DE2654429C2 - Verfahren zum Herstellen eines Photoelements mit einem lichtempfindlichen halbleitenden Substrat aus der Legierung Cd↓x↓Hg↓1↓↓-↓↓x↓Te - Google Patents

Verfahren zum Herstellen eines Photoelements mit einem lichtempfindlichen halbleitenden Substrat aus der Legierung Cd↓x↓Hg↓1↓↓-↓↓x↓Te

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Description

Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Herstellen eines Photoelements nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1.
Bei dem aus der US-PS 38 45 494 bekannten Verfahren dieser Art wird ein N- und P-dotierter HgTE-CdTe-Halbleiterkörper vollständig mit einer Schutzschicht aus Zinksulfid, Zinkselenid oder Arsenpentaselenid überzogen, die verhindert, daß Quecksilberdampf aus dem Halbleiterkörper nach außen diffundiert. Die Schutzschicht wird aufgebracht, nachdem das Dotierungsmittel in das Substrat eindiffundiert worden ist.
Die US-PS 34 96 024 beschreibt die Herstellung eines Photoelements mit einem Halbleiterkörper, der durch epitaxiales Aufwachsen von CdxHgI _ ,Te auf einem CdTe-Substrat gebildet wird, und zwar in der Weise, daß χ beim Aufwachsen von 1 bis auf 0 abnimmt, so daß zwei äußere Schichten verbleiben, von denen die eine nur Cd und Te und die andere nur Hg und Te enthält, während der Bereich dazwischen Cd,Hgi _ ,Te in sich stetig ändernder Zusammensetzung mit χ zwischen 0 und 1 aufweist. Der auf diese Weise hergestellte Halbleiterkörper wird an den Randbereichen mit der sich stetig ändernden Zusammensetzung kontaktiert und beim Betrieb in einem Magnetfeld angeordnet, um die Strahlungsenergie in elektrische Energie umzuformen.
Die GB-PS 10 38 438 beschreibt eine Halbleitervorrichtung mit einem Substrat aus Galliumarsenid, auf dem eine Schicht aus Siliciummonoxid aufgebracht ist. Durch die Siliciummonoxid-Schicht wird Tellur oder Selen unter Erwärmung hindurch in das Substrat eindiffundiert. Anschließend wird eine weitere Schutzschicht aus Siliciummonoxid oder Siliciumdioxid auf der gesamten Oberfläche aufgebracht.
Sodann wird in dem älteren deutschen Patent 26 17 939 vorgeschlagen, auf dem halbleitenden Substrat aus CdxHgI _ xTe zur Verbesserung der Strahlungsempfindlichkeit eine Zwischenschicht aus CdTe durch Kathodenzerstäubung oder durch Verdampfung im Vakuum abzulagern und anschließend eine dielektrische Schutzschicht aufzutragen, die aus SiO, SiC2, S13N4 odor ZnS bestehen kann, wobei zur Diffusion Öffnungen in den genannten Schichten erzeugt werden.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1 dthingehend zu verbessern, daß die damit hergestellten Photoelemente bei einfachem Aufbau eine besonders hohe Strah'.ungsempfir.düchkeit aufweisen.
Die Lösung dieser Aufgabe ist im Patentanspruch 1 gekennzeichnet.
Bei dieser Ausbildung des Photoelements schützt die Schutzschicht das Substrat nicht nur vor, sondern auch bei und nach dem Eindiffundieren des Dotierungsmittels in das Substrat. Ohne uie Schutzschicht würde die Substratoberfläche beim Eindiffundieren des Dotierungsmittels angegriffen. Andererseits verhindert die Schutzschicht, daß das Dotierungsmittel während des Betriebs oder bei normalen Umgebungsbedingungen wieder aus dem Substrat herausdiffundiert, weil sie dann in besonders hohem Maße für das Dotierungsmittel undurchlässig ist. Da die Schutzschicht in jeder Phase für eine Unversehrtheit des Substrats sorgt, ergibt sich eine hohe Lichtempfindlichkeit, die über lange Zeit hinweg erhalten bleibt, ohne daß eine zusätzliche, die Lichtempfindlichkeit beeinträchtigende Schutzschicht erforderlich ist. Die Ausbildung der Schutzsck.! :ht aus einer Legierung eines Legierungsbestandteiis des Substrats hat den weiteren Vorteil, daß die Schutzschicht fest an der Oberfläche des Substrats haftet.
