JPH01257375A - 薄膜太陽電池の製造方法 - Google Patents
薄膜太陽電池の製造方法Info
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- JPH01257375A JPH01257375A JP63085940A JP8594088A JPH01257375A JP H01257375 A JPH01257375 A JP H01257375A JP 63085940 A JP63085940 A JP 63085940A JP 8594088 A JP8594088 A JP 8594088A JP H01257375 A JPH01257375 A JP H01257375A
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Classifications
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/545—Microcrystalline silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、非晶質シリコン（以下ａ−３ｉと略す）を主
材料とし、ｐ−１−ｎ接合構造により光電変換をする薄
膜太陽電池の製造方法に関する。
材料とし、ｐ−１−ｎ接合構造により光電変換をする薄
膜太陽電池の製造方法に関する。
非晶質半導体、特にａ −３ｔｉｌｌ膜を用いた薄膜太
陽電池は大面積化が容易、原料コストが小さくてすむと
いった利点をもち、低コスト太陽電池として期待されて
いる０通常ａ−３ｌ太陽電池はガラスなどの透光性の基
板にＳｍｏｇなどの透明かつ導電性のあろ透明導電膜に
よって透明電極を形成し、その上にグロー放電分解を利
用したプラズマＣＶＤ法によりｐ形、Ｉ賞、ｎ形のａ
−３層層を順次形成し、さらにＭや轟８などの金属電極
を真空蒸着法やスパッタリング法により形成することに
より製造される。
陽電池は大面積化が容易、原料コストが小さくてすむと
いった利点をもち、低コスト太陽電池として期待されて
いる０通常ａ−３ｌ太陽電池はガラスなどの透光性の基
板にＳｍｏｇなどの透明かつ導電性のあろ透明導電膜に
よって透明電極を形成し、その上にグロー放電分解を利
用したプラズマＣＶＤ法によりｐ形、Ｉ賞、ｎ形のａ
−３層層を順次形成し、さらにＭや轟８などの金属電極
を真空蒸着法やスパッタリング法により形成することに
より製造される。
（発明が解決しようとする課題〕
しかし、プラズマＣＶＤ法により形成されたａ−Ｓｔ膜
は光照射下において膜質が劣化し、その中で１層の膜質
の劣化が原因となって太陽電池の効率が低下する現象（
ステブラ−・ロンスキ−効果）が問題となっていた。こ
れに対し、熱ＣＶＤ法によって形成されたａ −５１膜
は光による膜質の劣化が小さく、このため太陽電池とし
ての効率の低下がない。
は光照射下において膜質が劣化し、その中で１層の膜質
の劣化が原因となって太陽電池の効率が低下する現象（
ステブラ−・ロンスキ−効果）が問題となっていた。こ
れに対し、熱ＣＶＤ法によって形成されたａ −５１膜
は光による膜質の劣化が小さく、このため太陽電池とし
ての効率の低下がない。
熱ＣＶＤ法は、°反応室を大気圧もしくはＨｅまたはｈ
雰囲気中において４５０〜ｓｏｏ ’ｃの成膜温度に昇
温したのち、反応ガスを導入して分解させ、サセプタ上
にセットされた基板上に堆積させる。ａ−５ｉｌｌ！Ｉ
成膜のための反応ガスとしてはＳＪｉを主ガスとしてＨ
ｅまたはＨ８を希釈ガスとして用い、ｎ′ｊｌを形成す
る場合にはこれにＩ”Ｌを加え、ｐｌｉを形成する場合
にはＢｘＨ＊および透光性をよくするためにＣ！ ＩＩ
ｍなどを加える。
雰囲気中において４５０〜ｓｏｏ ’ｃの成膜温度に昇
温したのち、反応ガスを導入して分解させ、サセプタ上
