DE3239017C2 - Dielektrischer Film und Verfahren zu seiner Herstellung - Google Patents
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Abstract
Eine dielektrische Schicht stellt einen gestreckten Körper aus einer Zusammensetzung dar, die ein vernetztes thermoplastisches Harz mit einem Gel-Gehalt von 20 bis 75 und fein verteilte dielektrische Porzellanpartikeln enthält, welche in dem thermoplastischen Harz dispergiert sind. Die Streckung führt dabei nicht zu einer Herabsetzung der Dielektrizitätskonstante der Schicht und liefert eine hohe elektrostatische Kapazität. Die dielektrische Schicht wird nach einem Verfahren hergestellt, welches die Vernetzung des thermoplastischen Harzes, das aus der die dielektrischen Prozellanpartikeln enthaltenden Zusammensetzung besteht, und die Streckung der betreffenden Zusammensetzung bei einer bestimmten Temperatur umfaßt, die in Verbindung mit dem thermoplastischen Harz ausgewählt ist.
Description
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Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf einen dielektrischen Film und auf ein Verfahren zu seiner Herstellung,
wie im Oberbegriff des Anspruches 1 bzw. 4 angegeben ist
Ein aus einem thermGplasi'-ihen Harz gebildeter Körper mit in diesem dispergierten fein verteilten dielektrisehen
Porzellanpartikeln ist afs dielektrischer Körper bekannt, der eine hohe Dielektrizitätskonstante und eine
ausgezeichnete Formbarkeit aufweist. Ein derart geformter Körper kann aber auch in Form eines dünnen Films
hergestellt werden, der eine relativ hohe Dielektrizitätskonstante aufweist und damit eine relativ hohe elektrostatische
Kapazität.
Bei dem jüngsten Trend zu kleineren Kondensatoren zur Erzielung eines kompakteren elektrischen Gerätes
■in ist jedoch die mit dem geformten Körper erzielbare elektrostatische Kapazität noch nicht zufriedenstellend. Es
ist vielmehr ein dielektrischer Film erforderlich bzw. erwünscht, der eine höhere elektrostatische Kapazität
aufweist.
Ein Verfahren zur Erzielung einer solchen Kapazität besteht darin, einen dünneren Film aus einem geformten
Körper herzustellen. Bei einem geformten Körper aus einem Zusammensetzungssystem, welches ein thermoplastisches
Harz und fein verteilte dielektrische Porzellanpartikel aufweist, führt das Strecken jedoch zu einer
herabgesetzten Dielektrizitätskonstante.
Der Erfindung liegt demgemäß die Aufgabe zugrunde, einen dielektrischen Film zu schaffen, dessen Dielektrizitätskonstante
auf ein Strecken hin nicht herabgesetzt werden kann, sowie auf ein Verfahren zur Herstellung
eines solchen Films.
ίο Ferner soll ein dielektrischer Film geschaffen werden, der eine hohe elektrostatische Kapazität aufweist, und
ferner soll ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Films angegeben werden.
Gelöst wird die vorstehend aufgezeigte Aufgabe durch die in den Patentansprüchen erfaßte Erfindung.
Gemäß einer Hypothese der Erfindung ist eine Herabsetzung der Dielektrizitätskonstante auf das Strecken hin zurückführbar auf die Bildung von Leerräumen zwischen dem thermoplastischen Harz und den fein verteilten dielektrischen Porzellanpartikeln. Bei der Umsetzung dieser Hypothese in die Praxis haben die Erfinder festgestellt, daß die Bildung derartiger Leerräume verhindert und die Herabsetzung der Dielektrizitätskonstante damit durch folgende Maßnahmen verhindert werden kann. Zum ersten wird das Harz vernetzt. Zum /weiten wird das Harz in dem Fall, daß es ein kristallines Polymer ist, bei einer Temperatur gestreckt, die höher ist als eine Temperatur, welche etwa 20° unter dem Schmelzpunkt des Harzes liegt. Wenn das Harz ein iimorphes w) Polymer ist, wird es bei einer Temperatur gestreckt, die höher ist als eine Temperatur von etwa 20'C unterhalb des Glasumwandlungspunktes des betreffenden Harzes. Damit ist die vorliegende Erfindung geschaffen.
Gelöst wird die vorstehend aufgezeigte Aufgabe durch die in den Patentansprüchen erfaßte Erfindung.