Weiterbildungen dieser Lösung sind in den Unteransprüchen gekennzeichnet.
Die Erfindung wird nachstehend anhand der schematischen Zeichnung bevorzugter Ausführungsbeispiele erläutert. Es zeigen
F i g. 1 bis 7 schematisch einzelne Schritte eines Verfahrens, das die erfindungsgemäßen Merkmale aufweist, und
F i g. 8 ein anderes Ausführungsbeispiel eines Verfahrens, das die erfindungsgemäßen Merkmale aufweist.
Das anhand der F i g. 1 bis 7 beschriebene Beispiel betrifft die Herstellung eines Photoelements, dessen Substrat durch die Legierung Cd1HgI _ «Te gebildet wird, wobei χ größer Null und kleiner 1 ist und vorzugsweise kleiner als 0,4 ist.
Nach F i g. 1 ist das Substrat 1 P-leitend und auf die Hauptfläche des Substrats wird eine erste Schicht 2 aufgebracht. Diese Schicht 2 besteht aus Cadmiumtellurid (CdTe) und wird durch ein beliebiges bekanntes Verfahren aufgebracht, vorzugsweise durch Kathodenzerstäubung oder Verdampfung im Vakum.
Auf der Schicht 2 wird eine Abdeeksehieht 3 (F i g. 2) aufgebracht. Diese Abdeeksehieht besteht aus einem .Isoliermaterial, das nicht mit den Bestandteilen und den Dotierungsmitteln des Bauelements reagiert. Bei dem
Material der Schicht 3 kann es sich um ZinksuIFid (ZnS), Siliciumdioxid (S1O2), Siliciummonoxid (SiO) oder Siliciumnitrid (S13N4) handein.
Das in F i g. 2 dargestellte Element wird anschließend einer Wärmebehandlung bei einer zwischen 2000C und 400° C liegenden Temperatur während einer Zeit von mindestens einer Stunde (bei 400° C) und von 15 Stunden bei 2000C unterzogen. Diese Wärmebehandlung ermöglicht eine Umkristallisierung der Schicht 2 und einen stetigen Übergang ihrer Zusammensetzung von der des Substrats I zu der der Abdeckschicht 3. Das heißt, in der Nähe des Substrats 1 entspricht die Zusammensetzung der Schicht 2 praktisch der des Substrats, und in der Nähe der Grenzfläche mit der Abdeckschicht besteht diese Schicht aus reinem Cadmiumtellurid.
Wie F i g. 3 zeigt, wird nach dieser Wärmebehandlung wenigstens eine Öffnung oder ein »Fenster« 10 in den Schichten 2 und 3 ausgebildet, so daß ein Teil der Oberfläche la des Substrats 1 freigelegt wird.
Erfindungsgemäß bringt man wenigstens in der Öffnung 10 eine Oberflächenschicht 4 (Fig.4) aus Cadmiumteüurid auf. Bei dem in F i g. 1 bis 7 dargestellten Beispiel überdeckt diese Schicht 4 auch di- Abdeckschicht 3. Diese Schicht 4 kann nach einem beliebigen bekannten Verfahren aufgebracht werden, wie Verdampfung im Vakuum oder Kathodenzerstäubung. Diese Schicht 4, nachstehend auch als »Schutzschicht« bezeichnet, haftet in befriedigender Weise an der Oberfläche la des Substrats 1 sowie an den Rändern 10a der öffnung 10. Durch die Schutzschicht 4 wird im Bereich der öffnung 10 eine Verunreinigung in Form von Hg in - das Substrat eindiffundiert, die das Substrat 1 auf einem Teil der Fläche la so dotiert, daß ein PN-Übergang entsteht.
