DE1153468B - Lichtempfindliche Halbleiteranordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung - Google Patents

Lichtempfindliche Halbleiteranordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung

Info

Publication number
DE1153468B
DE1153468B DES71071A DES0071071A DE1153468B DE 1153468 B DE1153468 B DE 1153468B DE S71071 A DES71071 A DE S71071A DE S0071071 A DES0071071 A DE S0071071A DE 1153468 B DE1153468 B DE 1153468B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
semiconductor
rod
arrangement according
semiconductor arrangement
resistance
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DES71071A
Other languages
English (en)
Inventor
Dr Heinz Henker
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to NL270665D priority Critical patent/NL270665A/xx
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
Priority to DES71071A priority patent/DE1153468B/de
Priority to CH987161A priority patent/CH394418A/de
Priority to FR875647A priority patent/FR1303364A/fr
Priority to US148257A priority patent/US3134906A/en
Priority to GB38877/61A priority patent/GB931350A/en
Publication of DE1153468B publication Critical patent/DE1153468B/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V7/00—Reflectors for light sources
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F24—HEATING; RANGES; VENTILATING
    • F24S—SOLAR HEAT COLLECTORS; SOLAR HEAT SYSTEMS
    • F24S23/00—Arrangements for concentrating solar-rays for solar heat collectors
    • F24S23/70—Arrangements for concentrating solar-rays for solar heat collectors with reflectors
    • F24S23/74—Arrangements for concentrating solar-rays for solar heat collectors with reflectors with trough-shaped or cylindro-parabolic reflective surfaces
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F24—HEATING; RANGES; VENTILATING
    • F24S—SOLAR HEAT COLLECTORS; SOLAR HEAT SYSTEMS
    • F24S23/00—Arrangements for concentrating solar-rays for solar heat collectors
    • F24S23/70—Arrangements for concentrating solar-rays for solar heat collectors with reflectors
    • F24S23/71—Arrangements for concentrating solar-rays for solar heat collectors with reflectors with parabolic reflective surfaces
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/40—Solar thermal energy, e.g. solar towers
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/12—Photocathodes-Cs coated and solar cell

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Combustion & Propulsion (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)

Description

DEUTSCHES
PATENTAMT
S 71071 Vfflc/21g
ANMELDETAG! 31. OKTOB ER 1960
BEKANNTMACHUNG
DER ANMELDUNG
UNDAUSGABE DER
AUSLEGESCHRIFT: 29. A U G U S T 1963
Die Erfindung bezieht sich auf eine lichtempfindliche Halbleiteranordnung mit wenigstens einem pn-übergang.
Bei einer bekannten lichtempfindlichen Halbleiteranordnung ist der Halbleiterkörper als Stab ausgebildet, bei dem der pn-übergang in der Mitte zwischen den beiden Stabenden liegt und senkrecht zur Stabachse verläuft. Bekanntlich sind nur diejenigen durch die Lichteinstrahlung erzeugten Trägerpaare für die Foto-EMK wirksam, die durch Diffusion zum pn-übergang gelangen können, die also in einem Bereich erzeugt werden, dessen Abstand vom pn-Ubergang nicht größer als diese Diffusionslänge ist. Daraus ergibt sich, daß bei dieser bekannten Anordnung nur ein sehr kleiner Teil der Staboberfläche eine lichtempfindliche Fläche ist. Der Wirkungsgrad derartiger Anordnung ist daher sehr gering und kann auch durch einen, für solche Anordnungen bekannten Einbau in optischen Konzentrationsvorrichtungen wie in einen zylindrischen Sammelspiegel oder ein Rotationsparaboloid nicht wesentlich erhöht werden.
Es sind weiter auch lichtempfindliche Halbleiteranordnungen bekannt, die als Scheibe ausgebildet sind und vor allem als Solarelemente Verwendung finden. Der pn-Ubergang der parallel zu den großen Oberflächen der Scheibe verläuft, liegt dabei so dicht unterhalb einer dieser Oberflächen, daß diese Oberfläche eine lichtempfindliche Fläche darstellt. Bei der Herstellung von derartigen lichtempfindlichen Halbleiteranordnungen machen sich beim Herausschneiden der Scheiben aus großen Kristallen die erheblichen, dabei auftretenden Schnittverluste nachteilig bemerkbar. Außerdem wird durch den Schneidevorgang die Kristalloberfläche zerstört und es ist deshalb ein starkes Abätzen der Scheiben erforderlich. Weiter ist bei solchen Anordnungen, zur Erzielung einer großen lichtempfindlichen Fläche der Raumbedarf für die Anordnung groß.
Demgegenüber wird bei einer lichtempfindlichen Halbleiteranordnung mit wenigstens einem pn-Übergang, bei der ein Halbleiterstab so in einem optischen System angeordnet ist, daß seine Achse in der Brennlinie oder durch den Brennpunkt verläuft, gemäß der Erfindung vorgeschlagen, daß der Halbleiterstab mit einer entgegengesetzt dotierten Schicht versehen ist, welche die Mantelfläche des Stabes wenigstens zum größten Teil bedeckt.
Es ist besonders vorteilhaft, daß bei dieser Anordnung ein mit dem gewünschten Durchmesser gezogener Halbleiterstab verwendet werden kann, da dieser nach dem Ziehen nicht weiterbearbeitet werden muß, so daß die erheblichen Schnittverluste wegfallen und Lichtempfindliche Halbleiteranordnung
und Verfahren zu ihrer Herstellung
Anmelder:
Siemens & Halske Aktiengesellschaft,
Berlin und München,
München 2, Wittelsbacherplatz 2
Dr. Heinz Henker, München,
ist als Erfinder genannt worden
die Kristalloberfläche nicht durch einen Schneidevorgang zerstört wird. Außerdem kann die entgegengesetzt dotierte Oberflächenschicht, die z. B. durch Diffusion oder einkristallines Aufwachen gebildet ist, sehr dünn ausgebildet sein, so daß das spektrale Empfindlichkeitsmaximum mehr nach kurzen Wellen hin, also in das sichtbare Gebiet verschoben werden kann.
Diese Anordnung weist weiter eine im Verhältnis zum Raumbedarf der Anordnung große lichtempfindliche Fläche auf. Da praktisch die ganze Staboberfläche eine lichtempfindliche Fläche ist, kann die Wirkung einer optischen Konzentrationsvorrichtung, bei der sich alle parallel auftreffenden Lichtstrahlen im Brennpunkt bzw. in der Brennlinie des optischen Systems sammeln, auch wirklich völlig ausgenützt werden, da praktisch alle einfallenden bzw. reflektierten Strahlen auf eine lichtempfindliche Oberfläche auftreffen.
Die nähere Erläuterung der Erfindung wird im folgenden an Hand einiger besonders günstiger Ausführungsbeispiele gegeben.
In Fig. 1 ist ein Einkristallstab 2, ζ. Β. ein zylindrischer Stab von einigen Millimetern Dicke, der insbesondere aus Silizium besteht, etwa in der Brennlinie eines zylindrischen Sammelspiegels 1 angeordnet. Dieser kannz. B. aus gedrücktem Metall oder aus spiegelnd metallisiertem Kunststoff bestehen. Der zylindrische Einkristallstab ist auf seiner Mantelfläche mit einer dünnen, den entgegengesetzten Leitungstyp als der innere Teil (Kern) des Stabes aufweisenden Oberflächenschicht versehen. Der Stab weist an seinen
309 669/230
Enden Halterungen 9 und 10 auf. Er kann auch in einen durchsichtigen Kunststoff eingegossen sein, so daß die Halterangen wegfallen können und nur noch Kontaktdrähte zur Stromabnahme vorhanden sein müssen. Der Abstand des Einkristallstabes vom Scheitel 11 des Zylinderspiegels beträgt etwa R/2, wobei R der Radius des Zylinderspiegels ist.
In Fig. 2 ist ein Teil des Einkristallstabes 2 vergrößert dargestellt. Die dünne Oberflächenschicht 6, deren Dicke etwa in der Größenordnung der Diffusionslänge der Ladungsträger liegt, bildet mit dem inneren Teil 7 des Stabes 2 den pn-übergang 3. Zur Kontaktierang des Kerns 7 ist die Oberflächendotierung längs eines von zwei Zylinderlinien 8 und 12 begrenzten schmalen Streifens unterbrochen und ein Ohmscher Kontakt 4, der insbesondere von einem Stabende bis zum anderen verläuft, aufgebracht. Die sperrschichtfreie Kontaktierung der Oberflächenschicht 6 erfolgt ebenfalls durch einen von zwei Zylinderlinien begrenzten Metallstreifen 5. Die längs Zylinderlinien entlang dem ganzen Kristall erfolgte Kontaktierang ist wegen des damit erzielten niedrigen Bahnwiderstandes besonders günstig.
Die in Fig. 1 dargestellte Anordnung ist z. B. mit Vorteil als Fotoelement verwendbar. Bei Bestrahlung mit Licht, dessen Wellenlänge unterhalb der Absorptionskante des verwendeten Halbleitermaterials liegt, bei Silizium also bei etwa 1,2 μΐη, werden in einem von der Diffusionslänge der Ladungsträger abhängigen Bereich des pn-Überganges 3 Elektronen-Lochpaare erzeugt, die durch Diffusion in die Raumladungszone des pn-Ubergangs gelangen und durch die Diffusionsspannung über den pn-übergang getrieben werden. Dadurch wird die Raumladung am pnübergang abgebaut und die Diffusionsspannung um den Betrag V vermindert. Diese Spannung V wird an den Ohmschen Elektroden 4 und 5 als Foto-EMK gemessen.
Gemäß einer weiteren vorteilhaften Ausführungsform der Erfindung können auch mehrere der in Fig. 1 dargestellten lichtempfindlichen Halbleiteranordnungen zu einer Einheit verbunden werden, wie dies in Fig. 3 dargestellt ist. Die mit Haltungen 23 bis 28 versehenen Stäbe 19, 20, 21 sind etwa in der Brennlinie der Spiegel 29, 30 und 31 angeordnet.
In Fig. 4 ist eine andere günstige Ausführangsform einer Halbleiteranordnung gemäß der Erfindung dargestellt. Der z. B. zylindrische Einkristallstab 33 ist hier etwa in der Achse eines innen verspiegelten Rotationsparaboloids 32 angeordnet. Die Achse des Einkristallstabes verläuft hier etwa durch den Brennpunkt des optischen Systems.
In Fig. 5 enthält ein Trägerkörper 13 mehrere innen verspiegelte Rotationsparaboloide 34 bis 38, wodurch mehrere Fotoelemente 14 bis 18 zu einer Einheit verbunden werden und damit der Wirkungsgrad der Anordnung noch wesentlich erhöht wird. Die Kontaktierung des Stabes kann in der oben beschriebenen Weise erfolgen. Es ist zweckmäßig die Paraboloide so nahe aneinander zu rücken, daß möglichst keine senkrecht zum Lichteinfall verlaufende Flächen übrigbleiben.
Bei allen beschriebenen Anordnungen ist es vorteilhaft, das optische System und den Einkristallstab gemeinsam in einen durchsichtigen Kunststoff einzugießen. Es empfiehlt sich dabei, die der Lichtquelle zugewandte Seite des Kunststoffblocks mit einer dünnen Glasplatte abzuschließen, um den Einfluß der Atmosphäre auf den Kunststoff möglichst zu verringern, damit dieser nicht getriibt oder verfärbt wird.
Der Einkristallstab wird z. B. durch tiegelloses Zonenziehen oder durch Ziehen aus der Schmelze hergestellt. Zur Herstellung einer genauen Zylinderform wird beim Ziehen eine besondere Regelvorrichtung verwendet, die den Durchmesser des Stabes konstant hält. Eine weitere jedoch aus elektrischen Gründen nicht so günstige Methode ist es, den Kristall nach der Herstellung zu überschleifen.
Die Umdotierang der Oberflächenschicht kann z. B. durch Eindiffusion von Dotierungsstoffen, wobei der zu kontaktierende Streifen durch Oxyd maskiert sein kann, erfolgen. Es ist aber auch das oberflächliche Einlegieren einer Dotierungssubstanz, die vorher aufgespritzt, aufgestäubt, aufgedampft oder auf elektrolytischem Wege aufgebracht wurde, möglich. Es kann auch die ganze Oberflächenschicht umdofiert werden und die Schicht an den zu kontaktierenden Stellen durch Ätzen oder auf mechanischem Weg entfernt werden.
Einige besonders günstige Herstellungsverfahren werden wie folgt durchgeführt:
Auf einem sehr niederohmigen, z. B. aus Silizium bestehenden dünnen gezogenen Halbleiterstab wird durch thermische Zersetzung einer gasförmigen Verbindung des Halbleiterstabes, ζ. B. des Siliziums, eine hochohmige Schicht (spezifischer Widerstand etwa 1 Ω cm), abgeschieden. Der pn-übergang in dieser Schicht wurde durch Eindiffusion entsprechender Dotierungsstoffe oder durch weiteres Aufwachsen aus der Gasphase unter Zugabe einer insbesondere gasförmigen Verbindung eines Dotierungsstoffes gebildet. Es ist zweckmäßig, den spezifischen Widerstand der Oberflächenschicht ebenfalls niedrig zu machen, um den Bahnwiderstand für den Fotostrom möglichst klein zu halten.
Man kann aber auch von einem sehr niederohmigen gezogenen Halbleiterstab ausgehen und diesen z. B. durch direkten Stromdurchgang im Vakuum so hoch erhitzen, daß der Dotierungsstoff ausdampft und so eine hochohmige Schicht auf einem niederohmigen Kern gebildet wird. Diese hochohmige durch Ausdiffusion gebildete Schicht wird dann durch Eindiffusion von Störstoffen oberflächlich umdotiert und damit ein pn-übergang in der hochohmigen Schicht gebildet.
Vorteilhafterweise wird während des Niederschlagens bzw. während des anschließend an die Ausdiffusion folgenden Eindiffundierens entsprechender Dotierangsstoffe durch Anpressen eines Streifens aus einem reinen, den Halbleiter nicht verunreinigenden Material, wie z. B. Silizium, Germanium, Quarz, Graphit, Molybdän oder siliziertes Molybdän, das Aufwachsen der entgegengesetzt dotierten Schicht bzw. die oberflächliche Umdotierang der durch Ausdiffusion gebildeten Schicht verhindert und gegebenenfalls nach einem kurzen Abätzen der niederohmige gezogene Halbleiterstab längs einer Zylinderlinie kontaktiert und die zuletzt aufgewachsene Schicht bzw. die durch Eindiffusion nach dem Ausdiffundieren hergestellten Schicht ebenfalls längs einer Zylinderlinie mit einem elektrischen Kontakt versehen.
Die Kontaktierang kann durch Aufdampfen, Aufstäuben, Aufspritzen oder Aufelektrolysieren eines mit dem Halbleiter einen sperrfreien Kontakt bildenden Metalls erfolgen, wobei die Form der Kontaktie-
rungsstreifen durch eine Maske oder eine Schablone bestimmt werden kann. Die Kontakte können auch durch Thermokompressionen von Drähten hergestellt werden, die direkt auf dem Halbleiterkörper oder auf einer dünnen metallischen Zwischenschicht aufgebracht werden. Es ist auch möglich, um zwei Kontaktierungen längs Zylinderlinien zu vermeiden, zunächst einen extrem niederohmigen dünnen Kristall zu ziehen (spezifischer Widerstand < 0,01 Ω cm, vorzugsweise <0,001Qcm), auf diesem dann eine dünne hochohmige Schicht aufwachsen zu lassen, (spezifischer Widerstand etwa 1 Ω cm) in der z. B. durch Diffusion ein pn-übergang erzeugt wird. Der. niederohmige Kern bildet dann den Kontakt für die innere Schicht, so daß nur ein einziger Mnienförmiger Kontakt entlang einer Zylinderlinie zur Kontaktierung der äußeren Schicht notwendig ist. Gegebenenfalls genügt es auch, nach der Bildung des pn-Überganges eine dünne durchsichtige Metallschicht auf der Oberfläche aufzubringen, so daß auch der zweite linienförmige Kontakt vermieden werden kann und nur Kontakte an den Enden des Stabes notwendig sind. Die Anordnung gemäß der vorliegenden Erfindung ist auch für andere lichtelektrische Halbleiteranordnungen, wie z. B. Fotodioden oder Fototransistoren vorteilhaft.

Claims (13)

PATENTANSPRÜCHE:
1. Lichtempfindliche Halbleiteranordnung mit wenigstens einem pn-übergang, bei der ein Halbleiterstab so in einem optischen System angeordnet ist, daß seine Achse in der Brennlinie oder durch den Brennpunkt verläuft, dadurch gekennzeich net, daß der Halbleiterstab (2) mit einer entgegengesetzt dotierten Schicht (6) versehen ist, welche die Mantelfläche wenigstens zum größten Teil bedeckt.
2. Halbleiteranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktierungen (4, 5) parallel zur Stabachse und von einem Ende zum anderen auf der Mantelfläche des Stabes erfolgt.
3. Halbleiteranordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die dotierte Oberflächenschicht (6) längs eines in Richtung der Stabachse verlaufenden Streifens (8, 12) unterbrochen und auf diesem Streifen der Kontakt (4) angebracht ist.
4. Halbleiteranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterstab etwa in der Brennlinie eines zylindrischen Sammelspiegels (1) angeordnet ist.
5. Halbleiteranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterstab etwa in der Achse eines Rotationsparaboloids (32) angeordnet ist.
6. Halbleiteranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß das optische System aus gepreßtem Material besteht.
7. Halbleiteranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß das optische System aus spiegelnd metallisiertem Kunststoff besteht.
8. Halbleiteranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterstab und das optische System gemeinsam in einen durchsichtigen Kunststoff eingegossen sind.
9. Halbleiteranordnung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß das eingegossene Bauelement an der der Lichtquelle zugewandten Seite mit einer dünnen Glasplatte abgeschlossen ist.
10. Halbleiteranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß mehrere Stäbe (14 bis 18 bzw. 19 bis 21) gemeinsam auf einem durch das optische System gebildeten Träger (13 bzw. 22) aufgebracht sind.
11. Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß auf einem sehr niederohmigen (spezifischer Widerstand <0,l Ω cm), dünnen gezogenen Halbleiterstab durch thermische Zersetzung einer gasförmigen Verbindung des Halbleiterstoffes eine hochohmige Schicht (spezifischer Widerstand >1 Ω cm), des Halbleiterstoffes abgeschieden und durch Eindiffundieren eines Dotierungsstoffes oder weiteres Aufwachsen aus der Gasphase unter Zugabe einer insbesondere gasförmigen Verbindung des Dotierungsstoffes eine entgegengesetzt dotierte Oberflächenschicht gebildet wird.
12. Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß durch Ausdiffusion von Dotierungsstoffen aus einem sehr niederohmigen dünnen, gezogenen Halbleiterstab eine hochohmige Oberflächenschicht gebildet und diese durch Eindiffusion von Dotierungsstoffen teilweise umdotiert wird.
13. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß durch Anpressen eines Stoffes aus inertem Material längs einer Zylinderlinie des Halbleiterstabes das Aufwachsen der entgegengesetzt dotierten Schicht verhindert und der niederohmige Halbleiterstab darauf längs dieser Zylinderlinie kontaktiert und die äußere Schicht ebenfalls längs einer Zylinderlinie mit einem elektrischen Kontakt versehen wird.
In Betracht gezogene Druckschriften: Deutsche Patentschrift Nr. 1 047 949; USA.-Patentschrift Nr. 2 402 662.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
© 309 669/230 8.
DES71071A 1960-10-31 1960-10-31 Lichtempfindliche Halbleiteranordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung Pending DE1153468B (de)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL270665D NL270665A (de) 1960-10-31
DES71071A DE1153468B (de) 1960-10-31 1960-10-31 Lichtempfindliche Halbleiteranordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung
CH987161A CH394418A (de) 1960-10-31 1961-08-24 Lichtempfindliche Halbleiteranordnung
FR875647A FR1303364A (fr) 1960-10-31 1961-10-11 Dispositif à semi-conducteur photosensible
US148257A US3134906A (en) 1960-10-31 1961-10-27 Photoelectric semiconductor device
GB38877/61A GB931350A (en) 1960-10-31 1961-10-31 Improvements in or relating to photoelectric arrangements

