DE3780817T2

DE3780817T2 - Sonnenzelle mit verbesserten elektrischen kontakten.

Info

Publication number: DE3780817T2
Application number: DE8787906865T
Authority: DE
Inventors: T Cavicchi; G Dill; K Zemmrich
Original assignee: Spectrolab Inc
Current assignee: Spectrolab Inc
Priority date: 1986-11-04
Filing date: 1987-09-17
Publication date: 1993-02-04
Anticipated expiration: 2007-09-18
Also published as: DE3780817D1; US4698455A; JPH0656896B2; EP0297113B1; JPH01501826A; WO1988003708A1; EP0297113A1

Description

HINTERGRUND DER ERFINDUNG

Technisches Gebiet

Die vorliegende Erfindung betrifft im allgemeinen Solarzellen, und insbesondere Solarzellen mit Frontkontakten, die über verbesserte elektrische und mechanische Charakteristiken verfügen.

2. Beschreibung des Standes der Technik

Herkömmliche Galliumarsenid[GaAs]-solarzellen bestehen aus einem Halbleiterkörper mit einer Aluminiumgalliumarsenid-Fensterschicht über einer Galliumarsenid-Emitterschicht, die wiederum über einer Galliumarsenid-Basisschicht (Pufferschicht) liegt. Die Fensterschicht und der Emitter haben eine Leitfähigkeit, die entweder vom N-Typ oder vom P- Typ ist, wohingegen die Basis eine entgegengesetzte Leitfähigkeit entweder vom P-Typ oder vom N-Typ hat. Ein NP- oder ein PN-Halbleiterübergang liegt zwischen der Emitterschicht und der Basisschicht. Die Emitterschicht hat eine Licht empfangende Front-Hauptoberfläche, die an die Fensterschicht angrenzt, und die Basisschicht hat eine Rück-Hauptoberfläche. Beim Auftreffen von Lichtenergie auf die Licht empfangende Front-Hauptoberfläche der Zelle werden sowohl in Emitter als auch Basis Elektronen und entsprechende Löcher erzeugt. Aufgrund des Vorhandenseins des Halbleiterübergangs werden Elektronen zumeist auf die eine Hauptoberfläche der Zelle und Löcher auf die andere Hauptoberfläche hingelenkt und verursachen eine Photostromdichte. In einer typischen PN-Übergang- Solarzelle bewegen sich Löcher zu der Licht empfangenden Frontoberfläche der Zelle hin, und Elektronen zu der Rückoberfläche. An den Front- und Rückoberflächen des Halbleiterkörpers der Solarzelle sind metallische Kontakte angebracht, wobei an dem einen Kontakt die Elektronen und an dem anderen Kontakt die Löcher gesammelt werden.
Große Anstrengungen sind aufgeboten worden, um Solarzellen effizienter zu machen. Die elektrischen Kontakte an der Solarzelle beeinflussen die Gesamteffizienz der Solarzelle und stellen so einen die Industrie interessierenden Bereich dar. Die Rekombination von Elektronen wie auch von Löchern an der Kontaktfläche von Metall und Halbleiterkörper, und auch der Kontaktwiderstand zwischen metallischem Kontakt und Halbleiterkörper müssen auf einem Minimum gehalten werden, um eine Solarzelle mit hohem Wirkungsgrad zu erzielen. Zusätzlich muß der vordere elektrische Kontakt eine Fläche bieten, auf der externe Kontakte für eine starke gegenseitige Verbindung mittels Hochtemperaturschweißen oder -löten angebracht werden können.
Bei Galliumarsenid-Solarzellen umfassen die Frontkontakte Gitterlinien und eine ohmsche Stange. Die Gitterlinien stellen das Mittel für die Sammlung der Ladungsträger vom Halbleiterkörper dar, und die ohmsche Stange bietet einen Bereich, auf den elektrische Anschlußdrähte zur Zwischenverbindung mit anderen Solarzellen geschweißt werden können. Üblicherweise wurden die Gitterlinien und die ohmsche Stange direkt auf der Aluminiumgalliumarsenid-Fensterschicht positioniert. Ein niederohmiger Kontakt zwischen Metallkontakt und Fensterschicht ist jedoch wegen der Tendenz des Aluminiumgalliumarsenids zu oxidieren, und wegen der groben Höhe des Potentialwalls zwischen dem Metall und dem Aluminiumgalliumarsenid schwierig zu erreichen.
