DE3234925A1 - Duennschichtvorrichtung und verfahren zu deren herstellung - Google Patents

Duennschichtvorrichtung und verfahren zu deren herstellung

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DE3234925A1 DE19823234925 DE3234925A DE3234925A1 DE 3234925 A1 DE3234925 A1 DE 3234925A1 DE 19823234925 DE19823234925 DE 19823234925 DE 3234925 A DE3234925 A DE 3234925A DE 3234925 A1 DE3234925 A1 DE 3234925A1
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Masatoshi Hirakata Kitagawa
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Description

Dünnschichtvorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Dünnschichtvorrichtung mit einer Dünnschicht, wie einer Dünnschicht aus amorphem Silizium, auf einem Substrat. Die Erfindung eignet sich für eine Vorrichtung, bei der für eine Integration und Erweiterung aktive oder inaktive Komponenten auf dem Substrat auf dem einen oder dem anderen Zustand angeordnet sind. Insbesondere eignet sich die vorliegende Erfindung für eine Solarbatterie mit amorphem Silizium, bei der viele Elementarbatterien in Reihe verbunden sind.
Gemäß dem bisher bekannten werden integrierte Schaltungen hergestellt durch Integration von Dioden, Transistoren usw. auf einem einkristallinen Siliziumsubstrat. Ihr Problem besteht jedoch in deren hohen Preisen, da sie einen zweidimensionalen Aufbau auf teueren Silizium-Einkristallsubstraten aufweisen, von denen lediglich sehr flache Oberflächenteile benutzt worden sind. In jüngeren Jahren sind verschiedene Vorschläge zur Verbesserung der Integration von Halbleitervorrichtungen gemacht worden. Darunter ist ein dreiminensionaler Schaltungsaufbau vorgeschlagen. Ein Beispiel eines solchen vorgeschlagenen Aufbaus besteht darin, öffnungen durch eine epitaktisch gewachsene -einkristalline Schicht zu bohren und hierauf Dampf niederzuschlagen, um mit der darunter liegenden Elektrode oder Schicht, einen Kontakt herzustellen. Dieses Verfahren ist jedoch nicht
einfach und es ist noch nicht in tatsächliche Benutzung gebracht worden, da es viele problembehaftete Schritte aufweist.
Andererseits gibt es für eine Dünnschicht-Solarbatterie mit einer optoelektronisch wandelnden Dünnschicht auf einem Substrat ein Beispiel in Form einer Solarbatterie mit amorphem Silizium, bei der viele Einheitszellen auf dem Substrat in Reihe verbunden sind, wie es in Fig. 1 (a) gezeigt ist, die eine schematische Perspektive Ansicht einer herkömmlichen seriengeschalteten Solarbatterie zeigt. In Fig. 1 (a) sind mehrere erste Elektroden 2 aus einer transparenten leitenden Schicht mit einem vorbestimmten Muster auf einem transparenten Substrat 1 gebildet. Eine Dünnschicht, die amorphe Siliziumschichten bekannter Nadelstruktur mit Streifenform aufweist, ist auf jeder der ersten Elektroden 2 gebildet. Eine zweite Elektrode 4 ist sowohl auf der Dünnschicht als auch auf einem seitlich erweiterten Teil der ersten Elektrode 2 der nächsten Zelle gebildet. Bei dieser herkömmlichen Vorrichtung bilden die Vorderendteile 5 in Fig. 1(a) Reihenverbindungen, wobei jede erste Elektrode, eine darüber angeordnete zweite Elektrode und eine dazwischen befindliche Dünnschicht eine Solarbatteriezelle bilden; jede erste Elektrode 2 ist an dem Vorderendteil mit der zweiten Elektrode 4 der nächsten Zelle verbunden, wobei Reihenverbindungen der Solarbatteriezellen erzeugt werden. Wenn bei dem in Fig. 1 (a) gezeigten Aufbau die Abmessungen der Vorrichtung groß werden und daher die Länge (/der Vorrichtung groß wird, wird die mittlere Länge des Stromweges groß, wodurch der Reihenwiderstand der Vorrichtung erhöht wird.