にセットされた基板上に堆積させる。ａ−５ｉｌｌ！Ｉ
成膜のための反応ガスとしてはＳＪｉを主ガスとしてＨ
ｅまたはＨ８を希釈ガスとして用い、ｎ′ｊｌを形成す
る場合にはこれにＩ”Ｌを加え、ｐｌｉを形成する場合
にはＢｘＨ＊および透光性をよくするためにＣ！ ＩＩ
ｍなどを加える。
しかし、この方法によって製造された太陽電池は光によ
る特性の劣化はないが、成Ｉｌｌ温度が４５０〜５００
℃と高いため、ＩＮ内へのｎ層、ｐ層からの不純物の拡
散、特に光入射側の層からの不純物の拡散が問題となり
、高い効率が得られなし）とｔｌう問題があった。
る特性の劣化はないが、成Ｉｌｌ温度が４５０〜５００
℃と高いため、ＩＮ内へのｎ層、ｐ層からの不純物の拡
散、特に光入射側の層からの不純物の拡散が問題となり
、高い効率が得られなし）とｔｌう問題があった。
本発明の課題は、光による劣化を抑えると共に、不純物
の拡散による効率の低下を抑えることのできる薄膜太陽
電池の製造方法を提供することにある。
の拡散による効率の低下を抑えることのできる薄膜太陽
電池の製造方法を提供することにある。
上記の！ＩＩ！！Ｉの解決のために本発明は、基板上に
積層されｐ−１−ｎ接合を構成する非晶質シリコンを主
材料とするｐ層、１層、ｎ層のうち、１層およびその基
板側の層を熱Ｃｖｂ法により形成したのち、ｔＩＩへの
光の入射側にある反基板側の層をプラズマＣＶＤ法によ
り形成するものとする。
積層されｐ−１−ｎ接合を構成する非晶質シリコンを主
材料とするｐ層、１層、ｎ層のうち、１層およびその基
板側の層を熱Ｃｖｂ法により形成したのち、ｔＩＩへの
光の入射側にある反基板側の層をプラズマＣＶＤ法によ
り形成するものとする。
１層を熱ＣＶＤ法で形成するので光による膜質の劣化が
少なく１層の光の入射側の層を低温でのプラズマＣＶＤ
法で成膜するのでその層と１層との界面を通じての不純
物の拡散が抑制され、太陽電池の特性を左右するその間
の接合への影響がなく、高効率が得られる。
少なく１層の光の入射側の層を低温でのプラズマＣＶＤ
法で成膜するのでその層と１層との界面を通じての不純
物の拡散が抑制され、太陽電池の特性を左右するその間
の接合への影響がなく、高効率が得られる。
第１図は本発明の一実施例によって製造された薄膜太陽
電池の断面を示し、ガラス板上にＡｇを真空蒸着した導
電性基板１１の上に熱ＣＶＤ法によるｎ＠ａ−３ｉ層１
２．１質ａ−３ｉ層１３が積層され、その上にプラズマ
ＣＶＤ法による炭素を加えたｐ形ａ −ＳｉＣｊ１１４
を成膜したｐ−１−ｎ構造を有する。
電池の断面を示し、ガラス板上にＡｇを真空蒸着した導
電性基板１１の上に熱ＣＶＤ法によるｎ＠ａ−３ｉ層１
２．１質ａ−３ｉ層１３が積層され、その上にプラズマ
ＣＶＤ法による炭素を加えたｐ形ａ −ＳｉＣｊ１１４
を成膜したｐ−１−ｎ構造を有する。
ｐｌｉ１４の上には透明溝＄１１１５を介してＭからな
る集電電極１６を設けたものである。この太陽電池は第
２図に示す装置を用いて製造した。
る集電電極１６を設けたものである。この太陽電池は第
２図に示す装置を用いて製造した。
第２図の装置は前室２１．熱ＣＶＤ室２２．プラズマＣ
ＶＤ室２３および後室２４が連結されたもので、各室を
通じてサセプタ３に支持された基板１１を搬送ローラ４
により移動させることができる。先ず基板１１をバルブ
５１を開いて排気バルブ６１を介して排気された前室（
ロードロック室）２１に入れ、次いで仕切りバルブ５２
を開いてヒータ７１．７２を備えた熱ＣＶＤ室２２に搬
入し、５０Ｔｏｒｒの■８雰囲気中で４８０℃に加熱し
た。真空引きを経て、反応ガス導入バルブ６２を開け、
ＳｉＪ＆ＩＨｅ、ＰＨ３の混合ガスを導入し、圧力を５
０Ｔｏｒｒに調節してａ−５ｉのｎＪ１１２を３００人
の厚さに形成した。膜形成後は素早くガス導入バルブ６
２を閉じ排気ベベル６３を介して排気を行った６次に、