Als Alternative können Rillen durch die Fensterschicht geätzt werden, wodurch Teile der Emitterschicht selektiv exponiert werden, wie z.B. aus dem Journal of Applied Physics (Journal für Angewandte Physik), Bd. 50, Nr. 2, Februar 1979, S. 963-968 bekannt ist, in dem eine Solarzelle gemäß dem Oberbegriff von Anspruch 1 offenbart wird. Gitterlinien und ohmsche Stange, die aus einer zinkhaltigen Legierung bestehen, werden in den Rillen angebracht, wo sie direkten elektrischen Kontakt mit der Emitterschicht herstellen. Auf den Halbleiterkörper aufgebrachte Kontakte schaffen niederohmigen Kontakt mit dem Emitter. Hochtemperaturschweißen oder -löten der Zwischenverbindungen zu der ohmschen Stange ist jedoch die Ursache dafür, dar Zink aus dem Metallkontakt in die Emitterschicht und in den Bereich der Halbleiterübergangsschicht diffundiert, wodurch der Wirkungsgrad der Zelle verschlechtert wird.
Es ist daher ein Ziel der vorliegenden Erfindung, eine Solarzelle zu schaffen, deren elektrische Kontakte einen niedrigen Kontaktwiderstand und dennoch ausgezeichnete mechanische Integrität aufweisen.
Dieses Ziel wird mit einer Solarzelle gemäß Anspruch 1 erreicht.
Ein weiterer Vorteil dieser Erfindung ist die Schaffung einer Solarzelle mit verbessertem Wirkungsgrad.
Eine Solarzelle gemäß der vorliegenden Erfindung beinhaltet einen Halbleiterkörper mit mindestens einer Kante und im wesentlichen parallelen Hauptoberflächen mit zumindest drei Schichten aus Halbleitermaterial, in welchen beinhaltet sind: eine Front-Aluminiumgalliumarsenid-Fensterschicht, eine mittlere Schicht aus Halbleitermaterial von einem ersten Leitfähigkeitstyp, und eine rückwärtige Basisschicht aus Halbleitermaterial vom entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp. Ein rückwärtiger Metallkontakt bedeckt die Rück-Hauptoberfläche der Zelle. Die Front-Hauptoberfläche wird von einem metallischen Frontkontakt bedeckt, der angrenzend an die Kante einen flachen metallischen Streifen, eine in der Nähe des metallischen Streifens liegende flache leitfähige Stange, sodann zumindest eine metallische Brücke für den elektrischen Anschluß des flachen metallischen Streifens an die flache leitfähige Stange, und eine Mehrzahl von metallischen Kontaktlinien beinhaltet. Die metallischen Kontaktlinien kreuzen die exponierte Front-Hauptoberfläche und erstrecken sich vertikal durch die Aluminiumgalliumarsenid-Fensterschicht, um elektrischen Kontakt mit der Mittelschicht für die Stromabnahme zu schaffen. Die leitfähige Stange kreuzt die metallischen Kontaktlinien und stellt elektrischen Kontakt mit ihnen her. Zwischenverbindungen mit anderen Zellen können demzufolge an den flachen metallischen Streifen angeschweißt oder angelötet werden, ohne die metallischen Kontaktlinien, die mit einem empfindlichen Bereich des Halbleiterkörpers in Verbindung stehen, übermäßig zu erhitzen.
Andere und weitere Aufgaben, Vorteile und kennzeichnende Merkmale der vorliegenden Erfindung ergeben sich aus der folgenden detaillierten Beschreibung von bevorzugten Ausführungsformen der Erfindung in Verbindung mit den beigefügten Zeichnungen. Es zeigt:
Fig. 1a eine Draufsicht auf eine Solarzelle gemäß den Grundgedanken der Erfindung;
Fig. 1b einen Querschnitt entlang der Linie 1b-1b in Fig. 1a;
Fig. 2 eine Draufsicht auf eine Solarzelle, die eine weitere Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulicht; und
Fig. 3 eine perspektivische Ansicht entlang der Linien 3-3 in Fig. Ia, die eine mit einer bevorzugten Methode gemäß den Grundgedanken der Erfindung hergestellte Solarzelle veranschaulicht.
Figuren 1-3 sind keine maßstabsgetreuen Zeichnungen.

BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMEN

Es soll nun näher auf die Figuren 1a und 1b eingegangen werden, in denen eine Solarzelle 10 dargestellt ist mit einem Halbleiterkörper 20, welcher ein erstes Paar von gegenüberliegenden, im wesentlichen parallelen Seiten 21 und 22, ein zweites Paar von gegenüberliegenden, im wesentlichen parallelen und im wesentlichen senkrecht zum ersten Seitenpaar 21 und 22 stehenden Seiten 23 und 24, und des weiteren parallele Front- und Rück-Hauptoberflächen 26 und 27 umfaßt. Der Halbleiterkörper 20 beinhaltet mindestens drei mit Verunreinigungen dotierte Schichten 31, 33 und 36 aus Halbleitermaterial. Die Frontschicht 31 ist eine Aluminiuimgalliumarsenid-Fensterschicht, die entweder P-Leitfähigkeit oder N- Leitfähigkeit haben kann. Die Schicht, die an die Fensterschicht 31 angrenzt, ist eine Emitterschicht 33 und vom gleichen Leitfähigkeitstyp wie die Fensterschicht 31. Die Emitterschicht 33 ist aus Galliumarsenid-Halbleitermaterial gefertigt. Eine Basisschicht 36 liegt angrenzend an die Emitterschicht 33 und ist vom entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp als Emitterschicht 33, entweder mit N- oder P-Leitfähigkeit, und aus Galliumarsenid gefertigt. Ein NP-Übergang 35 befindet sich zwischen Emitterschicht 33 und Pufferschicht 36.
Eine Mehrzahl von im wesentlichen parallelen metallischen Kontaktlinien 40, die im wesentlichen parallel zu den Seiten 23 und 24 liegen, verlaufen zwischen den gegenüberliegenden Seiten 21 und 22 in Längsrichtung über die Front- Hauptoberfläche 26. Diese Kontaktlinien 40 erstrecken sich von der Nähe der Kante von Seite 22 bis in einen geringen Abstand von Seite 21. Die metallischen Linien 40 erstrecken sich auch durch die Aluminiumgalliumarsenid-Schicht 31, um Kontakt mit der Front-Hauptoberfläche 34 der Emitterschicht 33 herzustellen. Die Kontaktlinien 40 sind im wesentlichen gleich breit, in typischen Fällen 15 - 25 um.
Ein flacher metallischer Streifen 50 aus elektrisch leitfähigem Material befindet sich auf der Front-Hauptoberfläche 26. Der flache metallische Streifen 50 liegt angrenzend an Seite 21 des Halbleiterkörpers 20. Der flache metallische Streifen 50 kann beispielsweise eine dünne Metallschicht sein, die sich aus einer Au-Zn-Schicht mit einer typischen Dicke von 100 nm (1000 Å) und einer über der Au-Zn-Schicht liegenden Ag- Schicht mit einer typischen Dicke von 4000 nm (40000 Å) zusammensetzt. Der flache Streifen 50 ist in typischen Fällen rechteckig ausgeformt und kann, wie in Fig. 1 dargestellt, die gleiche Länge wie Seite 21 aufweisen. Eine typische Breite des Streifens 50 (Abmessung A) ist beispielsweise etwa 0,762 mm (0,03 Zoll), was breit genug für das Anschweißen oder Anlöten einer Drahtzwischenverbindung ist. Die Enden der metallischen Kontaktlinien 40 und der Kontaktstreifen 50 sind voneinander getrennt.
Eine flache, leitfähige Stange 60 auf der Front- Hauptoberfläche 26 kreuzt die metallischen Kontaktlinien 40. Die flache Stange 60 ist im wesentlichen parallel zum metallischen Streifen 50 und ist in einem geringen Abstand vom Streifen 50 abgesetzt, in typischen Fällen beispielsweise etwa 0,508 bis 1,270 mm (0,02 bis 0,05 Zoll). Die flache, leitfähige Stange 60 stellt elektrischen Kontakt mit den metallischen Kontaktlinien 40 her. Die leitfähige Stange 60 kann eine dünne, rechteckig ausgeformte Metallschicht sein, die in typischen Fällen etwa 0,254 bis 0,508 mm (0,01 bis 0,02 Zoll) breit und beispielsweise aus Au-Zn-Ag gefertigt sein kann.