Die Schutzschicht 4 erfüllt mehrere Aufgaben. Zunächst, wie unten anhand von Fig.5 erläutert ist, schützt die Schicht 4 in der Öffnung 10 die Oberfläche la des Substrats 1 während der Diffusion des Quecksilbers in das Substrat (zur Herstellung einer N-Zone). Diese Schicht verhindert die Diffusion nicht, da der DiF-fusionskoefiizient des Quecksilbers durch die Schicht 4 aus CdTe hinreichend groß ist, vorausgesetzt, daß diese Schicht nicht zu dick ist. Als Dotierungsverfahren benutzt man insbesondere die Diffusion des Quecksilbers bei einer hohen Temperatur von vorzugsweise über 300°C. Bei niedriger Temperatur, insbesondere bei Raumtemperatur, ist dagegen unter den normalen Betriebsoder Aufbewahrungsbedingungen die Cadmiumtelluridschicht praktsich für das Quecksilber undurchlässig.
Der Schutz der Oberfläche la beim Eindiffundieren von Quecksilber in das Substrat 1 ist besonders wichtig. Denn, wenn das Quecksilber unmittelbar in die freie Oberfläche des Substrats diffundiert wird, v/ird die Oberfläche beschädigt. Diese Beschädigung der Oberfläche, die die lichtempfindliche Oberfläche des Photoelements bildet, besitzt zahlreiche Nachteile. So treten insbesondere Rekombinationsströme an der Oberfläche auf, die den Sperrwiderstand der Photodiode verringern. Außerdem bewirkt ein schlechter Oberflächenzustand eine starke optische Absorption und eine Verringerung der Lichtempfindlichkeit des Bauelements, insbesondere ihres Quantenwirkungsgrades, der gleich dem Verhältnis der Anzahl von durch eine Strahlung erzeugten elektrischen ladungen zur Anzahl der durch diese Strahlung zugefuhrten Photonen ist. Schließlich ist die Durchschlagspannung einer so gebildeten Photodiode verhältnismäßig kU.i. Mit einer vor der Diffusion des Quecksilbers auf das Substrat aufgebrachten Schicht 4 wird die Oberfläche la geschützt, so daß sie nicht beschädigt wird und das Bauelement eine erheblich höhere Empfindlichkeit besitzt
Außerdem ist die Schicht 4 aus CdTE für Infrarotstrahlung bis zu einer Wellenlänge von größenordnungsgemäß 15 μπι durchlässig.
An der Oberfläche hat das Quecksilber keinen Einfluß auf das Cadmiumtellurid. Der Zustand der Außenfläche der Schicht 4 bleibt daher befriedigend, und die optische Absorption der einfallenden Strahlung ist gering. Der Quantenwirkungsgrad ist verhältnismäßig hoch.
Die Schicht 4 schützt auch die Oberfläche la· und den PN-Übergang während der Metallisierung, die weiter unten anhand von Fig. 7 beschrieben ist. Schließlich kann dank der Schicht 4 der PN-Übergang in einer geringen Tiefe in dem Substrat hergestellt werden, und die Diffusion des Quecksilbers kann langsamer als ohne Schicht 4 erfolgen, so daß die Herstellung des PN-Übergangs besser beherrscht wird.
Wie in Fig.5 dargestellt ist, wi^ nach Herstellung der Schicht 4 aus CdTe das (symbolisch durch den Pfeil 5 in F i g. 5 dargestellte) Quecksilber über die Öffnung 10 durch die Schicht 4 hindurch eindiffundiert. Im betrachteten Beispiel erfolgt das Eindiffundieren bei einer Temperatur von wenigstens 300°C. Die Diffusion wird in einer (nicht dargestellten) abgeschmolzenen Glasampulle in Gegenwart von (auf die Außenfläche der Schicht 4 aufgebrachtem) Quecksilber in flüssiger Phase oder in gasförmiger Phase durchgeführt, wobei die Ampulle etwa eine halbe Stunde lang auf 300°C gehalten wird.
Nach dem Eindiffundieren des Quecksilbers erhält man eine N-Zone 6, die sich über eine größere Fläche
als die öffnung 10 erstreckt. Die Zone 6 bildet einen PN-Übergang 7 mit dem P-leitenden Substrat 1.
