DE2750883A1 - Elektrische kontaktierung einer polykristallinen halbleiterschicht eines halbleiterbauelementes - Google Patents

Elektrische kontaktierung einer polykristallinen halbleiterschicht eines halbleiterbauelementes

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DE2750883A1 DE19772750883 DE2750883A DE2750883A1 DE 2750883 A1 DE2750883 A1 DE 2750883A1 DE 19772750883 DE19772750883 DE 19772750883 DE 2750883 A DE2750883 A DE 2750883A DE 2750883 A1 DE2750883 A1 DE 2750883A1
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Description

Beschreibung
Die Erfindung bezieht sich auf die elektrische Kontaktierung einer polykristallinen Halbleiterschicht eines Halbleiterbauelementes.
Die Verwendung von polykristallinem Indiumphosphid ist in der Hauptpatentanmeldung P 27 14 221.8 beschrieben. Hiernach v/eist eine Photodiode mit HeteroÜbergang eine p-leitende Indiumphosphid schicht und eine η-leitende Cdo-Schicht auf, wobei die Indiumphosphid schicht polykristallin ist.
Ein bedeutsames Problem bei der Fabrikation von Halbleiterbauelementen betrifft die Herstellung eines elektrischen Kontaktes für die äußere Beschaltung. Wegen der Notwendigkeit eines solchen elektrischen Kontaktes muß ein leitendes Material, das metallische Leitungseigenschaften besitzt, auf ein Halbleitermaterial aufgebracht werden. HäuCLg führt diese Leiter/Halbleiter-Grenzfläche zu einer gleichrichtenden Diode, d. h. ai einer Schottky-Sperrschichtβ Dieses tritt beispielsweise auf, wenn InP mit Graphit oder Molybdän kontaktiert wird (siehe K. J. Bachmann, E. Buchler, J. L. Shay und S. Wagner, Applied Physics Letters 29, 121 (1976)). In den meisten Fällen führt die Ent-
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stehung einer Sperrschicht an einem Kontakt zu zwei wesentlichen Problemen. Erstens ist typischerweise eine unakzeptabel hohe Spannung für den Sperrschicht-Durchbruch erforderlich und zweitens äußer t sich selbst die überwundene Sperrschicht häufig in ehern unakzeptabl hohen Serienwiderstand des Halbleiterbauelementes. Deshalb müssen für ein gutes Halbleiterbauelement diese Blockierspannung und dieser hohe V/iderstand üblicherweise stark reduziert werden. Beispielsweise sind Blokkierspannungen von weniger als 0,05 Volt und spezifische V/ider-
stände von weniger als 2 Ohm cm für polykristalline Halbleiterbauelemente im üblichen Anwendungsfall erwünscht.
Verschiedene Methoden sind zur möglichst weitgehend en Verringerung der erwähnten Kontaktprobleme entwickelt worden. Zumeist wird hierbei ein Dotierstoff in die Oberflächenzone eines Halbleitermaterials einlegiert oder eindiffundiert, um eine Ubergangszone zwischen dem zu kontaktierenden Gebiet der Halbleiterzone und dem aktiven Teil der selben Zone zu erzeugen. Dieses stark dotierte Gebiet nähert sich den leitai den Eigenschaften des Kontakts und wirkt als effektive Zwischenlage. Es gibt jedoch eine Reihe potentieller Schwierigkeiten, die mit der starken Dotierung einer Halbleiterzone verknüpft sind. Die Dotierung muß ausreichend sein, um die für ein wirksames Zwischengebiet erforderlichen Leitfähigkeitseigenschaften zu er-
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zeugen. Dieser Dotierungsgrad ist häufig sehr hoch und kann eine unerwünschte chemische Veränderung des HäTbleitermaterials oder eine Änderung in dessen Kristallstruktur erzeugen, wobei beide Effekte zu schlechteren Betriebseigenschaften des Bauelementes führen. Außerdem kann bei hohen Dotierstoffgraden der Dotierstoff zu aus'jeigernden zusätzlichen Phasen innerhalb des Halbleitern führen und dadurch ebenfalls eine Verschlechterung erzeugen.
