DE2654429A1 - Halbleitervorrichtung, insbesondere photovoltaische sonde, mit einem substrat auf der basis einer legierung cd tief x hg tief 1-x te, und verfahren fuer ihre herstellung - Google Patents

Halbleitervorrichtung, insbesondere photovoltaische sonde, mit einem substrat auf der basis einer legierung cd tief x hg tief 1-x te, und verfahren fuer ihre herstellung

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DE2654429A1 DE19762654429 DE2654429A DE2654429A1 DE 2654429 A1 DE2654429 A1 DE 2654429A1 DE 19762654429 DE19762654429 DE 19762654429 DE 2654429 A DE2654429 A DE 2654429A DE 2654429 A1 DE2654429 A1 DE 2654429A1
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Description

29. November 1976
SOOIETE ANOMME DE TELECOMMUNICATIONS 0519 76 B
Halbleitervorrichtung, insbesondere photovoltaische Sonde, mit einem Substrat auf der Basis einer Legierung Cd3Hg1 Te, und Verfahren für ihre Herstellung.
Die Erfindung betrifft eine Halbleitervorrichtung des Typs Planar mit einem Substrat aus einem halbleitenden Material eines ersten Leitfähigkeitstyps, in welchem eine Zone des zweiten Leitfähigkeitstyps gebildet ist, welche eine Grenzfläche PN mit der Zone des ersten Typs bildet. Sie betrifft ferner ein Verfahren zur Herstellung einer derartigen Vorrichtung. Die Erfindung betrifft insbesondere eine derartige Vorrichtung, welche im besonderen eine photovoltaische Sonde bilden soll, in welcher das Substrat aus einer Legierung von zwei Materialien mit verschiedenen verbotenen Bandbreiten besteht, wobei die Breite des verbotenen Bandes der Legierung eine Punktion des verhältnismäßigen Anteils der beiden Materialien in dieser Legierung ist, wobei diese beiden Materialien vorzugsweise Kadmiumtellurid und Quecksilbertellurid sind. Die Erfindung betrifft schließlich ein Verfahren zur Herstellung einer photovoltaischen Sonde, deren Substrat das halbleitende Material der Formel Cd^ Hg1^xTe ist, worin χ eine von Null verschiedene Zahl ist, welche kleiner als 1 ist.
Die photovoltaischen Sonden mit einem Substrat auf der Basis einer Legierung mit der Formel Cdx Hg1 Te, welche insbesondere für die Feststellung der infraroten Strahlungen interessant sind, werden im allgemeinen unter Ausgang von einem Substrat des Typs P hergestellt, in. welches man durch eine Oberfläche eine Ver-
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unreinigung diffundiert, z.B. Quecksilber, um den Typ N einer Oberflächenzone des Substrats zu erteilen und so eine Grenzfläche PN ZVL bilden. Die empfindliche Oberfläche einer derartigen Sonde wird durch die Oberfläche des Substrats gebildet, in welche die Verunreinigung diffundiert wurde. Ein Verfahren zur Herstellung einer derartigen Sonde ist z.B. in der am 27. Mai 1966 von dem OMS eingereichten französischen Patentschrift Hr. 1 504 497 beschrieben.
Bei den meisten Anwendungen der photovoltaischen Sonden, insbesondere in dem Infraroten, ist es wichtig, daß die Empfindlichkeit hoch ist. In der am 6. August 1974 auf den Namen der Anmelderin eingereichten französischen Patentanmeldung Mr. 74 27 282 ist ein Verfahren zur Verbesserung der Empfindlichkeit derartiger Sonden beschrieben.
Mit diesem Verfahren hat man eine Sonde dieses Typs mit einer Anpassungsschicht erhalten, welche gestattet, die elektrischen und mechanischen Eigenschaften der photovoltaischen Sonde zu verbessern.
Die Erfindung bezweckt die Herstellung einer photovoltaischen Sonde, deren Empfindlichkeit für die Strahlung noch größer ist. ·
Ein weiterer Zweck der Erfindung ist die Ermöglichung einer einfachen und wirtschaftlichen Herstellung einer derartigen Sonde.