Gemäß einer Hypothese der Erfindung ist eine Herabsetzung der Dielektrizitätskonstante auf das Strecken hin zurückführbar auf die Bildung von Leerräumen zwischen dem thermoplastischen Harz und den fein verteilten dielektrischen Porzellanpartikeln. Bei der Umsetzung dieser Hypothese in die Praxis haben die Erfinder festgestellt, daß die Bildung derartiger Leerräume verhindert und die Herabsetzung der Dielektrizitätskonstante damit durch folgende Maßnahmen verhindert werden kann. Zum ersten wird das Harz vernetzt. Zum /weiten wird das Harz in dem Fall, daß es ein kristallines Polymer ist, bei einer Temperatur gestreckt, die höher ist als eine Temperatur, welche etwa 20° unter dem Schmelzpunkt des Harzes liegt. Wenn das Harz ein iimorphes w) Polymer ist, wird es bei einer Temperatur gestreckt, die höher ist als eine Temperatur von etwa 20'C unterhalb des Glasumwandlungspunktes des betreffenden Harzes. Damit ist die vorliegende Erfindung geschaffen.
Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung umfaßt ein dielektrischer Film einen gestreckten Körper
aus einer Zusammensetzung eines vernetzten thermoplastischen Harzes mit einem Gel-Gehalt von etwa 20 bis
75% und mit fein verteilten dielektrischen Porzellanpartikeln mit Partikelgröße von 0,01 bis 10 μπι. die in dem
b5 thermoplastischen Harz dispergiert sind, wobei die Porzellanpartikel in einer Menge von etwa 5 bis 60 Volumcnj|r
prozent enthalten sind. Die Porzellanpartikel können insbesondere ferroelektrische l'orzcllanpartikel sein.
fei vorzugsweise solche mit Perowskitstruktur, z. B. des Titanoxid-Typs.
i;j Gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung umfaßt ein Verfahren zur Herstellung eines
dielektrischen Films eine Vernetzung eines thermoplastischen Harzes aus einer Zusammensetzung, in der solche
fein verteilten dielektrischen Porzellanpartikel in dem thermoplastisches Harz dispergiert sind, sowie die Strekkung
der Zusammensetzung bei einer Temperatur, weiche höher ist als eine Temperatur, die um 200C unterhalb
des Schmelzpunktes des thermoplastischen Harzes liegt, und welche niedriger ist als die Zersetzungs-Anfangsp
temperatur des betreffenden Harzes in dem Fall, daß das thermoplastische Harz ein kristallines Polymer ist oder
j| die betreffende Streckung der Zusammensetzung erfolgt bei einer Temperatur, weiche höher ist als eine
j§ Temperatur, die 200C niedriger ist als der Glasumwandlungspunkt des thermoplastischen Harzes, und weiche
,p niedriger Lst als die Zersetzungs-Anfangstemperatur des betreffenden Harzes in dem Fäll, daß das thermoplastics
sehe Harz ein amorphes Polymer ist Vorzugsweise wird ein zusätzliches Vernetzungsagens hinzugefügt und die
Jl Vernetzung unter Strahlungseinwirkung durchgeführt Das Strecken wird vorzugsweise als ein Aufblasverfah-
Ji ren ausgeführt.
jy- Anhand einer Zeichnung wird die Erfindung nachstehend beispielsweise näher erläutert
;ij In der Zeichnung ist eine schematische Vorderansicht eines Ausführungsbeispiels einer Streckmaschine
;| gezeigt die bei dem Verfahren zur Herstellung eines dielektrischen Films gemäß der vorliegenden Erfindung
« verwendet werden kann-
Wj Ein dielektrischer Film gemäß der vorliegenden Erfindung kann dadurch hergestellt werden, daß fein verteilte
]■< dielektrische Porzellanpartikel in einem thermoplastischen Harz dispergiert werden, daß das thermoplastische
£ Harz derart vernetzt wird, daß das thermoplastische Harz einen Gel-Gehalt von etwa 20 bis 75% aufweist, und
■-i daß die Zusammensetzung gestreckt wird.
Bsispiele des thermoplastischen Harzes können kristalline d. h. bei Rör.tgen-Diffraktionsufu'ersuchung Kri-
: j stall-peaks aufweisende Polymere, wie PoViäthylen, Polypropylen oder Vinylidenfluoridharz oder amorphe d. h.
f": bei Röntgen-Diffraktionsuntersuchung keine Kristall-peaks aufweisende Polymere, wie Polyvinylchlorid umfassen.
