JPS61275191A - ＧａＡｓ薄膜の気相成長法 - Google Patents
ＧａＡｓ薄膜の気相成長法Info
- Publication number
- JPS61275191A JPS61275191A JP60115739A JP11573985A JPS61275191A JP S61275191 A JPS61275191 A JP S61275191A JP 60115739 A JP60115739 A JP 60115739A JP 11573985 A JP11573985 A JP 11573985A JP S61275191 A JPS61275191 A JP S61275191A
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- JP
- Japan
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- gaas
- gas
- phase growth
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
- C30B29/42—Gallium arsenide
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
- Y10S438/914—Doping
- Y10S438/925—Fluid growth doping control, e.g. delta doping
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
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- Metallurgy (AREA)
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- Inorganic Chemistry (AREA)
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- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はＧａＡｓ薄膜の気相成長法に関し、特に成長さ
せｆｆ１ｎ型結晶膜のキャリア密度分布のバラツキの小
さいウェハの製造を可能にす、るものである。
せｆｆ１ｎ型結晶膜のキャリア密度分布のバラツキの小
さいウェハの製造を可能にす、るものである。
従来の技術
一般にＧａＡｓ薄膜の気相成長には、第４図に示すよう
に上端に原料ガス導入口（２）と下端にガス排出口（３
）を設けた反応管（１）の外周に、冷却ジャケット（４
）を介して高周波誘導加熱コイル（ωを設け、反応管（
１）内に六角錐台状のカーボン製サセプタ（６）を配置
した気相成長装置を用い、サセプタ（６）の角錐面にＱ
ａＡａ基板（７）を取付け、サセプタを矢印方向に回転
させて反応管（１）内に導入口（２）より原料ガスを導
入し、下端排出口（３）より排出させる。
に上端に原料ガス導入口（２）と下端にガス排出口（３
）を設けた反応管（１）の外周に、冷却ジャケット（４
）を介して高周波誘導加熱コイル（ωを設け、反応管（
１）内に六角錐台状のカーボン製サセプタ（６）を配置
した気相成長装置を用い、サセプタ（６）の角錐面にＱ
ａＡａ基板（７）を取付け、サセプタを矢印方向に回転
させて反応管（１）内に導入口（２）より原料ガスを導
入し、下端排出口（３）より排出させる。
このようにして加熱コイル（５）により基板（７）を所
定温度に加熱し、基板（７１の表面近傍で原料ガスを熱
分解させることより、基板（７）上にＧａＡ３の結晶を
堆積させている。
定温度に加熱し、基板（７１の表面近傍で原料ガスを熱
分解させることより、基板（７）上にＧａＡ３の結晶を
堆積させている。
原料ガスとしては有機ガリウム、例えばトリメチルガＩ
Ｉウム［ｃａｔｃａ−）Ｊとアルシンガス（Ａ ８ ｕ
