DE3000889C2 - Verwendung einer um zwei Rollen umlaufenden Metallfolie zum Stranggießen von amorphem Silizium - Google Patents
Verwendung einer um zwei Rollen umlaufenden Metallfolie zum Stranggießen von amorphem SiliziumInfo
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- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 title claims description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims description 9
- 239000011888 foil Substances 0.000 title claims description 8
- 238000009749 continuous casting Methods 0.000 title claims description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 6
- 238000005266 casting Methods 0.000 claims description 5
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 230000008014 freezing Effects 0.000 description 1
- 238000007710 freezing Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 229910001338 liquidmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000010345 tape casting Methods 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C45/00—Amorphous alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/20—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof such devices or parts thereof comprising amorphous semiconductor materials
- H01L31/202—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof such devices or parts thereof comprising amorphous semiconductor materials including only elements of Group IV of the Periodic System
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Description
Ein Kupfergießband 6 als Metallfolie ist zwischen zwei Rollen 7 und 8 geführt. Flüssiges Silizium 1 wird
über eine flache Düse 2 zugeführt. Es gelangt auf das Kupferband 5, um dort in einer Dotierstoffe enthaltenden
Atmosphäre zu erstarren und eine amorphe Siliziumschicht 4 zu bilden. Dieser Erstarrungsprozeß kann
noch durch einen Kühlkörper 9 unterstützt werden, der unterhalb des Bandes 6 vorgesehen ist. Da die beiien
Rollen 7 und 8 in der Richtung von Pfeilen 10 umlaufen, fördert das Band 6 die amorphe Siliziumschicht 4 zur
Mantelfläche der Rolle 8. Dort kann dann die amorphe Siliziumschicht 4 in üblicher Weise abgezogen werden.
Die Erfindung betrifft die Verwendung einer um zwei Rollen schnell umlaufenden, polierten und mit einem
Kühlkörper versehenen Metallfolie als Gießband zum Stranggießen von amorphem Silizium.
Solarzellen aus amorphem Werkstoff, insbesondere aus amorphem Silk:um, werden derzeit als mit geringstern
Aufwand hersiellbar angesehen da der Energieaufwand
beim Fertigungsprozeß gering ist und bei Schichtdicken im Bereich von 1 μπι bis einigen 10 μπι
nur wenig Werkstoff verbraucht wird (vergleiche Y. Kuwano »Amorphous Silicon Solar Cells Meet Low Cost
Energy Requirements«, IEE, July 1979, Seite 65).
Auf dem Gebiet der Solarzellen werden gegenwärtig intensive Forschungen durchgeführt, deren Ziel in der
Erhöhung des Wirkungsgrades und der Reproduzierbarkeit der Ausbeute bei größeren Flächen besteht. Beispielsweise
ist es aus der DE-OS 28 30 522 bekannt, daß flüssiges Silizium in einer Schutzgasatmosphäre auf eine
rotierende Unterlage in der Foim eine-. Walze stranggegossen
werden kann, um so eine Siliziumfolie herzustellen. Weiterhin beschreibt die DE-OS 27 -,o 238 eine Vorrichtung
zum Stranggießen eines Metallstreifens, bei dem das flüssige Metall auf einen um zwei Rollen umlaufenden
Kühlkörper aufgetragen wird.
Es ist Aufgabe der Erfindung, die zuletzt genannte Vorrichtung für ein einfaches und kontinuierliches Verfahren
zum Herstellen von amorphem Silizium vorzusehen.
Die Erfindung erlaubt so die Verwendung einer um zwei Rollen schnell umlaufenden, polierten und mit einem
Kühlkörper versehenen Metallfolie als Gießband zum Stranggießen von amorphem Silizium für die Weiterverarbeitung
zu Solarzellen, wobei dem flüssigen Silizium während der Aufgabe auf die schnell umlaufende
Metallfolie Dotierstoffe zugegeben werden.
Das Bandgießen erfolgt also auf eine gekühlte, gut wärmeleitende polierte Metallfolie.
Die angestrebte Wasserstoffdotierung des amorphen Werkstoffs beziehungsweise dessen oberflächliche Dotierung
mit p- beziehungsweise η-leitenden Dotierstoffen erfolgt aus der Atmosphäre während des Bandgießens
selbst. Daneben kommen für die Dotierung des erstarrten Bandes auch die bekannten Verfahren, wie
zum Beispiel Festkörperdiffusion aus gasförmigen Medien, Ionenimplantation oder Festkörperdiffusion aus
festen Dotierstoffquellen in Betracht. eo
Ein wesentlicher Vorteil von bandgegossenem, amorphem Silizium ist darin zu sehen, daß der Werkstoffverbrauch
an die Bedürfnisse gut anpaßbar und das Silizium mit extrem hoher Geschwindigkeit (bis zum
Bereich von km/min) herstellbar ist.
