SE456380B - Sett att framstella en fotovoltisk panel samt anording for framstellning av den fotovoltiska panelen - Google Patents
Sett att framstella en fotovoltisk panel samt anording for framstellning av den fotovoltiska panelenInfo
- Publication number
- SE456380B SE456380B SE8103043A SE8103043A SE456380B SE 456380 B SE456380 B SE 456380B SE 8103043 A SE8103043 A SE 8103043A SE 8103043 A SE8103043 A SE 8103043A SE 456380 B SE456380 B SE 456380B
- Authority
- SE
- Sweden
- Prior art keywords
- silicon
- substrate
- glow discharge
- deposition
- depositing
- Prior art date
Links
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 112
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 112
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 103
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 103
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 102
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 100
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 76
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 59
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 39
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 39
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 39
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 37
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 31
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 29
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 23
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 22
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 21
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 20
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 19
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 19
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 14
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 claims description 14
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000003607 modifier Substances 0.000 claims description 13
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical group [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 9
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 8
- 229910000676 Si alloy Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 claims description 7
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 6
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 5
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 claims description 4
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N thallium Chemical compound [Tl] BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 2
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 claims description 2
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 claims 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 48
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 29
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N silicon tetrafluoride Chemical compound F[Si](F)(F)F ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 7
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 6
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 6
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 6
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 5
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 239000002178 crystalline material Substances 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 4
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000004313 glare Effects 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical group [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000008186 active pharmaceutical agent Substances 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 3
- 230000003278 mimic effect Effects 0.000 description 3
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 2
- RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N arsane Chemical compound [AsH3] RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 2
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- ZOCHARZZJNPSEU-UHFFFAOYSA-N diboron Chemical compound B#B ZOCHARZZJNPSEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 2
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 2
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 2
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 2
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YZCKVEUIGOORGS-UHFFFAOYSA-N Hydrogen atom Chemical compound [H] YZCKVEUIGOORGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 208000012266 Needlestick injury Diseases 0.000 description 1
- RZKYEQDPDZUERB-UHFFFAOYSA-N Pindone Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C(C(=O)C(C)(C)C)C(=O)C2=C1 RZKYEQDPDZUERB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 1
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007743 anodising Methods 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 150000001639 boron compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 238000005234 chemical deposition Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003256 environmental substance Substances 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 150000002221 fluorine Chemical class 0.000 description 1
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000002070 germicidal effect Effects 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- -1 hydrogen ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004941 influx Effects 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 210000001699 lower leg Anatomy 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 210000000056 organ Anatomy 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000012552 review Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/54—Apparatus specially adapted for continuous coating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/517—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using a combination of discharges covered by two or more of groups C23C16/503 - C23C16/515
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/0445—PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
- H01L31/046—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
456 380
10
15
20
25
30
35
2
många enkristaller för att täcka den önskade arean hos
endast en enda solcellspanel. Den nödvändiga energimäng-
den för framställning av en solcell vid detta förfarande,
den begränsning som åstadkommes av kiselkristallens stor-
leksbegränsningar samt nödvändigheten av att skära upp
och sätta samman ett sådant kristallint material har
allt resulterat i en omöjlig ekonomisk barriär för använd-
ning i stor skala av kristallina halvledarsolceller för
energiomvandling. Kristallint kisel har vidare en indirekt
optisk kant, som resulterar i dålig ljusabsorption i mate-
rialet. På grund av den dåliga ljusabsorptionen måste
kristallina solceller vara åtminstone 50 um tjocka för
att absorbera det infallande solljuset. Även om det
kristallina materialet ersättes av polykristallint kisel
med billigare framställningssätt, bibehâlles fortfarande
den indirekta optiska kanten och därmed minskas ej mate-
rialtjockleken. Det polykristallina materialet inbegriper
också tillägg av korngränser samt andra problemdefekter.
Å andra sidan har amorft kisel en direkt optisk kant
och enbart l nm tjockt material är nödvändigt för att
absorbera samma solljusmängd som kristallint kisel.
Avsevärda ansträngningar har följaktligen gjorts för
att utveckla processer för att enkelt avsätta amorfa
halvledarfilmer, som vardera enligt önskan kan omfatta
relativt stora areor, enbart begränsat av storleken av
avsättningsutrustningen, och vilka lätt skulle kunna
dopas för att bilda material av P-typ och N-typ, då
PN-övergângsdon skall framställas ur dessa i ekvivalens
med de don som framställs genom de kristallina motsvarig-
heterna. Under många år har detta arbete i huvudsak ej
gett något resultat. Amorfa kisel- eller germaniumfilmer
(grupp IV) befanns ha mikroskopiska hålrum och "dinglande“
bindningar samt andra defekter, som ger en hög täthet av
lokala tillstånd i deras energigap. Förekomsten av en
hög täthet av lokala tillstånd i enerqigapet för amorfa
kiselhalvledarfilmer resulterar i lâggradig fotolednings-
förmåga och korta diffusionsläflqder. Vilket gör dessa
10
15
20
25
30
35
_ 1
4562380
3
filmer olämpliga för solcellsapplikationer. Dessa filmer
kan dessutom ej framgångsrikt dopas eller på annat sätt
modifieras för förskjutning av Fermi-nivån nära intill
lednings- eller valensbanden, vilket gör dem olämpliga
för framställning av Schottky-barriärövergångar eller
PN-övergångar för användning i solceller och strömregler-
don.
I ett försök'att minimera de ovan nämnda med amorft
kisel och germanium sammanhängande problemen utförde
W E Spear och P H Le Comber vid Carnegie Laboratory of
Physics, University of Dundee, Dundee, Scotland, visst
arbete beträffande "Substitutional Doping of Amorphous
Silicon", såsom rapporterat i en artikel, publicerad i
Solid State Communications, vol 17, sid 1193-1196, 1975,
i syfte att reducera de lokala tillstånden i energigapet
i amorft kisel eller germanium för att få dessa att
närmare efterlikna egenledande, kristallint kisel eller
germanium samt att på substituerande sätt dopa de amorfa
materialen med lämpliga, klassiska dopmedel, såsom vid
dopning av kristallina material, för att göra dem stör-
ledande samt ledande av P- eller N-typ. Reduceringen av
de lokala tillstånden åstadkoms genom glimurladdnings-
avsättning av amorfa kiselfilmer, varvid silangas
(SiH4) fördes genom ett reaktionsrör, där gasen sönder-
delades genom en radiofrekvent glimurladdning samt avsattes
på ett substrat vid en substrattemperatur på ungefär
500-600°K (227-327°C). Det på substratet så avsatta mate-
rialet var ett egenledande amorft material, bestående av
kisel och väte. För åstadkommande av ett dopet amorft
material blandades en fosfingas (PH3) för ledningsförmåga
av N-typ eller en diborangas (BZH6) för ledningsförmåga
av P-typ i förväg med silangasen samt fördes genom glim-
urladdningsreaktionsröret under samma driftsförhållanden.
Gaskoncentrationen av de använda dopmedlen låg mellan
6 och 1o'2
materialet innefattade troligen substituerande fosfor-
ungefär 5-10- volymsdelar. Det så avsatta
eller bordopmedel och visades vara störledande samt ledan-
de av N- eller P-typ. Dopningsverkningsgraden för samma
456 380 .~
10
15
20
25
30
35
4
mängd tillfört dopmedelmaterial var emellertid mycket
sämre än den för kristallint kisel. Den elektriska led-
ningsförmågan för kraftigt dopat N- eller P-material
2 eller 10-3 (ohm cm)-1. Bandgapet
gjordes dessutom snävare till följd av tillägget av
dopmedelmaterial, särskilt i fallet med P-dopning under
var låg, ungefär 10-
användning av diboran. Dessa resultat anger att diboran
ej effektivt dopade det amorfa kislet utan skapade lokala
tillstånd i bandgapet.
Såsom uttryckts ovan är amorft kisel och även germa-
nium normalt fyrfaldigt koordinerat samt har normalt
mikroskopiska hålrum samt "dinglande" bindningar eller
andra defektkonfigurationer, som ger upphov till lokala
tillstånd i energigapet. Fastän dessa forskare ej kände
till det är det nu känt genom andras arbete att vätet i
silanet vid en optimal temperatur kombineras med många
av de "dinglande“ bindningarna hos kislet under glimur-
laddningsavsättningen för att väsentligt minska tätheten
av lokala tillstånd i energigapet i syfte att få det
amorfa materialet att närmare efterlikna det motsvarande
kristallina materialet.
Ingebripandet av väte har emellertid inte endast
begränsningar på grundval av det fasta förhållandet mellan
väte och kisel i silanet, utan olika Si:H-bindningskonfi-
gurationer inför, vilket är av största betydelse, nya
antibindningstillstând, som kan ha skadliga följder i
dessa material. Det finns därför grundläggande begräns-
ningar i minskningen av tätheten av lokala tillstånd i
dessa material, som är särskilt skadliga uttryckt i
effektiv P- liksom N-dopning. Den resulterande, ej god-
tagbara tillståndstätheten i silanavsatta material leder
till en smal utarmningsbredd, som i sin tur begränsar
verkningsgraderna för solceller och andra don, vilkas
arbete är beroende av driftrörelsen hos fria laddnings-
bärare. Sättet att framställa dessa material genom använ-
dandet av enbart kisel och väte resulterar också i en
hög täthet av yttillstånd, som påverkar alla ovannämnda
parametrar.
- -ffip-f.
10
15
20
25
30
35
456 380
S
Efter det att glimurladdningsavsättningen av kisel
ur silangas utvecklades, utfördes arbete beträffande
förstoftningsavsättning av amorfa kiselfilmer 1 atmo-
sfären av en blandning av argon (erfordrad av fÖrSfiOÉt'
ningsavsättningsprocessen) samt molekylärt väte för be-
stämning av resultaten av detta molekylära väte på egen-
skaperna hos den avsatta amorfa kiselfilmen. Denna forsk-
ning antydde att vätet verkade som ett förändrande medel,
vilket bands på sådant sätt att det minskade de lokala
tillstånden i energigapet. Graden, i vilken de lokala
tillstânden i energigapet reducerades vid förstoftnings-
avsättningsprocessen, var emellertid mycket mindre än
den som uppnåddes genom det ovan beskrivna silanavsätt-
ningsförloppet. De ovan beskrivna P- och N-dopningsmedels-
gaserna infördes också i förstoftningsförloppet för fram-
ställning av P- och N-dopade material. Dessa material
hade en lägre dopningsverkningsgrad än de material som
alstrades i glimurladdningsförloppet. Ingetdera förloppet
framställde effektiva P-dopade material med tillräckligt
höga acceptorkoncentrationer för framställning av“kommer-
siella PN- eller PIN-övergångsdon. N-dopningsverknings-
graden låg under önskvärda godtagbara kommersiella nivåer
och P-dopningen var särskilt oönskad, eftersom den minskade
bandgapets bredd och ökade antalet lokala tillstånd i
bandgapet.
Den tidigare avsättningen av amorft kisel, vilket har
förändrats av väte ur silangasen i ett försök att bringa
det att närmare efterlikna kristallint kisel samt vilket
kisel har dopats på ett sätt, som liknar sättet för dop-
ning av kristallint kisel, har egenskaper, som i alla
betydelsefulla avseenden är sämre än de för dopat kristal-
lint kisel. Således uppnåddes otillräckliga dopnings-
verkningsgrader och otillräcklig ledningsförmåga, särskilt
i material av P-typ, och dessa kiselfilmers fotolednings-
egenskaper och fotovoltiska egenskaper lämnade mycket att
önska.
Ett väsentligt genombrott för bildande av amorfa kisel-
filmer med en mycket låg tillståndstäthet uppnåddes genom
456 580 i
10
15
20
25
30
35
6
uppfinningarna enligt US patentskrifterna 4 217 374 och
4 226 898, vilka gav amorfa filmer, särskilt amorfa kisel-
filmer, med de relativt gynnsamma egenskaperna hos kristal-
lina halvledarmaterial. (Den förra patentskriften avšlöjar
avsättandet av förbättrade amorfa kiselfilmer under an-
vändning av avsättning frân ångfasen och den senare patent-
skriften avslöjar avsättningen av förbättrade amorfa kisel-
filmer genom glimurladdning av kisel innehållande gaser.)
De förbättrade, amorfa egenledande (intrinsiska) kisel-
filmer som åstadkommes genom de där avslöjade förfarandena
har reducerat antalet tillstånd i bandgapet i det egen-
ledande materialet och åstadkommer kraftigt förbättrade
N-dopningsverkningsgrader, hög fotoledningsförmåga och
ökad rörlighet, lång diffusionsväglängd för laddnings-
bärarna och låg egenledande elektrisk ledningsförmâga
i mörker, såsom önskvärt i fotoceller. Sådana amorfa
halvledarfilmer kan således vara användbara vid framställ-
ning av mer effektiva don, såsom solceller och strömregler-
don, innefattande PN-övergångsdon, dioder, transistorer
och liknande.
Uppfinningen, som uppnådde dessa resultat, inbegriper
i de amorfa filmerna, företrädesvis under dessa avsätt-
ning, förändrande eller kompenserande material, vilka
tros bilda legeringar med de amorfa halvledarmaterialen
och modifiera dessa för att kraftigt reducera de lokala
tillstânden i deras energigap för att göra desamma ekviva-
lenta i många avseenden med egenledande kristallint kisel.
Vid förfarandet för framställning av kiselfilmer, vilket
är avslöjat i US patentskriften 4 226 898, sönderdelas
en förening, innefattande kisel som ett ämne, genom glim-
urladdningssönderdelning för avsättning av amorft kisel
på ett substrat tillsammans med inbegripandet av ett
flertal förändrande ämnen, företrädesvis aktiverat
fluor och väte, under glimurladdningsavsättningen.
I dessa särskilda utföringsformer av den i den senare
skriften avslöjade uppfinningen avsättes kisel under en
satsvis tillverkning vid en substrattemperatur på ungefär
380°C genom glimurladdning av kiseltetrafluorid (SiF4),
10
15
20
25
30
35
456 380
7
som tillför kislet i de avsatta amorfa filmerna och fluor
som ett förändrande eller kompenserande ämne. Ehuru kisel-
tetrafluorid kan bilda ett plasma i en glimurladdning,
är den i sig själv ej mest effektiv som ett utgångsç
material för glimurladdningsavsättning av kisel. Atmo-
sfären för glimurladdningen göres reaktiv genom tillägg
av en sådan gas som molekylärt väte (H2), som göres reaktiv
av glimurladdningen genom ändring till atomärt väte eller
vätejoner eller liknande. Detta reaktiva väte reagerar
i glimurladdningen med kiseltetrafluoriden för att lättare
åstadkomma sönderdelning av denna och avsättning av amorft
kisel därur på substratet. Samtidigt frigöres fluor och
olika kiselsubfluorider samt göres reaktiva av glimur-
laddningen. Det reaktiva vätet och de reaktiva fluorföre-
ningarna inbegripes i den amorfa kiselvärdgrundmassan
under dennas avsättning samt skapar ett nytt egenledande
material med ett lågt antal defekta tillstånd. Ett enkelt
sätt att betrakta den nya legeringen är att där förefinns
en mättning av terminering (avslutning) av "dinglande"
(fritt hängande) bindningar samt eliminerandet av andra
defekter.
väsentligt tätheten av lokala tillstånd i energigapet,
Dessa förändrande element minskar således
varav ovannämnda fördelaktiga resultat följer.
När man önskar åstadkomma ledning av N-typ och P-typ
i den amorfa kiselhalvledargrundmassan, rekommenderar
den senare skriften innefattande av modifierande ämnen
i gasform under glimavsättningen av filmen. De rekommen-
derade moidifierande ämnena eller dopmedlen för ledning
av N-typ är fosfor och arsenik i form av gaserna fosin
(PH3) och arsin (AsH3). De rekommenderade modifierande
ämnena eller dopmedlen för ledning av P-typ är bor,
aluminium, gallium och indium i form av gaserna diboran
(B2H6), Al(C2H5)3, Ga(CH3)3 och In(CH3)3. De modifierande
ämnena tillades under samma avsättningsförhållanden
som beskrevs för det egenledande materialet med en substrat-
temperatur på ungefär 380°C.
Ehuru förfarandet för framställning av avsatta kisel-
don i ovannämnda skrifter representerar en betydande för-
456 380
10
15
20
25
30
35
8
bättring, som möjliggör framställandet av förbättrade
solceller och andra don, hade det P-dopade avsatta kiselma-
terialet ej en så effektiv ledningsförmâga av P-typ som
önskat. Såsom rapporterat i “Journal of Non-Crystalline
solida", vol ss och ss, del 1, januari/februari 1980,
sid 171-181, med tillägg av 500 ppm PH3 i avsättnings-
gaserna, motsvarande ett N+-skikt och det egenledande
materialet. Med tillägget av diboran (B2H6) i avsättnings-
gaserna äger betydande ändringar i optisk absorption rum.
Slutsatsen är att en ny legering, som inbegriper bor, har
syntetiserats, vilken legering har ett snävare bandgap
och uppvisar egenskaper av P-typ. Det är möjligt att tre
centrumbindningar, som är unika för bor, delvis svarar
för detta uppförande. Detta står i motsats till de resul-
tat som erhålles då fosfor eller arsenik tilläggas, varvid
ett konventionellt material av N-typ framställes.
Ehuru sådana don som ett Schottky-barriärdon eller
ett MIS-don kan framställas med eller utan P-dopade filmer,
är de svåra att tillverka, eftersom egenskaperna hos det
tunna barriärskikt som allmänt användes däri är svåra
att reglera och ofta kan det tunna skiktet ej effektivt
inkapslas för att hindra diffusion av omgivningsämnen
genom skiktet med det resultatet att donet ofta är insta-
bilt. Sådana strukturer leder dessutom till en hög skikt-
resistans i donets övre nivå. Det synes som om en fotocell
med önskad verkningsgrad och stabilitet kräver utnyttjande
av en PN- eller PIN-övergång. För detta ändamål är ett
förbättrat P-dopat material önskvärt för höjning av cellens
verkningsgrad.
Vid framställning av de fluor- och vätekompenserade
glimurladdningsavsatta kiselfilmerna som avslöjas i den
senare nämnda patentskriften avsättes kislet företrädesvis
vid en substrattemperatur på ungefär 380°C. Över denna
substrattemperatur avtar verkningsgraden för vätekompen-
seringen gradvis och vid temperaturer över ungefär 450°C
avtar den signifikant på grund av att vätet ej lätt kombi-
nerar med det kisel som avsättes vid dessa temperaturer.
Såsom påpekats ovan har det upptäckts att införandet
10
15
20
25
30
35
456 áßo
9 _
av de gasformiga P-dopmedelsmaterialen, fastän de åstad-
kommer ett material av P-typ, ej åstadkommer ett material
med en effektiv ledningsförmâga av P-typ såsom skulle ske
i teorin, om endast den önskade fyrsidiga eller tëtraed-
riska bindningen ägde rum. Det framgår att vid glimurladd-
ningssubstrattemperaturer på 400°C eller mindre, vilka
är nödvändiga för den mest effektiva vätekompenseringen
av kiselmaterialet, vissa av de påtänkta P-dopmedelsmate-
rialen koordineras trefaldigt snarare än tetraedriskt på
grund av frånvaron av kristallina begränsningar, vilket
således leder till ytterligare tillstånd i gapet och
ingen dopning. Andra processer, som inbegriper diboran
leder till bildandet av centrum med tre bindningar eller
andra mindre effektiva kombinationer på grund av att dessas
metalliska delar eller bordelar ej lätt skiljes fullstän-
digt från sina åtföljande kolväte- eller vätesubstituenter
och därmed ej i sådan form ger ett effektivt P-dopnings-
ämne i kiselvärdgrundmassan. Tillstånd tillföres dess-
utom i dessa materials bandgap, vilka tillstånd tros
minska den uppnådda P-dopningsverkningsgraden.
Avsevärda ansträngningar har därför gjorts för att
förbättra P-dopningsverkningsgraden för nämnda P-dopnings-
ämnen vid glimurladdningsavsatta kiselmaterial. Glimurladd-
ningsavsättning av kisel för fotovoltiska och andra app-
likationer,som kräver egenledande skikt eller med PN-över-
gång utformade utarmningsområden, synes för närvarande
vara det föredragna avsättningsförfarandet, eftersom
graden av väte- och fluorkompensering samt reducerad
tillstândstäthet i det resulterande materialet är över-
lägsnaden som uppnås genom avsättning från ångfasen eller
genom förstoftning av kisel.
Föreliggande uppfinning avser allmänt ett sätt att mer
effektivt P-dopa material i ett satsvis eller kontinuerligt
förlopp för glimurladdningsavsättning av kisel i och för
framställning av mer effektivt dopade material av P-typ
samt PN- och PIN- övergångsdon, som innefattar de mer
effektivt P-dopade kiselmaterialen. I den tidigare tek-
niken har sätten att framställa P-dopade material varit
456 sen i J
'10
15
20
25
30
35
10
begränsade till användning av konventionella dopningsmedels-
gaser, såsom diboran, under avsättningsförhållanden som
är optimerade för de egenledande materialen. Ingen har
hitintills betraktat såsom P-dopningsmedel verkande, gas-
formiga boridföreningar (såsom BZH6) och såsom P-dopnings-
medel verkande gasformiga metallföreningar som användbara
vid glimurladdningsavsättning av amorft (eller polykristal-
lint) kisel, avsatt vid substrattemperaturer över ungefär
450°C, som har betraktats ligga utanför det erforderliga
temperaturområdet för framställandet av användbart amorft
kisel.
Föreliggande uppfinning ingebriper också sättet att
framställa ett mer effektivt P-dopat, glimurladdningsavsatt
'kisel genom avsättning av materialet över ungefär 450°C.
Förlusten av fördelarna hos vätekompensering i de kisel-
material som avsättes vid dessa höga temperaturer över-
vinnes mer än väl genom den ökade verkningsgrad som upp-
nås i P-dopningen. Särskilt då det P-dopade avsatta skiktet
skall bilda en spärrfri P*>gränsyta med den tillhörande
elektroden. Såsom tidigare angivits synes det som om boret
eller de metallíska P-dopningsmedelsämnena vid dessa
höga temperaturer är så väsentligt skilda från vätet och
kolväteämnena i den använda gasformiga föreningen att
trecentrumkonfigurationen eller andra ej önskvärda bind-
ningskonfigurationer är elimínerade. Den önskade fyrsidiga
(tetraedriska) bindningen, vilken är effektiv för P-dop-
ning, uppnås sålunda. Fastän P-dopande metallföreningsgaser
(dvs Al, Ga, In,
dopningsmedel av P-typ vid glimurladdningsavsättningen av
Zn och Tl) ej heller var effektiva såsom
kísel under användande av substrattemperaturer vid eller
under ungefär 400°C, är dessa ämnen goda P-dopningsmedel
i form av de gasformiga föreningar som användes vid de
mycket högre glimurladdningssubstrattemperaturer som be-
skrives häri (dvs temperaturer på åtminstone ungefär 450°C).
Det skall påpekas, att fastän de höga substrattemperaturerna
över ungefär 450°C kan resultera i ineffektiv vätekompen-
sering av kiselmaterialet materialet fortfarande är effek-
tivt fluorkompenserat, eftersom fluor effektivt kombineras
ß 456 380
ll
med det avsatta kislet vid substrattemperaturer upp till
murade: 1oo°c-soo°c. i
För amorft kisel som avsättes utan väte- eller fluor-
kompensering blir kristalliseringsförloppet betydelsefullt
5 vid substrattemperaturer på ungefär 550°C. För avsättning
av amorft kisel med vätekompensering och/eller legering
upprätthâlles det amorfa tillståndet i huvudsak upp till
substrattemperaturer på ungefär 650°C. För amorft kisel
som kompenseras med väte och dopas med bor kvarstår det
lo amorfa tillståndet till substrattemperaturer på ungefär
7oo°c. Tinägge: av fiuor, såsom 1 materialen eniigt före-
liggande uppfinning, utsträcker det avsatta materialets
amorfa tillstånd till ännu högre substrattemperaturer.
Av detta är det klart att föreliggande förlopp ger fluor-
15 kompenserat amorft kisel, dopat med bor, vid substrat-
temperaturer över 700°C. Dopningsnivåer, som uppnås med
sådana avsättningssubstrattemperaturer att den väte- och
fluorkompenserade kiselfilmen förblir i huvudsak amorf,
.ful-W f.
.'. .~^..;
kommer att vara tillräckliga för vissa dopningsanvänd-
20 ningar. För ännu högre dopningsnivåer kan högre avsätt-
ningssubstrattemperaturer användas, så att det amorfa
materialet kommer att blandas med små kristaller av kisel
eller bli i huvudsak polykristallint.
Inbegripandet av små kristaller i det amorfa avsatta
25 kislet eller användandet av i huvudsak polykristallint
P-dopat material försämrar ej verkningsgraden hos ett
fotovoltiskt PN- eller P+IN+-don. Verkningsgraden försämras
ej på grund av att verkningsgraden för P-dopning i poly-
kristallint kisel är välkänd och på grund av att den
30 optiska absorptionen hos de små kristallerna kommer att
vara mindre än den för det amorfa materialet, varför foton-
absorptionen i det fotoaktiva skiktet ej kommer att påver-
kas. För amorfa material med höga absorptionskoefficienter
hålles P+-skiktet i en P+I+-struktur så tunt som möjligt,
35 mindre än 1000 Å, för minimering av absorptionen av fotoner,
eftersom detär ett icke-fotoaktivt skikt. Skikttjockleken
ger fortfarande tillräckligt av positiva laddningsbärare
för att böja lednings- och valensbanden mellan P+-skiktet
A456 380 :
10
15
20
25
30
35
12
och det egenledande skiktet i donet för effektiv fotovol-
tisk funktion. Inblandningen av små kiselkristaller i det
amorfa kislet försämrar inte verkningsgraden för ett
P+I+-don utan kan i stället öka verkningsgraden för ett
fotovoltiskt PN-don på grund av den ökade hâlrörligheten
och den ökade fotoledningsförmâgan hos det kristallina
P-materialet i jämförelse med amorft P-material.
Föreliggande uppfinning avslöjar också ett sätt att
eliminera svårigheten med P-dopning genom utnyttjande av
ett okonventionellt, icke-gasformigt material såsom ett
dopmedel. Sättet innefattar uppvärmning av en solid metall
till en hög temperatur för förångning av metallen, var-
efter metallångan kontinuerligt eller intermittent matas
direkt in i glimurladdningskammaren tillsammans med kisel-
avsättningsgaserna. P-dopmedelsmetallerna i en förângad
metallisk form är verksamma vid glimurladdningsavsättningen
av kisel vid lägre substrattemperaturer, där fluor- och
vätekompensering är önskad. Dessa förângade P-dopmedels-
metaller kan också utnyttjas med glimurladdningsavsatta
kiselfilm vid högre substratttemperaturer, vid vilka väte-
kompensering ej erfordras.
Under utnyttjande av föreliggande uppfinning kan
P-dopande bor- och metallmaterial avsättas i ett kontinuer-
ligt förlopP k kombination med glimurladdningsavsatta
amorfa material av N-typ eller egenledande typ för fram-
ställning av förbättrade fotovoltiska PN- och PIN-över-
gângsdon och liknande don. I det kontinuerliga förloppet
glimurladdningsavsättes materialen på ett bansubstrat,
allteftersom detta kontinuerligt eller stegvis förflyttas
genom skilda avsättningsstationer, som vardera har den
substrattemperatur och andra omgivningstillstånd som är
nödvändiga för effektiv avsättning av de särskilda önskade
kiselfilmerna av P-typ och N-typ och/eller egenledande
typ på den kontinuerliga banan. vid det kontinuerliga fram-
ställningsförloppet enligt uppfinningen är varje avsätt-
ningsstation avdelad för avsättning av ett skikt (P, I
eller N), eftersom avsättningsmaterialen förorenar statio-
nens bakgrundsomgivning och ej lätt avlägsnas.
10
15
20
25
30
35
456 380
13
Ehuru föreliggande uppfinnings principer gäller
ovannämnda kiselhalvledarmaterial av amorf och poly-
kristallin typ, hänvisas i åskâdliggörande syfte och för
angivande av föredragna utföringsformer av uppfinningen
särskilt till gasformigt bor samt gasformiga och förångade
P-dopmedelsmetallmaterial, som glimurladdningsavsättes
tillsammans med kiselmaterialet vid substrattemperaturer
på mellan 450°C och 700°C. Den avsatta filmen kommer att
vara fluoridkompenserad över hela substrattemperaturom-
rådet, men vätekompenseringen kommer att avta med ökande
substrattemperatur. De förângad metall utnyttjande P-dop-
medelsmaterialen kan också glimurladdningsavsättas till-
sammans med kiselmaterialet vid substrattemperaturer under
400°C för bildande av ett väte- och fluoridkompenserat,
P-dopat material.
Genom föreliggande uppfinning är ett sätt att framställa
en fotovoltisk panel åstadkommet, vilket sätt kännetecknas
av åtgärderna att forma en rulle av en bana av ett böjligt
substrat, att rulla ut substratrullen i huvudsak kontinuer-
ligt in i ett partiellt evakuerat utrymme, som innefattar
åtminstone ett kiselavsättningsomráde, där det över ät-
minstone en del av substratet avsättes åtminstone två
tunna, böjliga kisellegeringar, vilka har ledningsförmàga
av motsatt typ, varvid en eller flera av legeringarna
bildar ett eller flera fotovoltiska utarmningsområden,
samt att därefter på kisellegeringarna pàföra ett tunt
böjligt elektrodbildande skikt pá åtminstone några av
de fotovoltiska utarmningsomrádena.
Avsättningen av legeringen av P-typ kan lämpligen
innefatta avsättning av ett material, som innefattar
åtminstone kisel, genom glimurladdning av en förening,
som innehåller åtminstone kisel i atmosfären av partiellt
vakuum samt införande under glimurladdningsavsättningen
av legeringen av ett av förångad metall bildat P-dop-
medelsämne i glimurladdningsomràdet för kiselavsättningen,
vilket metallämne avsättes tillsammans med den glimur-
laddningsavsatta kisellegeringen för bildande av legeringen
av P-typ.
\,
456 380
10
15
20
25
30
35
14
Avsättningen av legeringen av P-typ kan härvid
vidare innefatta avsättning på substratet, som är uppvärmt
till en temperatur åtminstone över 500°C och under 800°C,
av ett material, som innefattar åtminstone kisel, genom
glimurladdning av en förening, som innehåller åtminstone
kisel, i atmosfären av partiellt vakuum samt införande
under glimurladdningsavsättningen av legeringen av en
gasformig P-dopmedelsförening i glimurladdningsområdet
för kiselavsättningen, vilken gasformiga P-dopmedels-
förening innefattar åtminstone ett P-dopmedelsämne och
en icke-P-dopande substituent samt vilken gasformiga
förening sönderfaller i P-dopmedelsämnet och nämnda sub-
stituent vid nämnda substrattemperatur pá åtminstone
över 500°C, varefter P-dopmedelsämnet kombineras med
det sig avsättande kiselmaterialet för bildande av le-
geringen av P-typ.
P-dopmedelsämnet kan vara åtminstone ett av aluminium,
gallium, indium, zink och tallium. Alternativt kan det
vara bor.
Företrädesvis bildas substratet i en huvudsakligen
kontinuerlig bana samt avsättes var och en av kiselle-
geringarna vid ett separat glimurladdningsområde, förbi
vilket banan förflyttas för bildande av ett i huvudsak
kontinuerligt avsättningsförlopp.
Genom föreliggande uppfinning är även åstadkommen
en apparat för framställning av en fotovoltisk panel
av en rulle av en bana av ett böjligt substratmaterial,
vilken apparat kännetecknas av organ för bildande av
substratet i en i huvudsak kontinuerlig bana, organ för
att rulla ut substratrullen i huvudsak kontinuerligt
in i ett partiellt evakuerat utrymme, som innefattar
åtminstone ett kiselavsättningsomràde, vilket område
innefattar organ för avsättning över åtminstone en del
av substratet av åtminstone två tunna, böjliga kisel-
filmer, vilka har ledningsförmåga av motsatt typ, varvid
en eller flera av filmerna bildar ett eller flera foto-
voltiska utarmningsomràden, varjämte organen för avsättning
”ÉÛ
10
15
20
25
30
35
456 380
15
_ av kíselfilmerna innefattar organ för avsättning av var
och en av kiselfilmerna i ett separat glimurladdningsom-
råde, förbi vilket banan förflyttas, för bildande av
en i huvudsak kontinuerlig avsättningsprocess, samt organ.
för att i det följande på kiselfilmerna påföra ett tunt,
böjligt elektrodbildande skikt på åtminstone några av
de fotovoltiska utarmningsområdena.
Organen för avsättning av filmen av P-typ kan inne-
fatta organ för avsättning av en halvledarvärdmatrisfilm,
innefattande åtminstone kisel, genom glimurladdning av
en förening, som innehåller åtminstone kisel, i atmosfären
av partiellt vakuum samt organ för införande av ett av
förångad metall bildat P-dopmedelsmodifierinqsämne i
glimurladdningsstationen för kiselavsättning under glim-
urladdningsavsättningen av filmen, vilka organ för av-
sättning av det metalliska modifieringsämnet avsätter
ämnet tillsammans med den glimurladdningsavsatta kisel-
filmen för modifiering av denna för bildande av filmen
av P-typ.
Alternativt kan organen för avsättning av kisel-
filmerna innefatta organ för avsättning av åtminstone
en av kisel innehållande filmerna från en kisel inne-
hållande förening såsom en i huvudsak amorf film, varvid
i varje kiselförening som bildar varje sådan film ingår
ett til1ståndstäthetsreducerande ämne, samt organ för
införande av åtminstone ett särskilt tillståndstäthets-
reducerande ämne, ej erhållet ur föreningen, i glimur-
laddningsomrádet, så att dessa ämnen inbegripes i varje
i huvudsak amorf, kisel innehållande film som avsättes
på substratet i och för ändring av elektronkonfigura-
tionerna och alstring av en minskad täthet av lokala
tillstànd i dess energigap.
Föreningen kan företrädesvis innefatta fluor och
och H .
4 2
Apparaten kan även innefatta organ för att mellan
den kan t ex vara en blandning av SiF
de P- och N-dopade kiselfilmerna avsätta en egenledande,
amorf och kisel innehållande film genom glimurladdning
._ q;
10
15
20
25
30
35
456 380
16
utan närvaro av något P- eller N-dopmedelsmodifierings-
ämne.
Den föredragna utföringsformen av föreliggande upp-
finning skall beskrivas närmare i det följande under hän-
visning till medföljande ritningar. Fig 1 är en schematisk
bild av stegen i förloppet för framställning av halvledar-
don, som innefattar det P-dopade materialet enligt upp-
finningen. Fig 2 är en schematisk bild av en apparat för
kontinuerlig avsättning av halvledarfilmerna enligt uppé
finningen. Fig 3 är ett blockschema över en âskâdliggörande
apparat för utförande av stegen enligt fig l i och för
kontinuerligt bildande av de förbättrade P-dopade halv-
ledardonen enligt uppfinningen.
Enligt fig l innefattar det första steget (A) vid
tillverkandet av donen, som inbegriper det förbättrade
materialet av P-typ enligt uppfinningen, bildande av
ett substrat 10. Substratet 10 kan bildas av ett oböjligt
material, såsom glas, då det gäller ett förlopp för sats-
vis framställning, eller av en böjlig bana, såsom aluminium
eller rostfritt stål, särskilt då det gäller ett kontinuer-
ligt massframställningsförlopp. Den böjliga substratbanan
10 kan således utnyttjas i ett kontinuerligt förlopp för
avsättning av de olika skikten av metallelektrodbildande
skikt och kiselskikt, allteftersom banan drages genom
olika avsättningsstationer, som skall beskrivas längre
fram i samband med fig 2 och 3. Substratet 10 av aluminium
eller rostfritt stål har företrädesvis en tjocklek på
åtminstone 76 um och företrädesvis ungefär 380 um samt
har önskad bredd. I det fall då banan 10 är en tunn,
böjlig bana är det önskvärt att den köpes i rullar.
Det andra steget (B) innefattar avsättning av ett
isolerande skikt 12 ovanpå substratet 10 av aluminium
eller rostfritt stål, så att åtskilda, isolerade och
elektrodbildande skikt formas därpå, om önskat. Skiktet
12, som exempelvis är ungefär 5 um tjockt, kan framställas
av en metalloxid. För ett aluminiumsubstrat är det före-
trädesvis aluminiumoxid(A1202) och för ett substrat av
10
15
20
25
30
35
" 456 380
17
rostfritt stål kan det vara kiseldioxid (šiO2) eller
annat lämpligt glas. Substratet kan köpas med det isole-
rande skiktet 12 i förväg bildat därpå eller kan det
isolerande skiktet 12 påläggas ovanpå substratytan 10
i ett konventionellt tillverkningsförlopp, exempelvis
genom kemisk avsättning, avsättning från ångfasen eller
eloxidering i fallet med aluminiumsubstrat. De två skikten,
dvs substratet l0 och oxidskiktet 12, bildar ett isolerat
substrat 14. _
Det tredje steget (C) innefattar avsättning av ett
eller flera elektrodbildande skikt 16 på det isolerande
substratet 14 för formning av ett baselektrodsubstrat l8
för det övergångsdon som skall bildas därpå. Metall;
elektrodskiktet eller skikten 16 avsättes företrädesvis
från ångfasen, vilket är ett relativt snabbt avsättnings-
förlopp. Elektrodskikten är företrädesvis reflekterande
metallelektroder av molybden, aluminium, krom eller rost-
fritt stål för ett fotovoltiskt don. Den reflekterande
elektroden är föredragen, eftersom i en solcell icke-absor-
berat ljus, som passerar genom halvledarmaterialet, reflek-
teras från elektrodskikten 16, där det åter passerar genom
halvledarmaterialet, som då absorberar mer av ljusenergin
för ökning av donets verkningsgrad.
Baselektrodsubstratet 18 placeras sedan i en omgivning
för glimurladdníngsavsättning, såsom den kammare som
beskrives i US patentskriften 4 226 898, eller en apparat
för ett kontinuerligt förlopp, såsom diskuterad i det
följande i samband med fig 2 och 3. De särskilda exempel
som är visade i stegen Dl-D5 är blott och bart åskådlig-
görande för de olika PIN- eller PN-övergângsdon som kan
tillverkas under utnyttjande av de förbättrade P-dopnings-
sätten och -materialen enligt uppfinningen. Vart och ett
av donen framställes under användning av baselektrodsubstra-
tet 18. Vart och ett av de i Dl-DS åskâdliggjorda donen
har kiselfilmer med en total tjocklek på mellan ungefär
5000 Å och 30000 Å. Denna tjocklek säkerställer att det
ej finns nâgra nâlstick eller andra fysiska fel i struktu-
fu-
10
15
20
25
30
35
456 380 ' r
18
ren samt att ljusabsorptionsverkningsgraden är maximal.
Ett tjockare material kan absorbera mera ljus, men vid
viss tjocklek kommer det ej att alstra mer ström, eftersom
den större tjockleken tillåter mer rekombination av de
ljusalstrade elektron-hålparen. (Det är underförstått att
tjocklekarna på de olika skikt som är visade i Dl-DS ej
är ritade i skalalï
I steget Dl, till vilket först hänvisas, bildas ett
NIP-don genom att först ett kraftigt dopat N+-kiselskikt
20 avsättes på substratet 18. När väl N+-skiktet 20 är
avsatt avsättes ett egenledande (I) kiselskikt 22 därpå.
Det egenledande skiktet 22 följes av ett kraftigt dopat
P+-ledande kiselskikt 24, vilket avsättes som det sista
helvieaerskiktet. xiselskikteo zo, 22 ooh 24 bilder de '
aktiva skikten i.ett NIP-don 26. Ehuru vart och ett av
de i stegen Dl-D5 åskâdliggjorda donen kan ha andra
användningsområden, kommer de nu att beskrivas såsom foto*
voltiska don. Utnyttjat som ett fotovoltiskt don är det
valde yttre Pïskiktet 24 ett skikt med låg ljusebsorption
och hög ledningsförmåga. Det egenledande skiktet 22 är
ett skikt med hög absorption, låg ledningsförmåga och
hög fotoledning över N+-skiktet 20 med låg ljusabsorption
och hög'ledningsförmâga. Såsom tidigare angivits är den
totala dontjockleken mellan elektrodskiktets 16 inre
yta och den övre ytan av P+-skiktet 24 av storleksordningen
åtminstone ungefär 5000 Å. Tjockleken av det N+~dopade
skiktet 20 ligger företrädesvis i området från ungefär
50 Å till 500 Å. Tjockleken av det amorfa, egenledande
skiktet 22 ligger företrädesvis mellan ungefär 5000 Å och
aoooo A. 'rjookleken av det övre Pïkontektskiktet 24
ligger företrädesvis också mellan ungefär 50 Å och S00 Å.
Som följd av den kortare diffusionslängden för hålen
kommer P+-skiktet i allmänhet att vara så tunt som möjligt
av storleksordningen 50-150 A. net yttre skiktet (här P+-
skiktet 24) kommer vidare, oavsett om det är av N+- eller
P+-typ, att hållas så tunt som möjligt för undvikande av
ljusabsorption i det kontaktskiktet.
10
15
20
25
30
35
: 456 380
19
Vart och ett av skikten kan avsättas på baselektrod-
substratet 18 medelst en konventionell glimurladdnings-
kammare , beskriven i ovannämnda US patentskrift 4 226 898,
eller företrädesvis i ett kontinuerligt förlopp, beskrivet
nedan i samband med fig 2 och 3. I vartdera fallet evakue-
ras glimurladdningssystemet från början till ungefär 20
mtorr för att rensa bort eller eliminera föroreningar i
atmosfären från avsättningssystemet. Kiselmaterialet matas
sedan företrädesvis in i avsättningskammaren i form av
en gasformig förening, allra mest fördelaktigt såsom
kiseltetrafluorid (SiF4). Glimurladdningsplasmat erhålles
företrädesvis ur en kiseltetrafluorid- och vätgasblandning
(H2) med ett föredraget kvotområde från ungefär 4:1 till
10:l. Avsättningssystemet drives företrädesvis vid ett
tryck i området från ungefär 0,3 torr till 1,5 torr, före-
trädesvis mellan 0,6 torr och 1,0 torr, såsom ungefär
0,6 torr.
Halvledarmaterialet avsättes från ett självunderhâllet
plasma på substratet, vilket är uppvärmt, företrädesvis
medelst infraröda medel till den önskade avsättnings-
temperaturen för varje skikt. Donens P-dopade skikt avsät-
tes vid särskilda temperaturer som är beroende av formen
av använt P-dopningsmaterial. Den förångade P-dopmedel-
metallens ångor kan avsättas vid de lägre temperaturerna
vid eller under ungefär 400°C där ett väl kompenserat
kiselmaterial önskas, men det kan avsättas vid högre
temperaturer upp till ungefär lO00°C. Den övre gränsen på
substrattemperaturen är delvis beroende av det slag av
metallsubstrat l0 som utnyttjas. För aluminium bör den
övre temperaturen ej vara över ungefär 60000 och för rost-
fritt stål kan den vara över ungefär l000°C. Om ett väl kom-
penserat amorft kiselskikt skall framställas, vilket är nöd-
vändigt för bildande av det egenledande skiktet i ett
NIP- eller PIN-don, skall substrattemperaturen vara
lägre än ungefär 4oo°c och företrädesvis ungefär 3oo°c.
För avsättning av ett amorft, P-dopat vätekompenserat
kiselmaterial under utnyttjande av förångade metallångor
2456 sso
10
15
20
25
30
35
20
enligt uppfinningen ligger substrattemperaturen i området
_frân ungefär 200°C till 40006, företrädesvis i området
från ungefär 2so°c uu aso°c qchßnszwärt ungefär 3oo°c.
För avsättning av kiselhalvledarmaterialet under
utnyttjande av P-dopmedelsgaserna enligt uppfinningen
ligger substrattemperaturen i området från ungefär 450°C
till 800°C, företrädesvis i omrâdet från ungefär 500°C
1-.111 7oo°c.
Dopningskoncentrationerna varieras för åstadkomande
av den önskade ledningsförmågan av P-, P+-, N- eller N+-typ,
allteftersom skikten avsättes för varje don. För N- eller
P-dopade skikt dopas materialet med 5-100 ppm av dopmedels-
material, allteftersom det avsättes. För N+- eller P+-dopade
skikt dopas materialet med från 100 ppm till över 1% av
dopmedelsmaterialet allteftersom det avsättes. N-dopmedels-
materialet kan vara fosfin eller arsin i ovanstående mängder.
P-dopmedelsmaterialet kan vara de uppfinningsenliga material
som avsättes vid respektive substrattemperaturer, företrä-
desvis i omrâdet från 100 ppm till över 5000 ppm för P+-
materialet.
Glimurladdningsavsättningsförloppet inbegriper ett
växelströmssignalalstrat plasma, i vilket material införes.
Plasmat underhålles företrädesvis mellan en katod och
substratanoden med hjälp av en växelströmssignal på ungefär
från 1 kHz till 13,6 MHz. ~
Ehuru uppfinningens P-dopningssätt och -material kan
utnyttjas i don med olika amorfa kiselhalvledarmaterial-
skikt, är det lämpligt att de utnyttjas med fluor- och
vätekompenserade, glimurladdningsavsatta material, vilka
avslöjas i US patentskriften 4 226 898. I detta fall
avsättes en blandning av kiseltetrafluorid och väte som
ett amorft kiselkompenserat material vid eller under unge-
fär 400°C för de egenledande skikten och skikten av N-typ.
I de i D2, D3 och DS visade exemplen kan P+-skiktet, som
är placerat på elektrodskiktet 16, avsättas vid en högre
substrattemperatur över ungefär 450°C, som kommer att
ge ett fluorkompenserat material. Materialet kommer då
10
15
20
25
30
35
456 380
21
-att vara effektivt vätekompenserat, eftersom vätet ej
effektivt avsättes tillsammans med kislet vid de högre
substrattemperaturomrâdena utan kommer att svepas bort
med utblåsningsgaserna.
ne den som a: aekåaliggjerae i m., een m4, där P*-
skikten befinner sig på den yttre sidan av det egenledande
I-skiktet, kan ej ha vid hög temperatur avsatta P+-skikt,
eftersom substratavsättningstemperaturer över ungefär
450°C skulle förstöra den på vätekompensering grundade
egenskapen hos skikten, varvid det egenledande I-skiktet
är ett skikt som kan vara ett väl väte- och fluorkompen-
serat amorft skikt i ett fotovoltiskt don. Skikten av
N- och N+-typ i vartdera av donen avsättes också före-
trädesvis i amorf fluor- och vätekompenserad form. De
konventionella N-dopmedelsmaterialen avsättes lätt till-
sammans med kiselmaterialet vid de lägre temperaturerna
under ungefär 400°C och resulterar i hög dopningsverknings-
grad. I Dl och D4 är således i dessa strukturer vart och
ett av ekikten emerft kieel och Pïekiktet bildas bäst
med en av de förångade P-dopmedelsmetallângorna vid en
substrattemperatur på eller under ungefär 400°C. Använd-
ning av gasformiga metall- eller borföreningsmaterial
som P-dopmedel, vilka kräver höga substrattemperaturer,
är också möjlig, förutsatt att temperaturen ej når ett
värde, som förstör egenskaperna hos de underliggande amorfa
skikten.
Det andra donet 26' som är åskâdliggjort i D2 har
motsatt konfiguration relativt PIN-donet i Dl. I donet 26'
avsättes först ett P+-skikt 28 på baselektrodsubstratet 18,
följt av ett egenledende skikt so samt ett yttre Nïskikt 32.
I detta don kan P+-skiktet avsättas vid vilken som helst
substrattemperatur i uppfinningens område.
De i D3 och D4 âskådliggjorda donen 26" och 26"'
har också motsatt konfiguration, varvid de utgör PN-
resp NP-övergångsdon. I donet 26" avsättes ett amorft
P+-kiselskikt 34 på baselektrodsubstratet 18, därefter
ett amorft P-kiselskikt 36, sedan ett amorft N-kisel-
skikt 38 och.slutligen ett yttre amorft N+-kiselskikt 40.
456 380 e
10
15
20
30
35
22
I donet 26"' följes den motsatta ordningen med först
avsättning av ett amqrft N+-kiselskikt 42, sedan ett
N-skikt 44, ett amorft P-kiselskikt 46 och slutligen ett
yttre, amorft P+-kiselskikt 48.
En andra typ av PIN-övergângsdon 26"" är åskådlig-
gjord i D5. I detta don avsättes ett första amorft P+-
skikt 50, sedan ett egenledande amorft kiselskikt 52,
ett amorft kiselskikt 54 ocn ett yttre amorft N+-kisel-
skikt 56. (Den ej âskâdliggjorda motsatsen till denna
konstruktion kan också utnyttjas.)
Efter glimurladdningen av de olika halvledarskikten
i den önskade ordningen utföres ett femte steg (E), före-
trädesvis i en separat avsättningsomgivning. En ångavsätt-
ningsomgivning är önskvärd att utnyttja, eftersom det
är ett snabbare avsättningsförlopp än glimurladdníngs-
förloppet. I detta steg tillägges ett TCO-skikt 58
(genomsynlig ledande oxid) exempelvis till donet 26,
vilket skikt kan vara indium-tennoxid (ITO), kadmium-
stannat (Cd2Sn04) eller dopad tennoxid (Sn02).
Efter TCO-skiktet 58 kan ett valfritt sjätte steg
(F) utföras för åstadkommande av ett elektrodgaller 60.
Gallret 60 kan placeras ovanpå TCO-skiktet 58 i beroende
av slutstorleken för de utnyttjade donen. I ett don med
en mindre area än ungefär 13 cmz är TCO-skiktet till-
.fackligt ledande för ett enöaiggöre ett elektredgalxer
för god verkningsgrad. Om donet har större area eller
om TCO-skiktets ledningsförmåga är sådan att det är önsk-
värt så kan elektrodgallret 60 placeras på TCOeskiktet
för att korta laddningsbärarbanan och öka donens lednings-
verkningsgrad.
Sâsom diskuterat ovan kan donen 26 -.26"" fram-
ställas på beskrivet sätt i en konventionell glimurladd-
ningskammare, men de framställes företrädesvis i ett
kontinuerligt förlopp, såsom allmänt åskådliggjort 1 fig 2.
I fig 2 åskådliggöres schematiskt den kontinuerliga
behandlingen för ett avsättningsomrâde. Baselektrod-
substratet 18 lindas av från en utmatningsspole 62
923 5.75.
10
15
20
25
30
35
456 380
_ 23
kring två valsar 64 och 66, som mellan sig bildar ett
plant avsättningsområde 68. Substratet 18 står i elektrisk
kontakt med valsen 66, som är kopplad till jord medelst
en ledare 70. Substratet i det plana omrâdet 68 bildar
en anod, som är inställbart skild från en katodplatta 72.
Katoden är kopplad till utgångsanslutningen från en
radiofrekvenskälla 74. Området mellan anodområdet 68 och
katoden 72 bildar ett plasmaglimurladdningsavsättnings-
omrâde 76. ü
Ehuru ej visat är vart och ett av elementen i fig 2
inneslutet i ett evakuerat utrymme för isolering av glim-
urladdningsområdet 76 från den omgivande miljön. Avsätt-
ningsgaserna införes i plasmaområdet 76 såsom åskådliggjort
med en pil 78. Dopmedelsmaterialet kan införas i ett
andra strömflöde, såsom åskådliggjorts med en pil 80,
eller kan dopmedelsinflödet kombineras med avsättnings-
gaserna. Ütblåsningsgaserna avlägsnas från plasmaområdet
76 och systemet såsom angivet med en pil 82.
Avsättningsområdet i fig 2 kan utnyttjas vid satsvis
tillverkning genom införande av den rätta gasblandningen
för bildande av varje önskat skikt i följd. Vid ett
kontinuerligt förlopp kan endast ett materialslag avsättas
vid en enda genomgång av substratet 18 genom plasmaområdet
från utmatningsspolen 62 till en upptagningsspole 84,
men spolarnas arbete kan kastas om vid slutet av banan 18
och ett andra samt efterföljande skikt kan avsättas vid
successiva genomgångar genom plasmaområdet 76 med införan-
det av det önskade dopmedelsmaterialet för varje genomgång.
Temperaturen hos substratet 18 kan regleras medelst en
eller flera infraröda värmelampor eller andra källor 86.
Glimurladdningsavsättningen kan ske med en ganska långsam
takt på 2-5 Å materialtjocklek avsatt per sekund. Under
förutsättning av en 5000 Å tjock avsättning av halvledar-
material på substratet 18 skulle med en avsättningstakt
på 5 Å per sekund avsättningen ta ungefär 1000 sekunder
att fullständiga. Detta är naturligtvis möjligt men det
är lämpligt att avsätta skikten på substraten 18 i ett
10
15
20
25
30
35
456 380
24
antal avsättningsstationer för att öka avsättningstakten,
såsom âskâdliggjorts i fig 3.
I fig 3, vartill hänvisas, visas ett blockschema över
hela systemet för utförande av förloppen enligt stegen
C, D och E i fig 1. Steget C kan utföras3.en ångavsättnings-
kammare 88. Det oxiderade substratet 14 matas ut från
en utmatningsspole 90 in i och genom kammaren 88, där
elektrodskiktet avsättes på substratet för bildande av
baselektrodsubstratet 18, och sedan till en upptagnings-
spole 92. Avsättningsförloppet kan iakttagas genom en
observationsöppning 94 visuellt eller medelst övervakande
och styrande instrument.
Elektrodskiktet kan bildas med ett gallermönster
medelst en mask 96 1 form av en liknande bana som substra-
tet 14. Masken 96 matas ut från utmatningsspolen 98
inriktad med substratet 14, allteftersom detta passerar
genom kammaren 88, och sedan till en upptagningsspole 100.
Efter avsättningen av elektrodskiktet matas baselektrod-
substratet 18 successivt in i och genom ett flertal glim-
urladdningskamrar 102, 102' och l02", som vardera inne-
fattar ett området 76 likartat plasmaomrâde jämte de andra
glimurladdningselementen som är åskådliggjorda i fig 2.
Samma hänvisningsnummer har utnyttjats i vardera figuren
för identifiering av identiska eller i huvudsak identiska
element. Det är också möjligt att alla kammaravsättnings-
områdena 76 är inneslutna i en enda kammare isolerade
från varandra. 2
NIP-donet 26 enligt Dl kommer att utnyttjas för att
beskriva följande särskilda kontinuerliga avsättnings-
exempel. I detta fall matas baselektrodsubstratet 18
ut från utmatningsspolen 62 in i kammaren 102. Avsätt-
ningsgasen, såsom i förväg blandad kiseltetrafluorid och
väte, matas in i avsättningsområdet 76, såsom angivet med
pilen 78. Dopmedelsmaterialet, såsom fosfin, matas in i
avsättningsområdet 76, såsom angivet med pilen 80. Utblâs-
ningsgaserna avlägsnas från kammaren, såsom angivet med
pilen 82.
10
15
20
25
30
35
456 380
25
I beroende av den önskade avsättningshastigheten
och tjockleken för det N+-skikt 20 som skall avsättas kan
det finnas en eller flera kamrar 102, som vardera avsätter
det Nflaopaae slakta: zo. var och en av kamrarna 102 där
kopplad medelst en isoleringskanal 104. Utloppet 82 från
varje kammare 102 bör vara tillräckligt för att isolera
var och en av kamrarna, men en inert bärargas kan släppas
in i varje kanal 104, såsom angivet med en pil 1061 för
att blåsa kanalen 104 ren från eventuella gaser från
kammaren på vardera sidan om kanalen. Dopningskoncentra-
tionerna kan varieras i var och en av de successiva
kamrarna för gradering av skikten, om önskat.
Till kammaren 102' matas endast de i förväg blandade
avsättningsgaserna kiseltetrafluorid och väte, visat
medelst pilen 78' i detta exempel, eftersom det egen-
ledande skiktet 22 avsättes utan att något dopmedels-
material införes. Det kan åter finnas ett flertal kamrar
102' för att öka avsättningshastigheten för skiktet 22.
Eftersom var och en av kamrarna 102, 102' etc utför av-
sättning på samma kontinuerliga bana anpassas vidare
antalet avsättningsområden 76 för varje skikt och områdenas
storlek till avsättning av de önskade skikttjocklekarna
för varje typ av skikt för det don som skall bildas,
här NIP-donet 26.
Substratet 18 matas sedan in i kammaren 102", som
tillföres avsättningsgaserna, såsom angivet med pilen 78".
P-dopmedelsmaterialet matas in i avsättningsområdet,
såsom angivet med pilen 80". I detta exempel är P-dop-
medlet förångad metallånga, eftersom P+-skiktet 24 påföres
över de amorfa N+- ochïï-skikten. Det kan åter finnas
en eller flera kamrar 102" och.filmen 26 från den sista
kammaren 102" lindas upp på upptagningsspolen 84.
En mask 108, som är förenlig med elektrodmasken 96,
kan matas ut från en utmatningsspole 110 och föras genom
de successiva kamrarna 102 inriktad med substratet 18.
Masken 108 tages upp på en upptagningsspole 112 efter
10
15
20
25
30
456 380 ß
26
den sista kammaren l02”'.
Donfilmen 26 matas sedan in i en ângavsättningskammare
114 för avsättning av TCO-skiktet 58 i steget E. Filmen
26 matas ut från en utmatningsspole 116 genom kammaren
114 till en upptagningsspole 118. En lämplig mask 120
kan utnyttjas och matas från en utmatningsspole 122 till
en upptagningsspole 124. Om elektrodgallret 6D önskas,
kan det påföras i en likartad ångavsättningskammare med
en lämplig mask (ej visad).
För tillverkning av ett särskilt don, såsom PIN-
donet 26', är var och en av kamrarna 102, 102' och l02"
avdelade för avsättning av ett särskilt filmskikt. Såsom
angivet ovan är var och en av kamrarna avdelad för avsätt-
ning av ett skikt (P, I eller N), eftersom avsättnings-
materialen för andra skikt förorenar kammarbakgrundsomgiv-
ningen. För optimering av varje skikt i PN- eller PIN-
donet är det avgörande att dopmedel från de andra slagen
av skikt ej är förefintliga, eftersom de kommer att störa
de föredragna elektriska egenskaperna hos skiktet. Vid
avsättning av exempelvis ett P- eller N-skikt först skapar
en förorening av det följande egenledande skiktet genom
det kvarvarande P- eller N-dopmedlet lokala tillstånd i
det egenledande skiktet. Genom föroreningen kommer således
donets verkningsgrad att sänkas. Problemet med förorening,
som förorsakar den lägre verkningsgraden hos donen, har
påträffats då en särskild avsättningskammare användes
för framställning av successiva skikt i PN- eller PIN-
don. Föroreningen av kammarmiljön avlägsnas ej enkelt,
varför det för närvarande ej är möjligt att utnyttja en
enda kammare för fler än ett skikt i en kontinuerlig
process, eftersom andra skikt förorenas av de restmaterial
som kvarstår i bakgrundsomgivningen.
Claims (31)
1. Sätt att framställa en fotovoltisk panel, k ä n - n e t e c k n a t av åtgärderna att forma en rulle av en bana av ett böjligt substrat, att rulla ut substrat- rullen i huvudsak kontinuerligt in i ett partiellt eva- kuerat utrymme, som innefattar åtminstone ett kisel- avsättningsomràde, där det över åtminstone en del av substratet avsättes åtminstone två tunna, böjliga kisel- legeringar, vilka har ledningsförmåga av motsatt typ (P och N), varvid en eller flera av legeringarna bildar ett eller flera fotovoltiska utarmningsområden, samt att därefter på kisellegeringarna påföra ett tunt böjligt elektrodbildande skikt pá åtminstone några av de foto- voltiska utarmningsomrâdena.
2. Sätt enligt patentkravet 1, k ä n n e t e c k - n a t därav, att avsättningen av legeringen av P-typ innefattar avsättning av ett material, som innefattar åtminstone kisel, genom glimurladdning av en förening, som innehåller åtminstone kisel i atmosfären av partiellt vakuum samt införande under glimurladdningsavsättningen av legeringen av ett av förángad metall bildat P-dop- medelsämne i glimurladdningsområdet för kiselavsättningen, vilket metallämne avsättes tillsammans med den glim- urladdningsavsatta kisellegeringen för bildande av le- geringen av P-typ.
3. Sätt enligt patentkravet 2, k ä n n e t e c k n a t därav, att avsättningen av legeringen av P-typ innefattar avsättning på substratet, som är uppvärmt till en tem- peratur åtminstone över 500°C och under 800°C, av ett material, som innefattar åtminstone kisel, genom glim- urladdning av en förening, som innehåller åtminstone kisel, i atmosfären av partiellt vakuum samt införande under glimurladdningsavsâttningen av legeringen av en gasformig P-dopmedelsförening i glimurladdningsomràdet för kiselavsättningen, vilken gasformiga P-dopmedels- förening innefattar åtminstone ett P-dopmedelsämne och 456 380 10 15 20 25 30 35 28 en icke-P-dopande substituent samt vilken gasformiga förening sönderfaller i P-dopmedelsämnet och nämnda _substituent vid nämnda substrattemperatur på åtminstone över 500°C, varefter P-dopmedelsämnet kombineras med det sig_avsättande kiselmaterialet för bildande av le- geringen av P-typ.
4. Sätt enligt något av patentkraven 1-3, k ä n - n e t e c k n a t därav, att P-dopmedelsämnet är åt- minstone ett av aluminium, gallium, indium, zink och tallium.
5. Sätt enligt patentkravet 3, k ä n n e t e c k - n a t därav, att P-dopmedelsämnet är bor.
6. Sätt enligt något av patentkraven 1-3, k ä n - n e t e c k n a t därav, att substratet bildas i en huvudsakligen kontinuerlig bana samt att var och en av kisellegeringarna avsättes vid ett separat glimur- laddníngsområde, förbi vilket banan förflyttas för bil- dande av ett i huvudsak kontinuerligt avsättningsför- lopp.
7. Sätt enligt patentkravet 6, k ä n n e t e c k - n a t därav, att vart och ett av områdena är avsett för avsättning av en legeringstyp, varvid varje typ av avsättningsområdet är isolerad från andra områden.
8. Sätt enligt något av patentkraven l-7, k ä n - n e t e c k n a t därav, att föreningen innefattar fluor och/eller väte.
9. Sätt enligt något av patentkraven l-7, k ä n - n e t e c k n a t därav, att föreningen är åtminstone en blandning av SiF4 och H2 i förhållandet 4:1 - 10:1.
10. Sätt enligt patentkravet l, k ä n n e t e c k - n a t av åtgärderna att bilda ett eller flera elektrod- bildande omräden på substratet, att avsätta filmerna över åtminstone några av de elektrodbildande områdena samt att bilda det böjliga, elektrodbildande skiktet àtskilt för vart och ett av de fotovoltiska utarmnings- områdena.
ll. Apparat för framställning av en fotovoltisk w '2- 10 15 20 25 30 35 456 380 29 panel av en rulle av en bana av ett böjligt substrat- material, k ä n n e t e c k n a d av organ för bil- dande av substratet i en i huvudsak kontinuerlig bana, organ för att rulla ut substratrullen i huvudsak konti- nuerligt in i ett partiellt evakuerat utrymme, som inne- fattar åtminstone ett kiselavsättningsområde, vilket område innefattar.organ för avsättning över åtminstone en del av substratet av åtminstone två tunna, böjliga kiselfilmer, vilka har ledningsförmåga av motsatt typ (P och N), varvid en eller flera av filmerna bildar ett eller flera fotovoltiska utarmningsområden, varjämte organen för avsättning av kiselfilmerna innefattar organ för avsättning av var och en av kiselfilmerna i ett separat glimurladdningsområde, förbi vilket banan för- flyttas, för bildande av en i huvudsak kontinuerlig avsättningsprocess, samt organ för att i det följande på kiselfilmerna påföra ett tunt, böjligt elektrodbil- dande skikt på åtminstone några av de fotovoltiska ut- armningsområdena.
12. Apparat enligt patentkravet ll, k ä n n e - t e c k n a d därav, att organen för avsättning av filmen av P-typ innefattar organ för avsättning av en halvledarvärdmatrisfilm, innefattande åtminstone kisel, genom glimurladdning av en förening, som innehåller åtminstone kisel, i atmosfären av partiellt vakuum samt organ för införande av ett av förångad metall bildat P-dopmedelsmodifieringsämne i glimurladdningsstationen för kiselavsättning under glimurladdningsavsättningen av filmen, vilka organ för avsättning av det metalliska modifieringsämnet avsätter ämnet tillsammans med den glimurladdningsavsatta kiselfilmen för modifiering av denna för bildande av filmen av P-typ.
l3. Apparat enligt patentkravet 12, k ä n n e - t e c k n a d därav, att det av förångad metall bildade modifieringsämnet är åtminstone ett av aluminium, gallium, indium, zink och tallium.
14. Apparat enligt patentkravet ll, k ä n n e - 456 380 10 15 20 25 30 35 o 30 t e c k n a d därav, att organen för avsättning av filmen av P-typ innefattar organ för att på substratet, upphettat till åtminstone en temperatur över 500°C och under 800°C, avsätta en halvledarvärdmatrisfilm, som innefattar åtminstone kisel, genom glimurladdning av en förening, som innehåller åtminstone kisel, i atmo- sfären av partiellt vakuum, organ för införande av en gasformig P-dopmedelsförening i glimurladdningsområdet för kiselavsättning under glimurladdningsavsättningen av filmen, vilken gasformiga P-dopmedelsförening inne- fattar åtminstone ett P-dopmedelsmodifieringsämne och en icke-P-dopande substituent och vilken gasformiga förening sönderfaller i P-dopmedelsmodifieringsämnet och nämnda substituent vid nämnda substrattemperatur på åtminstone över 500°C, samt organ för att kombinera P-dopmedelsmodifieringsämnet med det sig avsättande kislet för modifiering av kiselhalvledarmaterialet och bildande av filmen av P-typ.
15. Apparat enligt patentkravet 14, k ä n n e - t e c k n a d därav, att P-dopmedelsmodifieringsämnet är åtminstone ett av aluminium, gallium, indium, zink och tallium.
16. Apparat enligt patentkravet 14, k ä n n e - t e c k n a d därav, att P-dopmedelsmodifieringsämnet är bor.
17. Apparat enligt patentkravet-16, k ä n n e - t e c k n a d därav, att den gasformiga föreningen är diboran.
18. Apparat enligt patentkravet ll, k ä n n e - t e c k n a d därav, att organen för avsättning av kiselfilmerna innefattar organ för avsättning av åtminstone en av de kisel innehållande filmerna från en kisel inne- hållande förening såsom en i huvudsak amorf film, varvid i varje kiselförening som bildar varje sådan film ingår ett tillstândstäthetsreducerande ämne, samt organ för införande av åtminstone ett särskilt tillstândstäthets- reducerande ämne, ej erhållet ur föreningen, i glimur- laddningsomrádet, så att dessa ämnen inbegripes i varje 10 15 20 25 30 35 456 380 31 i huvudsak amorf, kisel innehållande film som avsättas på substratet i och för ändring av elektronkonfigura- tionerna och alstring av en minskad täthet av lokala tillstånd i dess energigap.
19. Apparat enligt patentkravet 18, k ä n n e - t e c k n a d därav, att föreningen innefattar fluor.
20. Apparat enligt patentkravet 18, k ä n n e - t e c k n a d därav, att föreningen är åtminstone en blandning av SiF4 och H2.
21. Apparat enligt patentkravet 18, k ä n n e - t e c k n a d därav, att föreningen är åtminstone en blandning av SiF4 och H2 i förhållandet {:l ~ l0:l.
22. Apparat enligt patentkravet ll, k ä n n e - t e c k'n a d därav, att organen för avsättning av den P-dopade, kisel innehållande filmen innefattar organ för avsättning av den P-dopade filmen till en tjocklek på mindre än 1000 Å.
23. Apparat enligt patentkravet ll, k ä n n e - t e c k n a d av organ för att mellan de P- och N-dopade kiselfilmerna avsätta en egenledande, amorf och kisel innehållande film genom glimurladdning utan närvaro av något P- eller N-dopmedelsmodifieringsämne.
24. Apparat enligt patentkravet 23, k ä n n e - t e c k n a d därav, att varje avsättningsomráde är' avsett för avsättning av en filmtyp, varvid varje område är isolerat från andra områden.
25. Apparat enligt patentkravet 24, k ä n n e - t e c k n a d därav, att vart och ett av de avsedda avsättningsomrádena är beläget i en av ett flertal av- sedda glimurladdningskamrar, som är isolerade från var- andra.
26. Apparat enligt patentkravet 25, k ä n n e - t e c k n a d därav, att de avsedda glimurladdnings- kamrarna är isolerade från varandra av gasflödesorgan.
27. Apparat enligt patentkravet 26, k ä n n e - t e c kan a d därav, att de avsedda glimurladdnings- kamrarna är kopplade till varandra medelst en isole- 456 380 10 15 20 32 ringskanal, genom vilken substratet föres.
28. Apparat enligt patentkravet 25, k ä n n e - t e c k n a d därav, att de avsedda kamrarna innefattar organ för uppvärmning av substratet.
29. Apparat enligt patentkravet 24, k ä n n e - t e c k n a d därav, att vart och ett av avsåttnings- områdena har en längd, längs vilken substratet föres och vilken är proportionell mot tjockleken av den totala _fi1men för avsättning av rätt tjocklek av filmen på substratet under en enda genomföring.
30. Apparat enligt patentkravet ll, k ä n n e - t e c k n a d av organ för bildande av ett eller flera elektrodbildande områden på substratet, organ för av- sättning av filmerna över åtminstone några av de elektrod- bildande områdena samt organ för bildande av det tunna, böjliga och elektrodbildande skiktet åtskilt för vart och ett av de fotovoltiska utarmningsomràdena.
31. Apparat enligt patentkravet ll, k ä n n e - t e c k n a d av organ för att isolera substratet från omgivningen under det att det föres genom vart och ett av glimurladdningsomrâdena.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US06/151,301 US4400409A (en) | 1980-05-19 | 1980-05-19 | Method of making p-doped silicon films |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SE8103043L SE8103043L (sv) | 1981-11-20 |
SE456380B true SE456380B (sv) | 1988-09-26 |
Family
ID=22538142
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SE8103043A SE456380B (sv) | 1980-05-19 | 1981-05-15 | Sett att framstella en fotovoltisk panel samt anording for framstellning av den fotovoltiska panelen |
Country Status (19)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4400409A (sv) |
JP (5) | JPS5743413A (sv) |
KR (3) | KR840000756B1 (sv) |
AU (3) | AU542845B2 (sv) |
BR (1) | BR8103030A (sv) |
CA (1) | CA1184096A (sv) |
DE (3) | DE3119481C2 (sv) |
ES (3) | ES502281A0 (sv) |
FR (1) | FR2482786B1 (sv) |
GB (3) | GB2076433B (sv) |
IE (1) | IE52688B1 (sv) |
IL (1) | IL62883A (sv) |
IN (1) | IN155670B (sv) |
IT (1) | IT1135827B (sv) |
MX (1) | MX155307A (sv) |
NL (1) | NL8102411A (sv) |
PH (1) | PH18408A (sv) |
SE (1) | SE456380B (sv) |
ZA (1) | ZA813076B (sv) |
Families Citing this family (137)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5713777A (en) | 1980-06-30 | 1982-01-23 | Shunpei Yamazaki | Semiconductor device and manufacture thereof |
US5091334A (en) * | 1980-03-03 | 1992-02-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US4677738A (en) * | 1980-05-19 | 1987-07-07 | Energy Conversion Devices, Inc. | Method of making a photovoltaic panel |
US6900463B1 (en) | 1980-06-30 | 2005-05-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US5262350A (en) * | 1980-06-30 | 1993-11-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Forming a non single crystal semiconductor layer by using an electric current |
US5859443A (en) * | 1980-06-30 | 1999-01-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US4542711A (en) * | 1981-03-16 | 1985-09-24 | Sovonics Solar Systems | Continuous system for depositing amorphous semiconductor material |
EP0078541B1 (en) * | 1981-11-04 | 1991-01-16 | Kanegafuchi Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Flexible photovoltaic device |
US4485125A (en) * | 1982-03-19 | 1984-11-27 | Energy Conversion Devices, Inc. | Method for continuously producing tandem amorphous photovoltaic cells |
JPS58169980A (ja) * | 1982-03-19 | 1983-10-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光起電力素子の製造方法 |
US4423701A (en) * | 1982-03-29 | 1984-01-03 | Energy Conversion Devices, Inc. | Glow discharge deposition apparatus including a non-horizontally disposed cathode |
US4462332A (en) * | 1982-04-29 | 1984-07-31 | Energy Conversion Devices, Inc. | Magnetic gas gate |
JPS58196063A (ja) * | 1982-05-10 | 1983-11-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光起電力素子の製造方法 |
JPS5934668A (ja) * | 1982-08-21 | 1984-02-25 | Agency Of Ind Science & Technol | 薄膜太陽電池の製造方法 |
JPS5950575A (ja) * | 1982-09-16 | 1984-03-23 | Agency Of Ind Science & Technol | 太陽電池の製造方法 |
JPS5961077A (ja) * | 1982-09-29 | 1984-04-07 | Nippon Denso Co Ltd | アモルフアスシリコン太陽電池 |
US4443652A (en) * | 1982-11-09 | 1984-04-17 | Energy Conversion Devices, Inc. | Electrically interconnected large area photovoltaic cells and method of producing said cells |
US4515107A (en) * | 1982-11-12 | 1985-05-07 | Sovonics Solar Systems | Apparatus for the manufacture of photovoltaic devices |
JPS59201471A (ja) * | 1983-04-29 | 1984-11-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 光電変換半導体装置 |
US4483883A (en) * | 1982-12-22 | 1984-11-20 | Energy Conversion Devices, Inc. | Upstream cathode assembly |
US4513684A (en) * | 1982-12-22 | 1985-04-30 | Energy Conversion Devices, Inc. | Upstream cathode assembly |
JPS60119784A (ja) * | 1983-12-01 | 1985-06-27 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 絶縁金属基板の製法およびそれに用いる装置 |
AU562641B2 (en) | 1983-01-18 | 1987-06-18 | Energy Conversion Devices Inc. | Electronic matrix array |
US4479455A (en) * | 1983-03-14 | 1984-10-30 | Energy Conversion Devices, Inc. | Process gas introduction and channeling system to produce a profiled semiconductor layer |
JPH0614556B2 (ja) * | 1983-04-29 | 1994-02-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 光電変換装置及びその作製方法 |
JPS59228716A (ja) * | 1983-06-10 | 1984-12-22 | Sanyo Electric Co Ltd | 気相成長法 |
US4480585A (en) * | 1983-06-23 | 1984-11-06 | Energy Conversion Devices, Inc. | External isolation module |
DE3400843A1 (de) * | 1983-10-29 | 1985-07-18 | VEGLA Vereinigte Glaswerke GmbH, 5100 Aachen | Verfahren zum herstellen von autoglasscheiben mit streifenfoermigen blendschutzfiltern durch bedampfen oder sputtern, und vorrichtung zur durchfuehrung des verfahrens |
US4514583A (en) * | 1983-11-07 | 1985-04-30 | Energy Conversion Devices, Inc. | Substrate for photovoltaic devices |
JPS60214572A (ja) * | 1984-04-11 | 1985-10-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜太陽電池およびその製造方法 |
US4634605A (en) * | 1984-05-23 | 1987-01-06 | Wiesmann Harold J | Method for the indirect deposition of amorphous silicon and polycrystalline silicone and alloys thereof |
JPS6142972A (ja) * | 1984-08-06 | 1986-03-01 | Showa Alum Corp | a−Si太陽電池用基板の製造方法 |
JPS61133676A (ja) * | 1984-12-03 | 1986-06-20 | Showa Alum Corp | a−Si太陽電池用基板 |
JPS6179548U (sv) * | 1984-10-31 | 1986-05-27 | ||
US4609771A (en) * | 1984-11-02 | 1986-09-02 | Sovonics Solar Systems | Tandem junction solar cell devices incorporating improved microcrystalline p-doped semiconductor alloy material |
JPS61133675A (ja) * | 1984-12-03 | 1986-06-20 | Showa Alum Corp | a−Si太陽電池用基板の製造方法 |
US4566403A (en) * | 1985-01-30 | 1986-01-28 | Sovonics Solar Systems | Apparatus for microwave glow discharge deposition |
FR2581781B1 (fr) * | 1985-05-07 | 1987-06-12 | Thomson Csf | Elements de commande non lineaire pour ecran plat de visualisation electrooptique et son procede de fabrication |
US4664951A (en) * | 1985-07-31 | 1987-05-12 | Energy Conversion Devices, Inc. | Method provided for corrective lateral displacement of a longitudinally moving web held in a planar configuration |
JPS6292485A (ja) * | 1985-10-18 | 1987-04-27 | Sanyo Electric Co Ltd | 太陽電池の製造方法 |
FR2593343B1 (fr) * | 1986-01-20 | 1988-03-25 | Thomson Csf | Matrice d'elements photosensibles et son procede de fabrication, procede de lecture associe, et application de cette matrice a la prise de vue d'images |
JPH0744286B2 (ja) * | 1986-03-04 | 1995-05-15 | 三菱電機株式会社 | 非晶質光発電素子モジュールの製造方法 |
IL82673A0 (en) * | 1986-06-23 | 1987-11-30 | Minnesota Mining & Mfg | Multi-chamber depositions system |
US4874631A (en) * | 1986-06-23 | 1989-10-17 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Multi-chamber deposition system |
US4841908A (en) * | 1986-06-23 | 1989-06-27 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Multi-chamber deposition system |
US5031571A (en) * | 1988-02-01 | 1991-07-16 | Mitsui Toatsu Chemicals, Inc. | Apparatus for forming a thin film on a substrate |
DE3809010C2 (de) * | 1988-03-17 | 1998-02-19 | Siemens Ag | Verfahren zum Herstellen mikrokristalliner, n- oder p-leitender Siliziumschichten nach der Glimmentladungsplasmatechnik, geeignet für Solarzellen |
JPH0351971Y2 (sv) * | 1988-05-12 | 1991-11-08 | ||
US5053625A (en) * | 1988-08-04 | 1991-10-01 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Surface characterization apparatus and method |
US5001939A (en) * | 1988-08-04 | 1991-03-26 | Minnesota Mining And Manufacturing Co. | Surface characterization apparatus and method |
JPH02235327A (ja) * | 1989-03-08 | 1990-09-18 | Fujitsu Ltd | 半導体成長装置および半導体成長方法 |
US5098850A (en) * | 1989-06-16 | 1992-03-24 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for producing substrate for selective crystal growth, selective crystal growth process and process for producing solar battery by use of them |
US5130170A (en) * | 1989-06-28 | 1992-07-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Microwave pcvd method for continuously forming a large area functional deposited film using a curved moving substrate web with microwave energy with a directivity in one direction perpendicular to the direction of microwave propagation |
DE69030140T2 (de) * | 1989-06-28 | 1997-09-04 | Canon Kk | Verfahren und Anordnung zur kontinuierlichen Bildung einer durch Mikrowellen-Plasma-CVD niedergeschlagenen grossflächigen Dünnschicht |
US5281541A (en) * | 1990-09-07 | 1994-01-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for repairing an electrically short-circuited semiconductor device, and process for producing a semiconductor device utilizing said method |
US5225378A (en) * | 1990-11-16 | 1993-07-06 | Tokyo Electron Limited | Method of forming a phosphorus doped silicon film |
JP2824808B2 (ja) * | 1990-11-16 | 1998-11-18 | キヤノン株式会社 | マイクロ波プラズマcvd法による大面積の機能性堆積膜を連続的に形成する装置 |
US5629054A (en) * | 1990-11-20 | 1997-05-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for continuously forming a functional deposit film of large area by micro-wave plasma CVD method |
JP2810532B2 (ja) * | 1990-11-29 | 1998-10-15 | キヤノン株式会社 | 堆積膜形成方法及び堆積膜形成装置 |
JP3101330B2 (ja) * | 1991-01-23 | 2000-10-23 | キヤノン株式会社 | マイクロ波プラズマcvd法による大面積の機能性堆積膜を連続的に形成する方法及び装置 |
JP2975151B2 (ja) * | 1991-03-28 | 1999-11-10 | キヤノン株式会社 | 半導体素子の連続的製造装置 |
JP3118037B2 (ja) * | 1991-10-28 | 2000-12-18 | キヤノン株式会社 | 堆積膜形成方法および堆積膜形成装置 |
JP3073327B2 (ja) * | 1992-06-30 | 2000-08-07 | キヤノン株式会社 | 堆積膜形成方法 |
DE4324320B4 (de) * | 1992-07-24 | 2006-08-31 | Fuji Electric Co., Ltd., Kawasaki | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung einer als dünne Schicht ausgebildeten fotovoltaischen Umwandlungsvorrichtung |
US6720576B1 (en) | 1992-09-11 | 2004-04-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Plasma processing method and photoelectric conversion device |
US5821597A (en) * | 1992-09-11 | 1998-10-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric conversion device |
DE69410301T2 (de) * | 1993-01-29 | 1998-09-24 | Canon Kk | Verfahren zur Herstellung funktioneller niedergeschlagener Schichten |
JPH0653534A (ja) * | 1993-02-04 | 1994-02-25 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 光電変換装置 |
JP3571785B2 (ja) * | 1993-12-28 | 2004-09-29 | キヤノン株式会社 | 堆積膜形成方法及び堆積膜形成装置 |
DE9407482U1 (de) * | 1994-05-05 | 1994-10-06 | Balzers und Leybold Deutschland Holding AG, 63450 Hanau | Funktionseinrichtung für eine Vakuumanlage für die Behandlung von scheibenförmigen Werkstücken |
JP3169337B2 (ja) * | 1995-05-30 | 2001-05-21 | キヤノン株式会社 | 光起電力素子及びその製造方法 |
US6273955B1 (en) | 1995-08-28 | 2001-08-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Film forming apparatus |
US6096389A (en) * | 1995-09-14 | 2000-08-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Method and apparatus for forming a deposited film using a microwave CVD process |
JP3025179B2 (ja) * | 1995-09-28 | 2000-03-27 | キヤノン株式会社 | 光電変換素子の形成方法 |
JPH09199431A (ja) | 1996-01-17 | 1997-07-31 | Canon Inc | 薄膜形成方法および薄膜形成装置 |
US6153013A (en) * | 1996-02-16 | 2000-11-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Deposited-film-forming apparatus |
US5849108A (en) * | 1996-04-26 | 1998-12-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Photovoltaic element with zno layer having increasing fluorine content in layer thickness direction |
JP3437386B2 (ja) * | 1996-09-05 | 2003-08-18 | キヤノン株式会社 | 光起電力素子、並びにその製造方法 |
US6159763A (en) * | 1996-09-12 | 2000-12-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Method and device for forming semiconductor thin film, and method and device for forming photovoltaic element |
US6057005A (en) * | 1996-12-12 | 2000-05-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of forming semiconductor thin film |
US6159300A (en) | 1996-12-17 | 2000-12-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Apparatus for forming non-single-crystal semiconductor thin film, method for forming non-single-crystal semiconductor thin film, and method for producing photovoltaic device |
US6726812B1 (en) | 1997-03-04 | 2004-04-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Ion beam sputtering apparatus, method for forming a transparent and electrically conductive film, and process for the production of a semiconductor device |
JPH1180964A (ja) | 1997-07-07 | 1999-03-26 | Canon Inc | プラズマcvd法による堆積膜形成装置 |
US6268233B1 (en) | 1998-01-26 | 2001-07-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Photovoltaic device |
JPH11246971A (ja) | 1998-03-03 | 1999-09-14 | Canon Inc | 微結晶シリコン系薄膜の作製方法及び作製装置 |
JPH11251612A (ja) | 1998-03-03 | 1999-09-17 | Canon Inc | 光起電力素子の製造方法 |
US6287943B1 (en) | 1998-07-31 | 2001-09-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Deposition of semiconductor layer by plasma process |
US6397775B1 (en) | 1998-10-16 | 2002-06-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Deposited film forming system and process |
JP2000204478A (ja) * | 1998-11-11 | 2000-07-25 | Canon Inc | 基板処理装置及び基板処理方法 |
JP2001040478A (ja) | 1999-05-27 | 2001-02-13 | Canon Inc | 堆積膜形成装置及び堆積膜形成方法 |
JP3870014B2 (ja) | 1999-07-26 | 2007-01-17 | キヤノン株式会社 | 真空処理装置および真空処理方法 |
US6547922B2 (en) | 2000-01-31 | 2003-04-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Vacuum-processing apparatus using a movable cooling plate during processing |
JP2001323376A (ja) * | 2000-03-06 | 2001-11-22 | Canon Inc | 堆積膜の形成装置 |
US6667240B2 (en) | 2000-03-09 | 2003-12-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Method and apparatus for forming deposited film |
JP4439665B2 (ja) * | 2000-03-29 | 2010-03-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | プラズマcvd装置 |
JP2002020863A (ja) | 2000-05-01 | 2002-01-23 | Canon Inc | 堆積膜の形成方法及び形成装置、及び基板処理方法 |
US6541316B2 (en) * | 2000-12-22 | 2003-04-01 | The Regents Of The University Of California | Process for direct integration of a thin-film silicon p-n junction diode with a magnetic tunnel junction |
JP2002305315A (ja) | 2001-01-31 | 2002-10-18 | Canon Inc | 半導体素子の形成方法及び半導体素子 |
KR100434794B1 (ko) * | 2001-02-22 | 2004-06-07 | 최동열 | 잉크젯 날염용 원단지 및 그 제조방법 |
JP4651072B2 (ja) | 2001-05-31 | 2011-03-16 | キヤノン株式会社 | 堆積膜形成方法、および堆積膜形成装置 |
GB0202125D0 (en) * | 2002-01-30 | 2002-03-20 | Qinetiq Ltd | Dark coatings |
EP1347077B1 (en) * | 2002-03-15 | 2006-05-17 | VHF Technologies SA | Apparatus and method for the production of flexible semiconductor devices |
GB0212062D0 (en) * | 2002-05-24 | 2002-07-03 | Vantico Ag | Jetable compositions |
JP2004043910A (ja) * | 2002-07-12 | 2004-02-12 | Canon Inc | 堆積膜形成方法および形成装置 |
JP2004300574A (ja) * | 2003-03-20 | 2004-10-28 | Canon Inc | 基板処理装置 |
CN100380596C (zh) | 2003-04-25 | 2008-04-09 | 株式会社半导体能源研究所 | 液滴排出装置、图案的形成方法及半导体装置的制造方法 |
JP2004335706A (ja) * | 2003-05-07 | 2004-11-25 | Canon Inc | 半導体素子の形成方法 |
US7768018B2 (en) * | 2003-10-10 | 2010-08-03 | Wostec, Inc. | Polarizer based on a nanowire grid |
RU2240280C1 (ru) | 2003-10-10 | 2004-11-20 | Ворлд Бизнес Ассошиэйтс Лимитед | Способ формирования упорядоченных волнообразных наноструктур (варианты) |
US7462514B2 (en) * | 2004-03-03 | 2008-12-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same, liquid crystal television, and EL television |
US20050196710A1 (en) * | 2004-03-04 | 2005-09-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for forming pattern, thin film transistor, display device and method for manufacturing the same, and television apparatus |
JP4416569B2 (ja) * | 2004-05-24 | 2010-02-17 | キヤノン株式会社 | 堆積膜形成方法および堆積膜形成装置 |
DE112005001429T5 (de) * | 2004-06-18 | 2007-04-26 | Innovalight, Inc., St. Paul | Verfahren und Vorrichtung zum Bilden von Nanopartikeln unter Verwendung von Hochfrequenzplasmen |
US8158517B2 (en) * | 2004-06-28 | 2012-04-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing wiring substrate, thin film transistor, display device and television device |
US20090014423A1 (en) * | 2007-07-10 | 2009-01-15 | Xuegeng Li | Concentric flow-through plasma reactor and methods therefor |
US20080220175A1 (en) | 2007-01-22 | 2008-09-11 | Lorenzo Mangolini | Nanoparticles wtih grafted organic molecules |
US20080191193A1 (en) * | 2007-01-22 | 2008-08-14 | Xuegeng Li | In situ modification of group iv nanoparticles using gas phase nanoparticle reactors |
US8066840B2 (en) * | 2007-01-22 | 2011-11-29 | Solopower, Inc. | Finger pattern formation for thin film solar cells |
US8471170B2 (en) | 2007-07-10 | 2013-06-25 | Innovalight, Inc. | Methods and apparatus for the production of group IV nanoparticles in a flow-through plasma reactor |
US8968438B2 (en) * | 2007-07-10 | 2015-03-03 | Innovalight, Inc. | Methods and apparatus for the in situ collection of nucleated particles |
GB2453766A (en) * | 2007-10-18 | 2009-04-22 | Novalia Ltd | Method of fabricating an electronic device |
DE102008043458A1 (de) * | 2008-11-04 | 2010-05-12 | Q-Cells Se | Solarzelle |
KR20110015998A (ko) * | 2009-08-10 | 2011-02-17 | 삼성전자주식회사 | 태양 전지 및 그 제조 방법 |
US20110083724A1 (en) * | 2009-10-08 | 2011-04-14 | Ovshinsky Stanford R | Monolithic Integration of Photovoltaic Cells |
TWI501412B (zh) * | 2010-06-22 | 2015-09-21 | Iner Aec Executive Yuan | 具有改良的光捕捉結構之太陽電池 |
ES2509967T3 (es) * | 2011-02-24 | 2014-10-20 | Soitec Solar Gmbh | Disposiciones de células solares para módulos fotovoltaicos concentradores |
WO2013006077A1 (en) | 2011-07-06 | 2013-01-10 | Wostec, Inc. | Solar cell with nanostructured layer and methods of making and using |
KR20140054183A (ko) | 2011-08-05 | 2014-05-08 | 워스텍, 인코포레이티드 | 나노구조 층을 갖는 발광 다이오드 및 그의 제조 및 사용 방법 |
US9057704B2 (en) | 2011-12-12 | 2015-06-16 | Wostec, Inc. | SERS-sensor with nanostructured surface and methods of making and using |
EP2795786B1 (en) * | 2011-12-19 | 2018-07-11 | Printed Energy Pty Ltd. | Solar cell structure with graded refractive index lens |
WO2013109157A1 (en) | 2012-01-18 | 2013-07-25 | Wostec, Inc. | Arrangements with pyramidal features having at least one nanostructured surface and methods of making and using |
WO2013141740A1 (en) | 2012-03-23 | 2013-09-26 | Wostec, Inc. | Sers-sensor with nanostructured layer and methods of making and using |
WO2014142700A1 (en) | 2013-03-13 | 2014-09-18 | Wostec Inc. | Polarizer based on a nanowire grid |
US9748423B2 (en) * | 2014-01-16 | 2017-08-29 | Fundacio Institut De Ciencies Fotoniques | Photovoltaic device with fiber array for sun tracking |
WO2015199573A1 (en) | 2014-06-26 | 2015-12-30 | Wostec, Inc. | Wavelike hard nanomask on a topographic feature and methods of making and using |
US10672427B2 (en) | 2016-11-18 | 2020-06-02 | Wostec, Inc. | Optical memory devices using a silicon wire grid polarizer and methods of making and using |
WO2018156042A1 (en) | 2017-02-27 | 2018-08-30 | Wostec, Inc. | Nanowire grid polarizer on a curved surface and methods of making and using |
Family Cites Families (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US406452A (en) * | 1889-07-09 | Method of making cannon | ||
FR2133498B1 (sv) * | 1971-04-15 | 1977-06-03 | Labo Electronique Physique | |
GB1342972A (en) * | 1971-08-28 | 1974-01-10 | Wildt Mellor Bromley Ltd | Knitting machine needle |
JPS5631297B2 (sv) * | 1973-05-29 | 1981-07-20 | ||
US3979271A (en) * | 1973-07-23 | 1976-09-07 | Westinghouse Electric Corporation | Deposition of solid semiconductor compositions and novel semiconductor materials |
FR2265872B1 (sv) * | 1974-03-27 | 1977-10-14 | Anvar | |
US3969163A (en) * | 1974-09-19 | 1976-07-13 | Texas Instruments Incorporated | Vapor deposition method of forming low cost semiconductor solar cells including reconstitution of the reacted gases |
JPS51113481A (en) * | 1975-03-28 | 1976-10-06 | Sony Corp | Semiconductor device |
JPS51141587A (en) * | 1975-05-30 | 1976-12-06 | Sharp Kk | Method of producing solar battery |
IT1062510B (it) | 1975-07-28 | 1984-10-20 | Rca Corp | Dispositivo semiconduttore presentante una regione attiva di silicio amorfo |
US4064521A (en) * | 1975-07-28 | 1977-12-20 | Rca Corporation | Semiconductor device having a body of amorphous silicon |
US4152535A (en) * | 1976-07-06 | 1979-05-01 | The Boeing Company | Continuous process for fabricating solar cells and the product produced thereby |
US4042418A (en) | 1976-08-02 | 1977-08-16 | Westinghouse Electric Corporation | Photovoltaic device and method of making same |
DE2638269C2 (de) * | 1976-08-25 | 1983-05-26 | Wacker-Chemitronic Gesellschaft für Elektronik-Grundstoffe mbH, 8263 Burghausen | Verfahren zur Herstellung von substratgebundenem, großflächigem Silicium |
US4196438A (en) * | 1976-09-29 | 1980-04-01 | Rca Corporation | Article and device having an amorphous silicon containing a halogen and method of fabrication |
US4133697A (en) * | 1977-06-24 | 1979-01-09 | Nasa | Solar array strip and a method for forming the same |
US4117506A (en) * | 1977-07-28 | 1978-09-26 | Rca Corporation | Amorphous silicon photovoltaic device having an insulating layer |
DE2746967C2 (de) * | 1977-10-19 | 1981-09-24 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Elektrofotographische Aufzeichnungstrommel |
DE2757301A1 (de) * | 1977-12-22 | 1979-07-05 | Leybold Heraeus Gmbh & Co Kg | Vorrichtung zur umwandlung von strahlung in elektrische energie und verfahren zur herstellung der vorrichtung |
US4265991A (en) * | 1977-12-22 | 1981-05-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitive member and process for production thereof |
US4264962A (en) | 1978-02-07 | 1981-04-28 | Beam Engineering Kabushiki Kaisha | Small-sized electronic calculator |
US4217374A (en) * | 1978-03-08 | 1980-08-12 | Energy Conversion Devices, Inc. | Amorphous semiconductors equivalent to crystalline semiconductors |
US4342044A (en) * | 1978-03-08 | 1982-07-27 | Energy Conversion Devices, Inc. | Method for optimizing photoresponsive amorphous alloys and devices |
US4226898A (en) * | 1978-03-16 | 1980-10-07 | Energy Conversion Devices, Inc. | Amorphous semiconductors equivalent to crystalline semiconductors produced by a glow discharge process |
US4163677A (en) | 1978-04-28 | 1979-08-07 | Rca Corporation | Schottky barrier amorphous silicon solar cell with thin doped region adjacent metal Schottky barrier |
DE2827049A1 (de) * | 1978-06-20 | 1980-01-10 | Siemens Ag | Solarzellenbatterie und verfahren zu ihrer herstellung |
US4202928A (en) * | 1978-07-24 | 1980-05-13 | Rca Corporation | Updateable optical storage medium |
JPS5529154A (en) * | 1978-08-23 | 1980-03-01 | Shunpei Yamazaki | Semiconductor device |
JPS5559783A (en) * | 1978-10-27 | 1980-05-06 | Canon Inc | Electronic device with solar battery |
JPS5578524A (en) * | 1978-12-10 | 1980-06-13 | Shunpei Yamazaki | Manufacture of semiconductor device |
GB2038086A (en) * | 1978-12-19 | 1980-07-16 | Standard Telephones Cables Ltd | Amorphous semiconductor devices |
JPS5934421B2 (ja) * | 1979-11-29 | 1984-08-22 | 住友電気工業株式会社 | 薄膜製造法 |
DE3000889C2 (de) * | 1980-01-11 | 1984-07-26 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verwendung einer um zwei Rollen umlaufenden Metallfolie zum Stranggießen von amorphem Silizium |
FR2490019B1 (fr) * | 1980-09-09 | 1985-10-31 | Energy Conversion Devices Inc | Procede et dispositif pour augmenter l'intervalle de bandes d'alliages amorphes photosensibles et alliages obtenus |
-
1980
- 1980-05-19 US US06/151,301 patent/US4400409A/en not_active Expired - Lifetime
-
1981
- 1981-05-08 ZA ZA00813076A patent/ZA813076B/xx unknown
- 1981-05-12 MX MX187268A patent/MX155307A/es unknown
- 1981-05-12 PH PH25624A patent/PH18408A/en unknown
- 1981-05-15 IE IE1099/81A patent/IE52688B1/en not_active IP Right Cessation
- 1981-05-15 JP JP56073356A patent/JPS5743413A/ja active Granted
- 1981-05-15 IN IN521/CAL/81A patent/IN155670B/en unknown
- 1981-05-15 DE DE3119481A patent/DE3119481C2/de not_active Expired - Lifetime
- 1981-05-15 CA CA000377664A patent/CA1184096A/en not_active Expired
- 1981-05-15 IL IL62883A patent/IL62883A/xx unknown
- 1981-05-15 NL NL8102411A patent/NL8102411A/nl not_active Application Discontinuation
- 1981-05-15 KR KR1019810001678A patent/KR840000756B1/ko active
- 1981-05-15 JP JP1152074A patent/JP2539916B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1981-05-15 IT IT21753/81A patent/IT1135827B/it active
- 1981-05-15 GB GB8114920A patent/GB2076433B/en not_active Expired
- 1981-05-15 BR BR8103030A patent/BR8103030A/pt not_active IP Right Cessation
- 1981-05-15 DE DE3153270A patent/DE3153270C2/de not_active Expired - Lifetime
- 1981-05-15 SE SE8103043A patent/SE456380B/sv not_active IP Right Cessation
- 1981-05-15 FR FR8109735A patent/FR2482786B1/fr not_active Expired
- 1981-05-15 DE DE3153269A patent/DE3153269C2/de not_active Expired - Lifetime
- 1981-05-18 ES ES502281A patent/ES502281A0/es active Granted
- 1981-05-18 AU AU70653/81A patent/AU542845B2/en not_active Ceased
- 1981-05-19 JP JP56075588A patent/JPS57122581A/ja active Granted
-
1982
- 1982-05-31 ES ES512728A patent/ES512728A0/es active Granted
- 1982-05-31 ES ES512729A patent/ES512729A0/es active Granted
-
1983
- 1983-09-05 GB GB08323742A patent/GB2146045B/en not_active Expired
- 1983-09-05 GB GB08323741A patent/GB2147316B/en not_active Expired
-
1984
- 1984-07-30 KR KR1019840004524A patent/KR890003498B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1984-07-30 KR KR1019840004525A patent/KR890003499B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1984-10-31 AU AU34874/84A patent/AU556596B2/en not_active Ceased
- 1984-10-31 AU AU34875/84A patent/AU556493B2/en not_active Ceased
-
1985
- 1985-04-11 JP JP60077525A patent/JPS6122622A/ja active Granted
-
1986
- 1986-03-12 JP JP61054540A patent/JPS61287176A/ja active Granted
Also Published As
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
SE456380B (sv) | Sett att framstella en fotovoltisk panel samt anording for framstellning av den fotovoltiska panelen | |
US4409605A (en) | Amorphous semiconductors equivalent to crystalline semiconductors | |
US4379943A (en) | Current enhanced photovoltaic device | |
JPS58199710A (ja) | 改良された広いバンドギヤツプのp型無定形の酸素とのシリコン合金およびその利用デバイス | |
US4490208A (en) | Method of producing thin films of silicon | |
US4520380A (en) | Amorphous semiconductors equivalent to crystalline semiconductors | |
US4485389A (en) | Amorphous semiconductors equivalent to crystalline semiconductors | |
US4710786A (en) | Wide band gap semiconductor alloy material | |
KR890004497B1 (ko) | 다중 셀의 감광성 비정질 합금 및 소자 | |
US4446168A (en) | Method of forming amorphous silicon | |
US4677738A (en) | Method of making a photovoltaic panel | |
US4605941A (en) | Amorphous semiconductors equivalent to crystalline semiconductors | |
SE457300B (sv) | Fotovoltiskt don | |
US4839312A (en) | Fluorinated precursors from which to fabricate amorphous semiconductor material | |
US4703336A (en) | Photodetection and current control devices | |
EP0051980A1 (en) | Photovoltaic device and photoelectrochemical cell electrode | |
US4689645A (en) | Current control device | |
Kenne et al. | High deposition rate preparation of amorphous silicon solar cells by rf glow discharge decomposition of disilane | |
CN102315312B (zh) | 硅异质接面太阳能电池的制程 | |
JPH04192373A (ja) | 光起電力素子 | |
JPH0714072B2 (ja) | 光電変換素子の製造方法 | |
JPS58122784A (ja) | 太陽電池 | |
JPS59107575A (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
JPH0714073B2 (ja) | 光電変換素子の製法及びその製造装置 | |
JPH04354166A (ja) | アモルファス太陽電池 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
NUG | Patent has lapsed |
Ref document number: 8103043-9 Effective date: 19931210 Format of ref document f/p: F |