Die möglichen Probleme einer Dotierung durch Diffusion oder Legierung treten gemeinsam auf, wenn das betroffene Halbleitermaterial eine polykristalline Dünnschicht ist. Wegen der zahlreichen Korngrenzen in einer polykristallinen Dünnschicht ist die Diffusions- oder Legierungstiefe eines Dotierstoffes im Halbleitermaterial schwieriger zu steuern. Die vergleichsweise kleinen Dicken solcher Schichten, die typischerweise zwischen 0,5 und 20 Mikrometer liegen, verstärken diese Schwierigkeiten nur. Wenn ein zu hohes Dotierstoffniveau in das aktive Gebiet des Halbleiters eingeführt wird - das Gebiet in der Nähe des aktiven Überganges - , dann werden unerwünschterinaßen übermäßige elektrische Ströme während des Betriebes erzeugt. Tatsächlich kann im Extremfall, der nicht eintet völliq unüblich ist, ein Kurzschluß am beabsichtigten aktiven übergang entstehen. Letzterer tritt am häufigsten auf, wenn der speziell benutzte Dotierstoff im betroffenen Halbleitermaterial eine
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hohe Diffusionsgeschwindigkeit besitzt. Beispielhaft hierfür sind die hohen Diffusionseigenschaften von Zink in Indiumphosphid. (Siehe A. Hooper, B. Tuck und A. J. Baker, Solid State Electronics, 17, 531 (1974); L. L. Chang und H. C. Casey, Solid State Electronics, 7, 481 (1964)).
Die Verwendung polykristalliner Dünnschicht-Halbleiterzonen im Halbleiterbauelement fügt noch weitere Komplikationen hinzu. Offensichtlich hat eine Halbleiterdünnschicht keine nennenswerte mechanische Festigkeit und muß unterstützt werden. Außerdem muß bei einem Dünnschichtbauelement jede Schicht auf der darunterliegenden Schicht mit ausreichender Haftung aufwachsen, um die erforderlichen mechanischen und elektrischen Eigenschaften gewährleisten zu können. Beispielsweise ist es derzeit zwar leicht, gute InP/CdS-Übergänge durch Aufwachsenlassen von CdS auf InP (siehe die eigene ältere Patentanmeldung P 27 38 ί?85·9) herzustellen, die umgekehrte Schicht-Aufwachsfolge ist aber schwieriger. Es ist deshalb bevorzugt, zunächst auf ein leitendes Substrat eine InP-Schicht niederzuschlagen und dann auf diese eine CdS-Schicht. Dieses erfordert ein leitendes Substrat, das ausreichend mechanische Unterstützung für das Ganze liefert und auf dem InP ohne Blasen zu bilden oder abzublättern haftet. Zusätzlich zu diesen mechanischen Anforderungen und Haftungsbedingungen kommen dann die oben erwähnten Bedingungen für guten elektrischen Kontakt im
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Hinblick auf ein verbessertes Halbleiterbauelement.
Bis heute konnten für gewisse Dünnschichthalbleiterbauelemente sämtliche Anforderungen an Haftung, mechanische Festigkeit und elektrische Kontakte nicht vollständig erfüllt v/erden. Beispielhaft für diese Situation sind die InP/CdS-Dünnschichtbauelemente. Wie erwähnt, ist es wünschenswert, zunächst die InP-Schicht auf ein leitendes Substrat aufzubringen. Eine InP-Schicht, die im Wege einer chemischen Wasserstoffdampftransportreaktion niedergeschlagen wird, haftet auf Molybdän- oder Graphitsubstraten (siehe Bachmann et al., Appl. Phys. Letters, 29, 121 (1976)). Jedoch hat die Substrat/Indiumphospbid-Grenzfläche nicht vollständig befriedigende elektrische Eigenschaften. Das Kontaktproblem zum Substrat, z. B. Graphit oder Molybdän, ist der üblichen Lösung durch Diffusion oder Legieren nicht zugänglich. Da CdS bevorzugt auf InP aufgebracht wird, wird die InP-Dünnschicht als erstes auf ein leitendes Substrat niedergeschlagen. Dieses Verfahren macht jedoch diejenige Seite der InP-Schicht, welche eine Legierungsbehandlung erfordern würde, unzugänglich. Deshalb eignen sich hierfür die üblichen Methoden nicht.
Die Nichtanwendbarkeit der üblichen Methoden sind insbesondere bei Solarzellen-Bauelementen bedeutsam. Hier wird, wenn hoher Widerstand oder hohe Blockierspannung nicht auf geeignete V/er te
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reduziert werden können, der erreichbare Wirkungsgrad unerwünscht begrenzt.
