DE3140139C2 - - Google Patents
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Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen einer
amorphen Siliziumsolarzelle, bei dem eine amorphe Silizium
schicht auf einem Substrat abgeschieden wird, dessen Tempe
ratur zwischen 200°C und 400°C liegt.
Mit Hilfe von Fotoelementen, wie Solarzellen, kann die Ener
gie von Sonnenstrahlung in verwertbare elektrische Energie
umgewandelt werden. Die Energieumwandlung erfolgt durch den
Sperrschichtfotoeffekt. Eine amorphe Siliziumsolarzelle ent
hält einen Körper aus hydriertem, amorphem Silizium
(a-Si:H). Dieses Material wird typisch durch Glimmentladung
von Silan gebildet. Solarzellen dieser Art werden in der
US-PS 40 64 521 beschrieben.
Im Körper der Solarzelle existiert ein von den unterschied
lichen Leistungstypen der den Zellenkörper bildenden Halb
leiterzonen herrührendes elektrisches Feld. Typisch werden
Körper mit P-I-N-Struktur bzw. -Zonenfolge verwendet. Wenn
auf einen solchen Körper Licht auffällt, erzeugen die Photo
nen Elektron-Loch-Paare in der eigenleitenden Zone. In ei
ner amorphen Siliziumsolarzelle verursacht der vom inneren
elektrischen Feld der Zelle herrührende Driftmechanismus
ein Fließen der Elektronen in Richtung auf die N-Zone und
ein Fließen der Löcher in Richtung auf die P-Zone. Die N-
und P-Zonen liegen auf gegenüberliegenden Seiten der eigen
leitenden Zone. Wenn die N-Zone und die P-Zone über einen
äußeren Kreis miteinander verbunden werden, fließt daher
ein Strom so lange durch diesen Kreis, wie Licht auf die
Zelle auffällt und dabei Elektron-Loch-Paare in der Zelle
erzeugt.
Wie in der Fachwelt bekannt, werden amorphe Siliziumsolar
zellen bevorzugt durch Glimmentladung von Silan (SiH4) her
gestellt. Bei diesem Prozeß entlädt sich Energie durch ein
Gas bei relativ geringem Druck in einer teilweise evakuier
ten Kammer. Namentlich die Glimmentladung von Silan wird
typisch bei einem Druck von nicht mehr als etwa 6,5 mbar
ausgeführt. Gemäß US-PS 41 42 195 wird bei einem typischen
Verfahren zum Herstellen einer amorphen Siliziumsolarzelle
ein Substrat in einer Vakuumkammer auf eine erhitzte Unter
lage bzw. ein erhitztes Bauteil gesetzt. Eine Schirmelektro
de bzw. ein Schirmgitter wird mit einer Klemme einer Span
nungsquelle verbunden und eine zweite Elektrode wird auf
die andere Klemme der Spannungsquelle geschaltet, so daß
die Schirmelektrode zwischen der zweiten Elektrode und dem
Substrat liegt. Bei Einführen von Silan unter niedrigem
Druck in die Vakuumkammer wird eine Glimmentladung zwischen
den beiden Elektroden gezündet mit der Folge, daß sich ein
amorpher Siliziumfilm auf dem Substrat niederschlägt.
Beim Herstellen von Schottky-Sperrschicht- oder P-I-N-Zel
len mit einer Schicht aus hydriertem, amorphem Silizium auf
einem Metall- oder metallisierten Glassubstrat durch Ab
scheiden des Siliziums aus pyrolytischer Zersetzung von
Silan soll, wie es bei dem gattungsgemäßen Verfahren vorausgesetzt wird, das Substrat nach L. L. Kazmerski (Hg.): "Poly
crystalline and Amorphous Thin Films and Devices", Academic
Press, New York 1980, Seiten 191 bis 193, auf einer Tem
peratur von 200°C bis 400°C gehalten werden. Auf einen Wert
in diesem Temperaturbereich soll das Substrat auch nach der
DE-A 29 43 211, in der die Herstellung von mit kristallinem
Halbleitermaterial annähernd äquivalenten, hydrierten,
amorphen (auf Wunsch auch dotierten) Siliziumschichten be
schrieben wird, eingestellt werden.
Die amorphe P-I-N-Siliziumstruktur kann beispielsweise in
der in der US-PS 40 64 521 beschriebenen Weise gebildet
werden. Hierbei besteht das Substrat typisch aus einem Me
tall, wie Aluminium, Niob, Tantal, Chrom, Eisen, Wismut,
Antimon oder rostfreiem Stahl. In einem typischen Verfahren
wird das amorphe Silizium durch Hinzufügen von Verunreini
gungen zum Silan dotiert. Beispielsweise besteht das erste
Dotiermittel aus Diboran (B2H6), das zum Bilden einer P-lei
tenden amorphen Siliziumschicht zum Silan hinzugefügt wird.
Wenn die P-Schicht bis zu einer Dicke in der Größenordnung
von 10 Nanometern aufgewachsen ist, wird der Diboran-Fluß
abgeschaltet und nunmehr eine eigenleitende Zone mit einer
Dicke in der Größenordnung von wenigen 100 Nanometern gebil
det. Darauf wird ein N-Dotiermittel, z. B. Phosphin (PH3)
dem Silan-Fluß hinzugefügt, um eine N-leitende amorphe Sili
ziumschicht mit einer Dicke von wenigen zig Nanometern her
zustellen. Auf der N-leitenden Schicht wird eine transparen
te, leitende Schicht gebildet. In einem typischen Verfahren
wird hierzu Indiumzinnoxid (ITO) verwendet.
Es ist in der Fachwelt bekannt, daß die P- und N-leitenden
Zonen miteinander ausgetauscht werden können. Ferner kann
das Substrat aus Glas und nicht aus einem Metall herge
stellt werden. In diesem Fall wird vor dem Bilden des
amorphen Siliziums eine transparente, leitende Schicht,
z. B. aus ITO, auf das Glassubstrat aufgebracht. Daraufhin
kann eine Zelle entweder mit P-I-N- oder N-I-P-Zonenfolge
mit einem Metallkontakt auf der dem Substrat abgewandten
Rückenseite hergestellt werden.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, den Wirkungsgrad
und die Füllfaktoren der amorphen Siliziumsolarzellen zu
verbessern. Der Füllfaktor ist das Verhältnis von maximalem
Leistungsausgang zum Produkt aus Leerlaufspannung und Kurz
schließstrom der Zelle. Die erfindungsgemäße Lösung besteht
darin, daß während des Abscheidens der amorphen Silizium
schicht die Temperatur des Substrats so geändert wird, daß
während des Abscheidens der Zone der amorphen Silizium
schicht, die auf der Lichteinfallsseite der Solarzelle
liegt, die Temperatur des Substrats auf dem niedrigsten
Wert gehalten wird.
Wenn die Substrattemperatur erfindungsgemäß beim Abschei
den der amorphen Siliziumschicht derart variiert wird, daß
das Substrat beim Niederschlagen der an der Lichteinfalls
seite der amorphen Siliziumschicht befindlichen Zone am
kühlsten ist, entsteht eine Zelle mit verbessertem Füllfak
tor und erhöhtem Wirkungsgrad.
Die Ursache für diese vorteilhaften Ergebnisse ist noch
nicht exakt bekannt. Es wird jedoch vermutet, daß bei der
erfindungsgemäßen Verfahrensführung während des Abschei
dens die Bandlücke infolge des verstärkten Einbaus von
Wasserstoff in den auf dem kühleren Substrat nieder
geschlagenen Film erweitert werden könnte. Das würde be
deuten, daß die Einfallsfläche der amorphen Silizium
schicht weniger Licht als bisher absorbierte. Daraus wie
derum würde folgen, daß mehr Licht die eigenleitende Zone
erreicht und entsprechend mehr Elektron-Loch-Paare er
zeugt werden könnten.
Hiernach besteht der Grund der Änderung der Substrattem
peratur während des Niederschlagens der amorphen Silizium
schicht darin, die Menge des im niedergeschlagenen Film
enthaltenen Wasserstoffs zu erhöhen und dadurch die Band
lücke zu erweitern. Für den Fachmann ist dabei klar, das
Verfahren so zu führen, daß die auf der Lichteinfalls
seite liegende Zone der Schicht die größte Bandlücke
haben soll. Folglich werden undurchsichtige Substrate -
wie in den folgenden Beispielen beschrieben - beim Ab
scheiden der amorphen Siliziumschicht gekühlt und durch
sichtige Substrate, durch die hindurch also das Licht auf
die Zelle auffallen soll, beim Abscheiden der amorphen
Siliziumschicht erwärmt. Wenn eine durch ihr Substrat
hindurch zu bestrahlende Solarzelle, z. B. mit der Schich
tenfolge Glas/ITO/P-I-N a-SiH/Al, herzustellen ist, wird
somit die Temperatur bei erfindungsgemäßer Verfahrenswei
se beim Abscheiden der amorphen Siliziumschicht erhöht
und nicht herabgesetzt.
Im folgenden wird zwar nur von einer Gleichstrom-Nahentla
dung gesprochen, das erfindungsgemäße Verfahren zum Her
stellen amorpher Siliziumschichten kann aber ebenso mit
Gleichstrom-Anodenentladung oder Hochfrequenzentladung
ausgeführt werden.
Anhand einer Reihe von Ausführungsbeispielen wird die
erfindungsgemäße Wirkung der Substratkühlung beim Abschei
den des amorphen Siliziums veranschaulicht. In allen Fäl
len wurde eine amorphe Siliziumsolarzelle auf einem Sub
strat aus rostfreiem Stahl gebildet. Die Schichtenfolge
war immer Indiumzinnoxid (ITO) /N-I-P-amorphes Silizium
(a-Si:H)/rostfreier Stahl. Die Solarzellen wurden durch
Gleichstrom-Nahglimmentladung in einer Silan-Atmosphäre
(SiH4) von etwa 0,67 mbar erzeugt.
Das erste Beispiel bildet einen Kontrollversuch, bei dem
das Substrat beim Niederschlagen der amorphen Silizium
schichten auf einer Temperatur von 380°C gehalten wurde.
Die Leerlaufspannung der Zelle betrug 774 mV und die Kurz
schlußstromdichte erreichte einen Wert von 9,13 mA/cm2.
Die Zelle besaß einen Füllfaktor von 0,513 und einen Wir
kungsgrad von 3,63%.
Im zweiten Ausführungsbeispiel wurde das Substrat während
des Abscheidens von einer Temperatur von 380°C auf 340°C
abgekühlt. Die Leerlaufspannung der Zelle betrug 794 mV
und die Kurzschlußstromdichte 10,00 mA/cm2. Die Zelle
besaß einen Füllfaktor von 0,542 und einen Wirkungsgrad
von 4,30%.
Im dritten Beispiel wurde das Substrat während des Ab
scheidens von 380°C auf 319°C abgekühlt. Die Leerlaufspan
nung der Zelle betrug 783 mV und die Kurzschlußstromdich
te 9,37 mA/cm2. Die Zelle besaß einen Füllfaktor von
0,530 und einen Wirkungsgrad von 3,89%.
Im vierten Ausführungsbeispiel wurde das Substrat während
des Abscheidens von 378°C auf 295°C abgekühlt. Die Leer
laufspannung der Zelle betrug 794 mV und die Kurzschluß
stromdichte 10,31 mA/cm2. Die Zelle besaß einen Füllfak
tor von 0,582 und einen Wirkungsgrad von 4,76%.
Im fünften Ausführungsbeispiel wurde das Substrat während
des Abscheidens von einer Temperatur von 380°C auf 279°C
abgekühlt. Die Leerlaufspannung der Zelle betrug 790 mV
und die Kurzschlußstromdichte 9,62 mA/cm2. Die Zelle be
saß einen Füllfaktor von 0,594 und einen Wirkungsgrad
von 4,52%.
Claims (4)
1. Verfahren zum Herstellen einer amorphen Siliziumsolar
zelle, bei dem eine amorphe Siliziumschicht auf einem
Substrat abgeschieden wird, dessen Temperatur zwischen
200°C und 400°C liegt, dadurch gekennzeichnet, daß
während des Abscheidens der amorphen Siliziumschicht
die Temperatur des Substrats so geändert wird, daß
während des Abscheidens der Zone der amorphen Silizi
umschicht, die auf der Lichteinfallsseite der Solarzel
le liegt, die Temperatur des Substrats auf dem niedrig
sten Wert gehalten wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
ein undurchsichtiges Substrat während des Abscheidens
der amorphen Siliziumschicht abgekühlt wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
ein transparentes Substrat während des Abscheidens der
amorphen Siliziumschicht erwärmt wird.
4. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis
3, dadurch gekennzeichnet, daß die amorphe Silizi
umschicht durch Glimmentladung von Silan abgeschieden
wird.
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Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57157577A (en) * | 1981-03-23 | 1982-09-29 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Manufacture of thin film photovoltaic element |
| US4407710A (en) * | 1981-10-15 | 1983-10-04 | Exxon Research And Engineering Co. | Hybrid method of making an amorphous silicon P-I-N semiconductor device |
| US4465706A (en) * | 1981-11-20 | 1984-08-14 | Chronar Corporation | Bandgap control in amorphous semiconductors |
| US4485128A (en) * | 1981-11-20 | 1984-11-27 | Chronar Corporation | Bandgap control in amorphous semiconductors |
| JPS58501975A (ja) * | 1981-11-20 | 1983-11-17 | クロ−ナ−・コ−ポレイション | 非晶質半導体のバンド・ギャップ制御 |
| AT380974B (de) * | 1982-04-06 | 1986-08-11 | Shell Austria | Verfahren zum gettern von halbleiterbauelementen |
| JPS58204527A (ja) * | 1982-05-24 | 1983-11-29 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 繊維構造を有する半導体およびその作製方法 |
| DE3317269A1 (de) * | 1983-05-11 | 1984-12-13 | Messerschmitt-Bölkow-Blohm GmbH, 8000 München | Duennschicht-solarzellenanordnung |
| US4670762A (en) * | 1984-02-10 | 1987-06-02 | Kanegafuchi Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Amorphous silicon semiconductor and process for same |
| JPH0782998B2 (ja) * | 1990-08-06 | 1995-09-06 | プラズマ・フィジクス・コーポレーション | 半導体装置 |
| WO1995026571A1 (en) * | 1994-03-25 | 1995-10-05 | Amoco/Enron Solar | Stabilized amorphous silicon and devices containing same |
| JPH1116838A (ja) * | 1997-06-24 | 1999-01-22 | Nec Corp | 多結晶シリコン膜の成長方法およびｃｖｄ装置 |
| US6121541A (en) * | 1997-07-28 | 2000-09-19 | Bp Solarex | Monolithic multi-junction solar cells with amorphous silicon and CIS and their alloys |
| US6077722A (en) * | 1998-07-14 | 2000-06-20 | Bp Solarex | Producing thin film photovoltaic modules with high integrity interconnects and dual layer contacts |
| US6111189A (en) * | 1998-07-28 | 2000-08-29 | Bp Solarex | Photovoltaic module framing system with integral electrical raceways |
| KR20120118092A (ko) * | 2011-04-18 | 2012-10-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 태양 전지 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4064521A (en) * | 1975-07-28 | 1977-12-20 | Rca Corporation | Semiconductor device having a body of amorphous silicon |
| US4192195A (en) * | 1975-12-03 | 1980-03-11 | Nippondenso Co., Ltd. | Starter with a shock absorbing arrangement |
| US4109271A (en) * | 1977-05-27 | 1978-08-22 | Rca Corporation | Amorphous silicon-amorphous silicon carbide photovoltaic device |
| US4226898A (en) * | 1978-03-16 | 1980-10-07 | Energy Conversion Devices, Inc. | Amorphous semiconductors equivalent to crystalline semiconductors produced by a glow discharge process |
| US4162505A (en) * | 1978-04-24 | 1979-07-24 | Rca Corporation | Inverted amorphous silicon solar cell utilizing cermet layers |
| JPS5562778A (en) * | 1978-11-02 | 1980-05-12 | Fuji Photo Film Co Ltd | Preparation of photoconductor film |
| JPS55151328A (en) * | 1979-05-16 | 1980-11-25 | Hitachi Ltd | Method and apparatus for fabricating hydrogen-containing amorphous semiconductor film |
| JPS55154781A (en) * | 1979-05-22 | 1980-12-02 | Shunpei Yamazaki | Semiconductor device |
| US4237151A (en) * | 1979-06-26 | 1980-12-02 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Thermal decomposition of silane to form hydrogenated amorphous Si film |
| US4226643A (en) * | 1979-07-16 | 1980-10-07 | Rca Corporation | Method of enhancing the electronic properties of an undoped and/or N-type hydrogenated amorphous silicon film |
| US4253882A (en) * | 1980-02-15 | 1981-03-03 | University Of Delaware | Multiple gap photovoltaic device |
-
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