Wie in F i g. 6 dargestellt ist, wird nach der Ausbildung der Zone 6 wenigstens eine Öffnung in der Schicht 4 hergestellt, um die elektrischen Ausgangs.konukte des
Photoelements herzustellen. Die Öffnung 8 wird z. B. durch Wegätzen der Schicht 4 mittels einer stark verdü-.nten Brom-Äthanol-Lösung hergestellt. Diese Lösung ätzt die Schicht 4 aus CdTe mit einer bestimmten Geschwindigkeit weg. Es ist daher durch Begrenzung
der Ätzzeit möglich, nur die Schicht 4 zu entfernen und die Schicht 6 unversehrt zu lassen.
Nach F i g. 7 wird die Öffnung (oder werden die öffnungen) 8 zur Kontaktierung mit einem Metall ausgefüllt, z. B. mit Chrom oder Gold. Man erhält so eine Metallschicht 9, die an einem Teil der Oberfläche la haftet, an der Zone 6 angrenzt und über die Schicht 4 hinausgeht, um die elektrische Verbindung mit dem elektrischen Meßkreis herstellen zu können, in den das Phot^dement geschaltet werden soll. Die Schicht 4 erübrigt die Aufbringung einer zusätzlichen Schutzschicht, z. B. aus Zj^ksulfid, die gewöhnlich erforderlich ist, wenn derartige Kontakte ohne die Schicht 4 aut; Cadmiumtellurid hergestellt werden. Während der Kontaktierung schützt die Schicht 4 nicht nur die Oberfläche la, sondern auch oie Ränder des PN-Übergangs. Diese Zone 4 überdeckt nämlich, ebenso wie die Schichten 2 und 3, die Ränder des PN-Übergangs, so daß dieser nach seiner Herstellung nicht gestört wird.
Bei einem speziellen Ausführungsbeispiel eines Baues elements der oben beschriebenen Art wurde als Substrat eine Platte aus einer Cd,Hgi _ vTe-Legierung mit .v = 0.2 verwendet, wobei die Oberfläche dieser Platte etwa 300 mm- betrug und dotierende Verunreinpungs-
atome in einer Konzentration von 10ir Atomen/cm* besaß. Hierauf wurden eine Schicht 2 aus CdTe mit einer Dicke von 300 0 nm und eine Abdeckschicht 3 aus Zinksuifid ZnS ebenfalls mit einer Dicke von 300 0 nm aufgebracht. In dieser Platte wurden etwa 3000 Öffnun- i gen 10 hergestellt, wobei jede dieser Öffnungen eine Fläche von 10"-mm-(ΙΟΟμιπ · 100 μπι) hatte. Hierauf wurde eine Schicht 4 aus CdTe mit einer Dicke von 300 0 nm hergestellt, und das Quecksilber wurde etwa eine halbe Stunde lang eindiffundiert. Danach hatte die ι ο N-Zone 6 eine Trägerkonzentration von \0'b Atomen/ cm'. Es hat sich gezeigt, daß ein auf diese Weise hergestelltes Photoelement einen Quantenwirkungsgrad von etwa 50% hatte, während dieser Wirkungsgrad ohne die CdTe-Schicht 4 nur etwa 25% beträgt. ι ■-,
Fig.8 zeigt eine Abwandlung des erfindungsgemäßen Verfahrens. Hier wird zunächst auf der freien Oberfläche des P-Ieitenden Substrats I eine Schicht 2.1 aus CdTe und dann auf dieser Schicht 2.-J eine Ahderkschicht 3a aus ZnS aufgebracht. In der Abdeckschicht 3,/ wird eine öffnung lOi» ausgebildet, jedoch die Schicht 2a unversehrt gelassen. Schließlich wird das Quecksilber durch die Schicht 2;) hindurch in das Substrat I eindiffundiert, so daß eine N-Zone 6a entsteht. Dieses Verfahren ist leichter auszuüben als das nach den F i g. 1 bis 7. Die seitliche Diffusion, die störend sein kann, wird jedoch in weniger befriedigender Weise vermieden, als wenn eine Schicht 4 aufgebracht wird, die (außer der Oberfläche la über der zu erzeugenden Zone 6) die Schicht 3 überdeckt.
Die Verfahren nach den Fig.! bis 8 können abgewandelt werden. So kann z. B. als Dütierungsmittel außer Quecksilber auch Indium benutzt werden. Statt vor der Herstellung der Öffnung 10 und der Schicht 4 kann die Wärmebehandlung auch nach der Herstellung der Schicht und vor dem Eindiffundieren der Dotierungsmitteis erfolgen.