ｓ ）を用いる。一般に高抵抗ＱａＡｓ層を堆積させる
成長条件は、Ｇａ （ＣＨｓ ）ｓとＡ！ＩＨｓの原料
供給比（Ｖ／Ｉ ）を１０〜２０とし、基板温度６５０
℃程度である。またｎ型膜（キャリア密度Ｉ Ｘ １０
”ｃｍ’以上）の作製には、両原料ガスに電子の供給
源となる不純物を成分元素にもつガスを加えることにな
る。不純物としては硫黄が多く用いられ、これを含むガ
スには硫化水素ガス（Ｈ，Ｓ ）を用い、このガスの流
量を変化させることにより、ｎ型結晶の電子濃度即ちキ
ャリア密度を制御している。
Ｉウム［ｃａｔｃａ−）Ｊとアルシンガス（Ａ ８ ｕ
ｓ ）を用いる。一般に高抵抗ＱａＡｓ層を堆積させる
成長条件は、Ｇａ （ＣＨｓ ）ｓとＡ！ＩＨｓの原料
供給比（Ｖ／Ｉ ）を１０〜２０とし、基板温度６５０
℃程度である。またｎ型膜（キャリア密度Ｉ Ｘ １０
”ｃｍ’以上）の作製には、両原料ガスに電子の供給
源となる不純物を成分元素にもつガスを加えることにな
る。不純物としては硫黄が多く用いられ、これを含むガ
スには硫化水素ガス（Ｈ，Ｓ ）を用い、このガスの流
量を変化させることにより、ｎ型結晶の電子濃度即ちキ
ャリア密度を制御している。
例えばＦＥＴ用エピタキシャルウェハの成長ではＧａＡ
ｓ基板上に高抵抗結晶膜（以下バッファ層と略記）を２
〜３μｍの厚さに成長させ、その上にｎｆｉ結晶膜（以
下ドーピング層と略記〕を０．５μ惰程度の厚さに成長
させている。バッファ層としては意図的に不純物を那え
ないノンドープ結晶とし、ＡＢＨｔとＧａ（ＣＨｓ）島
の供給比（ｖ／ＩＩＩ ）が１０〜２００間で最もギヤ
１１ア密度が低く抵抗率が低くなるところから供給比（
Ｖ／ｍ）’：ｔ１ｏ〜２０としてバッファ層を成長させ
、続いてこれに’ｆ（、Ｓ１！−加えてドーピングｆｆ
ｉ’にバッファ層と同じ成長温度で成長させている。
ｓ基板上に高抵抗結晶膜（以下バッファ層と略記）を２
〜３μｍの厚さに成長させ、その上にｎｆｉ結晶膜（以
下ドーピング層と略記〕を０．５μ惰程度の厚さに成長
させている。バッファ層としては意図的に不純物を那え
ないノンドープ結晶とし、ＡＢＨｔとＧａ（ＣＨｓ）島
の供給比（ｖ／ＩＩＩ ）が１０〜２００間で最もギヤ
１１ア密度が低く抵抗率が低くなるところから供給比（
Ｖ／ｍ）’：ｔ１ｏ〜２０としてバッファ層を成長させ
、続いてこれに’ｆ（、Ｓ１！−加えてドーピングｆｆ
ｉ’にバッファ層と同じ成長温度で成長させている。
発明が解決しようとする問題点
成長させるドーピング層のキク１１ア＠度ハ、上記の如
く原料ガスに加えるＨ、Ｓの流量により制御することが
できるが、他の成長条件にも依存する。即ちドーピング
層のギヤ１１ア密度はＡ Ｓ ＨｚとＧ ａ（ＣＨｓ
）ｓの原料供給比（Ｖ／ＩＩ ）によっても変化し、更
にＧａ（ＣＨ＝）−の流量や基板の温度によっても変化
する。その結果大面積ウェハの結晶成長において、サセ
プタの温度分布、あるいｆｌ Ａ ｓ ｕｓのサセプタ
上の位置による分解率の相異等によりウェハ面内でギヤ
１１ア密度分布にバラツキが生ずる問題があった。
く原料ガスに加えるＨ、Ｓの流量により制御することが
できるが、他の成長条件にも依存する。即ちドーピング
層のギヤ１１ア密度はＡ Ｓ ＨｚとＧ ａ（ＣＨｓ
）ｓの原料供給比（Ｖ／ＩＩ ）によっても変化し、更
にＧａ（ＣＨ＝）−の流量や基板の温度によっても変化
する。その結果大面積ウェハの結晶成長において、サセ
プタの温度分布、あるいｆｌ Ａ ｓ ｕｓのサセプタ
上の位置による分解率の相異等によりウェハ面内でギヤ
１１ア密度分布にバラツキが生ずる問題があった。
問題点を愁決するための手段
本発明（１これに鑑み種々検討の結果、気相成長による
大面積ウェハにおいて、ウェハ面内のギヤ１１ア密度分
布のバラツキが小さいウェハの気相成長法を開発したも
ので、アルシンガスと有機ガ１１ウムガスの混合気流中
でＧａＡＳ基板を加熱することにより両ガスを熱分解反
応させ、で更に両ガスにＨ，Ｓを添加してドーピング層