Da die Dielektrizitätskonstante eines aus dem dielektrischen Film gebildeten Körpers stark von der
} Dielektrizitätskonstante des thermoplastischen Harzes abhängt wird ein thermoplastisches Harz mit einer
.;. hohen Dielektrizitätskonstante, wie Vinylidenfluoridharz, besonders bevorzugt Unter dem Begriff »Vinyliden-
:; fluoridharz« sind nicht nur Vinylidenfluorid-Homopolymerharze (nachstehend der Kürze halber auch als PVDF
■ bezeichnet) zu verstehen, sondern auch Mischpolymere die jeweils ein PVDF m einer Menge von mehr als etwa
50 Mol%, vorzugsweise in einer Menge von mehr als etwa 70 Mol%, und insbesondere bevorzugt in einer
Menge von mehr als etwa 80 Mol%, und eine oder mehrere Co- bzw. Mischmonomere umfassen, die mit dem
; PVDF mischpolymerisiert sein können, wie Fluorin enthaltende Olefine, z. B. Vinylfluorid. Trifluoräthylen.
: Chlorfluorvinyliden, Trifluorchlorethylen, Tetrafluorethylen oder Hexafluorpropylen.
Beispiele für ein dem thermoplastischen Harz bei Bedarf hinzuzufügendes Vernetzungsagens können Cyanurate.
wie Triallyl-cyanjurat, Diallyl-monopropargyl-cyanuret Dipropargyl-monoallyl-cyanurat oder Tripropargyl-cyanurat,
lso-cyanurate, wie Triallyl-isocyanurat, Tripropargylisocyanurat Dipropargyl-allyl-isocyanurat
oder Diallyl-Propargyl-isocyanurat; Triacryl-formal; Triallyl-trimellitat; Trimethylolpropan-trimethacrylat:
Äthylen-glycol-dimetharcyrylat; usw. umfassen. Andere bekannte Vernetzungsmittel können jedoch ebenfalls
verwendet werden.
Das thermoplastische Harz, wie es oben beschrieben worden ist, kann durch irgendein bekanntes Verfahren
vernetzt üin bzw. werden. So kann beispielsweise ein Verfahren zum Vernetzen eines thermoplastischen Harzes
durch Bestrahlung angenommen bzw. ausgewählt werden. Ev ist aber auch möglich, ein Verfahren zur Vernetzung
eines thermoplastischen Harzes durch Bestrahlen nach Hinzugabe eines Vernetzungsmiuels zu dem Harz
und dem Dispergieren fein verteilter dielektrischer Porzellanpartikeln in dem betreffenden thermoplastischen
Harz zu wählen. Es ist im übrigen auch möglich, ein chemisches Vernetzungsverfahren durch fakultative bzw.
wahlweise Erhitzung zu wählen.
Das Ausmaß der Vernetzung Lt so gewählt, daß der Gel-Gehalt nach der Vernetzung etwa 20 bis 75% und
vorzugsweise etwa 30 bis 65% und besonders bevorzugt etwa 35 bis 60% beträgt. Wenn der Gel-Gehalt zu klein
ist. fließt das Harz während des Streckens, und eine gleichmäßige Streckung kann nicht vorgenommen werden.
Die Filmbildung kann dann nicht durchgeführt werden, oder ein gestreckter Körper kann keine gleichmäßigen
Eigenschaften aufweisen. Wenn der Gel-Gehalt demgegenüber zu hoch ist, schreitet die Vernetzung zu weit fort,
was ebenfalls die Filmbildung verschlechtert Der im vorliegenden Zusammenhang benutzte »Gel-Gehalt« ist
das Pro.^entverhältnis der Menge des nach dem Ausziehen mit einem guten Lösungsmittel des nicht vernetzten
Teiles des nach der Vernetzung zurückbleibenden thermoplastischen Harzes erhaltenen gelierten Teiles zu der
Menge des Harzes vor dem Ausziehen. Die Ausziehtemperatur braucht dabei nicht so zu sein, daß das Lösungsmittel
sich mit ufern thermoplastischen Harz solvatiert Wenn beispielsweise Vinylidenfluorid als thermoplastisches
Harz verwendet wird, dann wird Dimethylacetamid als Lösungsmittel gewonnen, und das Ausziehen bzw.
die Extraktion wird bei 1000C vorgenommen, um den Gel-Gehalt zu bestimmen.
Beispiele für fein verteilte dielektrische Porzellanpartikel, die mit dem thermoplastischen Harz zu mischen
sind, umfassen fein verteilte ferroelektrische Porzellanpartikel mit einer Perowskit-Kristallstruktur, wie Partikel
aus Bariumtitanat, Bleititanat oder Titanbleizirconat. Andere fein verteilte dielektrische Partikel, wie TiO:
und/oder ZrO2, können jedoch ebenfalls verwendet werden.
