
淋浴頭230是具備用以使經由氣體導入口241來從氣體供給系供給的氣體分散的分散板234。此分散板234的上游側為緩衝空間232，下游側為處理室201。在分散板234是設有複數的貫通孔234a。分散板234是被配置成與基板載置面211對向。
(氣體供給系) 淋浴頭230的蓋231是以可與氣體導入口241連通的方式連接共通氣體供給管242。共通氣體供給管242是經由氣體導入口241來連通至淋浴頭230內的緩衝空間232。並且，在共通氣體供給管242連接第1氣體供給管243a、第2氣體供給管244a及第3氣體供給管245a。第2氣體供給管244a是經由遠端電漿單元(RPU：Remote Plasma Unit)244e來連接至共通氣體供給管242。
該等之中，從包含第1氣體供給管243a的原料氣體供給系243是主要供給處理氣體之一的原料氣體，從包含第2氣體供給管244a的反應氣體供給系244是主要供給處理氣體的其他之一的反應氣體。從包含第3氣體供給管245a的淨化氣體供給系245是在處理晶圓200時主要供給作為淨化氣體的惰性氣體，在洗滌淋浴頭230或處理室201時主要供給洗滌氣體。另外，有關從氣體供給系供給的氣體是亦有將原料氣體稱為第1氣體，將反應氣體稱為第2氣體，將惰性氣體稱為第3氣體，將洗滌氣體(處理室201用)稱為第4氣體。進一步，亦有將氣體供給系之一的後述的排氣配管洗滌貢獻氣體供給系所供給的洗滌貢獻氣體(排氣配管222用)稱為第5氣體的情形。
如此，在共通氣體供給管242是連接第1氣體供給管243a、第2氣體供給管244a及第3氣體供給管245a。藉此，共通氣體供給管242是將作為處理氣體的原料氣體(第1氣體)或反應氣體(第2氣體)、作為淨化氣體的惰性氣體(第3氣體)或洗滌氣體(第4氣體)經由淋浴頭230的緩衝空間232來選擇性地供給至處理室201。亦即，共通氣體供給管242是作為供給處理氣體、淨化氣體或洗滌氣體至處理室201的「第1供給管」機能。
(原料氣體供給系) 在第1氣體供給管243a是從上游方向依序設有原料氣體供給源243b、流量控制器(流量控制部)的質量流控制器(MFC)243c、及開閉閥的閥243d。而且，從第1氣體供給管243a是原料氣體會經由MFC243c、閥243d、共通氣體供給管242來供給至淋浴頭230內。
原料氣體(第1氣體)是處理氣體之一，例如含作為第1元素的矽(Si)元素的氣體。具體而言，可使用二氯矽烷(SiH2 Cl2 ，dichlorosilane：DCS)氣體或四乙氧基矽烷(Si(OC2 H5 )4 ，Tetraethoxysilane：TEOS)氣體等。在以下的說明中，說明有關使用DCS氣體的例子。
主要藉由第1氣體供給管243a、MFC243c、閥243d來構成原料氣體供給系243。另外，原料氣體供給系243是亦可思考包含原料氣體供給源243b、後述的第1惰性氣體供給系。又，由於原料氣體供給系243是供給處理氣體之一的原料氣體者，因此相當於處理氣體供給系之一個。
在第1氣體供給管243a之比閥243d更下游側是連接第1惰性氣體供給管246a的下游端。在第1惰性氣體供給管246a是從上游方向依序設有惰性氣體供給源246b、MFC246c及閥246d。而且，從第1惰性氣體供給管246a是惰性氣體會經由MFC246c、閥246d、第1氣體供給管243a來供給至淋浴頭230內。
惰性氣體是作為原料氣體的載流氣體作用者，使用不與原料反應的氣體為理想。具體而言，例如可使用氮(N2 )氣體。又，除了N2 氣體以外，例如可使用氦(He)氣體、氖(Ne)氣體、氬(Ar)氣體等的稀有氣體。
主要藉由第1惰性氣體供給管246a、MFC246c及閥246d來構成第1惰性氣體供給系。另外，第1惰性氣體供給系是亦可思考包含惰性氣體供給源246b、第1氣體供給管243a。又，第1惰性氣體供給系是亦可思考含在原料氣體供給系243中。
(反應氣體供給系) 第2氣體供給管244a是在下游設有RPU244e。在上游是從上游方向依序設有反應氣體供給源244b、MFC244c及閥244d。而且，從第2氣體供給管244a是反應氣體會經由MFC244c、閥244d、RPU244e、共通氣體供給管242來供給至淋浴頭230內。反應氣體是藉由遠端電漿單元244e來成為電漿狀態，被照射至晶圓200上。
反應氣體(第2氣體)是處理氣體的其他之一，包含與原料氣體所含有的第1元素(例如Si)不同的第2元素(例如氮)之氣體。具體而言，例如可使用含氮(N)氣體的氨(NH3 )氣體。
主要藉由第2氣體供給管244a、MFC244c、閥244d來構成反應氣體供給系244。另外，反應氣體供給系244是亦可思考包含反應氣體供給源244b、RPU244e、後述的第2惰性氣體供給系。又，由於反應氣體供給系244是供給處理氣體之一的反應氣體者，因此相當於處理氣體供給系的其他之一個。
在第2氣體供給管244a之比閥244d更下游側是連接第2惰性氣體供給管247a的下游端。在第2惰性氣體供給管247a是從上游方向依序設有惰性氣體供給源247b、MFC247c及閥247d。而且，從第2惰性氣體供給管247a是惰性氣體會經由MFC247c、閥247d、第2氣體供給管244a、RPU244e來供給至淋浴頭230內。
惰性氣體是作為反應氣體的載流氣體或稀釋氣體作用。具體而言，例如可使用N2 氣體。又，除了N2 氣體以外，亦可例如使用He氣體、Ne氣體、Ar氣體等的稀有氣體。
主要藉由第2惰性氣體供給管247a、MFC247c及閥247d來構成第2惰性氣體供給系。另外，第2惰性氣體供給系是亦可思考包含惰性氣體供給源247b、第2氣體供給管243a、RPU244e。又，第2惰性氣體供給系是亦可思考含在反應氣體供給系244中。