Gemäß einem weiteren Kennzeichen der Erfindung enthält die erfindungsgemäße Halbleitervorrichtung ein halbleitendes Substrat eines ersten Leitfähigkeitstyps und in diesem Substrat wenigstens auf einem Teil seiner Außenfläche eine Zone des zweiten Leitfähigkeitstyps» welche eine Grenzfläche PF mit der Zone des ersten Typs bildet und mit einem Dotierungsmittel dotiert ist, welches einen hohen Diffusionskoeffizienten in dem Substrat besitzt. Diese Vorrichtung ist dadurch gekennzeichnet, daß diese Außenfläche wenigstens auf einem bedeutenden Teil der Zone des zweiten Leitfähigkeitstyps mit einer Oberflächenschicht aus einem Material überzogen ist, welches unter den normalen Benutzungs- und Einlagerungsbedingungen der Halbleitervorrichtung eine Durchlässigkeit für das Dotierungsmittel besitzt, welche erheblich kleiner als die Durchlässigkeit des gleichen Materials für das Dotierungsmittel un-
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- H - 0519 76 B
ter den Bedingungen der Ausübung wenigstens eines Verfahrens zur Diffusion dieses Mittels in das Substrat ist.
Zur Herstellung einer derartigen Halbleitervorrichtung geht man folgendermaßen vor. Zunächst bringt man erfindungsgemäß diese Oberflächenschicht auf die Außenfläche des Substrats auf, worauf man durch diese Oberflächenschicht hindurch ein Dotierungsmittel mit einem hohen Diffusionskoeffizienten in dem Substrat des ersten Leitfähigkeitstyps diffundiert, um eine Zone des zweiten Leitfähigkeitstyps zu schaffen. Auf diese Weise wird diese Oberfläche (welche die empfindliche Fläche bildet, wenn die Halbleitervorrichtung eine photovoltaische Sonde ist) sowohl während der Diffusion des Dotierungsmittel als auch während der Benutzung der Halbleitervorrichtung geschützt.
Die Erfindung betrifft ferner eine Halbleitervorrichtung, welche eine photovoltaische Sonde bildet und ein Substrat eines ersten Leitfähigkeitstyps aus einer Legierung von zwei Materialien mit verschiedenen verbotenen Bandbreiten, wobei die Breite des verbotenen Bandes der Legierung eine Funktion des verhältnismäßigen Anteils der beiden Materialien in der Legierung ist, und in dem Substrat wenigstens auf einem Teil seiner Außenfläche eine Zone des zweiten Leitfähigkeitstyps aufweist. Diese Vorrichtung ist dadurch gekennzeichnet, daß sie auf dieser Oberfläche wenigstens auf einem bedeutenden Teil der Zone des zweiten Leitfähigkeitstyps eine Oberflächenschicht aus einem Material aufweist, welches zum größten Teil denjenigen der beiden Bestandteile der Legierung enthält, welcher die größere verbotene Bandbreite hat. Diese Oberflächenschicht bildet dann eine Schutzschicht, welche für die Strahlungen durchsichtig ist, deren Wellenlängen dem Betriebsbereich des Photodetektors entsprechen.