Die Partikelgröße (die durchschnittliche Partikelgröße wird z. B. durch Sedimentation und Verwendung eines
Micro-Photo-Größenmeßgerätes, z. B. Microphoto Sicer, Model SKN 1000. von Nihon Seishin Kigyo. gemessen)
der zu verwendenden dielektrischen Porzellanpartikeln liegt im Bereich von etwa 0,01 μιτι bis ΙΟμπι und
vorzugsweise zwischen etwa 0,02 μπι bis 4 μπι oder 6 μπι. Wenn die insbesonderζ mitt'ere, Partikelgröße größer
ist als die obere Grenze, kann ein dünner Film nicht gebildet werden. Sogar dann, wenn ein dünner Film gebildet
werden kann, ist die dielektrische Festigkeit bzw. die Spannungsfestigkeit herabgesetzt. Wenn die, insbesondere
mittlere, Partikelgröße kleiner ist als die untere Grenze, wird die Viskosität der Zusammensetzung im geschmolzenen
Zustand zu hoch, was zu einer schlechten Ver bzw. Bearbeitbarkeit führt.
und insbesondere in einer Menge von etwa 7 bis 40 Vol.-% vorzugsweise etwa 10 bis 30 Vol.-% hinzugesetzt.
herabgesetzt, und die Dielektrizitätskonstante neigt auf das Strecken hin dazu, abzunehmen. Wenn die Meng der
dielektrischen Porzellanpartikel kleiner ist als die untere Grenze, wird die Dielektrizitätskonstante zu klein. ι
Der dielektrische Film gemäß der vorliegenden Erfindung kann fein verteilte leitende Partikel und andere
Komponenten zusätzlich zu dem thermoplastischen Harz und den fein verteilten dielektrischen Porzellanpariikeln enthalten. Insbesondere in dem Fall, daß fein verteilte leitende Partikel hinzugesetzt sind, wird eine noch
größere Dielektrizitätskonstante erhalten und der spezifische Widerstand steigt auf das Strecken hin erheblich
ίο an. Beispiele für die fein verteilten leitenden Partikel umfassen Ruß. wie Acetylenruß oder Ofenruß, oder
Metallpulver, wie solche aus Eisen, Nickel oder Aluminium. Die vorzugsweise arithmetisch mittlere Pnriikelgröße der fein verteilten leitenden Partikel liegt vorzugsweise im Bereich von etwa 0,01 μπι bis 4 μπι und insbesondere vorzugsweise zwischen etwa 0.05 μΐη bis 2 μιη. Die fein verteilten leitenden Partikel können der Zusammensetzung in einer Menge von weniger als etwa 10 Vol.-% und vorzugsweise in einer Menge von weniger als
etwa 6 Vol.-% vom Gesamtvolumen der sich ergebenden dielektrischen Schicht hinzugefügt werden. Wenn die
Menge der hinzugefügten leitenden Partikel oberhalb dieses kritischen Wertes liegt, wird der spezifische
Widerstand zu klein, obwohl er auf das Strecken hin etwas ansteigen kann.
uniaxialen Streckverfahren, dem biaxialen Streckverfahren oder nach dem Roll- bzw. Walzverfahren. Andere
Verfahren können ebenso angewendet werden, wie ein Aufblasverfahren, gemäß dem ein Ende eines rohrförmig '·;':
ausgebildeten Körpers abgedichtet und ein Schutzgas, wie Luft oder Stickstoff, unter Druck vom anderen Ende ~
des rohrförmig ausgebildeten Körpers abgegeben wird, um diesen zu strecken. Es kann aber auch ein Aufblas- .;
verfahren angewandt werden, gemäß dem ein schichtförmig gebildeter Körper am Umfang des einen Endes
:ϊ eines Zylinders angebracht und ein unter Druck stehendes Gas von dem anderen Ende des betreffenden ;
Die Streck- bzw. Recktemperatur ist eine Temperatur, die hö*»er ist als eine Temperatur, welche 20' niedriger
ist als der Schmelzpunkt (als Schmelzpunkt ist hier die Temperatur zu verstehen, bei der während eines
Schmelzprozesses im endothermen Verhalten eine Spitze in der Kurve festzustellen ist, die mit Hilfe eines
jo differentiell aufnehmenden Kalorimeters zu gewinnen ist, und zwar bei einer Aufheizra:e von 8°C/min) eines ^
verwendeten thermoplastischen Harzes, und die niedriger ist als die Zersetzungs-Anfangstemperatur des betref- J
fenden Harzes für den Fall, daß das Harz ein kristallines Polymer ist Die betreffende Temperatur ist aber eine J