(淨化氣體供給系) 在第3氣體供給管245a是從上游方向依序設有淨化氣體供給源245b、MFC245c及閥245d。而且，從第3氣體供給管245a是作為淨化氣體的惰性氣體會在基板處理工程中經由MFC245c、閥245d、共通氣體供給管242來供給至淋浴頭230內。並且，在處理空間洗滌工程中，因應所需，作為洗滌氣體的載流氣體或稀釋氣體的惰性氣體會經由MFC245c、閥245d、共通氣體供給管242來供給至淋浴頭230內。
從淨化氣體供給源245b供給的惰性氣體是在基板處理工程中，作為淨化留在處理容器202或淋浴頭230內的氣體之淨化氣體作用。並且，在處理空間洗滌工程中，亦可作為洗滌氣體的載流氣體或稀釋氣體作用。具體而言，例如，可使用N2 氣體作為惰性氣體。又，除了N2 氣體以外，例如亦可使用He氣體、Ne氣體、Ar氣體等的稀有氣體。
主要藉由第3氣體供給管245a、MFC245c、閥245d來構成淨化氣體供給系245。另外，淨化氣體供給系245是亦可思考包含淨化氣體供給源245b、後述的處理空間洗滌氣體供給系248。
(處理空間洗滌氣體供給系) 在第3氣體供給管245a之比閥245d更下游側是連接處理空間洗滌氣體供給管248a的下游端。在處理空間洗滌氣體供給管248a是從上游方向依序設有處理空間洗滌氣體供給源248b、MFC248c及閥248d。而且，第3氣體供給管245a是在處理空間洗滌工程中，洗滌氣體會經由MFC248c、閥248d、共通氣體供給管242來供給至淋浴頭230內。
從處理空間洗滌氣體供給源248b供給的洗滌氣體(第4氣體)是在處理空間洗滌工程中作為除去附著於淋浴頭230或處理容器202的副生成物等的洗滌氣體作用。具體而言，例如可思考使用三氟化氮(NF3 )氣體，作為洗滌氣體。又，例如可使用氟化氫(HF)氣體、三氟化氯(ClF3 )氣體、氟(F2 )氣體等，且亦可組合該等使用。
主要藉由處理空間洗滌氣體供給管248a、MFC248c及閥248d來構成處理空間洗滌氣體供給系248。另外，處理空間洗滌氣體供給系248是亦可思考包含處理空間洗滌氣體供給源248b、第3氣體供給管245a。又，處理空間洗滌氣體供給系248是亦可思考含在淨化氣體供給系245中。
在此是說明經由共通氣體供給管(第1供給管)242來使原料氣體供給系243、反應氣體供給系244、淨化氣體供給系245及處理空間洗滌氣體供給系248的各者與處理室201連通的構成之例，但不是一定被限定於此者。例如，亦可將原料氣體供給系243、反應氣體供給系244、淨化氣體供給系245及處理空間洗滌氣體供給系248的各者的氣體供給管直接連接至淋浴頭230或處理室201等。
另外，有關原料氣體供給系243、反應氣體供給系244、淨化氣體供給系245或處理空間洗滌氣體供給系248的各者或該等的組合是亦可稱為「處理氣體供給系」。此情況，處理氣體供給系是對於淋浴頭230或處理室201等，形成作為供給處理氣體、淨化氣體或洗滌氣體者機能。
(氣體排氣系) 排氣配管222是經由被設在排氣緩衝室209的上面或側方的排氣口221來連接至排氣緩衝室209內。藉此，排氣配管222是形成與處理室201內連通。
在排氣配管222是設有將連通至排氣緩衝室209的處理室201內控制成預定的壓力的壓力控制器之APC(Auto Pressure Controller)閥223。APC閥223是具有可調整開度的閥體(未圖示)，按照來自後述的控制器260的指示來調整排氣配管222的傳導。以下，也有將被設在排氣配管222的APC閥223簡稱為閥223的情形。
並且，在排氣配管222中，在APC閥223的下游側是設有真空泵224。真空泵224是經由排氣配管222來將排氣緩衝室209及連通至彼的處理室201的氣氛排氣。藉此，排氣配管222是形成作為進行來自處理室201的氣體排氣的排氣配管機能。
主要藉由排氣配管222、APC閥223及真空泵224來構成氣體排氣系。
(排氣配管洗滌貢獻氣體供給系) 有別於處理空間洗滌氣體供給系248，在構成氣體排氣系的排氣配管222是連接排氣配管洗滌貢獻氣體供給系(以下亦有簡稱「排氣配管氣體供給系」的情形)249，作為氣體供給系。
在排氣配管氣體供給系249是含有直接連通至排氣配管222的排氣配管洗滌貢獻氣體供給管(以下亦有簡稱為「排氣配管氣體供給管」的情形)249a。有關排氣配管氣體供給管249a是與共通氣體供給管(第1供給管)242另外設置，因此以下亦有稱為「第2供給管」的情形。
排氣配管氣體供給管(第2供給管)249a是被連接至排氣配管222的預定的堆積擔心處222a。所謂「堆積擔心處」是意指副生成物等的不要的反應物容易被堆積之處。在本實施形態中，堆積擔心處222a是被設定成位於從排氣口221到APC閥223之間。亦即，在本實施形態中，以排氣配管氣體供給管249a對於排氣配管222的連接處會位於從用以排氣配管222與處理室201內連通的排氣口221到被設在排氣配管222的APC閥223之間的方式，設定堆積擔心處222a。
並且，在排氣配管氣體供給管249a是從上游方向依序設有排氣配管洗滌貢獻氣體供給源(以下亦有簡稱為「排氣配管氣體供給源」的情形)249b、MFC249c及閥249d。然後，從排氣配管氣體供給管249a是洗滌貢獻氣體會經由MFC249c、閥249d來供給至排氣配管222內。
所謂「洗滌貢獻氣體」是意指有助於用以除去附著於排氣配管222內的副生成物等的洗滌處理的氣體。具體而言，例如除去副生成物等的洗滌氣體或將該洗滌氣體活化的洗滌輔助氣體等為相當在此所稱的洗滌貢獻氣體。在本實施形態中，使用洗滌氣體作為洗滌貢獻氣體。洗滌氣體是例如可舉NF3 氣體、F2 氣體、HF氣體、ClF3 氣體等的含氟氣體。
主要藉由排氣配管氣體供給管249a、MFC249c及閥249d來構成排氣配管氣體供給系249。另外，排氣配管氣體供給系249是亦可思考包含排氣配管氣體供給源249b。