Die Erfindung betrifft im besonderen in ihrer bevorzugten Anwendung eine Halbleitervorrichtung mit einem Substrat eines ersten Leitfähigkeitstyps aus einer Legierung mit der Formel Cd Hg4 _Te, worin χ eine von Hull verschiedene Zahl ist, welche kleiner als 1 ist, und in diesem Substrat auf wenigstens einem Teil seiner Außenfläche einer Zone des zweiten Leitfähigkeitstyps, welche mit der Zone des ersten Typs eine Grenzfläche PlT bildet. Diese Vorrichtung ist dadurch gekennzeichnet, daß sie auf dieser Oberfläche wenigstens auf einem bedeutenden Teil dieser Zone eine Ober-
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flächenschicht aus einem Material aufweist, welches zum größten Teil Kadmiumtellurid CdTe enthält. Dieses Material (CdTe) haftet in befriedigender Weise an dem Substrat. Es bildet einen Schutz der Oberfläche der Vorrichtung während ihrer Herstellung und während ihrer Benutzung. Wenn schließlich die Vorrichtung eine photovoltaische Sonde ist, welche für die Infrarotstrahlung mit einer Wellenlänge von größenordnungsmäßig 10 μ empfindlich ist (wobei χ größenordnungsmäßig 0,24 beträgt), beeinträchtigt diese Oberflächenschicht aus CdTe nicht die Leistung der Sonde, da sie für die Strahlung bis zu einer Wellenlänge von 15μ durchsichtig ist. Falls das Substrat den Typ P hat, wird diese Zone, welche dann den Typ N hat, vorzugsweise mit einem Dotierungsmittel dotiert, z.B. Quecksilber oder Indium.
Schließlich betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Herstellung einer photovoltaischen Sonde mit einem Substrat eines ersten Leitfähigkeitstyps aus einer Legierung mit der Formel Cd Hg1 Te, worin χ eine von Null verschiedene Zahl ist, welche kleiner als 1 ist, wobei man durch Diffusion eines Dotierungsmittels mit einem hohen Diffusionskoeffizienten in dem Substrat wenigstens auf einem eine empfindliche Oberfläche bildenden Teil einer Außenfläche des Substrats eine Zone des zweiten Leitfähigkeitstyps bildet, so daß eine Grenzfläche PN mit der Zone des ersten Typs entsteht. Dieses Verfahren ist dadurch gekennzeichnet, daß man eine dünne Schutzschicht aus Kadmiumtellur id CdTe auf diese empfindliche Oberfläche aufbringt, und daß die Diffussion des Dotierungsmittels durch diese Schutzschicht hindurch vorgenommen wird. Eine auf diese Weise hergestellte photovoltaische Sonde besitzt dann eine erheblich größere Empfindlichkeit als die bisher bekannten Sonden dieser Art.
Die Erfindung ist nachstehend unter Bezugnahme auf die Zeichnung beispielshalber erläutert.
Fig. 1 bis 7 zeigen schematisch die verschiedenen Schritte der Herstellung einer erfindungsgemäßen photovoltaischen Sonde.
Fig. 8 zeigt eine andere Ausführung der erfindungsgemässen Sonde.
Das nachstehend unter Bezugnahme auf Fig. 1 bis 7 beschriebene Beispiel betrifft eine photovoltaische Sonde, deren Sub-
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strat durch die Legierung mit der Formel CdxHg., χΤβ gebildet wird.
In dieser Formel ist χ eine von Null verschiedene Zahl, welche kleiner als 1 und vorzugsweise kleiner als 0,4 ist.
Wie in Fig. 1 dargestellt, hat das Substrat 1 den Typ P, und auf die Hauptfläche des Substrats wird eine Übergangsschicht 2 des Typs der in der genannten französischen Patentanmeldung Hr. 74 27 282 genannten Art aufgebracht. Diese Schicht 2 ist eine Schicht aus Kadmiumtellurid CdTe, welche durch ein beliebiges bekanntes Verfahren aufgebracht wird, z.B. Kathodenzerstäubung oder Verdampfung im Vakuum.
Wie ebenfalls in dieser französischen Patentanmeldung beschrieben, wird eine Abdeckschicht 3 (Fig. 2) auf die Schicht 2 aufgebracht. Diese Abdeckschicht besteht aus einem Isoliermaterial, welches nicht mit den Bestandteilen und den Dotierungsmitteln der Vorrichtung reagiert. In dem Beispiel ist dieses Material Zinksulfid ZnS. Gemäß einer AusführungsabWandlung kann diese Schicht 3 aus Siliziumdioxyd SiO2, Siliziummonoxyd SiO oder Siliziumnitrid Si« IL sein.