Temperatur, die höher ist als eine Temperatur, welche 200C niedriger ist als der Glasumwandlungspunkt eines |
verwendeten thermoplastischen Harzes, und welche niedriger ist als die Zersetzungs-Anfangstemperatur des |
j5 betreffenden Harzes in dem Fall, daß das betreffende Harz ein amorphes Polymer ist. Um den Streck- bzw. $
Reckvorgang zu erleichtern, wenn das Harz ein kristallines Polymer ist, wird das Strecken vorzugsweise bei 'd
einer höheren Temperatur als dem Schmelzpunkt des Harzes und besonders bevorzugt bei einer Tcmperaiuf ^
durchgeführt, die etwa 10°C höher ist als der Schmelzpunkt des Harzes. Wenn das Harz ein amorphes Polymer ;Ί
ist. wird demgegenüber das Strecken vorzugsweise bei einer Temperatur durchgeführt, die höher ist als eine 'A
Temperatur, welche etwa 10° C unterhalb des Glasumwandlungspunktes des Harzes liegt. Vorzugsweise erfolgt ':
die Streckung dabei bei einer Temperatur, die höher ist als der Glasumwandlungspunkt des Harzes. Wenn die
Zusammensetzung bei einer hohen Temperatur nach der Vernetzung des thermoplastischen Harzes gestreckt
wird, umgibt das thermoplastische Harz die fein verteilten dielektrischen Partikel in Form eines Netzwerkes, um
einen gleichmäßigen Film zu liefern.
Ein Verfahren zum Herstellen eines dielektrischen Films gemäß der vorliegenden Erfindung umfaßt die
Schritte der Vernetzung eines thermoplastischen Harzes, welches aus einer Zusammensetzung besteht, in der
fein verteilte dielektrische Porzellanpartikel in dem thermoplastischen Harz dispergiert sind, sowie das Strecken
bzw. Recken der Zusammensetzung bei einer Temperatur, die höher ist als eine Temperatur, welche 20eC
niedriger ist als der Schmelzpunkt des thermoplastischen Harzes, und welche niedriger ist als die Zersetzungs-
Anfangsteirperaturdes betreffenden Harzes in dem FaILdaß das thermoplastische Harz ein kristallines Polymer
ist. Die Streckung der Zusammensetzung erfolgt jedoch bei einer Temperatur, die höher ist als eine Temperatur,
welche 20° C niedriger ist als der Glasumwandlungspunkt des thermoplastischen Harzes, und die niedriger ist als
die Zersetzungs-Anfangstemperatur des betreffenden Harzes in dem Fall, daß das thermoplastische Harz ein
amorphes Polymer ist
Der durch das Verfahren gemäß der vorliegenden Erfindung hergestellte dielektrische Film weist ausgezeichnete Eigenschaften im Vergleich zu jenen Filmen auf, die nach herkömmlichen Verfahren hergestellt sind. So ruft
beispielsweise bei einem dielektrischen Film gemäß der vorliegenden Erfindung die Streckung keine Herabsetzung der Dielektrizitätskonstante hervor. Darüber hinaus weist der dielektrische Film eine elektrostatische
Kapazität auf. die hoch genug ist um einen kompakten Kondensator herzustellen.
«ο Die vorliegende Erfindung wird nunmehr anhand ihrer Ausführungsbeispiele beschrieben.
204 von der Firma Fuji Chitan Kogyo K. K. zu beziehen) sind mit Hilfe einer erwärmten Walze bei 180° C im
ebenfalls hinzugesetzt. Die resultierende ausgewalzte Schicht wurde durch eine Heißpresse bei 24O0C zu einer
scheibenförmigen gepreßten Schicht mit einer Dicke von 100 μπι und einem Durchmesser von 6 cm geformt. Die
gepreßte Schicht wurde mit Gammastrahlen bestrahlt, und zwar mit einer Dosis von 4 Mrad, um das PVDF zu
vernetzen. Die gepreßte Schicht wies einen Gel-Gehalt von 57% auf. Der Gel-Gehalt wurde aus dem ungelösten
Teil der Schicht gemessen und zwar nach dem Auflösen in Dimethylacetamid bei 10O0C während zwei Stunden. s
Die gepreßte Schicht wurde bei 200°C unter Verwendung der in der Zeichnung dargestellten Vorrichtung
gvTlreckt. und zwar in verschiedenen Streckenverhältnissen, wie sie in einer nachstehenden Tabelle 1 veranschaulicht
sind.