(控制器) 基板處理裝置100是具有作為控制基板處理裝置100的各部的動作的控制部之控制器260。控制器260是至少具有運算部261及記憶部262。控制器260是被連接至上述的各構成，按照上位裝置或使用者的指示來從記憶部262叫出程式或處方，按照其內容來控制各構成的動作。具體而言，控制器260是控制閘閥205、昇降機構218、加熱器213、MFC243c~248c、閥243d~248d、MFC249c、閥249d、APC閥223、真空泵224等的動作。亦即，控制器260的控制對象是至少包含來自處理氣體供給系的氣體供給及來自排氣配管氣體供給系249的氣體供給。
另外，控制器260是亦可構成為專用的電腦，或亦可構成為泛用的電腦。例如，準備儲存了上述的程式的外部記憶裝置(例如磁帶、軟碟或硬碟等的磁碟、CD或DVD等的光碟、MO等的光磁碟、USB記憶體或記憶卡等的半導體記憶體)，利用該外部記憶裝置來將程式安裝於泛用的電腦，藉此可構成本實施形態的控制器260。
又，用以供給程式至電腦的手段是不被限於經由外部記憶裝置來供給的情況。例如，亦可使用網際網路或專用線路等的通訊手段，不經由外部記憶裝置供給程式。另外，記憶部262或外部記憶裝置是被構成為電腦可讀取的記錄媒體。以下，亦將該等總簡稱為記錄媒體。另外，在本說明書中使用稱為記錄媒體時，是有只包含記憶部262單體的情況，只包含外部記憶裝置單體的情況，或包含其雙方的情況。
(2)基板處理工程 其次，說明有關利用上述構成的基板處理裝置100來進行對於晶圓200的處理的基板處理工程，作為半導體製造工程之一工程。 在此，舉在晶圓200上形成薄膜的情況為例，作為基板處理工程。特別是在本實施形態中，說明有關使用DCS氣體作為原料氣體(第1氣體)，使用NH3 氣體作為反應氣體(第2理氣體)，交替地供給該等的氣體，在晶圓200上形成作為含矽膜的SiN(氮化矽)膜之例。 另外，在以下的說明中，構成基板處理裝置100的各部的動作是藉由控制器260來控制。
圖2是表示本實施形態的基板處理工程的程序的流程圖。圖3是表示圖2的成膜工程的詳細的流程圖。
(基板搬入･加熱工程：S102) 在基板處理裝置100中，基板處理工程是如圖2所示般，首先，進行基板搬入･加熱工程(S102)。在基板搬入･加熱工程(S102)中，將晶圓200搬入至處理容器202內。然後，一旦將晶圓200搬入至處理容器202內，則使未圖示的真空搬送機械手臂往處理容器202外退避，關閉閘閥205而將處理容器202內密閉。然後，藉由使基板載置台212上昇，使晶圓200載置於被設在基板載置台212的基板載置面211上，進一步藉由使基板載置台212上昇，使晶圓200上昇至處理室201內的處理位置(晶圓處理位置)。
晶圓200被搬入至搬送空間203之後，一旦上昇至處理室201內的晶圓處理位置，則使APC閥223運轉來使排氣緩衝室209與APC閥223和真空泵224之間連通。APC閥223是藉由調整排氣配管222的傳導來控制利用真空泵224之排氣緩衝室209的排氣流量，將連通至排氣緩衝室209的處理室201維持於預定的壓力。
並且，將晶圓200載置於基板載置台212上時，供給電力至被埋入於基板載置台212的內部的加熱器213，晶圓200的表面會被控制成為預定的處理溫度。此時，加熱器213的溫度是根據藉由未圖示的溫度感測器所檢測出的溫度資訊來控制往加熱器213的通電情況而調整。
如此一來，在基板搬入･加熱工程(S102)中，將處理室201內控制成為預定的處理壓力，且晶圓200的表面溫度會控制成為預定的處理溫度。在此，所謂預定的處理溫度、處理壓力是在後述的成膜工程(S104)中，可藉由交替供給法來形成SiN膜的處理溫度、處理壓力。亦即，在第1處理氣體(原料氣體)供給工程(S202)供給的原料氣體不自己分解的程度的處理溫度、處理壓力。具體而言，可思考處理溫度是室溫以上500℃以下，理想是室溫以上400℃以下，處理壓力是設為50~5000Pa。此處理溫度、處理壓力是在後述的成膜工程(S104)中也被維持。
(成膜工程：S104) 基板搬入･載置工程(S102)之後，其次，進行成膜工程(S104)。以下，參照圖3，詳細說明有關成膜工程(S104)。另外，成膜工程(S104)是將交替地供給不同的處理氣體的工程重複的循環處理。
(第1處理氣體供給工程：S202) 在成膜工程(S104)中，首先，進行第1處理氣體(原料氣體)供給工程(S202)。在第1處理氣體供給工程(S202)中，從原料氣體供給系243供給DCS氣體作為原料氣體(第1氣體)至處理室201內。被供給至處理室201內的DCS氣體是到達位於晶圓處理位置的晶圓200的面上。藉此，在晶圓200的表面，藉由DCS氣體接触，形成作為「含第1元素層」的含矽層。含矽層是例如按照處理容器202內的壓力、DCS氣體的流量、基板載置台212的溫度、處理室201的通過所花的時間等，以預定的厚度及預定的分佈來形成。
開始DCS氣體的供給之後經過預定時間後，關閉閥243d，停止DCS氣體的供給。另外，在第1處理氣體供給工程(S202)中，處理室201的壓力會藉由APC閥223來控制成為預定壓力。
(淨化工程：S204) 第1處理氣體供給工程(S202)之後，其次，從淨化氣體供給系245供給N2 氣體，進行處理室201及淋浴頭230的淨化。藉此，在第1處理氣體供給工程(S202)不能結合於晶圓200的DCS氣體是藉由真空泵224來從處理室201除去。
(第2處理氣體供給工程：S206) 淨化工程(S204)之後，其次，從反應氣體供給系244供給NH3 氣體作為反應氣體(第2氣體)至處理室201內。NH3 氣體是亦可藉由RPU244e來成為電漿狀態，被照射至位於晶圓處理位置的晶圓200的面上。藉此，在晶圓200的面上，已被形成的含矽層會被改質，例如形成含有Si元素及N元素的層之SiN膜。
而且，預定時間的經過後，關閉閥244d，停止NH3 氣體的供給。另外，在第2處理氣體供給工程(S206)中也與上述的第1處理氣體供給工程(S202)同樣，處理室201的壓力會藉由APC閥223來控制成為預定壓力。
(淨化工程：S208) 第2處理氣體供給工程(S206)之後，實行淨化工程(S208)。淨化工程(S208)的各部的動作是與上述的淨化工程(S204)的情況同樣，所以在此是省略其說明。
(判定工程：S210) 一旦完成淨化工程(S208)，則接著控制器260是以上述一連串的處理(S202~S208)作為1個的循環，判定是否將該1循環實施了預定次數(n cycle)。然後，若未實施預定次數，則重複從第1處理氣體供給工程(S202)到淨化工程(S208)的1循環。另一方面，當實施了預定次數時，結束成膜工程(S104)。
藉由如此在成膜工程(S104)中依序進行從第1處理氣體供給工程(S202)到淨化工程(S208)的各工程，預定的厚度的SiN膜會被堆積於晶圓200的面上。而且，以該等的各工程作為1循環，將該1循環重複預定次數，藉此被形成於晶圓200的面上的SiN膜會被控制成所望的膜厚。
(基板搬出入工程：S106) 以上般的成膜工程(S104)的結束後，在基板處理裝置100中，如圖2所示般，進行基板搬出入工程(S106)。在基板搬出入工程(S106)中，以和上述的基板搬入･加熱工程(S102)相反的程序，將處理完了的晶圓200往處理容器202之外搬出。然後，以和基板搬入･加熱工程(S102)同樣的程序，將其次待機的未處理的晶圓200搬入至處理容器202內。然後，對於被搬入的晶圓200是實行成膜工程(S104)。
(判定工程：S108) 一旦完成基板搬出入工程(S106)，則在基板處理裝置100中，以上述一連串的處理(S102~S106)作為1個的循環，判定是否將該1循環實施了預定次數，亦即在成膜工程(S104)處理的晶圓200是否到達預定的片數。然後，若未實施預定次數，則由於處理的晶圓200未到達預定的片數，因此重複從基板搬入･加熱工程(S102)到基板搬出入工程(S106)的1循環。另一方面，當實施了預定次數時，結束基板處理工程。
一旦基板處理工程結束，則處理容器202內是成為不存在晶圓200的狀態。
(3)處理室的洗滌工程 其次，說明有關進行對於基板處理裝置100的處理容器202內的洗滌處理的工程，作為半導體裝置的製造方法之一工程。
一旦重複進行上述的基板處理工程，則恐有在處理容器202內(特別是處理室201內)副生成物等的不要的反應物附著於壁面之虞。因此，基板處理裝置100是在預定的時機(例如，預定次數的基板處理工程的實行後、處理預定片數的晶圓200之後，從前回的洗滌處理經過預定的時間之後等)，進行處理室201的洗滌工程。
在處理室201的洗滌工程中，將閥243d、244d、245d、246d、247d、249d設為關閉的狀態下，將閥248d設為開狀態。藉由設為如此，處理室201是從處理空間洗滌氣體供給系248的處理空間洗滌氣體供給源248b經由第3氣體供給管245a及共通氣體供給管242來供給洗滌氣體。然後，被供給的洗滌氣體是除去緩衝室232內或處理室201內的附著物(反應副生成物等)。
藉此，在處理室201內是即使例如副生成物等附著於壁面的情況，也可藉由在預定的時機進行的洗滌處理來除去該副生成物等。
(4)排氣配管的洗滌工程 其次，說明有關進行對於基板處理裝置100的排氣配管222內的洗滌處理的工程，作為半導體裝置的製造方法之一工程。
一旦重複進行上述的基板處理工程，則副生成物等的不要的反應物是不僅處理室201內，恐有在進行來自處理室201的氣體排氣的排氣配管222的管內也附著之虞。特別是在排氣配管222的堆積擔心處222a之從排氣口221到APC閥223之間是副生成物等容易附著而堆積。以下，簡單說明有關其理由。
APC閥223是調整處理室201內的壓力或排氣配管222內(特別是排氣配管222之從排氣口221到APC閥223之間)的壓力等。例如，APC閥223是在基板處理工程時，調整處理室201內成為預定壓力。 可是，在基板處理工程時，處理室201內是藉由加熱器213來加熱成預定的處理溫度。另一方面，排氣配管222是被構成為不受加熱器213的熱影響。因為在排氣配管222與處理容器202之間是配置有耐熱性低的O型環(未圖示)作為密封構件。 並且，在基板處理工程時，排氣配管222的管內是氣體會從廣的處理室201流至窄(細)的管內，因此壓力變高。 如此，排氣配管222之中，特別是從排氣口221到APC閥223之間，由於壓力高且低溫，因此處於副生成物等容易附著而堆積的環境。
基於此情形，在本實施形態中，進行處理室201的洗滌工程之後，接著，進行排氣配管222的洗滌工程。
排氣配管222的洗滌工程時，首先，停止來自在處理室201的洗滌工程進行的共通氣體供給管242的洗滌氣體的供給，且開始來自共通氣體供給管242的淨化氣體的供給。具體而言，將閥248d從開狀態設成閉狀態，且將閥245d從閉狀態設成開狀態，藉此從淨化氣體供給源245b經由第3氣體供給管245a及共通氣體供給管242來供給淨化氣體至處理室201。
然後，在排氣配管222的洗滌工程中，將閥249d設為開狀態。藉由設為如此，排氣配管222是在堆積擔心處222a之從排氣口221到APC閥223之間，經由排氣配管氣體供給管249a來從排氣配管氣體供給源249b供給作為洗滌貢獻氣體的洗滌氣體。亦即，與從共通氣體供給管242往處理室201的淨化氣體供給並行，從排氣配管氣體供給管249a供給洗滌氣體至排氣配管222內的堆積擔心處222a。藉此，被供給的洗滌氣體是除去堆積擔心處222a的附著物(反應副生成物等)。