Bei einem weiteren Beispiel einer herkömmlichen Vorrichtung, das in Fig. 1 (b) dargestellt ist, sind streifenförmige und parallel angeordnete Transparente erste Elektroden 7 auf einem transparenten Substrat 6 gebildet. Auf den transparenten ersten Elektroden 7 sind Dünnschichten 8 aus amorphem Silizium mit Nadelschichtstruktur und Streifenformmuster angeordnet
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und hierauf sind streifenförroige zweite Elektroden 9 gebildet. Die ersten Elektroden 7 und die zweiten Elektroden 9 sind folgendermaßen gebildet und verbunden: Jede erste Elektrode erstreckt sich über ihre gesamte Länge etwas nach links über den von der hierauf befindlichen entsprechenden Dünnschicht bedeckten Teil hinaus. Jede Dünnschicht geht etwas nach rechts über das rechte Ende der ersten Elektrode 7 hinaus und berührt somit das Substrat 6. Jede zweite Elektrode 9 erstreckt sich über ihre gesamte Länge etwas nach rechts über denjenigen Bereich hinaus, der sich über der darunter befindlichen entsprechenden Dünnschicht 8 befindet. Dadurch ist jede zweite Elektrode 9 an ihrem rechten Endteil mit dem linken Endteil der ersten Elektrode 7 der nächsten rechts gelegenen Zelle verbunden, wodurch eine Serienverbindung aller Zellen auf dem Substrat hergestellt wird, und zwar jeweils längs deren gesamter Länge. Selbst wenn bei dieser herkömmlichen Technik gemäß Fig. 1(b) die Länge der Vorrichtung groß wird, erhöht dies nicht den Stromweg. Da jedoch bei diesem Beispiel das amorphe Silizium durch Glimmentladung in einem relativ niedrigen Vakuum von etwa 1 Torr niedergeschlagen wird, wird die Entladung gestört durch die Mustermaske für die Bildung der amorphen Silizium Dünnschicht in diskreter oder getrennter Streifenform. Daher ist die Genauigkeit des Dünnschichtmusters nicht ausreichend hoch, so daß eine beträchtliche Fläche zum Trennen benachbarter Einheitszellen erforderlich ist und die Ausnutzbarkeit der Substratfläche begrenzt ist. Das Problem bei dieser herkömmlichen Technik besteht in der Notwendigkeit eines genauen Maskenmusters bei der Erzeugung der amorphen Siliziumdünnschicht, was unangenehm ist.
Es ist eine Aufgabe der Erfindung, Probleme der geschilderten Art zu überwinden.
Die Lösung dieser Aufgabe besteht in einer neuen Struktur und Methode zurHerstellung einer Dünnschichtvorrichtung, bei
der diffundierte Zonen wirksam als Leiter verwendet worden, um ausgewählte Teile erster Elektroden, die sich zwischen dem Substrat und einer Dünnschicht befinden, mit ausgewählten Teilen zweiter Elektroden, die sich auf der Dünnschicht befinden, zu verbinden.
Erfindungsgemäße. Lösungsmöglichkeiten der genannten Aufgabe sind in den Patentansprüchen angegeben.
Eine erfindungsgemäße Dünnschichtvorrichtung umfaßt ein Substrat,, eine auf dem Substrat gebildete erste Elektrodeneinrichtung vorbestimmten Musters, eine auf ausgewählten Teilen der ersten Elektrodeneinrichtung und auf einem freiliegenden Teil des Substrates gebildete Dünnschicht vorbestimmten Musters, die wenigstens eine diffundierte Zone aufweist, die wenigstens einen Teil der ersten Elektrodeneinrichtung kontaktiert, und eine auf einem ausgewählten Teil der Dünnschicht gebildete zweiten Elektrodeneinrichtung vorbestimmten Musters, die mit dem oberen Ende der diffundierten Zone in Verbindung steht, wodurch die diffundierte Zone die erste Elektrodeneinrichtung und die zweite Elektrodeneinrichtung verbindet.
Ein Verfahren zur Herstellung einer erfindungsgemäßen Schichtvorrichtung umfaßt folgende Schritte:
Herstellung einer ersten Elektrodeneinrichtung eines vorbestimmten Musters auf einem Substrat, Bildung einer Dünnschicht auf ausgewählten Teilen der ersten Elektrodeneinrichtung und einem freiliegenden Teil des Substrats, Bildung einer Diffusionsquelle in Form eines Metalls vorbestimmten Musters auf einer Seite der Dünnschicht, Diffundieren des Metalls der Diffusionsquelle in die Dünnschicht, zum Erzeugen wenigstens einer diffundierten Zone, Erzeugen einer zweiten Elektrodeneinrichtung auf der Dünnschicht
und möglicherweise auf einem freiliegenden Teil des Substrats, wobei mittels der diffundierten Zone wenigstens ein Teil der ersten Elektrodeneinrichtung und wenigstens ein Teil der zweiten Elektrodeneinrichtung verbunden werden.
Die Erfindung sowie Vorteile und Weiterbildungen der Erfindung werden nun anhand von Ausführungsformen näher erläutert. In der Zeichnung zeigen:
Fig. 1(a) und 1(b) Perspektivansichten von Beispielen herkömmlicher Solarbatterien;
Fig. 2(a), 2(b) Perspektivansichten und Herstellungsstadien einer ersten erfindungsgemäßen Ausführungsform;
Fig. 3(a) , 3 (b) ,
3 (c) und 3(d) Schnittansichten und'
Fig. 3(e) eine schematische Perspektivansicht von
einer Schnittebene aus, zur Darstellung der Herstellung und des Aufbaus einer zweiten erfindungsgemäßen .Ausführungsform;
Fig. 4(α) , 4(b),
4 (c) und 4(d) Schnittansichten einer dritten Ausführungs
form.
In allen Figuren ist die Dicke verschiedener Teile, insbesondere der Dünnschicht, zum Zweck einer klaren Darstellung vergrößert gezeichnet.
Eine erste Ausführungsform der Erfindung ist nachfolgend anhand der Fig. 2(a) bis 2(e) erläutert.
Die Fig. 2(a), 2(b) und 2(c) zeigen das Prinzip der Erfindung, wobtii untere Elektroden 12, 12 und obere Elektroden '14, 16
y-
/ίο.
beidseits einer Dünnschicht 13 angeordnet und durch die Dünnschicht 13 hindurch mittels diffundierter Zonen 13' hoher Leitfähigkeit verbunden sind. Beispielsweise werden die diffundierten Zonen 13' durch Diffusion eines Metalls wie Al gebildet. Als Dünnschicht kann ein PiIm oder eine Schicht aus einkristallinem/ polykristallinem oder amorphem Halbleiter oder aus Kombinationen hiervon verwendet werden. Der Halbleiter kann Si, GaAs oder Mischverbindungen hiervon sein. Als in die Dünnschicht diffundiertes Metall kann Al, Zn, Sb u.s.w. verwendet werden.
Eine Ausführungsform der Dünnschichtvorriehtung wird nun anhand der Fig. 2(a) bis 2(c) erläutert.
