KR890003499B1 - P-형 반도체 합금을 연속적으로 제조하는 방법 - Google Patents

P-형 반도체 합금을 연속적으로 제조하는 방법 Download PDF

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Abstract

내용 없음.

Description

P-형 반도체 합금을 연속적으로 제조하는 방법
제 1 도는 p-도우핑된 재료를 포함하는 반도체 소자들을 만들기 위한 단일의 공정단계를 도식적으로 도해한 도면.
제 2 도는 본 발명의 반도체 박막을 연속적으로 용착하기 위한 장치의 도식적 도해도.
제 3 도는 본 발명의 개선된 p-도우핑된 반도체 소자를 연속적으로 형성하는 제 1 도의 공정단계를 수행하기 위한 장치를 도해한 블럭 다이아그람.
본 발명은 높은 억셉터 농도를 갖는 p-도우핑된(p-doped)실리콘 박막과, 그 박막으로부터 만들어져서 개선된 p-n 및 p-i-n소자들이 전체 혹은 부분적으로 비결정성 p형 및 n형 실리콘 박막을 연속적인 용착(depoiston) 및 성형과정을 포함하는 연속공정으로 생산될 수 있게 소자들을 더 효율적으로 제조하는 방법에 관한 것이다.
한편, 본 발명은 1981년 특허출원 제1678호의 관련 발명으로서, 1981년-1678로 출원발명이 단일 공정으로서의 p-형 반도체 합금의 제조방법에 관한 것인데 비하여 본 발명은 p-형 반도체 합금을 연속적으로 제조하는 방법에 관한 것이다.
본 발명이 다이오드, 스위치 및 트랜지스터 같은 증폭기 소자의 제조에 유용하지만, 가장 중요한 용도는 솔라 셀(solar cell)같은 광 전도성 소자들이나 혹은 다른 에너지 변환 소자들을 제조하는데 있다.
요컨데, 본 발명의 요점을 말한다면, 본 발명은 솔라셀과 p-n 및 p-i-n소자를 포함하는 전류 제어소자의 대량생산을 가능하게 하는 것이다.
따라서, 본 발명의 목적은 하나이상의 전극형성 영역을 그위에 가진 가요성의 섭스트레이트의 웨브 로올을 형성하고, 반대 도전성(p와 n)타잎인 두개의 얇고 가요성이 있는 실리콘 합금이 상기 하나이상의 전극 형성 영역중 적어도 일부분위에 용착되는, 실리콘 용착영역을 최소한 하나이상 그안에 포함하는 부분적으로 진공인 공간속으로 거의 연속적으로 섭스트레이트 로올을 펴고, 광전 공핍영역을 형성하는 하나이상의 합금이 얇은 가요성의 전극 형성층을 각 전극형성 영역에 대하여 별도로 실리콘 합금위에 후속적으로 적용하는 것을 특징으로 하는 광전지 판넬을 만드는 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 바람직한 실시예를 도면에 따라 상세히 설명하기로 한다. 제 1 도에는 본 발명을 설명하기 위하여 먼저 p-도우핑된 재료를 포함하는 반도체 소자들을 단일공정으로 제조하는 공정단계를 도시하였다.
즉, 제 1 도에서 제 1단계 제1(a)도는 섭스트레이트 10을 성형하는 것이 포함된다. 그 섭스트레이트는 여기서는 유리같은 비 가요성 재료로써 형성되어지나, 제 2 도에서와 같이 연속적인 대량생산으로 될 경우에는 알루미늄이나 스테인리스 스틸같은 가용성 웨브로써 형성된다. 이와같이 되어서, 가요성 섭스트레이트 웨브 10은 그 웨브가 제 2 도와 제 3 도를 참조하여 뒤에서 설명될 여러 용착 스테이션을 통과함에 따라 여러층의 금속 전극-성형 및 실리콘 층을 용착하는 연속 공정에 이용된다. 알루미늄이나 스테인리스 스틸 섭스트레이트 10은 적어도 3밀의 두께로 되는것이 좋고 약 15밀의 두게로 되면 더욱 좋으며 폭은 원하는 대로된다. 웨브 10이 얇고, 가요성인 웨브로 될 경우, 로울로 구매되는것이 바람직하다.
제 2 단계 제1(b)도는 알라미늄 혹은 스테인리스 스틸 섭스트레이트 10의 위에 절연층 12를 용착하여서, 그위에, 원하며, 이격된 절연 전극-성형층이 성형되는 과정을 포함한다. 예를들어, 층 12는 대략 5미크론의 두께로 되며, 금속 산화물로써 만들어질 수 있다. 알루미늄, 섬스트레이트에는, 그것이 알루미늄 산화물(Al2O3)로 되는 것이 좋으며, 스테인리스 스틸 섭스트레이트에는 이산화실리콘(SiO2) 혹은 다른 적절한 유리로 된는것이 좋다. 섭스트레이트는 그위에 절연층 12가 밀 성형된 것으로 구매되거나 혹은 절연층 12가 화학용착, 증착 혹은 알루미늄 섭스트레이트의 경우 에노우다이징(anodizing)같은 종래의 제조방법으로 섭스트레이트 표면 10위에 부착되어 질수 있다. 그 2층과, 섭스트레이트 10 및 산화물 층 12가 절연 섭스트레이트 14를 이룬다.
제 3 단계 제1(c)도는 절연 섭스트레이트 14 위에 하나 혹은 그 이상의 전극 성형층16을 용착하는 과정을 포함하여서 그위에 형성되는 접합소자의 베이스 전극 섭스트레이트 18을 형성한다. 금속 전극층 16은 비교적 빠른 용착 공정인 증착에 의해 용착되는 것이 좋다. 전극 층들은 광전지 소자를 위해 몰르브덴, 알루미늄, 크롬, 혹은 스테인리스 스틸의 반사성 금속 전극이 좋다. 솔라셀에서는 반도체 재료를 통과하는 비 흡수광이 전극층 16으로부터 반사되어 그것이 다시 반도체 재료를 통과하여 이 재료가 광에너지를 더 많이 흡수하여서 소자의 효율을 증가시키므로 반사성 전극이 좋은 것이다.
베이스 전극 섭스트레이트 18은 다시 상기 특허 제 4,226,898호에 설명된 챔보 같은 글로우 방전 용착 환경인 혹은 제 2 도와 제 3 도를 참조로하여 지금부터 설명될 연속 공정장치에 높여진다. D1에서 D5까지 도시된 예는 본 발명의 개선된 p-도우핑 방법과 재료를 이용하여 제조될 수 잇는 여러가지 p-i-n 혹은 p-n 접합 소자들을 설명한 것에 지나지 않는다. 각 소자는 베이스 전극 섭스트레이트 18을 이용하여 형성된다. D1-D5에 도시된 소자들 각각은 전체 두께가 약 5000과 30,000옹스트롱 사이로되는 실리콘 박막을 가진다. 이 두께는 그 구조내에 핀 호울이나 다른 물리적 결함을 가짖 않게하고 광 흡수율이 최대로되게 보충해준다. 더 두꺼우면 더 많은 광을 흡수하지만, 그러나 어떤 두께에서는 그 두께가 광 발생 전자-호울상을 재결합되게 하므로 더 많은 전류를 발생하지 않는다(D1-D5에 도시된 여러층들의 두께가 척도로써 그려지지 않았음에 주의해야 한다).
우선 D1을 보면, n-i-p소자가 처음에 섭스트레이트 18위에 심하게 도우핑된 n+실리콘 층 20을 용착시켜서 형성된다. 일단 n+층 20이 용착되면 진성(i)실리콘 층 22가 그위에 용착된다. 진성층 22의 뒤를 이어 최종 반도체층으로서 고도로 두우핑된 도전성 p+실리콘층 24가 용착된다. 실리콘 층들 20,22 및 24는 n-i-p 소자 26의 활성층을 형성한다.
D1-D5에 도해된 소자들 각각이 다른 용도가 있지만, 지금부터는 그들의 광전 소자들로서 설명될 것이다. 광전 소자로 사용될때, 선택된 외부의 p+층 24는 낮은 광흡수, 고전도성 n+층이다. 진성층 22는 낮은 광흡수, 높은 전도성 n+층 20위의 높은 광흡수, 낮은 전도성 및 높은 광 전도성층이다. 전극층 16의 내부표면과 p+층 24의 상부표면사이의 소자 전체 두께는 전술한 바와같이 적어도 5000옹스트롱 정도로 된다. n+도우핑된 층 20의 두께는 대략 50에서 500옹스트롱 사이의 범위로 되는 것이좋다. 상부 p+접촉층 24의 두께도 50에서 500옹스트롱사이로 되는 것이 좋다. 호울의 짧은 확산 거리로 인해서, p+층은 일반적으로 50에서 150옹스트롱 정도로 가능한 한 얇게 될 것이 좋다. 또한, 외부층(여기서는 p+층 24)은 n+이거나 p+이더라도 그 접촉층에서 광흡수를 방지하기 위하여 가능한 한 얇게 유지될 것이다.
그층들 각각은 상기 미합중국 특허 제 4,226,898호에 설명된 종래의 글로우 방전 챔버에 의해, 혹은 지금부터 제 2 도와 제 3 도를 참조하여 설명될 연속 공정으로 베이스 전극 섭스트레이트 18 위에 용착될 수 있다. 어느 경우에도, 글로우 방전 장치는 용착 장치로부터 대기중의 불순물을 정화하거나 제거하기 위해 처음에 대략 20mTorr까지 진공으로 만들어진다. 그 다음에 실리콘 재료는 화합물 기체형태로 용착 챔버로 공급되는것이 좋으며, 실리콘 데트라플루오라이드 형태로 공급되는것이 가장 좋다. 글로우 방전 플라스마는 4 : 1에서 10 : 1까지의 비율로된 실리콘 테트라플루오라이드와 수소 혼합물로부터 얻어지는 것이 좋다. 용착장치는 대략 0.3에서 1.5Torr의 범위내의 압력에서 작동되며 대략 0.6Torr같은 0.6에서 1.0Torr사이가 좋다.
반도체 재료는 스스로 지속되는 플라스마로부터 각층에 대해 원하는 용착온도까지 자외선 장치에 의해 가열되는 섭스트레이트위에 용착되어진다. 소자의 p-도우핑된 층들은 사용되는 p-도우핑 재료의 형태에 따라 특정온도에서 용착된다. 증발된 p-도우펀트 금속 증기는 잘 보충된 실리콘 재료가 필요되는 대략 400℃ 혹은 그 미만의 낮은 온도에서 용착될 수 있으나, 대략 1000℃에 달하는 더 높은 온도에서도 용착될 수 있다. 부분적으로 섭스트레이트 온도의 상한은 이용되는 금속 섭스트레이트 10의 형테에 의한다. 알루미늄에 있어서 상한 온도는 대략 600℃보다 높지 말아야하고, 스테인리스 스틸에 있어서는 대략 1000℃보다 높을 수 있다. n-i-p 혹은 p-i-n소자내에 진성층을 형성하기 위해 필요한 잘 보충된 비결정성 실리콘층이 만들어져야 한다면 섭스트레이트 온도가 약 400℃보다 낮아야하며 약 300℃로 되면 좋다.
본 발명의 증발된 금속 증기를 이용한 비결정성 p-도우핑 수소 보충 실리콘 재료를 용착하기 위해, 섭스트레이트 온도는 대략 200℃에서 400℃까지의 범위내에 있으며, 250℃에서 350℃까지의 범위내에 있으면 좋고, 바람직하게는 대략 300℃이다.
본 발명의 p-도우펀트 기체를 이용한 실리콘 반도체 재료를 용착하기 위하여, 섭스트레이트 온도는 대략 450℃에서 800℃까지의 범위내에 있고, 대략 500℃에서 700℃까지의 범위내에 있으면 좋다.
도우핑 농도는 층들이 각소자에 용착될때 변화되어 원하는 p. p+, n 혹은 p형 도전성을 만든다. n 혹은 p도우핑된 층에 있어서, 그 재료는 용착될때 5에서 100ppm까지의 도우펀트 재료로 도우핑된다. n+ 혹은 p+도우핑된 층들에 있어서는, 그 재료가 용출될때 100ppm에서 1퍼어센트 이상까지의 도우펀트 재료로 도우핑된다. n도우펀트 재료는 p+재료를 위해 100ppm에서 5000ppm 이상까지의 범위내에 각 섭스트레이트 온도에서 용착되는 본 발명의 p도우펀트 재료로 될 수 있다.
글로우 방전 용착 공장에는 그 재료가 도입되는 교류 신호 발생 플라스마가 포함된다. 플라스마는 대략 1KHZ에서 13.6MHZ의 교류 신호로 캐소우드와 섭스트레이트 애노우드 사이에서 유지된다.
비록 본 발명의 P-도우핑 방법과 재료가 여러가지 실리콘 비결정성 반도체 재료층을 가진 소자들에 이용될 수 있지만, 그들이 상기 미합중국, 특허 제 4,226,898호에 기술된 플루오트와 수소 보충된 글로우 방전 용착된 재료들과 함께 이용되는 것이 좋다. 이 경우, 실리콘 테트라플루오라이드와 수소의 혼합물이 진성 및 n-형 층들을 위하여 400℃에서 혹 은 그 미만에서 비결정성 실리콘 보충된 재료로서 용착된다. D2, D3 및 D5에 도시된 예들에서, 전극층 16위에 놓인 P+층은 450℃ 이상의 높은 섭스트레이트 온도에서 용착될 수 있으며, 이것은 플루오트 보충된 재료를 제공할 것이다. 그 재료는 수소가 높은 섭스트레이트 온도범위에서 실리콘과 효과적으로 용착하지 않기 때문에 다시 효과적으로 수소 보충되지 않을 것이며, 배출 개스와 함께 날라가 버린다.
p+층들이 진성“i”층 외부측에 있는 D1과 D4에 도해된 소자들은 대략 450℃ 이상의 섭스트레이트 용착온도가 그 층들의 수소 보충에 우선하는 특성을 파괴하기 때문에 고온 용착된 p+층들을 가지지 않으며, 진성“i”층이 광전소자내의 수소와 플루오트가 잘 보충된 비결정성 층들이 되는 층으로 된다. 각 소자내의 n 및 n+형 층들도 또한 비결정성 플루오트와 수소 보충된 형태로 용착되는 것이 좋다. 종래의 n도우펀트 재료들은 대략 400℃ 미만의 낮은 온도에서 실리콘 재료와 용착되고 높은 도우핑 효율로 된다. 이와같이, D1과 D4, 이들 구조내에서, 층들 각각은 비결정성 실리콘이며, p+층은 대략 400℃, 혹은 그 미만의 섭스트레이트 온도에서 증발된 p-도우펀트 금속 증기들의 하나와 가장 잘 형성된다. 높은 섭스트레이트 온도를 필요로 하는 기체 금속 혹은 붕소화합물 p-도우펀트 재료를 사용하는것도 또한 그 온도가 밑에 놓이는 비결정성 층들의 특성을 파괴하는 값까지 올라가지 않는다면 유용하다.
D2에서 도해된 제 2 소자는 26'는 D1, p-i-n소자와 반대구조를 갖는다. 소자 26'에서 p+층 28이 베이스 전극 섭스트레이트 18 위에 처음 용착되고, 뒤이어 진성층 30과 외부 n+층 32가 용착된다. 이 소자에서, p층은 본 발명의 범위내의 어떠한 섭스트레이트 온도에서도 용착될 수 있다.
D3와 D4에 도해된 소자 26"와 26
Figure kpo00001
역시 반대구조로, 제각기 p-n 및 n-p접합 소자들이다. 소자26"에서, p+비결정성 실리콘 층 34가 베이스 전극 섭스트레이트 18 위에 용착되고, 뒤이어 비결정성 실리콘p층 36, 그다음 비결정성 실리콘n층 38, 그리고 최종적으로 비결정성 실리콘n+외부층 40이 용착된다. 소자
Figure kpo00002
에서는, 역순서로 되어 처음에 n+비결정성 실리콘층 42가 용착되고, 뒤이어 n층 44, p결정성 실리콘층 46, 그리고 마지막으로 외부 p+비결정성 실리콘층 48이 용착된다. 제 2 형태의 p-i-n접합 소자 26
Figure kpo00003
이 D5에 도해된다. 이 소자에 있어서 처음에 p+비결정성층 50이 용착되고, 뒤이어 진성 비결정성 실리콘층 52, 비결정성 실리콘층 54 그리고 외부 n+비결정성 실리콘층 56이 용착된다(이 구조의 역은, 도시되지 않았지만, 이용될 수 있다).
여러 반도체 층들의 원하는 순서대로의 글로우 방전 다음에, 제 5 단계 제1(e)도가 별도의 용착 환경에서 수행된다. 증착 환경이 이용되는 것이 바람직한데, 그 이유는 글로우 방전 공정보다 더 빠른 공정이기 때문이다. 이 단계에서, TCO층 58(투명한 전도성 산화물)이, 예를들어, 소자 26에 첨가되며, 이것은 인듐 틴 옥사이드(ITO), 캔듐 스테네이트(Cd2SnO4), 혹은 도우핑된 틴 옥사이드(SnO2)가 되어도 된다.
TCO층 58 다음에, 전극 그리드 60을 제공하기 위해 광학적 단계6번째 제1(e)도가 수행된다. 그리드 60은 이용되는 소자의 최종 크리에 따라 TCO층 58위에 놓여질 수 있다. 2평방 인치 가량 미만의 면적을 가진 소자 26에서, TCO는 충분히 전도성이므로, 좋은 효율을 위해 전극 그리드가 불필요하다. 만일 그 소자가 더 큰 면적을 갖거나 혹은 TCO층의 도전율이 원하는 만큼된다면, 전극 그리드 60은 TCO층 위에 놓여서 반송자 통로를 단축시키고 그 소자의 전도효율을 증가시킨다.
상술된 바와같이, 소자 26에서 26""까지는 종래의 글로우 방전 챔버내에서 형성될 수 있으나, 제 2 도에 일반적으로 도해된 바와같이 연속 공정으로 형성되는 것이 좋다.
제 2 도에는 본 발명의 반도체 박막을 연속적으로 용착하기 위한 방법을 실시하는 장치가 도식적으로 도시되어 있다. 베이스전극 섭스트레이트 18이 평평한 용착 부위 18을 이루는 한쌍의 로울러 64와 66주위에 있는 공급 리일 62로부터 풀려나온다. 섭스트레이트 18은 리이드 70에 의해 접지된 로울러 66과 전기적으로 접속되어 있다. 평면 부위 68에 있는 섭스트레이트 캐소우드 판 72로부터 간격이 조정될 수 있는 애노우드를 형성한다. 캐소우드는 r.f.소오스 74의 출력단자에 연결되어 있다. 애노우드 부위 68과 캐소우드 72사이의 부위가 플라스마 글로우 방전 용착 부분 76을 형성한다.
도시되지는 않았지만, 제 2 도의 각 부분은 글로우 방전 영역 76을 주위 환경으로부터 분리시키기 위한 진공 공간에 봉함된다. 용착 기체들은 화살표 78로 표시된 바와같이 플라스마 영역 76만으로 도입된다. 도우펀트 재료는 화살표 80으로 표시된 바와같이 제 2 유류내로 도입되거나 혹은 그 도우펀트 입력이 용착 기체와 결합된다. 배출된 기체들은 플라스마 영역 76과 그 장치로부터 화살표 82에 의해 표시된 바와 같이 제거되어진다.
제 2 도의 용착부위는 적당한 기체 혼합물을 도입하므로써 단일 공정식으로 이용될 수 있어서 원하는 각 층을 연속적으로 형성한다. 연속 공정에 있어서는, 단지 한가지 형태의 재료만이 공급리일 62로부터 수거리일 84까지 플라스마 부위를 통하여 섭스트레이트가 한번 통과하여 용착될 수 있지만, 그러나 리일의 작동은 웨브 18의 끝에서 역전되고 두번째와 연속되는 층이 매통과시마다 원하는 도우펀트 재료를 도입시켜 플라스마부위 76을 통하여 연속적으로 용착될 수 있다. 섭스트레이트 18의 온도는 하나 혹은 여러개의 적외선 열 램프들이나 혹은 다른 열원에 의하여 조절될 수 있다. 글로우 방전 용착은 초당 2에서 5옹스트롱까지의 재료두께로 용착되는 꽤 늦은 속도로 되어진다. 섭스트레이트 18 위에 5000옹스트롱 두께의 반도체 재료의 용착이라 가정한다며, 초당 5옹스트롱 속도로 5000옹스트롱 층은 대략 1000초가 걸려 완성된다. 물론 이것이 가능 하지만, 그러나 제 3 도에서 도해된 바와같이, 용착속도를 높이기 위해서는 섭스트레이트 18위에 그 층들을 많은 수의 용착 스테이션에서 용착시키는 것이 좋다.
제 3 도를 보면, 제 1 도의 단계 제1(c)도, 제1(d)도 와 제1(e)도의 공정을 수행하는 전체 시스템의 블럭도가 도시되어 있다. 단계 제1(c)도는 증착챔버 88내에서 되어질 수 있다. 산회되어진 섭스트레이트 14는 공급리일 90을 떠나서 챔버 88안으로 공급되고 또 통과하여 그곳에서 베이스 전극층이 용착되어 베이스 전극 섭스트레이트 18이 형성된 다음 수거리일92로 간다. 용착 공정은 관찰 구멍 94를 통하여 시각적으로 관찰되거나 혹은 감시 및 제어 계기로 관찰 되어진다.
전극층은 마스크 96에 의해 섭스트레이트 14와 유사한 웨브의 형태로 그리드 형태로 만들어질 수 있다. 마스크 96은 공급리일 98을 떠나서 챔버 88을 통과한 다음 수거리일100으로 공급될 때 섭스트레이트 14와 레지스트리(registry)로 들어간다.
전극 층의 용착에 뒤이어, 베이스 전극 섭스트레이트 18은 계속해서 다수의 글로우 방전 챔버 102, 102' 및 102"안으로 그리고 이들을 통하여 공급되며, 이들 각각에는 76같은 플라스마 부위와 제 2 도에 도시된 다른 글로우 방전 원소들이 포함된다. 각 도면에는 동일원소를 동일번호로 표시하기 위해 같은 번호가 사용되었다. 모든 챔버의 용착 부위 76이 서로 격리된 하나의 단독 챔버에 봉함되는 것이 가능하다.
D1의 n-i-p소자가 다음의 특수한 연속 용착 예를 설명하기 위해 이용될 것이다. 이경우, 베이스 전극 섭스트레이트 18은 공급 리일 62를 떠나서 챔버 102로 공급된다. 미리 혼합된 실리콘 테트라 플루오라이드와 수소같은 용착기체가 화살표 78에 의해 표시된 바와같이 용착부위 76으로 공급된다. 포스파인같은 도우펀트 재료는 화살표 80으로 표시된 바와같이 챔버로부터 제거된다.
원하는 용착속도와 용착되는 n+층 20의 두께에 따라, 각각 n+도우핑된 층 20을 용착하는 하나 혹은 그 이상의 챔버 102가 있을수 있다. 챔버들 102 각각은 분리된 통로 104에 의해 연결되어 잇다. 각 챔버 102의 배출구 82는 챔버들 각각을 결리시키기에 충분해야 되지만, 그러나 불활성 반송자 기체가 화살표 106으로 표시된 바와같이 각 통로 104를 통과하여서 통로 양측의 챔버로부터 어떠한 기체도 남지 않게 통로 104를 쓸어 버릴수 있다. 도우핑 농도는 원하면 층들을 등급지게 하기 위하여 연속적인 챔버 각각의 내부에서 변할 수 있다.
챔버 102'는 어떠한 도우펀트 재료로 도입되지 않고 진선층 22을 용착하므로 이예에서 화살표 78'로 표시된 바와같이 미리 혼합된 용착 기체 실리콘 테트라플루우라이드와 수소만이 공급되어진다. 다시, 층 22의 용착속도를 증가시키기 위해 다수의 챔버들 102'가 있을 수 있다. 또한 챔버들 102, 102' 등의 각각의 동일한 연속웨브 위에 용착하므로, 각층에 대한 용착부위 76의 수와 그 크기는 형성될 소자, 여기서는 n-i-p소자 26에 대한 층의 각 형태에 따라 원하는 층 두께를 용착하도록 맞추어진다.
그다음 섭스트레이트 18은 화살표 78"에 의하여 표시된 바와같이 용착 기체가 공급되는 챔버 102"로 보내진다. p-도우펀트 재료는 화살표 80"로 표시된 바와같이 용착 부위로 공급된다. 이예에서, p-도우펀트 재료는 증발된 금속 증기인데, 그 이유는 p+층 24가 비결정성 n+및 i층들위에 부착되기 때문이다. 또, 챔버 102"도 하나 혹은 그 이상이 될수 있으며 최종 챔버 102"로부터의 박막 26은 수거리일 84위에 감겨진다.
전극 마스크 96과 견줄 수 있는 마스크 108이 공급리일 110으로부터 공급되어 계속되는 챔버 102를 통과될 수 있다. 마스크 108은 마지막 챔버 102" 다음에 수거리일 112에 감겨진다.
그 소자 박막 26이 단계 제1(e)도의 TCO층 58을 용착하기 위해 증착 챔버 114로 공급된다. 박막 26은 공급리일 116을 떠나 챔버 114를 통하여 수거리일 118로 공급된다. 적절한 마스크 102이 공급리일 122로브터 수거리일 124까지 공급되어 이용될 수 있다. 전극 그리드 60이 희망될때는, 유사한 증측 챔버내에서 적절한 마스크(도시되지 않음)과 함께 부착될 수 있다.
p-i-n소자 같은 특수한 소자를 제조하려면, 각 챔버 102, 102' 및 102"들은 특수한 박막층을 용착하는데 쓰인다. 상술한 바와같이, 챔버들 각각은 한층(p,i 혹은 n)을 용착하는데 쓰이는 데, 그 이유는 다른 층들의 용착 재료가 챔버 배경 환경을 오염시키기 때문이다. p-n 혹은 p-i-n소자의 각층을 최적으로 만들기위해, 다른 형태의 층들로부터의 도우펀트는 그층의 좋은 전기적 특성을 방해하기 때문에 존재하지 않는것이 중요한 것이다. 예를 들어서, p혹은 n층을 처음 용착하면, 남은p혹은n도우펀트에 의한 다음 진성층의 오염은 진성층에 국부상태를 만든다. 그 소자의 효율은 이와 같이 되어 오염에 의해 감소될 것이다. 소자들의 낮은 효율을 야기시키는 오염문제는 한 특수한 챔버가 p-n혹은p-i-n소자들의 연속되는 충들을 만들기 위해 사용되었을때 일어난다. 챔버 환경의 오염은 쉽게 없어지지 않아서 연속 공정엥서 하나의 챔버를 하나의 층이 사에 이용할 수 없는데, 그 이유는 다른 층들이 배경 환경에 남아있는 잔여 재료에 의해 오염되기 때문이다.

Claims (1)

  1. 광전기 판넬을 제조하는 방법에 있어서, 하나이상의 전극 형성 영역을 그위에 갖는 가요성의 섭스트레이트의 웨브로올을 형성하고, 반대 도전성(p와 n)타잎인 적어도 두개의 얇고 가요성인 실리콘 합금이 상기 하나 이상의 전극 형성영역중 적어도 일부분에 걸쳐서 용착되는 바의 적어도 하나의 실콘 용착영역을 그안에 포함하고 있는 부분적으로 진공인 공간속으로 상기 섭스트레이트 로올을 거의 연속적으로 펼치고, 상기 합금의 하나이상은 광전 공핍영역을 형성하고 그리고 후속적으로 상기 실리콘 합금위에 얇고 가요성인 전극 형성층을 상기 전극형성 지역의 각각에 대하여 별도로 적용하는것을 특징으로하는 광전지 판넬을 제조하는 방법.
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