此時，在處理室201內是供給淨化氣體。因此，即使直接供給洗滌氣體至排氣配管222內，也可抑制該洗滌氣體進入至處理室201內。亦即，供給至處理室201的淨化氣體是具有使供給至排氣配管222內的洗滌氣體不會進入至處理室201內的任務。此情況，藉由比往排氣配管222的洗滌氣體供給的開始更先進行往處理室201的淨化氣體供給，可確實地防止洗滌氣體侵入至處理室201內。
(5)實施形態的效果 若根據本實施形態，則可取得以下所示的1個或複數的效果。
(a)在本實施形態中，在排氣配管222內的堆積擔心處222a是連接排氣配管氣體供給管249a。因此，即使堆積擔心處222a處於副生成物等容易附著而堆積的環境，也可藉由往該堆積擔心處222a的洗滌貢獻氣體的供給，來除去堆積擔心處222a的附著物(反應副生成物等)。
若如此根據本實施形態，則不僅處理室201內，有關排氣配管222內也可抑制反應副生成物堆積。因此，可抑制起因於往排氣配管222內的反應副生成物堆積之氣流的傳導降低，不會有因為傳導降低而也導致處理室201內的壓力梯度增大的情形，因此其結果可防止對於晶圓200的處理的均一性惡化。
(b)在本實施形態中，排氣配管222的堆積擔心處222a是被設定成位於從用以和處理室201內連通的排氣口221到被設在排氣配管222的APC閥223之間。從排氣口221到APC閥223之間是壓力高且低溫，因此副生成物等容易附著而堆積。亦即，特別是在反應副生成物堆積容易產生之處連接排氣配管氣體供給管249a。因此，可實現非常有效且有效率地進行排氣配管222的反應副生成物堆積的抑制。
(c)在本實施形態中，從排氣配管氣體供給系249是供給作為洗滌貢獻氣體的洗滌氣體。亦即，供給直接有助於除去附著於排氣配管222內的副生成物等的洗滌氣體，作為洗滌貢獻氣體。因此，在除去堆積於排氣配管222的反應副生成物等的方面，非常有用且確實。
(d)在本實施形態中，進行從排氣配管氣體供給管249a往排氣配管222內的氣體供給時，是進行從共通氣體供給管242往處理室201的淨化氣體的供給。因此，即使直接供給洗滌氣體至排氣配管222內，也可抑制該洗滌氣體進入至處理室201內。特別是藉由比往排氣配管222的洗滌氣體供給的開始更先進行往處理室201的淨化氣體供給，可確實地防止洗滌氣體侵入至處理室201內。
＜第2實施形態＞ 其次，具體地說明有關本案的第2實施形態。在此主要說明有關與上述的第1實施形態的不同點，有關其他的點是省略說明。
在本實施形態中，排氣配管氣體供給系249的構成、及利用該排氣配管氣體供給系249來進行的排氣配管222的洗滌工程會與第1實施形態的情況不同。
在本實施形態中，從排氣配管氣體供給系249的排氣配管氣體供給源249b是供給洗滌輔助氣體作為洗滌貢獻氣體。作為洗滌輔助氣體，是若為供給NF3 氣體或F2 氣體等的含氟氣體作為洗滌氣體至處理室201的情況，則可舉將該洗滌氣體活化的一氧化氮(NO)氣體或氧(O2 )氣體等的含氧氣體。另外，排氣配管氣體供給系249是亦可構成為除了洗滌輔助氣體以外，還供給洗滌氣體。
接著，說明有關如此利用排氣配管氣體供給系249來進行的排氣配管222的洗滌工程。
在處理室201的洗滌工程中，經由共通氣體供給管242來供給洗滌氣體至處理室201。然後，被供給至處理室201內的洗滌氣體是經由排氣緩衝室209及排氣配管222來排氣至處理容器202外。
在此情況中，洗滌氣體在到達排氣配管222時，能量失活。特別是在排氣配管222內，相較於處理室201，壓力變高，因此洗滌氣體的運動效率更加低落，洗滌效果變低。
基於如此的情形，在本實施形態中，與處理室201的洗滌工程並行，進行排氣配管222的洗滌工程。
在排氣配管222的洗滌工程中，藉由將閥249d設為開狀態，在排氣配管222的堆積擔心處222a之從排氣口221到APC閥223之間，經由排氣配管氣體供給管249a來從排氣配管氣體供給源249b供給作為洗滌貢獻氣體的洗滌輔助氣體。亦即，與從共通氣體供給管242往處理室201的洗滌氣體供給並行，從排氣配管氣體供給管249a供給洗滌輔助氣體至排氣配管222內的堆積擔心處222a。
藉此，從共通氣體供給管242供給，經由處理室201來到達排氣配管222內的堆積擔心處222a的洗滌氣體是藉由對於該堆積擔心處222a供給的洗滌輔助氣體來活化。然後，被活化的洗滌氣體是能量效率提高，在排氣配管222內的洗滌能力被提高的狀態下，除去排氣配管222內的堆積擔心處222a的附著物(反應副生成物等)。
此時，從排氣配管氣體供給管249a是除了洗滌輔助氣體以外，亦可同時供給洗滌氣體。若同時供給洗滌氣體，則洗滌氣體濃度提高，藉此可更提高在排氣配管222內的洗滌能力。
若根據以上說明的本實施形態，則除了在第1實施形態說明的效果以外，還具有以下所示的1個或複數效果。
(e)在本實施形態中，與從共通氣體供給管242往處理室201的洗滌氣體供給並行，從排氣配管氣體供給系249供給作為洗滌貢獻氣體的洗滌輔助氣體。亦即，藉由洗滌輔助氣體的供給來活化到達排氣配管222內的堆積擔心處222a的洗滌氣體。因此，洗滌氣體的洗滌能力會藉由活化而提高，所以在除去堆積於排氣配管222的反應副生成物等的方面，非常有用且確實。
(f)在本實施形態中，使用洗滌輔助氣體作為洗滌貢獻氣體。藉此，可並行處理室201的洗滌工程及排氣配管222的洗滌工程。因此，若與個別進行各者的洗滌工程的情況作比較，則可謀求洗滌工程所要的時間的短縮化，其結果可謀求基板處理裝置100的運轉率提升。
＜第3實施形態＞ 其次，具體地說明有關本案的第3實施形態。在此也主要說明有關與上述的第1實施形態或第2實施形態的不同點，有關其他的點是省略說明。
