DE2512898A1 - Halbleiter-photoelement mit pn- uebergang - Google Patents

Halbleiter-photoelement mit pn- uebergang

Info

Publication number
DE2512898A1
DE2512898A1 DE19752512898 DE2512898A DE2512898A1 DE 2512898 A1 DE2512898 A1 DE 2512898A1 DE 19752512898 DE19752512898 DE 19752512898 DE 2512898 A DE2512898 A DE 2512898A DE 2512898 A1 DE2512898 A1 DE 2512898A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
layer
band gap
conductivity
layers
type
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE19752512898
Other languages
English (en)
Inventor
Richard Louis Anderson
Jack Kent Claifton
James Vincent Masi
Seymour Merrin
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
INNOTECH CORP
Original Assignee
INNOTECH CORP
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by INNOTECH CORP filed Critical INNOTECH CORP
Publication of DE2512898A1 publication Critical patent/DE2512898A1/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/072—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type
    • H01L31/074—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type comprising a heterojunction with an element of Group IV of the Periodic Table, e.g. ITO/Si, GaAs/Si or CdTe/Si solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
    • H01L31/0264—Inorganic materials
    • H01L31/032—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
    • H01L31/0376—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including amorphous semiconductors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02565—Oxide semiconducting materials not being Group 12/16 materials, e.g. ternary compounds
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Glass Compositions (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)

