DE3528087C2 - Substrat für Solarzellen aus amorphem Silicium - Google Patents

Substrat für Solarzellen aus amorphem Silicium

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Description

Gegenstand der Erfindung ist ein Substrat für Solarzellen aus amorphem Silicium nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1. Ein derartiges Substrat ist beispielsweise aus der DE 30 13 037 A1 bekannt und dient insbesondere dazu, daß auf dem Substrat eine Vielzahl von in Reihe geschalteten Solarzellen ausgebildet werden kann.
Im folgenden wird der Begriff "amorphes Silicium" abgekürzt als "a-Si" be­ zeichnet.
Eine Anordnung von in Reihe geschalteten Solarzellen wird beispielsweise dadurch gebildet daß man durch Elektronenstrahlaufdampfen im Vaku­ um oder dergleichen auf einem Substrat eine Vielzahl von unteren Elektro­ den aus Chrom oder dergleichen ausbildet, auf jeder der unteren Elektro­ den eine a-Si-Schicht erzeugt, beispielsweise durch chemisches Aufdamp­ fen, die a-Si-Schicht mit einem transparenten, elektrisch leitenden Film bedeckt und die sich ergebenden Zellen in Reihe schaltet. Bei einer sol­ chen Solarzellenanordnung müssen die unteren Elektroden natürlich elektrisch voneinander isoliert werden, indem man dem Bereich zwischen den unteren Elektroden einen erhöhten Widerstandswert verleiht.
Die eingangs genannte DE 30 13 037 A1 beschreibt einen terrestrischen Solargenerator mit ei­ nem eloxierten oder hart anodisierten Aluminiumblech als mechanisch tragendem Untergrund.
Aus der DE 30 23 165 A1 ist eine Solarzelle aus amorphem Silicium be­ kannt, bei der eine amorphe Silicium-Dünnschicht auf einem reflektieren­ den Substrat aus einer mattglänzenden Aluminiumschicht vorgesehen ist, wobei der Rauhigkeitsgrad der Aluminiumschicht etwa 0,5 µm betragen kann.
Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein Substrat für Solarzellen aus amorphem Silicium zu schaffen, das kostengünstig herzu­ stellen ist, gute Isolationseigenschaften aufweist und bei seiner Verarbei­ tung erhöhten Temperaturen ausgesetzt werden kann.
Diese Aufgabe wird nun gelöst durch ein Substrat gemäß Hauptanspruch. Die Unteransprüche betreffen bevorzugte Ausführungsformen dieses Er­ findungsgegenstandes.
Die Erfindung betrifft somit ein Substrat für Solarzellen aus amorphem Si­ licium, umfassend eine Platte aus Aluminium oder einer Aluminiumlegie­ rung, die auf mindestens einer Oberfläche einen durch anodische Oxida­ tion gebildeten Film aufweist, welches dadurch gekennzeichnet ist, daß der Film ein in Oxalsäure gebildeter, unversiegelter Film mit einer Dicke von 1 bis 20 µm ist.
Ausführungsbeispiele der Erfindung seien im folgenden näher unter Bezugnahme auf die beigefüg­ ten Zeichnungen erläutert. In den Zeichnungen zeigen:
Fig. 1 eine Schnittansicht in der Dickenrichtung durch ein erfindungsge­ mäßes Substrat für Solarzellen aus amorphem Silicium;
Fig. 2 eine Schnittansicht in der Dickenrichtung von Solarzellen aus amor­ phem Silicium, die in Reihe geschaltet sind und auf dem Substrat vorlie­ gen; und
Fig. 3 eine Kurvendarstellung, die das Beispiel einer Wellenform der Elektrolysespannung zur Er­ zeugung des durch anodische Oxidation in Oxal­ säure gebildeten Films auf der Oberfläche der Platte aus Aluminium oder der Aluminiumlegie­ rung bei der Herstellung des erfindungsgemäßen Substrats verdeutlicht.
Wie in der Fig. 1 dargestellt ist, umfaßt das erfindungs­ gemäße Substrat 1 eine Platte 2, die auf einer Oberfläche mit einem unversiegelten, durch anodische Oxidation in Oxalsäure gebildeten Film 3 mit einer Dicke von 1 bis 20 µm versehen ist und der als elektrische Isolationsschicht dient. Jede Solarzelle, die auf dem Substrat 1 gebildet ist, umfaßt eine auf dem Film 3 angeordnete untere Elek­ trode 4 aus Chrom, eine die untere Elektrode 4 bedecken­ de a-Si-Schicht 5 und eine auf der a-Si-Schicht 5 ausge­ bildete obere Elektrode 6 in Form eines transparenten, elektrisch leitenden Films, wie es in der Fig. 2 darge­ stellt ist. Alle Zellen sind elektrisch in Reihe geschal­ tet, wobei die obere Elektrode 6 einer jeden Zelle mit der unteren Elektrode 4 der unmittelbar benachbarten Zel­ le verbunden ist.