Aufgabe der Erfindung ist es daher, eine Methode zum Erhalt eines Kontaktes niedrigen Widerstandes zu polykristallinen Halbleiterschichten bereitzustellen, bei der nicht mit Legierungs- oder Diffusionsschritten gearbeitet wird, gleichwohl aber die Anforderungen an Haftung, mechanische Eigenschaften und elektrische Eigenschaften erfüllt werden können, so daß beispielsweise auch verbesserte Solarzellen hergestellt werden können.
Gemäß der Erfindung v/eist hierzu das Halbleiterbauelement auf seinem elektrisch leitenden Substrat eine p-leitende GaAs-Schicht auf, auf der eine polykristalline p-leitende InP-Schicht so aufgebracht ist, daß deren Kontakt zum Substrat über die GaAs-Schicht erfolgt.
Das erfindungsgemäße Verfahren zum Herstellen eines solchen Halbleiterbauelementes zeichnet sich dadurch aus, daß auf ein elektrisch leitendes Substrat eine p-leitende GaAs-Schicht niedergeschlagen wird und auf diese eine polykristalline pleitende InP-Schicht derart, daß der Kontakt zum Substrat über die GaAs-Schicht erfolgt.
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Es wurde gefunden, daß die zwischen leitendem Substrat und dem betreffenden Material des Halbleiterbaueleraentes, z. B. Indiumphosphid, niedergeschlagene p-leitende Galliumarsenidschicht einen Kontakt zv/ischen dem Leiter (Substrat) und dem Halbleiter erzeugt, der die erforderliche Haftung ebenso besitzt, wie gute mechanische und elektrische Eigenschaften. Insbesondere können Blockier spannungen von weniger als 0,0'j Volt und Widerstände von weniger als 2 Ohm cm erhalten werden. Die Verwendung dieser GaAs-Zwischenschicht reduziert viele do:"· oben erwähnten Probleme. So ist keine Legierungs- oder Diffusionsbehandlung notwendig, die diesen Verfahrensechritten zugeordneten Schwierigkeiten entfallen daher. Der Niederschlag einer p-leitenden Galliumarsenidschicht auf einem leitenden Substrat kann bequemerweise im Wasserstofftransport-Dainpfreaktionsniederschlagsverfahren erfolgen.
Bei einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung wird also ein Wasserstofftransport-Dampfreaktionsniederschlagsverfahren zum Niederschlagen der GaAs-Schicht auf ein leitendes Substrat benutzt. Das Substrat v/ird so ausgewählt, daß sein thermischer Ausdehnungskoeffizient (im Temperaturbereich zwischen Zimmertemperatur und Reaktionstemperatur des Dampfreaktionsniederschlagsverfahrens) nicht so weit vom Ausdehungskoeffizienten. von Galliumarsenid verschieden ist, daß eine Haftung verhindert würde. Weiterhin sollte das Substrat auch dahingehend ausgo-
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wählt werden, daß es unter den Reaktionsbedingungen des Dampfreaktionsniederschlagsverfahrens inert ist. Beispiele für geeignete Substratmaterialien sind Graphit (z. B. der Graphittyp 5890 PT, ein erschmolzener total gereinigter hochdichter Graphit, wie er von der Carbone-Lorraine Ind. Corp., Boonton, New Jersey vertrieben wird), Tantal und Molybdän. Vor dem Niederschlag wird das Substrat zur Beseitigung jeglicher Fremdstoffe gereinigt. Beispielsweise wird ein Graphitsubstrat gereinigt durch Spülen in Trichloroäthan, gefolgt von einer Methanol-Spülung und einem Ausheizen in Wasserstoffatmosphäre bei 1000 0C.