Nunmehr seien die Vorrichtung und das Verfahren zum Strecken erläutert. Eine Probe 1. die in einer
Scheibenform gebildet ist, wurde zwischen einem Metallring 3 und einem Metallzylinder 4 durch ringförmige
Silikon-Packungen 2a und 2b festgeklemmt, und die Gesamtanordnung wurde mit Hilfe von Klemmen 5
festgeklemmt. Ein Schutzgas, wie Luft oder Stickstoff, wurde unter Druck in die durch den Pfeil A bezeichnete
Richtung abgegeben, um die Probe 1 zu strecken.
Aluminium wurde auf beiden Seiion von gestreckten und nicht gestreckten Filmen im Vakuum niedergeschlagen.
Ein Signal von I kHz wurde an die so gebildeten Aluminiumelektroden angelegt, um die Dielektriziiätskonstante
e bei Umgebungstemperatur zu messen. Eine Gleichspannung von 100 V wurde bei der Umgebungstemperatur
angelegt, um den spezifischen Widerstand ρ nach einer Minute zu messen. Die erzielten Ergebnisse sind
bl b
| ill ucr näCnSicncndcn Tabelle 1 |
f at/cm* angig«.lh.ii. |
P
(Ω ■ cm) |
Dicke |
Streck
verhältnis*) |
Elektrostatische
Kapazität (pF/cm2) |
| ε |
1013-14
1013-14 1013-14 |
100 13 11,5 10,8 |
7,69 8.70 9,26 |
194 2580 3050 3320 |
|
| Gepreßte Schicht Gestreckter Film 1 Gestreckter Film 2 Gestreckter Film 3 |
21,9 373 39,6 40,5 |
||||
*) Das Streckverhältnis wurde aus der Dicke bestimmt.
Dasselbe PVDF und Bariumtitanat wie beim Beispiel 1 sowie Ruß mit mittlerer Partikelgröße 5 μπι (ζ. Β. zu
beziehen als Denka-Schwarz von der Firma Denki Kagaku Kogyo K. K.) wurden mittels einer erwärmten Walze
im Volumenverhältnis von 69 :25 :6 in derselben Weise wie beim Beispiel 1 gewalzt bzw. vermählen. Zwei
Gewichtsteile von Triallyl-Isocyanurat auf 100 Gewichtsteile von PVDF wurden während des Walzens ebenfalls
hinzugesetzt. Die resultierende gewalzte Schicht wurde mittels einer Heißpresse gepreßt, durch Bestrahlung mit
Gammastrahlen vernetzt und gestreckt. Verschiedene Eigenschaften der gemäß diesem Beispiel erhaltenen
Filme sind in der nachstehenden Tabelle 2 angegeben.
| Tabelle 2 | ε |
P
(Ω · cm) |
Dicke
(μπι) |
Streck
verhältnis |
Elektro
statische Kapazität (pF/cm-) |
| 41,1 563 55,6 50 |
ΙΟ«-» 1013-14 1013-14 1013-14 |
98 26,0 23,5 20,0 |
3,77 4,17 430 |
371 1940 2090 2210 |
|
| Gepreßte Schicht Gestreckter Film 4 Gestreckter Film 5 Gestreckter Film 6 |
|||||
B e i s ρ i e 1 3
Dasselbe PVDF wie beim Beispiel 1 und Pulver (mittlere Partikelgröße: 0,4 μπι). die als Bariumtitanat durch
thermische Zersetzung eines Bariumtitanyloxalats (BaTiO(C2O4): · 4 H2O) bei 975° C erhalten worden sind,
wurden im Volumenverhältnis von 73 :27 mittels einer erwärmten Walze in derselben Art und Weise wie beim
Beispiel 1 gewalzt Dabei wurden zwei Gewichtsteile Triallyl-Isocyanurat auf 100 Gewichtsteile PVDF während Μ
des Walzens ebenfalls hinzugegeben. Die resultierende gewalzte Schicht wurde mittels einer Heißpresse gepreßt,
durch Bestrahlung mit Gammastrahlen vernetzt und gestreckt Die verschiedenen Eigenschaften der bei
diesem Beispiel erhaltenen Filme sind in der nachstehenden Tabelle 3 angegeben.
