JPS61133676A - ａ−Ｓｉ太陽電池用基板 - Google Patents
ａ−Ｓｉ太陽電池用基板Info
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- JPS61133676A JPS61133676A JP59256301A JP25630184A JPS61133676A JP S61133676 A JPS61133676 A JP S61133676A JP 59256301 A JP59256301 A JP 59256301A JP 25630184 A JP25630184 A JP 25630184A JP S61133676 A JPS61133676 A JP S61133676A
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 30
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 13
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 30
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 27
- 239000010407 anodic oxide Substances 0.000 claims description 40
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 10
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 5
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 abstract description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract description 4
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 abstract 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 abstract 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 10
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 10
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 7
- 238000007743 anodising Methods 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 5
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 3
- KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L chromic acid Substances O[Cr](O)(=O)=O KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 3
- AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N furo[3,4-b]pyrazine-5,7-dione Chemical compound C1=CN=C2C(=O)OC(=O)C2=N1 AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 3
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 3
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 2
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 125000000896 monocarboxylic acid group Chemical group 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
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- H01L31/03921—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate including only elements of Group IV of the Periodic Table
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
この発明はａ−Ｓｉ太陽電池用基板に関し、さらに詳し
くいえば高電圧を取出すのに好適な直列接続型ａ−Ｓｉ
太陽電池の基板に関する。
くいえば高電圧を取出すのに好適な直列接続型ａ−Ｓｉ
太陽電池の基板に関する。
この明ａｍにおいて、Ｕアルミニウム」という８Ｂには
、純アルミニウムはもちろんのことすべてのアルミニウ
ム合金を含むものとする。
、純アルミニウムはもちろんのことすべてのアルミニウ
ム合金を含むものとする。
従来技術とその問題点
１枚の基板上に複数個の太陽電池を形成し、これらを直
列に接続した直列接続型ａ−８ｔ太陽電池としては、た
とえば基板上に、クロム等からなる下部電極を電子ビー
ム蒸着法等により複数形成しく厚さ１μｍ以下）、各下
部電極上にａ −Ｓｉ 層をたとえばＣＶＤ法により形
成し、各ａ−８ｊ層を透明導電膜で被覆したものがある
。このような太陽電池においては、当然のことながら下
部電極間が電気的に絶縁されていなければならず、下部
電極間の抵抗値をＩＯＭΩ以上とすることが必要となっ
てくる。そこで従来、基板としては、ステンレス鋼板の
表面にポリイミド樹脂からなる皮膜が形成されたものお
よびガラス製のものなどが用いられていた。しかしなが
ら、前者ではステンレス鋼板およびポリイミド樹脂は非
常に高価であるので、太陽電池のコスト・ダウンを図る
ことはむずかしかった。また後者では、放熱性が悪く、
しかも破損しやすいという問題があった。
列に接続した直列接続型ａ−８ｔ太陽電池としては、た
とえば基板上に、クロム等からなる下部電極を電子ビー
ム蒸着法等により複数形成しく厚さ１μｍ以下）、各下
部電極上にａ −Ｓｉ 層をたとえばＣＶＤ法により形
成し、各ａ−８ｊ層を透明導電膜で被覆したものがある
。このような太陽電池においては、当然のことながら下
部電極間が電気的に絶縁されていなければならず、下部
電極間の抵抗値をＩＯＭΩ以上とすることが必要となっ
てくる。そこで従来、基板としては、ステンレス鋼板の
表面にポリイミド樹脂からなる皮膜が形成されたものお
よびガラス製のものなどが用いられていた。しかしなが
ら、前者ではステンレス鋼板およびポリイミド樹脂は非
常に高価であるので、太陽電池のコスト・ダウンを図る
ことはむずかしかった。また後者では、放熱性が悪く、
しかも破損しやすいという問題があった。
この発明の目的は、上記の問題を解決した太陽電池用基
板を提供することにある。
板を提供することにある。
問題点を解決するための手段
この発明によるａ−Ｓｉ太陽電池用基板は、アルミニウ
ム板の少なくとも片面に未封孔陽極酸化皮膜が形成され
たものである。
ム板の少なくとも片面に未封孔陽極酸化皮膜が形成され
たものである。
上記において、アルミニウム板におけるアルミニウムの
純度は９９％以上、とくに９９．７％とすることが好ま
しい。アルミニウムの純度が９９％未満であると、製造
上不可避の不純物であるケイ素および鉄の含有量は必然
的に増えることとなる。そうすると、ケイ素および鉄の
晶出物がアルミニウム板の表面に露出し、この部分にお
いて陽極酸化皮膜に欠陥が生じて皮膜の絶縁性が悪くな
るおそれがあるからである。
純度は９９％以上、とくに９９．７％とすることが好ま
しい。アルミニウムの純度が９９％未満であると、製造
上不可避の不純物であるケイ素および鉄の含有量は必然
的に増えることとなる。そうすると、ケイ素および鉄の
晶出物がアルミニウム板の表面に露出し、この部分にお
いて陽極酸化皮膜に欠陥が生じて皮膜の絶縁性が悪くな
るおそれがあるからである。
アルミニウム板の表面粗さはアルミニウム板の表面に皮
膜がなめらかに形成されるべくＲ１１１ａｘ。
膜がなめらかに形成されるべくＲ１１１ａｘ。
０．５ｕｍ以下、とくにＲｍａｘ 、 ０．３μｍ以下
としておくことが好ましい。表面粗さがＲｍａｘ、０．
５μｍを越えると、陽極酸化皮膜の表面に微細な凹凸が