Eine DampfreaktionsniederSchlagsapparatur zum Niederschlagen von GaAs auf das gereinigte Substrat ist in J. Electrochem. Soc, 113, 724 (1968) von Tietjen und Amick beschrieben (siebe dort insbesondere Fig. 1). Jedoch wird im Unterschied zu Tietjen kein H2Se oder PH, in die Reaktionskammer eingeführt. Statt dessen v/erden Wasserstoffchlorid und AsH, in die Reaktionskammer in getrennten Wasserstoffströmungen eingeführt. Die HCl- oder AsH^-Konzentration in diesen beiden getrennten Gasströmungen und die jeweiligen Durchsätze sind nicht kritisch. Typischerweise ist eine HCl- oder AsH,-Konzentration von 2 % in Viasserstoff bei einem Durchsatz zwischen 100 und 400 cm^ pro Minute (gemessen in einem 7 cm-Reaktionsrohr) adäquat. Die HCl-Gasströmung wird über ein Schiffchen geleitet, das auf
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500 bis 1200 0C, vorzugsweise 700 bis 900 0C, erhitztes elementares Gallium enthält. Die dann HCl und HCl/Ga-Reaktionsprodukte enthaltende Strömung wird anschließend mit der AsH,-enthaltenden Strömung kombiniert, wobei dann auch Dotierstoffe eingeführt werden. Bei einer bevorzugten Ausführungsform wird Zink als Dotierstoff zugesetzt, und zwar dadurch, daß eine reine Wasserstoffgasströraung mit einem (auf ein Rohr mit 1 cm Durchmesser bezogenen) Durchsatz von 20 bis 200 cnr/Minute, vorzugsweise von 40 bis 60 cnr/Minute, über elementares Zink geleitet wird, das auf 250 bis 600 0C, vorzugsweise auf 300 bis 400 0C, erhitzt ist. Falls erforderlich, wird reiner Wasserstoff der kombinierten HCl-Ga, AsH, und Zn enthaltenden Strömung in der Reaktionszone zugesetzt, um einen Gesamtdurchsatz von 100 bis 3000 cnr/Minute, vorzugsweise von 500 bis 1000 cmJ/ Minute zu erhalten, wobei die Reaktionszone auf 700 bis 900 0C erhitzt ist. Die kombinierte Gasströmung v/ird dann über das gereinigte Substrat geleitet, das auf 500 bis 800 0C, vorzugsweise auf 600 bis 700 0C, erhitzt ist.(Die obigen Bedingungen wurden als geeignet befunden für ein etwa 1,5 m langes Reaktionsrohr mit einem Innendurchmesser von 7 cm. Eine Änderung der Geometrie beeinflußt die Grenzen der angegebenen Bereiche. Weiterhin ist eine gegenseitige Abhängigkeit der einzelnen Bedingungen vorhanden, so erfordert beispielsweise ein höherer Durchsatz gewöhnlich eine Neueinstellung der Substrattemperatur.
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Es ist also eine Kontrollprobe erforderlich, um die besten Bedingungen für eine gegebene Reaktionskammergeometrie zu bestimmen. )
Der Niederschlagsprozeß wird solange fortgesetzt, bis sich die gewünschte GaAs-Schichtdicke niedergeschlagen hat. Dicken von wenigstens 1 Mikrometer sind für einen zuverlässigen Kontakt erwünscht, während andererseits Dicken von mehr als etwa 50 Mikrometer unwirtschaftlich werden. Ladungsträgerkonzentra-
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tionen von 10 bis 10 cm sind leicht erreichbar, indem man die Zinkquellenteraperatur und den Gasdurchsatz über dieser Quelle entsprechend verändert. Die im Einzelfall bevorzugte Ladungsträgerkonzentration hängt vom verwendeten leitenden Substrat ab. Für Graphit ist eine p-Ladungsträgerkonzentra-
18 19 —^
tion zwischen 10 und 5 x 10 * cm geeignet. Für Tantal und Molybdän sind Ladungsträgerkonzentrationen von etwa 2 χ 10 cm geeignet.
Die Oberflächenqualität des niedergeschlagenen GaAs ändert sich mit der Laduingsträgerkonzentration und dem verwendeten Dotierstoff. Die GaAs-Schicht braucht nicht kontinuierlich zu sein, da ein Kurzschluß zwischen dem leitenden Material und dem benachbarten Halbleitermaterial des Bauelementes tatsächlich dasjenige ist, was gewünscht wird. Nichtsdestweniger
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hängt die auf das GaAs niedergeschlagene Halbleitermaterial, z. B. Indiumphosphid, von der Oberflächenqualität der GaAs-Schicht ab. Letztere muß daher genügend gleichförmig sein, um die Ausbildung einer löcherfreien Halbleiterschicht zu begünstigen. In dieser Hinsicht ist die Verwendung von Zink als Dotierstoff vorteilhaft, da dieses zur Bildung einer gleichförmigen GaAs-Schicht beiträgt.