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DES71071A DE1153468B (de) 1960-10-31 1960-10-31 Lichtempfindliche Halbleiteranordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1153468B true DE1153468B (de) 1963-08-29

Family

ID=7502216

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DES71071A Pending DE1153468B (de) 1960-10-31 1960-10-31 Lichtempfindliche Halbleiteranordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung

Country Status (5)

Country Link
US (1) US3134906A (de)
CH (1) CH394418A (de)
DE (1) DE1153468B (de)
GB (1) GB931350A (de)
NL (1) NL270665A (de)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2537099A1 (de) * 1974-11-01 1976-05-06 Tyco Laboratories Inc Sonnenzelleneinheit
FR2353135A1 (fr) * 1975-12-05 1977-12-23 Mobil Tyco Solar Energy Corp Procede de fabrication de rubans de matiere semiconductrice, notamment pour la production de piles solaires
WO1984004425A1 (en) * 1983-04-25 1984-11-08 Inst Microtechnique De L Unive Large surface photovoltaic cell and production method thereof

Families Citing this family (55)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3290539A (en) * 1963-09-16 1966-12-06 Rca Corp Planar p-nu junction light source with reflector means to collimate the emitted light
US3701005A (en) * 1968-01-04 1972-10-24 Atlantic Richfield Co Apparatus
US3842263A (en) * 1973-02-01 1974-10-15 Gen Electric Molded opto-electronic transducer
AT329150B (de) * 1973-12-05 1976-04-26 Siemens Ag Oesterreich Anordnung zur zundung einer anzahl von elektrischen ventilen, insbesondere von thyristoren
US3982527A (en) * 1974-01-02 1976-09-28 Cheng Chen Yen Method and apparatus for concentrating, harvesting and storing of solar energy
US3998659A (en) * 1974-01-28 1976-12-21 Texas Instruments Incorporated Solar cell with semiconductor particles and method of fabrication
US4002499A (en) * 1974-07-26 1977-01-11 The United States Of America As Represented By The United States Energy Research And Development Administration Radiant energy collector
US3990914A (en) * 1974-09-03 1976-11-09 Sensor Technology, Inc. Tubular solar cell
US3969163A (en) * 1974-09-19 1976-07-13 Texas Instruments Incorporated Vapor deposition method of forming low cost semiconductor solar cells including reconstitution of the reacted gases
USD242719S (en) * 1975-03-27 1976-12-14 Aai Corporation Building structure
USD242717S (en) * 1975-03-27 1976-12-14 Aai Corporation Building structure
USD242712S (en) * 1975-03-27 1976-12-14 Aai Corporation Building structure
USD242716S (en) * 1975-03-27 1976-12-14 Aai Corporation Building structure
USD242711S (en) * 1975-03-27 1976-12-14 Aai Corporation Building structure
USD242713S (en) * 1975-03-27 1976-12-14 Aai Corporation Building structure
USD242718S (en) * 1975-03-27 1976-12-14 Aai Corporation Building structure
USD242714S (en) * 1975-03-27 1976-12-14 Aai Corporation Building structure
USD242715S (en) * 1975-03-27 1976-12-14 Aai Corporation Building structure
US3984256A (en) * 1975-04-25 1976-10-05 Nasa Photovoltaic cell array
US4065053A (en) * 1975-07-24 1977-12-27 Nasa Low cost solar energy collection system
DE2557296C2 (de) * 1975-12-19 1983-12-15 Erno Raumfahrttechnik Gmbh, 2800 Bremen Sonnenenergiesammler