多数存在したり、あるいは皮膜表面が微細な針状構造と
なって、太陽電池を形成した場合にその特性を発揮し得
ない。Ｒｍａｘ、０．５μ請以下とする方法としては、
別布研磨および化学研磨をこの順序で行なう方法がある
。また、このような研磨を施す代わりに、アルミニウム
板として光沢圧延板を用いてもよい。光沢圧延板では、
その表面粗さをＲｍａｘ。
としておくことが好ましい。表面粗さがＲｍａｘ、０．
５μｍを越えると、陽極酸化皮膜の表面に微細な凹凸が
多数存在したり、あるいは皮膜表面が微細な針状構造と
なって、太陽電池を形成した場合にその特性を発揮し得
ない。Ｒｍａｘ、０．５μ請以下とする方法としては、
別布研磨および化学研磨をこの順序で行なう方法がある
。また、このような研磨を施す代わりに、アルミニウム
板として光沢圧延板を用いてもよい。光沢圧延板では、
その表面粗さをＲｍａｘ。
０．５μｍ以下とすることができる。また、陽極酸化皮
膜は、クロム酸またはしゆう酸等を含む電解液中で陽極
酸化処理を施すことにより形成することが好ましい。上
記において、クロム酸を含む電解液中で陽極酸化処理を
行なうのは、この処理によって形成された酸化皮膜が次
のような性質を有しているからである。その１は、クロ
ム酸を含む電解液中で陽極酸化処理を施して形成した陽
極酸化皮膜は、アルミニウム板の表面に露出したケイ素
および鉄等の影響を受けにくいことである。この性質に
より、アルミニウム板の表面にケイ素および鉄等が露出
したとしても陽極酸化皮膜に欠陥が発生しにくくなり、
欠陥の存在による電気絶縁性の低下が防止される。その
２は、上記皮膜は高温に加熱されてもクラックが発生し
にくいことである。このことにより、ａ−Ｓｉ層を形成
するさいに基板の温４一 度が２５０〜３５０℃まで上昇したとしても陽極酸化皮
膜にクラックが発生するのが防止され、クラックの存在
による電気絶縁性の低下が防止される。しかも、クラッ
クが発生しにくいので、他の電解液、たとえば硫酸を含
む電解液中で陽極酸化処理を施すことにより形成された
皮膜よりも厚膜とすることが可能になり、電気絶縁性が
向上して、抵抗値が大きくなる。また、上記において、
しゆう酸を含む電解液中で陽極酸化処理を行なうのは次
の理由による。すなわち、しゆう酸を含む電解液中で陽
極酸化処理を施して形成した陽極酸化皮膜は解離定数の
大きい電解質アニオンを含んでおらず、しかも水分の吸
着量が極めて少ないため酸化皮膜の電気絶縁性が向上し
て、抵抗値が大きくなるからである。
膜は、クロム酸またはしゆう酸等を含む電解液中で陽極
酸化処理を施すことにより形成することが好ましい。上
記において、クロム酸を含む電解液中で陽極酸化処理を
行なうのは、この処理によって形成された酸化皮膜が次
のような性質を有しているからである。その１は、クロ
ム酸を含む電解液中で陽極酸化処理を施して形成した陽
極酸化皮膜は、アルミニウム板の表面に露出したケイ素
および鉄等の影響を受けにくいことである。この性質に
より、アルミニウム板の表面にケイ素および鉄等が露出
したとしても陽極酸化皮膜に欠陥が発生しにくくなり、
欠陥の存在による電気絶縁性の低下が防止される。その
２は、上記皮膜は高温に加熱されてもクラックが発生し
にくいことである。このことにより、ａ−Ｓｉ層を形成
するさいに基板の温４一 度が２５０〜３５０℃まで上昇したとしても陽極酸化皮
膜にクラックが発生するのが防止され、クラックの存在
による電気絶縁性の低下が防止される。しかも、クラッ
クが発生しにくいので、他の電解液、たとえば硫酸を含
む電解液中で陽極酸化処理を施すことにより形成された
皮膜よりも厚膜とすることが可能になり、電気絶縁性が
向上して、抵抗値が大きくなる。また、上記において、
しゆう酸を含む電解液中で陽極酸化処理を行なうのは次
の理由による。すなわち、しゆう酸を含む電解液中で陽
極酸化処理を施して形成した陽極酸化皮膜は解離定数の
大きい電解質アニオンを含んでおらず、しかも水分の吸
着量が極めて少ないため酸化皮膜の電気絶縁性が向上し
て、抵抗値が大きくなるからである。
また、アルミニウム板の表面に未封孔陽極酸化皮膜を形
成するのは、表面に電気絶縁層を形成して、直列接続型
ａ−Ｓｉ太陽電池の下部電極間を電気的に絶縁するため
である。
成するのは、表面に電気絶縁層を形成して、直列接続型
ａ−Ｓｉ太陽電池の下部電極間を電気的に絶縁するため
である。