Die Dicke der Schicht 4 (oder 2a^ liegt vorzugsweise zwischen 50 0 und 500 <Z nm.
Die Schicht 4 (oder 2a) hat nicht nur den Vorteil, daß sie das Bauelement während der Herstellung schützt, sondern sie verringert auch die Anzahl der erforderlichen Herstellungsschritte.
Hierzu 2 Blatt Zeichnungen
5C
60

Claims (6)

Patentansprüche:
1. Verfahren zum Herstellen eines Photoelements mit einem 'lichtempfindlichen halbleitenden Substrat aus der Legierung CdxHgI _ »Te, wobei χ größer 0 und kleiner 1 ist, bei dem ein Dotierungsmittel zur Bildung eines PN-Übergangs bei höherer Temperatur als der Betriebs- oder Umgebungstemperatur des Photoelements in das Substrat eindiffundiert und ι ο auf dem Substrat eine den Austritt des Dotierungsmittels aus der eindiffundierten Zone des Substrats bei Betriebs- oder Umgebungstemperatur verhindernde Schutzschicht aufgebracht wird, dadurch gekennzeichnet, daß die Schutzschicht (4; 2a) is aus der Legierung CdTe besteht und das Dotierungsmittel nach dem Aufbringen der Schutzschicht (4; 2a,) durch diese hindurch eindiffundiert wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß vor dem Aufbringen der Schutzschicht (4) eine erstt. Schicht (2) aus CdTe, auf dieser eine isolierende Abdeeksehieht (3) und nach Ausbildung einer Öffnung (10) in diesen beiden Schichten (2,3) die Schutzschicht (4) aufgebracht wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß auf der Schutzschicht (2a) eine isolierende Abdeeksehieht (3a) aufgebracht und in dieser eine Öffnung (iOb) ausgebildet wird, bevor das Dotierungsmittel eindiffundiert wird.
4. Verfahren nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß als Material für die Abdeeksehieht (3; 3a) ZuS oder SiO2 oder SiO oder Si3N4 verwendet wird.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daR die Dicke der Schutzschicht (4; 2a) zwischen 50 und 500 nm liegt.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß als Dotierungsmittel Indium verwendet wird.
40
DE2654429A 1975-12-23 1976-12-01 Verfahren zum Herstellen eines Photoelements mit einem lichtempfindlichen halbleitenden Substrat aus der Legierung Cd&darr;x&darr;Hg&darr;1&darr;&darr;-&darr;&darr;x&darr;Te Expired DE2654429C2 (de)

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Families Citing this family (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4206003A (en) * 1977-07-05 1980-06-03 Honeywell Inc. Method of forming a mercury cadmium telluride photodiode
US4286278A (en) * 1977-09-01 1981-08-25 Honeywell Inc. Hybrid mosaic IR/CCD focal plane
IT1088411B (it) * 1977-12-06 1985-06-10 Cise Spa Procedimento per la relaizzazione di rivelatori multispettrali per infrarosso
JPS575325A (en) * 1980-06-12 1982-01-12 Junichi Nishizawa Semicondoctor p-n junction device and manufacture thereof
FR2488048A1 (fr) * 1980-07-30 1982-02-05 Telecommunications Sa Detecteur photovoltaique sensible dans l'infrarouge proche
DE3033457C2 (de) * 1980-09-05 1986-05-15 N.V. Philips' Gloeilampenfabrieken, Eindhoven Verfahren zur Herstellung einer einen PN-Übergang aufweisenden Infrarot-Detektoranordnung
FR2492171A1 (fr) * 1980-10-10 1982-04-16 Philips Nv Procede pour fabriquer un dispositif detecteur de rayons infrarouges
FR2501915A1 (fr) * 1981-03-10 1982-09-17 Telecommunications Sa Photodetecteur sensible dans l'infra-rouge proche
DE3278553D1 (en) * 1981-06-24 1988-06-30 Secr Defence Brit Photo diodes
JPS58202579A (ja) * 1982-03-31 1983-11-25 ハネウエル・インコ−ポレ−テツド 半導体装置およびその製造方法