を成長させる方法において、基板を７００〜８００℃に
昇温保持してドーピングＭ’ｆ：成長させることを特徴
とするものである。
大面積ウェハにおいて、ウェハ面内のギヤ１１ア密度分
布のバラツキが小さいウェハの気相成長法を開発したも
ので、アルシンガスと有機ガ１１ウムガスの混合気流中
でＧａＡＳ基板を加熱することにより両ガスを熱分解反
応させ、で更に両ガスにＨ，Ｓを添加してドーピング層
を成長させる方法において、基板を７００〜８００℃に
昇温保持してドーピングＭ’ｆ：成長させることを特徴
とするものである。
即ち本発明は、気相成長装置例えば第４図に示す装置を
用いて、アルシンガスと有機ガリウムガス、更に硫化水
素ガスを加えることにより熱分解反応によりドーピング
層を成長させる際に基板ｔ−７００〜８００℃に保持し
て成長させるものである。
用いて、アルシンガスと有機ガリウムガス、更に硫化水
素ガスを加えることにより熱分解反応によりドーピング
層を成長させる際に基板ｔ−７００〜８００℃に保持し
て成長させるものである。
作用
本発明においてＧａＡｓ基板上にドーピング層を成長さ
せるのに、基板を７００〜８００℃に昇温保持すること
によりドーピング層のギヤ１１ア密度分布のバラツキが
５％以内に減少する。
せるのに、基板を７００〜８００℃に昇温保持すること
によりドーピング層のギヤ１１ア密度分布のバラツキが
５％以内に減少する。
ＧａＡｓ基板の温度を高温に保持することにより、ドー
ピング層のギヤ１１ア密度分布が低減する理由は明らか
ではないが、高温になるほどキャ１１ア＠Ｋが低下し、
キナ＋１ア密［分布のバラツキも小さくなる。しかして
基板温７２７ｏｏ〜８００℃と限定したのは、基板温＃
が７００℃未満ではギヤ１１ア密度分布のバラツキを５
％以内に抑えることができず、 ８００℃を越えると得
られるウェハの結晶性その他の不都合が生ずる友めであ
る。
ピング層のギヤ１１ア密度分布が低減する理由は明らか
ではないが、高温になるほどキャ１１ア＠Ｋが低下し、
キナ＋１ア密［分布のバラツキも小さくなる。しかして
基板温７２７ｏｏ〜８００℃と限定したのは、基板温＃
が７００℃未満ではギヤ１１ア密度分布のバラツキを５
％以内に抑えることができず、 ８００℃を越えると得
られるウェハの結晶性その他の不都合が生ずる友めであ
る。
実施例
第４図に示す装置を用い、原料ガスにＡＢＨｔとＧａ（
ＣＨ＝）−ｅ使用し、直径２インチのＧａＡｓ基板上に
バッファ層を約２μ惰の厚さに成長させた後、基板温度
を６００，６５０，７１０．７５０℃の各温度に昇温し
、上記両ガスにＨ，Ｓを加えて厚さ約０．５μ惰のドー
ピング層を成長させて、ＦＥＴ用エピタキシャルウェハ
を製造した。
ＣＨ＝）−ｅ使用し、直径２インチのＧａＡｓ基板上に
バッファ層を約２μ惰の厚さに成長させた後、基板温度
を６００，６５０，７１０．７５０℃の各温度に昇温し
、上記両ガスにＨ，Ｓを加えて厚さ約０．５μ惰のドー
ピング層を成長させて、ＦＥＴ用エピタキシャルウェハ
を製造した。
尚Ｈ，Ｓの全キャ１１了ガスに対するモル分率を１．８
３ Ｘ １０−’、Ｇａ（ＣＨｓ）ｓのモル分率’ｋ１
．２３Ｘ １０−’、Ａ ３ Ｌ （Ｄ モル分率？１
．２３Ｘ１０−” 、！：し友。
３ Ｘ １０−’、Ｇａ（ＣＨｓ）ｓのモル分率’ｋ１
．２３Ｘ １０−’、Ａ ３ Ｌ （Ｄ モル分率？１
．２３Ｘ１０−” 、！：し友。
このように成長させた直径２インチのウェハについて、
ドーピング層における直径４０■内でのキャリア密度と
直径２インチ内の各位置における直径４０ｍのギヤ１１
ア密度分布のバラツキを測定し、その結果を第１図及び
第２図に示す。
ドーピング層における直径４０■内でのキャリア密度と
直径２インチ内の各位置における直径４０ｍのギヤ１１
ア密度分布のバラツキを測定し、その結果を第１図及び
第２図に示す。
第１図は基板温度とキャリア密度の関係を示し、第２図
は基板温度とギヤ１１ア密度分布のバラツキの関係を示
し、たもので、図から明らかなように基板温度の上昇と