在本實施形態中，排氣配管氣體供給系249的構成、及利用該排氣配管氣體供給系249來進行的排氣配管222的洗滌工程會與第1實施形態的情況不同。 圖4是本實施形態的單片式的基板處理裝置的概略構成圖。
如圖4所示般，在本實施形態的基板處理裝置100a中，在排氣配管氣體供給系249是與在第1實施形態說明的排氣配管氣體供給管249a、排氣配管氣體供給源249b、MFC249c及閥249d不同，另包含直接連通至排氣配管222的排氣配管氣體供給管(第2供給管)249e。在排氣配管氣體供給管249e是從上游方向依序設有排氣配管氣體供給源249f、MFC249g及閥249h。然後，從排氣配管氣體供給管249e是洗滌貢獻氣體會經由MFC249g、閥249h來供給至排氣配管222內。
排氣配管氣體供給管(第2供給管)249e是被連接至與排氣配管氣體供給管249a不同的堆積擔心處222b。該堆積擔心處222b是被設定成位於被設在排氣配管222的APC閥223的下游側。更詳細是以APC閥223的下游側之中，位於該APC閥223的正後面之方式，設定堆積擔心處222b。亦即，在本實施形態中，以排氣配管氣體供給管249e對於排氣配管222的連接處會位於APC閥223的下游側正後面之方式，設定堆積擔心處222b。另外，在此所謂的APC閥223的「正後面」是離APC閥223的距離近，詳細如後述般分壓及溫度低的區域範圍。
作為如此對於堆積擔心處222b經由排氣配管氣體供給管249e來供給的洗滌貢獻氣體，例如與第1實施形態的情況同樣地使用洗滌氣體。但，不限於此，例如亦可與第2實施形態的情況同樣地使用洗滌輔助氣體。
接著，說明有關如此利用排氣配管氣體供給系249來進行的排氣配管222的洗滌工程。在此是舉使用洗滌氣體作為洗滌貢獻氣體的情況為例。
在本實施形態中也在進行處理室201的洗滌工程之後，對於堆積擔心處222a之從排氣口221到APC閥223之間，從排氣配管氣體供給管249e供給洗滌氣體來進行洗滌處理的點是與第1實施形態的情況同樣。
然後，一旦對於堆積擔心處222a的洗滌處理結束，則在本實施形態中是關閉APC閥223，且將閥249h設為開狀態。藉由設為如此，排氣配管222是在與堆積擔心處222a不同的堆積擔心處222b之APC閥223的下游側正後面，從排氣配管洗滌貢獻氣體供給源249f經由排氣配管氣體供給管249e來供給作為洗滌貢獻氣體的洗滌氣體。
APC閥223的下游側正後面的區域範圍，因為真空泵224的影響，分壓變低，同時溫度變低。因此，如此的區域範圍是處於副生成物等容易附著而堆積的環境。
於是，在本實施形態中，將如此的區域範圍設為堆積擔心處222b，藉由在APC閥223的下游側正後面供給洗滌氣體，除去該堆積擔心處222b的附著物(反應副生成物等)。
另外，在此是舉為了除去APC閥223的下游側正後面的副生成物等，而供給洗滌氣體的情況為例，但亦可如在第2實施形態說明般使用洗滌輔助氣體。
又，在此是舉在進行對於從排氣口221到APC閥223之間的洗滌處理之後，進行對於APC閥223的下游側正後面的洗滌處理的情況為例，作為排氣配管222的洗滌工程，但不限於此，例如，亦可只進行對於APC閥223的下游側正後面的洗滌處理。亦即，排氣配管氣體供給系249是亦可為僅排氣配管氣體供給管249e會被連接至排氣配管222，只設定APC閥223的下游側正後面作為堆積擔心處222b。
若根據以上說明的本實施形態，則除了在第1實施形態或第2實施形態說明的效果以外，還具有以下所示的效果。
(g)在本實施形態中，排氣配管222的堆積擔心處222b是被設定成位於被設在排氣配管222的APC閥223的下游側。APC閥223的下游側是分壓會變低，同時溫度會變低，因此副生成物等容易附著而堆積。亦即，特別是在反應副生成物堆積容易產生之處，連接排氣配管氣體供給管249e。因此，可實現非常有效且有效率地進行排氣配管222的反應副生成物堆積的抑制。
＜第4實施形態＞ 其次，具體地說明有關本案的第4實施形態。在此也主要說明有關與上述的第1實施形態或第2實施形態的不同點，有關其他的點是省略說明。
圖5是本實施形態的多片式的基板處理裝置的要部的概略構成圖。
如圖5所示般，在本實施形態的基板處理裝置100b中，在處理室201內是排列形成有：供給處理氣體之一的原料氣體(第1氣體)的區域之原料氣體供給區域201a、供給淨化氣體的區域之淨化氣體供給區域201b、供給處理氣體的其他之一的反應氣體(第2氣體)的區域之反應氣體供給區域201c、及供給淨化氣體的區域之淨化氣體供給區域201d。而且，被構成為載置晶圓200的基板載置台會旋轉，晶圓200會依序通過各區域201a~201d，藉此進行往晶圓200的面上的成膜處理。
在處理室201的原料氣體供給區域201a的附近是連接流動有從處理室201內排氣的原料氣體的原料氣體排氣管部222c。並且，在處理室201的反應氣體供給區域201c的附近是連接流動有從處理室201內排氣的反應氣體的反應氣體排氣管部222d。而且，原料氣體排氣管部222c與反應氣體排氣管部222d是在位於各者的下游側的合流部222e合流。亦即，在本實施形態的基板處理裝置100b中，作為進行來自處理室201的氣體排氣的排氣配管機能的排氣配管222是構成為具有：流動有原料氣體的原料氣體排氣管部222c、流動有反應氣體的反應氣體排氣管部222d、及該等合流的合流部222e。
在比第2排氣配管的合流部222e更下游側是設有真空泵224。真空泵224是經由排氣配管222來將處理室201的氣氛(特別是原料氣體及反應氣體)排氣。如此，由於真空泵224位於合流部222e的下游側，因此即使進行來自處理室201的原料氣體及反應氣體的排氣時，也不必對於各者需要個別的泵，可利用單一的真空泵224來進行排氣。