Description

Halbleiter-Photoelement mit pn-Obergang
Die Erfindung betrifft eine Halbleiteranordnung mit pn-übergang, die insbesondere als Photoelement z. B. als Sonnenzelle verwendbar ist.
Herkömmliche Sonnenzellen weisen typischerweise einen pn-übergang auf, der in einem monokristallinen Siliciumsubstrat ausgebildet ist. Im typischen Fall wird ein n-Typ-Oberflächenbereich in ein p-Typ-Siliciumsubstrat eindiffundiert und Öhmsche Kontakte werden angebracht. Im Betrieb wird die Anordnung der Sonnenstrahlung ausgesetzt und auf die n-Typ-Oberflache auftreffende Photonen wandern zu der Grenzschicht und zu dem p-Typ-Substrat, wo sie durch Erzeugung von Elektron-Loch-Paaren absorbiert werden. Die in der Grenzschicht erzeugten Löcher (oder die in die Grenzschicht
509841/0667
diffundierenden Löcher) werden durch die sich aufbauende Spannung zu dem n-Typ-Oberflächenbereich abgezogen, wo sie entweder die Anordnung als Photostrom verlassen oder sich ansammeln, um eine durch das Licht induzierte Spannung an den offenen Anschlüssen zu erzeugen.
Der Umwandlungswirkungsgrad von herkömmlichen Sonnenzellen ist jedoch durch eine Anzahl von Faktoren stark begrenzt. Einer dieser Faktoren besteht darin, daß die in der Grenzschicht sich aufbauende Spannung durch die relativ schmale Bandlücke (oder verbotene Zone) des n-Typ-Siliciums und das begrenzte Ausmaß beschränkt ist, bis zu welchem die beiden Siliciumschichten dotiert werden können. Auch wenn die sich aufbauende Spannung der Anordnung durch Erhöhung der Dotierung der beiden den Übergang bildenden Schichten erhöht werden kann, führt eine solche übermäßige Dotierung zu einer Verringerung des Umwandlungswirkungsgrades der Anordnung, da sie den Wirkungsgrad der Ladungsträgersammlung verringert. Aus diesem Grunde sind die an den offenen Anschlüssen einer typischen Siliciumsonnenzelle erreichbaren Spannungen nur etwa 50 % der Siliciumbandlücke.
Ein zweiter Faktor, der den Umwandlungswirkungsgrad herkömmlicher Siliciumsonnenzellen beschränkt, besteht darin, daß Silicium die Eigenschaft besitzt, hochenergetische Photonen (Photonen des blauen und violetten Spektralbereiches) in der Nähe der Oberfläche zu absorbieren, typischerweise innerhalb einer Oberflächentiefe von einem Mikron. Demzufolge werden viele hochenergetische Photonen in der Nähe der Oberfläche des n-Typ-Bereichs absorbiert und die durch diese Absorption erzeugten Ladungsträger rekombinieren an der Oberfläche. Solche rekombinierenden Ladungsträger gehen dadurch für die Erzeugung des Photostromes verloren.
- 3 509841/0667
Ein dritter beschränkender Faktor besteht darin, daß die niederenergetischen Photonen (Photonen des roten oder nahen infraroten Sp.aktralbereichs) tief in das Silicium eindringen, bevor sie absorbiert werden. Auch wenn die Minoritätsladungsträger, die durch die tiefe Absorption erzeugt werden, zum Photostrom beitragen können, wenn die Lebensdauer der Minoritätsladungsträger ausreicht, um sie in die Grenzschicht driften zu lassen, verkleinert der Schritt der Diffusion bei hoher Temperatur, der für die Bildung des n-Typ-Bereichs erforderlich ist, die Lebensdauer der Minoritätsladungsträger in dem p-Typ-Substrat deutlich. Aus diesem Grunde gehen viele Ladungsträger, die durch die tiefe Absorption erzeugt werden, für den Photostrom verloren.
Erfindungsgemäß kann eine Halbleiteranordnung mit Grenzschicht zu einem Photoelement mit verbessertem Umwandlungswirkungsgrad verwendet werden, indem die Bandlücken und die Elektronenaffinitäten der die Anordnung bildenden Materialien geeignet ausgewählt werden.
Ein Photoelement mit Grenzschicht gemäß der Erfindung besitzt einen Obergang, der zwischen einer ersten Schicht aus halbleitendem Material, das einen Leitfähigkeitstyp aufweist (n oder ρ), und einer zweiten Schicht aus einem unterschiedlich aufgebauten Material gebildet wird, das den anderen Leitfähigkeitstyp aufweist (p oder n), wobei die zweite Schicht eine relativ größere Energiebandlücke als das Halbleitermaterial und eine Elektronenaffinität besitzt, die kleiner oder gleich der Elektronenaffinität des Halbleitermaterials ist. Vorzugsweise ist das Material mit der breiteren Bandlücke ein glasartiges amorphes Material,
das einen niedrigen Widerstand unter etwa 10 Ohm cm besitzt oder so dotiert ist, daß es einen söLchen niedrigen Widerstand besitzt.
In einer bevorzugten Ausführungsform sind die Niveaus der Ener-
509841/0667
-U-
giebänder der Materialien im wesentlichen auf gleicher Höhe. Insbesondere bei Anordnungen, die n-Typ-Schichten mit größerer Bandlücke verwenden, ist das Niveau des Leitfähigkeitsbandes des Materials mit der größeren Bandlücke vorzugsweise das gleiche Energieniveau wie das Niveau des Leitfähigkeitsbandes des Materials mit der schmaleren Bandlücke im elektrisch neutralen Zustand. Bei Anordnungen, die p-Typ-Schichten mit der größeren Bandlücke verwenden, ist vorzugsweise das Energieniveau des Valenzbandes des Materials mit der größeren Bandlücke im wesentlichen auf demselben Energieniveau wie das Niveau des Valenzbandes des Materials mit der kleineren Bandlücke.
Die erfindungsgemäßen Photoelemente erzielen eine verbesserte Energieumwandlung mit Hilfe einer höheren sich aufbauenden Spannung und einer verbesserten Ausbeute der LadungsträgerSammlung.
Weitere Merkmale der Erfindung gehen aus den Ansprüchen hervor.