Das gewünschte Halbleiterbauelement wird also auf der niedergeschlagenen GaAs-Schicht aufgebaut. Das kontaktierte Halbleitermaterial muß blasenfrei und abblätterungsfrei am GaAs haften und mit diesem eine Grenzfläche bilden, deren Blockierspannung kleiner als 0,05 Volt ist und deren Widerstand unterhalb 2 Ohm cm liegt. Beispielsweise erfüllt eine p-leitende Indiumphosphid-Dünnschicht diese Bedingungen. Bei einer bevorzugten Ausführungsform wird eine p-leitende InP-Schicht auf das GaAs beispielsweise in dem von Bachmann et al. in J. Electrochem. Soc, 123, 1509 (1976) beschriebenen Verfahren niedergeschlagen. Entsprechend diesem Dampfreaktionsniederschlagsprozeß wird durch Palladium hindurchdiffundierter Wasserstoff durch einen Sprudler hindurchgeleitet, der auf zwischen 0 und 5 0C gehaltenes Phosphortrichlorid enthält. Der Hp-Durchsatz und die Sprudlertemperatur wird so eingestellt, daß ein PCl^-Molenbruchteil von 1 bis 5 % in H2 erhalten wird. Der mit PCI-, ge-
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sättigte Wasserstoff wird dann über elementares Indium geleitet, das auf etwa 740 0C erhitzt ist. Die !^-Strömung wird schließlich über das leitende Substrat zu Niederschlagszwecken geleitet. Ein kleinerer Anteil an Cd oder Zn als Dotierstoff wird der Hauptgasströmung stromaufwärts vom Substrat beigemischt, indem elementares Cadmium oder Zink in einer getrennten !^-Strömung auf etwa 450 bzw. 500 0C erhitzt wird. Das Substrat mit dem GaAs wird auf etwa 630 0C erhitzt.
Sodann werden auf den niedergeschlagenen Halbleiter eine oder mehrere Halbleiter- oder Metallschichten, z. B. InP, aufgebaut, um das Halbleiterbauelement zu vervollständigen, beispieln weise um ein Halbleiterbauelement zu erhalten, d. h. ein Bauelement mit elektrischem Gleichrichterverhalten, z. B. ein Schottky-Sperrschicht-Bauelement.
Ein Beispiel eines gleichrichtenden Bauelementes ist ein p-InP/n-CdS-Heteroübergang. Bei einer bevorzugten Ausführungsform wird n-CdS auf das (oben beschriebene) p-InP in einem Wasserstofftransport-Dampfreaktionsniederschlagsverfahren unter Verwendung von H2S als Ätzmittel niedergeschlagen (siehe die eigene ältere Anmeldung P 27 38 585.9). Kurz gesprochen wird die p-InP/p-GaAs/Substrat-Baueinheit in ein Reaktionsrohr eingesetzt und auf 610 bis 630 0C erhitzt. Eine H2S enthaltende
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Wasserstoffströmung wird über eine auf 690 bis 710 0C erhitzte CdS-Quelle geleitet. Typischerweise liegt der Molenbruchteil von H2S in Wasserstoff zwischen 2 und 3 %. Die Wasserstoffgasströmung wird dann über die InP/GaAs/Substrat-Baueinheit geleitet. Der Niederschlag wird solange fortgesetzt, bis die gewünschte CdS-Schichtdicke erhalten wird. Sie liegt typischerweise bei 1 bis 20 Mikrometer. Da jedoch eine Ätzung des InP auftritt, wird das polykristalline InP in der Gasströmung ausreichend kurze Zeit gehalten, um ein Durchätzen bis zum GaAs zu vermeiden.
Hat das CdS noch nicht die gewünschte Dicke nach seiner Entfernung aus der Wachstumsapparatur, dann kann die Schichtdicke nach üblichen Methoden noch weiter verstärkt werden, beispielsweise im Molekularstrahlepitaxieverfahren (siehe Wagner, Appl. Phys. Letts., 22, 351 (1973) und J. Appl. Phys., 45, 246 (1974)). Der Kontakt zur n-CdS-Schicht erfolgt über ein Indiumgitter oder über eine flüssige eutektische Indium-Gallium-Legierung. Ein p-InP/n-CdS-Dauelement auf einem mit GaAs beschichteten Graphitsubstrat, das im vorstehenden Verfahren hergestellt wurde, zeigte im wesentlichen keine Blockierspan-
nung und einen Widerstand von weniger als 2 Ohm cm . Die selbe Vorrichtung hatte, als Solarzelle betrieben, einen deutlich erhöhten Wirkungsgrad gegenüber einer ähnlichen p-InP/n-CdS-Zelle, bei der die p-InP-Schicht direkten Kontakt mit dem Gra-
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phitsubstrat bildete. (Die Wirkungsgrade lagen bei etwa 4,9 bzw. 2,5 96 unter Luftmasse-2-Bedingungen. Jedoch war ein Teil der gemessenen Erhöhung dem beim Niederschlagen der CdS-Schicht verwendeten Xtzprozeß zuzuschreiben.)
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Claims (9)

  1. BLUMBACH · WESER · BERGEN · KRAMER
    PATENTANWÄLTE IN MÜNCHEN UND WIESBADEN
    Patentconsult RadecfcestraBe 43 8000 München 60 Telefon (089) 883603/885604 Telex 05-212313 Telegramme Pateniconsull Patentconsult Sonnenberger Straße 43 62CO Wiesbaden Telefon (06121) 562943/561998 Telex 04-186237 Telegramme Palentconsult
    Western Electric Company, Incorporated
    New York, N.Y., USA Johnston 11-13
    Elektrische Kontaktierung einer polykristallinen Halbleiterschicht eines Halbleiterbauelementes
    (Zusatz zu Patentanmeldung P 27 14 221.8)
    Patentansprüche
    Λ
    1.j Halbleiterbauelement mit einer polykristallinen p-leitenden InP-Schicht auf einem elektrisch leitenden Substrat entsprechend Patentanmeldung P 27 14 221.8, dadurch gekennzeichnet , daß der Kontakt zum Substrat über eine p-leitende GaAs-Schicht erfolgt, die zwischen dem Substrat und der InP-Schicht niedergeschlagen ist.
  2. 2. Bauelement nach Anspruch 1, dadurch g e k e η η -
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    München: R. Kramer Dipl.-Ing. . W. Weser Dipl.-Phys. Dr. rer. nat. · P. Hirsch Dip·, !ng. . H. P. Brehm Dipl.-Chem. Dr. ph,I. nat. Wiesbaden: P. G. Blumbach Dipl.-Ing. · P. Bergen Dipl.-Ing. Dr. jur. · G. Zwirner Dipl.-Ing. Dipl.-W.-Ing.
    zeichnet , daß eine η-leitende CdS-Schicht auf der InP-Schicht niedergeschlagen ist.
  3. 3. Bauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß Graphit, Tantal und/oder Molybdän für das elektrisch leitende Substrat vorgesehen ist.
  4. 4. Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet , daß die GaAs-Schicht eine La-
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    dungsträgerkonzentration von 10 bis 5 x 10 cm aufweist.
  5. 5. Bauelement nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet , daß die Ladungsträgerkonzentration durch eine Zinkdotierung erzeugt ist.
  6. 6. Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet , daß der elektrische Widerstand der Grenzfläche zwischen der GaAs-Schicht und der InP-Schicht
    kleiner als 2 Ohm cm ist und daß die Blockierspannung hierzwischen kleiner als 0,05 Volt ist.
  7. 7· Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelementes nach einem oder mehreren der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennze ichnet , daß auf ein elektrisch leitendes Substrat eine p-leitende GaAs-Schicht niedergeschlagen wird, und auf diese eine polykristalline p-leitende InP-
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    Schicht derart, daß deren Kontakt zum Substrat über die GaAs-Schicht erfolgt.
  8. 8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet , daß der elektrische Widerstand der Grenzfläche zwischen der GaAs-Schicht und der InP-Schicht auf
    einem kleineren V/ert als 2 Ohm cm und die Dlockiercpannung hierzwischen unterhalb 0,05 Volt gehalten wird.
  9. 9. Verfahren nach Anspruch 7 oder 8, dadurch gekennzeichnet , daß die Oberflache der InP-Schicht einer Atmosphäre ausgesetzt wird, die gasförmiges HpS in einer für die Ätzung der Oberfläche ausreichenden Menge enthält, und daß η-leitendes CdS auf die geätzte Oberfläche niedergeschlagen wird.
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DE19772750883 1976-11-16 1977-11-14 Elektrische kontaktierung einer polykristallinen halbleiterschicht eines halbleiterbauelementes Pending DE2750883A1 (de)

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