Metallische Brücken 70, die auf der Front-Hauptoberfläche angeordnet sind, stellen die elektrische Verbindung des flachen metallischen Streifens 50 mit der flachen leitfähigen Stange 60 her. Drei Brücken 70 sind in Fig. 1a dargestellt, aber mehr oder auch weniger als drei Brücken können vorgesehen werden.
Ein ohmscher Kontakt 80 ist auf der Rück-Hauptoberfläche 27 angeordnet und bedeckt in typischen Fällen die gesamte Rückoberfläche 27 der Solarzelle.
Das Ergebnis ist eine Solarzelle, in welcher der flache metallische Streifen 50 von den an die wärmeempfindliche Emitterschicht 33 angrenzenden metallischen Kontakt linien 40 getrennt ist. Aus diesem Grund ist es möglich, beim Anschweißen von externen Kontakten an den flachen metallischen Streifen 50 hohe Schweißtemperaturen anzuwenden, ohne die metallischen Kontaktlinien 40 übermäßig zu erhitzen, und so eine Beschädigung des darunterliegenden Halbleiterkörpers 20 zu verhüten.
Eine alternative Ausführungsform einer erfindungsgemäßen Solarzelle ist in Fig. 2 veranschaulicht. Komponenten der Ausführungsform nach Fig. 2, die mit den jeweiligen Komponenten der Ausführungsform in Fig. 1a und 1b identisch sind oder ihnen entsprechen, weisen Bezugszeichen mit einer vorgestellten "1" und den gleichen zweiten und dritten Stellen wie das Bezugszeichen der entsprechenden Komponente in Fig. 1a und 1b auf. Ähnlich wie die vorhergehende Ausführung beinhaltet diese Solarzelle einen Halbleiterkörper, einen flachen metallischen Streifen 150, eine flache leitfähige Stange 160 und metallische Brücken 170, die eine elektrische Verbindung zwischen der leitfähigen Stange 160 und dem flachen metallischen Streifen 150 herstellen. Die leitfähige Stange 160 erstreckt sich jedoch nur über einen Teil der Front-Hauptoberfläche der Solarzelle. Eine erste Mehrzahl von an sie anstoßenden, im wesentlichen parallelen metallischen Kontaktlinien 140 verläuft von nahe der Seite 122 bis in einen geringen Abstand vom flachen metallischen Streifen 150 in Längsrichtung über einen Mittelbereich der Front-Hauptoberfläche 126. Eine zweite Mehrzahl von metallischen Kontaktlinien 141 verläuft von nahe der Seite 122 bis hin zum flachen metallischen Streifen 150 über die Front-Hauptoberfläche 126 und erstreckt sich eine kurze Strecke unterhalb des Streifens 150 weiter. Diese Kontaktlinien 141 sind in außengelegenen Bereichen der Front-Hauptoberfläche gelegen, die an deren Mittelbereich angrenzen. Ein mit dem Buchstaben B bezeichneter Bereich des flachen metallischen Streifens 150 steht weder mit der ersten Mehrzahl 140, noch mit der zweiten Mehrzahl 141 von metallischen Linien in direktem Kontakt. In diesem Bereich kann man Hochtemperaturschweißungen durchführen, ohne die metallischen Kontaktlinien 140 und 141 übermäßig zu erhitzen. Das Ergebnis ist die Schaffung einer Solarzelle mit verbesserter Leistung und mechanischer Stabilität. Darüber hinaus können Solarzellen gemäß der vorliegenden Erfindung mit Verfahren mit vergleichsweise niedrigen Kosten und hoher Ausbeute hergestellt werden.