Im folgenden wild die Erfindung anhand von Ausführungsbeispielen unter Bezugnahme auf die beigefügte Zeichnung näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 einen Querschnitt durch eine Halbleiteranordnung mit Grenzschicht gemäß der Erfindung, die insbesondere als Photoelement verwendbar ist,
Fig. 2A und 2B schematisch bevorzugte Anordnungen der Energiebänder für die Anordnung der Fig. 1,
Fig. 3 eine graphische Darstellung der Beziehungen zwischen Strom, Spannung und auftreffender Strahlung für eine Anordnung gemäß der Erfindung, und
50984 1 /0667
Fig. 4 eine graphische Darstellung der Quantenausbeute einer Anordnung gemäß der Erfindung als Funktion der Wellenlänge.
In Fig. 1 ist schematisch ein Schnitt durch eine Halbleiteranordnung mit Grenzschicht als Photoelement dargestellt. Diese Anordnung besteht aus einer ersten aktiven Schicht 10 aus einem Halbleitermaterial, z. B. aus kristallinem Silicium, das einen Leitfähigkeitstyp aufweist (n oder p) und aus einer zweiten aktiven Schicht 11 aus einem davon verschieden aufgebauten Material mit relativ größerer Bandlücke, das den anderen Leitfähigkeitstyp aufweist (p bzw. n). Die Schicht 11 mit größerer Bandlücke ist in Kontakt mit der Halbleiterschicht 10 mit der kleineren Bandlücke, so daß eine Grenzschicht 12 zwischen diesen gebildet wird. Das Material mit der größeren Bandlücke ist vorzugsweise ein glasartiges amorphes Material, wie z. B. Indiumtrioxid, das dotiert ist, so daß es eine Leitfähigkeit im halbleitenden Bereich aufweist (d. h. es besitzt einen niedrigen Widerstand unterhalb
7
etwa 10 Ohm cm oder ist
gen Widerstand besitzt).
7
etwa 10 Ohm cm oder ist so dotiert, daß es einen solchen niedri-
An den Schichten 10 und 11 sind.Elektroden 13 bzw. 14 angebracht, um einen Ohmschen Kontakt mit diesen herzustellen. Die Elektrode 13 kann beispielsweise für p-Typ-Silicium Aluminium und für n-Typ-Silicium Zinn sein. Die Elektrode 14 kann für die Schichten mit größerer Bandlücke vom η-Typ ebenfalls Aluminium und für die Schichten vom p-Typ Zinn sein. Die Elektrode, mit der die direkt der einfallenden Strahlung ausgesetzte Schicht kontaktiert ist, ist vorzugsweise ein transparentes leitfähiges Material, wie z. B. Zinnoxid, oder die Elektrodenfläche ist verkleinert und weist eine gitterförmige oder fingerförmige Gestalt auf, um den Lichteinfall auf die Oberflächenschicht zu ermöglichen. Vorzugsweise ist die Schicht 11 mit der größeren Bandlücke die direkt bestrahlte Schicht und die Elektrode 11
- 6 509841/0667
ist die transparente Elektrode oder die Elektrode mit der verkleinerten Fläche.
Die Elektroden 13 und 14 sind elektrisch an ein energieaufnehmendes Element 15, z. B. eine Batterie oder einen Detektor (z. B. einen Stromdetektor oder einen Spannungsdetektor) in einer Weise angeschlossen, die sich für die Energieübertragung in Form eines elektrischen Stromes von der Grenzschichtanordnung zu dem aufnehmenden Element 15 eignet.
Das Halbleitermaterial mit der geringeren Bandlücke der Schicht 10 kann ein übliches monokristallines Halbleitermaterial, wie z. B. Silicium oder Galliumarsenid, ein polykristallines Halbleitermaterial, wie z. B. ein polykristalliner Film aus Silicium oder Si Ge1 , oder ein halbleitendes glasartiges amorphes Ma-
X JL-X
terial mit einer relativ schmalen Bandlücke sein. Vorzugsweise ist das Material mit der schmaleren Bandlücke mit n- oder p-Typ-Verunreinigungen dotiert, so daß ein Widevstandswert in der Größenordnung von 1 bis 10 Ohm cm erhalten wird. Dotierungskon-
15 19 zentrationen in der Größenordnung von 10 bis 10 Fremdatomen pro Kubikzentimeter sind im typischen Falle ausreichend, um solche Widerstandswerte zu erhalten.
Das Material der Schicht 11 sollte so gewählt oder angepaßt werfen, daf es eine Anzahl von Forderungen erfüllt. Es sollte sich in der Zusammensetzung von dem Material der Schicht 10 unterscheiden, es sollte einen niedrigeren Widerstandswert aufweisen, es sollte eine Bandlücke besitzen, die größer ist als die doppelte Bandlücke des Materials mit der schmaleren Bandlücke, und es sollte eine Elektronenaffinität aufweisen, die kleiner oder gleich der Elektronenaffinität des Materials mit der schmaleren Bandlücke ist. Vorzugsweise ist dieses Material ein glasartiges amorphes Material, das eine Leitfähigkeit im halbleitenden Be-
509841/0667
reich besitzt, d. h. das einen niedrigen Widerstandswert unter
7
etwa 10 Ohm cm aufweist, oder
solche Leitfähigkeit aufweist.
etwa 10 Ohm cm aufweist, oder das so dotiert ist, daß es eine
Das Material mit der größeren Bandlücke der Schicht 11 sollte in der Zusammensetzung von dem Material der Schicht 10 verschieden sein, so daß eine Sperrschicht zwischen den zwei Schichten gebildet wird. Üblicherweise bedeutet diese Forderung, daß das Material (ohne die Dotierungsbestandteile) der Schicht 11 aus einem chemischen Element oder einer Verbindung hergestellt ist, die von dem Element oder der Verbindung verschieden ist, aus der die Schicht 10 hergestellt ist.
Das Material mit der größeren Bandlücke sollte erforderlichenfalls dotiert werden, so daß es einen niedrigen Widerstands wert
7
unterhalb etwa 10 0hm cm besitzt. Widerstandswerte von wenigen 0hm cm oder noch kleinere Widerstandswerte können verwendet werden.
Die Bandlücke und die bevorzugten Energieniveaus der Bänder für die Materialien mit der größeren Bandlücke sind aus den Fig. 2A und 2B zu sehen, die schematisch den Bandverlauf für Obergänge mit einer Schicht mit größerer Bandlücke vom η-Typ bzw. für eine Schicht mit größerer Bandlücke vom p-Typ darstellen. Wie diese Figuren zeigen, sind die Bandlücken der Schichten mit der größeren Bandlücke und der Schichten mit der kleineren Bandlücke die Energieabstände zwischen dem Energieniveau des Leitfähigkeitsbandes und dem Energieniveau des Valenzbandes für die betreffenden Materialien.