Zunächst wird eine gereinigte Glasplatte 11 als Substrat bereitet und dann werden Al-Elektroden 12, 12 durch Dampf~ niederschlag erzeugt, wie es in Fig. 2(a) gezeigt ist. Dann wird durch Zersetzung von SiH. mittels einer Glimmentladung eine amorphe Siliziumschicht 13 kontinuierlich über den Elektroden 12 und der freiliegenden Fläche des Substrates 11 gebildet, und zwar auf solche Weise, daß Anschlußteile 12", 12" der Elektroden 12 nicht bedeckt werden. Die Bildung des amorphen Silizium wird mittels eines Glimmentladungsprozesses durchgeführt, bei dem das Substrat bei einer Temperatur in einem Bereich von 180 0C bis 300 0C in einem Vakuum von 0,2 bis 2 Torr gehalten wird. Beispielsweise wird eine 5.000 A (500 nm} dicke Schicht durch einen 30 Minuten dauernden Prozeß erzeugt. Während dieses Prozesses diffundiert Aluminium der Al-Elektroden 12, 12 an den mit der amorphen Siliziumschicht 13 bedeckten Stellen in die amorphe Siliziumschicht 13, und die Diffusionsfront dringt durch die Schicht bis zu deren oberer Fläche, wobei Al~diffundierte Zonen 12', 12'... erzeugt werden. Die Dicke der als Diffusionsquelle niedergeschlagenen Aluminiumschicht sollte vorzugsweise wenigstens
vergleichbar zur Dicke der darauf aufzubringenden amorphen Dünnschicht sein. Danach werden zweite Elektroden 14, 16 derart aufgedampft, daß sie den ersten Elektroden 12, 12 gegenüberliegen, mit der Dünnschicht 13 dazwischen. Der gemessene spezifische Widerstand zwischen einem unteren Elektrodenanschluß 15 und einem hierüber befindlichen oberen Elektrodenanschluß 16 und spezifische Widerstände zwischen einem unteren Elektrodenanschluß 17 und einem darüber befindlichen oberen Elektrodenanschluß 14 sind kleiner als 1O/lcm und diese Werte sind viel kleiner als bekannte Werte von etwa 10 -fX cm bei herkömmlichem amorphem Silizium. Setzt man voraus,.daß die
Dicke der Dünnschicht etwa 5.000 A beträgt, kommt man zu einem tatsächlichen Widerstand von 10 ..XX oder weniger, was ausreichend klein für die elektrische Verbindung in Dickenrichtung ist.
Als Metall für die unter der Dünnschicht 13 anzuordnende Diffusionsmetallquelle kann anstelle von Al. Au, In, Pd oder Pt verwendet werden.
Für dan Fall, daß Al als Diffusionsmetallquelle verwendet wird, kann ein selektiver Teil oder können selektive Teile der Al-Oberfläche oxidiert werden, um eine Diffusion hieraus zu verhindern, um die Fläche zu begrenzen oder ein gewünschtes Muster der diffundierten Zone 13' zu erhalten.
Durch Verwendung der erfindungsgemäßen Methode kann eine vertikale Verbindung mittels der diffundierten Zone oder mittels diffundierter Zonen 13' durch jegliche Art von Dünnschicht hindurch hergestellt werden, beispielsweise durch eine aus Nadelschichten bestehende Halbleiterdünnschicht hindurch, wodurch eine komplizierte Schaltungsstruktur zustande gebracht werden kann.
Eine konkrete Ausführungsform einer erfindungsgemäßen Dünnschicht-Solarbatterie wird nun anhand der Fig. 3(a) bis · 3(d) erläutert, die Schnittansichten von Schritten bzw. Stadien zur Herstellung der erfindungsgemäßen Dünnschicht-Solarbatterie zeigen, und der Fig. 3 (e), die eine Perspektivansicht der gefertigten Dünnschicht-Solarbatterie zeigt.
Zunächst wird eine gereinigte Glasplatte 20 als Substrat bereitet. Hierauf wird eine transparente Elektrode 21, beispielsweise eine SnQ-Schicht, auf nahezu allen Teilen des gereinigten Glassubstrates 20 gebildet, und zwar durch eine bekannte Dampfniederschlagsmethode, wie es in Fig. 3(a) gezeigt ist.
Dann wird die transparente Elektrode 21 mittels einer bekannten Methode geätzt, um streifenförmige Elektroden 21 ', 21'... zu bilden, die parallel zueinander mit vorbestimmten Abständen 20', 20'... zwischen ihnen angeordnet sind.
