JPH1116838A - 多結晶シリコン膜の成長方法およびｃｖｄ装置 - Google Patents

多結晶シリコン膜の成長方法およびｃｖｄ装置

Info

Publication number
JPH1116838A
JPH1116838A JP9167521A JP16752197A JPH1116838A JP H1116838 A JPH1116838 A JP H1116838A JP 9167521 A JP9167521 A JP 9167521A JP 16752197 A JP16752197 A JP 16752197A JP H1116838 A JPH1116838 A JP H1116838A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
growth
temperature
polycrystalline silicon
cvd apparatus
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP9167521A
Other languages
English (en)
Inventor
Akio Tanigawa
明男 谷川
Hiroshi Kubota
大志 久保田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP9167521A priority Critical patent/JPH1116838A/ja
Priority to GB9911077A priority patent/GB2335929B/en
Priority to KR1019980022311A priority patent/KR19990006994A/ko
Priority to GB9812887A priority patent/GB2326648B/en
Publication of JPH1116838A publication Critical patent/JPH1116838A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/24—Deposition of silicon only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/20—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy
    • H01L21/205—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy using reduction or decomposition of a gaseous compound yielding a solid condensate, i.e. chemical deposition
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/48—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
    • C23C16/481—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation by radiant heating of the substrate

Abstract

(57)【要約】 【課題】 加工性、拡散特性、表面・界面の凹凸などの
多項目の最適化を可能にする多結晶シリコン膜の成長方
法、及び該方法を効果的かつ迅速に実施するために用い
るＣＶＤ装置を提供する。 【解決手段】 多結晶シリコン膜の成長方法は、膜成長
を継続しながら成膜温度を成長開始時から所定時間経過
後に開始時温度より高い所定温度まで上昇させて成膜を
行なうか、あるいは成膜温度の低温からの上昇を繰り返
しつつ成膜を行なうことによって所望の膜厚まで膜を成
長させる方法であり；ＣＶＤ装置は、熱源であるヒータ
−と基板との間に挿入できる可動式の熱放射遮断板また
は筒を具備する装置である。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は多結晶シリコン膜の
成長方法およびそのために用いるＣＶＤ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＬＳＩなどの半導体装置に用いられる非
晶質絶縁膜上の多結晶シリコン（ｐｏｌｙ−Ｓｉ）膜
は、化学気相成長法（ＣＶＤ）によって成長・堆積され
るが、従来はその成長中一定の条件を保って膜成長され
てきた。
【０００３】また、膜成長のために用いられる従来のＣ
ＶＤ装置は、温度変化への対応が遅く、より薄い膜の成
長に際して成膜条件を変化させることや、成膜中に何度
も成膜条件の変化を繰り返すことが困難であった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】近年ＬＳＩの微細化に
伴って、ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜の表面・界面の凹凸やドーパ
ントの濃度分布をこれまで以上に精密に制御または小さ
くする必要に迫られ、従来のように一成長条件下の成膜
では膜に要求される加工性、拡散特性、表面・界面の凹
凸などの多項目について最適化をはかることは不可能に
なってきた。
【０００５】本発明の第一の目的は、加工性、拡散特
性、表面・界面の凹凸などの多項目の最適化を可能にす
る多結晶シリコン膜の成長方法を提供することである。
【０００６】本発明の第二の目的は、上記成長方法を効
果的かつ迅速に実施するために用いるＣＶＤ装置を提供
することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の多結晶シリコン
膜の成長方法は、非晶質絶縁膜などの基板上にＣＶＤ法
により多結晶シリコン膜を成長させる多結晶シリコン膜
の成長方法に於いて、該膜成長を継続しながら成膜温度
を成長開始時から所定時間経過後に開始時温度より高い
所定温度まで上昇させて成膜を行なうか、あるいはかゝ
る成膜温度の低温からの上昇を繰り返しつゝ成膜を行な
うことによって所望の膜厚まで膜を成長させることを特
徴とする多結晶シリコン膜の成長方法である。
【０００８】本発明のＣＶＤ装置は、上記成長方法を効
果的かつ迅速に実施するために用いる装置であって、そ
れは、基板上にＣＶＤ法により薄膜を堆積させるＣＶＤ
装置に於いて、該装置が熱源であるヒーターと該基板と
の間に挿入できる可動式の熱放射遮断板または筒を具備
することを特徴とするＣＶＤ装置である。
【０００９】非晶質層上にＣＶＤによって成長させたＳ
ｉ膜は成長温度によって、ｐｏｌｙ−Ｓｉまたはａ−Ｓ
ｉの膜になる。ａ−Ｓｉ膜を熱処理によって結晶化させ
たｐｏｌｙ−Ｓｉ膜は配向性や結晶粒径がはじめからｐ
ｏｌｙ−Ｓｉ膜として成長した膜とは異なる。また、は
じめからｐｏｌｙ−Ｓｉ膜として成長した膜も成長条件
によって、配向性や結晶粒径が変化する。本発明の方法
に於いては、こうした変化を積極的にｐｏｌｙ−Ｓｉ膜
の深さ方向に生じさせることによって、加工性、拡散特
性、表面・界面の凹凸などの多項目の最適化がｐｏｌｙ
−Ｓｉ膜に対して可能になる。この方法に於いて、成膜
温度の低温からの上昇操作を繰り返しつゝ成膜を行なえ
ば、上記変化をより複雑にｐｏｌｙ−Ｓｉ膜の深さ方向
に生じさせることが可能となる。
【００１０】上記のような膜成長条件、特に膜成長温度
の変化をＣＶＤ装置で温度均一性を損なわずに迅速に行
うためには、熱源であるヒーターと基板との間に熱遮断
筒または板によって、ヒーターからの熱放射を直ちに遮
断することのできる本発明のＣＶＤ装置により効果的か
つ迅速に実現される。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明の方法の好ましい実施の形
態の例をあげると、たとえば膜成長開始から１ｎｍ以上
の膜が堆積する一定の時間、成長温度（基板温度）を非
晶質シリコン成長条件または多結晶シリコン成長条件で
ある低温度で膜成長し、そのまま膜成長を継続したま
ま、直ちにあるいは連続的に、成長温度（基板温度）を
多結晶シリコン成長条件であるより高温度に変更し、所
望の膜厚まで膜を成長させる。
【００１２】他の好ましい例としては、上記高温度での
膜の成長がある所定の膜厚に達したとき、そのまま膜成
長を継続したまま、直ちにあるいは連続的に、成長温度
（基板温度）を非晶質シリコン成長条件または多結晶シ
リコン成長条件であるより低温度に変更し、所定の膜厚
に達するまで低温度での成膜を行ない、以下再び上記高
温度での成膜を繰返し、所望の膜厚に達するまで成長さ
せる。上記成膜温度の低温からの上昇操作は、所望によ
り数回繰り返してもよい。
【００１３】本発明方法の別の実施の形態としては、上
記膜成長の継続中に、成膜原料ガスのガス流量を成長開
始時から所定時間経過後に開始時流量とは異なる流量に
変更して成膜を行なうか、あるいはかゝる流量の変更を
繰り返しつゝ成膜を行うことを、上記低温からの成膜温
度上昇操作と併用することによって所望の膜厚まで膜を
成長させることができる。
【００１４】本発明のＣＶＤ装置の好ましい実施の形態
の例をあげると、たとえば反応管式ＬＰ−ＣＶＤ装置の
場合、ヒーターと反応管の間に空間を設け、たとえばタ
ンタル製の可動式熱放射遮断筒を設置する。この装置を
用いて前記本発明の方法を実施する場合、膜成長開始時
は遮断筒を膜成長位置である均熱帯を覆う位置に置いて
おき、所定時間経過後成膜温度を急激に上げたいときに
遮断筒の位置を均熱帯を上下どちらかに避けるところに
移動させる。かゝる成膜温度の低温からの上昇を繰り返
しつゝ成膜を行ないたいときは、上記遮断筒の位置移動
を繰り返すことにより迅速に実施することができる。
【００１５】また、たとえば本発明装置が裏面ヒーター
型のＵＨＶ−ＣＶＤ装置の場合は、ヒーターと基板との
間に可動式熱放射遮断板を設置する。この装置を用いて
前記本発明の方法を実施する場合、膜成長開始時は遮断
板が基板を覆うところに位置させておき、所定時間経過
後遮断板の位置を基板を避けるところに移動させること
で成膜温度を迅速に上昇させることができる。遮断板の
位置の移動を繰り返すことで、成膜温度の低温からの上
昇を繰り返しつゝ成膜することができる。
【００１６】本発明のこれらのＣＶＤ装置を用うれば、
膜成長開始時にはｐｏｌｙ−Ｓｉ膜を成長させ、所定時
間経過後に成膜温度を下げて、その上にａ−Ｓｉ膜を成
長させたい場合についても、効果的かつ迅速に実施可能
であることが容易に理解できるであろう。
【００１７】
【実施例】以下に、本発明の実施例を図面を参照しなが
ら説明する。
【００１８】実施例１ まず、従来の減圧ＣＶＤ装置を用いて本発明方法を実施
した例を示す。
【００１９】表面にＳｉＯ2 膜２を有するＳｉ基板１に
対して、原料ガスであるシランの流量８００ｓｃｃｍ、
膜成長温度５１０℃の条件で成長開始した（図１（ａ）
参照）。５分経過後、シラン流量３００ｓｃｃｍ、膜成
長温度６２０℃の条件にセットし直すと、２０分ほどで
実際の成長温度が６２０℃に達した（図１（ｂ）参
照）。シラン流量６４０ｓｃｃｍ、膜成長温度６２０℃
のまゝの条件で３０分間膜成長を続けて成膜を終了した
（図１（ｃ）参照）。上記の過程において、温度５１０
℃の間におよそ１０ｎｍのａ−Ｓｉ膜３が堆積し（図１
（ａ）参照）、温度上昇中にａ−Ｓｉ膜の結晶化が起り
つつその上に遷移層５が堆積し（図１（ｂ）参照）、６
２０℃での３０分膜成長を続けたのちの最終時点では、
図１（ｃ）に示すようにおよそ３００ｎｍ厚のｐｏｌｙ
−Ｓｉ膜（ｐｏｌｙ−Ｓｉ Ｉ膜４＋遷移層５＋ｐｏｌ
ｙ−Ｓｉ II膜６）が形成された。すなわち、形成され
たｐｏｌｙ−Ｓｉ膜（４＋５＋６）には深さ２００から
２５０ｎｍに配向性の遷移層５が存在し、その上下に配
向性の異なるｐｏｌｙ−Ｓｉ Ｉ膜４とｐｏｌｙ−Ｓｉ
II膜６の層が存在している。
【００２０】従来技術、すなわち膜成長温度６２０℃の
まゝの条件で成膜を続けた場合に得られるｐｏｌｙ−Ｓ
ｉ膜９（図２参照）と比較して、本実施例で得られるｐ
ｏｌｙ−Ｓｉ膜が改善されているのは、従来法における
ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜９とＳｉＯ 2 膜２との界面の凹凸が減
少すること、ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜９へのイオン注入時のド
ーパントのＳｉＯ2 膜２への到達量が減少することであ
る。
【００２１】以上の実施例の成長条件は、装置や原料ガ
スの種類によって最適化する必要があるが、一般に条件
の増減の傾向と膜質には上記と同様の傾向が見られる。
【００２２】以上のように形成されたｐｏｌｙ−Ｓｉ膜
は、各層の間にキャリアの移動を阻害するバリアや低伝
導層が存在せず、これらを、ＭＯＳトランジスタのゲー
ト電極に用いれば、優れた歩留まりと性能と信頼性とを
兼ね備えたＭＯＳトランジスタが製造できる。
【００２３】以上の実施例は従来の減圧ＣＶＤ装置を用
いた場合であるが、より迅速な条件変化が必要である場
合、本発明のＣＶＤ装置を用いる。
【００２４】実施例２ 反応管式減圧ＣＶＤ装置の例を図３に示す。
【００２５】ヒーター１０と反応管１３の間に空間を設
けると共に、その空間に出入りできるタンタル製の可動
式熱放射遮断筒１４を設置した。
【００２６】この装置を用いて本発明の方法を実施する
場合、膜成長開始時には遮断筒１４の位置は図３（ｂ）
に示すところにあり、成長温度を急激に上げたいときに
その位置を図３（ａ）に示すところに移動させる。必要
に応じて遮断筒１４の位置の移動を図３（ｂ）から図３
（ａ）へ、図３（ａ）から図３（ｂ）へと繰返すことに
より、膜成長温度の急激な変化を繰り返すことも可能で
ある。
【００２７】実施例３ 裏面ヒーター型の超高真空ＣＶＤ装置の例を図４に示
す。
【００２８】ヒーター１０と基板１２との間にタンタル
製の可動式熱放射遮断板１５を設置した。
【００２９】この装置を用いて本発明の方法を実施する
場合、膜成長開始時の遮断板１５は図４（ｂ）に示す位
置にあり、成長温度を急激に上げたいときにそれを図４
（ａ）に示す位置に移動させる。実施例２の場合と同様
に、遮断板１５の位置を図４（ｂ）から図４（ａ）へ、
図４（ａ）から図４（ｂ）へと移動を繰り返すことによ
り膜成長温度の急激な変化を繰り返すこともできる。
【００３０】図５に示す従来の反応管式減圧ＣＶＤ装置
では、成長温度の増減に数十分を要するが、以上のよう
な本発明のＣＶＤ装置は、１分足らずで成長温度を変化
させることも可能である。これにより、例えば、下層に
図１の構造を持ち、上層に図１の構造とは異なる別の構
造を有する膜厚１５０ｎｍのｐｏｌｙ−Ｓｉ膜を成長さ
せることが可能になる。さらに、例えば、図１の構造を
５０ｎｍ周期で３回繰り返した膜厚１５０ｎｍのｐｏｌ
ｙ−Ｓｉ膜を成長させることが可能になる。
【００３１】
【発明の効果】半導体装置の製造において、加工性、拡
散特性、表面・界面の凹凸などの多項目の最適化がなさ
れたｐｏｌｙ−Ｓｉ膜を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例１を説明するための模式図で、
（ａ）は成長温度５１０℃に於ける膜成長の状態、
（ｂ）は成長温度５１０℃→６２０℃に於ける膜成長の
状態、（ｃ）は最終時点での膜成長の状態
【図２】従来技術を説明するための模式図
【図３】本発明の反応管式減圧ＣＶＤ装置を説明するた
めの模式図で、（ａ）は熱放射遮断筒が均熱帯を避ける
ところに位置する状態、（ｂ）は均熱帯を覆う位置にあ
る状態
【図４】本発明の裏面ヒーター型の超高真空ＣＶＤ装置
を説明するための模式図で、（ａ）は熱放射遮断板が基
板を避けるところに位置する状態、（ｂ）は基板を覆う
位置にある状態
【図５】従来の反応管式減圧ＣＶＤ装置を説明するため
の模式図

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 非晶質絶縁膜などの基板上にＣＶＤ法に
    より多結晶シリコン膜を成長させる多結晶シリコン膜の
    成長方法に於いて、該膜成長を継続しながら成膜温度を
    成長開始時から所定時間経過後に開始時温度より高い所
    定温度まで上昇させて成膜を行なうか、あるいはかゝる
    成膜温度の低温からの上昇を繰り返しつゝ成膜を行なう
    ことによって所望の膜厚まで膜を成長させることを特徴
    とする多結晶シリコン膜の成長方法。
  2. 【請求項２】 前記膜成長の継続中に、成膜原料ガスの
    ガス流量を成長開始時から所定時間経過後に開始時流量
    とは異なる流量に変更して成膜を行なうか、あるいはか
    ゝる流量の変更を繰り返しつゝ成膜を行うことを、前記
    低温からの成膜温度上昇操作と併用することによって所
    望の膜厚まで膜を成長させる、請求項１に記載の多結晶
    シリコン膜の成長方法。
  3. 【請求項３】 基板上にＣＶＤ法により薄膜を堆積させ
    るＣＶＤ装置に於いて、該装置が熱源であるヒーターと
    該基板との間に挿入できる可動式の熱放射遮断板または
    筒を具備することを特徴とするＣＶＤ装置。
JP9167521A 1997-06-24 1997-06-24 多結晶シリコン膜の成長方法およびｃｖｄ装置 Pending JPH1116838A (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9167521A JPH1116838A (ja) 1997-06-24 1997-06-24 多結晶シリコン膜の成長方法およびｃｖｄ装置
GB9911077A GB2335929B (en) 1997-06-24 1998-06-15 Apparatus for depositing a thin film on a substrate
KR1019980022311A KR19990006994A (ko) 1997-06-24 1998-06-15 다결정 실리콘막의 성장방법 및 cvd 장치
GB9812887A GB2326648B (en) 1997-06-24 1998-06-15 Growth method of polycrystal silicon film

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9167521A JPH1116838A (ja) 1997-06-24 1997-06-24 多結晶シリコン膜の成長方法およびｃｖｄ装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH1116838A true JPH1116838A (ja) 1999-01-22

Family

ID=15851244

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP9167521A Pending JPH1116838A (ja) 1997-06-24 1997-06-24 多結晶シリコン膜の成長方法およびｃｖｄ装置

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JPH1116838A (ja)
KR (1) KR19990006994A (ja)
GB (1) GB2326648B (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004079724A1 (ja) * 2003-03-05 2004-09-16 Fujitsu Limited 多層構造膜およびその製造方法
CN103820767A (zh) * 2013-12-27 2014-05-28 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 一种改善多晶硅薄膜质量的前处理工艺

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001061736A1 (fr) * 2000-02-18 2001-08-23 Tokyo Electron Limited Procede de traitement d'une plaquette
CN111653474A (zh) * 2020-05-19 2020-09-11 上海华虹宏力半导体制造有限公司 多晶硅薄膜成膜方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3847686A (en) * 1970-05-27 1974-11-12 Gen Electric Method of forming silicon epitaxial layers
US4339470A (en) * 1981-02-13 1982-07-13 Rca Corporation Fabricating amorphous silicon solar cells by varying the temperature _of the substrate during deposition of the amorphous silicon layer
US4551352A (en) * 1985-01-17 1985-11-05 Rca Corporation Method of making P-type hydrogenated amorphous silicon
CA1335950C (en) * 1986-10-03 1995-06-20 Kenneth George Sharp Method of forming semiconducting amorphous silicon films from the thermal decomposition of dihalosilanes
US4786615A (en) * 1987-08-31 1988-11-22 Motorola Inc. Method for improved surface planarity in selective epitaxial silicon
JPH01161826A (ja) * 1987-12-18 1989-06-26 Toshiba Corp 気相エピタキシャル成長法
JPH02235327A (ja) * 1989-03-08 1990-09-18 Fujitsu Ltd 半導体成長装置および半導体成長方法
JP2914992B2 (ja) * 1989-03-31 1999-07-05 キヤノン株式会社 堆積膜形成方法
JP3184000B2 (ja) * 1993-05-10 2001-07-09 株式会社東芝 薄膜の形成方法およびその装置
US5438019A (en) * 1994-07-11 1995-08-01 Micron Semiconductor, Inc. Large area thin film growing method
DE69632175T2 (de) * 1995-08-31 2004-09-02 Texas Instruments Inc., Dallas Herstellungsverfahren einer epitaktischen Schicht mit minimaler Selbstdotierung

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004079724A1 (ja) * 2003-03-05 2004-09-16 Fujitsu Limited 多層構造膜およびその製造方法
JPWO2004079724A1 (ja) * 2003-03-05 2006-06-08 富士通株式会社 多層構造膜およびその製造方法
CN103820767A (zh) * 2013-12-27 2014-05-28 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 一种改善多晶硅薄膜质量的前处理工艺

Also Published As

Publication number Publication date
GB2326648B (en) 1999-09-22
GB9812887D0 (en) 1998-08-12
GB2326648A (en) 1998-12-30
KR19990006994A (ko) 1999-01-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4307371B2 (ja) 薄膜トランジスタ製造方法
US6391749B1 (en) Selective epitaxial growth method in semiconductor device
JP3558200B2 (ja) 微結晶フィルムの結晶化による多結晶フィルムの形成方法、薄膜トランジスタの形成方法、および薄膜トランジスタ並びに液晶ディスプレイ
US7768036B2 (en) Integrated circuitry
US20040043583A1 (en) Method of forming nanocrystals in a memory device
JPH05211127A (ja) プラズマ強化化学気相成長法
JP2008523640A (ja) 深トレンチのドープシリコン充填のプロセスシーケンス
JPH01119029A (ja) 高速熱プラズマ多重処理リアクタ及びその使用方法
JP3599290B2 (ja) 半導体装置
KR970006723B1 (ko) 입자 크기가 큰 다결정 규소 박막의 제조방법
KR100769521B1 (ko) 다결정 폴리실리콘 박막 제조방법
KR100611761B1 (ko) 박막트랜지스터 제조 방법
JPH1116838A (ja) 多結晶シリコン膜の成長方法およびｃｖｄ装置
KR20230132455A (ko) 에피택셜 웨이퍼의 제조방법
EP0289246A1 (en) Method of manufacturing MOS devices
JPH06181313A (ja) 薄膜トランジスタとその製法
JP3294438B2 (ja) 多結晶半導体薄膜の形成方法およびそれを用いた薄膜トランジスタの形成方法
JP2004281591A (ja) 半導体エピタキシャルウエハとその製法，半導体装置及びその製法
JP2961188B2 (ja) Ｓｏｉ基板の作製方法
TWI377173B (en) Method for manufacturing crystalline silicon
JPH04336468A (ja) 薄膜トランジスタの製造方法
JPH0513337A (ja) 半導体薄膜製造方法
GB2335929A (en) Deposition using a movable screening means
KR101865626B1 (ko) 박막 구조물 및 박막 구조물의 형성 방법
JP2003318109A (ja) シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法