Bei der Anordnung gemäß der Erfindung ist die Bandlücke des Materials mit der größeren Bandlücke zumindest zweimal so breit wie die Bandlücke des Materials mit der schmaleren Bandlücke. Wenn daher das Material mit der schmaleren Bandlücke Silicium
- 8 509841 /0667
ist, sollte die Bandlücke der Schicht mit der größeren Bandlücke größer als 2,22 Elektronenvolt sein, und wenn das Material mit der schmaleren Bandlücke Galliumarsenid ist, sollte diese Bandlücke größer als etwa 2,80 Elektronenvolt sein. Diese größere Bandlücke ermöglicht die Verwendung eines größeren Teils der schmaleren Bandlücke für die sich aufbauende Spannung, wodurch der Spannungsfaktor der Anordnung vergrößert wird.
Für die Schichten mit der größeren Bandlücke werden erfindungsgemäß vorzugsweise glasartige amorphe Materialien und insbesondere transparente glasartige amorphe Materialien verwendet. Der hier verwendete Ausdruck "glasartiges amorphes Material" oder "glasartiges Material" bezeichnet Materialien, die nur eine Ordnung mit kurzer Reichweite aufweisen. Mit diesem Ausdruck sollen nicht nur Gläser erfaßt werden, sondern auch solche "amorphe" Materialien, die eine nennenswerte Ordnung mit kurzer Reichweite aufweisen. Es sollen jedoch sowohl kristalline Substanzen (wie z. B. Silicium und Siliciumdioxid) als auch echt amorphe Materialien ausgeschlossen sein, die keine merkliche Ordnung aufweisen. Gläser, die eine spezielle Klasse dieser glasartigen amorphen Materialien darstellen, sind typischerweise abgekühlte Flüssig-
18
keiten mit einer Viskosität von über 10 Poise bei Umgebungstemperatur. Sie werden allgemein gekennzeichnet: 1. durch die Existenz einer einzigen Phase, 2. durch das allmähliche Erweichen und anschließende Schmelzen bei zunehmender Temperatur anstelle einer scharfen Schmelzcharakteristik, 3. durch muschelförmige Bruchstellen und 4. durch das Fehlen von Kristallreflexen bei der Rontgenstrahlbeugung. Die wesentlichen Vorteile des glasartigen amorphen Materials bei der Verwendung in Sonnenzellen sind ihre relativ großen Bandlücken und die Tatsache, daß viele Gläser in einem weiten Wellenlängenbereich der Sonnenstrahlung durchlässig sind.
- 9 509841/0667
Der hier verwendete Ausdruck "transparentes glasartiges amorphes Material" bezeichnet solche glasartigen Materialien, die im wesentlichen für das sichtbare Licht durchlässig sind. Insbesondere sollte eine glasartige Schicht, um im Sinne der Erfindung als transparent für die Herstellung einer Sonnenzelle angesehen zu werden, mehr als etwa 80 % des einfallenden Lichtes im Wellenlängenbereich zwischen etwa 4000 S und etwa 7000 R durchlassen.
Bei den erfindungsgemäßen Grenzschichtanordnungen hat der Unterschied in der Breite der Bandlücken der die Anordnung bildenden Schichten Potentialspitzen oder Absenkungen in der Obergangszone zur Folge, wie in den Fig. 2A und 2B gezeigt ist. Diese Potentialspitzen oder Absenkungen können den Trägerfluß in unerwünschter Weise behindern. Wenn die Anordnung als Photoelement verwendet wird, werden deshalb die Elektronenaffxnitäten des Materials mit der größeren Bandlücke und des Materials mit der schmaleren Bandlücke vorzugsweise so gewählt, daß sie die Impedanz der Absenkung minimal machen, während eine hohe Spannung an den offenen Anschlüssen aufrechterhalten wird. Dieses Ergebnis kann bei einer Anordnung mit einem n-Typ-Material als Material mit der größeren Bandlücke dadurch erhalten werden, daß als Material mit der grösseren Bandlücke ein Material gewählt wird, das eine Elektronenaffinität aufweist, die etwa gleich der des Materials mit der schmaleren Bandlücke ist oder die um einen Betrag kleiner als die des Materials mit der schmaleren Bandlücke ist, welcher nicht größer als die schmalere Bandlücke ist. Durch diese Bedingung wird das Leitfähigkeitsband der zwei Schichten auf im wesentlichen dasselbe Energieniveau gelegt und die Absenkung wird dadurch auf eine sehr dünne Abmessung reduziert, durch die die Ladungsträger leicht tunneln können. Während die Elektronenaffinität des Materials mit der größeren Bandlücke etwas höher sein kann als die des Materials mit der schmaleren Bandlücke, wird die Spannung an den offenen Anschlüssen proportional durch den Ober-
- 10 509841 /0667
schußbetrag verringert. Entsprechend wird in einer Anordnung mit einem Material mit größerer Bandlücke vom p-Typ das Material mit der größeren Bandlücke so gewählt, daß es einen Elektronenaffinität besitzt, die um einen Betrag kleiner als die des Materials mit der schmaleren Bandlücke über die schmalere Bandlücke hinaus ist. Durch diese Bedingung wird das Valenzband des Materials mit der größeren Bandlücke im wesentlichen auf das gleiche Energieniveau gelegt wie das des Materials mit der schmaleren Bandlücke und die Impedanz der Absenkung wird minimal gemacht, wobei eine hohe Spannung an den offenen Anschlüssen aufrechterhalten wird.
Die Bandlücken und die Elektronenaffinitäten der Materialien, aus denen die Anordnung aufgebaut ist, sind genau bestimmte und im allgemeinen tabellenmäßig erfaßte Werte. Die Bandlücken sind im allgemeinen als solche tabelliert und die Elektronenaffinitäten können erhalten werden, indem die tabellierten Potentialschwellenhöhen von den tabellierten Austrittsarbeiten subtrahiert werden. Typische Materialien sind z. B. in "American Institue of Physics Handbook", 3. Auflage, 19 72, McGraw-Hill, tabelliert