Danach werden, wie dies in Fig. 3(b) gezeigt ist, Al-Streifen 22, 22... als Diffusionsmetallquellen, die je ein Ende je einer Elektrode 21' berühren, mittels bekanntem Dampfniederschlag gebildet. Die Figuren sind in vertikaler Richtung vergrößert gezeichnet, um die Konfiguration klar darzustellen. Die Erzeugung des Al 22 in Streifenform kann durchgeführt werden mit Hilfe irgendeiner bekannten geeigneten Methode, wie Dampfniederschlag unter Verwendung einer (nicht gezeigten) Maske mit Streifenmuster -oder Dampfniederschlag auf im wesentlichen der gesamten Oberfläche des gemäß vorausgehendem bearbeiteten Substrats, worauf ein photolitographisches Ätzen zur Herstellung des streifenförmigen Musters des Al folgt. Danach wird eine Halbieiterdünnschicht, beispielsweise eine amorphe Siliziumdünnschicht 23 mit Nadelstruktur, kontinuierlich auf im wesentlichen der gesamten Oberfläche des Substrates gebildet, wie es durch
Fig. 3{c) dargestellt ist. Die amorphe Siliziumdünnschicht 23 wird gebildet mittels einer bekannten Methode, die Zersetzung von SiH- mittels Glimmentladung.
Die Erzeugung des amorphen Siliziums wird durch einen Glimmentladungsprozeß durchgeführt, wobei das Substrat bei einer Temperatur zwischen 180 0C und 300 0C in einem Vakuum von 0,2 bis 2 Torr gehalten wird. Beispielsweise wird durch einen
30 Minuten dauernden Prozeß eine 5.000 A (500 nm)dicke Schicht erzeugt. Während dieses Prozesses des Erzeugens des amorphen Siliziums diffundiert Aluminium der von der amorphen Siliziumschicht 23 bedeckten Diffusionsquelle 22 in die amorphe Siliziumschicht 13, und die Diffusionsfront durchdringt die Schicht bis zur oberen Fläche, wodurch Al-diffundierte Zonen 24, 24... erzeugt werden, wie in Fig. 3(c) gezeigt ist. Jede Al-diffundierte Zone 24 ist so gebildet, daß sie das rechte Ende je einer ersten Elektrode 21' kontaktiert. Die Dicke der als Diffusionsquelle niedergeschlagenen Aluminiumschicht sollte vorzugsweise mindestens der Dicke der hierauf niederzuschlagenden amorphen Dünnschicht vergleichbar sein.
Danach werden zweite Elektroden 25, 25 aus einem geeigneten Metall, wie Aluminium, in Streifenform so aufgedampft, daß sie nahezu den ersten Elektroden 21', 21'... gegenüberliegen, mit der Dünnschicht 23 dazwischen, wie es in Fig. 3(d) gezeigt ist. Jede zweite Elektrode 25 ist so gebildet, daß sie mit ihrem linken Ende die Oberfläche der diffundierten Zone 24 kontaktiert. Ein Paar, gebildet durch eine untere Elektrode 21' und eine darüber befindliche obere Elektrode 25, mit der amorphen Siliziumschicht 23 dazwischen, bildet eine Zelle einer Solarbatterie. Die Solarbatteriezellen sind in Reihe geschaltet, und zwar durch die Verbindung der rechten Enden dor unteren Elektroden 21' mit den linken Enden der obcum Kickt roden 2r> der nächsten Solarbatteriezellen mittels
der diffundierten Zonen 24. Wenn die Dicke dor Dünnschicht
etwa 5.000 A (500 nm) beträgt, ist der Widerstand zwischen der unteren Elektrode 21' und der oberen Elektrode 25 für jede Zelle etwa 10 lL· oder niedriger, was ausreichend klein ist für die elektrische Verbindung in Dickenrichtung.
Als Metall für .die unteren und die oberen Elektroden kann anstelle von Al Au, In, Pd oder Pt verwendet werden.
Schließlich werden Ableitungsdrähte 26 und 27 aus Golddraht oder dergleichen an die oberen Elektroden beider Enden angeschlossen, wie es in Fig. 3(d) gezeigt ist und eine Solarbatterie, wie sie in Fig. 3(e) gezeigt ist, ist fertiggestellt.
Anstatt das Muster des Diffusionsquellenmetalls vor der Erzeugung der Halbleiterdünnschicht 23 zu bilden, kann man einen anderen Weg wählen, wie den in Fig. 4(a) und (b) gezeigten. Dabei werden Diffusionsquellen-Metallstreifen 22', 22'... auf die Halbleiterdünnschicht 23 aufgedampft, und danach werden die Diffusionsquellen-Metallstreifen 221, 22'... mittels eines Laserstrahlenbündels oder eines Strahlenbündels gleicher Energie bestrahlt. Dadurch werden die Diffusionsquellen-Metallstreifen erwärmt und zum Eindiffundieren in dieDünnschicht 23 veranlaßt, um die diffundierte leitende Schicht 24 zu bilden, wie es in Fig. 4(c) gezeigt ist. Die letzten Schritte, nämlich die Erzeugung der zweiten oder oberen Elektroden 25, 25... und der Ableitungsdrähte 26 und 27 sind im wesentlichen dieselben wie bei dem vorausgehenden Beispiel gemäß Fig. 3(a) bis Fig. 3(d).
Eine weitere Methode besteht darin, die Aluminiumstreifen 22, 22... als Diffusionsquelle auf vorbestimmten Stellen auf der Halbleiterdünnschicht, wie der amorphen Siliziumdünnschicht 23, während der Zeitdauer aufzudampfen, während welcher das Substrat auf erhöhter Temperatur gehalten wird,
so daß das Aluminium gleichzeitig mit dessen Niederschlag diffundiert wird.
Eine weitere Methode besteht darin/ die Aluxniniumstreifen 22, 22... als Diffusionsquelle an vorbestimmten Stellen auf der Halbleiterdünnsehicht, wie einer amorphen Siliziumdünnschicht 23, aufzudampfen, nachdem die Substrattemperatur im wesentlichen auf Raumtemperatur zurückgegangen ist, und danach die Substrattemperatur zu erhöhen, um somit die AIuminiumdiffusionsquelle zu diffundieren nachdem sich die Temperaturen des Substrats mit den zweiten oder oberen Elektroden 25, 25... hierauf abgesenkt hat.
Bei Anwendung der Erfindung erhält man auf einer Vorrichtung eine Serienverbindung entlang der Längen ihrer Einheitszellen sehr leicht ohne die Verwendung komplizierter Masken oder einer Vielzahl photolitographischer Prozesse, und daher ist die Leitfähigkeit der Serienverbindung zufriedenstellend. Durch Verzicht auf Photolackmasken kann man ferner mit der 2eit eintretende Verschlechterungen aufgrund möglicher Nadellöcher in solchen Masken vermeiden und demzufolge wird die Produktionsausbeute stark verbessert. Da die Zuverlässigkeit und die Leitfähigkeit der Verbindung zwischen den diffundierten Zonen und den Elektroden zufriedenstellend sind, genügt überdies eine mäßige Breite der diffundierten Zone für die Verbindung, und daher kann die Breite W einer Einheitszelle oder eines Elementes der Vorrichtung kleiner gemacht werden als bei der herkömmlichen Vorrichtung gemäß Fig. 1(a) oder Fig. 1(b). Daher kann man unter Anwendung der vorliegenden Erfindung eine höhere Integration erreichen.

Claims (14)

  1. Prio.: 1. 26. September 1981 Nr. Sho 56-152751 (152751/1981) 2. 26. September 1981 Nr. Sho-56-152734 (152734/1981)
    Dünnschichtvorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung
    PATENTANSPRÜCHE
    1 .) Dünnschichtvorrichtung,
    gekennzeichnet durch
    ein Substrat (11, 20),
    eine erste Elektrodeneinrichtung (12, 21') vorbestimmten Musters, die auf dem Substrat (11, 20) gebildet ist, eine auf ausgewählten Teilen der ersten Elektrodeneinrichtung (12, 21') und dem freiliegenden Teil des Substrats (11, 20) gebildete Dünnschicht (13, 23) vorbestimmten Musters, die wenigstens eine diffundierte Zone (13*, 24) aufweist, die mindestens
    einen Teil der ersten Elektrodeneinrichtung' (12, 21') kontaktiert,
    und eine zweite Elektrodeneinrichtung (14, 16, 25) eines vorbestimmten Musters, die auf einem ausgewählten Teil der Dünnschicht (13, 23) gebildet ist und das obere Ende der diffundierten Zone (131, 24) kontaktiert, so daß die diffundierte Zone (13*, 24) die erste Elektrodeneinrichtung (12, 21') und die zweite Elektrodeneinrichtung (14, 16, 25) verbindet.
  2. 2. Dünnschichtvorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
    daß die erste Elektrodeneinrichtung mehrere getrennte erste Elektroden (21') aufweist,
    daß sich die Dünnschicht (23) über die mehreren getrennten Elektroden {21') erstreckt und mehrere diffundierte Zonen (24) aufweist, die je mit zugehörigen der ersten Elektroden (21) in Kontakt sind,
    und daß die zweite Elektrodeneinrichtung mehrere getrennte zweite Elektroden (25) aufweist, von denen jede mit dem oberen Ende der zugehörigen der mehreren diffundierten Zonen (24) in Kontakt ist und einen Bereich derjenigen getrennten ersten Elektrode (21') abdeckt, die der über diese diffundierte Zone (24) mit dieser zweiten Elektrode (25) verbundenen ersten Elektrode (21') benachbart ist.
  3. 3. Dünnschichtvorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Dünnschicht (13, 23) aus amorphem Silizium besteht.
  4. 4. Dünnschichtvorrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Dünnschicht (13, 23) Nadelstruktur aufweist.
  5. 5. Dünnschichtvorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat (11, 20) und die getrennten ersten Elektroden {12, 21') transparent sind.
  6. 6. Dünnschichtvorrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Dünnschicht (13, 23) eine amorphe Siliziumschicht mit Nadelstruktur ist.
  7. 7. Verfahren zur Herstellung einer Dünnschichtvorrichtung, dadurch gekennzeichnet,
    daß auf einem Substrat (11, 20) eine erste Elektrodeneinrichtung (12, 21') vorbestimmten Musters gebildet wird, daß auf ausgewählten Teilen der ersten Elektrodeneinrichtung (12, 21') und auf dem freiliegenden Teil des Substrats (11, 20) eine Dünnschicht (13, 23) gebildet wird, daß zur Erzeugung wenigstens einer diffundierten Zone (13*, 24) Metall von einer Diffusionsquelle (12, 22) in die Dünnschicht (13, 23) diffundiert wird
    und daß eine zweite Elektrodeneinrichtung (14, 16,· 25) auf der Dünnschicht (13, 23) gebildet wird, so daß mittels der diffundierten Zone (13* 24) wenigstens ein Teil der ersten Elektrodeneinrichtung (12, 21') und wenigstens ein Teil der zweiten Elektrodeneinrichtung (14, 16, 25) verbunden werden.
  8. 8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Elektrodeneinrichtung mit einer Vielzahl getrennter erster Elektroden (211J hergestellt wird, daß die Dünnschicht (23) sich über die Vielzahl getrennter erster Elektroden (21') erstreckend hergestellt wird, daß mit der Diffusion eine * Vielzahl diffundierter Zonen (24) hergestellt wird, die je mit ihrem Bodenteil eine entsprechende getrennte erste Elektrode (21') kontaktieren, daß die zweite Elektrodeneinrichtung mit einer Vielzahl getrennter zweiter Elektroden (25) hergestellt wird, von denen
    -A-
    jede das obere Ende der entsprechenden diffundierten Zone (24) kontaktiert und einen Bereich derjenigen getrennten ersten Elektrode (21') überdeckt, die der über die diffundierte Zone (24) mit der zweiten Elektrode (25) verbundenen ersten Elektrode {21') benachbart ist, und daß die getrennten ersten Elektroden (21') und die getrennten zweiten Elektroden (25), die über der jeweils benachbarten getrennten ersten Elektrode (21') angeordnet sind, je durch die diffundierten Zonen (24) verbunden werden, so daß in Reihe geschaltete Zellen gebildet werden, die je eine der getrennten ersten Elektroden (21"), eine der getrennten zweiten Elektroden (25) und die Dünnschicht (23) dazwischen umfassen.