ρ
Dicke Streck- Elektrostatische
(Ω · cm) (μπι) verhältnis Kapazität
(pF/cm·')
Gepreßt Schicht 36,9 ΙΟ"-14 115 317
Gestreckte Schicht 7 67,0 101J-'4 19 6.1 3 143
Gestreckte Schicht 8 148,0 10"-·2 9 12.8 14 550
Dasselbe PVDF wie beim Beispiel 1 sowie Pulver (Partikeigröße-Verteilung: 1 μπι bis 15 μπι - mittlere
Partikelgröße 6 μπι) wurden dadurch erhalten, daß ein Bariumtitanat, (z.B. wie beim Beispiel I) bei 1400'C
gesintert wurde, daß das Bariumtitanat pulverisiert und durch ein Sieb mit 635 Maschen (20 μηι) gesiebt wurde,
wobei ein Vermählen bzw. Auswalzen im Volumenverhältnis von 73 :27 mit einer erwärmten Walze wie berm
Beispiel 1 erfolgte. Zwei Gewichtsteile Triallyl-Isocyanurat auf 100 Gewichtsteile PVDF wurden während des
Auswalzens ebenfalls hinzugesetzt. Die resultierende gewalzte Schicht wurde mit einer Heißpresse gepreßt, mit
Hilfe von Gammastrahlen vernetzt und gestreckt. Verschiedene Eigenschaften der resultierenden Filme sind in
der nachstehenden Tabelle 4 zusammengestellt.
| Tabelle 4 | ε |
P
(Ω · cm) |
Dicke |
Streck
verhältnis |
Elektrostatische
Kapazität (pF/cm-) |
| 26,7 61,4 72,0 106,0 |
ο ο ο ο
KJ K) Kl Nj I I I I WWWW |
178 17,5 14,5 10 |
10,0 12.1 17.5 |
133 3107 4391 9389 |
|
| Gepreßte Schicht Gestreckter Film 9 Gestreckter Film 10 Gestreckter Film 11 |
|||||
Bei den oben beschriebenen Beispielen ist die Dielektrizitätskonstante ε der Filme, die durch Strecken der
Zusammensetzung im geschmolzenen Zustand erhalten werden, bzw. worden sind, größer als die der gepreßten
Schicht. Dies wird als auf die Tatsache zurückführbar betrachtet, daß die Streckung der Schicht im geschmolzenen
Zustand die Ausbildung von Leerstellen bzw. Leerräumen und die Ausrichtung der Rußpartikel minimiert
und außerdem zu einem Ansteigen der Dielektrizitätskonstante der Matrix des riirns führt, wobei der Umstand
berücksichtigt wird, daß die Dielektrizitätskonstante eines zusammengesetzten Materials stark von der Dielektrizitätskonstante
des thermoplastischen Harzes abhängt, welches eine Matrix ist.
Vergleichsbeispiel 1
Dasselbe PVDF und das Bariumtitanat wurden wie beim Beispiel 1 im Volumenverhältnis von 73 :27 mittels
einer erwärmten Walze vermählen bzw. ausgewalzt Die ausgewalzte Schicht wurde mittels einer Heißpresse zu
einer Schicht mit einer Dicke von 190 μπι gepreßt. Die betreffende Schicht wurde uniaxiai bei 150cC in einem
Streckverhältnis von 3,8 gestreckt
Die Dielektrizitätskonstante ε des resultierenden Films wurde in derselben Weise wie beim Beispiel 1 gemessen.
Die Ergebnisse sind in der nachstehenden Tabelle 5 angegeben.
Dicke (μπι)
Gepreßte Schicht 20,0 192
Uniaxial gestreckter Film 13,9 33
Wie aus der vorstehenden Beschreibung hervorgeht führt das Kaltstrecken bzw. Kaltrecken zu einer Herabsetzung
der Dielektrizitätskonstanten. Gemäß dem Verfahren der vorliegenden Erfindung wird jedoch die
bo Dielektrizitätskonstante erhöht und eine stark vergrößerte elektrostatische Kapazität kann dadurch erhalten
werden, daß ein Film dünner gemacht wird.
Das gleiche wie zum Beispiel 1 verwendete PVDF und Pulver (mittlere Teilchengröße 4 μηι), das als Bariumtitanat
durch thermische Zersetzung von Barium-Strontiumtitanyloxalat (BaojsSro2sTiO(C204)2 · 4 HjO) bei
1000° C gewonnen worden ist, werden in einem Volumenverhältnis von 73 :27 mit geheizten Walzsn gemahlen,
nämlich in der gleichen Weise wie beim Beispiel 1. Zwei Gewichtsprozent Triallylisocyanurat (bezogen auf das
| 32 39 017 |
Streck
verhältnis |
Elektrostatische
Kapazität (pF/cm-') |
5 | |
| 9,8 13,0 |
231 4674 9588 |
10 | ||
| 15 | ||||
| Gewicht des PVDF) werden außerdem während des Mahlens zugefügt. Die sich ergebende ausgewalzte Schicht wurde :n einer heißen Presse gepreßt und das Material unter Anwendung von Gamma-Strahlung vernetzt. Diese Schicht wurde gestreckt. Die für diese Schicht bzw. für die gestreckten Filme erreichten Ergebnisse gehet* aus der nachfolgenden Tabelle 5 hervor. Tabelle 5 |
||||
|
e ρ Dicke
(Ω · cm) (μπι) |
20 | |||
| Gepreßte Schicht 40,7 10'3-'4 156 Gestreckter Film 12 84,5 ΙΟ12-'3 16 Gestrecktes-Film 13 130,0 ΙΟ12-'3 12 |
25 | |||
| Hierzu 1 Blatt Zeichnungen | 30 | |||
| 35 | ||||
| 40 | ||||
| I | 45 | |||
| 50 | ||||
| 55 | ||||
| 60 | ||||
Claims (5)
1. Dielektrischer Film mit einem gestreckten Körper aus einer Zusammensetzung, weiche ein thermoplastisches
Harz und in dem thermoplastischen Harz dispergierte fein verteilte dielektrische Porzellanpanikel
aufweist, dadurchgekennzeichnet, daß das thermoplastische Harz derart vernetzt ist. daß es einen
Gel-Gehalt von etwa 20 bis 75% aufweist
daß die dieelektrischen Porzellanpartikel eine Partikelgröße von 0,01 bis IO μπι aufweisen und
daß diese dielektrischen Porzellanpartikel in einer Menge von etwa 5 bis 60 VoL-%, gerechnet auf der Basis des Gesamtvolumens der Zusammensetzung, enthalten sind.
daß diese dielektrischen Porzellanpartikel in einer Menge von etwa 5 bis 60 VoL-%, gerechnet auf der Basis des Gesamtvolumens der Zusammensetzung, enthalten sind.
ίο
2. Dielektrischer Film nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das thermoplastische Harz ein
Vinylidenfluoridharz ist.
3. Dielektrischer Film nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Zusammensetzung ferner
leitende Partikel aufweist
4. Verfahren zum Herstellen eines dielektrischsn Films nach einem der Ansprüche 1 —3. durch Strecken
\i einer Zusammensetzung aus einem thermoplastischen Harz und darin fein verteilten dielektrischen Porzellanpartikeln,
gekennzeichnet dadurch, daß das thermoplastische Harz der Zusammensetzung vernetzt wird,
daß die Streckung bei einer Temperatur vorgenommen wird, die höher ist als eine Temperatur vorgenommen wird, die höher ist als eine Temperatur, welche 20° niedriger ist als der Schmelzpunkt des thermoplastischen Harzes, und die niedriger ist als die Zersetzungs-Anfangstemperatur des betreffenden Harzes in dem Fall, daß das betreffende thermoplastische Harz ein kristallines Polymer ist, oder die bei einer Temperatur vorgenommen wird, welche höher ist als eine Temperatur, die um 20° niedriger ist als der Glasumwandlungspunkt des thermoplastischen Harzes, und die niedriger ist als die Zersetzungs-Anfangstemperatur in dem Fall, daß das betreffende thermoplastische Harz ein amorphes Polymer ist, daß der Streckungsschritt nach dem Vernetzungsschritt ausgeführt wird, und
daß die Streckung bei einer Temperatur vorgenommen wird, die höher ist als eine Temperatur vorgenommen wird, die höher ist als eine Temperatur, welche 20° niedriger ist als der Schmelzpunkt des thermoplastischen Harzes, und die niedriger ist als die Zersetzungs-Anfangstemperatur des betreffenden Harzes in dem Fall, daß das betreffende thermoplastische Harz ein kristallines Polymer ist, oder die bei einer Temperatur vorgenommen wird, welche höher ist als eine Temperatur, die um 20° niedriger ist als der Glasumwandlungspunkt des thermoplastischen Harzes, und die niedriger ist als die Zersetzungs-Anfangstemperatur in dem Fall, daß das betreffende thermoplastische Harz ein amorphes Polymer ist, daß der Streckungsschritt nach dem Vernetzungsschritt ausgeführt wird, und
daß der Streckungsschritt während des Vernetzungsschrittes eingeleitet wird.
5. Verfahren nach Anspruch 4, gekennzeichnetdadurch, daß als thermoplastisches Harz ein Vinylidenfluoridharz
verwendet wird.
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