Die Platte 2 besteht aus Aluminium mit einer Reinheit von mindestens 99% oder aus einer Aluminiumlegierung. Die Platte aus Aluminium oder der Aluminiumlegierung enthält herstellungsbedingte Verunreinigungen. Von diesen Verun­ reinigungen stellen Eisen und Silicium Probleme für das Substrat 1 dar, da sie Kristalle auf der Oberfläche der Platte 2 bilden. Wenn eine Platte aus Aluminium oder einer Aluminiumlegierung verwendet wird, sollte sie einen ver­ minderten Gehalt an Eisen und Silicium aufweisen. Vor­ zugsweise beträgt die Gesamtmenge an Eisen und Silicium in der Platte 2 bis zu etwa 1 Gew.-%. Noch bevorzugter beträgt die Höchstmenge an Eisen und Silicium bis zu 0,25 Gew.-% bzw. 0,20 Gew.-%. Wenn die Platte 2 große Men­ gen an Eisen und Silicium enthält, liegen einige der in der Platte 2 vorhandenen Eisen- und Siliciumkristalle an der Oberfläche der Platte 2 frei, was zu der Wahrschein­ lichkeit führt, daß der durch anodische Oxidation auf der Plattenoberfläche als elektrische Isolationsschicht ge­ bildete Film 3 Fehler in jenen Bereichen der freiliegen­ den Kristalle aufweist, wodurch die Isolation des Films 3 beeinträchtigt wird. Demzufolge besteht ein Bedürfnis da­ für, den Film 3 in einer größeren Dicke auszubilden, um die freiliegenden Kristalle vollständig zu bedecken und eine Beeinträchtigung der Isolierung zu verhindern. Eine Steigerung der Dicke des Films 3 führt jedoch zu dem nach­ folgend angegebenen Problem, so daß die Filmstärke vor­ zugsweise geringer ist. Bei dem Verfahren zur Erzeugung der unteren Elektrode durch Vakuumbedampfen und auch beim Ausbilden der a-Si-Schicht wird das Substrat auf Tempera­ turen von etwa 250 bis etwa 350°C erhitzt. Wenn der Film 3 eine große Dicke aufweist, kann er dabei Risse bilden, wodurch die Isolation beeinträchtigt wird, was zu einem Kurzschluß zwischen der unteren Elektrode und dem Substrat 1 führen kann. Diese Rißbildung kann dann auftreten, wenn die Filmdicke 20 µm übersteigt. Wenn weiterhin der durch anodische Oxidation erzeugte Film auf der Oberfläche der Platte 2 mit Hilfe einer kontinuierlich betriebenen Ano­ disierungsvorrichtung erzeugt wird, muß der durch anodi­ sche Oxidation erzeugte Film 3 auf eine vorbestimmte Grö­ ßer zerschnitten werden, wobei dann, wenn der Film 3 ei­ ne große Dicke von beispielsweise mehr als 10 µm auf­ weist, die Schneidwerkzeuge sich schnell abnützen, was zu einer unwirtschaftlichen Verfahrensführung führt. Da­ her ist es erwünscht, dieses Problem auch dann zu berück­ sichtigen, wenn der Film 3 mit Hilfe eines kontinuierli­ chen Verfahrens hergestellt wird. Aus den obigen Tatsa­ chen geht hervor, daß die Dicke des Films 3 dadurch ver­ ringert werden kann, daß die Menge der Kristalle auf der Oberfläche der Platte 2 auf ein Minimum gebracht wird, in­ dem man den Gehalt an Eisen und Silicium in der Platte vermindert. Wenn die Platte 2 aus Aluminium besteht, neh­ men die Gehalte an Eisen und Silicium mit zunehmender Reinheit des Aluminiums ab, so daß es möglich wird, die Filmdicke geringer auszubilden. Beispielsweise sind zu­ friedenstellende elektrische Isolationseigenschaften mit einer Dicke von etwa 10 µm erzielbar, wenn das Aluminium eine Reinheit von 99,7% aufweist oder mit einer Dicke von etwa 5 µm bei einer Reinheit von 99,9% oder mit ei­ ner Dicke von etwa 1 µm bei einer Reinheit von etwa 99,99%. Vorzugsweise beträgt der Aluminiumgehalt der Alu­ miniumplatte mindestens 99,7 Gew.-%. Wenn die Reinheit größer als dieser Wert ist, können die Gehalte an Eisen und Si­ licium bis zu 0,25 Gew.-% bzw. bis zu 0,20 Gew.