Wenn ζ. B. die Austrittsarbeiten der Materialien mit der größeren Bandlücke und der kleineren Bandlücke bekannt sind oder wenn die Differenzen zwischen diesen Austrittsarbeiten bekannt sind (wie sie z. B. durch Messung der in der Sperrschicht aufgebauten Spannung bestimmt werden), ist eine genauere Auswahl der bevorzugten Elektronenaffinitäten möglich. Wenn in diesen Fällen das Material mit der größeren Bandlücke ein Material vom η-Typ ist, ist die Elektronenaffinität des Materials mit der größeren Bandlücke im Idealfalle im wesentlichen gleich der Elektronenaffinität des Materials mit der kleineren Bandlücke vermindert um den Absolutwert der Differenz zwischen den Austrittsarbeiten der zwei Materialien. Wenn das Material mit der größeren Bandlücke
- 11 -
503841 /0667
- ii -
ein Material vom p-Typ ist, ist seine Elektronenaffinität im Idealfalle im wesentlichen gleich der Elektronenaffinität des Materials mit der kleineren Bandlücke vergrößert um den Absolutwert der Differenz zwischen den Austrittsarbeiten.
Materialien, die als besonders vorteilhaft für die Verwendung als Materialien mit der größeren Bandlücke in Verbindung mit herkömmlichen Halbleitern (wie z. B. Silicium, Germanium, Galliumarsenid, Galliumphosphid und Siliciumcarbid) festgestellt wurden, umfassen Indiumtrioxid (InO3), Zinnoxid (SnO2), Cadmiumoxid (CdO), Antimontrioxid (Sb2O3), Bleioxid (PbO), Vanadiumoxid (V2O5), Germaniumoxid (GeO«), Vanogermanat-Gläser, Vanophosphat-Gläser, Bleisilicat-Gläser und glasartige Mischungen dieser Substanzen.
Materialien, die für die Verwendung mit Substraten von p-Typ-Silicium, p-Typ-Germanium, p-Typ-Galliumarsenid und p-Typ-Galliumphosphid bevorzugt werden, sind Indiumtrioxid, Zinnoxid, Cadmiumoxid, Antimontrioxid und Mischungen dieser Substanzen.
Für n-Typ-Siliciumsubstrate wird ein Glas mit den folgenden Oxidbestandteilen bevorzugt, das mit· Indiumtrioxid dotiert ist.
Oxidbestandteil bevorzugter Gehalt zulässiger Bereich
in Mol%
0,2 % - 2,6 %
34,6 % - 37,6 %
0,8 % - 0,9 %
52,5 % - 52,6 %
0 % - 2,2 %
6,3 % - 9,7 %
PbO 0,2
B2°3 34,6
Al2O3 0,8
ZnO 52,5
CeO2 2,2
SiO2 9,7
TABELLE 1
- 12 -
5098 4 1/0667
-. 12 -
Bevorzugte Materialien für die Verwendung mit p-Typ-GalBimarsenidsubstraten sind Bleioxid, Germaniumoxid, Vanadiumoxid, Vanogermanat-Glas, Vanophosphat-Glas und Mischungen dieser Substanzen.
Für n-Typ-Galliumarsenidsubstrate wird ein glasartiges amorphes Material bevorzugt, das die in Tabelle 1 angegebene Zusammensetzung besitzt und mit Indiumtrioxid dotiert ist.
Die Dicke der Schicht des Materials mit der größeren Bandlücke beträgt vorzugsweise nicht mehr als etwa einige Mikron und nicht weniger als etwa wenige hundert Angstrom. Im allgemeinen sollte die Schicht so dünn sein, wie es in Verbindung mit der Einhaltung einer ausreichenden Dicke möglich ist, um ein merkliches Tunneln der Träger durch diese Schicht zu verhindern. Indem die Schicht ausreichend dünn gemacht wird, können auch aus Materialien, die normalerweise nicht als transparent angesehen werden, Schichten hergestellt werden, die ausreichende Lichtmengen durchlassen, um verwendbar zu sein.
Die Anordnung der Fig. 1 kann durch irgend eines von mehreren Verfahren hergestellt werden. Zweckmäßigerweise wird eine dünne Schicht des glasartigen amorphen Materials auf einem Halbleitersubstrat durch ein herkömmliches Verfahren, wie z. B. Aufdampfen unter Vakuum aufgebracht. Die glasartige Schicht wird dann auf einen niedrigen Widerstandswert im halbleitenden Bereich dotiert. Die Dotierung kann entweder durch eine herkömmliche Diffusionsdotierung erfolgen oder durch das Dotierungsverfahren, das in der US-Patentanmeldung 2 27 93 2 beschrieben ist. Die Elektroden werden dann aufgebracht, z. B. durch Aufdampfen unter Vakuum oder durch Kathodenzerstäubung, und der so erhaltene Aufbau wird dann dicht verschlossen. Die Elektroden werden dann an ein energieaufnehmendes Element, wie z. B. eine Batterie, mit aufladender Polarität angeschlossen.
- 13 509841/0667 ■
Im Betrieb als Sonnenzelle wird die Anordnung der Fig. 1 der Sonnenstrahlung ausgesetzt und elektrische Energie fließt von der Anordnung zu dem energieaufnehmenden Element. Es wird angenommen, daß das Material mit der größeren Bandlücke als ein Fenster wirkt, durch das die auftreffende Sonnenstrahlung auf das Halbleitersubstrat gelangt, wobei diese Theorie nur eine Vermutung ist und keine Einschränkung darstellen soll. Die Photonen der Strahlung werden in dem Substrat durch Erzeugung von Elektron-Loch-Paaren absorbiert. In Anordnungen mit Substraten vom n-Tyρ warden Löcher, die in der Übergangszone erzeugt werden (oder die in diese Zone diffundieren), durch die aufgebaute Spannung zu der Schicht 11 abgezogen, wo sie entweder zu dem Photostrom beitragen oder angesammelt werden, um eine Gleichgewichtsspannung an den offenen Anschlüssen zu erzeugen. In Anordnungen mit Substraten vom p-Typ werden die Elektronen mit demselben Ergebnis in die Schicht 11 abgezogen.
Der Aufbau und die Herstellung solcher Anordnungen soll durch die folgenden speziellen Beispiele weiter erläutert werden:
Beispiel 1