Eine gemäß einem bevorzugten Verfahren hergestellte Solarzelle 10 ist in Fig. 3 veranschaulicht. Komponenten der Ausführungsform nach Fig. 3, die mit den jeweiligen Komponenten der Ausführungsform in Fig. 1a und 1b identisch sind oder ihnen entsprechen, weisen Bezugszeichen mit einer vorgestellten "2" und den gleichen zweiten und dritten Stellen wie das Bezugszeichen der entsprechenden Komponente in Fig. 1a und 1b auf.
Die Herstellung des Halbleiterkörpers 220 ist Stand der Technik, was durch J. Euan, G.S. Kamath & R.P. Knechtli, Large Area GaAlAs/GaAs Solar Cell Development, Conference Record of the 11th I.E.E.E. Photovoltaic Specialists Conference 409 (1975) und G.S. Kamath, J. Euan & R. P. Knechtli, High Efficiency and Large Area GaAlAs/GaAs Solar Cells, 12th I.E.E.E. Photovoltaic Specialists Conference 929 (1976) gezeigt wird, worauf diesbezüglich vollinhaltlich Bezug genommen wird. Die Herstellung einer P-N-N&spplus; Galliumarsenid- Solarzelle kann durch Schaffung eines mit N&spplus;-Leitfähigkeit dotierten Wafersubstrats 213 mit einer Konzentration von etwa 1 bis 3 x 10¹&sup8; verunreinigenden Atomen pro Kubikzentimeter beginnen. Die Substratschicht 213 kann aus Gallliumarsenid bestehen, obwohl Germanium oder Silizium stattdessen verwendet werden können. Das Dotierungsmittel vom N-Typ kann Tellurium, Silizium or Zinn sein, und eine typische Dicke des Substrats ist beispielsweise etwa 300 um.
Eine Schicht 237 aus Galliumarsenid vom N-Leitfähigkeitstyp, in typischen Fällen etwa 5-10 um dick, wird auf die N&spplus;-Galliumarsenidschicht 213 aufgewachsen. Die N-Schicht 237, die aus Tellurium, Silizium oder Zinn sein kann, hat in typischen Fällen eine Konzentration von 2 bis 4 x 10¹&sup7; verunreinigenden Atomen pro Kubikzentimeter.
Sodann wird eine Aluminiumgalliumarsenid-Schicht 231 auf der N-Schicht 237 aufgewachsen. Die Aluminiumgalliumarsenid-Schicht 231 wird mit einem Dotierungsmittel des P- Typs, z.B. Beryllium oder Zink, mit einer typischen Konzentration von 1 bis 3 x 10¹&sup8; verunreinigenden Atomen pro Kubikzentimeter dotiert. Nach Auftrag der Aluminiumgalliumarsenidschicht 231 diffundiert das Dotierungsmittel vom P-Typ (wie etwa Berylliumatome) aus dieser Schicht in die N-Schicht 237 und konvertiert so eine dünne Schicht 233 der Schicht 237 (die Emitterschicht), die zu der Aluminiumgalliumarsenid-Schicht 231 benachbart ist, zu P-Leitfähigkeit. Die Schicht 233 kann beispielsweise eine typische Dicke von etwa 0,3 - 0,5 um aufweisen. Nach Bildung der dünnen Emitterschicht 233 bildet der als Schicht 236 bezeichnete Überrest von Schicht 237 die Basisschicht des Halbleiterkörpers 220. Die Aluminiumgalliumarsenid-Schicht 231 enthält etwa 1 x 10¹&sup8; verunreinigende Atome und wird beispielsweise zu einer typischen Dicke von etwa 0,1 - 0,5 um gezüchtet.
Nach der Herstellung des Halbleiterkörpers wird der Rückkontakt 280 durch Aufdampfen einer Au-Ge-Ni-Ag-Legierung auf die Rück-Hauptoberfläche 227 und durch Sintern zur Bildung eines guten ohmschen Kontakts zwischen dem metallischen Kontakt 280 und dem Halbleitermaterial hergestellt.