上記において、アルミニウム板の表面に形成される電気
絶縁層として未封孔陽極酸化皮膜を適用したのは、未封
孔陽極酸化皮膜が次のような性質を有することが判明し
たからである。その１は、未封孔陽極酸化皮膜は、高温
に加熱されてもクラックが発生しにくいことである。こ
のことにより、ａ −ｓｔ ｍを形成するさいに基板の
温度が２５０〜３５０℃まで上昇したとしても陽極酸化
皮膜にクラックが発生するのが防、止され、クラックの
存在による電気絶縁性の低下が防止される。その２は、
未封孔陽極酸化皮膜の表面は微細な針状構造となってい
ないからである。針状構造となっていると太陽電池の特
性が出ないおそれがある。通常、陽極酸化処理を施した
後に封孔処理を施すのが一般的であるが、封孔処理を施
した陽極酸化皮膜では、ａ−Ｓｉ層形成時にクラックが
発生するおそれがある。クラックが発生すると、下部電
極と基板とが短絡する。また、封孔処理を施した陽極酸
化皮膜の表面は、微細な針状構造となっているので太陽
電池を形成した場合、太陽電池の特性が出ないおそれが
ある。未封孔陽極酸化皮膜の膜厚は１〜２０μＭ、とく
に１０μｍ前後とすることが好ましい。
絶縁層として未封孔陽極酸化皮膜を適用したのは、未封
孔陽極酸化皮膜が次のような性質を有することが判明し
たからである。その１は、未封孔陽極酸化皮膜は、高温
に加熱されてもクラックが発生しにくいことである。こ
のことにより、ａ −ｓｔ ｍを形成するさいに基板の
温度が２５０〜３５０℃まで上昇したとしても陽極酸化
皮膜にクラックが発生するのが防、止され、クラックの
存在による電気絶縁性の低下が防止される。その２は、
未封孔陽極酸化皮膜の表面は微細な針状構造となってい
ないからである。針状構造となっていると太陽電池の特
性が出ないおそれがある。通常、陽極酸化処理を施した
後に封孔処理を施すのが一般的であるが、封孔処理を施
した陽極酸化皮膜では、ａ−Ｓｉ層形成時にクラックが
発生するおそれがある。クラックが発生すると、下部電
極と基板とが短絡する。また、封孔処理を施した陽極酸
化皮膜の表面は、微細な針状構造となっているので太陽
電池を形成した場合、太陽電池の特性が出ないおそれが
ある。未封孔陽極酸化皮膜の膜厚は１〜２０μＭ、とく
に１０μｍ前後とすることが好ましい。
実施例１
厚さ０．５ｎｕｎでかつ表面粗さがＲｍａｘ、０゜３μ
ｍのＡ１０７０製のアルミニウム板を用意した。そして
、このアルミニウム板に、３ｗｔ％（ＣＯＯＨ）２水溶
液からなる液温３５±２℃の電解液中で、図面に示すよ
うな電解波形（６０Ｈ７）となるように交直重畳電解に
より９０分間陽極酸化処理を施し、膜厚１０μｍの未封
孔陽極酸化皮膜を形成して太陽電池用基板を得た。つい
で、この基板を４００℃で１時間加熱した。そして皮膜
ににおけるクラックの有無を観察したところ、クラック
は認められなかった。
ｍのＡ１０７０製のアルミニウム板を用意した。そして
、このアルミニウム板に、３ｗｔ％（ＣＯＯＨ）２水溶
液からなる液温３５±２℃の電解液中で、図面に示すよ
うな電解波形（６０Ｈ７）となるように交直重畳電解に
より９０分間陽極酸化処理を施し、膜厚１０μｍの未封
孔陽極酸化皮膜を形成して太陽電池用基板を得た。つい
で、この基板を４００℃で１時間加熱した。そして皮膜
ににおけるクラックの有無を観察したところ、クラック
は認められなかった。
実施例２
厚さＱ、５＋ａｍでかつ表面粗さがＲｍａｘ、０゜３μ
ＭのＡ１０７０製のアルミニウム板を用意した。そして
、このアルミニウム板に、５ｗｔ％ＣｒＯ３水溶液から
なる液温４ｏ±１℃の電解液中で、電解電圧７０Ｖで直
流電解により１００分間陽極酸化処理を施し、膜厚１０
μｍの未封孔陽極酸皮膜を形成して太陽電池用基板を得
た。ついで、この基板を４００℃で１時間加熱した。そ
して、皮膜におけるクラックの有無を観察したところ、
クラックは認められなかった。
ＭのＡ１０７０製のアルミニウム板を用意した。そして
、このアルミニウム板に、５ｗｔ％ＣｒＯ３水溶液から
なる液温４ｏ±１℃の電解液中で、電解電圧７０Ｖで直
流電解により１００分間陽極酸化処理を施し、膜厚１０
μｍの未封孔陽極酸皮膜を形成して太陽電池用基板を得
た。ついで、この基板を４００℃で１時間加熱した。そ
して、皮膜におけるクラックの有無を観察したところ、
クラックは認められなかった。
実施例３
上記実施例１と同様にして、表面に未封孔陽極酸化皮膜
を有する太陽電池用基板を製造した。
