DE3317954C2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- DE3317954C2 DE3317954C2 DE3317954A DE3317954A DE3317954C2 DE 3317954 C2 DE3317954 C2 DE 3317954C2 DE 3317954 A DE3317954 A DE 3317954A DE 3317954 A DE3317954 A DE 3317954A DE 3317954 C2 DE3317954 C2 DE 3317954C2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- polycrystalline silicon
- silicon film
- semiconductor layer
- component according
- atoms
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 53
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 42
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 37
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 35
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 35
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 24
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 7
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 6
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 claims description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 6
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 claims description 6
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 claims description 5
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 5
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 5
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 claims description 4
- 125000004434 sulfur atom Chemical group 0.000 claims description 4
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims description 4
- 229960000583 acetic acid Drugs 0.000 claims description 3
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 3
- 239000012362 glacial acetic acid Substances 0.000 claims description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 3
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 claims description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 23
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 15
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 11
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 7
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 7
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 6
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 6
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 5
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 5
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 5
- 229910018503 SF6 Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N sulfur hexafluoride Chemical compound FS(F)(F)(F)(F)F SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229960000909 sulfur hexafluoride Drugs 0.000 description 4
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000889 atomisation Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 3
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 3
- OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N Ethane Chemical compound CC OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000069 nitrogen hydride Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N tetrafluoromethane Chemical compound FC(F)(F)F TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005169 Debye-Scherrer Methods 0.000 description 1
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen sulfide Chemical compound S RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- 229910007264 Si2H6 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005096 Si3H8 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 1
- PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N disilane Chemical compound [SiH3][SiH3] PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000000763 evoking effect Effects 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- VCZQFJFZMMALHB-UHFFFAOYSA-N tetraethylsilane Chemical compound CC[Si](CC)(CC)CC VCZQFJFZMMALHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CZDYPVPMEAXLPK-UHFFFAOYSA-N tetramethylsilane Chemical compound C[Si](C)(C)C CZDYPVPMEAXLPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
- H01L31/0368—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including polycrystalline semiconductors
- H01L31/03682—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including polycrystalline semiconductors including only elements of Group IV of the Periodic Table
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/04—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their crystalline structure, e.g. polycrystalline, cubic or particular orientation of crystalline planes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/16—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table
- H01L29/167—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table further characterised by the doping material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78651—Silicon transistors
- H01L29/7866—Non-monocrystalline silicon transistors
- H01L29/78672—Polycrystalline or microcrystalline silicon transistor
- H01L29/78675—Polycrystalline or microcrystalline silicon transistor with normal-type structure, e.g. with top gate
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/546—Polycrystalline silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/122—Polycrystalline
Landscapes
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Description
Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement gemäß dem Oberbegriff
von Patentanspruch 1, z. B. einen Dünnfilm-Feldeffekttransistor.
Es ist bekannt, daß für die Herstellung des Abtastschaltungsteils
einer Bildleseeinrichtung, z. B. eines eindimensionalen,
in einer kontinuierlichen Länge hergestellten Fotodetektors
oder eines zweidimensionalen Fotodetektors mit einer vergrößerten
Fläche, oder für die Herstellung der Treiberschaltung
einer Bildanzeige- bzw. Sichtanzeigeeinrichtung, bei der
ein Flüssigkristall, eine Elektrochromie zeigende Substanz oder
eine Elektrolumineszenz zeigende Substanz verwendet wird, ein
Dünnfilm-Feldeffekttransistor gebildet wird, indem als Grundmaterial
ein auf einem bestimmten Substrat gebildeter Silicium-Dünnfilm
verwendet wird, dessen Größe der vergrößerten Fläche
solcher Sichtanzeigeteile entspricht.
Es ist erwünscht, daß ein solcher Silicium-Dünnfilm
eher polykristallin als amorph ist, damit eine große
Bildleseeinrichtung oder Sichtanzeigeeinrichtung,
die mit höherer Geschwindigkeit arbeitet und eine
höhere Leistungsfähigkeit hat, erhalten werden kann.
Einer der Gründe dafür besteht darin, daß der durch
das übliche Entladungs-Dissoziationsverfahren erhaltene
Silicium-Dünnfilm aus amorphem Silicium eine effektive
Ladungsträgerbeweglichkeit (µeff) von höchstens
0,1 cm²/V · s (und damit enen viel geringeren µeff-Wert
als Einkristall-Silicium) hat,
während die effektive Ladungsträgerbeweglichkeit eines
Silicium-Dünnfilms der als Grundmaterial für die
Bildung des Abtastschaltungsteils einer solchen Leseeinrichtung,
die mit hoher Geschwindigkeit arbeitet
und eine hohe Leistungsfähigkeit hat, oder des Treiberschaltungsteils
einer Bildanzeigeeinrichtung dient,
groß sein sollte. Der auf die Hall-Beweglichkeit in
amorphem Silicium zurückzuführende, kleine Wert der
Beweglichkeit (µeff) und das große Ausmaß der Veränderung
im Verlauf der Zeit sind dem amorphen Silicium-Dünnfilm
innewohnende Eigenschaften, weshalb der
amorphe Silicium-Dünnfilm den Nachteil aufweist,
daß die leichte Herstellbarkeit und die niedrigen
Fertigungskosten solcher Dünnfilme nicht ausgenutzt
werden können.
Im Gegensatz dazu hat ein polykristalliner Silicium-Dünnfilm
eine viel größere Hall-Beweglichkeit als
ein amorpher Silicium-Dünnfilm, was sich in den tatsächlich
gemessenen Werten bestätigt.
Beispiele für bekannte Verfahren, durch die auf einer
großen Fläche eines gegebenen Substrats polykristallines
Silicium hergestellt werden kann, sind Verfahren wie
das chemische Aufdampfverfahren (CVD-Verfahren), das
chemische Aufdampfverfahren unter niedrigem Druck
(LPCVD-Verfahren), das epitaxiale Molekularstrahlverfahren
(MBE-Verfahren), das Ionenbedampfungsverfahren
(IP-Verfahren) und das Glimmentladungsverfahren (GD-Verfahren).
Es ist bekannt, daß durch jedes dieser Verfahren auf
einem Substrat mit einer großen Fläche ein polykristalliner
Siliciumfilm hergestellt werden kann, wobei die Substrattemperatur
jedoch in Abhängigkeit von dem Verfahren
verschieden sein kann.
Aus Applied Physics Letters 39 (1981), S. 624 bis 626, sind
Halbleiterbauelemente mit einer Halbleiterschicht aus einem
polykristallinen Siliciumfilm bekannt, der Sauerstoffatome enthält.
Aus Applied Physics Letters 35 (1979), S. 551 und 552, sind
Halbleiterbauelemente mit einer Halbleiterschicht aus einem
polykristallinen Siliciumfilm, der Schwefelatome enthält, sowie
polykristalline Siliciumfilme für Halbleiterbauelemente,
die Wasserstoffatome enthalten, bekannt.