再び反応ガス導入バルブ６２を開け、５ｉｘＨａ、Ｈｅ
の混合ガスを導入し、５０Ｔｏｒｒの圧力でａ−３ｔの
１層１３を６０００人の厚さに形成した。その後、真空
引きを経て仕切りバルブ５３を開き、ヒータ７３および
高周波電極８を有するプラズマＣＶＤ室２３に搬入し、
５０ＴｏｒｒのＨ富雰囲気中で降温を行い、基板温度を
２００℃にした。そして排気バルブ６５を介して真空引
きの後、反応ガス導入バルブ６４を開け、！ｌ ｓ 、
Ｓ １７ ＩＩ ６を導入し、圧力をＱ、５ Ｔｏｒ
ｒに保ち高周波電極８に１３．５６ＭＨｚの高周波電圧
を印加し、グロー放電分解法によりａ−５ｉＣの９層１
４を１５０人の厚さに形成した。これを仕切りバルブ５
４を開いて後室に移してから外部へ取り出し、ＳｎＯ，
を蒸着することによって作製された太陽電池の１００
ｍＷ／−の光照射時のセル特性を第３図の線３１として
示す、線３２はｐ層 ｔｔ ｎｌｌすべてを熱ＣＶ
Ｄ法により形成した太陽電池の特性である。線３１で示
した太陽電池の効率は７．４％であり、線３２で示した
太陽電池の効率は５．６％である。このことから本発明
の実施例の方法を採用することにより熱ＣＶＤ法による
不純物拡散がなく、効率の向上がはかられることがわか
った。また、この二つの太陽電池に１００ ｍＷ／−の
光を１００時間照射したが、共に劣化はみられなかった
。
ＶＤ室２３および後室２４が連結されたもので、各室を
通じてサセプタ３に支持された基板１１を搬送ローラ４
により移動させることができる。先ず基板１１をバルブ
５１を開いて排気バルブ６１を介して排気された前室（
ロードロック室）２１に入れ、次いで仕切りバルブ５２
を開いてヒータ７１．７２を備えた熱ＣＶＤ室２２に搬
入し、５０Ｔｏｒｒの■８雰囲気中で４８０℃に加熱し
た。真空引きを経て、反応ガス導入バルブ６２を開け、
ＳｉＪ＆ＩＨｅ、ＰＨ３の混合ガスを導入し、圧力を５
０Ｔｏｒｒに調節してａ−５ｉのｎＪ１１２を３００人
の厚さに形成した。膜形成後は素早くガス導入バルブ６
２を閉じ排気ベベル６３を介して排気を行った６次に、
再び反応ガス導入バルブ６２を開け、５ｉｘＨａ、Ｈｅ
の混合ガスを導入し、５０Ｔｏｒｒの圧力でａ−３ｔの
１層１３を６０００人の厚さに形成した。その後、真空
引きを経て仕切りバルブ５３を開き、ヒータ７３および
高周波電極８を有するプラズマＣＶＤ室２３に搬入し、
５０ＴｏｒｒのＨ富雰囲気中で降温を行い、基板温度を
２００℃にした。そして排気バルブ６５を介して真空引
きの後、反応ガス導入バルブ６４を開け、！ｌ ｓ 、
Ｓ １７ ＩＩ ６を導入し、圧力をＱ、５ Ｔｏｒ
ｒに保ち高周波電極８に１３．５６ＭＨｚの高周波電圧
を印加し、グロー放電分解法によりａ−５ｉＣの９層１
４を１５０人の厚さに形成した。これを仕切りバルブ５
４を開いて後室に移してから外部へ取り出し、ＳｎＯ，
を蒸着することによって作製された太陽電池の１００
ｍＷ／−の光照射時のセル特性を第３図の線３１として
示す、線３２はｐ層 ｔｔ ｎｌｌすべてを熱ＣＶ
Ｄ法により形成した太陽電池の特性である。線３１で示
した太陽電池の効率は７．４％であり、線３２で示した
太陽電池の効率は５．６％である。このことから本発明
の実施例の方法を採用することにより熱ＣＶＤ法による
不純物拡散がなく、効率の向上がはかられることがわか
った。また、この二つの太陽電池に１００ ｍＷ／−の
光を１００時間照射したが、共に劣化はみられなかった
。
第４図は本発明の他の実施例を示す、前述の実施例の方
法によって得られた熱シリコン法によるａ−５ｌの０層
１２． １層１３．ブラズｖＣＶＤ法によるａ−５ＩＣ
のｐ７１１４の上にすべてプラズマＣＶＤ法により微結
晶シリコン層１０． ＳｉＮの０層１７゜ａ−５ｔの１
１１ｉ１８，１）層１９を積層し、Ｓｎ０ｇｎ０ｇ全１
５することによりタンデムセルを作製したものである。
法によって得られた熱シリコン法によるａ−５ｌの０層
１２． １層１３．ブラズｖＣＶＤ法によるａ−５ＩＣ
のｐ７１１４の上にすべてプラズマＣＶＤ法により微結
晶シリコン層１０． ＳｉＮの０層１７゜ａ−５ｔの１
１１ｉ１８，１）層１９を積層し、Ｓｎ０ｇｎ０ｇ全１
５することによりタンデムセルを作製したものである。
微結晶シリコンＦＩＬＯは二つのｐ−１−ｎ構造のセル
をｐｎ接合を介さないで接続するためのものであり、Ｓ
ｉＮは光学ギャップが大きく光の吸収が少ないので０層
１７に用いて光の透過率を高めた。このタンデムセルを
第２図に示したような連続成膜装置で製造する際は、１
層１８への不純物の混入を避けるため、プラズマＣＶＤ
室２３に隣接してもう一つのプラズマＣＶＤ室を設けｉ
Ｆ！１ｌ１３のみをその室で成膜する必要がある。各層
の膜厚は、微結晶シリコン層１０が７００ 人、５ｉＮ
Ｏｎ層１７が１５０人、ａ−５ｌの１層が１１００人、
ｐｉＪ力月５０ 人である。
をｐｎ接合を介さないで接続するためのものであり、Ｓ
ｉＮは光学ギャップが大きく光の吸収が少ないので０層
１７に用いて光の透過率を高めた。このタンデムセルを
第２図に示したような連続成膜装置で製造する際は、１
層１８への不純物の混入を避けるため、プラズマＣＶＤ
室２３に隣接してもう一つのプラズマＣＶＤ室を設けｉ
Ｆ！１ｌ１３のみをその室で成膜する必要がある。各層
の膜厚は、微結晶シリコン層１０が７００ 人、５ｉＮ
Ｏｎ層１７が１５０人、ａ−５ｌの１層が１１００人、
ｐｉＪ力月５０ 人である。
この太陽電池の１００ｍＷ／ｃ＋Ｊの光照射下における
セル特性を第５図の線３３として示す、線３４は、各層
の膜厚を本発明によるものと同じにして、すべてグロー
放電分解法で形成したタンデムセルのセル特性である。
セル特性を第５図の線３３として示す、線３４は、各層
の膜厚を本発明によるものと同じにして、すべてグロー
放電分解法で形成したタンデムセルのセル特性である。
線３３で示した本発明の実施例のタンデムセルの効率は
８．２％であり、＆Ｉ３４で示したすべての膜をグロー
放電分解法で形成した従来のタンデムセルの効率は９．
５％であった。効率的には従来のものに及ばないが、短
絡光電流は従来のもの７．５ｓ＋Ａに対して本発明によ
るもの８．６■＾と大きくなっている。これは熱ＣＶＤ
法によるａ −３ｌ膜の光学ギャップが１．５〜１．６
ｅＶであり、グロー放電分解法によるａ−３ｔ膜の光
学ギャップ１．７〜１．８ｅＶよりも小さいために、こ
れを組み合わせてタンデムセルにすることにより、単一
の膜形成法で作製したタンデムセルよりも光のスペクト
ルを有効に利用することができるためである。さらに、
二つのタンデムセルに１００時間１００ｓＷ／ａｊの光
照射を行ったところ従来のタンデムセルの効率が９．５
％から９．０％に劣化したのに対し、本発明によるタン
デムセルは全く劣化しなかった。このことから、本発明
によるタンデムセルは上段のセルは従来のセルであるに
拘らず信輔性においてすぐれていることがわかった。
８．２％であり、＆Ｉ３４で示したすべての膜をグロー
放電分解法で形成した従来のタンデムセルの効率は９．
５％であった。効率的には従来のものに及ばないが、短
絡光電流は従来のもの７．５ｓ＋Ａに対して本発明によ
るもの８．６■＾と大きくなっている。これは熱ＣＶＤ
法によるａ −３ｌ膜の光学ギャップが１．５〜１．６
ｅＶであり、グロー放電分解法によるａ−３ｔ膜の光
学ギャップ１．７〜１．８ｅＶよりも小さいために、こ
れを組み合わせてタンデムセルにすることにより、単一
の膜形成法で作製したタンデムセルよりも光のスペクト
ルを有効に利用することができるためである。さらに、
二つのタンデムセルに１００時間１００ｓＷ／ａｊの光
照射を行ったところ従来のタンデムセルの効率が９．５
％から９．０％に劣化したのに対し、本発明によるタン
デムセルは全く劣化しなかった。このことから、本発明
によるタンデムセルは上段のセルは従来のセルであるに
拘らず信輔性においてすぐれていることがわかった。
以上の実施例では光の入射側にｐ層を有するｐ−１−ｎ
接合構造であるが、層の順序を逆にし基板側からｐ層、
１層を熱ＣＶＤ法で積層しその上のｎ層あるいは上段の
ｐ、ｌ、ｎ層をプラズマＣＶＤ法で積層した場合も同じ
効果を示す。
接合構造であるが、層の順序を逆にし基板側からｐ層、
１層を熱ＣＶＤ法で積層しその上のｎ層あるいは上段の
ｐ、ｌ、ｎ層をプラズマＣＶＤ法で積層した場合も同じ
効果を示す。
第６図は熱ＣＶＤ法のみを分離して行う装置を示し、反
応室２２には反応ガス流に対して傾斜して基板１１を支
持し、ヒータを内蔵するサセプタ３を備え反応ガス導入
バルブ６２と各原料ガスボンベに接続されるバルブ６０
の間にはフィルタ９が挿入されている０反応室２２内を
排気バルブ６３から真空排気するか、ボンベからＨｅあ
るいはＨｌのみを高速で導入して室内の空気を排出した
のち、成膜すべき膜種に応じて選択される原料ガスボン
ベのバルブ６０を開いて基＠１１上に所望の薄膜を堆積
させる。
応室２２には反応ガス流に対して傾斜して基板１１を支
持し、ヒータを内蔵するサセプタ３を備え反応ガス導入
バルブ６２と各原料ガスボンベに接続されるバルブ６０
の間にはフィルタ９が挿入されている０反応室２２内を
排気バルブ６３から真空排気するか、ボンベからＨｅあ
るいはＨｌのみを高速で導入して室内の空気を排出した
のち、成膜すべき膜種に応じて選択される原料ガスボン
ベのバルブ６０を開いて基＠１１上に所望の薄膜を堆積
させる。
本発明によれば、ａ−３ｔを主材料としたｐ−１−ｎ接
合構造の１層を熱ＣＶＤ法で形成して、ステブラ−・ロ
ンスキ−効果による膜質の劣化を低減し、その１層と光
入射側の接合を形成する層は低温でのプラズマＣＶＤ法
により形成して、１層への不純物の熱拡散をおさえ、光
入射側の接合特性の劣化を抑制して効率を向上させるこ
とにより、高効率で高信幀性の薄膜太陽電池を製造する
ことができ、タンデムセルの下段のセルにのみ適用して
も有効である。
合構造の１層を熱ＣＶＤ法で形成して、ステブラ−・ロ
ンスキ−効果による膜質の劣化を低減し、その１層と光
入射側の接合を形成する層は低温でのプラズマＣＶＤ法
により形成して、１層への不純物の熱拡散をおさえ、光
入射側の接合特性の劣化を抑制して効率を向上させるこ
とにより、高効率で高信幀性の薄膜太陽電池を製造する
ことができ、タンデムセルの下段のセルにのみ適用して
も有効である。
第１図は本発明の一実施例による薄膜太陽電池の断面図
、第２図はその製造装置の断面図、第３図は第１図に示
した実施例による薄膜太陽電池と従来法による薄膜太陽
電池の出力特性線図、第４図は本発明の別の実施例のタ
ンデムセルの断面図、第５図は第４図に示した実施例に
よるタンデムセルと従来法によるタンデムセルの出力特
性線図、第６図は熱ＣＶＤ法装置の一例を示す断面図で
ある。 １１４導電性基板、１２：熱ＣＶＤ法によるｎ形ａ−３
ｉ層、１３：熱ＣＶＤ法による１ｉｊａ −３ｉ層、１
４；プラグｖ ｃ ’Ｖ Ｄ法によるｐ形ａ−３ＩＣ層
、１５＋ｉｉ明導電膜、１６；集電電極、２２；熱ＣＶ
Ｄ室、２３：プラズマＣＶＤ室、３：サセプタ。 代理人弁理士 山 口 巌 ′ご 第１図 第２図 ｔ ；ｔ （ｍＡン 第３図 １ｉ１５図 第６図
、第２図はその製造装置の断面図、第３図は第１図に示
した実施例による薄膜太陽電池と従来法による薄膜太陽
電池の出力特性線図、第４図は本発明の別の実施例のタ
ンデムセルの断面図、第５図は第４図に示した実施例に
よるタンデムセルと従来法によるタンデムセルの出力特
性線図、第６図は熱ＣＶＤ法装置の一例を示す断面図で
ある。 １１４導電性基板、１２：熱ＣＶＤ法によるｎ形ａ−３
ｉ層、１３：熱ＣＶＤ法による１ｉｊａ −３ｉ層、１
４；プラグｖ ｃ ’Ｖ Ｄ法によるｐ形ａ−３ＩＣ層
、１５＋ｉｉ明導電膜、１６；集電電極、２２；熱ＣＶ
Ｄ室、２３：プラズマＣＶＤ室、３：サセプタ。 代理人弁理士 山 口 巌 ′ご 第１図 第２図 ｔ ；ｔ （ｍＡン 第３図 １ｉ１５図 第６図
Claims (1)
- １）基板上に積層されｐ−ｉ−ｎ接合を構成する非晶質
シリコンを主材料とするｐ層、ｉ層、ｎ層のうち、ｉ層
およびその基板側の層を熱ＣＶＤ法で形成したのち、ｉ
層への光の入射側である反基板側の層をプラズマＣＶＤ
法により形成することを特徴とする薄膜太陽電池の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63085940A JPH0714077B2 (ja) | 1988-04-07 | 1988-04-07 | 薄膜太陽電池の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63085940A JPH0714077B2 (ja) | 1988-04-07 | 1988-04-07 | 薄膜太陽電池の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01257375A true JPH01257375A (ja) | 1989-10-13 |
| JPH0714077B2 JPH0714077B2 (ja) | 1995-02-15 |
Family
ID=13872758
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63085940A Expired - Fee Related JPH0714077B2 (ja) | 1988-04-07 | 1988-04-07 | 薄膜太陽電池の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0714077B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010534940A (ja) * | 2007-07-24 | 2010-11-11 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 薄膜ソーラー製造中に基板温度を制御する装置及び方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58191477A (ja) * | 1982-05-06 | 1983-11-08 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 太陽電池の製法 |
-
1988
- 1988-04-07 JP JP63085940A patent/JPH0714077B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58191477A (ja) * | 1982-05-06 | 1983-11-08 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 太陽電池の製法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010534940A (ja) * | 2007-07-24 | 2010-11-11 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 薄膜ソーラー製造中に基板温度を制御する装置及び方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0714077B2 (ja) | 1995-02-15 |
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