を有する太陽電池用基板を製造した。
ついで、未封孔陽極酸化皮膜上にクロムからなる１辺１
５１ＩＩＩ１１の正方形状下部電極を６４個電子ビーム
蒸着した。そして、未封孔陽極酸化皮膜の電気絶縁性を
調べるために、各下部電極とアルミニウム板との間の抵
抗を測定した。この抵抗は６４個すべてについて１０Ｍ
Ω以上であった。
５１ＩＩＩ１１の正方形状下部電極を６４個電子ビーム
蒸着した。そして、未封孔陽極酸化皮膜の電気絶縁性を
調べるために、各下部電極とアルミニウム板との間の抵
抗を測定した。この抵抗は６４個すべてについて１０Ｍ
Ω以上であった。
実施例４
上記実施例２と同様にして、表面に未封孔陽極酸化皮膜
を有する太陽電池用基板を製造した。
を有する太陽電池用基板を製造した。
ついで、未封孔陽極酸化皮膜上にクロムからなる１辺１
５ＩｌｌＩｌｌの正方形状下部Ｎ極を６４個電子ビーム
蒸着した。そして、未封孔陽極酸化皮膜の電気絶縁性を
調べるために各下部電極とアルミニウム板との間の抵抗
を測定した。この抵抗は６４個すべてについて１０ＭΩ
以上であった。
５ＩｌｌＩｌｌの正方形状下部Ｎ極を６４個電子ビーム
蒸着した。そして、未封孔陽極酸化皮膜の電気絶縁性を
調べるために各下部電極とアルミニウム板との間の抵抗
を測定した。この抵抗は６４個すべてについて１０ＭΩ
以上であった。
比較例１
上記実施例１と同じ太陽電池用基板を用意し、その未封
孔陽極酸化皮膜に４ｋｇ／ａｍ２の加圧水蒸気中で２０
分間封孔処理を施した。その後、４００℃で１時間加熱
し、封孔陽極酸化皮膜におけるクラックの有無を観察し
たところ、クラックが認められた。
孔陽極酸化皮膜に４ｋｇ／ａｍ２の加圧水蒸気中で２０
分間封孔処理を施した。その後、４００℃で１時間加熱
し、封孔陽極酸化皮膜におけるクラックの有無を観察し
たところ、クラックが認められた。
比較例２
上記実施例２と同じ太陽電池用基板を用意し、その未封
孔陽極酸化皮膜に９８℃以上の純水沸騰水中で２０分間
封孔処理を施した。その後、４００℃で１時間加熱し、
封孔陽極酸化皮膜におけるクラックの有無を観察したと
ころ、クラックが認められた。
孔陽極酸化皮膜に９８℃以上の純水沸騰水中で２０分間
封孔処理を施した。その後、４００℃で１時間加熱し、
封孔陽極酸化皮膜におけるクラックの有無を観察したと
ころ、クラックが認められた。
比較例３
上記実施例３と同じ太陽電池用基板を用意し、その未封
孔陽極酸化皮膜に９８℃以上の純水沸騰水中で２０分間
封孔処理を施した。ついで、封孔陽極酸化皮膜上にクロ
ムからなる１辺１５ＩＩＩＩ１１の正方形状下部電極を
６４個電子ビーム蒸着した。そして、封孔陽極酸化皮膜
の電気絶縁性を調べるために、各下部電極とアルミニウ
ム板との間の抵抗を測定した。その結果、６４個中４１
個の下部電極において、上記抵抗がＩＯＭΩ未満であっ
た。
孔陽極酸化皮膜に９８℃以上の純水沸騰水中で２０分間
封孔処理を施した。ついで、封孔陽極酸化皮膜上にクロ
ムからなる１辺１５ＩＩＩＩ１１の正方形状下部電極を
６４個電子ビーム蒸着した。そして、封孔陽極酸化皮膜
の電気絶縁性を調べるために、各下部電極とアルミニウ
ム板との間の抵抗を測定した。その結果、６４個中４１
個の下部電極において、上記抵抗がＩＯＭΩ未満であっ
た。
比較例４
上記実施例４と同じ太陽電池用基板を用意し、その未封
孔陽極酸化皮膜に９８℃以上の純水沸騰水中で２０分間
封孔処理を施した。ついで、封孔陽極酸化皮膜上にクロ
ムからなる１辺１５Ｉｌ１ｍの正方形状下部電極を６４
個電子ビーム蒸着した。そして、封孔陽極酸化皮膜の電
気絶縁性を調べるために各下部電極とアルミニウム板と
の間の抵抗を測定した。その結果、６４個中４５個の下
部電極において上記抵抗が１０ＭΩ未満であった。
孔陽極酸化皮膜に９８℃以上の純水沸騰水中で２０分間
封孔処理を施した。ついで、封孔陽極酸化皮膜上にクロ
ムからなる１辺１５Ｉｌ１ｍの正方形状下部電極を６４
個電子ビーム蒸着した。そして、封孔陽極酸化皮膜の電
気絶縁性を調べるために各下部電極とアルミニウム板と
の間の抵抗を測定した。その結果、６４個中４５個の下
部電極において上記抵抗が１０ＭΩ未満であった。
上記実施例１〜４および比較例１〜４の結果から、未封
孔陽極酸化皮膜は、封孔陽極酸化皮膜に比べて、高温に
加熱した場合にクラックが発生しにくく、しかも電気絶
縁性に優れていることがわかる。
孔陽極酸化皮膜は、封孔陽極酸化皮膜に比べて、高温に