USD245180S (en) * 1976-06-29 1977-07-26 Aai Corporation Solar building
USD245175S (en) * 1976-06-29 1977-07-26 Aai Corporation Solar building
USD245179S (en) * 1976-06-29 1977-07-26 Aai Corporation Solar building
USD245178S (en) * 1976-06-29 1977-07-26 Aai Corporation Solar building
USD245181S (en) * 1976-06-29 1977-07-26 Aai Corporation Solar building
USD245176S (en) * 1976-06-29 1977-07-26 Aai Corporation Solar building
USD245177S (en) * 1976-06-29 1977-07-26 Aai Corporation Solar building
US4091796A (en) * 1976-08-16 1978-05-30 Owens-Illinois, Inc. Solar energy collection apparatus
DE2638269C2 (de) * 1976-08-25 1983-05-26 Wacker-Chemitronic Gesellschaft für Elektronik-Grundstoffe mbH, 8263 Burghausen Verfahren zur Herstellung von substratgebundenem, großflächigem Silicium
USD245183S (en) * 1976-10-06 1977-07-26 Aai Corporation Solar building
USD245182S (en) * 1976-10-06 1977-07-26 Aai Corporation Solar building
US4143234A (en) * 1976-11-08 1979-03-06 Monsanto Company Solar collector using total internal reflectance
US4154219A (en) * 1977-03-11 1979-05-15 E-Systems, Inc. Prismatic solar reflector apparatus and method of solar tracking
US4143233A (en) * 1977-06-06 1979-03-06 Monsanto Research Corporation Solar energy collector
US4249515A (en) * 1977-08-12 1981-02-10 Page Victor J Heating apparatus
US4522193A (en) * 1982-04-06 1985-06-11 Bates Kenneth N Solar collector device
US4665895A (en) * 1984-09-21 1987-05-19 Mcdonnell Douglas Corporation Ellipsoidal solar dish concentrator
US5156978A (en) * 1988-11-15 1992-10-20 Mobil Solar Energy Corporation Method of fabricating solar cells
US5106763A (en) * 1988-11-15 1992-04-21 Mobil Solar Energy Corporation Method of fabricating solar cells
US5447763A (en) * 1990-08-17 1995-09-05 Ion Systems, Inc. Silicon ion emitter electrodes
US5374317A (en) * 1990-09-26 1994-12-20 Energy Systems Solar, Incorporated Multiple reflector concentrator solar electric power system
EP0641029A3 (de) * 1993-08-27 1998-01-07 Twin Solar-Technik Entwicklungs-GmbH Element einer photovoltaischen Solarzelle und Verfahren zu seiner Herstellung sowie deren Anordnung in einer Solarzelle
US5437736A (en) * 1994-02-15 1995-08-01 Cole; Eric D. Semiconductor fiber solar cells and modules
WO1997013280A1 (en) * 1995-10-05 1997-04-10 Ebara Solar, Inc. Self-aligned locally deep- diffused emitter solar cell
US6008449A (en) * 1997-08-19 1999-12-28 Cole; Eric D. Reflective concentrating solar cell assembly
RU2196280C2 (ru) * 2000-06-23 2003-01-10 Карнаухов Алексей Валерьевич Гелиоустановка
US7178937B2 (en) * 2004-01-23 2007-02-20 Mcdermott Vernon Lighting device and method for lighting
US20050199280A1 (en) * 2004-03-12 2005-09-15 Royer George R. Solar battery
US20070227579A1 (en) * 2006-03-30 2007-10-04 Benyamin Buller Assemblies of cylindrical solar units with internal spacing
EP2065947A4 (de) * 2006-08-07 2012-09-19 Kyosemi Corp Halbleitermodul zur stromerzeugung oder lichtemission
CN101553935B (zh) * 2006-11-17 2011-01-19 京半导体股份有限公司 垒层型太阳电池装置
US20090065045A1 (en) * 2007-09-10 2009-03-12 Zenith Solar Ltd. Solar electricity generation system
JP5180307B2 (ja) 2008-08-08 2013-04-10 京セミ株式会社 採光型太陽電池モジュール
US9893223B2 (en) 2010-11-16 2018-02-13 Suncore Photovoltaics, Inc. Solar electricity generation system