In einem optionalen Schritt können eine oder mehr reflexionsverhindernde Überzüge auf der Aluminiumgalliumarsenid-Fensterschicht 231 aufgetragen werden. Zwei reflexionsverhindernde Überzüge aus Al&sub2;O&sub3; bzw. aus TiO&sub2; verwendet werden. Alternativ kann ein einziger reflexionsverhindernder Überzug, beispielsweise entweder aus Si&sub3;N&sub4; oder Ta&sub2;O&sub5;, verwendet werden. Der Einfachheit halber sind jedoch in Fig. 3 keine reflexionsverhindernden Überzüge gezeigt.
Im nächsten Schritt wird eine dicke Photoresist- bzw. Fotolack-Maske (nicht dargestellt), die in einem typischen Fall 6 um dick ist, auf der exponierten Oberfläche 226 der Aluininiumgalliumarsenid-Schicht 231 (oder, falls vorhanden, auf dem sich darauf befindlichen reflexionsverhindernden Überzug) aufgebracht. Der Fotolack wird mit der gewünschten Strukturierung für die metallischen Kontaktlinien 240 belichtet. Die Rillen 243 werden durch die Aluminiumgalliumarsenid-Schicht 231 bis hin zur Frontoberfläche 234 der Emitterschicht 233 eingeätzt. Typische Breiten der Rillen 243 sind beispielsweise 10 - 20 um.
Dieselbe Fotolack-Maske wird ein zweites Mal belichtet, wobei für die metallischen Streifen 250, die leitfähige Stange 260 und die metallischen Brücken 270 Öffnungen (nicht dargestellt) zu der exponierten Hauptoberfläche 226 der Alumiumgalliumarsenid-Fensterschicht 231 durch sie hindurch zurückbleiben. Eine dünne Schicht 245 aus Au-Zn-Legierung kann bis zu einer Dicke von etwa 70-100 nm (700 - 1000 Å) in den Rillen 243 und den offenen Bereichen zu der exponierten Hauptoberfläche 226 aufgesputtert werden, wonach eine Silberablagerung 246 mittels Elektronenstrahl auf eine Dicke von 4 um aufgedampft wird, um die metallischen Kontaktlinien 240, den flachen metallischen Streifen 250, die leitfähige Stange 260 und die metallische Brücke 270 auszubilden. Das überschüssige Metall wird abgehoben, und die strukturierte Metallisierung gesintert.
Die Frontmetallisierung einschließlich Kontaktlinien 240, leitfähiger Stange 260, metallischer Brücken 270 und flachen Streifens 250 können noch mit einer anderen Technik hergestellt werden. Eine dünne Fotolack-Maske wird auf der exponierten Front-Hauptoberfläche 226 der Aluminiumgalliumarsenid- Schicht 231 bis zu einer Dicke von etwa 2 um aufgetragen. Die Verwendung des dünnen Fotolacks minimiert Brüche während mehrfacher Belichtungen. Der Fotolack wird ein erstes Mal belichtet und ergibt die Strukturierung für die metallischen Kontaktlinien 240. Die Rillen 243 werden etwa 5 - 10 um breit durch die Aluminiumgalliumarsenid-Schicht 231 bis hin zur Front-Hauptoberfläche 234 der Emitterschicht 233 geätzt. Der Fotolack wird ein zweites Mal belichtet und schafft so die Strukturierung für den metallischen Streifen 250, die leitfähige Stange 260 und die metallischen Brücken 270. Eine Legierung aus Metallen wie etwa Zink, Gold und Silber wird bis auf eine Dicke von etwa 100-200 um (1000 - 2000 Å) über die Strukturierung gesputtert. Das überschüssige Metall wird daraufhin abgehoben.
Im nächsten Schritt werden die metallischen Gitterlinien bis zu einer typischen Dicke von 5-10 um mit Silber beschichtet. Daraufhin wird die Metallisierung gesintert.
Obwohl die Erfindung anhand bestimter illustrierter Ausführungsformen gezeigt und beschrieben wurde, sind für den Durchschnittsfachmann auf dem Gebiet der vorliegenden Erfindung nichtsdestoweniger verschiedene Änderungen und Modifikationen ersichtlich, die im Schutzumfang der Ansprüche liegen.

Claims

1. Eine Solarzelle (10, 210) beinhaltend:

eine erste Schicht (36, 236) aus Halbleitermaterial eines ersten Leitfähigkeitstyps;

eine zweite Schicht (33, 233) eines Halbleitermaterials eines zweiten, entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps, die auf der ersten Schicht (36, 236) angeordnet ist und dazwischen einen Halbleiterübergang (35) ausbildet, wobei die erste und die zweite Schicht jeweils eine erste und eine zweite Hauptoberfläche (27, 34) aufweisen, die parallel zueinander und parallel zum Halbleiterübergang angeordnet sind;

eine Schicht (31, 231) aus Aluminiumgalliumarsenid-Halbleitermaterial des zweiten Leitfähigkeitstyps, die auf der zweiten Hauptoberfläche (34) angeordnet ist und eine exponierte Front-Hauptoberfläche (26) aufweist, die parallel zur zweiten Hauptoberfläche (34) angeordnet ist und des weiteren eine Vielzahl an Rillen (243) aufweist, die sich vertikal durch die Schicht (31, 231) bis auf die zweite Schicht (33, 233) erstrecken;

elektrisch leitfähiges Material, das die Rillen (243) ausfüllt und die zweite Schicht (33, 233) elektrisch kontaktiert, um metallische Kontaktlinien (40, 140, 240) auszubilden; und

eine flache, leitfähige Stange (60, 160, 260), die quer auf der exponierten Front-Hauptoberfläche (26) über den Rillen (243) angeordnet ist und elektrischen Kontakt mit dem elektrisch leitfähigen Material in den Rillen (243) herstellt;

gekennzeichnet durch:

ein elektrisch leitfähiger, flacher Streifen (50, 150, 250), der auf der exponierten Hauptoberfläche (26) angeordnet ist und Abstand zur leitfähigen Stange (60, 160, 260) und zu den Rillen (243) aufweist; und

wenigstens eine elektrisch leitfähige Brücke (70, 170, 270), die die leitfähige Stange (60, 160, 260) mit dem Streifen (50, 150, 250) elektrisch verbindet.

2. Solarzelle (10, 210) nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dar der erste Leitfähigkeitstyp N-Leitfähigkeit und der zweite Leitfähigkeitstyp P-Leitfähigkeit ist.

3. Solarzelle (10, 210) nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der erste Leitfähigkeitstyp P-Leitfähigkeit und der zweite Leitfähigkeitstyp N-Leitfähigkeit ist.

4. Solarzelle (10, 210) nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Vielzahl an Rillen (243) parallel zueinander angeordnet sind.

5. Solarzelle (10, 210) nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dar die flache, leitfähige Stange (60, 160, 260) und der flache Streifen (50, 150, 250) die Front- Hauptoberfläche (26) queren und parallel zueinander sind, und die metallischen Kontaktlinien (40, 140, 240) senkrecht zur flachen, leitfähigen Stange (60, 160, 260) stehen.