Ein Photoelement wurde hergestellt, indem durch Aufdampfen im Vakuum eine 1000 Ä* dicke Schicht von Indiumtrioxid auf ein SiIiciumplättchen von einem QuadratZentimeter aufgebracht wurde, das eine Leitfähigkeit vom p-Typ mit einem spezifischen Widerstand von etwa 10 Ohm cm infolge einer Bordotierung besaß. Die Indiumtr!oxidschicht wurde dann durch Aufbringen eines Dotierungsmittels aus metallischem Indium auf die Oberfläche der Schicht durch Aufdampfen im Vakuum und Erhitzen der so erhaltenen Anordnung auf etwa 400° C für etwa 10 Minuten dotiert. Als Ergebnis dieser Behandlung wurde der spezifische Widerstand des Indiumtrioxids von einem anfängt
100 0hm cm verringert.
7 oxids von einem anfänglichen Wert von etwa 10 0hm cm auf etwa
509841/0667 - m -
Dann wurden Elektroden auf der Indiumtrioxidschicht und dem Siliciumsubstrat angebracht. Die obere Elektrode wurde durch Aufbringen einer ein Mikron dicken Zinnschicht auf die Indiumtrioxidschicht mit Hilfe einer fingerförmigen Maske hergestellt. Die so erhaltene fingerförmige Elektrode bedeckte weniger als etwa 6 % der freiliegenden Oberfläche der Indiumtrioxidschicht. Die untere Elektrode wurde hergestellt, indem etwa 5000 Ä Gold auf die freiliegende Oberfläche des Siliciumsubstrates durch Aufdampfen im Vakuum aufgebracht wurde.
Wenn die Anordnung der Sonnenstrahlung ausgesetzt wurde, arbeitete sie als Sonnenzelle. Die Spannung zwischen den Elektroden bei offenem Stromkreis wurde mit 0,3 Volt und der Kurzschlußstrom mit 2 5 Milliampere gemessen für eine einfallende Strahlung von etwa 90 Milliwatt pro QuadratZentimeter. Fig. 3 zeigt graphisch die Beziehung zwischen dem Kurzschlußphotostrom, der Spannung bei offenem Stromkreis und der Intensität der einfallenden Strahlung. In Fig. 4 ist die Quantenausbeute für verschiedene Wellenlängen graphisch aufgetragen. Fig. 4 zeigt das spektrale Ansprechverhalten der Anordnung auf die Strahlung in den wesentlichen Spektralbereichen. Diese.Sonnenzelle zeigte keine merkliche Impedanz, die der Absenkung des Energiebandes zuzuschreiben ist.
Beispiel 2
Es wurde ein Photoelement hergestellt, in-dem auf ein quadratisches Galliumphosphidplättchen von einem QuadratZentimeter ein Glas vom p-Typ mit der folgenden Zusammensetzung aufgebracht wurde:
- 15 509841/0667
TABELLE 2 in 5
5
O		 Mol%
Oxidbestandteil Gehalt
PbO
SiO2
P2°3		 49,
49,
1,
Das Galliumphosphidsubstrat enthielt Zinkverunreinigungen vom
17
η-Typ mit einer Konzentration von etwa 2 χ 10 Atomen pro Kubikzentimeter. Das Glas mit der oben angegebenen Zusammensetzung wurde nach dem bekannten Sedimentationsverfahren abgeschieden, wobei eine Schicht von etwa 5000 8 Dicke gebildet wurde. Das Glas wurde dann dotiert, indem eine Schicht aus Boroxid auf dieses aufgebracht wurde, deren Dicke auf weniger als etwa 100 8 geschätzt wurde, und die Anordnung für 10 Minuten auf 3 50° C erhitzt wurde. Eine Chromelektrode von etwa 500 8 Dicke wurde auf dem Glas und eine Goldelektrode von 100 Ä Dicke wurde auf dem Galliumphosphid aufgebracht.
Die so erhaltene Anordnung arbeitete als Photoelement und zeigte keine merkliche Impedanz, die der Absenkung des Energiebandes zuzuschreiben ist.
Beispiel 3
Ein Photoelement wurde im wesentlichen in der gleichen Weise wie in Beispiel 2 hergestellt, mit der Ausnahme, daß Galliumarsenid vom η-Typ anstelle des Galliumphosphids vom η-Typ verwendet wurde. Die so erhaltene Anordnung arbeitete als Photoelement und zeigte keine merkliche Impedanz, die der Absenkung des Energiebandes zuzuschreiben ist.
- 16 50 98A1/0667
Beispiel
Ein Photoelement wurde hergestellt, indem eine 500 Ä dicke Schicht der bevorzugten Glaszusammensetzung der Tabelle 1 auf ein ein QuadratZentimeter großes Plättchen Siliciumcarbid vom η-Typ aufgebracht wurde, das mit Stickstoff bis zu einer Konzentration von 2 χ 10 dotiert war. Eine Chromelektrode wurde auf dem Glas und eine Goldelektrode auf dem Siliciumcarbid angebracht. Die so erhaltene Anordnung arbeitete als Photoelement und zeigte keine merkliche Impedanz,die der Absenkung des Energiebandes zuzuschreiben ist.
Die Eigenschaften der erfindungsgemäßen Anordnungen sind denen herkömmlicher Silxciumsonnenzellen überlegen. Es wird vermutet, auch wenn diese Theorie nicht als Einschränkung anzusehen ist, daß diese vorteilhaften Eigenschaften von dem verbesserten Wirkungsgrad der Ladungsträgersammlung und der höheren aufgebauten Spannung herrühren. Der Wirkungsgrad der LadungsSammlung ist zumindest aus zwei Gründen verbessert. Einmal ist das Material mit der größeren Bandlücke im wesentlichen durchlässig für hochenergetische Photonen und verringert dadurch die Verluste durch Oberflächenrekombination. Zum anderen kann die Anordnung infolge der Tatsache, daß das Material mit der größeren Bandlücke im allgemeinen bei niedrigeren Temperaturen dotiert werden kann, als sie bei der Herstellung von herkömmlichen diffundierten Übergängen verwendet werden, mit einer verbesserten Lebensdauer der Minoritätsträger in dem Halbleitersubstrat hergestellt werden. Diese verlängerte Lebensdauer ermöglicht, daß mehr Minoritätsträger, die durch das tiefe Eindringen von niederenergetischen Photonen erzeugt werden, zu der Übergangszone diffundieren und damit zu dem Photostrom beitragen.
Die höhere aufgebaute Spannung ist eine Folge der Ungleichheit der Bandlücken der zwei Schichten, die zu einer nahezu vollstän-
- 17 509841/0667
digen Ausnützung der Halbleiterbandlücke bei dem Aufbau der Spannung führt.
Außerdem ermöglicht die erfindungsgemäße Anordnung einen erhöhten Ausstoß und niedrigere Herstellungskosten aufgrund der verhältnismäßig einfachen Verfahrensschritte, die für die Herstellung erforderlich sind.
- 18 509841/066 7