加熱した場合にクラックが発生しにくく、しかも電気絶
縁性に優れていることがわかる。
発明の効果
この発明のａ−Ｓｉ太陽電池用基板は、その表面に電気
絶縁層として、耐高温クラック性に優れた未封孔陽極酸
化皮膜が形成されているので、下部電極を蒸着した後ａ
−Ｓｉ層を形成するさいに高温に加熱されたとしても皮
膜にクラックが発生するのが防止される。したがって、
下部電極とアルミニウム板との短絡が防止され、下部電
極どうしの絶縁が確実に行なわれる。また、この発明の
ａ−Ｓｉ太陽電池用基板の未封孔陽極酸化皮膜の表面は
封孔陽極酸化皮膜の表面のように微細な針状構造となっ
ていないので、基板上に形成された太陽電池はその特性
を発揮し、確実に作動する。
絶縁層として、耐高温クラック性に優れた未封孔陽極酸
化皮膜が形成されているので、下部電極を蒸着した後ａ
−Ｓｉ層を形成するさいに高温に加熱されたとしても皮
膜にクラックが発生するのが防止される。したがって、
下部電極とアルミニウム板との短絡が防止され、下部電
極どうしの絶縁が確実に行なわれる。また、この発明の
ａ−Ｓｉ太陽電池用基板の未封孔陽極酸化皮膜の表面は
封孔陽極酸化皮膜の表面のように微細な針状構造となっ
ていないので、基板上に形成された太陽電池はその特性
を発揮し、確実に作動する。
図面はこの発明の実施例１．３および比較例１．３にお
いてアルミニウム板の表面に陽極酸化皮膜を形成するさ
いの電解波形を示す同である。 以 上 特許出願人 昭和アルミニウム株式会社υ田〉 昭和６０年１ 月１１日 １、事件の表示 昭和５９年特許願第２５６３０１号
２２、発明の名称 ａ−８ｉ太陽電池用基板
３３、補正をする習 事件との関係 特許出願人 住 所 堺市海山町６丁２２４番地氏名８名称
昭和アルミニウム株式会社 。 ４、代 理 人 住 所 大阪市南区鰻谷西之町５７番地の６ イ
ナバビル６階外４名６ ５、補正命令の日付 昭和 年 月 日６、
補正により増加する発明の数 ７、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄８、
補正の内容 明細書４頁８〜９行の「たり、あるいは皮膜表面が微細
な針状構造となって」を削除する。 昭和６０年７月７７日 事件の表示 昭和５９年持重：′Ｅ願第２５６３０１
号、発明の名称 ａ−８ｉ太陽電池用基板、補正を
する者 事件との関係 特１１’Ｆ出願人住 所堺市海
山町６丁、２２４番地 氏名・名称 昭和アルミニウム株式会社、補正により
増加する発明の数 、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄、補正の
内容 （１）明細書２頁１０〜１１行の「１０ＭΩ以上と」を
「大きく」と訂正する。 （２）同書１０頁１１行の「１０ＭΩ」を「２０ＭΩ」
と訂正する。 （３）同書１１頁５行の「１０ＭΩ」を「２０ＭΩ」と
訂正する。 （４）同書１２頁１３〜１４行の「１０ＭΩ」をｒ２ｏ
ＭΩ」と訂正する。
いてアルミニウム板の表面に陽極酸化皮膜を形成するさ
いの電解波形を示す同である。 以 上 特許出願人 昭和アルミニウム株式会社υ田〉 昭和６０年１ 月１１日 １、事件の表示 昭和５９年特許願第２５６３０１号
２２、発明の名称 ａ−８ｉ太陽電池用基板
３３、補正をする習 事件との関係 特許出願人 住 所 堺市海山町６丁２２４番地氏名８名称
昭和アルミニウム株式会社 。 ４、代 理 人 住 所 大阪市南区鰻谷西之町５７番地の６ イ
ナバビル６階外４名６ ５、補正命令の日付 昭和 年 月 日６、
補正により増加する発明の数 ７、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄８、
補正の内容 明細書４頁８〜９行の「たり、あるいは皮膜表面が微細
な針状構造となって」を削除する。 昭和６０年７月７７日 事件の表示 昭和５９年持重：′Ｅ願第２５６３０１
号、発明の名称 ａ−８ｉ太陽電池用基板、補正を
する者 事件との関係 特１１’Ｆ出願人住 所堺市海
山町６丁、２２４番地 氏名・名称 昭和アルミニウム株式会社、補正により
増加する発明の数 、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄、補正の
内容 （１）明細書２頁１０〜１１行の「１０ＭΩ以上と」を
「大きく」と訂正する。 （２）同書１０頁１１行の「１０ＭΩ」を「２０ＭΩ」