在如此的構成的基板處理裝置100b中，對於處理室201內，同時進行原料氣體供給及反應氣體供給。對應於各氣體的排氣口是分別設置，但與各個的排氣口連通的原料氣體排氣管部222c及反應氣體排氣管部222d是在下游側的合流部222e合流。因此，在合流部222e中，原料氣體與反應氣體會反應，因此副生成物等容易附著而堆積。亦即，合流部222e是成為本實施形態的堆積擔心處222e。另外，若為了迴避副生成物等的堆積，將原料氣體與反應氣體的排氣分開而不設合流部222e，則對於各者需要個別的泵，導致裝置構成的複雜化或高成本化等，不理想。
於是，本實施形態的基板處理裝置100b是合流部222e為堆積擔心處222e，因此在該合流部222e連接排氣配管氣體供給管(第2供給管)249i。在排氣配管氣體供給管249i是從上游方向依序設有排氣配管洗滌貢獻氣體供給源249j、MFC249k及閥249l。然後，從排氣配管氣體供給管249i是洗滌貢獻氣體會經由MFC249k、閥249l來供給至排氣配管222內。
作為對於合流部(堆積擔心處)222e，經由排氣配管氣體供給管249i來供給的洗滌貢獻氣體，例如與第1實施形態的情況同樣地使用洗滌氣體。但，不限於此，例如亦可與第2實施形態的情況同樣地使用洗滌輔助氣體。
接著，說明有關藉由如以上般構成的基板處理裝置100b來進行的排氣配管222的洗滌工程。在此是舉使用洗滌氣體作為洗滌貢獻氣體的情況為例。
在本實施形態中也與第1實施形態的情況同樣，進行處理室201的洗滌工程。而且，在進行處理室201的洗滌工程之後，接著，進行排氣配管222的洗滌工程。
在排氣配管222的洗滌工程中，將閥249l設為開狀態。藉由設為如此，在排氣配管222的合流部(堆積擔心處)222e是從排氣配管氣體供給源249j經由排氣配管氣體供給管249i來供給作為洗滌貢獻氣體的洗滌氣體。藉此，被供給的洗滌氣體是除去排氣配管222內的堆積擔心處222e的附著物(反應副生成物等)。
另外，在此是舉為了除去排氣配管222的合流部(堆積擔心處)222e的副生成物等，而供給洗滌氣體的情況為例，但亦可如在第2實施形態說明般使用洗滌輔助氣體。
並且，在此是舉只進行對於合流部(堆積擔心處)222e的洗滌處理的情況為例，作為排氣配管222的洗滌工程，但亦可例如進行對於從排氣口221到APC閥223之間的洗滌處理，或進行對於APC閥223的下游側正後面的洗滌處理，或進行該等的雙方的洗滌處理。
若根據以上說明的本實施形態，則除了在第1實施形態、第2實施形態或第3實施形態說明的效果以外，還具有以下所示的效果。
(h)在本實施形態中，排氣配管222的堆積擔心處222e是被設定成位於原料氣體排氣管部222c與反應氣體排氣管部222d所合流的合流部222e。合流部222e是原料氣體與反應氣體會反應，因此副生成物等會容易附著而堆積。亦即，特別是在反應副生成物堆積容易產生之處連接排氣配管氣體供給管249i。因此，可實現非常有效且有效率地進行排氣配管222的反應副生成物堆積的抑制。
＜其他的實施形態＞ 以上，具體說明本案的實施形態，但本案不被限定於上述的各實施形態，可在不脫離其要旨的範圍實施各種變更。
例如，在上述的第1實施形態及第2實施形態中，在堆積擔心處222a之從排氣口221到APC閥223之間供給洗滌貢獻氣體時，亦可將APC閥223設為完全閉狀態，將洗滌貢獻氣體封鎖於該堆積擔心處222a。若設為如此，則堆積擔心處222a的洗滌氣體濃度變高，因此在使洗滌效率提升的方面非常有效。
並且，在上述的各實施形態中，舉在基板處理工程中，使用DCS氣體作為原料氣體(第1氣體)，使用NH3 氣體作為反應氣體(第2理氣體)，交替地供給該等的氣體，在晶圓上形成SiN膜的情況為例，但本案不被限定於此。亦即，使用於成膜處理的處理氣體是不限於DCS氣體或NH3 氣體等，即使使用其他的種類的氣體來形成其他的種類的薄膜也無妨。而且，使用3種類以上的處理氣體的情況也可適用本案。
並且，在上述的第2實施形態中，舉在晶圓上形成氮化膜的SiN膜時，使用NF3 氣體或F2 氣體等作為洗滌氣體，使用NO氣體或O2 氣體等作為洗滌輔助氣體的例子，但本案不被限定於。例如，若為在晶圓上形成氧化膜(例如SiO膜)的情況，則可思考使用氟化氫(HF)作為洗滌氣體，使用水(H2 O)或乙醇作為洗滌輔助氣體。此時，亦可循環供給HF與H2 O。因為若將HF與H2 O混合，則腐蝕性會變高，因此以各者不混合的方式，藉由循環供給來使分離。
100:基板處理裝置 200:晶圓(基板) 201:處理室 222:排氣配管 222a,222b:堆積擔心處 222e:合流部(堆積擔心處) 223:APC閥 242:共通氣體供給管(第1供給管) 249a,249e,249i:排氣配管氣體供給管(第2供給管) 260:控制器
[圖1]是本案的第1實施形態的單片式的基板處理裝置的概略構成圖。 [圖2]是表示本案的第1實施形態的基板處理工程的程序的流程圖。 [圖3]是表示圖2的成膜工程的詳細的流程圖。 [圖4]是本案的第3實施形態的單片式的基板處理裝置的概略構成圖。 [圖5]是本案的第4實施形態的多片式的基板處理裝置的要部的概略構成圖。
100:基板處理裝置
200:晶圓(基板)
201:處理室
202:處理容器
202a:上部容器
202b:下部容器
203:搬送空間
204:隔板
205:閘閥
206:基板搬出入口
207:昇降銷
209:排氣緩衝室
210:基板支撐部
211:基板載置面
212:基板載置台
213:加熱器
214:貫通孔
217:傳動軸
218:昇降機構
219:波紋管
221:排氣口
222:排氣配管
222a:堆積擔心處
223:APC閥
224:真空泵
231:蓋
232:緩衝空間
233:絕緣塊
234:分散板
234a:貫通孔
241:氣體導入口
242:共通氣體供給管(第1供給管)
243c:MFC