Aus Applied Physics Letters 37 (1980), S. 936 und 937, sind
Dünnfilmtransistoren mit einem Substrat, einer auf dem Substrat
gebildeten Halbleiterschicht aus einem polykristallinen Siliciumfilm,
der Wasserstoffatome enthält, einem Drain-Bereich
und einem Source-Bereich, die auf der Oberfläche der Halbleiterschicht
gebildet sind, einer zwischen diesen Bereichen vorgesehenen
isolierenden Schicht, einer auf der isolierenden
Schicht vorgesehenen Gate-Elektrode, einer Source-Elektrode,
die mit dem Source-Bereich in elektrischem Kontakt ist, und
einer Drain-Elektrode, die mit dem Drain-Bereich in elektrischem
Kontakt ist, bekannt.
Die DE-OS 32 41 959, eine ältere Anmeldung, betrifft ein Halbleiterbauelement
mit einer Halbleiterschicht aus einem polykristallinen
Silicium-Dünnfilm, der nicht mehr als 3 Atom-%
Wasserstoffatome enthält und eine Oberflächenrauhigkeit hat,
deren Höchstwert im wesentlichen nicht größer als 80,0 nm ist,
sowie beim Ätzen mit einem Ätzmittel, das aus einer Mischung
von Flußsäure (50vol.%ige wäßrige Lösung), Salpetersäure
(Dichtezahl d=1,38; 60vol.-%ige wäßrige Lösung) und Eisessig in einem
Volumenverhältnis von 1 : 3 : 6 besteht, eine Ätzgeschwindigkeit
von 2,0 nm/s oder weniger haben kann.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Halbleiterbauelement
mit einer Halbleiterschicht aus einem polykristallinen Siliciumfilm
bereitzustellen, das ausgezeichnete Halbleitereigenschaften
und eine hohe Zuverlässigkeit hat.
Diese Aufgabe wird durch ein Halbleiterbauelement mit den im
kennzeichnenden Teil von Patentanspruch 1 angegebenen Merkmalen
gelöst. Besondere Ausgestaltungen der Erfindung sind in den Patentansprüchen
2 bis 8 gekennzeichnet.
Die bevorzugten Ausführungsformen der Erfindung werden
nachstehend unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen
näher erläutert.
Fig. 1 zeigt ein schematisches Diagramm, in dem die
Schritte für die Herstellung der erfindungsgemäßen
Halbleiterbauelemente erläutert werden.
Fig. 2 ist eine schematische Darstellung der Schaltung für
die Messung der TFT-Eigenschaften (TFT=Dünnfilmtransistor).
Fig. 3 ist eine schematische Darstellung einer Ausführungsform
einer Vorrichtung für die Herstellung
von polykristallinen Siliciumfilmen, die für die Herstellung
des erfindungsgemäßen Halbleiterbauelements
eingesetzt wird.
Fig. 4 zeigt Kennlinien von erfindungsgemäßen Dünnfilmtransistoren.
Das Verfahren zur TFT-Herstellung gemäß einer
Ausführungsform der Erfindung wird unter Bezugnahme
auf Fig. 1 erläutert.
Der TFT ist ein Feldeffekttransistor, der eine Halbleiterschicht
101, eine Elektrodenschicht 107, ohmsche
Kontaktschichten 103 und 104 und eine isolierende
Schicht 105 aufweist und durch die Vorspannung, die
an die auf der isolierenden Schicht 105 angeordnete
Gate-Elektrode 110 angelegt wird, moduliert wird.
Zwischen der Source-Elektrode 108 und der Drain-Elektrode
109, die an die Halbleiterschicht 101 angrenzen
und ohmschen Kontakt haben, wird eine Spannung
angelegt, und der zwischen diesen Elektroden fließende
Strom wird durch die Vorspannung moduliert, die an
die auf der isolierenden Schicht 105 vorgesehene Gate-
Elektrode 110 angelegt wird [Dieser Aufbau wird in
Fig. 1, Schritt (g), gezeigt]. Zuerst wird nach dem
Waschen des Substrats 100 auf dem Substrat nach einem
Dünnfilmbildungsverfahren, wie es nachstehend erläutert
wird, ein polykristalliner Silicium-Dünnfilm
101 abgeschieden [Schritt (a)]. Einzelheiten des Abscheidungsverfahrens
werden in den jeweiligen Beispielen
beschrieben. Dann wird als ohmsche Schicht
eine n⁺-Schicht 102 (P-dotiertes Silicium) abgeschieden
[Schritt (b)]; Source und Drain werden durch Ätzen
gebildet [Schritt (c)], und danach wird darauf eine
isolierende Schicht 105 abgeschieden [Schritt (d)].
Die isolierende Schicht besteht aus einem Material
wie Siliciumnitrid, SiO₂ oder Al₂O₃ und wird beispielsweise
nach dem CVD- oder dem LPCVD-Verfahren gebildet.
Als nächstes werden die Kontaktlöcher 106 für die
Source- und die Drain-Elektrode geöffnet [Schritt (e)],
und die höher befindliche Gate-Elektrode 110, die
Quelle (Source) 108 und die Senke (Drain) 109 werden zur Fertigstellung
des Transistors verdrahtet [Schritt (f)
und (g)].
Die Halbleiterschicht
aus polykristallinem Silicium kann zwei oder mehr aus
Kohlenstoff-, Schwefel-, Stickstoff- und Sauerstoffatomen
ausgewählte Atomarten
enthalten.
In dem polykristallinen Silicium
können Kohlenstoffatome
in einer Menge von 0,01 bis 10 Atom-%
enthalten sein.
In dem polykristallinen Silicium können Schwefelatome
in einer Menge von 0,01 bis 5 Atom-%
enthalten sein.
In dem polykristallinen Silicium können Stickstoffatome
in einer Menge von 0,01 bis 5 Atom-%
enthalten sein.
In dem polykristallinen Silicium können Sauerstoffatome
in einer Menge von 0,03 bis 5 Atom-%
enthalten sein.
Der polykristalline Siliciumfilm des erfindungsgemäßen
Halbleiterbauelements enthält vorzugsweise auch Wasserstoffatome.
Der Wasserstoffgehalt in dem polykristallinen
Silicium beträgt bis 3 Atom-%, und
es wird auch bevorzugt, daß die gebildete Halbleiterschicht
eine Oberflächenrauhigkeit hat, deren Höchstwert
80,0 nm oder weniger beträgt. Es wird
außerdem bevorzugt, die Halbleiterschicht so zu bilden,
daß sie beim Ätzen mit einem Ätzmittel, das aus Flußsäure
(50vol.-%ige wäßrige Lösung), Salpetersäure
(Dichte=1,38; 60vol.-%ige wäßrige Lösung) und Eisessig
in einem Volumenverhältnis von 1 : 3 : 6 besteht, eine
Ätzgeschwindigkeit von 2,0 nm/s oder weniger hat.
Die Aufgabe der Erfindung kann des weiteren in wirksamer
Weise gelöst werden, indem die aus einem polykristallinen
Silicium-Dünnfilm bestehende Halbleiterschicht,
die den Hauptteil des erfindungsgemäßen Halbleiterbauelements
bildet, so hergestellt wird, daß sie ein
Röntgenbeugungsbild oder ein Elektronenstrahlbeugungsbild
zeigt, bei dem die auf die gesamte Beugungsintensität
bezogene Intensität der Beugung von der Ebene
mit dem Ebenen-Index (220) 30% oder mehr beträgt,
und daß sie außerdem eine mittlere Korngröße der Kristallteilchen
von 20,0 nm oder mehr hat.
Als Verfahren zur Prüfung der
Orientierungseigenschaften werden die Röntgenbeugung und
die Elektronenstrahlbeugung in Kombination durchgeführt.
Die Röntgenbeugungsintensität eines hergestellten,
polykristallinen Siliciumfilms wurde mit einem
Röntgendiffraktormeter (Röntgenröhre
mit Kupferanode; 35 kV; 10 mA) gemessen.
Der Beugungswinkel
2R wurde von 20° bis 65° variiert, und die den
Ebenenindizes der (111)-Ebene, der (220)-Ebene und
der (311)-Ebene entsprechenden Beugungsmaxima wurden
zur Bestimmung ihrer Beugungsintensitäten registriert.
Die Elektronenstrahlbeugungsintensitäten wurden mit
einem Elektronenstrahlbeugungsgerät
gemessen, und die jeweiligen Beugungsintensitäten
wurden in ähnlicher Weise bestimmt.
Nach der ASTM-Karte (Nr. 27-1402, JCPDS, 1977) beträgt
im Fall eines polykristallinen Siliciums ohne jede
Orientierung, wenn von den durch (h, k, l) dargestellten
Ebenen mit großen Beugungsintensitäten, deren
Beugungsintensitäten im folgenden Verhältnis stehen:
(111) : (220) : (311) = 100 : 55 : 30
nur die (220)-Ebene betrachtet wird, das Verhältnis
der Beugungsintensität in der (220)-Ebene zu der gesamten
Beugungsintensität
(55/241) × 100 = 22,8(%).
Unter Anwendung dieses Wertes als Standard kann eine
Orientierungseigenschaft bezüglich der (220)-Ebene,
bei der die Orientierungsstärke, d. h. das Verhältnis
der Beugungsintensität in der (220)-Ebene zu der gesamten
Beugungsintensität, den vorstehend erwähnten Prozentsatz
überschreitet und insbesondere 30% oder mehr
beträgt, weiter verbesserte Transistoreigenschaften
ergeben. Bei einem Wert von weniger als 30% wird
die Änderung im Verlauf der Zeit in unerwünschter
Weise größer. Als Wert der
Orientierungsstärke, die in Form des vorstehend erläuterten
Prozentsatzes ausgedrückt wird, werden 50% oder mehr
am meisten bevorzugt.
Weiterhin ist auch festgestellt worden, daß die Transistoreigenschaften,
insbesondere die Ladungsträgerbeweglichkeit,
verbessert werden können, indem man
die mittlere Korngröße erhöht und die vorstehend angegebenen
Bedingungen hinsichtlich des Gehalts an Wasserstoff
in dem polykristallinen Silicium-Dünnfilm
und der Oberflächenrauhigkeitseigenschaften des Dünnfilms
erfüllt. Der Wert der mittleren Korngröße
wurde nach dem üblicherweise angewandten Scherrer-Verfahren
aus der Halbwertsbreite des (220)-Spitzenwertes
in dem vorstehend beschriebenen Röntgenbeugungsbild
bestimmt. Die effektive Ladungsträgerbeweglichkeit
kann insbesondere bei einer mittleren Korngröße von
20,0 nm oder mehr erhöht werden.
Dadurch, daß mindestens eine der vorstehend angegebenen
Bedingungen eingehalten wird,
kann auf dem Substrat die Halbleiterschicht
aus dem polykristallinen Silicium mit einem
relativ hohen spezifischen Widerstand (σ) und einem
relativ geringen optischen Absorptionskoeffizienten
(α) gebildet werden, und diese Halbleiterschicht kann
in ausreichendem Maße für die Verwendung in einem
Halbleiterbauelement, das für ein großes Anwendungsgebiet
nach dem Stand der Technik zur Verfügung steht,
geeignet sein.
Wenn eine Struktur aus einem Ausleseteil und einem
Abtastschaltungsteil in einem Auslese-Bauelement oder
aus einem Bildanzeigeteil und einem Treiberschaltungsteil
in einem Bildanzeige-Bauelement in eine einzige
Baueinheit integriert ist und der Hauptteil des Abtastschaltungsteils
oder des Treiberschaltungsteils aus
einem polykristallinen Silicium-Dünnfilm besteht,
werden diese Schaltungsteile im allgemeinen von ihrer
Außenseite her belichtet.
Diese Nachteile können in der Praxis vernachlässigt
werden, weil das erfindungsgemäße Halbleiterbauelement
einen außerordentlich geringen optischen Absorptionskoeffizienten
hat. Infolgedessen kann unter der Voraussetzung,
daß der Hauptteil der Schaltung aus
einem erfindungsgemäßen Halbleiterbauelement besteht,
eine Schaltung mit hervorragenden Schaltungseigenschaften
erhalten werden.
Die Halbleiterschicht aus dem polykristallinen Silicium,
die den Hauptteil des erfindungsgemäßen Halbleiterbauelements
bildet, kann folgendermaßen auf einem gewünschten
Substrat gebildet werden.
Ein Silangas wie z. B. SiH₄, Si₂H₆, Si₃H₈ und Si₄H₁₀,
das bis zu einer gewünschten Konzentration mit Wasserstoff
und einem verdünnenden Gas wie z. B. He, Ar
oder Kr verdünnt ist, wird zusammen mit gasförmigen Ausgangsmaterialien, die
Atome enthalten, die in die zu bildende Halbleiterschicht
eingebaut werden sollen, in eine zur Bildung
der Halbleiterschicht dienende Vakuumabscheidungskammer eingeleitet,
worauf eine Glimmentladung hervorgerufen wird.
Wenn in der Halbleiterschicht Kohlenstoffatome enthalten
sein sollen, werden beispielsweise Kohlenwasserstoffe
wie Methan (CH₄), Ethan (C₂H₆), Propan (C₃H₈) und
Ethylen (C₂H₄), Tetrafluormethan (CF₄), Tetramethylsilan
[(CH₃)₄Si] oder Tetraethylsilan [(C₂H₅)₄Si] eingesetzt.
Als gasförmige Ausgangsmaterialien für den Einbau von Schwefelatomen
werden beispielsweise Schwefelwasserstoff (H₂S) oder Schwefelhexafluorid
(SF₆), für den Einbau von Sauerstoffatomen
beispielsweise Sauerstoff (O₂) oder Wasser (H₂O) und
für den Einbau von Stickstoffatomen, beispielsweise
Stickstoff (N₂), Ammoniak (NH₃), NO, NO₂ oder N₂O eingesetzt.
Die Halbleiterschicht aus dem polykristallinen Silicium
kann nach dem Zerstäubungsverfahren hergestellt werden,
wobei in einem sogenannten "Verfahren der gemeinsamen
Zerstäubung" ein Target, das in die gebildete
Halbleiterschicht einzubauende Atome enthält, sowie
ein Target aus Silicium verwendet werden können, oder
das Siliciumtarget wird einer Zerstäubung unterzogen,
indem die vorstehend erwähnten gasförmigen Ausgangsmaterialien nach Bedarf
in einem sogenannten "Reaktions-Zerstäubungsverfahren"
eingeleitet werden, oder es können andere Verfahren
angewandt werden.
Die Messung des Gehalts der verschiedenen Atomarten in
der Halbleiterschicht aus dem polykristallinen Silicium
wurde nach folgenden Verfahren durchgeführt.
Kohlenstoff und Schwefel wurden mittels einer
Analysenvorrichtung für die gleichzeitige Analyse
von Kohlenstoff und Schwefel in Metall
analysiert, während Sauerstoff
und Stickstoff mittels einer Analysenvorrichtung
für die gleichzeitige Analyse von Sauerstoff
und Stickstoff in Metall
analysiert wurden. Bei diesen Analysenverfahren
wurde eine übliche Verfahrensweise befolgt. Das heißt,
daß auf einem Pt-Substrat Silicium in einer Menge
von etwa 10 mg abgeschieden wurde und daß das Substrat
dann an einer Halteeinrichtung in der Analysenvorrichtung
befestigt wurde und die Masse der atomaren
Elemente gemessen wurde, woraus der Gehalt der Atome
in Atom-% berechnet wurde.
Der optische Absorptionskoeffizient (α) der Halbleiterschicht
wurde mittels eines automatisch registrierenden
Spektralfotometers bestimmt.
Im allgemeinen wird nach der Bestimmung der optischen
Absorptionskoeffizienten der Wert h in Abhängigkeit
von dem Wert √ (worin h die Energie des verwendeten
Lichts bezeichnet) graphisch dargestellt, und der
geradlinige Teil der erhaltenen Kurve wird extrapoliert.
Aus dem Schnittpunkt der extrapolierten Geraden mit
der Abszisse wird der Endprodukt der Absorption Eo erhalten.
Da eine genaue Ermittlung
des extrapolierten Wertes nicht möglich ist, wird
aus den erhaltenen α-Werten der bei 550 nm erhaltene
Wert [kurz mit α (550) bezeichnet] als repräsentativer
Wert ausgewählt.
Um die Wirkung der Erfindung darzulegen, wurde die
Änderung, die der Dünnfilmtransistor mit dem polykristallinen
Silicium-Dünnfilm im Verlauf der Zeit
zeigt, durch das nachstehend beschriebene Verfahren
hervorgerufen.
Ein TFT mit der in Fig. 2 gezeigten Struktur wurde
hergestellt, und an die Gate-Elektrode 201 wurde eine
Gate-Spannung VG=40 V angelegt, während zwischen
Source 203 und Drain 202 eine Drain-Spannung VD=40 V
angelegt wurde. Zur Messung der Änderung des
Drain-Stroms [Schritt ID im Verlauf der Zeit wurde der zwischen
Source 203 und Drain 202 fließende Drain-Strom mit
einem Elektrometer gemessen.
Der Prozentsatz der Änderung im Verlauf der Zeit
wurde bestimmt, indem die Änderung des Drain-Stroms
nach 500stündigem, kontinuierlichen Betrieb durch
den anfänglichen Drain-Strom dividiert und der erhaltene
Wert für die Angabe in Prozent mit 100 multipliziert
wurde.
Gemäß einem Verfahren, das bei einem MOS-FET (Metalloxidhalbleiter-
Feldeffekttransistor) üblicherweise
durchgeführt wird, wurde die Schwellenspannung Vth
des TFT als die Stelle definiert, an der die von dem
geradlinigen Teil der VD-√-Kurve extrapolierte
Linie die VD-Abszisse kreuzt. Gleichzeitig wurden
die Änderungen von Vth vor und nach der Änderung im
Verlauf der Zeit geprüft, und der Betrag dieser Änderung
wurde in V angegeben.
Die Erfindung wird durch die nachstehenden Beispiele
näher erläutert.
Durch das nachstehend gezeigte Verfahren wurde auf
einem Substrat ein polykristalliner Silicium-Dünnfilm
gebildet, und unter Verwendung dieses Dünnfilms
wurde ein Feldeffekttransistor (TFT) hergestellt.
Der polykristalline Silicium-Dünnfilm wurde mit
einer Vorrichtung gebildet, wie sie in Fig. 3 dargestellt ist,
worin als Substrat 300 Corning glass 7059 mit einer
Dicke von 0,5 mm verwendet wurde.
Zuerst wurde das Substrat 300 gewaschen, mit einer
HF/HNO₃/CH₃COOH-Mischung schwach geätzt und getrocknet.
Das Substrat 300 wurde in einem als Abscheidungskammer
dienenden Rezipienten 301 an der oberen Anodenseite
in enger Berührung mit einer Einrichtung 302 (Fläche=
452 cm²) zum Halten und Heizen des Substrats befestigt.
Der Rezipient wurde mittels einer Diffusionspumpe
309 bis zur Erzielung eines Hintergrundvakuums von
27×10-6 Pa evakuiert. Das Evakuierverfahren wurde besonders
sorgfältig durchgeführt, weil
sonst ein gasförmiger Reaktionsteilnehmer nicht wirksam
für die Filmbildung eingesetzt und keine
Reproduzierbarkeit der Filmeigenschaften erzielt werden
kann. Das Substrat 300 wurde dann erhitzt, um die
Oberflächentemperatur bei 500°C zu halten. (Die Temperatur
wurde mit einem Thermopaar 303 reguliert.) Nach
der Reinigung einer Oberfläche des Substrats 300 durch
Einführen von H₂-Gas in den Rezipienten 301 unter
Regulierung mit einer Durchflußreguliervorrichtung
308 wurde ein gasförmiger Reaktionsteilnehmer eingeleitet.
Die Oberflächentemperatur Ts des Substrats wurde
auf 350°C eingestellt, und der Innendruck in dem Rezipienten
wurde bei der Entladung auf 27 Pa einreguliert.
In dem Beispiel wurden als gasförmige Reaktionsteilnehmer
SiH₄-Gas, das mit H₂-Gas auf 10 Vol.-% verdünnt
worden war [kurz als "SiH₄(10)/H₂" bezeichnet] und
Methangas (CH₄), das mit H₂-Gas auf 0,5 Vol.-% verdünnt
worden war, [kurz als "CH₄(0,5)/H₂" bezeichnet] eingesetzt.
Die Durchflußgeschwindigkeit von jedem Gas wurde mit
Gasdurchflußreguliervorrichtungen 304 bis 307 auf
5 Norm-cm³/min einreguliert, und der Innendruck in
dem Rezipienten wurde mittels eines Absolutdruckmanometers
312 durch Schließen des Hauptventils 310 auf
einen gewünschten Wert einreguliert. Nachdem der Innendruck
in dem Rezipienten stabilisiert war, wurde an
die untere Kathodenelektrode 313 durch die Hochfrequenz-
Stromquelle 314 (13,56 MHz) eine Spannung von
0,7 kV angelegt, um eine Glimmentladung anzuregen.
Die Stromstärke betrug 60 mA bei einer RF-Entladungsleistung
von 20 W.
Unter den gleichen Bedingungen wurde die Entladung
30 min lang fortgesetzt, um die Filmbildung abzuschließen,
und die Entladung und die Einleitung von Gasen
wurden beendet.
Das Substrat wurde auf 180°C abgekühlt und für das
darauffolgende Verfahren in diesem Zustand gehalten.
Der auf diese Weise auf dem Substrat gebildete polykristalline Siliciumfilm
hatte eine Dicke von 300,0 nm und zeigte für das Substrat
mit den Abmessungen 76,2 mm×76,2 mm, bei dem die
Gase aus Düsen des Kreisringtyps eingeleitet wurden,
eine Dickenverteilung innerhalb des Bereichs von ±10%.
Der polykristalline Siliciumfilm war ein Halbleiter
vom n-Typ und hatte einen spezifischen elektrischen
Widerstand von ≃10⁸ Ω · cm.
Anschließend wurde unter Anwendung des auf diese Weise
gebildeten polykristallinen Siliciumfilms der Dünnfilmtransistor
(TFT) nach dem in Fig. 1 gezeigten
Verfahren hergestellt. Eine n⁺-Siliciumschicht wurde
nach dem folgenden Verfahren hergestellt, während
die Substrattemperatur bei 180°C gehalten wurde, um
in dem TFT einen ausgezeichneten ohmschen Kontakt
von Source und Drain zu erzielen. PH₃-Gas, das mit
Wasserstoffgas auf 100 Vol.-ppm verdünnt worden war,
[kurz als "PH₃(100 ppm)/H₂" bezeichnet] und SiH₄-Gas,
das mit Wasserstoffgas auf 10 Vol.-% verdünnt worden
war, [kurz als "SiH₄(10)/H₂" bezeichnet] wurden in
einem PH₃(100 ppm)/H₂ : SiH₄(10)/H₂-Molverhältnis von
5×10-3 in den Rezipienten 301 eingeleitet, wobei
der Innendruck in dem Rezipienten auf 16,0 Pa eingestellt
wurde, worauf eine Glimmentladung mit einer
Leistung von 10 W durchgeführt wurde, um die mit P
dotierte n⁺-Schicht 102 mit einer Dicke von 50,0 nm
zu bilden [Schritt (b)]. Dann wurde die n⁺-Schicht
gemäß Schritt (c) mit Ausnahme des Bereichs für die
Source-Elektrode 103 und des Bereichs für die Drain-
Elektrode 104 durch Fotoätzung entfernt. Das vorstehend
erwähnte Substrat wurde wieder in dem Rezipienten
301 an der Anodenseite an der Einrichtung 302 zum
Halten und Heizen des Substrats befestigt, um eine
isolierende Schicht 105 für die Gate-Elektrode zu
bilden. Ähnlich wie bei der Herstellung des polykristallinen
Siliciums wurde der Rezipient 301 evakuiert,
und die Substrattemperatur Ts wurde bei 250°C gehalten;
NH₃-Gas wurde mit einer Durchflußgeschwindigkeit von
20 Norm-cm³/min und SiH₄(10)/H₂-Gas wurde mit einer
Durchflußgeschwindigkeit von 5 Norm-cm³/min in den
Rezipienten eingeleitet, worauf zur Abscheidung einer
SiNH-Schicht 105 mit einer Dicke von 250,0 nm eine Glimmentladung
mit einer Leistung von 5 W angeregt wurde.
Als nächstes wurden durch einen Fotoätzungsschritt
Kontaktlöcher 106-2 und 106-1 für die Source-Elektrode
103 und die Drain-Elektrode 104 geöffnet, und danach
wurde auf der gesamten Oberfläche der SiNH-Schicht durch
Aufdampfen von Al eine Elektrodenschicht 107 gebildet,
worauf die Al-Elektrodenschicht 107 durch einen Fotoätzungsschritt
bearbeitet wurden, um die Leitungselektroden
108 und 109 für die Source-Elektrode und die Drain-
Elektrode sowie die Gate-Elektrode 110 zu bilden.
Danach wurde in einer H₂-Atmosphäre eine Hitzbehandlung
bei 250°C durchgeführt. Der TFT (Kanallänge L=10 µm;
Kanalbreite W=650 µm), der nach diesem Verfahren
unter den vorstehend beschriebenen Bedingungen gebildet
worden war, zeigte stabile und gute Eigenschaften;
wie festgestellt wurde.
Fig. 4 zeigt exemplarische Kennlinien des auf diese
Weise hergestellten TFT. In Fig. 4 werden
Kennlinien der Beziehung zwischen dem Drain-Strom
ID und der Drain-Spannung VD bei Veränderung der Steuerspannung
(Gate-Spannung) VG als Parameter gezeigt.
Die Schwellenspannung (Vth) der Gate-Elektrode ist
niedrig und beträgt 5 V, und das Verhältnis des Wertes
der Stromstärke bei VG=20 V zu dem Wert der Stromstärke
bei VG=0 V kann eine Zahl über 10 000
sein.
Der Wasserstoffgehalt des polykristallinen Siliciumfilms,
der für die Herstellung des TFT eingesetzt
wurde, und der optische Absorptionskoeffizient für
die Wellenlänge von 550 nm [kurz als "α(550)" bezeichnet]
wurden nach den vorstehend erwähnten Verfahren
gemessen, und die Ergebnisse werden in Tabelle 1 gezeigt.
Die Tabelle zeigt die Ergebnisse, die erhalten wurden,
als das Verfahren wie vorstehend beschrieben mit einer
5 Norm-cm³/min betragenden Durchflußgeschwindigkeit
des mit Wasserstoff verdünnten CH₄-Gases bzw. mit
verschiedenen, 0, 2, 5, 10 oder 20 Norm-cm³/min betragenden
Durchflußgeschwindigkeiten dieses Gases unter
ansonsten den gleichen Bedingungen durchgeführt wurde.
Die effektive Ladungsträgerbeweglichkeit (µeff) der
unter Verwendung dieser polykristallinen Siliciumfilme hergestellten
Dünnfilmtransistoren (TFT) und das Verhältnis
des Drain-Stroms ID (20) bei einer Steuerspannung
(VG) von 20 V zu dem Drain-Strom ID (0) bei einer
Steuerspannung von 0 V (kurz als "Ein/Aus-Verhältnis"
bezeichnet) werden ebenfalls in Tabelle 1 gezeigt.
Aus Tabelle 1 geht hervor, daß der Kohlenstoffgehalt
beim praktischen Betrieb auf etwa 0,01 Atom-% oder
mehr einreguliert werden kann.
Aus Tabelle 1 ist ferner ersichtlich, daß α und das Ein/Aus-
Verhältnis durch Erhöhung des Kohlenstoffgehalts
bis auf etwa 10% wirksam verändert werden können,
während µeff<1 gehalten wird.
Während in diesem Beispiel als Substrat Corning
7059 glass als Substrat verwendet wurde, wurden auch
superhartes Glas oder Kieselglas unter einer höheren
Behandlungstemperatur und einer höheren Substrattemperatur
als Substrat eingesetzt, wobei ähnliche Eigenschaften
erhalten wurden. Infolgedessen kann eine TFT-Speicherschaltung
leicht und mit einer vorteilhafteren
Vorrichtung hergestellt werden, weil die Substrattemperatur
Ts innerhalb eines weiten Bereichs von
niedrigeren bis zu höheren Temperaturen frei gewählt
werden kann.
Durch Wiederholung der Verfahrensweise von Beispiel 1,
wobei jedoch zusammen mit SiH₄(3)/H₂-Gas SF₆-Gas,
das mit H₂-Gas auf 0,2 Vol.-% verdünnt worden war,
[kurz als "SF₆(0,2)/H₂" bezeichnet] mit einer Gasdurchflußgeschwindigkeit
von 0, 2, 5, 10 bzw. 20 Norm-cm³/min
strömen gelassen wurde, wurden auf den Substraten
Silicium-Dünnfilme hergestellt. Dann wurden die
Dünnfilme wie in Beispiel 1 zur Herstellung von
Dünnfilmtransistoren (TFT) eingesetzt, und Messungen
wurden wie in Beispiel 1 durchgeführt, wobei die in
Tabelle 2 gezeigten Ergebnisse erhalten wurden.
Tabelle 2 zeigt, daß die S-Konzentration in der Praxis
auf etwa 0,01 Atom-% oder mehr einreguliert werden
kann und daß α und das Ein/Aus-Verhältnis durch Erhöhung
der S-Konzentration bis auf etwa 5 Atom-% wirksam
verändert werden können, während µeff<1 gehalten wird.
Durch Wiederholung der Verfahrensweise von Beispiel 1,
wobei jedoch durch ein veränderliches Sickerventil
hindurch Sauerstoff in den Rezipienten eingeleitet
wurde, bevor SiH₄(3)/H₂ strömen gelassen wurde, wurde
auf einem Substrat ein Silicium-Dünnfilm gebildet.
Da die Durchflußgeschwindigkeit des Sauerstoffs so
gering ist, wurde die Kontrolle bzw. Regulierung durch
Messung bewirkt. Tabelle 3 zeigt, daß der Gehalt
des Sauerstoffs beim praktischen Betrieb auf etwa
0,03 Atom-% oder mehr einreguliert werden kann und
daß α und das Ein/Aus-Verhältnis durch Erhöhung des
Gehalts des Sauerstoffs bis auf etwa 5 Atom-%
wirksam verändert werden können, während µeff<1 gehalten
wird.
Auf einem Substrat wurden nach dem gleichen Verfahren
wie in Beispiel 1 Silicium-Dünnfilme hergestellt,
wobei jedoch während der Bildung der Silicium-Dünnfilme
gleichzeitig mit SiH₄(3)/H₂-Gas N₂-Gas mit 5 verschiedenen
Durchflußgeschwindigkeiten, nämlich mit
0, 2, 5, 10 und 20 Norm-cm³/min, strömen gelassen
wurde.
Unter Verwendung der auf diese Weise hergestellten
Silicium-Dünnfilme wurden wie in Beispiel 1 5
Dünnfilmtransistoren (TFT) hergestellt, und mit
den 5 Proben wurden die gleichen Tests, wie sie in
Beispiel 1 beschrieben wurden, durchgeführt, wobei
die in Tabelle 4 gezeigten Ergebnisse erhalten wurden.
Aus Tabelle 4 geht hervor, daß der Stickstoffgehalt
in der Praxis auf etwa 0,01 Atom-% oder mehr einreguliert
werden kann. Es weiteren konnten α und das
Ein/Aus-Verhältnis durch Erhöhung des Stickstoffgehalts
auf etwa 5 Atom-% wirksam verändert werden, während
µeff<1 gehalten wurde.
Claims (8)
1. Halbleiterbauelement mit einer Halbleiterschicht aus
einem polykristallinen Siliciumfilm, dadurch gekennzeichnet,F
daß der polykristalline Siliciumfilm als Bestandteil mindestens
eine aus Kohlenstoff-, Schwefel-, Stickstoff- und Sauerstoffatomen
ausgewählte Atomart enthält und daß für Kohlenstoffatome
eine Menge von 0,01 bis 10 Atom-%, für Schwefelatome eine Menge
von 0,01 bis 5 Atom-%, für Stickstoffatome eine Menge von 0,01
bis 5 Atom-% und für Sauerstoffatome eine Menge von 0,03 bis 5 Atom-%
vorgesehen ist.
2. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß der polykristalline Siliciumfilm Wasserstoffatome
in einer Menge von 3 Atom-% oder weniger enthält.
3. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß die Halbleiterschicht aus dem polykristallinen
Siliciumfilm eine Oberflächenrauhigkeit hat, deren Höchstwert
nicht größer als 80,0 nm ist.
4. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß die Halbleiterschicht aus dem polykristallinen
Siliciumfilm beim Ätzen mit einem Ätzmittel, das aus einer
Mischung von Flußsäure (50vol.%ige wäßrige Lösung), Salpetersäure
(Dichte=1,38; 60vol.%ige wäßrige Lösung) und
Eisessig in einem Volumenverhältnis von 1 : 3 : 6 besteht, eine
Ätzgeschwindigkeit von 2,0 nm/s oder weniger hat.
5. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß die Halbleiterschicht ein Röntgenbeugungsbild
oder ein Elektronenstrahlbeugungsbild ergibt, bei dem die auf
die gesamte Beugungsintensität bezogene Beugungsintensität in
der (220)-Ebene 30% oder mehr beträgt.
6. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß der polykristalline Siliciumfilm eine mittlere
Korngröße von 20,0 nm oder mehr hat.
7. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß der polykristalline Siliciumfilm nach einem
Dünnfilmbildungsverfahren hergestellt worden ist.
8. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 7,
ferner gekennzeichnet durch ein Substrat, auf dem die Halbleiterschicht
gebildet ist, einen Drain-Bereich und einen
Source-Bereich, die auf der Oberfläche der Halbleiterschicht
gebildet sind, eine zwischen diesen Bereichen vorgesehene isolierende
Schicht, eine auf der isolierenden Schicht vorgesehene
Gate-Elektrode, eine Source-Elektrode, die mit dem Source-Bereich
in elektrischem Kontakt ist, und eine Drain-Elektrode,
die mit dem Drain-Bereich in elektrischem Kontakt ist.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57082651A JPH0658966B2 (ja) | 1982-05-17 | 1982-05-17 | 半導体素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3317954A1 DE3317954A1 (de) | 1983-11-17 |
DE3317954C2 true DE3317954C2 (de) | 1991-10-10 |
Family
ID=13780329
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE3317954A Granted DE3317954A1 (de) | 1982-05-17 | 1983-05-17 | Halbleiterbauelement |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4766477A (de) |
JP (1) | JPH0658966B2 (de) |
DE (1) | DE3317954A1 (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102006062117A1 (de) * | 2006-12-22 | 2008-06-26 | Schott Solar Gmbh | Verfahren zum Herstellen kristallisierten Siliciums sowie kristallisiertes Silicium |
Families Citing this family (69)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3241959A1 (de) * | 1981-11-13 | 1983-05-26 | Canon K.K., Tokyo | Halbleiterbauelement |
JPH0628313B2 (ja) * | 1982-01-19 | 1994-04-13 | キヤノン株式会社 | 半導体素子 |
US5468653A (en) * | 1982-08-24 | 1995-11-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric conversion device and method of making the same |
USRE37441E1 (en) | 1982-08-24 | 2001-11-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric conversion device |
US6664566B1 (en) | 1982-08-24 | 2003-12-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric conversion device and method of making the same |
USRE38727E1 (en) | 1982-08-24 | 2005-04-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric conversion device and method of making the same |
US6346716B1 (en) | 1982-12-23 | 2002-02-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor material having particular oxygen concentration and semiconductor device comprising the same |
JPS59115574A (ja) | 1982-12-23 | 1984-07-04 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 光電変換装置作製方法 |
US5391893A (en) | 1985-05-07 | 1995-02-21 | Semicoductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Nonsingle crystal semiconductor and a semiconductor device using such semiconductor |
US4727044A (en) | 1984-05-18 | 1988-02-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of making a thin film transistor with laser recrystallized source and drain |
JPS615578A (ja) * | 1984-06-19 | 1986-01-11 | Nec Corp | 薄膜トランジスタ |
JPS61228671A (ja) * | 1985-04-02 | 1986-10-11 | Hitachi Ltd | 薄膜トランジスタ |
US7038238B1 (en) | 1985-05-07 | 2006-05-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having a non-single crystalline semiconductor layer |
US5753542A (en) * | 1985-08-02 | 1998-05-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for crystallizing semiconductor material without exposing it to air |
US5962869A (en) * | 1988-09-28 | 1999-10-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor material and method for forming the same and thin film transistor |
DE3682021D1 (de) * | 1985-10-23 | 1991-11-21 | Hitachi Ltd | Polysilizium-mos-transistor und verfahren zu seiner herstellung. |
JPH0712062B2 (ja) * | 1987-09-09 | 1995-02-08 | 三菱電機株式会社 | 半導体記憶装置の製造方法 |
US4998146A (en) * | 1989-05-24 | 1991-03-05 | Xerox Corporation | High voltage thin film transistor |
US5013139A (en) * | 1989-10-30 | 1991-05-07 | General Electric Company | Alignment layer for liquid crystal devices and method of forming |
US6008078A (en) * | 1990-07-24 | 1999-12-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a semiconductor device |
JPH04151820A (ja) * | 1990-10-15 | 1992-05-25 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP3030366B2 (ja) * | 1990-10-15 | 2000-04-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体作製方法 |
US5210050A (en) | 1990-10-15 | 1993-05-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a semiconductor device comprising a semiconductor film |
JPH04152640A (ja) * | 1990-10-17 | 1992-05-26 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 絶縁ゲイト型半導体装置の作製方法 |
US6893906B2 (en) | 1990-11-26 | 2005-05-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device and driving method for the same |
US7115902B1 (en) | 1990-11-20 | 2006-10-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device and method for manufacturing the same |
US5849601A (en) | 1990-12-25 | 1998-12-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device and method for manufacturing the same |
KR950013784B1 (ko) * | 1990-11-20 | 1995-11-16 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 겐큐쇼 | 반도체 전계효과 트랜지스터 및 그 제조방법과 박막트랜지스터 |
TW209895B (de) | 1990-11-26 | 1993-07-21 | Semiconductor Energy Res Co Ltd | |
US8106867B2 (en) | 1990-11-26 | 2012-01-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device and driving method for the same |
US7154147B1 (en) | 1990-11-26 | 2006-12-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device and driving method for the same |
US7576360B2 (en) * | 1990-12-25 | 2009-08-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device which comprises thin film transistors and method for manufacturing the same |
US7098479B1 (en) | 1990-12-25 | 2006-08-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device and method for manufacturing the same |
JP3103385B2 (ja) * | 1991-01-25 | 2000-10-30 | 株式会社東芝 | ポリシリコン薄膜半導体装置 |
WO1992014268A1 (en) * | 1991-01-30 | 1992-08-20 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Polysilicon thin film transistor |
US6562672B2 (en) | 1991-03-18 | 2003-05-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor material and method for forming the same and thin film transistor |
JPH0824104B2 (ja) | 1991-03-18 | 1996-03-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体材料およびその作製方法 |
JPH04299578A (ja) * | 1991-03-27 | 1992-10-22 | Canon Inc | 光電変換素子及び薄膜半導体装置 |
JP2855919B2 (ja) * | 1991-10-24 | 1999-02-10 | 日本電気株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
US5424230A (en) * | 1992-02-19 | 1995-06-13 | Casio Computer Co., Ltd. | Method of manufacturing a polysilicon thin film transistor |
KR100355938B1 (ko) * | 1993-05-26 | 2002-12-16 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체장치제작방법 |
US5818076A (en) | 1993-05-26 | 1998-10-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Transistor and semiconductor device |
US6090646A (en) | 1993-05-26 | 2000-07-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for producing semiconductor device |
TW264575B (de) * | 1993-10-29 | 1995-12-01 | Handotai Energy Kenkyusho Kk | |
US7081938B1 (en) | 1993-12-03 | 2006-07-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device and method for manufacturing the same |
US6884698B1 (en) * | 1994-02-23 | 2005-04-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device with crystallization of amorphous silicon |
US6700133B1 (en) * | 1994-03-11 | 2004-03-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for producing semiconductor device |
JPH07147414A (ja) * | 1994-04-04 | 1995-06-06 | Canon Inc | 薄膜トランジスタの製造法 |
US5942768A (en) | 1994-10-07 | 1999-08-24 | Semionductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having improved crystal orientation |
JP3364081B2 (ja) * | 1995-02-16 | 2003-01-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP3675886B2 (ja) | 1995-03-17 | 2005-07-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 薄膜半導体デバイスの作製方法 |
JP2839018B2 (ja) * | 1996-07-31 | 1998-12-16 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US6335445B1 (en) * | 1997-03-24 | 2002-01-01 | Societe De Conseils De Recherches Et D'applications Scientifiques (S.C.R.A.S.) | Derivatives of 2-(iminomethyl)amino-phenyl, their preparation, their use as medicaments and the pharmaceutical compositions containing them |
US6307214B1 (en) | 1997-06-06 | 2001-10-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor thin film and semiconductor device |
US6452211B1 (en) * | 1997-06-10 | 2002-09-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor thin film and semiconductor device |
US6667494B1 (en) * | 1997-08-19 | 2003-12-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and semiconductor display device |
US6717179B1 (en) | 1997-08-19 | 2004-04-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and semiconductor display device |
JPH11143379A (ja) * | 1997-09-03 | 1999-05-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体表示装置補正システムおよび半導体表示装置の補正方法 |
US6103138A (en) * | 1998-01-21 | 2000-08-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Silicon-system thin film, photovoltaic device, method for forming silicon-system thin film, and method for producing photovoltaic device |
JP2000174282A (ja) * | 1998-12-03 | 2000-06-23 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP3323850B2 (ja) * | 1999-02-26 | 2002-09-09 | キヤノン株式会社 | 電子放出素子およびこれを用いた電子源およびこれを用いた画像形成装置 |
US6437381B1 (en) | 2000-04-27 | 2002-08-20 | International Business Machines Corporation | Semiconductor memory device with reduced orientation-dependent oxidation in trench structures |
TWI263336B (en) | 2000-06-12 | 2006-10-01 | Semiconductor Energy Lab | Thin film transistors and semiconductor device |
JP2002083974A (ja) * | 2000-06-19 | 2002-03-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
US7616179B2 (en) * | 2006-03-31 | 2009-11-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Organic EL display apparatus and driving method therefor |
JP5436017B2 (ja) * | 2008-04-25 | 2014-03-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
KR101602252B1 (ko) * | 2008-06-27 | 2016-03-10 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 박막 트랜지스터, 반도체장치 및 전자기기 |
WO2010035846A1 (en) * | 2008-09-26 | 2010-04-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric conversion device and method for manufacturing the same |
SG161151A1 (en) * | 2008-10-22 | 2010-05-27 | Semiconductor Energy Lab | Soi substrate and method for manufacturing the same |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4226898A (en) * | 1978-03-16 | 1980-10-07 | Energy Conversion Devices, Inc. | Amorphous semiconductors equivalent to crystalline semiconductors produced by a glow discharge process |
JPS54158190A (en) * | 1978-06-05 | 1979-12-13 | Yamazaki Shunpei | Semiconductor device and method of fabricating same |
US4239554A (en) * | 1978-07-17 | 1980-12-16 | Shunpei Yamazaki | Semiconductor photoelectric conversion device |
JPS5550663A (en) * | 1978-10-07 | 1980-04-12 | Shunpei Yamazaki | Semiconductor device and method of fabricating the same |
JPS5617083A (en) * | 1979-07-20 | 1981-02-18 | Hitachi Ltd | Semiconductor device and its manufacture |
JPS5752176A (en) * | 1980-09-16 | 1982-03-27 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Semiconductor device |
US4470060A (en) * | 1981-01-09 | 1984-09-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display with vertical non-single crystal semiconductor field effect transistors |
US4539283A (en) * | 1981-01-16 | 1985-09-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Amorphous silicon photoconductive member |
DE3241959A1 (de) * | 1981-11-13 | 1983-05-26 | Canon K.K., Tokyo | Halbleiterbauelement |
-
1982
- 1982-05-17 JP JP57082651A patent/JPH0658966B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1983
- 1983-05-17 DE DE3317954A patent/DE3317954A1/de active Granted
-
1986
- 1986-07-11 US US06/885,336 patent/US4766477A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102006062117A1 (de) * | 2006-12-22 | 2008-06-26 | Schott Solar Gmbh | Verfahren zum Herstellen kristallisierten Siliciums sowie kristallisiertes Silicium |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0658966B2 (ja) | 1994-08-03 |
JPS58199564A (ja) | 1983-11-19 |
DE3317954A1 (de) | 1983-11-17 |
US4766477A (en) | 1988-08-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE3317954C2 (de) | ||
DE3317535C2 (de) | ||
DE3241959C2 (de) | ||
DE3331601A1 (de) | Halbleitervorrichtung | |
DE2513459B2 (de) | Halbleiterbauelement mit einer polykristallinen Siliciumabdeckung und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE3628513A1 (de) | Duennfilmleiter und verfahren zur herstellung eines duennfilmleiters | |
DE1771538A1 (de) | Verfahren zur Herstellung von Siliziumnitrid-Filmen | |
DE2605830C3 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements | |
DE2654429A1 (de) | Halbleitervorrichtung, insbesondere photovoltaische sonde, mit einem substrat auf der basis einer legierung cd tief x hg tief 1-x te, und verfahren fuer ihre herstellung | |
DE69019274T2 (de) | Herstellung von aus polykristallinem Silizium bestehenden Dünnschichten und damit hergestellte Transistoren. | |
EP0010624A1 (de) | Verfahren zur Ausbildung sehr kleiner Maskenöffnungen für die Herstellung von Halbleiterschaltungsanordnungen | |
DE3541587A1 (de) | Verfahren zur herstellung eines duennen halbleiterfilms | |
DE3700620A1 (de) | Halbleiterkoerper und verfahren zum herstellen desselben | |
DE2547304C2 (de) | ||
DE3855322T2 (de) | Anordnung zur Detektion von Magnetismus | |
DE3340584C2 (de) | ||
DE2911484C2 (de) | Metall-Isolator-Halbleiterbauelement | |
DE4244115C2 (de) | Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Herstellen der Halbleitervorrichtung | |
DE1514359B1 (de) | Feldeffekt-Halbleiterbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE2460682A1 (de) | Halbleitervorrichtung | |
DE1923035A1 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterelements mit Passivierfilm | |
DE69333592T2 (de) | Methode zur Herstellung eines Dünnschicht-Transistors aus Polysilizium | |
DE3540452C2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Dünnschichttransistors | |
DE69122148T2 (de) | Dünnschicht-Halbleiterbauelement | |
DE69025784T2 (de) | Nichtflüchtige Speicher-Halbleiteranordnung |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
8125 | Change of the main classification |
Ipc: H01L 29/04 |
|
D2 | Grant after examination | ||
8381 | Inventor (new situation) |
Free format text: NAKAGAWA, KATSUMI, TOKIO/TOKYO, JP KOMATSU, TOSHIYUKI, YOKOHAMA, KANAGAWA, JP OSADA, YOSHIYUKI, YOKOSUKA, KANAGAWA, JP OMATA, SATOSHI HIRAI, YUTAKA NAKAGIRI, TAKASHI, TOKIO/TOKYO, JP |
|
8364 | No opposition during term of opposition |