  9. 9. Verfahren nach Anspruch 7 oder 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Diffusion gleichzeitig mit der Erzeugung der Dünnschicht (13, 23) durchgeführt wird.
  10. 10. Verfahren nach Anspruch 7 oder 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Dünnschicht (13, 23) aus amorphem Silizium hergestellt wird.
  11. 11. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Dünnschicht (13, 23) aus amorphem Silizium hergestellt-
  12. 12. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Dünnschicht (13, 23) mit Nadelstruktur hergestellt wird.
  13. 13. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Diffusion gleichzeitig mit der Erzeugung der Dünnschicht (13,23) hergestellt und die Dünnschicht (13, 23) mit Nadelstruktur erzeugt wird.
  14. 14. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Diffusion gleichzeitig mit der Erzeugung der Dünnschicht (13, 23) hergestellt und die Dünnschicht (13, 23) mit Nadelstruktur gebildet wird.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3712589A1 (de) * 1987-04-14 1988-11-03 Nukem Gmbh Verfahren zur herstellung von in reihe verschalteten duennschicht-solarzellen
DE4000089A1 (de) * 1989-01-06 1990-07-12 Mitsubishi Electric Corp Solarzelle und verfahren zu deren herstellung

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4593152A (en) * 1982-11-24 1986-06-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photoelectric conversion device
US4724011A (en) * 1983-05-16 1988-02-09 Atlantic Richfield Company Solar cell interconnection by discrete conductive regions
EP0189976A3 (de) * 1985-01-30 1987-12-02 Energy Conversion Devices, Inc. Extrem leichter und biegsamer Halbleiter-Modul und Herstellungsverfahren
FR2582446B1 (fr) * 1985-05-24 1987-07-17 Thomson Csf Dispositif semi-conducteur photosensible et procede de fabrication d'un tel procede
JPS6265480A (ja) * 1985-09-18 1987-03-24 Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd 薄膜太陽電池装置
DE4340402C2 (de) * 1993-11-26 1996-01-11 Siemens Solar Gmbh Verfahren zur Kontaktierung von Dünnschichtsolarmodulen

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4042418A (en) * 1976-08-02 1977-08-16 Westinghouse Electric Corporation Photovoltaic device and method of making same
DE2902300A1 (de) * 1978-02-07 1979-08-09 Beam Eng Kk Elektronischer kleinrechner

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4042418A (en) * 1976-08-02 1977-08-16 Westinghouse Electric Corporation Photovoltaic device and method of making same
DE2902300A1 (de) * 1978-02-07 1979-08-09 Beam Eng Kk Elektronischer kleinrechner

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Conf. Record, 12th IEEE Photovaltaic Specialists Conf., 1976, S. 466-470 *
Electronics, Febr. 1980, S. 137-142 *
Solar Energy, Bd. 23, 1979, S. 145-147 *

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3712589A1 (de) * 1987-04-14 1988-11-03 Nukem Gmbh Verfahren zur herstellung von in reihe verschalteten duennschicht-solarzellen
DE4000089A1 (de) * 1989-01-06 1990-07-12 Mitsubishi Electric Corp Solarzelle und verfahren zu deren herstellung
US5017243A (en) * 1989-01-06 1991-05-21 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Solar cell and a production method therefor

Also Published As

Publication number Publication date
DE3234925C2 (de) 1989-06-01
GB2108755A (en) 1983-05-18
GB2108755B (en) 1985-07-10

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8331 Complete revocation