-% vari­ ieren. Von den verarbeiteten Materialien des AA-Standards (AA = Aluminium Association) ist es erwünscht, die Materialien AA1070, AA1080 etc. zu verwenden. Das Material AA1070 enthält bis zu 0,25 Gew.-% Eisen und bis zu 0,20 Gew.-% Silicium. Das Material A1080 enthält bis zu 0,15 Gew.-% an jeweils Eisen und Silicium. Wenn als Platte 2 eine Aluminiumplatte verwendet wird, ist die Festigkeit der Platte 2 nicht in allen Fällen so groß, wie es für die Anwendung als Solarzellensubstrat er­ forderlich ist. In diesem Fall ist es erwünscht, vor der Ausbildung des Films 3 die Platte zur Verstärkung mit ei­ ner Aluminiumlegierung des Typs AA5000 zu beschichten, und zwar auf der Oberfläche, die derjenigen Oberfläche gegenüberliegt, die mit dem Film 3 beschichtet wird. Die als Platte 2 zu verwendende Aluminiumlegierungsplatte kann eine Platte sein, die aus Legierungselementen be­ steht, die von jenen verschieden sind, die an der Oberflä­ che der Platte 2 auskristallisieren, wie Eisen und Sili­ cium. Von den Elementen, die von jenen verschieden sind, die an der Oberfläche auskristallisieren, sind jene Ele­ mente ausgeschlossen, die die Korrosionsbeständigkeit der Platte 2 und deren Eigenschaften bei der anodischen Oxida­ tionsbehandlung beeinträchtigen. Ein typischer Vertreter nützlicher Elemente ist beispielsweise Magnesium. Der Magnesiumgehalt beträgt vorzugsweise 3,5 bis 4,5 Gew.-%. Man bereitet die Platte aus der Aluminiumlegierung aus einer Mischung aus Aluminium mit einer Reinheit von bei­ spielsweise mindestens 99% als Grundmaterial und Magne­ sium oder dergleichen als Legierungselement. Die Gehalte an Eisen und Silicium der erhaltenen Platte aus der Alu­ miniumlegierung sind vorzugsweise niedriger als im Fall der oben beschriebenen Platte aus reinem Aluminium. Dem­ zufolge ist es erwünscht, reines Aluminium mit einer Rein­ heit von mindestens 99,7% als Grundmaterial einzusetzen.
Die Rauheit der Oberfläche der Platte 2, die durch anodi­ sche Oxidation mit dem Film 3 beschichtet werden soll, beträgt vorzugsweise bis zu 0,5 µm als maximale Höhe Rmax. eines Probenbereichs gerechnet, gemessen nach der JIS-Me­ thode B 0601-1970. Eine Oberflächenrauheit von bis zu 0,5 µm als Rmax. gerechnet ist für die Platte 2 erwünscht, da dann durch anodische Oxidation ein Film 3 mit glatter Oberfläche erzeugt werden kann. Wenn die Oberflächenrau­ heit 0,5 µm, als Rmax. gerechnet, übersteigt, besteht ei­ ne Wahrscheinlichkeit dafür, daß die Oberfläche des Films 3 kleinste Unregelmäßigkeiten aufweist. Wenn die Oberflä­ che des durch anodische Oxidation erzeugten Films 3 nicht glatt ist, sondern eine große Vielzahl kleinster Unregel­ mäßigkeiten aufweist oder eine feine netzartige Struktur besitzt, ergeben sich Unterbrechungen der darauf erzeug­ ten unteren Elektrode, was zu Kurzschlüssen führt und die Funktion der erhaltenen Solarzelle unmöglich macht. Die Oberflächenrauheit liegt bevorzugter im Bereich von bis zu 0,3 µm, als Rmax. gerechnet. Eine Oberflächenrauheit von bis zu 0,5 µm, als Rmax. gerechnet, kann durch die An­ wendung einer in üblicher Weise gewalzten Platte erreicht werden, die zunächst glanzgeschliffen und dann chemisch poliert wird. Alternativ kann man eine glanzgewalzte Platte verwenden, die unter Anwendung von Walzen mit ver­ minderter Oberflächenrauheit hergestellt worden ist. Die glanzgewalzte Platte kann mit einer Oberflächenrauheit von bis zu 0,5 µm, als Rmax. gerechnet, durch einfaches Walzen hergestellt werden, ohne daß es notwendig ist, die Platte glanzzuschleifen und chemisch zu polieren. Aus Ko­ stengründen ist es für die Herstellung der Substrate 1 in technischem Maßstab erwünscht, derartige gewalzte Platten einzusetzen.
Der durch anodische Oxidation in Oxalsäure erzeugte Film 3 ist frei von Elektrolytanionen, die eine große Dissozia­ tionskonstante aufweisen, enthält eine extrem geringe Men­ ge adsorbierten Wassers und besitzt daher ausgezeichnete elektrische Isolationseigenschaften und einen hohen elek­ trischen Widerstandswert. Wenn demzufolge die unteren Elektroden 4 der Solarzelle auf dem Film 3 auf dem Sub­ strat 1 erzeugt werden, sind die unteren Elektroden 4 in wirksamer Weise elektrisch von dem Substrat isoliert. Ganz allgemein sind als durch anodische Oxidation erzeugte Fil­ me neben den in Oxalsäure gebildeten Filmen jene durch anodische Oxidation in Schwefelsäure, Phosphorsäure, Chromsäure etc. gebildeten bekannt. Die durch anodische Oxidation in Schwefelsäure gebildeten Filme enthalten je­ doch große Mengen von Sulfatanionen und adsorbieren Was­ sers und besitzen daher schlechte Isolationseigenschaften und sind daher als elektrische Isolationsschicht für a-Si- Solarzellensubstrate nicht geeignet. Im allgemeinen ist es schwierig, durch anodische Oxidation in Phosphorsäure Filme mit einer großen Dicke zu erzeugen. Daher ist es un­ möglich, eine solche Dicke zu erreichen, daß der Film als Folge der Ablösung oder dergleichen während der Handha­ bung Isolationsfehler aufweist, so daß er auch als Sub­ strat für a-si-Solarzellen nicht geeignet ist. Der Elek­ trolyt zur Erzeugung der durch anodische Oxidation in Chromsäure gebildeten Filme enthält giftige Chromsäure, bringt Umweltverschmutzungsprobleme mit sich und erfor­ dert daher Einrichtungen zur Abwasserbehandlung, wodurch die Herstellungskosten für den Film steigen. Aus diesen Gründen wird erfindungsgemäß ein durch anodische Oxida­ tion in Oxalsäure gebildeter Film als elektrische Isola­ tionsschicht ausgewählt. Der durch anodische Oxidation in Oxalsäure gebildete Film 3 wird in unversiegeltem Zustand belassen, da sich gezeigt hat, daß der unversiegelte ano­ disierte Film die folgenden beiden Eigenschaften besitzt. Zunächst ist der Film 3 selbst dann gegen Rißbildung be­ ständig, wenn er hohen Temperaturen ausgesetzt wird. Da­ her zeigt der Film 3 auch dann nicht die Ausbildung von Rissen, die die elektrischen Isolationseigenschaften des Films 3 beeinträchtigen würden, wenn das Substrat während der Ausbildung der unteren Elektroden oder der a-Si-Schicht auf eine Temperatur von 250 bis 350°C erhitzt wird. Zwei­ tens zeigt die Filmoberfläche keine kleinste Netzstruktur. Wenn die Filmoberfläche eine Netzstruktur besitzt, be­ steht die Wahrscheinlichkeit dafür, daß die Solarzelle nicht die angestrebten Eigenschaften aufweist. Wenngleich es übliche Praxis ist, die durch anodische Oxidation er­ zeugten Filme nach der anodischen Oxidationsbehandlung zu versiegeln, besteht die Wahrscheinlichkeit dafür, daß der versiegelte Film während der Ausbildung der unteren Elek­ troden oder der a-Si-Schicht Risse bildet, so daß sich Kurzschlüsse zwischen der unteren Elektrode und dem Sub­ strat ergeben. Da der versiegelte, durch anodische Oxi­ dation erzeugte Film an der Oberfläche eine feinste Netz­ struktur aufweist, besteht die Wahrscheinlichkeit dafür, daß die erzeugten Solarzellen nicht die angestrebten Ei­ genschaften besitzen. Der unversiegelte, durch anodi­ sche Oxidation in Oxalsäure gebildete Film 3 sollte eine Dicke von 1 bis 20 µm aufweisen, da bei einer Dicke von weniger als 1 µm die Möglichkeit der Beeinträchtigung des Isolationsverhaltens durch Fehler oder dergleichen wäh­ rend der Handhabung auftritt. Eine Steigerung der Dicke über 20 µm hinaus führt zu keiner merklichen Verbesserung der Isolationseigenschaften, sondern lediglich zu einer Steigerung der Wahrscheinlichkeit, daß der Film 3 Risse bildet, was zu Isolationsproblemen führt, wenn, wie be­ reits angegeben, die Temperatur des Substrats 1 zur Er­ zeugung der a-Si-Schicht durch das chemische Aufdampf­ verfahren erhöht wird. Vorzugsweise liegt die Dicke des Films 3 im unteren Bereich des oben angesprochenen Be­ reichs, da die Rißbildung dann in wirksamerer Weise ver­ hindert werden kann. Vorzugsweise liegt die Dicke im Be­ reich von 1 bis 10 µm. Wenn die Platte 2 mit Hilfe eines kontinuierlichen Verfahrens zur anodischen Oxidation mit dem Film 3 versehen wird und anschließend zu Substraten 1 vorbestimmter Größe zerschnitten wird, ist es bevorzugt, die obere Grenze der Dicke des Films 3 auf etwa 10 µm zu begrenzen, um die Abnützung der Schneidewerkzeuge zu ver­ ringern, wie oben bereits angesprochen worden ist.
Die Behandlung zur Erzeugung des Films 3 durch anodische Oxidation in Oxalsäure wird in einem Elektrolyt durchge­ führt, der im Ausführungsbeispiel 2 bis 5 Gew.-% und etwa 3 Gew.-% Oxalsäure enthält. Beispiele für geeigne­ te Elektrolyseverfahren sind das Gleichstrom-Elektrolyse­ verfahren, das Pulsstrom-Elektrolyseverfahren, das Wech­ selstrom-Gleichstrom-Überlagerungselektrolyseverfahren etc., wovon das Wechselstrom-Gleichstrom-Überlagerungs­ elektrolyseverfahren besonders bevorzugt ist. Insbesonde­ re dann, wenn die Wellenform der angewandten Elektrolyse­ spannung negative Bereiche aufweist, wie es in der Fig. 3 dargestellt ist, ist dieses Verfahren zur Erzeugung ver­ besserter Isolationseigenschaften des durch anodische Oxidation erzeugten Films wirksam. Die Dicke des Films 3 wird durch Variieren der Behandlungsdauer gesteuert, wenn man gleichzeitig die Oxalsäurekonzentration des Elektroly­ ten, die Wellenform der Elektrolysespannung etc. konstant oder unverändert läßt.
Beispiele
Man unterwirft verschiedene Platten mit einer Aluminium­ reinheit von 99 bis 99,99 Gew.-% und einer Oberflächen­ rauheit von 0,2 bis 0,8 µm, als Rmax. gerechnet, und Le­ gierungsplatten auf der Grundlage von Aluminium mit ei­ ner Reinheit von 99,5% oder 99,7% und einem Magnesium­ gehalt von 4 Gew.-% der anodischen Oxidation während ei­ ner vorgegebenen Zeitdauer in einem Elektrolyten, d. h. einer 3 gew.-%-igen wäßrigen Oxalsäurelösung mit einer Temperatur von, 35 ± 2°C unter Anwendung der Wechselstrom- Gleichstrom-Überlagerungselektrolyse und einer Elektroly­ sespannung (60 Hz) der in der Fig. 3 dargestellten Wel­ lenform zur Bildung der nachfolgend aufgeführten Solar­ zellensubstrate (Proben Nr. 1 bis 6, 8 bis 23, 25 bis 32, 34 bis 40 und 42 bis 44). Einige der Proben werden einer bekannten Versiegelungsbehandlung unterworfen (Pro­ ben Nr. 16, 22, 23, 31 und 39). Weiterhin werden Platten mit einer Aluminiumreinheit von 99,5% bis 99,99% und einer Oberflächenrauheit von 0,3 µm, als Rmax. gerechnet, während einer vorgegebenen Zeitdauer in einer 5%-igen wäßrigen H₂SO₄-Lösung mit einer Temperatur von 20 ± 1°C als Elektrolyt durch Gleichstrom-Elektrolyse bei einer Stromdichte von 1,3 A/dm² durch anodische Oxidation be­ handelt zur Erzeugung von Substraten, die mit einem durch anodische Oxidation in Schwefelsäure erzeugten Film ver­ sehen sind (Proben Nr. 7, 24, 33 und 41). Die Substrate besitzen eine Länge von 100 mm, eine Breite von 100 mm und eine Dicke von 0,5 mm. Die zur Erzeugung der Substra­ te verwendeten Platten enthalten bis zu 0,25 Gew.-% Ei­ sen und bis zu 0,20 Gew.-% Silicium.
Anschließend werden auf den durch anodische Oxidation er­ zeugten Film einer jeden Probe durch Elektronenstrahl-Va­ kuumbedampfen untere Elektroden aufgebracht, und zwar 64 Elektroden auf den Proben Nr. 1 bis 5 und 8 bis 44 bzw. 16 Elektroden auf den Proben Nr. 6 und 7. Die Widerstände zwischen jeder unteren Elek­ trode und der Platte aus Aluminium oder der Aluminiumle­ gierung wird gemessen, um die Isolationseigenschaften zu bestimmen. Jede Probe wird weiterhin kontinuierlich 100 000mal mit einem Stanzwerkzeug mit einem Durchmesser von 10 mm und einem Formstück mit einem Loch mit einem Durchmesser von 10,08 mm gestanzt. Die Stanzkante des Stanzwerkzeugs wird anschließend mikroskopisch beobachtet (Werkzeugabriebtest). Nach der Ausbildung der unteren Elektroden wird jede Probe während 1 Stunde auf 400°C er­ hitzt und dann in bezug auf die Bildung von Rissen in dem Film untersucht.
Die nachfolgenden Tabellen I und II verdeutlichen Einzel­ heiten der Proben und die Ergebnisse der Untersuchungen.
Tabelle I
Tabelle II

Claims (9)

1. Substrat für Solarzellen aus amorphem Silicium, umfassend eine Platte (2) aus Aluminium oder einer Aluminiumlegierung, die auf minde­ stens einer Oberfläche einen durch anodische Oxidation gebildeten Film (3) aufweist, dadurch gekennzeichnet, daß der Film (3) ein in Oxalsäure gebildeter, unversiegelter Film mit einer Dicke von 1 bis 20 µm ist.
2. Substrat nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Platte (2) aus Aluminium mit einer Reinheit von mindestens 99 Gew.-% besteht.
3. Substrat nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Platte (2) aus Aluminium mit einer Reinheit von mindestens 99,7 Gew.-% be­ steht.
4. Substrat nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Platte (2) bis zu 0,25 Gew.-% Eisen und bis zu 0,20 Gew.-% Silicium enthält.
5. Substrat nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Ober­ fläche der Platte (2), die durch anodische Oxidation mit dem Film (3) verse­ hen worden ist, vor der Ausbildung des Films eine Rauheit von bis zu 0,5 µm, gerechnet als maximale Höhe Rmax. eines Probebereichs, aufweist.
6. Substrat nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Ober­ fläche der Platte (2), die durch anodische Oxidation mit dem Film (3) verse­ hen worden ist, vor der Ausbildung des Film eine Rauheit von bis zu 0,3 µm, gerechnet als maximale Höhe Rmax. eines Probebereichs, aufweist.
7. Substrat nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Platte (2) aus Aluminium mit einer Reinheit von mindestens 99,7 Gew.-% be­ steht, daß die Oberfläche der Platte (2), die mit dem Film (3) versehen wor­ den ist, vor der Ausbildung des Films eine Rauheit von bis zu 0,5 µm, ge­ rechnet als maximale Höhe Rmax. eines Probebereichs, aufweist und daß der unversiegelte Film (3) eine Dicke von 1 bis 10 µm aufweist.
8. Substrat nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Platte (2) aus Aluminium mit einer Reinheit von mindestens 99,9 Gew.-% be­ steht, und der durch anodische Oxidation gebildete Film (3) eine Dicke von 1 bis 5 µm aufweist.
9. Substrat nach Anspruch 7 oder 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Platte (2) auf der einen Oberfläche mit einem durch anodische Oxidation in Oxalsäure gebildeten Film (3) und auf der anderen Oberfläche mit einer verstärkenden Platte aus einer Aluminiumlegierung des Typs AA5000 ver­ sehen ist.
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