Das in Fig. 2 dargestellte Element wird anschliessend einer Wärmebehandlung bei einer zwischen 200° G und 400° C liegenden Temperatur während einer Zeit von mindestens einer Stunde (bei 400° C) und von 15 Stunden bei 200° G ausgesetzt. Diese Wärmebehandlung soll die Herstellung einer Schicht 2 ermöglichen, deren Zusammensetzung sich stetig ändert. Wie nämlich in der genannten Patentanmeldung Fr. 74 27 282 beschrieben, ermöglicht die Wärmebehandlung die Umkristallisierung der Schicht 2 und außerdem die Erzielung einer Schicht, deren Zusammensetzung sich stetig zwischen der Zusammensetzung des Substrats und der/lbdeckschicht ändert. In der Fähe des Substrats 1 entspricht die Zusammensetzung der Schicht 2 praktisch der des Substrats, und in der Mähe der Grenzfläche mit der Abdeckschicht besteht diese Schicht aus reinem Kadmiumtellurid.
Mach dieser Wärmebehandlung erzeugt man (Fig. 3) wenigstens eine Öffnung oder ein "Fenster" 10 in den Schichten 2 und 3, so daß ein Teil der Oberfläche 1a des Substrats 1 freigelegt wird. In diese Öffnung wird die Verunreinigung diffundiert, welche das Substrat 1 auf einem Teil der Fläche 1a so dotieren soll, daß eine Grenzfläche PM entsteht.
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Erfindungsgemäß bringt man wenigstens in der Öffnung 10 eine Schicht 4 (Fig. 4) aus Kadmiumtellurid auf. Bei dem in Fig. 1 bis 7 dargestellten Beispiel überdeckt diese Schicht 4 auch die Abdeckschicht 3. Diese Schicht 4 kann gemäß einem beliebigen bekannten Verfahren aufgebracht werden, wie Verdampfung im Vakuum oder Kathodenzerstäubung. Diese Schicht 4» welche nachstehend mit dem Ausdruck "Schutzschicht" bezeichnet ist, haftet in befriedigender Weise an der Oberfläche 1a des Substrats 1 sowie an den Rändern 10a der Öffnung 10.
Die Schutzschicht 4 erfüllt mehrere Aufgaben. Zunächst, wie weiter unten unter Bezugnahme auf Fig. 5 erläutert, schützt die Schicht 4 in der Öffnung 10 die Oberfläche 1a des Substrats 1 während der Diffusion des Quecksilbers in das Substrat (zur Herstellung einer Zone des Typs N). Diese Schicht verhindert nicht die Diffusion, da die Erfinder im Verlaufe von in dem Rahmen der Erfindung angestellten Versuchen festgestellt haben, daß der Diffusionskoeffizient des Quecksilbers durch die Schicht 4 aus CdIPe bei der Ausübung eines Verfahrens zur Dotierung des Substrats mit Quecksilber so groß ist, daß diese Schicht (vorausgesetzt daß ihre Dicke nicht zu groß ist) die Dotierung nicht stört. Als Dotierungsverfahren benutzt man insbesondere die Diffusion des Quecksilbers bei einer hohen Temperatur von vorzugsweise über 300σ C. Bei niedriger Temperatur, insbesondere bei Raumtemperatur,ist dagegen unter den normalen Benutzungs- oder Einlagerungsbedingungen die Kadmiumtelluridschicht praktisch für das Quecksilber undurchlässig.
Diese Eigenschaft des Schutzes der Oberfläche 1a
während der Diffusion des Quecksilbers in das Substrat 1 ist besonders wichtig. Die Erfinder haben nämlich festgestellt, daß, wenn das Quecksilber unmittelbar auf die freie Oberfläche des Substrats diffundiert wird, dies eine Beschädigung dieser Oberfläche verursacht. Diese Beschädigung dieser Oberfläche (welche die empfindliche Oberfläche der photovoltaischen Sonde bildet) besitzt zahlreiche Nachteile. Es treten insbesondere Wiedervereinigungsströme an der Oberfläche auf, welche die Gegenimpedanz der erhaltenen Photodiode verringern. Außerdem bewirkt dieser schlechte Oberflächenzustand eine starke optische Absorption und verringert somit die Empfindlichkeit der Sonde, insbesondere ihren quantischen Wirkungsgrad (welcher gleich dem Verhältnis zwischen der Zahl von durch
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eine Strahlung geschaffenen elektrischen Ladungen und der Zahl von durch diese Strahlung zugeführten Photonen ist). Schließlich hat die Durchschlagsspannung der so erhaltenen Photodiode verhältnismäßig kleine Werte. Mit einer vor der Diffusion des Quecksilber auf das Substrat aufgebrachten Schicht 4 wird die Oberfläche 1a geschützt, so daß sie unter diesen Bedingungen nicht beschädigt wird ,und die erhaltene Sonde eine erheblich verbesserte Empfindlichkeit besitzt.
Außerdem ist die Schicht 4 aus CdTe für die Infrarotstrahlung bis zu einer Wellenlänge von größenordnungsmäßig 15 Mikron durchsichtig.
Die Erfinder haben ferner festgestellt, daß an der Oberfläche das Quecksilber keine Wirkung auf das iCadmiumtellurid hat. Unter diesen Bedingungen bleibt der Zustand der Außenfläche der Schicht 4 befriedigend, und die optische Absorption der einfallenden Strahlung ist daher gering. Der quantische Wirkungsgrad der Sonde besitzt dann hohe Werte.
Die Schicht 4 bildet auch einen Schutz der Oberfläche 1a und der Grenzschicht während der Metallisierung, welche weiter unten unter Bezugnahme auf Fig. 7 beschrieben ist. Schließlich kann dank der Schicht 4 die Grenzfläche in einer geringen Tiefe in dem Substrat hergestellt werden, und die Diffusion des Quecksilbers kann langsamer als bei Fehlen der Schicht 4 erfolgen, so daß die Herstellung dieser Grenzschicht bequemer beherrscht werden kann.
Wie in Fig. 5 dargestellt, wird nach Herstellung der Schicht 4 aus CdTe das (symbolisch durch den Pfeil 5 in Fig. 5 dargestellte) Quecksilber in die Öffnung 10 durch die Schicht 4 hindurch diffundiert. Wie bereits oben ausgeführt, erfolgt bei dem betrachteten Beispiel dieser DiffusionsVorgang bei einer hohen Temperatur von wenigstens 300° C. Diese Diffusion wird in einer (nicht dargestellten) abgeschmolzenen Glasampulle in Gegenwart von (auf die Außenfläche der Schicht 4 aufgebrachtem) Quecksilber in flüssiger Phase oder in gasförmiger Phase vorgenommen, wobei die Ampulle auf die Temperatur von 300° c während einer Dauer von größenordnun^- mäßig einer halben Stunde erwärmt wird«,
Mach diesem Diffusionsvorgang des Quecksilbers erhält man eine Zone 6 des Typs H", welche sich auf eine größer® Fläche als
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die Öffnung 10 erstreckt. Diese Zone 6 des Typs Ή bildet eine Grenzfläche PN 7 mit dem Substrat des Typs P.
Wie in Fig. 6 dargestellt, stellt man nach der
Zone 6 wenigstens eine Öffnung in der auf der Zone 6 befindlichen Schicht 4 her, um die elektrischen Ausgangskontakte der photovoltaischen Sonde herzustellen. Diese Öffnung 8 wird z.B. durch chemischen Angriff der Schicht 4 mittels einer stark verdünnten Brom-Äthanol-Lösung hergestellt. Diese Lösung greift die Schicht 4 aus CdTe mit einer bestimmten Geschwindigkeit an. Es ist daher durch Begrenzung der Angriffszeit möglich, nur die Schicht 4 zu entfernen und die Schicht 6 intaktzulassen.
Dieser letzte Vorgang, welcher in Fig. 7 dargestellt ist, besteht darin, die Öffnung (oder die Öffnungen) 8 mit einem Metall auszufüllen, z.B. Chrom oder Gold. Man erhält so eine Metallschicht 9, welche an einem Teil der Oberfläche 1a haftet, welche eine Grenze der Zone 6 des Typs N darstellt und über die Schicht 4 hinausgeht, um die erforderlichen elektrischen Kontakte mit dem elektrischen Meßkreis herzustellen, in welchem sich die phot ο volt als ehe Sonde befindet. Es ist hierjzu bemerken, daß die Schicht 4 gestatten kann, die Aufbringung einer zusätzlichen Schutzschicht z.B. aus Zinksulfid zu vermeiden, welche gewöhnlich erforderlich ist, wenn derartige Kontakte hergestellt werden, ohne eine Schicht 4 aus Kadmiumtellurid vorzusehen. Während der Metallisierung gewährleistet die Schicht 4 den Schutz nicht nur der Oberfläche 1a, sondern auch der Ränder der Grenzfläche. Diese Zone 4 überdeckt nämlich ebenso wie die Schichten 2 und 3 die Ränder der Grenzfläche, so daß diese nach ihrer Erzeugung nicht gestört wird.
Bei einer besonderen Ausführung einer Sonde der oben beschriebenen Art wurde von einer Platte aus einer Legierung Cd Hg. χΤβ mit X= 0,2 ausgegangen, wobei die Oberfläche dieser Platte größenordnungsmäßig 300 mm betrug und eine Konzentration
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von dotierenden Verunreinigungsat omen von 10 Atomen/cm besaß.
ο Hierauf wurden eine Schicht 2 aus CdTe mit einer Dicke von 3000 A und eine Abdeckschicht 3 aus Zinksulfid ZnS ebenfalls mit einer
ο
Dicke von 3000 A aufgebracht. In dieser Platte wurden etwa 3000 Öffnungen 10 hergestellt, wobei jede dieser Öffnungen eine Fläche von 10 ma (100 μ χ 100 μ) hatte. Hierauf wurde eine Schicht 4 aus CdTe mit einer Dicke von 3000 A hergestellt und das Quecksilber
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wurde während einer Dauer von etwa einer halben Stunde diffundiert.
Unter diesen Bedingungen hatte die Zone 6 des Typs F eine Trägerkon-
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zentration von 10 Atomen/cm. Es hat sich gezeigt, daß eine auf diese Weise hergestellte Sonde einen quantischen Wirkungsgrad von größenordnungsmäßig 50 fo hatte, während der gleiche Wirkungsgrad größenordnungsmäßig 25 % ohne das Vorhandensein der Schicht 4 aus CdTe beträgt.
Fig. 8 zeigt eine AusführungsabWandlung des erfindungsgemäßen Verfahrens. Bei dieser Ausführungsabwandlung wird zunächst eine Schicht 2a aus CdTe auf der freien Oberfläche 1a des Substrats 1 des Typs P gebildet, worauf auf diese Schicht 2a eine Abdeckschicht 3a aus ZnS aufgebracht wird. In dieser Abdeckschicht 2a wird eine Öffnung 10b gebildet, wobei jedoch die Schicht 2a intakt gelassen wird. Schließlich wird das Quecksilber in das Substrat 1 durch die Schicht 2a hindurch diffundiert, so daß eine Zone 6a des Typs W entsteht. Dieses Verfahren ist leichter auszuüben als das oben unter Bezugnahme auf Fig. 1 bis 7 beschriebene. Die seitliche Diffusion, welche störend sein kann, wird jedoch weniger befriedigend ausgeschieden,als wenn man eine Schicht 4 vorsieht, welche (außer der Oberfläche 1a über der zu erzeugenden Zone 6) die Schicht 3 überdeckt.
An der Vorrichtung und dem Verfahren, welche oben unter Bezugnahme auf Fig. 1 bis 8 beschrieben wurden, können zahlreiche Abwandlungen vorgenommen werden. So kann man z.B. als Dotierungsmittel außer Quecksilber auch Indium benutzen.
Ferner ist zu bemerken, daß die Dicke der Schicht 4 (oder 2a) vorzugsweise zwischen 500 und 5000 A liegt.
Wie bereits angegeben, haben die Vorrichtung und das Verfahren gemäß der Erfindung zahlreiche Vorteile. Außer den bereits angeführten, insbesondere dem Schutz der Vorrichtung während der verschiedenen Herstellungsschritte, kann noch angegeben werden, daß die Schicht 4(oder 2a) die Verringerung der Zahl der für die Herstellung der Sonde erforderlichen Arbeitsschritte ermöglicht.
Die Erfindung kann noch weiter abgewandelt werden. So ist insbesondere zu bemerken, daß, obwohl bei der ersten beschriebenen Ausführungsform die Wärmebehandlung vor der Herstellung der Öffnung 10 und der Herstellung der Schicht 4 erfolgt, diese Wärmebehandlung auch nach der Herstellung der Schicht und vor der Diffusion des Do-
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tierungsmittels erfolgen kann.
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Claims (17)

  1. ■ - . 0519 76 B PATENTANSPRÜCHE .
    [ 1.) Halbleitervorrichtung mit einem Substrat aus einem Halbleitermaterial eines ersten Leitfähigkeitstyps und in diesem Substrat wenigstens auf einem Teil seiner Außenfläche einer Zone eines zweiten Leitfähigkeitstyps, welche mittels eines Dotierungsmittels dotiert ist und eine Grenzfläche PN mit der Zone des ersten Typs bildet, dadurch gekennzeichnet, daß sie auf dieser Oberfläche (1a) wenigstens auf einem bedeutenden Teil der Zone (6) des zweiten Leitfähigkeitstyps eine Oberflächenschicht (4) aus einem Material aufweist, welche unter den normalen Benutzungs-' und Ejjalagerungsbedingungen der Halbleitervorrichtung eine Durchlässigkeit für das Dotierungsmittel besitzt, welche erheblich kleiner als die Durchlässigkeit für das Dotierungsmittel unter den Bedingungen der Ausübung wenigstens eines Verfahrens zur Diffusion dieses Dotierungsmittels in das Substrat (1) ist.
  2. 2. Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, bei welchem man durch Diffusion eines Dotierungsmittels in ein Substrat (1) eines ersten Leitfähigkeitstyps eine Zqne (6) des zweiten Leitfähigkeitstyps erzeugt, dadurch gekennzeichnet, daß diese Oberflächenschicht (4) auf diese Oberfläche (1a) vor dieser Diffusion aufgebracht wird.
  3. 3. Halbleitervorrichtung mit einem Substrat eines ersten Leitfähigkeitstyps aus einer Legierung der Formel Cd Hg1 Te, worin χ eine von Null verschiedene Zahl ist, welche kleiner als 1 ist, und in diesem Substrat wenigstens auf einem Teil seiner Aussenf lache (ia): einer Zone (6) des zweiten Leitfähigkeitstyps, welche eine Grenzfläche (7) mit der Zone des ersten Typs bildet, dadurch gekennzeichnet, daß sie auf dieser Außenfläche (1a) wenigstens auf einem bedeutenden Teil dieser Zone (6) des zweiten Leitfähigkeitstyps: eine Oberflächenschicht (4) aus einem Material aufweist, welches zum größten Teil Kadmiumtellurid CdTe enthält.
  4. 4. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 3, da-;
    durch gekennzeichnet, daß das Substrat (1) den Leitfähigkeitstyp P hat, und daß die Zone (6) den Leitfähigkeitstyp N hat, wobei diese letztere mit einem Dotierungsmittel dotiert ist.
  5. 5. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet» daß das Dotierungsmittel Quecksilber ist.
  6. 6. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 4, dadurch
    ORlGlNALfNSPECTED
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    gekennzeichnet, daß das Dotierungsmittel Indium ist.
  7. 7. Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 5 bis 6, dadurch, gekennzeichnet, daß sie auf den Oberflächenzonen des ersten Leitfähigkeitstyps eine zweite Oberflächenschicht (2) aufweist, welche ebenfalls aus einem Material hergestellt ist, welches zum größten Teil Kadmiumtellurid CdTe enthält.
  8. 8. Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 3 bis 7, gekennzeichnet durch eine Abdeckschicht (3), welche aus einem Isoliermaterial auf der zweiten Oberflächenschicht gebildet ist.
  9. 9. Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 3 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Oberflächenschicht (4) auf der Zone (6) des zweiten leitfähigkeitstyps Öffnungen (8) aufweist, in welchen über diese erste Schicht vorstehende Metallablagerungen angeordnet sind.
  10. 10. Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 3 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke der ersten Oberflächenschicht (4) zwischen 500 und 5000 A liegt.
  11. 11. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 7 oder 8, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Oberflächenschicht (2) den auf der Höhe der Außenfläche liegenden Teil der Grenzfläche überdeckt.
  12. 12. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die erste und die zweite Oberflächenschicht eine einzige Schicht (2a) auf der Außenfläche bilden.
  13. 13. Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 3 bis \2t bei welchem man durch Diffusion eine Zone des zweiten Leitfähigkeitstyps in einem Substrat des ersten Leitfähigkeitstyps herstellt, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Oberflächenschicht (4) aus einem Material, welches zum größten Teil Kadmiumtellurid enthält, auf die Außenfläche (ta) des Substrats (1) vor der Herstellung der Zone (6) des zweiten Leitfähigkeitstyps durch Diffusion aufgebracht wird, und daß diese Diffusion durch diese erste Oberflächenschicht hindurch.vorgenomEaen wird.
  14. 14. Verfahren nach Anspruch 13* dadurch gekennzeichnet, daß die Aufbringung der ersten Oberflächenschicht (4) durch Kathodenzerstäubung erfolgt.
    709828/0570
    0519 76 B
  15. 15. Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß die Aufbringung der ersten Oberflächenschicht (4) durch Verdampfung im Vakuum erfolgt.
  16. 16. Eine photovoltaische Sonde bildende Halbleitervorrichtung mit einem Substrat (1) eines ersten Leitfähigkeitstyps aus einer legierung von zwei Materialien mit verschiedenen verbotenen Bandbreiten, wobei die Breite des verbotenen Bandes der Legierung eine Punktion des verhältnismäßigen Anteils der beiden Materialien in der Legierung ist, und in diesem Substrat wenigstens auf einem Teil seiner Außenfläche (1a) einer Zone (6) eines zweiten Leitfähigkeitstyps, welche eine Grenzfläche (7) mit der Zone des ersten Typs bildet, dadurch gekennzeichnet, daß sie auf dieser Aussenfläche (1a) wenigstens auf einem bedeutenden Teil der Zone (6) des zweiten Leitfähigkeitstyps eine Oberflächenschicht (4) aus einem Material aufweist, welches zum größten Teil denjenigen der beiden Bestandteile der Legierung enthält, welcher die größere verbotene Bandbreite besitzt.
  17. 17. Verfahren zur Herstellung einer photovoltaischen Sonde mit einem Substrat eines ersten Leitfähigkeitstyps aus einer Legierung mit der Formel Cd Hg. Te, worin ζ eine von Null verschiedene Zahl ist, welche kleiner als 1 ist, bei welchem man durch Diffusion eines Dotierungsmittels in das Substrat wenigstens auf einem eine empfindliche Oberfläche bildenden Teil einer Außenfläche dieses Substrats eine Zone des zweiten Leitfähigkeitstyps bildet, so daß eine Grenzfläche PU mit der Zone des ersten Typs entsteht, dadurch gekennzeichnet, daß man eine dünne Schutzschicht (4) aus Kadmiumtellurid CdTe auf diese empfindliche Oberfläche aufbringt, und daß die Diffusion des Dotierungsmittels durch diese Sehutzschichi; hindurch vorgenommen wird.
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