243b:原料氣體供給源
243d:閥
243a:第1氣體供給管
243:原料氣體供給系
244:反應氣體供給系
244a:第2氣體供給管
244b:反應氣體供給源
244c:MFC
244d:閥
244e:遠端電漿單元
245:淨化氣體供給系
245a:第3氣體供給管
245b:淨化氣體供給源
245c:MFC
245d:閥
246a:第1惰性氣體供給管
246b:惰性氣體供給源
246c:MFC
246d:閥
247a:第2惰性氣體供給管
247b:惰性氣體供給源
247c:MFC
247d:閥
248a:處理空間洗滌氣體供給管
248b:處理空間洗滌氣體供給源
248c:MFC
248d:閥
249:排氣配管氣體供給系
249a:排氣配管氣體供給管(第2供給管)
249b:排氣配管氣體供給源
249c:MFC
249d:閥
260:控制器
261:運算部
262:記憶部

Claims (22)

  1. 一種基板處理裝置，其特徵為具有： 處理室，其係處理基板； 處理室氣體供給系，其係供給處理氣體、淨化氣體或洗滌氣體至前述處理室； 排氣配管，其係進行來自前述處理室的氣體排氣； 排氣配管氣體供給系，其係被連接至前述排氣配管的預定的堆積擔心處，供給洗滌貢獻氣體至前述堆積擔心處；及 控制部，其係控制來自前述處理室氣體供給系的氣體供給及來自前述排氣配管氣體供給系的氣體供給。
  2. 如請求項1之基板處理裝置，其中，前述控制部，係被構成為在進行來自前述排氣配管氣體供給系的氣體供給時，從前述處理室氣體供給系供給淨化氣體至前述處理室。
  3. 如請求項2之基板處理裝置，其中，前述控制部，係被構成為與從前述處理室氣體供給系往前述處理室的氣體供給並行，從前述排氣配管氣體供給系供給作為前述洗滌貢獻氣體的洗滌氣體至前述堆積擔心處。
  4. 如請求項2之基板處理裝置，其中，具有被設在前述排氣配管的閥， 前述閥，係於來自前述排氣配管氣體供給系的前述洗滌貢獻氣體的供給時被設為閉狀態。
  5. 如請求項2之基板處理裝置，其中，前述堆積擔心處，係被設定成位於被設在前述排氣配管的閥的下游側。
  6. 如請求項2之基板處理裝置，其中，前述堆積擔心處，係被設定成位於從前述處理室到被設在前述排氣配管的閥之間。
  7. 如請求項1之基板處理裝置，其中，前述控制部，係被構成為與從前述處理室氣體供給系往前述處理室的氣體供給並行，從前述排氣配管氣體供給系供給作為前述洗滌貢獻氣體的洗滌氣體至前述堆積擔心處。
  8. 如請求項7之基板處理裝置，其中，具有被設在前述排氣配管的閥， 前述閥，係於來自前述排氣配管氣體供給系的前述洗滌貢獻氣體的供給時被設為閉狀態。
  9. 如請求項7之基板處理裝置，其中，前述堆積擔心處，係被設定成位於被設在前述排氣配管的閥的下游側。
  10. 如請求項7之基板處理裝置，其中，前述堆積擔心處，係被設定成位於從前述處理室到被設在前述排氣配管的閥之間。
  11. 如請求項1之基板處理裝置，其中，前述控制部，係被構成為與從前述處理室氣體供給系往前述處理室的氣體供給並行，從前述排氣配管氣體供給系供給作為前述洗滌貢獻氣體的洗滌輔助氣體至前述堆積擔心處。
  12. 如請求項11之基板處理裝置，其中，具有被設在前述排氣配管的閥， 前述閥，係於來自前述排氣配管氣體供給系的前述洗滌貢獻氣體的供給時 被設為閉狀態。
  13. 如請求項11之基板處理裝置，其中，前述堆積擔心處，係被設定成位於被設在前述排氣配管的閥的下游側。
  14. 如請求項11之基板處理裝置，其中，前述堆積擔心處，係被設定成位於從前述處理室到被設在前述排氣配管的閥之間。
  15. 如請求項11之基板處理裝置，其中，前述洗滌氣體與前述洗滌輔助氣體，係被構成為交替地供給至前述排氣配管。
  16. 如請求項15之基板處理裝置，其中，前述洗滌氣體為氟化氫氣體，前述洗滌輔助氣體為水或乙醇。
  17. 如請求項1之基板處理裝置，其中，具有被設在前述排氣配管的閥， 前述閥，係於來自前述排氣配管氣體供給系的前述洗滌貢獻氣體的供給時被設為閉狀態。
  18. 如請求項1之基板處理裝置，其中，前述堆積擔心處，係被設定成位於被設在前述排氣配管的閥的下游側。
  19. 如請求項1之基板處理裝置，其中，前述堆積擔心處，係被設定成位於從前述處理室到被設在前述排氣配管的閥之間。
  20. 如請求項1之基板處理裝置，其中，前述排氣配管，係被構成為具有： 原料氣體排氣管部，其係流動有前述處理氣體之一的原料氣體； 反應氣體排氣管部，其係流動有前述處理氣體的其他之一的反應氣體；及 合流部，其係前述原料氣體排氣管部與前述反應氣體排氣管部合流， 前述堆積擔心處，係被設定成位於前述合流部。
  21. 一種半導體裝置的製造方法，其特徵為具有： 從連接至處理基板的處理室之處理室氣體供給系供給處理氣體、淨化氣體或洗滌氣體至前述處理室之工程； 經由連接至前述處理室的排氣配管來進行來自前述處理室的氣體排氣之工程； 從連接至前述排氣配管的預定的堆積擔心處之排氣配管氣體供給系供給洗滌貢獻氣體至前述堆積擔心處之工程；及 控制來自前述處理室氣體供給系的氣體供給及來自前述排氣配管氣體供給系的氣體供給之工程。
  22. 一種程式，係使下列程序藉由電腦來實行於基板處理裝置的程式， 從連接至處理基板的處理室之處理室氣體供給系供給處理氣體、淨化氣體或洗滌氣體至前述處理室之程序； 經由連接至前述處理室的排氣配管來進行來自前述處理室的氣體排氣之程序； 從連接至前述排氣配管的預定的堆積擔心處之排氣配管氣體供給系供給洗滌貢獻氣體至前述堆積擔心處之程序；及 控制來自前述處理室氣體供給系的氣體供給及來自前述排氣配管氣體供給系的氣體供給之程序。
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