DE3743288A1 - Bispektrale Empfangsvorrichtung für elektromagnetische Strahlung - Google Patents

Bispektrale Empfangsvorrichtung für elektromagnetische Strahlung Download PDF

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Abstract

Eine bispektrale Empfangsvorrichtung für elektromagnetische Strahlung. Die Vorrichtung besitzt zwei einander gegenüberliegende p/n-Übergänge in zwei übereinander angeordneten Materialien, von denen eines ein Substrat (1) bildet und das andere eine durch Epitaxie aufgebrachte Schicht (3). Die Schicht (3) ist dazu bestimmt, durch das Substrat (1) hindurch beleuchtet zu werden, wobei von den beiden Übergängen der eine (8) im aktiven Substrat (1) Ultraviolett-Strahlung empfängt, während der andere (6) in der Schicht (3) Infrarot-Strahlung empfängt. Die Vorrichtung kann zum Empfang von einer Rakete ausgehenden Strahlung dienen.

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft eine Empfangsvorrichtung, die auf elektromagnetische Strahlung anspricht.
  • Derartige Vorrichtungen können in Raketen-Führungssystemen zur Erfassung und Verfolgung eines Zieles verwendet werden, bei denen die vom Ziel ausgehende Strahlung durch das Objektiv eines Abtastsystems hindurch mittels einer Empfangsvorrichtung empfangen wird, die in der Brennebene des Objektivs angeordnet ist, und die von der Empfangsvorrichtung stammenden Informationen werden verarbeitet und in Informationen der Entfernungsmessung umgewandelt, welche einem Steuerkreis für die Lenkeinrichtung der Rakete zugeführt werden, um ihre Flugbahn auf das Ziel einzuregeln.
  • Die meist verwendete Führung ist die Infrarot-Führung.
  • Um Störungen zu berücksichtigen, hat man insbesondere in der FR-0S2 336 655 bereits vorgeschlagen, beispielsweise einen Empfang der vom Ziel ausgehenden Infrarot-Strahlung in einem ersten nützlichen Spektralbereich und in einem zweiten ”parasitär” genannten Bereich durchzuführen, wobei das im ersten Bereich empfangene Signal von Fall zu Fall durch das im zweiten Bereich empfangene Signal korrigiert wird.
  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf bispektralen Empfang.
  • Von vornherein und für diesen bispektralen Empfang boten sich zwei Lösungen an.
  • Die erste besteht darin, zwei Empfangsvorrichtungen vorzusehen, die jeweils in den beiden betrachteten Spektralbereichen ansprechen und jeweils mit zwei verschiedenen Objektiven verbunden sind.
  • Die zweite besteht darin, immer zwei Empfangsvorrichtungen aber mit einem einzigen Objektiv vorzusehen, jedoch in Kombination mit einer Empfangsweiche.
  • Es handelt sich um zunächst unhandliche Lösungen, die das Vorsehen von Vorrichtungen zur Korrektur der Abstände zwischen den optischen Wegen der beiden Strahlungen erfordern.
  • Dies sind Nachteile, die die vorliegende Erfindung beseitigen will.
  • Zu diesem Zweck betrifft die vorliegende Erfindung eine Empfangsvorrichtung, die erfindungsgemäß dadurch gekennzeichnet ist, daß sie ein Substrat aus einem ersten Halbleitermaterial aufweist, das zum Empfang von elektromagnetischer Strahlung in einem ersten vorgegebenen Spektralbereich eingerichtet ist, und auf dem Substrat eine Schicht aus einem zweiten Halbleitermaterial angeordnet ist, das zum Empfang von elektromagnetischer Strahlung in einem zweiten vorgegebenen Spektralbereich eingerichtet ist und für die Strahlung des ersten Bereichs durchlässig ist.
  • Die erfindungsgemäße Vorrichtung ist also eine bispektrale Empfangsvorrichtung, die im Grunde einen monolithischen Block bildet.
  • Die erfindungsgemäße Vorrichtung ist insbesondere gut verwendbar für den Doppelempfang in zwei getrennten Spektralbereichen, vorzugsweise in einem Infrarot-Bereich, beispielsweise dem Bereich von 3–5 μm und in einem Ultraviolett-Bereich, beispielsweise dem Bereich von 300–400 nm.
  • Bei der erfindungsgemäßen Empfangsvorrichtung sind die beiden Halbleitermaterialien für den Empfang so gut übereinander angeordnet, daß sie im wesentlichen in der gleichen Brennebene des einzigen Objektivs eines Abtastsystems angeordnet sein können. Unter Berücksichtigung der an die Qualität der Optik gebundenen Toleranzen kann man jedenfalls davon ausgehen, daß die Ebenen, in denen sie angeordnet sind, zusammenfallen.
  • Es ist bemerkenswert, festzustellen, daß bei der erfindungsgemäßen Vorrichtung, bei der eine Halbleiterschicht auf einem Substrat angeordnet ist, dieses Substrat den Charakter eines Leiters besitzt und eine aktive Rolle beim Empfang spielt, während normalerweise ein Substrat, auf welches man durch Ablagerung oder Epitaxie ein Empfangsmaterial aufbringt, den Charakter eines Isolators aufweist und passiv bleibt, ohne am Empfang teilzunehmen.
  • Im Fall des Doppelempfangs von Infrarot- und Ultraviolettstrahlung ist es vorteilhaft, wenn das Material für den IR-Kanal die Legierung Hg Cd Te oder In Sb ist und das Material für den UV-Kanal ein leicht auf Hg Cd Te zu epitaxierendes Material ist oder ein Material, auf welches Hg Cd Te oder In Sb leicht zu epitaxieren sind, also beispielsweise Ga As, Cd S, In Sb oder Si.
  • Bei einer bevorzugten Ausführungsform der erfindungsgemäßen Vorrichtung sind die beiden Empfangsmaterialien durch eine Pufferschicht, beispielsweise aus Cd Te, voneinander getrennt, die eine fortlaufende progressive Anpassung gewisser Parameter dieser beiden Materialien bewirkt, die innerlich nicht vollständig angepaßt sind.
  • Die Erfindung wird noch besser verstanden mit Hilfe der nachfolgenden Beschreibung mehrerer Ausführungsformen der erfindungsgemäßen Vorrichtung und ihrer Herstellungsverfahren unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen. In den Zeichnungen zeigen:
  • 1 in einer schematischen Ansicht eine erste Ausführungsform einer Vorrichtung nach der Erfindung,
  • 2 die Verwendung der Vorrichtung nach 1 und
  • 3 in einer schematischen Ansicht eine zweite Ausführungsform der Vorrichtung nach der Erfindung.
  • Die in 1 dargestellte Vorrichtung besitzt ein Substrat 1, welches ein Monokristall mit hoher kristalliner Perfektion ist, eine zwischengeschaltete Pufferschicht 2, die auf das Substrat 1 aufgebracht ist und eine äußere Schicht 3, die mittels Epitaxie auf die Pufferschicht 2 aufgebracht ist.
  • Die Verwendung der Vorrichtung nach 1 ist in 2 dargestellt. Das Substrat 1 ist den in Pfeilrichtung 5 einfallenden Photonen ausgesetzt, nachdem diese ein optisches Filter 4 durchquert haben, welches gegenüber sichtbarer Strahlung undurchlässig ist. Die UV-Strahlung wird vom Substrat 1 auf seiner vorderen Oberfläche empfangen und die IR-Strahlung wird nach dem Durchgang durch das Substrat 1 von der Schicht 3 sozusagen durch die hintere Oberfläche des Substrates empfangen.
  • Die Schicht 3 besteht beispielsweise aus Hg Cd Te vom p-leitenden Typ und weist eine Zone 6 aus Hg Cd Te vom n-leitenden Typ auf, die sich von der hinteren Oberfläche 7 ausgehend in sie hinein erstreckt und einen p/n-Übergang für den Empfang des IR-Kanals bildet.
  • Die Pufferschicht 2 besteht beispielsweise aus Cd Te.
  • Das Substrat 1 besteht beispielsweise aus Ga As, Cd Te, Cd S, In Sb oder Si vom p-leitenden Typ und besitzt eine Zone 8 vom n-leitenden Typ, die sich, ausgehend von der vorderen Oberfläche 9, in es hinein erstreckt und einen p/n-Übergang für den Empfang des UV-Kanals bildet und dem p/n-Übergang 3, 6 in der Schicht 3 gegenüberliegt.
  • Zwei metallische Kontakte sind auf der hinteren und der vorderen Oberfläche angeordnet. Der eine Kontakt 10, der hier als n-Leiter ausgebildet ist, befindet sich an der hinteren Oberfläche 7 und ist elektrisch mit der IR-Empfangszone 6 verbunden. Der andere Kontakt 11, der hier auch als n-Leiter ausgebildet ist, befindet sich an der vorderen Oberfläche 9 und ist elektrisch mit der UV-Empfangszone 8 verbunden. Auf diese Kontakte 10, 11 sind Verbindungsdrähte aufgelötet, um die p/n-Übergänge mit unterschiedlichen positiven Spannungen entgegengesetzt zu polarisieren. Ein dritter Kontakt 12 ist auf den ganzen Rand der Platte vom p-Leitertyp aufgebracht und erstreckt sich geringfügig auf die vordere Oberfläche 9 und die hintere Oberfläche 7, wobei auf diesen Kontakt ein zur Masse des Polarisationskreises führender Verbindungsdraht aufgelötet ist. Die oben erwähnten, für der Substrat 1 möglichen Halbleitermaterialien zum Empfang des UV-Kanals besitzen im UV-Bereich einen sehr hohen optischen Absorbtionskoeffizienten, wodurch 90% der UV-Strahlung bis zu einer Tiefe von 20 bis 200 nm (200 bis 2000 Å), was in etwa dem Wert 1 / 2α entspricht, wobei α der Absorbtionskoeffizient ist, der für dieses Material höher als 105/cm ist.
  • Der UV-Empfang wird also in der Tat durch die vordere Oberfläche des Substrats bewirkt. Diese gleichen Materialien sind dagegen für IR-Strahlung durchlässig mit Absorbtionskoeffizienten der Größenordnung 10–2/cm, wobei die Absorbtion in einem Substrat von 0,5 mm Dicke den Wert 1‰ nicht überschreitet. Abgesehen von der Dicke der Schichten 2 und 3 wird also der IR-Empfang durch die hintere Oberfläche des Substrats bewirkt.
  • Die Vorrichtung nach 3, die von der Vorrichtung nach den 1 und 2 verschieden ist aber in der selben Art benutzt wird, besitzt ein Substrat 13 zum Empfang des IR-Kanals und eine obere Schicht 14, welche die einfallenden Photonen aufnimmt zum Empfang des UV-Kanals.
  • Das Substrat 13 kann aus Hg Cd Te bestehen, auf welches eine dünne Schicht 14 aus Cd S vom n-leitenden Typ aufgedampft wurde, die dazu bestimmt ist, die einfallenden Photonen aufzunehmen. Der n/p-Übergang für den Empfang, der danach durch Ionenaustausch mit Kupfer erhalten wird, ist ein Heteroübergang Cu2S (p)/CdS (n).
  • Das Substrat 13 kann auch aus In Sb bestehen, auf welches eine dünne Schicht 14 aus Cd Te epitaxiert wurde. Diese beiden Materialien weisen den Vorteil auf, daß sie die gleiche kristalline Struktur und sogar den gleichen Kristallzellenparameter besitzen, so daß damit die idealen Bedingungen für die Epitaxie durch Aufbringen vor Dämpfen organometallischer chemischer Verbindungen oder für die Pyrolyse von organometallischen Dämpfen (metal organo chemical vapor deposition MOCVD) zusammengefaßt sind.
  • Sowohl bei der Vorrichtung nach dem ersten Typ (1 und 2) als auch beider nach dem zweiten Typ (3) sind andere Materialkombinationen verwendbar wie beispielsweise Ga As/In Sb. Die Verwendung von Silizium für den UV-Kanal kann ebenfalls in Betracht gezogen werden mit den damit verbundenen Vorteilen einer außerordentlich fortgeschrittenen Technologie. Im Falle einer Heteroepitaxie, wie oben beschrieben, wird vorteilhaft eine zwischengeschaltete Pufferschicht zur Anpassung eingesetzt.
  • Allgemein und wie schon oben zum Teil erörtert, macht die Realisierung der erfindungsgemäßen Vorrichtung von bekannten Techniken des Schichtwachstums durch Epitaxie oder durch Aufdampfen sowie von Techniken der Realisation von p/n-Übergängen vom Mesa- oder Planar-Typ durch ionische Implantation, Quecksilberdampf-Diffusion oder mittels Ionenaustausch Gebrauch.
  • Ein Substrat aus In Sb, das monokristallin orientiert (111) ist, vom p-leitenden Typ kann mit Verunreinigungen bis zu 1015 Leerstellen/cm3 dotiert sein.
  • Ein Substrat aus Ga As mit der Orientierung (100) kann mit Verunreinigungen aus Be bis zu 1018 Leerstellen/cm3 dotiert sein, oder durch Epitaxie auf ein Primärsubstrat aus halbisolierendem Ga As aufgebracht werden.
  • Ein Substrat aus Cd Te oder Cd Zn Te oder Cd Se Te der Orientierung (111) und zum p-leitenden Typ dotiert, kann entweder direkt eine Pufferschicht und eine äußere Schicht aufnehmen, wobei es sich dann um ein massives Substrat handelt oder es kann auf ein halbisolierendes Substrat aus Cd Te epitaxiert werden.
  • Ein Substrat aus Hg1-xCdx Te zur Aufnahme einer Schicht aus CdS entspricht vorzugsweise der Zusammensetzung x = 0,3, wobei die Dotierung zum p-leitenden Typ durch stöchometrische Abweichung erhalten wird, die zu Quecksilber-Leerstellen vom p-leitenden Typ in Anteilen von 1015 bis 1016 Leerstellen/cm3 führt.
  • Das Aufbringen von Hg Cd Te durch Epitaxie in flüssiger Phase auf ein Substrat aus Cd Te oder Ga As wird gemäß den nun beschriebenen Verfahrensschritten bewirkt.
  • Nach dem Polieren und der abschließenden Reinigung durch chemische Ätzung führt man das Substrat in den Schieber eines Grafittiegels ein, der horizontal angeordnet ist und zwei Behälter aufweist, von denen der eine Cd und Te enthält, während der andere das Quellenmaterial mit einer gewünschten Zusammensetzung enthält, die reich an Tellur ist: [(Hg1-x Cdx)yTe1-y, x = 0,3; y = 0,17]. Man plaziert den Tiegel in ein an beiden Enden offenes Rohr, damit er einer Zirkulation von Wasserstoff unter Überdruck unterworfen werden kann und plaziert das Ganze in einen durch Joule-Effekt auf etwa 500°C aufgeheizten Ofen. Durch Verschieben des Tiegelschiebers, damit das Substrat mit dem ersten Cd und Te enthaltenden Behälter in Kontakt kommt, wird die Pufferschicht aus Cd Te auf dem Substrat aufgebracht.
  • Man verschiebt dann den Schieber in horizontaler Richtung, damit des Substrat schließlich in Kontakt mit dem zweiten Behälter kommt, der das Quellenmaterial enthält.
  • Man kühlt dann mit etwa 1°C pro Minute ab, um das stöchiometrische Wachsen der Schicht aus Hg Cd Te mit einer Geschwindigkeit der Größenordnung von 1 μm/Minute hervorzurufen. Der so gebildete Kristall mit einer Dicke von 30 μm ist bei 77°K ein p-Leiter mit einer Konzentration der Größenordnung 1016 Leerstellen/cm3.
  • Das epitaxische Aufbringen von Hg Cd Te durch Pyrolyse von organometallischen Dämpfen (MOCVD) wird mit Hilfe eines Vektorgases, im vorliegenden Fall gereinigter Wasserstoff, bewirkt und durch den Fluß von Diäthyltellur (C2H5)2 Te und Dimethylcadmium (CH3)2 Cd als Quellen für Tellur und Cadmium und von Quecksilberdampf. Die Elemente kombinieren sich auf dem Substrat, das in einem Rohr auf 400°C aufgeheizt, wird, das in einem Ofen angeordnet ist, durch pyrolytische Zersetzung oder Kracken der organischen Moleküle. Nach dem Anstieg der Temperatur und der Stabilisierung wird das Anwachsen innerhalb von etwa 2 Stunden mit einer Geschwindigkeit von 4 μm/Stunde bewirkt. Ein schnelles Abkühlen durch Zirkulation eines inerten Gases am Ende der Ablagerung, stellt die Bildung eines p-Leiters sicher.
  • Für eine Durchflußmenge von 1 l/min Wasserstoff besitzt der Fluß von Diäthyltellur und Dimethylcadmium eine Größenordnung von 5 bis 20 cm3/min und die Relativwerte bestimmen die Zusammensetzung x in Hg1-x Cdx Te. Eine präzise Steuerung der Temperaturen auf ±1°C erlaubt es, homogene und gleichförmige Schichten zu erhalten.
  • Im Fall des Aufbringens von Cd Te auf ein Substrat aus In Sb durch das MOCVD-Verfahren, wird bei 440°C mit gleichem Fluß an Diäthyltellur und Dimethylcadmium gearbeitet. Man enthält eine Ablagerung von 3 μm Dicke am Ende einer Stunde. Die Dotierung zum p-Leiter wird mittels eines Flusses von Triäthylarsen durch Arsen erhalten.
  • Bei allen diesen Verfahren der Epitaxie verwendet man Sorgfalt insbesondere auf die Vorbehandlung der Oberflächen vor dem Aufbringen der Pufferschicht. Insbesondere wird ein Abbeizen an Ort und Stelle durch Auflösen der Oberfläche des Substrats im Kontakt mit dem ersten Behälter durchgeführt, welches jede Oxydation verhindert und die Herstellung einer frischen Oberfläche erlaubt.
  • Wenn man ein Material Cd S-Cd Hg Te in Betracht zieht, wird das Aufbringen von Cadmiumsulfid durch Aufdampfen unter Hochvakuum durchgeführt. Nach der Dissoziation kombinieren die Moleküle des Cd S auf dem auf etwa 100°C aufgeheizten Substrat aus Hg Cd Te. Man kann leicht äußere Schichten aus Cd S von 10 μm Dicke erhalten.
  • Die n-leitende Zone wird durch Einbringen eines Halogen-Elementes in die Charge erhalten.
  • Die p-leitende Zone kann durch Ionenaustausch bewirkt werden mittels Eintauchen in eine wässrige Lösung von CuCl. Die topotaxische Reaktion, die sich darin entwickelt, ersetzt das Atom des Cd durch zwei Atome des Cu und der Halbleiter Cu2S ist entartet und besitzt einen schwachen Eigenwiderstand. Während des Verfahrens sind die Ränder, die hintere Oberfläche und ein Teil der vorderen Oberfläche der Vorrichtung zur Abgrenzung der p-leitenden Zonen mit einem Fotogravur-Harz abgedeckt. Eine Dicke der p-leitenden Zone von 0,1 μm wird in einem Bad von 80°C nach etwa 15 Minuten erreicht. Die Reaktion kann verbessert werden durch Hinzufügen von Natriumchlorid, um das Kupferchlorid löslich zu machen, von Hydrazindichlorat, einem Reduktionsmittel zum Stabilisieren des Oxydationsgrades des Kupfers und von Natriumtartrat zum Einstellen des pH-Wertes in den sauren Bereich. Am Ende der Reaktion wird eine sorgfältige Spülung durchgeführt. Bezüglich weiterer Details dieser wohlbekannten Techniken wird beispielsweise auf die französischen Patentschriften Nr. 1 562 163 , 2 182 651 und 2 188 303 hingewiesen.
  • Der an der Oberfläche liegende Übergang zum Empfang des UV-Kanals wird in folgender Weise hergestellt:
    Unter Berücksichtigung der erhöhten Absorbtion bei Wellenlängen im UV-Bereich wird der Übergang in der Nähe der Oberfläche angeordnet. Eine Tiefe von beispielsweise 100 nm wird durch ionische Implantation erhalten.
  • Im Falle des Siliciums wird das Isotopenelement P31 bei niedrigen Energien der Größenordnung von 20 bis 30 keV implandiert mit einer Dosis von 1013 bis 1014 Ionen/cm2, die gering genug ist, um die Oberfläche nicht amorph zu machen und eine schwache Kanalisation zu erhalten.
  • Unter diesen Bedingungen sind die mittleren Tiefen der n-leitenden Dotierungszone in der Größenordnung von 45 nm. Ein Tempern bei tiefer Temperatur (300°C) genügt dann, um die durch Bestrahlung erzeugten Fehlstellen zu eliminieren.
  • Im Falle des Ga AS wird die notwendige Implantation, um die n-leitende Zone mit einer Tiefe von etwa 100 nm zu erzeugen, mit einer geringen Dosis von S-Ionen oder Si-Ionen bei Energien in der Größenordnung von 0 bis 40 keV durchgeführt. Unter diesen Bedingungen erreichen die mittleren Tiefen der n-leitenden Dotierungs-Zone Werte von 30 bis 40 nm.
  • Um einen n+/p-Übergang im Material In Sb zu erhalten führt man noch eine Implantation mit S-Ionen durch.
  • Um einen n+/p-Übergang im Material Cd Te zu erhalten führt man eine Implantation mit Bor oder Aluminium durch.
  • Bezüglich weiterer Details wird verwiesen auf die französische Patentschrift Nr. 2 501 915 .
  • Der Empfangsübergang für den IR-Kanal wird in folgender Weise realisiert:
    Im Falle des Hg Cd Te verfährt man in der klassischen Weise nach der Planar-Technik der Diffusion von Quecksilber durch Passivierungsschichten, wie dies beispielsweise im französischen Patent Nr. 2 336 804 beschrieben ist. In analoger Weise verfährt man mit dem Material IN Sb.
  • Die Planar-Technologie der Maskierung erlaubt die Realisierung von Öffnungen und unterschiedlichen Anordnungen der empfindlichen Oberflächen, um einige 100 μm in seitlicher Richtung.
  • Für den Infrarotbereich von 3–5 μm nimmt man im Falle des Hg Cd Te die Verbindung, die dem Wert x = 0,3 entspricht, während man für den Bereich von 8–12 μm den Wert x = 0,2 nimmt.
  • Die Empfangsvorrichtung mittels p/n-Übergängen, die oben in ihren verschiedenen Ausführungsformen unter Bezugnahme auf ein einziges bispektrales UV-IR-Element mit zwei einander gegenüberliegenden Übergängen beschrieben wurde, kann tatsächlich eine große Anzahl derartiger Elemente umfassen und die Form einer Kappe oder eines zweidimensionalen Mosaiks aus derartigen Elementen aufweisen.
  • Die Erfindung ist wohlgemerkt auch ebensogut anwendbar auf den photoelektrischen Empfang und auf den Empfang aufgrund der Photoleitfähigkeit.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • FR 2336655 [0004]
    • FR 1562163 [0048]
    • FR 2182651 [0048]
    • FR 2188303 [0048]
    • FR 2501915 [0055]
    • FR 2336804 [0056]

Claims (12)

  1. Bispektrale Empfangsvorrichtung für elektromagnetische Strahlung, dadurch gekennzeichnet, daß sie ein Substrat (1, 13) aus einem ersten Halbleitermaterial aufweist, das zum Empfang von elektromagnetischer Strahlung in einem ersten vorgegebenen Spektralbereich eingerichtet ist, und auf dem Substrat (1, 13) eine Schicht (3, 14) aus einem zweiten Halbleitermaterial angeordnet ist, das zum Empfang elektromagnetischer Strahlung in einem zweiten vorgegebenen Spektralbereich eingerichtet ist und für die Strahlung des ersten Bereichs durchlässig ist.
  2. Empfangsvorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Materialien des Substrats (1, 13) und der besagten Schicht (3, 14) zum Empfang von elektromagnetischer Strahlung in jeweils zwei voneinander getrennten Spektralbereichen eingerichtet sind.
  3. Empfangsvorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Materialien des Substrats (1, 13) und der besagten Schicht (3, 14) zum Empfang von elektromagnetischer Strahlung jeweils in einem Ultraviolett-Bereich und einem Infrarot-Bereich eingerichtet sind.
  4. Empfangsvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat (1) und die besagte Empfangsschicht (3) durch eine Pufferschicht (2) zur Anpassung voneinander getrennt sind.
  5. Empfangsvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat (1, 13) so angeordnet ist, daß es die einfallende Strahlung aufnimmt.
  6. Empfangsvorrichtung nach einem der Ansprüche 3 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß das Material (3, 14) zum Empfang von Infrarotstrahlung durch das Material (1, 13) zum Empfang von Ultraviolett-Strahlung hindurch beleuchtet wird.
  7. Empfangsvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß das Material des Substrats (1, 13) aus den Stoffen Hg Cd Te und In Sb ausgewählt ist.
  8. Empfangsvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß das Material der besagten Empfangsschicht (3, 14) aus den Stoffen Si, Ga As, Cd Te, Cd S und In Sb ausgewählt ist.
  9. Empfangsvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß besagte Empfangsschicht (3, 14) auf das Substrat (1, 13) mittels Homoepitaxie aufgebracht ist.
  10. Empfangsvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß besagte Empfangsschicht (3, 14) auf das Substrat (1, 13) mittels Heteroepitaxie aufgebracht ist.
  11. Empfangsvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß besagte Empfangsschicht (3, 14) auf das Substrat (1, 13) mittels Aufdampfen aufgebracht ist.
  12. Empfangsvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens zwei Empfangsübergänge einander gegenüberliegend jeweils in der Nähe der vorderen Oberfläche (9) und in der Nähe der hinteren Oberfläche (7) der Vorrichtung angeordnet sind.
DE3743288.5A 1986-12-30 1987-12-19 Bispektrale Empfangsvorrichtung für elektromagnetische Strahlung Pending DE3743288A1 (de)

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FR1562163A (de) 1968-02-16 1969-04-04
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FR2336655A1 (fr) 1975-12-22 1977-07-22 Telecommunications Sa Perfectionnement au guidage nocturne d'engins autopropulses
FR2336804A1 (fr) 1975-12-23 1977-07-22 Telecommunications Sa Perfectionnements apportes aux dispositifs semi-conducteurs, notamment aux detecteurs photovoltaiques comprenant un substrat a base d'un alliage cdxhg1-xte, et procede de fabrication d'un tel dispositif perfectionne
FR2501915A1 (fr) 1981-03-10 1982-09-17 Telecommunications Sa Photodetecteur sensible dans l'infra-rouge proche

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