と訂正する。 （３）同書１１頁５行の「１０ＭΩ」を「２０ＭΩ」と
訂正する。 （４）同書１２頁１３〜１４行の「１０ＭΩ」をｒ２ｏ
ＭΩ」と訂正する。
Claims (1)
- アルミニウム板の少なくとも片面に未封孔陽極酸化皮膜
が形成されたａ−Ｓｉ太陽電池用基板。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59256301A JPS61133676A (ja) | 1984-12-03 | 1984-12-03 | ａ−Ｓｉ太陽電池用基板 |
| DE3528087A DE3528087C2 (de) | 1984-08-06 | 1985-08-05 | Substrat für Solarzellen aus amorphem Silicium |
| US07/047,559 US4806436A (en) | 1984-08-06 | 1987-04-27 | Substrate for amorphous silicon solar cells |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59256301A JPS61133676A (ja) | 1984-12-03 | 1984-12-03 | ａ−Ｓｉ太陽電池用基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61133676A true JPS61133676A (ja) | 1986-06-20 |
Family
ID=17290755
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59256301A Pending JPS61133676A (ja) | 1984-08-06 | 1984-12-03 | ａ−Ｓｉ太陽電池用基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61133676A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012023180A (ja) * | 2010-07-14 | 2012-02-02 | Fujifilm Corp | 電子デバイス用基板および該基板を備えた光電変換装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5743413A (en) * | 1980-05-19 | 1982-03-11 | Energy Conversion Devices Inc | Semiconductor element and method of producing same |
| JPS5778183A (en) * | 1980-09-09 | 1982-05-15 | Energy Conversion Devices Inc | Photoresponse amorphous alloy and method of producing same |
-
1984
- 1984-12-03 JP JP59256301A patent/JPS61133676A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5743413A (en) * | 1980-05-19 | 1982-03-11 | Energy Conversion Devices Inc | Semiconductor element and method of producing same |
| JPS5778183A (en) * | 1980-09-09 | 1982-05-15 | Energy Conversion Devices Inc | Photoresponse amorphous alloy and method of producing same |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012023180A (ja) * | 2010-07-14 | 2012-02-02 | Fujifilm Corp | 電子デバイス用基板および該基板を備えた光電変換装置 |
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