An Hand der Zeichnung wird die Erfindung nachfolgend näher erläutert, in deren Figur schematisch eine
Vorrichtung zum Stranggießen von amorphem Silizium Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (1)
- Patentanspruch:Verwendung einer um zwei Rollen schnell umlaufenden, polierten und mit einem Kühlkörper versehenen Metallfolie als Gießband zum Stranggießen von amorphem Silizium für die Weiterverarbeitung zu Solarzellen, wobei dem flüssigen Silizium während der Aufgabe auf die schnell umlaufende Metallfolie Dotierstoffe zugegeben werden.!0angedeutet ist
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE3000889A DE3000889C2 (de) | 1980-01-11 | 1980-01-11 | Verwendung einer um zwei Rollen umlaufenden Metallfolie zum Stranggießen von amorphem Silizium |
FR8100077A FR2473792B1 (fr) | 1980-01-11 | 1981-01-06 | Procede de fabrication de piles solaires |
IT19054/81A IT1134973B (it) | 1980-01-11 | 1981-01-09 | Procedimento per fabbricare elementi solari |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE3000889A DE3000889C2 (de) | 1980-01-11 | 1980-01-11 | Verwendung einer um zwei Rollen umlaufenden Metallfolie zum Stranggießen von amorphem Silizium |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3000889A1 DE3000889A1 (de) | 1981-07-30 |
DE3000889C2 true DE3000889C2 (de) | 1984-07-26 |
Family
ID=6091885
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE3000889A Expired DE3000889C2 (de) | 1980-01-11 | 1980-01-11 | Verwendung einer um zwei Rollen umlaufenden Metallfolie zum Stranggießen von amorphem Silizium |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE3000889C2 (de) |
FR (1) | FR2473792B1 (de) |
IT (1) | IT1134973B (de) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4400409A (en) * | 1980-05-19 | 1983-08-23 | Energy Conversion Devices, Inc. | Method of making p-doped silicon films |
DE3128979C2 (de) * | 1981-07-22 | 1986-10-23 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zum Herstellen von für Solarzellen verwendbarem Silizium |
DE3226931A1 (de) * | 1982-07-19 | 1984-01-19 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren und vorrichtung zum herstellen von grossflaechigen, fuer die fertigung von solarzellen verwendbaren bandfoermigen siliziumkoerpern |
DE3305933A1 (de) * | 1983-02-21 | 1984-08-23 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren und vorrichtung zum herstellen von polykristallinen, grossflaechigen siliziumkristallkoerpern fuer solarzellen |
DE3404818A1 (de) * | 1984-02-10 | 1985-08-14 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Vorrichtung zum erzeugen eines pn- ueberganges in einem nach dem durchlaufverfahren hergestellten siliziumband |
US4663828A (en) * | 1985-10-11 | 1987-05-12 | Energy Conversion Devices, Inc. | Process and apparatus for continuous production of lightweight arrays of photovoltaic cells |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
AU503857B2 (en) * | 1976-10-22 | 1979-09-20 | Allied Chemical Corp. | Continuous casting of metal strip |
FR2394173A1 (fr) * | 1977-06-06 | 1979-01-05 | Thomson Csf | Procede de fabrication de dispositifs electroniques qui comportent une couche mince de silicium amorphe et dispositif electronique obtenu par un tel procede |
US4257830A (en) * | 1977-12-30 | 1981-03-24 | Noboru Tsuya | Method of manufacturing a thin ribbon of magnetic material |
DE2830522A1 (de) * | 1978-07-12 | 1980-01-31 | Licentia Gmbh | Verfahren und vorrichtung zur herstellung von folien, baendern oder platten aus silizium |
DE2842421C2 (de) * | 1978-09-29 | 1980-03-06 | Vacuumschmelze Gmbh, 6450 Hanau | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Metallbändern |
-
1980
- 1980-01-11 DE DE3000889A patent/DE3000889C2/de not_active Expired
-
1981
- 1981-01-06 FR FR8100077A patent/FR2473792B1/fr not_active Expired
- 1981-01-09 IT IT19054/81A patent/IT1134973B/it active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR2473792A1 (fr) | 1981-07-17 |
FR2473792B1 (fr) | 1985-10-25 |
IT8119054A0 (it) | 1981-01-09 |
IT1134973B (it) | 1986-08-20 |
DE3000889A1 (de) | 1981-07-30 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |