DE3317269A1 - Duennschicht-solarzellenanordnung - Google Patents

Duennschicht-solarzellenanordnung

Info

Publication number
DE3317269A1
DE3317269A1 DE19833317269 DE3317269A DE3317269A1 DE 3317269 A1 DE3317269 A1 DE 3317269A1 DE 19833317269 DE19833317269 DE 19833317269 DE 3317269 A DE3317269 A DE 3317269A DE 3317269 A1 DE3317269 A1 DE 3317269A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
solar cell
cell arrangement
arrangement according
tetrafluoroethylene
copolymer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE19833317269
Other languages
English (en)
Other versions
DE3317269C2 (de
Inventor
Klaus Dipl.-Phys. 8000 München Ellerich
Herbert Dipl.-Phys. Dr. 8269 Burgkirchen Fitz
Hubert Ing. Fleckenstein (grad.), 8011 Harthausen
Gerhard Dipl.-Phys. Dr. 7031 Magstadt Winterling
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Total Energie Developpement and Messerschmitt-Boelko
Original Assignee
Messerschmitt Bolkow Blohm AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Messerschmitt Bolkow Blohm AG filed Critical Messerschmitt Bolkow Blohm AG
Priority to DE19833317269 priority Critical patent/DE3317269A1/de
Publication of DE3317269A1 publication Critical patent/DE3317269A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE3317269C2 publication Critical patent/DE3317269C2/de
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
    • H01L31/0392—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
    • H01L31/0392—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate
    • H01L31/03926—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate comprising a flexible substrate
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)

Description

  • Dünnschicht-Solarzellenanordnung
  • Die Erfindung betrifft eine Dünnschicht-Solarzellenanordnung mit einem als Träger für die Solarzellen dienenden, dem Lichteinfall zuzukehrenden und für den Spektralbereich des sichtbaren Lichts transparenten Substrat, wobei jede Solarzelle eine Schichtstruktur besitzt und mindestens eine photoempfindliche Halbleiterschicht sowie als oberste, dem Lichteinfall zugekehrte Schicht eine transparente, vorzugsweise aus einem Metalloxid bestehende Frontseitenelektrode aufweist.
  • Aus der DE-OS 31 40 139 ist es bekannt, als Träger für eine Solarzelle ein transparentes Substrat, nämlich Glas, zu verwenden. Dieses transparente Substrat wird im Betrieb dem Lichteinfall zugekehrt, und die Solarzelle ist auf der Rückseite des Substrats aufgebracht. Die Solarzelle besitzt eine Schichtstruktur mit einer Metalloxidschicht als oberster, dem Lichteinfall zugekehrter, direkt mit dem Glassubstrat verbundener Schicht und einer in verschieden dotierte Zonen unterteilten, photoempfindlichen Halbleiterschicht. Auf der Rückseite dieser Halbleiterschicht befindet sich weiterhin eine Metallschicht, die als Rückseitenelektrode dient, während die transparente, beispielsweise aus Indium-Zinn-Oxid bestehende Metalloxidschicht die Funktion einer Frontseitenelektrode erfüllt. Eine Metalloxidschicht ist wegen ihrer im Vergleich zu einer Metallschicht höheren Transparenz im sichtbaren Bereich als Frontseitenelektrode besonders geeignet.
  • Eine starre Glasscheibe als Substrat besitzt zwar eine gute Transparenz und Haltbarkeit und kann auch so groß flächig ausgebildet werden, daß sie eine Vielzahl von einzelnen Solarzellen aufnehmen kann, jedoch werden heute bereits häufig flexible, bandförmige Substrate verwendet, die in großen Längen auf Rollen aufgewickelt zur Verfügung stehen, und auf die die Schichtstrukturen der einzelnen Solarzellen in mehreren aufeinanderfolgenden Behandlungsschritten aufgebracht werden. Für ein derartiges kontinuierliches Herstellungsverfahren sind Glasplatten als Substrat ersichtlich nicht geeignet. Im übrigen besteht auch das Bestreben, das flächenbezogene Gewicht und damit auch die Transportkosten zu senken.
  • Als flexible, in Bandform verarbeitbare Substrate wurden daher bereits Plastikfolien vorgeschlagen, so etwa gemäß der FR-PS 24 29 495 eine Folie auf der Basis von Polyimid oder Polyäthylenterephthalat. Diese Folien sind jedoch, vor allem wegen ihrer schlechten Transparenz, nur als Rückseitensubstrate geeignet, d.h. sie können nicht der Lichteinfallsseite zugekehrt werden. Demgemäß sind auf die Folie als unterste Schichten der Solarzellen zunächst Metallschichten aufgebracht, die als Rückseitenelektroden fungieren, und auf deren Transparenz naturgemäß kein Wert gelegt zu werden braucht.
  • Die Verwendung solcher Folien mit direkt darauf aufgebrachten metallischen Rückseitenelektroden hat einen besonderen Nachteil im weiteren Herstellungsverfahren. Zur Ablagerung der beispielsweise aus amorphem Silizium bestehenden, photoempfindlichen Halbleiterschichten, gewöhnlich durch Glimmentladung aus der Gasphase heraus oder durch chemische Gasphasenabscheidung erfolgend, sind nämlich erhöhte Substrattemperaturen erforderlich, im Falle des amorphen Siliziums ca. 2500 C. Hier besteht einerseits die Gefahr, daß entweder von der Oberfläche der metallischen Rückseitenelektrode Metallatome in die Gasphase und beim Ablagerungsprozeß in die Halbleiterschicht gelangen oder Metallatome unter der Einwirkung der erhöhten Temperatur aus der Metallschicht in die sich ablagernde Halbleiterschicht eindiffundieren, wodurch in beiden Fällen unerwünschte Verunreinigungen verursacht werden, die sich wiederum ungünstig auf den Wirkungsgrad der Solarzelle auswirken. Andererseits ist es aber günstig, als Rückseitenelektrode eine Metallschicht zu verwenden, und zwar vor allem wegen ihrer guten elektrischen Leitfähigkeit bzw.
  • ihres geringen elektrischen Flächenwiderstandes. Demnach erscheint es wünschenswert, den Aufbau der Schichtstruktur der Solarzelle von der dem Lichteinfall zuzukehrenden Frontseite her zu beginnen, da als Frontseitenelektrode wegen ihrer vergleichsweise geringeren Transparenz im allgemeinen sowieso keine Metallschicht verwendet wird. Die oben erwähnten Schwierigkeiten treten nicht auf, da die metallische Rückseitenelektrode nunmehr erst nach der photoempfindlichen Halbleiterschicht abgelagert wird. Das Aufbringen der Halbleiterschicht auf die Metalloxidschicht ist aber insofern unkritisch, als etwa das bevorzugt verwendete Zinn hinsichtlich seiner Elektronenhülle dem Silizium eng verwandt ist und somit Zinneinlagerungen in der Siliziumschicht :#~##wa:. stören.
  • Es ergibt sich also die Problemstellung, ein flexibles, in Bandform verarbeitbares Substrat zu finden, welches geeignet ist, als dem Lichteinfall zuzukehrendes Frontseitensubstrat zu fungieren. Ein solches Substrat sollte verschiedene Eigenschaften besitzen, die es in ihrer Gesamtheit erst-als für den vorgesehenen Zweck geeignet erscheinen lassen. Neben der bereits erwähnten, auf die Dauer des Herstellungsprozesses bezogenen Temperaturbeständigkeit muß hier vor allem eine für den Dauerbetrieb, d.h. über Jahre hin, andauernde Temperaturbeständigkeit gefordert werden. Von äußerster Wichtigkeit ist selbstverständlich eine hohe Transparenz für den sichtbaren Spektralbereich. Das Substratmaterial sollte spezifisch leicht sein und möglichst wenig Wasserdampf aufnehmen, da der Wasserdampf vor dem Aufbringen der Solarzellenschichten durch Aufheizen des Substrates ausgetrieben werden müsste, und zwar außerhalb der Beschichtungskammern, wegen der sonst bestehenden Gefahr der Einlagerung von Sauerstoffmolekülen in die Halbleiterschicht. Das Substratmaterial sollte insgesamt so beschaffen sein, daß es einen über Jahre andauernden Einsatz in der freien Natur ohne wesentliche Degradation seiner Eigenschaften aushält. Für den Herstellungsprozeß ist außerdem von besonderer Wichtigkeit, daß das Material für die aufzubringenden Metalloxidschichten eine gute Haftfähigkeit gewährleistet.
  • Die der Erfindung zugrundeliegende Aufgabe folgt aus der skizzierten Problemstellung. Es ist demnach ein Substrat für eine Solarzellenanordnung der eingangs umrissenen Art anzugeben, das den oben geschilderten Anforderungen möglichst weitgehend entspricht.
  • Diese Aufgabe wird gemäß der Erfindung dadurch gelöst, daß als transparentes Substrat eine hitzebeständige, aus einem Fluorpolymeren bestehende Kunststoffolie verwendet wird, auf die die Frontseitenelektrode direkt aufgebracht ist.
  • Weitere Ausführungsformen der Erfindung sind durch die Unteransprüche gegeben.
  • Als besonders geeignete Folienmaterialien haben sich gewisse aus der Schmelze verarbeitbare thermoplastische Copolymere des Tetrafluoräthylens oder des Chlortrifluoräthylens erwiesen.
  • Als weitere Monomere, die in den Copolymeren enthalten sein können, seien genannt: Olefine, insbesondere Äthylen, Perfluorolefine, insbesondere Hexafluorpropylen, Vinylverbindungen wie Vinylidenfluorid oder Vinylfluorid, perfluorierte und teilfluorierte Allylalkyl- und Alkylvinyläther wie die Perfluoralkylvinyläther, insbesondere Perfluorpropylvinyläther, sowie teilfluorierte Olefine wie Chlortrifluoräthylen. Aber auch andere Polymere auf Fluorbasis sind unter gewissen Umständen als Folienmaterial geeignet, so beispielsweise nicht aus der Schmelze verarbeitbares Polytetrafluoräthylen, gegebenenfalls mit Zusätzen fluorhaltiger Monomere, wie Hexafluorpropylen, Perfluoralkylvinyläther oder Chlortrifluoräthylen, oder aus der Schmelze verarbeitbare Homopolymere des Vinylfluorids, des Vinylidenfluorids oder des Chlortrifluoräthylens, also Polyvinylfluorid, Polyvinylidenfluorid bzw. Polychlortrifluoräthylen.
  • Im Falle der obengenannten Copolymeren des Tetrafluoräthylens können weitere modifizierende Dritt- oder Viertkomponenten verwendet werden, und zwar fluorfreie Monomere, etwa Vinylester, Acryl- oder Methacrylsäure und deren Derivate oder nichtfluorierte Vinyl- oder Allyläther. Diese modifizierenden Dritt- und Viertkomponenten verleihen insbesondere den Copolymeren vom Typ Tetrafluoräthylen/Athylen oder Chlortrifluoräthylen/Athylen verbesserte Eigenschaften.
  • Die genannten Folienmaterialien können nach herkömmlichen Methoden zu Folien verarbeitet werden, etwa durch Extrusion über Breitschlitzdüsen mit nachgeschalteten Walzen. Weiterhin können Folienblasverfahren angewendet werden, also Extrusion durch eine Ringdüse unter gleichzeitigem Aufblasen und anschließendem Flachlegen. Insbesondere bei der Extrusion durch Breitschlitzdüsen können Verstärkungsfäden oder Gewebe als verstärkende Einlage in die Folie eingelagert werden.
  • Im Falle der Verwendung nicht aus der Schmelze nach thermoplastischen Formgebungsverfahren verarbeitbarer Folienmaterialien, wie etwa des Polytetrafluoräthylens, können die Folien durch Abschälen von einem durch Pressen hergestellten Block gewonnen werden.
  • In der folgenden Tabelle sind einige wichtige Eigenschaften einiger der obengenannten Materialien aufgeführt.
    Dichte Schmelze Temp.- H2O- T#. - Trans- Witte- Erfahun-
    bei bereich einsatz durch parenz rungsbe- gen im
    230 C bereich (100 µm- ständig- Außen-
    keit Folie) keit bei einsatz
    Folie) Bewitt. Degra-
    dation
    g °C oc °C g bar % h Jahre
    PTFE 2,17 320-340 bis 260 5 85-90 - > 10
    TFE + PPVE F 2,15 300-310 bis 250 8 97
    TFE + PPVE 2,15 260-290 bis 200 1 97 5000 > 10
    HE#
    TFE + ET 1,75 265-278 bis 150 2 95 10000 # 5
    P 1,78 168-172 bis 135 2 93 ' 7000 5
    PVF 1,45 185-190 bis 100 7 95 8000 > 10
    2,10 183-204 bis 180 1 90 i 3000 > 1
    ECTFE 1,70 236-246 bis 150 2 85-90 g - >1
  • In der Tabelle bedeuten: TFE = Tetrafluoräthylen PTFE = Polytetrafluoräthylen TFE/PPVE = Tetrafluoräthylen/Perfluorpropylvinyläther TFE/HFP = Tetrafluoräthylen/Hexafluorpropylen PVDF = Polyvinylidenfluorid PVF = Polyvinylfluorid PCTFE = Polychlortrifluoräthylen ECTFE = Athylen/Chlortrifluoräthylen ET = ÄthyLen Hieraus ergibt sich, daß ein Copolymeres aus Tetrafluoräthylen und Hexafluorpropylen besonders gut geeignet ist.
  • Dieses besitzt eine gute thermische Belastbarkeit und zeichnet sich darüberhinaus durch hohe Transparenz, besonders niedrige Wasserdampfdurchlässigkeit, hohe Formbeständigkeit und lange Lebensdauer im Außeneinsatz aus. Copolymere aus Tetrafluoräthylen und Perfluorpropylvinyläther sind vor allem wegen ihrer hohen thermischen Belastbarkeit sowie ihrer hohen Transparenz bevorzugt. Hohe Transparenz und lange Lebensdauer weisen außerdem die Copolymeren aus Tetrafluoräthylen und äthylen sowie das Polyvinylfluorid auf, wobei das letztere allerdings thermisch weniger belastbar ist. Je nach den gegebenen Verfahrensbedingungen ergibt sich somit die Möglichkeit, unter den Fluorkunststoffen den jeweils -geeignetsten auszuwählen.
  • Es hat sich gezeigt, daß die Flubrkunststoffe darüberhinaus die erforderliche Haftfähigkeit für die direkt aufzubringenden Metalloxidschichten, wobei insbesondere Indium-Zinn-Oxid bevorzugt ist, gewährleisten.

Claims (19)

  1. Dünnschicht-Solarzellenanordnung Patentansprüche C Dünnschicht-Solarzellenanordnung mit einem als Träger für die Solarzellen dienenden, dem Lichteinfall zuzukehrenden und für den Spektralbereich des sichtbaren Lichts transparenten Substrat, wobei jede Solarzelle eine Schichtstruktur besitzt und mindestens eine photoempfindliche Halbleiterschicht sowie als oberste, dem Lichteinfall zugekehrte Schicht eine transparente, vorzugsweise aus einem Metalloxid bestehende Frontseitenelektrode aufweist, dadurch g e k e n n z e i c h n e t , daß als transparentes Substrat eine hitzebeständige, aus einem Fluorpolymeren bestehende Kunststoffolie verwendet wird, auf die die Frontseitenelektrode direkt aufgebracht ist.
  2. 2. Solarzellenanordnung nach Anspruch 1, dadurch g e -k e n n z e i c h n e t , daß die Kunststoffolie während einer der Dauer des Herstellungsprozesses der Zelle in etwa entsprechenden Zeitdauer eine thermische Belastbarkeit von mindestens 2000 C aufweist.
  3. 3. Solarzellenanordnung nach Anspruch 1, dadurch g e -k e n n z e i c h n e t , daß die Wasserdampfdurchlässigkeit höchstens 10 g/m2.d.bar, bezogen auf eine Foliendicke von 100 ßm, beträgt.
  4. 4. Solarzellenanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch g e k e n n z e i c h n e t , daß das Fluorpolymere ein nicht aus der Schmelze verarbeitbares Polymeres des Tetrafluoräthylens ist.
  5. 5. Solarzellenanordnung nach Anspruch 4, dadurch g e -k e n n z e i c h n e t , daß das aus der Schmelze nicht verarbeitbare Polymere des Tetrafluoräthylens Polytetrafluoräthylen ist.
  6. 6. Solarzellenanordnung nach Anspruch 4, dadurch g e -k e n n z e i c h n e t , daß das aus der Schmelze nicht verarbeitbare Polymere neben polymerisierten Einheiten des Tetrafluoräthylens zusätzlich polymerisierte Einheiten eines fluorhaltigen Monomeren in modifizierenden Anteilen (# c 1,5 Mol-%) enthält.
  7. 7. Solarzellenanordnung nach Anspruch 6, dadurch g e -k e n n z e i c h n e t , daß als zusätzliche fluorhaltige Monomere Hexafluorpropylen, Perfluoralkylvinyläther mit Alkylresten von 1 bis 5 C-Atomen, vorzugsweise 3 C-Atomen, oder Chlortrifluoräthylen verwendet werden.
  8. 8. Solarzellenanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch g e k e n n z e i c h n e t , daß das Fluorpolymere ein aus der Schmelze verarbeitbares Homopolymeres des Vinylfluorids, Vinylidenfluorids oder Chlortrifluoräthylens ist.
  9. 9. Solarzellenanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch g e k e n n z e i c h n e t , daß das Fluorpolymere ein aus der Schmelze verarbeitbares thermoplastisches Copolymeres des Tetrafluoräthylens oder des Chlortrifluoräthylens ist, das neben mindestens 30 Mol-% copolymerisierten Einheiten des Tetrafluoräthylens oder des Chlortrifluoräthylens zusätzlich copolymerisierte Einheiten mindestens eines weiteren Monomeren in Anteilen von jeweils mindestens 1 Mol-% enthält.
  10. 10. Solarzellenanordnung nach Anspruch 9, dadurch g e -k e n n z e i c h n e t , daß als das oder eines der weiteren Monomeren Olefine, insbesondere Äthylen, Perfluorolefine, vorzugsweise Hexafluorpropylen, perfluorierte und teilfluorierte Allylalkyl- und Alkylvinyläther wie Perfluoralkylvinyläther, vorzugsweise Perfluorpropylvinyläther, Vinylverbindungen wie Vinylidenfluorid und Vinylfluorid oder teilfluorierte Olefine wie Chlortrifluoräthylen verwendet werden.
  11. 11. Solarzellenanordnung nach Anspruch 10, dadurch g e -k en n z e i c h n e t , daß als modifizierende Dritt-oder Viertkomponenten fluorfreie Monomere, etwa Vinylester, Acryl- oder Methacrylsäure und deren Derivate oder nichtfluorierte Vinyl- oder Allyläther in dem Copolymeren enthalten sind.
  12. 12. Solarzellenanordnung nach Anspruch 10, dadurch g e -k e n n z e i c h n e t , daß ein aus Hexafluorpropylen und Tetrafluoräthylen bestehendes Copolymeres verwendet wird.
  13. 13. Solarzellenanordnung nach Anspruch 12, dadurch g e -k e n n z e i c h n e t , daß das Copolymere zusätzlich modifizierende Anteile an Perfluorpropylvinyläther enthält.
  14. 14. Solarzellenanordnung nach Anspruch 10, dadurch g e -k e n n z e i c h n e t , daß ein aus Perfluorpropylvinyläther und Tetrafluoräthylen bestehendes Copolymeres verwendet wird.
  15. 15. Solarzellenanordnung nach Anspruch 14, dadurch g e -k e n n z e i c h n e t , daß das Copolymere zusätzlich modifizierende Anteile an Hexafluorpropylen enthält.
  16. 16. Solarzellenanordnung nach Anspruch 10, dadurch g e -k e n n z e i c h n e t , daß ein aus Äthylen und Tetrafluoräthylen bestehendes Copolymeres verwendet wird.
  17. 17. Solarzellenanordnung nach Anspruch 16, dadurch g e -k e n n z e i c h n e t , daß das Copolymere zusätzlich Hexafluorpropylen oder Perfluorpropylvinyläther in modifizierenden Anteilen enthält.
  18. 18. Solarzellenanordnung nach Anspruch 10, dadurch g e -k e n n z e i c h n e t , daß das Copolymere aus Tetrafluoräthylen, Vinylidenfluorid und Hexafluorpropylen besteht.
  19. 19. Solarzellenanordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch g e k e n n z e i c h n e t , daß Verstärkungsfäden oder -gewebe in die Kunststoffolie eingebettet sind.
DE19833317269 1983-05-11 1983-05-11 Duennschicht-solarzellenanordnung Granted DE3317269A1 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19833317269 DE3317269A1 (de) 1983-05-11 1983-05-11 Duennschicht-solarzellenanordnung

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19833317269 DE3317269A1 (de) 1983-05-11 1983-05-11 Duennschicht-solarzellenanordnung

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE3317269A1 true DE3317269A1 (de) 1984-12-13
DE3317269C2 DE3317269C2 (de) 1991-06-13

Family

ID=6198776

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19833317269 Granted DE3317269A1 (de) 1983-05-11 1983-05-11 Duennschicht-solarzellenanordnung

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE3317269A1 (de)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4686322A (en) * 1985-08-12 1987-08-11 Rca Corporation Solar panel
EP0246027A2 (de) * 1986-05-14 1987-11-19 Siemens Solar Industries L.P. Biegsame photovoltaische Anordnung
DE3639676A1 (de) * 1986-06-19 1987-12-23 Teijin Ltd Solarzellenmodul
DE3626450A1 (de) * 1986-08-05 1988-02-11 Hans Joachim Dipl P Kirschning Als solarzelle wirkendes bauteil von bauwerken und gebaeuden
EP0625802A2 (de) * 1993-05-18 1994-11-23 Canon Kabushiki Kaisha Sonnenzellenmodul und Einbauverfahren
EP0641030A2 (de) * 1993-08-31 1995-03-01 Canon Kabushiki Kaisha Photoelektrische Umwandlungsvorrichtung und photoelektrischer Umwandlungsmodul, je mit einem Schutzelement aus Fluor enthaltendem Polymerharz

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3658596A (en) * 1970-09-21 1972-04-25 Lockheed Missiles Space Flexible solar cell modular assembly
US3912540A (en) * 1971-06-21 1975-10-14 Nasa Covered silicon solar cells and method of manufacture
US3996067A (en) * 1975-12-30 1976-12-07 The United States Of America As Represented By The National Aeronautics And Space Administration Silicon nitride coated, plastic covered solar cell
DE2709741A1 (de) * 1977-03-05 1978-09-07 Licentia Gmbh Solarzellenanordnung fuer den terrestrischen bereich
FR2429495A1 (fr) * 1978-06-20 1980-01-18 Siemens Ag Batterie de piles solaires et procede pour sa fabrication
DE3140139A1 (de) * 1981-02-13 1982-09-09 RCA Corp., 10020 New York, N.Y. "verfahren zum herstellen einer amorphen siliziumsolarzelle"

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3658596A (en) * 1970-09-21 1972-04-25 Lockheed Missiles Space Flexible solar cell modular assembly
US3912540A (en) * 1971-06-21 1975-10-14 Nasa Covered silicon solar cells and method of manufacture
US3996067A (en) * 1975-12-30 1976-12-07 The United States Of America As Represented By The National Aeronautics And Space Administration Silicon nitride coated, plastic covered solar cell
DE2709741A1 (de) * 1977-03-05 1978-09-07 Licentia Gmbh Solarzellenanordnung fuer den terrestrischen bereich
FR2429495A1 (fr) * 1978-06-20 1980-01-18 Siemens Ag Batterie de piles solaires et procede pour sa fabrication
DE3140139A1 (de) * 1981-02-13 1982-09-09 RCA Corp., 10020 New York, N.Y. "verfahren zum herstellen einer amorphen siliziumsolarzelle"

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
DE-B.: K. Biederbick, Kunststoffe kurz und bündig, 4. Aufl., Würzburg, 1977, S. 102-104 *
GB-Z.: Solar Energy, Bd. 22, 1979, S. 389-396 *
US-B.: SPIE Seminar Proceedings, Vol. 85, 1977: Society of Photo-Optical Instrumentation Engineers Meeting, 24.-25. Aug. 1976, S. 16-21 *

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4686322A (en) * 1985-08-12 1987-08-11 Rca Corporation Solar panel
EP0246027A2 (de) * 1986-05-14 1987-11-19 Siemens Solar Industries L.P. Biegsame photovoltaische Anordnung
EP0246027A3 (de) * 1986-05-14 1989-02-22 Siemens Solar Industries L.P. Biegsame photovoltaische Anordnung
DE3639676A1 (de) * 1986-06-19 1987-12-23 Teijin Ltd Solarzellenmodul
DE3626450A1 (de) * 1986-08-05 1988-02-11 Hans Joachim Dipl P Kirschning Als solarzelle wirkendes bauteil von bauwerken und gebaeuden
EP0625802A2 (de) * 1993-05-18 1994-11-23 Canon Kabushiki Kaisha Sonnenzellenmodul und Einbauverfahren
EP0625802A3 (de) * 1993-05-18 1997-05-28 Canon Kk Sonnenzellenmodul und Einbauverfahren.
EP0641030A2 (de) * 1993-08-31 1995-03-01 Canon Kabushiki Kaisha Photoelektrische Umwandlungsvorrichtung und photoelektrischer Umwandlungsmodul, je mit einem Schutzelement aus Fluor enthaltendem Polymerharz
EP0641030A3 (de) * 1993-08-31 1996-02-28 Canon Kk Photoelektrische Umwandlungsvorrichtung und photoelektrischer Umwandlungsmodul, je mit einem Schutzelement aus Fluor enthaltendem Polymerharz.

Also Published As

Publication number Publication date
DE3317269C2 (de) 1991-06-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE112013001160B4 (de) Verstärkte Elektrolytmembran und Verfahren für ihre Herstellung
DE2938995C2 (de)
DE3020057C2 (de)
EP0030663B1 (de) Fluorpolymere mit schalenmodifizierten Teilchen und Verfahren zu deren Herstellung
DE2930370C2 (de) Verfahren zur Herstellung eines doppelt orientierten Films
DE69932655T2 (de) Elektrode für einen Doppelschichtkondensator und Verfahren zur Herstellung
DE2745898C2 (de)
DE2638791B2 (de) Fluorierte Kationenaustauschermembran und Verwendung derselben zur Elektrolyse von Alkalimetallhalogeniden
DE2510071A1 (de) Verfahren zur elektrolyse von natriumchlorid
DE3524631A1 (de) Polymeres verbundheizelement
DE3131035A1 (de) "verfahren zur herstellung von membranen fuer elektrochemische zellen und ihre verwendung in primaer- und sekundaerelementen"
DE3239017C2 (de) Dielektrischer Film und Verfahren zu seiner Herstellung
EP3216896B1 (de) Ionenaustauschmembran für alkalichlorid-elektrolyse und alkalichlorid-elektrolysevorrichtung
US20190040537A1 (en) Ion exchange membrane for alkali chloride electrolysis, method for its production and alkali chloride electrolysis apparatus
US11020734B2 (en) Ion exchange membrane for alkali chloride electrolysis, production method, and alkali chloride electrolysis apparatus
DE3201119A1 (de) Verfahren zur herstellung eines kationenpermeablen membrane mit eingebettetem verstaerkungsgewebe und die dabei erhaltene membrane
DE3201092A1 (de) Membrane, elektrolyseverfahren und verwendung der membrane in einer elektrochemischen zelle
DE3317269C2 (de)
DE3201154A1 (de) Elektrolyseverfahren und elektrochemische zelle
US10865489B2 (en) Ion exchange membrane for alkali chloride electrolysis, and alkali chloride electrolysis apparatus
DE2138580C3 (de) Flexibles Widerstandselement aus einem Körper aus elastomerem Material
US9682370B2 (en) Process for producing fluorinated copolymer
US20140073709A1 (en) Fluorinated copolymer and ion exchange membrane
DE102009040621A1 (de) Dünnschichtsolarmodul und Verfahren zu dessen Herstellung
DE3132457C2 (de)

Legal Events

Date Code Title Description
8110 Request for examination paragraph 44
8127 New person/name/address of the applicant

Owner name: TOTAL ENERGIE DEVELOPPEMENT + MESSERSCHMITT-BOELKO

D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee