DE2840331A1 - Verfahren zum aufbringen einer halbleitenden verbindung von elementen der gruppen iii und v des periodensystems - Google Patents

Verfahren zum aufbringen einer halbleitenden verbindung von elementen der gruppen iii und v des periodensystems

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DE2840331A1 DE19782840331 DE2840331A DE2840331A1 DE 2840331 A1 DE2840331 A1 DE 2840331A1 DE 19782840331 DE19782840331 DE 19782840331 DE 2840331 A DE2840331 A DE 2840331A DE 2840331 A1 DE2840331 A1 DE 2840331A1
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Description

AGENCE NATIONALE DE VALORISATION DE LA RECHERCHE ( A. N. V. A. R.)
Neuilly-sur-Seine, Frankreich
Verfahren zum Aufbringen einer halbleitenden Verbindung von Elementen der Gruppen III und V des Periodensystems
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum chemischen Aufbringen einer Schicht einer Halbleiterverbindung von Elementen der Gruppen III und V des Periodensystems auf einem Substrat aus der Gasphase, ferner das nach diesem Verfahren erhaltene, zumindest teilweise beschichtete Substrat.
Gegenwärtig sind zwei Haupttypen technischer Verfahren bekannt, mit denen Halbleiterverbindungen von Elementen der Gruppen III und V des Periodensystems chemisch in der Gasphase auf ein Substrat aufgebracht werden. Ein derartiges Verfahren, das sog. Chloridverfahren, besteht in der Zersetzung eines aus einem Chlorid eines Elements der Gruppe III und eines Elements der Gruppe V des Periodensystems oder einer ihrer flüchtigen Verbindungen bestehenden gasförmigen Gemischs in Gegenwart des Substrats. Die Nachteile dieser Verfahrensweise liegen einerseits in den sehr strengen Verfahrensbedingungen, die insbesondere mehrere Zonen verschiedener und zugleich genau eingestellter bzw.
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geregelter Temperaturen erfordern, sowie andererseits darin, daß das Verfahren in Gegenwart von Chlor und/oder Chlorwasserstoffsäure vorgenommen wird, die das Substrat oder die abgeschiedene Schicht im Verlauf ihrer Bildung anzugreifen in der Lage sind. Ferner ist hierzu festzustellen, daß derartige Verfahren aufgrund der strengen Verfahrensbedingungen keine Erzeugung ternärer oder quaternärer Abscheidungsschichten von Halbleiterverbindungen der Gruppen III-V erlauben.
Die andere Hauptverfahrensweise, die als organometallische Verfahrensweise bezeichnet wird, da bei ihr organometallische Verbindungen verwendet werden, beruht auf der Zersetzung eines aus einer alkylierten Verbindung eines Elements der Gruppe III und entweder eines Hydrids oder einer alkylierten Verbindung eines Elements der Gruppe V des Periodensystems bestehenden gasförmigen Gemischs in Gegenwart des Substrats. Die diesbezüglichen Verfahrensbedingungen sind erheblich weniger streng als im vorgenannten Falle, und das Verfahren erlaubt insbesondere die Herstellung von Abscheidungsschichten ternärer oder quaternärer Halbleiterverbindungen .
Zur Erzeugung einer Halbleiterverbindung gegebener stöchiometrischer Zusammensetzung mit bestimmten gewünschten elektronischen Eigenschaften ist es allerdings erforderlich, ein gasförmiges Gemisch einzusetzen, in dem die Konzentration der Verbindung des Elements V 10- bis 100-fach höher ist als die Konzentration der Verbindung des Elements der Gruppe III, wobei die Konzentration der Verbindung mit dem Element der Gruppe V in diesem Bereich gegenüber der Konzentration der Verbindung des Elements der Gruppe III des Periodensystems sehr genau eingestellt sein muß; wenn diese Bedingung nicht ganz strikt eingehal-
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ten wird, resultiert eine sehr stark dotierte Halbleiterverbindung, dh eine sehr hohe Transportzahl; diese Verfahrensweise hat ferner den weiteren Nachteil, daß die Verbindung der Gruppe V in großem Überschuß verwendet werden muß. Hinzu kommt, daß die Alkylderivate von Elementen der Gruppe III und der Gruppe V sehr große Reaktivität besitzen und demzufolge nur in sehr aufwendiger Weise handzuhaben und nur schwierig zu reinigen sind. Die Wasserstoff- bzw. Alkylderivate bestimmter Elemente der Gruppe V des Periodensystems, insbesondere von Arsen und Antimon, sind außerdem extrem toxisch und erfordern daher die Einhaltung sehr strenger und genau kontrollierter Verfahrensbedingungen.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, unter Vermeidung der oben angegebenen Nachteile ein Verfahren zum chemischen Aufbringen einer Halbleiterverbindung von Elementen der Gruppen III und V des Periodensystems in der
ist Gasphase anzugeben, das leicht durchzuführen^ bei dem keine Gasgemische des Typs verwendet werden, wie sie bei den Verfahren mit Verwendung organometallischer Verbindungen eingesetzt werden, das entsprechend die mit der Verwendung derartiger Gasgemische verbundenen Nachteile nicht aufweist und ohne besondere Vorsichtsmaßnahmen zu Abscheidungsschichten aus der gewünschten Halbleiterverbindung führt.
Insbesondere soll dabei der Umgang mit gefährlichen oder toxischen Verbindungen vermieden werden, wobei zugleich aufgrund der Verwendung leicht zu reinigender Ausgangsmaterialien eine leichtere Erzielung von Abscheidungsschichten elektronischer Reinheit möglich sein soll. Das Verfahren soll dabei auch die Erzeugung binärer, ternärer oder quaternärer Halbleiterverbindungen zulassen. Das Verfahren soll schließlich auch die Erzeugung polykristalliner wie auch einkristalliner epitaxialer Abscheidungsschichten ermöglichen, da letztere insbesondere
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für Anwendungszwecke zur Herstellung von Bauteilen oder elektronischen Vorrichtungen oder Schaltungen auf Halbleiterbasis das größte Interesse genießen.
Die Aufgabe wird erfindungsgemäß durch ein Verfahren zum Aufbringen einer Schicht einer Halbleiterverbindung aus Elementen M(III) und M'(V) der Gruppen III und V des Periodensystems auf einem Substrat gelöst, das dadurch gekennzeichnet ist,
- daß eine Koordinationsverbindung der Formel
M(IiI)-M1 (ν)-e— Rc
verwendet wird, die einerseits die über eine Donor-Akzeptor-Bindung verbundenen Elemente M(III) und M1(V) aufweist und bei der andererseits die chemischen Substituenten R1, R2» R, und Rj., Rr, Rg, die von Wasserstoff verschieden sind, an jedem der Atome gebunden sind, wobei mindestens einer der am Atom M(III) gebundenen Substituenten R1, R2 und/oder R, ein die Donor-Akzeptor-Bindung zwischen den Atomen M(III) und M1(V) stabilisierender Elektronendonor ist,
- daß die Koordinationsverbindung mit dem Substrat in der Gasphase in Kontakt gebracht wird
- daß die Koordinationsverbindung durch Zufuhr von Wärme derart zersetzt wird, daß die von der Donor-Akzeptor-Bindung verschiedenen chemischen Bindungen gespalten werden und eine Schicht der Halbleiterverbindung M(III)
M'(V) auf dem Substrat entsteht.
Beim erfindungsgemäßen Verfahren wird eine Koordinationsverbindung eingesetzt, die zugleich Elemente M(III) und M1(V) als Bestandteile der aufzubringenden Halbleiterverbindung M(III) M'(V) im strengen stöchiometrischen Ver-
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hältnis 1:1 der Halbleiterverbindung aufweist.
Wie aus zahlreichen experimentellen Untersuchungen hervorgeht, auf die sich auch die nachstehenden Beispiele beziehen, stellt die erfindungsgemäße Koordinationsverbindung ein stabiles Material mit geringer Reaktivität bei Raumtemperatur und geringem Dampfdruck bei dieser Temperatur dar, wobei die an sich toxischen Bestandteile wie Arsen oder Antimon einen Komplex bilden, in dem der toxische Charakter der zugrundeliegenden Einzelverbindungen gewissermaßen maskiert ist. Die Elektronendonor-Substituenten (Donoren von 31-Elektronen, p-Elektronen oder anderen Elektronen) stabilisieren die Donor-Akzeptor-Bindung derart, daß die thermische Zersetzung zur Spaltung der Bindungen zwischen den Substituenten und den Elementen M(III) und M1(V) ohne gleichzeitige Veränderung der Bindung M(III)-M1(V) führt: unter diesen Bedingungen wird eine stöchiometrische Abscheidung dieser Verbindung erzielt.
Die Substituenten R1, Rp, R^, R1^, R,- und Rg sind von Wasserstoff verschiedene Substituenten, um eine thermische Polymerisation der Koordinationsverbindung zu vermeiden, die mit Wasserstoff als Substituenten bei niedrigen Temperaturen stattfinden würde, da der bzw. die aus Wasserstoff bestehenden Substituenten eines Moleküls die Tendenz aufweisen, unter Eliminierung mit anderen Substituenten desselben Moleküls zu Verbindungen zu führen, die aufgrund der so freigesetzten Bindungen polymerisieren; das so erhaltene Polymer eignet sich aufgrund seiner physikalischen Eigenschaften (schwierig zu verdampfender Peststoff) nicht zur chemischen Erzeugung von Ablagerungsschichten aus der Gasphase.
Experimentelle Untersuchungen haben ergeben, daß das
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erfindungsgemäße Verfahren ebensogut die Erzeugung polykristalliner Abscheidungsschichten wie auch einkristalliner epitaxialer Schichten erlaubt.
Wie aus den nachstehenden Beispielen im einzelnen hervorgeht, hängt die Erzielung einer polykristallinen Abscheidung bzw. im Gegensatz dazu einer einkristallinen epitaxialen Abscheidung von den Verfahrensbedingungen ab, unter denen die Koordinationsverbindung mit dem Substrat in Kontakt gebracht wird. Allgemein wird eine polykristalline Abscheidung erhalten, wenn die Zulieferungsgeschwindigkeit der Koordinationsverbindung hoch ist oder die Konzentration der Verbindung groß ist; wenn im Gegensatz dazu eine einkristalline Abscheidung angestrebt ist, muß die Koordinationsverbindung bei geringeren Konzentrationen langsam mit dem Substrat in Kontakt gebracht werden; im letzteren Fall müssen die Parameter des Kristallgitters des Substrats mit denen des Kristallgitters der Abscheidungsschicht verträglich und damit ihnen ähnlich sein.
Die Herstellung von Koordinationsverbindungen des Typs
R2-^ M(III)-M'(V)
ist unabhängig von den Ausgangselementen M(III) und M'(V) an sich bekannt und kann insbesondere folgenden Veröffentlichungen entnommen werden: Dissertation von R. Haran, Toulouse, September 1972, Universite Paul Sabatier, sowie der Monographie von G.E. Coates "Organometallic compounds", Herausgeber Met Huen, John Wiley, New York, i960.
Im folgenden wird die allgemeine Verfahrensweise zur
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Herstellung derartiger Verbindungen kurz erläutert, die darin besteht, daß eine Lewis-Base
M« (V)
die der Koordinationsverbindung entspricht, bei tiefer Temperatur mit einer Lewis-Säure
die ebenfalls der Koordinationsverbindung entspricht, kondensiert wird, worauf die Temperatur des Systems allmählich auf Raumtemperatur gesteigert wird, wonach die überschüssige Lewis-Base abgefangen und das erhaltene Produkt zur Erzielung der reinen Koordinationsverbindung durch Destillation gereinigt wird.
Nach dem Erwärmen des Gemische von Lewis-Base und Lewis-Säure auf Raumtemperatur kann gegebenenfalls die Ausbeute der Komplexbildungsreaktion, die zur Koordinationsverbindung führt, durch leichtes Erwärmen auf eine Temperatur zwischen 60 und 100 0C gesteigert werden.
Die Auswahl der Substituenten R.,, Rp, R,, R1,, R^ und Rg erfolgt nach zwei wesentlichen Kriterien in Abhängigkeit von den jeweiligen Ausgangselementen M(III) und M1(V): einer möglichst guten Stabilisierung der Donor-Akzeptor-Bindung durch die Elektronenjlonor-Substituenten R.,, Rp und/oder R-, sowie durch Verwendung einer Koordinat ions verbindung, deren physikalische Eigenschaften die chemische Ablagerung in der Dampfphase am meisten erleichtern, insbesondere durch entsprechende Wahl des Dampfdrucks, der
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sich stark mit der Temperatur ändert, um die Verdampfung
sowie durch Auswahl . der Verbindung zu erleichtern, einer Bindung zwischen Substituent und Element M(III) bzw. M1(V) mit niedriger Energie, um die zur Zersetzung dieser Bindungen erforderliche Energie zu verringern und störende Spaltungen der Donor-Akzeptor-Bindung zu vermeiden.
Chlor stellt beispielsweise ein Elektronen-onor-Radikal FL (p-Elektronen-Donor) dar, mit dem sich die oben genannten Bedingungen für die Bestandteile M(III) und M1(V) der üblichen Halbleiterverbindungen aus Verbindungen der Gruppen III und V des Periodensystems vollkommen erfüllen lassen, wobei M(III) Bor, Aluminium, Gallium oder Indium und M1(V) Stickstoff, Phosphor, Arsen oder Antimon bedeuten.
Die Koordinationsverbindung kann dabei ein einziges, aus einem Chloratom bestehendes Elektronen—onor-Radikal oder auch zwei aus zwei Chloratomen sowie auch drei aus entsprechend drei Chloratomen bestehende Radikale enthalten.
Die Koordinationsverbindung kann ferner zwei oder drei p-Elektronen-Donor s.ubstituenten enthalten, die jeweils aus einem Bromatom bestehen; derartige Substituenten eignen sich dann sehr günstig, wenn das Element M(III) aus Bor, Aluminium oder Gallium und das Element M'(V) aus Stickstoff, Phosphor, Arsen oder Antimon bestehen.
Wenn Indium in der Koordinationsverbindung verwendet wird, besitzt die mit Bromatomen gebildete Koordinationsverbindung eine höhere Dichte, was für die chemische Abscheidung in der Gasphase nicht so günstig ist, weshalb es in diesem Fall bevorzugt ist, als ElektronenjJonor-Substituenten entweder das oben erwähnte Chlor oder drei
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als p-Elektronen-Donoren fungierende Benzylgruppen CgH,- oder auch eine Kombination beider Substituenten, dh eines Chloratoms mit zwei Phenylgruppen CgH1-, zu verwenden.
Allgemein gilt, daß die keine Elektronen-Donoren darstellendenSubstituenten vorteilhaft aus Äthylgruppen C2H1-bestehen, die dazu beitragen, der Koordinationsverbindung günstige physikalische Eigenschaften zu verleihen.
Wenn das Element M(III) aus Indium besteht, ist es, wie aus experimentellen Untersuchungen hervorgeht, wenn der Substituent R1 einen aus einem Chloratom bestehenden Elektronen_donor-Substituenten darstellt, möglich, die Substituenten Rp und R^, ohne Elektronen- onor„.e igenschaften unter Hexylgruppen CgH15 oder Cyclohexylgruppen CgH11 auszuwählen, wobei die übrigen Substituenten Rm, R^ und Rg insbesondere aus Äthylgruppen CpH1- bestehen können.
Eine bevorzugte Durchführungsweise des erfindungsgemäßen Verfahrens besteht ferner darin, ein Trägergas, insbesondere ein Edelgas, mit den Dämpfen der Koordinationsverbindung dadurch zu beladen, daß die Verbindung auf einer Temperatur zwischen 30 und I80 0C gehalten, das beladene Gas mit dem Substrat in Kontakt gebracht und die Zersetzung der Koordinationsverbindung durch Erhitzen des Substrats auf eine Temperatur zwischen 400 und 750 0C durchgeführt wird, die oberhalb der Spaltungstemperatur der Bindungen zwischen M(III) oder M1(V) und den verschiedenen Substituenten sowie unterhalb der Temperatur des Beginns der Dissoziation der Donor-Akzeptor-Bindung der Koordinationsverbindung liegt.
Zur Erzielung einkristalliner epitaxialer Ablagerungsschichten auf einem Substrat mit entsprechend verträglichen Kristallparametern wird das mit der Koordinationsverbindung
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beladene Trägergas unter laminarer Strömung bei Geschwindigkeiten mit dem Substrat in Kontakt gebracht, die in etwa zwischen 0,7 und 2 cm/s liegen; Geschwindigkeiten in der Größenordnung von 1 bis 1,5 cm/s liefern dabei gute Ergebnisse.
Oberhalb der Obergrenze des angegebenen Bereichs wird die Wahrscheinlichkeit für die Entstehung einer polykristallinen Ablagerungsschicht, beispielsweise unter dem Einfluß der geringeren Turbulenz im Trägergas, erhöht; unterhalb der Untergrenze des angegebenen Bereichs wird andererseits das Phänomen der Rückdiffusion eines Teils der aus der Komplexzersetzung stammenden Gase beobachtet, wobei die im Gegenstrom (aufgrund der zu geringen Geschwindigkeit des Trägergases) auftretenden Gase die Bedingungen des Kontakts des mit dem Komplex beladenen Trägergases mit dem Substrat stören.
Im oben genannten Fall wird der Durchmesser des das Substrat enthaltenden Reaktors vorzugsweise oberhalb eines Grenzwerts in der Größenordnung von 2 cm vorgesehen, unterhalb dessen es in der Praxis schwierig ist, die oben im einzelnen erläuterten Geschwindigkeits- und Strömungsbedingungen in befriedigendem Maße einzuhalten.
In diesem Zusammenhang ist ferner festzustellen, daß sich das erfindungsgemäße Verfahren günstig zur Herstellung von mit Elementen der Gruppen II oder VI, insbesondere Schwefel, Selen oder Zink sowie Cadmium, dotierten Halbleiterschichten aus Elementen der Gruppen III-V eignet. Dabei genügt es, diese Elemente vor dem Kontakt mit dem Substrat in geeigneten Mengenverhältnxssen in Dampfform oder in Form flüchtiger Alkylverbindungen in das mit der Koordinationsverbindung beladene Trägergas einzuführen.
Das erfindungsgemäße Verfahren eignet sich ferner
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auch zur Herstellung von Schichten einer ternären oder quaternären Halbleiterverbindung mehrerer Elemente der Gruppen III und V; das Verfahren besteht entsprechend darin, daß ein Gemisch mehrerer Koordinationsverbindungen der oben definierten Art, die jeweils ein Element der Gruppe III und ein Element V des Periodensystems enthalten, verwendet werden, wobei das Gemisch eine der Formel der aufzubringenden Halbleiterverbindung entsprechende Zusammensetzung besitzt.
Die ternäre Verbindung M1 (III) M9(III) m_vnM! (V) kann beispielsweise unter Verwendung eines Gemischs der beiden Koordinat ionsverbindungen
M1(III)-M'(V)-^-R5 und R'2 -~ M2(III) -M1 R3 R6 RI3
und Zersetzung eines Gemischs der Dämpfe dieser Verbindungen in Gegenwart des Substrats erhalten werden.
Nach der obigen Erläuterung des allgemeinen erfindungsgemäßen Verfahrensprinzips werden im folgenden mehrere Ausführungsbeispiele der erfindungsgemäßen Verfahrensweise im einzelnen erläutert; die Beispiele wurden mit einer Vorrichtung durchgeführt, die der in der Zeichnung angegebenen Vorrichtung entspricht, die im folgenden näher erklärt ist.
Die Vorrichtung umfaßt im wesentlichen eine auf eine einstellbare Temperatur thermostatisierbare Waschflasche 1, die die entsprechende Koordinationsverbindung im flüssigen Zustand enthält, sowie einen Reaktor 2, der das zu beschichtende und mit 3 bezeichnete Substrat enthält und durch einen Ofen 4 erhitzt werden kann.
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Je nach dem betreffenden Beispiel wurden zwei Reaktorabmessungen, nämlich mit 1 bzw. 2,2 cm Durchmesser, verwendet .
Eine mit einem Ventil 6, einem Durchflußmesser 7 und einem Manometer 8 ausgerüstete Leitung 5 ermöglicht die Zufuhr des Trägergases zur Waschflasche 1; das mit dem Dampf der Koordinationsverbindung beladene Gas gelangt von dort über eine wärmeisolierte Leitung 9 zum Reaktor.
Die Waschflasche 1 kann über ein geeignetes Hahnsystem durch einen Bypass 10 aus dem System ausgeschaltet werden.
Am Ausgang des Reaktors werden das Trägergas und die gasförmigen Zersetzungsprodukte über eine Leitung 12 in eine mit Flüssigstickstoff gekühlte Falle 13 geleitet, an die sich über eine Leitung 14 mit einem Manometer 15 ein Ventil 16 sowie eine Vakuumpumpe 17 anschließen.
Das Aufbringen einer Abscheidungsschicht wird in folgenden Verfahrensstufen vorgenommen:
- Einbringen der Koordinationsverbindung in die Waschflasche 1 sowie des Substrats in den Reaktor 2;
- Evakuieren der Vorrichtung ab dem Ventil 6 mit der Vakuumpumpe 17s wobei die Waschflasche 1 durch das Hahnsystem 11 aus dem System abgetrennt ist;
- Füllen der Vorrichtung mit dem Trägergas und einstündiges Durchspülen damit bei aus dem Leitungssystem ausgeschalteter Waschflasche 1;
- Aufheizen der Waschflasche 1 auf die entsprechend vorgeschriebene Temperatur;
- Aufheizen des Ofens 4 auf die entsprechend vorgeschriebene Temperatur;
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- Einstellung von Gasdruck und Gasdurchsatz mit den Manometern 8 und 15 und den Hähnen 6 und 16;
- Einschalten der Waschflasche 1 in das Leitungssystem mit Hilfe des Hahnsystems 11, wobei hierdurch der Beginn des Aufbringens der Halbleiterverbindung auf dem Substrat festgelegt wird,
und
- zu Versuchsende Kurzschließen der Waschflasche 1 sowie 15 min danach Abschalten der Heizungen der Waschflasche 1 und des Reaktors 2 und Abkühlenlassen auf Raumtemperatur .
Die oben erläuterte Vorrichtung und erfindungsgemäße Verfahrensweise sind lediglich beispielhaft.
Im folgenden wird die Erfindung anhand von Ausführungsbeispielen näher erläutert.
Beispiel 1:
Abscheidung_von_GaAs
Es wurde folgende Koordinationsverbindung eingesetzt: Cl. C2H5
Ga«As
0Hr-Ga«As rC0Hr-
2 5 / \ 2 5
Die bei Raumtemperatur flüssige Verbindung besitzt bei Raumtemperatur praktisch keinen Dampfdruck. Sie wurde nach der oben angegebenen allgemeinen Verfahrensweise auf der bei -80 0C kondensierten Lewis-Base As(C2H1-), und der Lewis-Säure Ga(C2H,-)2Cl hergestellt, die gegenüber der Base im Unterschuß eingesetzt wurde.
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Zur Verdampfung der Koordinationsverbindung wird diese in der Waschflasche auf 80 C erhitzt. Das verwendete Trägergas besteht aus Helium bei einem Druck von 1,1 at bei einem Durchsatz von 6 l/h. Der verwendete Reaktor besitzt einen Durchmesser von 1 cm. Hieraus ergibt sich aufgrund des obigen Durchsatzes eine Gasgeschwindigkeit im Reaktor von 2,12 cm/s.
Der Versuch wurde anhand von vier hintereinander im Reaktor 2 angeordneten Substrattypen durchgeführt: einem gespaltenen Fluoridkristall, einem polierten Korundkristall, einem Galliumarsenidkristall und einem Germaniumkristall.
Nach dem Aufheizen der Substrate auf 600 0C wird mit dem Dampf der Koordinationsverbindung beladenes Helium 3 h im Reaktor zirkulieren gelassen.
Nach Versuchsende wird eine polykristalline, graue GaAs-Schicht auf den Substraten festgestellt. Die Art dieser Schicht wurde durch Röntgenbeugung sowie Untersuchung der Sekundäremission unter einem Elektronenstrahl mit einer Vorrichtung vom Typ EDAX ermittelt.
Die rasta?elektronenmikroskopisch ermittelte Dicke dieser Schicht betrug im vorliegenden Beispiel etwa 3 /um für alle vier Substrate.
Beispiel 2:
Abscheidung_von_GaAs
Es wurde wie in Beispiel 1 verfahren mit dem Unterschied, daß als Trägergas Argon unter denselben Druck- und Durchsatzbedingungen verwendet wurde.
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Es wurden gleiche Ergebnisse erhalten. Beispiel 3:
Es wurde wie in Beispiel 1 verfahren mit dem Unterschied,
- daß die Substrattemperatur zu 500 0C gewählt wurde und
- die Zirkulationsdauer der Gase im Reaktor 7 h betrug.
Es wurde dieselbe Abscheidungsschicht erhalten, deren Dicke etwa 2 ,um betrug.
Aus den Ergebnissen geht hervor, daß trotz längerer Zirkulationsdauer eine geringere Abscheidung erzielt wird und höhere Verluste auftreten.
Beispiel 4:
Es wurde wie in Beispiel 3 verfahren mit dem Unterschied, daß als Trägergas kein Edelgas, sondern Wasserstoff unter denselben Durchsatz- und Druckbedingungen verwendet wurde.
Die erhaltene GaAs-Schicht war mit einer Dicke unter 1 ,um sehr dünn. Ferner wurde im nicht beheizten Endteil des Reaktors eine Ablagerung von Arsen festgestellt, woraus hervorgeht, daß es zur Spaltung bestimmter Donor-Akzeptor-Bindungen wahrscheinlich unter Bildung von Arsin AsH, gekommen war, das sich unter Bildung der Arsenabscheidung zersetzte.
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Zur Vermeidung derartiger störender Reaktionen wird vorzugsweise ein Edelgas als Trägergas verwendet.
Beispiel 5-
Es wurde wie in Beispiel 4 verfahren mit dem Unterschied, daß bei einem verringerten Wasserstoffdruck von 50 Torr und einem Durchsatz von 2 l/h gearbeitet wurde.
Auf den Substraten wurden einfache Spuren von GaAs festgestellt; am Reaktorausgang traten ferner bedeutende Ablagerungen von Arsen auf den Reaktorwandungen auf.
Die Druckverminderung begünstigt die Spaltung der Donor-Akzeptor-Bindungen; daher wurden vorzugsweise höhere Drucke angewandt, die mindestens gleich dem Atmosphärendruck waren.
Beispiel 6:
Es wurde folgende Koordinationsverbindung verwendet
Cl
C2H5
die nach der allgemeinen Verfahrensweise aus der Lewis-Base As(C2H5), und der Lewis-Säure GaC2H5Cl3 hergestellt wurde.
Die Versuche wurden unter folgenden Reaktionsbedingungen in einem Reaktor von 1 cm Durchmesser durchgeführt:
- Verdampfungstemperatur der Verbindung: 100 0C;
- Trägergas: Helium bei einem Druck von 1,1 atm;
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- Durchsatz 6 l/h;
- Temperatur der Substrate analog zu den oben genann ten: 650 0C;
- Zirkulationsdauer der Gase: 3 h.
Nach Versuchsende wurde eine polykristalline GaAs-Schicht von etwa 2 ,um Dicke erhalten.
Beispiel 7:
Abscheidung_yon_GaP
Es wurde folgende Koordinationsverbindung verwendet
Ga. P ^-C0H1-
die nach der allgemeinen Verfahrensweise aus der Lewis-Base P(C2H5), und der Lewis-Säure Ga(P3H1-)pCl hergestellt wurde.
Die Versuche wurden unter folgenden Reaktionsbedingungen in einem Reaktor von 1 cm Durchmesser durchgeführt:
- Verdampfungstemperatur der Verbindung: 120 0C;
- Trägergas: Helium bei einem Druck von 1,1 atm;
- Durchsatz 6 l/h;
- Temperatur der Substrate analog zu den oben genannten: 65O 0C;
- Zirkulationsdauer der Gase: 3 h.
Nach Versuchsende wurde eine polykristalline, gelborangenfarbene GaP-Schicht auf den Substraten erhalten. Die Schichtdicke lag in der Größenordnung von 3 /Um.
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Beispiel 8:
Es wurde folgende Koordinationsverbindung eingesetzt
Cl\ ^C0H1-
\ / 2 5
C3H5 Ga · N ^- C2H5
die nach der allgemeinen Verfahrensweise aus der Lewis-Base N(C2Hc-)-, und der Lewis-Säure Ga(CpHc)2Cl hergestellt wurde.
Die Versuche wurden unter folgenden Reaktionsbedingungen in einem Reaktor von 1 cm Durchmesser durchgeführt:
- Verdampfungstemperatur der Verbindung: 110 0C;
- Trägergas: Helium bei einem Druck von 1,1 atm;
- Durchsatz 6 l/h;
- Temperatur der Substrate analog zu den oben genannten: 700 0C;
- Zirkulationsdauer der Gase: 5 h.
Nach Versuchsende wurde eine polykristalline, graue GaN-Schicht auf den Substraten erhalten; die Schichtdicke lag in der Größenordnung von 1 ,um.
Beispiel 9:
Es wurde folgende Koordinationsverbindung verwendet
C2H5--ALP-C2H5
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-23- 28A0331
die nach der allgemeinen Verfahrensweise aus der Lewis-Base P(CpH1-), und der Lewis-Säure Al(C5H1- KCl hergestellt wurde.
Die Versuche wurden unter folgenden Reaktionsbedingungen in einem Reaktor von 1 cm Durchmesser durchgeführt :
- Verdampfungstemperatur der Verbindung: 80 0C;
- Trägergas: Helium bei einem Druck von 1 atm;
- Durchsatz 3 l/h;
- Temperatur der Substrate analog zu den oben genannten: 660 0C;
- Zirkulationsdauer der Gase: 4 h;
- Gasgeschwindigkeit: 1,06 cm/s.
Nach Versuchsende wurde eine polykristalline, graue AIP-Schicht von etwa 3 /Um Dicke erhalten.
Beispiel 10:
£Ü2§2i3Si§ü2S_
Es wurde folgende Koordinationsverbindung verwendet:
Cl. • Ν f^
C2H5-
C2H-
-C2H5
-^ Al
^- 		^C2H
die nach der allgemeinen Verfahrensweise aus der Lewis-Base N(C2H5), und der Lewis-Säure Al(C2H5J2Cl hergestellt wurde. .
Die Versuche wurden unter folgenden Bedingungen in einem Reaktor von 1 cm Durchmesser durchgeführt:
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- Verdampfungstemperatur der Verbindung: 110 0C;
- Trägergas: Helium bei einem Druck von 1 atm;
- Durchsatz 3 l/h;
- Temperatur der Substrate: 670 0C;
- Zirkulationsdauer der Gase: 10 h;
- Gasgeschwindigkeit: 1,06 cm/s.
Nach Versuchsende wurde eine polykristalline, gelbe AIN-Schicht von größenordnungsmäßig 5 /Um Dicke erhalten.
Beispiel 11;
Die Versuche wurden mit denselben Koordinationsverbindungen wie in den Beispielen 1, 2, 3» 4 und 5 durchgeführt.
Als Substrat wurde η-dotiertes Germanium, Kristallfläche ^.13), verwendet.
Die kristallographische Gitterkonstante dieses im kubisch-flächenzentrierten System kristallisierenden Materials beträgt a = 5 »657 S und liegfcdamit nahe an der Gitterkonstante von Galliumarsenid GaAs, das im gleichen System kristallisiert (a = 5»653» entsprechend einer Differenz von 0,08 %).
Die Versuche wurden in einem Reaktor von 2,2 cm Durchmesser unter folgenden Bedingungen durchgeführt:
- Verdampfungstemperatur der Verbindung: 35 °C;
- Trägergas: Helium bei einem Druck von 1,1 atm;
908814/0782
- Durchsatz 15 l/h;
- Gasgeschwindigkeit im Reaktor: 1,1 cm/s;
- Temperatur der Substrate: 480 0C;
- Zirkulationsdauer der Gase: 3 h.
Gegenüber den analogen vorhergehenden Beispielen wurde die Verdampfungstemperatur der eingesetzten Verbindung erheblich geringer .gewählt um aie Konzentration des Trägergases an der Koordinationsverbindung abzusenken und so das Auftreten des epitaxialen Charakters der erzielten Schicht zu begünstigen.
Nach Versuchsende wurde eine einkristalline epitaxiale, graue GaAs-Schicht von etwa 3 /Um Dicke auf dem Substrat erhalten. Der epitaxiale Charakter der Abscheidungsschieht wurde durch Elektronenbeugung in Reflexion an einer Probenoberfläche von 3 mm nachgewiesen; die entsprechenden Beugungsbilder zeigten keinerlei Ringe und stellten lediglich ein Punktdiagramm dar, das für eine einkristalline epitaxiale Schicht charakteristisch ist. Die abgeschiedene Schicht war vom η-Typ und besaß eine Beweglichkeit
2 2
von 2500 cm /V»s bei Raumtemperatur sowie von 11000 cm /V s bei der Temperatur von Flüssigstickstoff. Die Trägeran-
IY
zahl betrug etwa 5*10 '/ml·
•Die obigen Werte wurden ohne besondere Vorsichtsmaßnahmen hinsichtlich des Reaktormaterials (Pyrex-Glas) ermittelt; zur Herstellung elektronischer Bauteile oder Vorrichtungen wird das Reaktormaterial in der Praxis so gewählt werden, daß damit jedes Risiko der Einführung von Verunreinigungen vermieden wird, wodurch die obigen Werte noch beträchtlich verbessert werden können.
009814/0762
284033^
Beispiel 12:
Es wurde wie in Beispiel 11 unter Verwendung eines Substrats aus Germanium, (lll)-Fläche, p-dotiert, verfahren .
Es wurden gleiche Ergebnisse erzielt; man erhielt eine einkristalline epitaxiale Abscheidung von GaAs in Analogie zum obigen Beispiel,
Beispiel 13:
Es wurde unter denselben Bedingungen wie in den Beispielen 11 und 12 unter Verwendung eines einkristallinen Substrats aus Galliumarsenid GaAs/halbisolierend, (Hl)-Fläche) verfahren; die Zirkulationsdauer des Trägergases wurde in diesem Fall auf 1 h begrenzt.
Nach Versuchsende wurde eine einkristalline epitaxiale GaAs-Schicht von etwa 1 ,um Dicke erhalten.
Beispiel 14:
§Eitaxiale_Abscheidung_von_AlP
Es wurde dieselbe Koordinationsverbindung wie in Beispiel 9 verwendet.
Als Substrat wurde nicht dotiertes Silicium (Kristallfläche (IH)), verwendet, das im kubisch-flächenzentrierten System (a = 5,431 &) kristallisiert; diese Gitterkonstante liegt nahe an der von AIP, das im gleichen System kristalli-
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siert (a = 5,451 ^, entsprechend 0,37 % Differenz).
Die Versuche wurden in einem Reaktor von 2,2 cm Durchmesser unter folgenden Bedingungen durchgeführt:
- Verdampfungstemperatur: 90 °C;
- Trägergas: Helium bei 1,1 atm;
- Durchsatz 15 l/h;
- Gasgeschwindigkeit: 1,1 cm/s;
- Temperatur des Substrats: 625
η.
- Zirkulationsdauer der Gase: 10 h.
Nach Versuchsende wurde eine einkristalline epitaxiale, gelb./prange^jFarbene Schicht von etwa 1 ,um Dicke auf dem Substrat erhalten. Der epitaxiale Charakter der Abseheidungsschicht wurde in derselben Weise wie in den drei vorhergehenden Beispielen nachgewiesen.
Die Erfindung ist nicht auf die in den obigen Beispielen angegebenen bestimmten Verfahrensweisen und Verfahrensbedingungen beschränkt, die lediglich beispielhaft sind· Sie ist insbesondere zur Herstellung elektronischer Halbleitervorrichtungen wie Dioden, Trioden, Transistoren und anderer auf Halbleiterübergängen beruhender Bauteile oder Bauelemente anwendbar.
Die Erfindung betrifft zusammengefaßt ein Verfahren zur chemischen Abscheidung von Schichten einer Halbleiterverbindung aus Elementen M(III) und M1(V) der Gruppen III und V des Periodensystems in der Gasphase auf einem Substrat.
Das Verfahren beruht auf der Zersetzung einer Koordinationsverbindung der allgemeinen Formel
ÖQ98U/0762
lv
M(III) .M'(V)^-
R0 -M(III) .M'(V)^- R
in Gegenwart eines Substratss wobei die Elemente M(III) und M1(V) durch eine Donor-Akzeptor-Bindung miteinander verbunden sind, die Substituenten FL s Rp, R,s R1., R1- und Rg von Wasserstoff verschieden sind und mindestens ein am Element M(III) gebundener Substituent unter den Substituenten R^j Rp und/oder R-, ein Elektronen^donor ist9 der die Donor-Akzeptor-Bindung stabilisiert.
Die Erfindung ist insbesondere zur Herstellung elektronischer Vorrichtungen auf Halbleiterbasis anwendbar.
§09814/0762

Claims (15)

  1. Ansprüche
    M(III)-M'(V)
    verwendet wird, die einerseits die über eine Donor-Akzeptor-Bindung verbundenen Elemente M(III) und M1(V) aufweist und bei der andererseits die chemischen Substituenten R-, Rp,
    , R,-, R 2
    Rf-, die von Wasserstoff verschieden sind, 2 . Elemente
    an jedem Atom dieser gebunden sind, wobei mindestens einer
    R7. und R
    der am Atom M(III) gebundenen Substituenten
    und/oder
    R-, ein die Donor-Akzeptor-Bindung zwischen den Atomen M(III) und M'(V) stabilisierender Elektronendonor ist,
    - daß die Koordinationsverbindung mit dem Substrat in der Gasphase in Kontakt gebracht wird
    und
    - daß die Koordinationsverbindung durch Zufuhr von Wärme derart zersetzt wird, daß die von der Donor-Akzeptor-Bindung verschiedenen chemischen Bindungen gespalten werden und eine Schicht der Halbleiterverbindung M(III) M'(V) auf dem Substrat entsteht.
    097-(AN 2 BE 884 Cas 32)-SP-Bk
    0098U/0762
    ORIGINAL INSPECTED
    -Z-
  2. 2. Verfahren nach Anspruch 1, wobei die aufzubringende Halbleiterverbindung als Element M(III) Bor, Aluminium, Gallium oder Indium und als Element M1(V) Stickstoff, Phosphor, Arsen oder Antimon enthält, dadurch gekennzeichnet, daß die verwendete Koordinationsverbindung mindestens eine Gruppe IL, Rp und/oder R^, mit p-Elektronen-Donoreigenschaften aufweist, die aus einem Chloratom besteht.
  3. 3. Verfahren nach Anspruch 1, wobei die aufzubringende Halbleiterverbindung als Element M(III) Bor, Aluminium, Gallium und als Element M'(V) Stickstoff, Phosphor, Arsen oder Antimon enthält, dadurch gekennzeichnet, daß die verwendete Koordinationsverbindung mindestens zwei Substituenten R1 und Rp und/oder R^ mit p-Elektronen-Donor-Eigenschaften aufweist, die jeweils aus einem Bromatom bestehen.
  4. 4. Verfahren nach Anspruch ls wobei die aufzubringende Halbleiterverbindung eine Indiumverbindung [M(III3 mit Stickstoff, Phosphor, Arsen oder Antimon als Element M1(V) ist, dadurch gekennzeichnet s daß die verwendete Koordinationsverbindung drei Substituenten R^5 Rp und R, mit Jt-Elektronen^,dDnor-«-eigenschaften aufweist, die jeweils aus einer 'Phenylgruppe CgH1- bestehen.
  5. 5. Verfahren nach Anspruch I5 x^obei die aufzubringende Halb le it er Verbindung eine Indiumverbindung [M(III)] mit Stickstoff, Phosphor, Arsen oder Antimon als Element M'(V) ist, dadurch gekennzeichnet;, daß die verwendete Koordinationsverbindung drei Substituenten R^, R2 und R-, mit Elektronen^jdonorv^eigenschaften aufweist, wobei einer der Substituenten aus einem Chloratom und die beiden anderen aus Phenylgruppen CgHj- bestehen.
  6. 6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5» dadurch gekennzeichnet, daß die von den Substituenten mit Elektronenuäonor^sigenschaften verschiedenen Substituenten aus
    909ÖU/07I2
    Äthylgruppen CpHt- bestehen.
  7. 7. Verfahren nach Anspruch 1, wobei die aufzubringende Halbleiterverbindung eine Indiumverbindung [M(III)] mit Stickstoff, Phosphor, Arsen oder Antimon als Element M'(V) ist, dadurch gekennzeichnet, daß die verwendete Koordinationsverbindung einen Substituenten FL mit p-Elektronendonor^eigenschaften aufweist, der aus einem Chloratom besteht, und zwei Substituenten R2 und R-, ohne Elektronendonor^.,eigenschaften besitzt, die aus Hexylgruppen CgH1, oder Cyclohexylgruppen CgH.. bestehen.
  8. 8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7» dadurch gekennzeichnet, daß die Koordinationsverbindung dadurch mit dem Substrat in Kontakt gebracht wird, daß ein Trägergas mit dem Dampf der Koordinationsverbindung beladen wiriby--- und das beladene Trägergas mit dem Substrat in Kontakt gebracht wird.
  9. 9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß. als Trägergas ein Edelgas verwendet wird.
  10. 10. Verfahren nach Anspruch 8 oder 9» dadurch gekennzeichnet, daß das beladene Trägergas bei einem Druck mit dem Substrat in Kontakt gebracht wird, der mindestens gleich dem Atmosphärendruck ist.
  11. 11. Verfahren nach einem der Ansprüche 8 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß das Trägergas dadurch mit dem Dampf der Koordinationsverbindung beladen wird, daß die Verbindung auf eine Temperatur zwischen 30 und l80 0C erhitzt wird und das Trägergas so geführt wird, daß es den gebildeten Dampf der Verbindung mitnimmt.
  12. 12. Verfahren nach Anspruch 11 zur Erzielung einer einkristallinen epitaxialen Schicht der halbleitenden Ver-
    9098U/07I2
    bindung, dadurch gekennzeichnet, daß das mit der Koordinationsverbindung beladene Trägergas bei laminarer Strömung und Geschwindigkeiten im ungefähren Bereich von Oj7 bis 2cm/s mit dem Substrat in Kontakt gebracht wird.
  13. 13. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß die Zersetzung der Koordinationsverbindung durch Erhitzen des Substrats auf eine Temperatur zwischen 400 und 750 0C vorgenommen wird, die oberhalb der Spaltungstemperatur der Bindungen zwischen M(III) oder M1(V) und den verschiedenen Substituenten sowie unterhalb der Temperatur des Beginns der Dissoziation der Donor-Akzeptor-Bindung der Koordinationsverbindung liegt.
  14. I1J. Verfahren zum chemischen Aufbringen einer Schicht einer halbleitenden Verbindung mehrerer Elemente der Gruppen III und V auf einem Substrat aus der Gasphase, dadurch gekennzeichnet, daß ein Gemisch mehrerer Koordinationsverbindungen nach einem der Ansprüche 1 bis 7 verwendet wird, die jeweils ein Element der dritten Gruppe des Periodensystems und ein Element der fünften Gruppe des Periodensystems enthalten, wobei das Gemisch eine der Formel der aufzubringenden Halbleiterverbindung entsprechende Zusammensetzung besitzt.
  15. 15. Substrat mit einer Halbleiterschicht aus einer Halbleiterverbindung mit Elementen der Gruppen III und V des Periodensystems, erhalten nach dem Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 14.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0152669A2 (de) * 1984-02-17 1985-08-28 Stauffer Chemical Company Kontinuierliche Pnictid-Quelle und Zuführungsvorrichtung zur Ablagerung eines Films, insbesondere durch chemische Gasphasenabscheidung
EP0152668A2 (de) * 1984-02-17 1985-08-28 Stauffer Chemical Company Verfahren zur Hochvakuumbeschichtung mittels einer Vorrichtung zur kontinuierlichen Zuführung von Pnictid

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3172368D1 (en) * 1980-11-18 1985-10-24 British Telecomm Improvements in the manufacture of group iiib-vb compounds
EP0106537B1 (de) * 1982-10-19 1989-01-25 The Secretary of State for Defence in Her Britannic Majesty's Government of the United Kingdom of Great Britain and Chemische Abscheidung aus der Gasphase von Filmen mittels organometallischen Verbindungen
DE3483164D1 (de) * 1983-01-19 1990-10-18 British Telecomm Zuechtung von halbleiter.
US4588451A (en) * 1984-04-27 1986-05-13 Advanced Energy Fund Limited Partnership Metal organic chemical vapor deposition of 111-v compounds on silicon
US4524090A (en) * 1984-04-30 1985-06-18 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Deposition of compounds from multi-component organo-metals
EP0204724B1 (de) * 1984-11-20 1990-01-24 Hughes Aircraft Company Verfahren zum niederschlagen von galliumarsenid mittels dämpfe von gallium-arsenkomplexen
JPS61275191A (ja) * 1985-05-29 1986-12-05 Furukawa Electric Co Ltd:The ＧａＡｓ薄膜の気相成長法
JPS6291494A (ja) * 1985-10-16 1987-04-25 Res Dev Corp Of Japan 化合物半導体単結晶成長方法及び装置
JPH0645886B2 (ja) * 1985-12-16 1994-06-15 キヤノン株式会社 堆積膜形成法
JP2566914B2 (ja) * 1985-12-28 1996-12-25 キヤノン株式会社 薄膜半導体素子及びその形成法
US4717597A (en) * 1986-03-21 1988-01-05 Motorola Inc. Method for providing impurities into a carrier gas line
US5250135A (en) * 1986-05-21 1993-10-05 British Telecommunications Public Limited Company Reagent source
US4946543A (en) * 1986-06-02 1990-08-07 Kalisher Murray H Method and apparatus for growing films on a substrate
US4740606A (en) * 1986-07-01 1988-04-26 Morton Thiokol, Inc. Gallium hydride/trialkylamine adducts, and their use in deposition of III-V compound films
DE3631469A1 (de) * 1986-09-16 1988-03-17 Merck Patent Gmbh Metallorganische verbindungen
US4814203A (en) * 1986-09-29 1989-03-21 Ethyl Corporation Vapor deposition of arsenic
US4833103A (en) * 1987-06-16 1989-05-23 Eastman Kodak Company Process for depositing a III-V compound layer on a substrate
US4798701A (en) * 1987-07-13 1989-01-17 International Business Machines Corporation Method of synthesizing amorphous group IIIA-group VA compounds
US4792467A (en) * 1987-08-17 1988-12-20 Morton Thiokol, Inc. Method for vapor phase deposition of gallium nitride film
US4975299A (en) * 1989-11-02 1990-12-04 Eastman Kodak Company Vapor deposition process for depositing an organo-metallic compound layer on a substrate
US5505928A (en) * 1991-11-22 1996-04-09 The Regents Of University Of California Preparation of III-V semiconductor nanocrystals
US6607829B1 (en) 1997-11-13 2003-08-19 Massachusetts Institute Of Technology Tellurium-containing nanocrystalline materials
US6207392B1 (en) 1997-11-25 2001-03-27 The Regents Of The University Of California Semiconductor nanocrystal probes for biological applications and process for making and using such probes

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3922475A (en) * 1970-06-22 1975-11-25 Rockwell International Corp Process for producing nitride films
SU570239A1 (ru) * 1976-02-12 1979-02-10 Институт химии АН СССР "Способ получени кристаллических соединений а1у ву14
US4147571A (en) * 1977-07-11 1979-04-03 Hewlett-Packard Company Method for vapor epitaxial deposition of III/V materials utilizing organometallic compounds and a halogen or halide in a hot wall system

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0152669A2 (de) * 1984-02-17 1985-08-28 Stauffer Chemical Company Kontinuierliche Pnictid-Quelle und Zuführungsvorrichtung zur Ablagerung eines Films, insbesondere durch chemische Gasphasenabscheidung
EP0152668A2 (de) * 1984-02-17 1985-08-28 Stauffer Chemical Company Verfahren zur Hochvakuumbeschichtung mittels einer Vorrichtung zur kontinuierlichen Zuführung von Pnictid
EP0152669A3 (de) * 1984-02-17 1986-06-11 Stauffer Chemical Company Kontinuierliche Pnictid-Quelle und Zuführungsvorrichtung zur Ablagerung eines Films, insbesondere durch chemische Gasphasenabscheidung
EP0152668A3 (de) * 1984-02-17 1986-06-25 Stauffer Chemical Company Verfahren zur Hochvakuumbeschichtung mittels einer Vorrichtung zur kontinuierlichen Zuführung von Pnictid

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GB2007632A (en) 1979-05-23
FR2403646B1 (de) 1980-08-01

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