Claims (16)

  1. ANSPRÜCHE
    ί1j Halbleiteranordnung mit einer Grenzschicht, die aus zwei Schichten unterschiedlich aufgebauten Halbleitermaterials besteht, die in Kontakt miteinander angeordnet sind, wobei jede dieser Schichten einen anderen Leitfähigkeitstyp besitzt, und wobei das Material jeder dieser Schichten durch eine Bandlücke, die das Leitfähigkeitsband von dem Valenzband trennt, und durch eine Elektronenaffinität charakterisiert ist, und mit Elektroden zur elektrischen Kontaktierung jeder dieser Schichten, dadurch gekennzeichnet, daß die Bandlücke des Materials der einen Halbleiterschicht mehr als zweimal so breit ist wie die Bandlücke des Materials der anderen Halbleiterschicht, und daß die Elektronenaffinität des Materials der Schicht mit der größeren Bandlücke im wesentlichen gleich oder kleiner ist als die Elektronenaffinität der Schicht des Materials mit der kleineren Bandlücke.
  2. 2. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Elektronenaffinität des Materials mit der größeren Bandlücke um wenigstens den Betrag der kleineren Bandlücke kleiner ist als die Elektronenaffinität des Materials mit der kleineren Bandlücke.
  3. 3. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Leitfähigkeitsbänder der Materialien der zwei Schichten im wesentlichen auf dem gleichen Energieniveau liegen.
    - 19 -
    509841 /0667
  4. 4. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Schicht des Materials mit der größeren
    Bandlücke n-Typ-Leitfähigkeit aufweist, daß die Schicht des
    Materials mit der kleineren Bandlücke p-Typ-Leitfähigkeit
    aufweist, und daß die Leitfähigkeitsbänder der Materialien
    dieser zwei Schichten im wesentlichen auf dem gleichen Energieniveau liegen.
  5. 5. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Valenzbänder der Materialien der zwei
    Schichten im wesentlichen auf dem gleichen Energieniveau liegen,
  6. 6. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Schicht des Materials mit der größeren Bandlücke p-Typ-Leitfähigkeit aufweist, daß das Material mit der kleineren Bandlücke n-Typ-Leitfähigkeit aufweist, und daß die Valenzbänder der Materialien dieser zwei Schichten im wesentlichen auf dem gleichen Energieniveau liegen.
  7. 7. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Material wenigstens einer der Schichten ein glasartiges amorphes Material ist.
  8. 8. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Material wenigstens einer der Schichten
    eines der folgenden Materialien ist: Indiumtrioxid, Zinnoxid, Cadmiumoxid, Antimontrioxid, Bleioxid, Vanaftumoxid, Germaniumoxid, Vanogermanat-Glas, Vanophosphat-Glas, Bleisilicat-Glas und glasartige Mischungen dieser Substanzen.
  9. 9. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Material der Schicht mit der kleineren Bandlücke p-Typ-Silicium ist, und daß das Material der Schicht mit
    - 20 -
    509841 /0667
    der größeren Bandlücke eines der folgenden Materialien ist: Indiumtrioxid, Zinnoxid, Cadmiumoxid, Antimontrioxid und glasartige Mischungen dieser Substanzen.
  10. 10. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Material der Schicht mit der kleineren Bandlücke ein n-Typ-Halbleiter ist und daß das Material der Schicht mit der größeren Bandlücke ein Glas der folgenden Zusammensetzung ist:
    Bestandteil Gehalt in Mol% PbO 0,2 - 2,6 B2°3 34,6 - 37,6 Al2O3 0,8 - 0,9 Zn° 52,5 - 52,6 CeO2 0 - 2,2 SiO2 6,3 - 9,7
  11. 11. Photoelement zur Erzeugung elektrischer Energie bei Auftreffen von elektromagnetischer Strahlung in einem bestimmten Spektralbereich mit einer Anordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch ein halbleitendes Substrat, das eine Art von Leitfähigkeit aufweist, durch eine kontinuierliche Schicht eines glasartigen amorphen Materials, das die andere Art der Leitfähigkeit aufweist, wobei diese Schicht aus dem glasartigen amorphen Material auf dem Substrat angeordnet ist, mit diesem einen pn-übergang bildet , im wesentlichen transparent für elektromagnetische Strahlung in dem bestimmten Spektralbereich ist und einen Wider-
    stand von weniger als etwa 10 0hm cm aufweist, durch eine das Substrat elektrisch kontaktierende Elektrode und durch eine die Schicht aus glasartigem amorphem Material elektrisch kon-
    - 21 50 9 8 Λ 1 /0667
    taktierende Elektrode, die die elektromagnetische Strahlung in dem bestimmten Spektralbereich auf die Schicht aus glasartigem amorphem Material auftreffen läßt.
  12. 12. Photoelement nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet , daß das glasartige amorphe Material ein Glas ist.
  13. 13. Photoelement nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet , daß die die Schicht aus glasartigem amorphem Material kontaktierende Elektrode ein transparentes leitfähiges Material ist.
  14. 14. Vorrichtung zur Ausnützung der Energie von elektromagnetischer Strahlung in einem bestimmten Spektralbereich mit einer Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 10, gekennzeichnet durch ein halbleitendes Substrat, das eine Art von Leitfähigkeit aufweist, durch eine auf dem Substrat aufgebrachte und mit diesem einen pn-übergang bildende kontinuierliche Schicht aus einem glasartigen amorphen Material, das die andere Art der Leitfähigkeit aufweist, durch eine das Substrat elektrisch kontaktierende Elektrode, durch eine die Schicht aus glasartigem amorphem Material kontaktierende Elektrode, durch eine Einrichtung zur Aufnahme und Ausnutzung elektrischer Energie und durch eine Schaltung zur Übertragung elektrischer Energie, die zwischen den das Substrat und die Schicht aus glasartigem amorphem Material kontaktierenden Elektroden erzeugt wird, zu der die elektrische Energie aufnehmenden und ausnützenden Einrichtung.
  15. 15. Vorrichtung nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß das glasartige amorphe Material im wesentlichen für die elektromagnetische Strahlung in dem bestimmten Spek-
    - 22 -
    509841 /0667
    tralbereich durchlässig ist und einen spezifischen Wider-
    7 stand von weniger als etwa 10 Ohm cm aufweist.
  16. 16. Vorrichtung nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet , daß das glasartige amorphe Material ein Glas ist.
    50984 1 /0667
    Leerseite
DE19752512898 1974-03-27 1975-03-24 Halbleiter-photoelement mit pn- uebergang Pending DE2512898A1 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US45531074A 1974-03-27 1974-03-27
US45530974A 1974-03-27 1974-03-27

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE2512898A1 true DE2512898A1 (de) 1975-10-09

Family

ID=27037816

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19752512898 Pending DE2512898A1 (de) 1974-03-27 1975-03-24 Halbleiter-photoelement mit pn- uebergang

Country Status (6)

Country Link
JP (1) JPS50134392A (de)
DE (1) DE2512898A1 (de)
FR (1) FR2266312B3 (de)
GB (1) GB1501015A (de)
IL (1) IL46896A (de)
NL (1) NL7503616A (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10010177B4 (de) * 1999-03-05 2010-04-08 Panasonic Corp., Kadoma Solarzelle mit einer p-Typ Lichtabsorptionsschicht und einer Cd-freien n-Typ Schicht, die einen größeren Bandabstand und eine größere Elektronenaffinität aufweist

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4121238A (en) * 1977-02-16 1978-10-17 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Metal oxide/indium phosphide devices
JPH0658971B2 (ja) * 1984-02-23 1994-08-03 キヤノン株式会社 光起電力素子の製造方法
JPS6428968A (en) * 1987-07-24 1989-01-31 Fuji Electric Co Ltd Solar cell
JPH0652799B2 (ja) * 1987-08-15 1994-07-06 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10010177B4 (de) * 1999-03-05 2010-04-08 Panasonic Corp., Kadoma Solarzelle mit einer p-Typ Lichtabsorptionsschicht und einer Cd-freien n-Typ Schicht, die einen größeren Bandabstand und eine größere Elektronenaffinität aufweist

Also Published As

Publication number Publication date
GB1501015A (en) 1978-02-15
IL46896A (en) 1977-07-31
FR2266312B3 (de) 1977-12-02
IL46896A0 (en) 1975-05-22
FR2266312A1 (de) 1975-10-24
NL7503616A (nl) 1975-09-30
JPS50134392A (de) 1975-10-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2660229C2 (de) Verfahren zum Herstellen eines Photoelements
DE4039380C2 (de) Halbleiterphotodetektor
DE3786626T2 (de) Integrierter licht-geregelter und licht-gelöschter, statischer Induktionsthyristor und sein Herstellungsverfahren.
DE69827319T2 (de) Solarzelle und Verfahren zu deren Herstellung
DE2854750C2 (de) Silizium-Solarzelle und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE2632987C2 (de) Fotovoltaisches Halbleiterbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
DE2624348A1 (de) Heterouebergang-pn-diodenphotodetektor
DE3111828A1 (de) Vorrichtung zur umsetzung elektromagnetischer strahlung in elektrische energie
DE2517939C2 (de) Verfahren zur Herstellung einer für Infrarotstrahlung empfindlichen Photodiode
DE2246115A1 (de) Photovoltazelle mit feingitterkontakt und verfahren zur herstellung
DE2711562B2 (de) Halbleiterbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
DE2917564A1 (de) Verfahren zum herstellen von solarzellen und dadurch hergestellte gegenstaende
DE3615515A1 (de) Halbleitereinrichtung zur umwandlung von licht in elektrische energie
DE3780817T2 (de) Sonnenzelle mit verbesserten elektrischen kontakten.
DE69120849T2 (de) Lawinenphotodiode
DE2735937C2 (de) Flüssigphasenepitaxie-Verfahren zur Herstellung von Halbleiter-Heterostrukturen
DE112005003382T5 (de) Fotodiode mit einem Heteroübergang zwischen halbisolierendem Zinkoxid-Halbleiter-Dünnfilm und Silizium
DE3408317C2 (de) Solarzelle aus amorphem Silicium
DE202023101309U1 (de) Solarzelle und Photovoltaikmodul
DE112010005950T5 (de) Photovoltaikvorrichtung und Herstellungsverfahren für diese
DE3526337C2 (de)
DE2534945B2 (de) Lumineszenzdiode
DE2848925A1 (de) Lawinen-photodiode mit heterouebergang
DE2802727C2 (de) Verfahren zur Herstellung eines zum Aushalten einer hohen Spannung geeigneten Halbleiterbaulements
DE2702451B2 (de) Halbleiteranordnung

Legal Events

Date Code Title Description
OHJ Non-payment of the annual fee