共に゛ギヤ１１ア密度が低下すると共にキャ１】ア密度
分布のバラツキも小さくなり、基板温度が７００〜８０
０℃においてキャリア密度８．ＯＸ １０ ”ｃｍ＝
％キャリア密度分布のバラツキが５％以下に抑えられる
ことが判る。
は基板温度とギヤ１１ア密度分布のバラツキの関係を示
し、たもので、図から明らかなように基板温度の上昇と
共に゛ギヤ１１ア密度が低下すると共にキャ１】ア密度
分布のバラツキも小さくなり、基板温度が７００〜８０
０℃においてキャリア密度８．ＯＸ １０ ”ｃｍ＝
％キャリア密度分布のバラツキが５％以下に抑えられる
ことが判る。
尚上記ＦＥＴ用エビタキシャルウエノ飄の製造において
、基板温度を６５０℃として基板上にバッファ層を成長
させ、・続いて基板温［’ｔ７１０℃に昇温しでバッフ
ァ層上にドーピング層を成長させるタイムチャートの一
例を第３図に示す。
、基板温度を６５０℃として基板上にバッファ層を成長
させ、・続いて基板温［’ｔ７１０℃に昇温しでバッフ
ァ層上にドーピング層を成長させるタイムチャートの一
例を第３図に示す。
即ちＡＩＩＨｓをモル分率１．２３ Ｘ １０−”の割
合で常時供給し、基板を加熱して基板が６５０℃に達し
たときにＧａ（ＣＨｓ）ｓｅモル分率１．２３ Ｘ １
０−４の割合で６０分間供給し、基板上にバッファ層゛
を成長させ今。続いてＧ４（ＣＨｓ）ｓの供給を中止し
て基板を６５０℃から７１０℃に昇温した後、再びＧａ
（ＣＨｓ ）ｓをモル分率１，２３ Ｘ １０−’の
割合で供給すると同時に、ＨｚＳ′ｉｋモル分率２．０
０Ｘ １０−’の割合で１０分間供給することにより、
バッファ層上にドーピング層を成長させればよい。
合で常時供給し、基板を加熱して基板が６５０℃に達し
たときにＧａ（ＣＨｓ）ｓｅモル分率１．２３ Ｘ １
０−４の割合で６０分間供給し、基板上にバッファ層゛
を成長させ今。続いてＧ４（ＣＨｓ）ｓの供給を中止し
て基板を６５０℃から７１０℃に昇温した後、再びＧａ
（ＣＨｓ ）ｓをモル分率１，２３ Ｘ １０−’の
割合で供給すると同時に、ＨｚＳ′ｉｋモル分率２．０
０Ｘ １０−’の割合で１０分間供給することにより、
バッファ層上にドーピング層を成長させればよい。
発明の効果
本発明はにａＡＳ基板上にドーピング層を成長させる気
相成長法において、成長に際し基板温度を７００〜８０
０℃に昇温保持させることにより、直径２インチのウェ
ハのドーピング層における直径４０ｗ内のキャリア密度
分布のバラツキ′ｆｒ：５チ以下に抑えることができる
もので、電子デバイス素子を能率よく作成することがで
きる顕著な効果を奏するものである。
相成長法において、成長に際し基板温度を７００〜８０
０℃に昇温保持させることにより、直径２インチのウェ
ハのドーピング層における直径４０ｗ内のキャリア密度
分布のバラツキ′ｆｒ：５チ以下に抑えることができる
もので、電子デバイス素子を能率よく作成することがで
きる顕著な効果を奏するものである。
第１図は基板温度と成長し几ドーピング層のキャリア密
度との関係を示す説明図、第２図は基板温度と成長し友
ドーピング層のギヤ１１ア密度分布のバラツキとの関係
を示す説明図、第３図は本発明気相成長法のタイムチャ
ートの一例を示す説明図、ＩＥ４図は気相成長装置の一
例を示す説明図である。 １、反応管 ２．原料ガス導入口３、排出口
４．冷却ジャケット５、高周波誘導加熱コイル ６、サセプタ ７、ＧａＡｓ基板 蛙工虻士 其省 清−゛ 第１図 纂祖温良（０Ｃ） 第２図 蟇罹１度 （＠Ｃ） 手続補正書く自発） 昭和６０年８月１９８ １、事件の表示 昭和６０年 特許願 第１１５７３９号２、発明の名称 Ｇａ Ａｓ ＠膜の気相成長法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代田区丸の内２丁目６番１号名
称 （５２９） 古河電気工業株式会社４、
代理人 住 所 東京都千代田区神田北乗物町１６番地〒
１０１ 英 ピル３階 ５、補正の対象 明細書の特許請求の範囲の欄及び発明の詳細な説明の欄
６、補正の内容 （１）特許請求の範囲を別紙の通り訂正する。 （２）発明の詳細な説明において、第３頁第１４行に「
低く」とあるを「高く」と訂正する。 （３）同第６頁第６行にｒ７５０Ｊとあるをｒ７５０．
８００Ｊと訂正する。 特 許 請 求 の 範 囲アルシンガス
と有機ガリウムガスを熱分解反応させて、ＧａＡｓ基板
上へＧａＡｓ結晶を成長させる有機金属気相成長法（Ｍ
ＯＣＶＤ法）において、同原料ガスに硫化水素等■族元
素を構成元素にもつガスを添加してｎ型Ｇａ Ａｓ結晶
を成長する際に基板を７００〜８００℃に昇温保持する
ことを特徴とするＧａ ＡＳ ｌ膜の気相成長法。 手続補正−輸発） 昭和６１年７月３１日 昭和６０年 特許願 第１１５７３９号特許請求の範囲 アルシンガスと有機ガリウムガスを熱分解反応させて、
ＧａＡｓ基板上へＧａＡＳ結晶を成長させる有機金属気
相成長法（ＭＯＣＶＤ法）において両原料ガスに硫化水
素等Ｖｌ族元素を構成元素にもつガスを添加してｎ型Ｇ
ａＡＳ結晶を成長する際に基板を７００〜８００℃に昇
温保持することを特徴とするＧａＡＳ薄膜の気相成長方
法。
度との関係を示す説明図、第２図は基板温度と成長し友
ドーピング層のギヤ１１ア密度分布のバラツキとの関係
を示す説明図、第３図は本発明気相成長法のタイムチャ
ートの一例を示す説明図、ＩＥ４図は気相成長装置の一
例を示す説明図である。 １、反応管 ２．原料ガス導入口３、排出口
４．冷却ジャケット５、高周波誘導加熱コイル ６、サセプタ ７、ＧａＡｓ基板 蛙工虻士 其省 清−゛ 第１図 纂祖温良（０Ｃ） 第２図 蟇罹１度 （＠Ｃ） 手続補正書く自発） 昭和６０年８月１９８ １、事件の表示 昭和６０年 特許願 第１１５７３９号２、発明の名称 Ｇａ Ａｓ ＠膜の気相成長法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代田区丸の内２丁目６番１号名
称 （５２９） 古河電気工業株式会社４、
代理人 住 所 東京都千代田区神田北乗物町１６番地〒
１０１ 英 ピル３階 ５、補正の対象 明細書の特許請求の範囲の欄及び発明の詳細な説明の欄
６、補正の内容 （１）特許請求の範囲を別紙の通り訂正する。 （２）発明の詳細な説明において、第３頁第１４行に「
低く」とあるを「高く」と訂正する。 （３）同第６頁第６行にｒ７５０Ｊとあるをｒ７５０．
８００Ｊと訂正する。 特 許 請 求 の 範 囲アルシンガス
と有機ガリウムガスを熱分解反応させて、ＧａＡｓ基板
上へＧａＡｓ結晶を成長させる有機金属気相成長法（Ｍ
ＯＣＶＤ法）において、同原料ガスに硫化水素等■族元
素を構成元素にもつガスを添加してｎ型Ｇａ Ａｓ結晶
を成長する際に基板を７００〜８００℃に昇温保持する
ことを特徴とするＧａ ＡＳ ｌ膜の気相成長法。 手続補正−輸発） 昭和６１年７月３１日 昭和６０年 特許願 第１１５７３９号特許請求の範囲 アルシンガスと有機ガリウムガスを熱分解反応させて、
ＧａＡｓ基板上へＧａＡＳ結晶を成長させる有機金属気
相成長法（ＭＯＣＶＤ法）において両原料ガスに硫化水
素等Ｖｌ族元素を構成元素にもつガスを添加してｎ型Ｇ
ａＡＳ結晶を成長する際に基板を７００〜８００℃に昇
温保持することを特徴とするＧａＡＳ薄膜の気相成長方
法。
Claims (1)
- アルシンガスと有機ガリウムガスを熱分解反応させて、
ＧａＡｓ基板上へＧａＡｓ結晶を成長させる有機金属気
相成長法（ＭＯＣＶＤ法）において両原料ガスに硫化水
素等IV族元素を構成原素にもつガスを添加してｎ型Ｇａ
Ａｓ結晶を成長する際に基板を７００〜８００℃に昇温
保持することを特徴とするＧａＡｓ薄膜の気相成長方法
。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60115739A JPS61275191A (ja) | 1985-05-29 | 1985-05-29 | ＧａＡｓ薄膜の気相成長法 |
| EP86107190A EP0205034B1 (en) | 1985-05-29 | 1986-05-27 | Chemical vapor deposition method for the gaas thin film |
| DE8686107190T DE3672904D1 (de) | 1985-05-29 | 1986-05-27 | Chemisches dampfphasenabscheidungsverfahren fuer galliumarsenidschichten. |
| CA000510172A CA1305910C (en) | 1985-05-29 | 1986-05-28 | Chemical vapor deposition method for the gaas thin film |
| US07/462,348 US5037674A (en) | 1985-05-29 | 1990-01-03 | Method of chemically vapor depositing a thin film of GaAs |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60115739A JPS61275191A (ja) | 1985-05-29 | 1985-05-29 | ＧａＡｓ薄膜の気相成長法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61275191A true JPS61275191A (ja) | 1986-12-05 |
Family
ID=14669871
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60115739A Pending JPS61275191A (ja) | 1985-05-29 | 1985-05-29 | ＧａＡｓ薄膜の気相成長法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5037674A (ja) |
| EP (1) | EP0205034B1 (ja) |
| JP (1) | JPS61275191A (ja) |
| CA (1) | CA1305910C (ja) |
| DE (1) | DE3672904D1 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5160545A (en) * | 1989-02-03 | 1992-11-03 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for epitaxial deposition |
| JP3124209B2 (ja) * | 1994-06-30 | 2001-01-15 | シャープ株式会社 | 化合物半導体結晶層の製造方法 |
| US20040187525A1 (en) * | 2003-03-31 | 2004-09-30 | Coffey Calvin T. | Method and apparatus for making soot |
| CN101372760B (zh) * | 2008-09-10 | 2011-08-24 | 太原理工大学 | 一种发红光的掺氧砷化镓多晶薄膜的制备方法 |
| US20100197702A1 (en) * | 2009-02-04 | 2010-08-05 | Hellberg Mark R | Ophthalmic composition with nitric oxide donor compound and method of forming and using same |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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