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2402662A (en) * 1941-05-27 1946-06-25 Bell Telephone Labor Inc Light-sensitive electric device

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2997598A (en) * 1954-12-06 1961-08-22 Charles F Gramm Optical scanning system
US2871330A (en) * 1954-12-22 1959-01-27 Gen Electric Silicon current controlling devices
US2766144A (en) * 1955-10-31 1956-10-09 Lidow Eric Photocell

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2402662A (en) * 1941-05-27 1946-06-25 Bell Telephone Labor Inc Light-sensitive electric device

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2537099A1 (de) * 1974-11-01 1976-05-06 Tyco Laboratories Inc Sonnenzelleneinheit
FR2353135A1 (fr) * 1975-12-05 1977-12-23 Mobil Tyco Solar Energy Corp Procede de fabrication de rubans de matiere semiconductrice, notamment pour la production de piles solaires
WO1984004425A1 (en) * 1983-04-25 1984-11-08 Inst Microtechnique De L Unive Large surface photovoltaic cell and production method thereof

Also Published As

Publication number Publication date
GB931350A (en) 1963-07-17
NL270665A (de) 1900-01-01
US3134906A (en) 1964-05-26
CH394418A (de) 1965-06-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE1153468B (de) Lichtempfindliche Halbleiteranordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE2654429C2 (de) Verfahren zum Herstellen eines Photoelements mit einem lichtempfindlichen halbleitenden Substrat aus der Legierung Cd&amp;darr;x&amp;darr;Hg&amp;darr;1&amp;darr;&amp;darr;-&amp;darr;&amp;darr;x&amp;darr;Te
DE2854750C2 (de) Silizium-Solarzelle und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE2517939C2 (de) Verfahren zur Herstellung einer für Infrarotstrahlung empfindlichen Photodiode
DE2442892C3 (de) Infrarot-Strahlungsquelle
DE1032404B (de) Verfahren zur Herstellung von Flaechenhalbleiterelementen mit p-n-Schichten
DE2711365C2 (de)
DE2711562B2 (de) Halbleiterbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
DE2735937C2 (de) Flüssigphasenepitaxie-Verfahren zur Herstellung von Halbleiter-Heterostrukturen
DE3153186C2 (de) Verfahren zur Herstellung eines Schottky-Sperrschicht-Photodetektors
DE3340874A1 (de) Verfahren zum herstellen einer solarzelle
DE2509585B2 (de) Halbleiterbauelement mit mehreren epitaktischen Halbleiterschichten, insbesondere Halbleiterlaser oder Feldeffektransistor, sowie Verfahren zu dessen Herstellung
DE2812547C2 (de)
DE3537677A1 (de) Photodetektor
DE2160033B2 (de) Halbleiteranordnung zur Umwandlung von Infrarotstrahlen in elektrische Signale
DE3209548A1 (de) Solarzellenanordnung in duennschichtbauweise aus halbleitermaterial sowie verfahren zu ihrer herstellung
DE3023165C2 (de)
DE2848925A1 (de) Lawinen-photodiode mit heterouebergang
DE2517252A1 (de) Halbleiterelement
DE2825387C2 (de) Lichtemittierendes Halbleiterelement
EP1116281B1 (de) Verfahren zur strukturierung von transparenten elektrodenschichten
DE2721744A1 (de) Heterojonctions-transistor
DE2644001A1 (de) Photoelektrische anordnung
DE2512898A1 (de) Halbleiter-photoelement mit pn- uebergang
DE2447289A1 (de) Photozelle