US4914495A (en) * 1985-12-05 1990-04-03 Santa Barbara Research Center Photodetector with player covered by N layer
US5004698A (en) * 1985-12-05 1991-04-02 Santa Barbara Research Center Method of making photodetector with P layer covered by N layer
US5079610A (en) * 1985-12-05 1992-01-07 Santa Barbara Research Center Structure and method of fabricating a trapping-mode
US5182217A (en) * 1985-12-05 1993-01-26 Santa Barbara Research Center Method of fabricating a trapping-mode
US4726885A (en) * 1986-02-07 1988-02-23 Texas Instruments Incorporated Selenidization passivation
US4736104A (en) * 1986-02-07 1988-04-05 Texas Instruments Incorporated Selenidization passivation
US4731640A (en) * 1986-05-20 1988-03-15 Westinghouse Electric Corp. High resistance photoconductor structure for multi-element infrared detector arrays
DE3743288A1 (de) 1986-12-30 2015-06-18 Société Anonyme de Télécommunications Bispektrale Empfangsvorrichtung für elektromagnetische Strahlung
US4885619A (en) * 1987-08-24 1989-12-05 Santa Barbara Research Center HgCdTe MIS device having a CdTe heterojunction
JP2798927B2 (ja) * 1988-03-28 1998-09-17 株式会社東芝 半導体受光装置及びその製造方法
US5936268A (en) * 1988-03-29 1999-08-10 Raytheon Company Epitaxial passivation of group II-VI infrared photodetectors
US4956304A (en) * 1988-04-07 1990-09-11 Santa Barbara Research Center Buried junction infrared photodetector process
US5880510A (en) * 1988-05-11 1999-03-09 Raytheon Company Graded layer passivation of group II-VI infrared photodetectors
US4961098A (en) * 1989-07-03 1990-10-02 Santa Barbara Research Center Heterojunction photodiode array
US5049962A (en) * 1990-03-07 1991-09-17 Santa Barbara Research Center Control of optical crosstalk between adjacent photodetecting regions
US5192695A (en) * 1991-07-09 1993-03-09 Fermionics Corporation Method of making an infrared detector
EP0635892B1 (de) * 1992-07-21 2002-06-26 Raytheon Company Glühenbeständiger HgCdTe-Photodetektor und Herstellungsverfahren
US5296384A (en) * 1992-07-21 1994-03-22 Santa Barbara Research Center Bake-stable HgCdTe photodetector and method for fabricating same
US5279974A (en) * 1992-07-24 1994-01-18 Santa Barbara Research Center Planar PV HgCdTe DLHJ fabricated by selective cap layer growth
JP5135651B2 (ja) * 2001-05-15 2013-02-06 株式会社アクロラド 半導体放射線検出素子
FR2865102B1 (fr) 2004-01-19 2006-04-07 Michel Evin Machine de travail du sol, du type dechaumeuse
US20110146788A1 (en) * 2009-12-23 2011-06-23 General Electric Company Photovoltaic cell
CN104616974B (zh) * 2015-01-21 2017-06-27 中国科学院上海技术物理研究所 一种用于高能离子注入的复合掩膜的去除方法
CN104576335A (zh) * 2015-01-21 2015-04-29 中国科学院上海技术物理研究所 一种用于高能离子注入的复合掩膜

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3496024A (en) * 1961-10-09 1970-02-17 Monsanto Co Photovoltaic cell with a graded energy gap
DE1261486B (de) * 1964-07-31 1968-02-22 Ibm Deutschland Verfahren zum n-Dotieren definierter Bereiche von Halbleiterkoerpern
FR2168934B1 (de) * 1972-01-27 1977-04-01 Telecommunications Sa
JPS499186A (de) * 1972-05-11 1974-01-26
US3949223A (en) * 1973-11-01 1976-04-06 Honeywell Inc. Monolithic photoconductive detector array
FR2281650A1 (fr) 1974-08-06 1976-03-05 Telecommunications Sa Procede de fabrication d'une photodiode sensible aux rayonnements infrarouges et photodiode obtenue par ce procede

Also Published As

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FR2336804A1 (fr) 1977-07-22

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