JPH0754802B2 - ＧａＡｓ薄膜の気相成長法 - Google Patents
ＧａＡｓ薄膜の気相成長法Info
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- Y10S438/914—Doping
- Y10S438/925—Fluid growth doping control, e.g. delta doping
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はGaAs薄膜の気相成長法に関し、特に成長させた
ｎ型結晶薄膜のキャリア密度分布のバラツキの小さいウ
エハの製造を可能にしたものである。
ｎ型結晶薄膜のキャリア密度分布のバラツキの小さいウ
エハの製造を可能にしたものである。
一般にGaAs薄膜の気相成長としては、第６図に示すよう
に上端に原料ガス導入口（２）と下端にガス排出口
（３）を設けた反応管（１）の外周に、冷却ジャケット
（４）を介して高周波誘導加熱コイル（５）を設け、反
応管（１）内に六角錐台状のカーボン製サセプタ（６）
を配置した気相成長装置を用い、サセプタ（６）の角錐
面にGaAs基板（７）を取付け、サセプタ（６）を矢印方
向に回転させて反応管（１内に導入口（２）より原料ガ
スを導入して下端排出口（３）より排出させる。このよ
うにして常圧又は減圧状態で加熱コイル（５）により基
板（７）を所定温度に加熱し、基板（７）の表面近傍で
原料ガスを熱分解させることにより、基板（７）上にGa
Asの結晶を堆積させている。
に上端に原料ガス導入口（２）と下端にガス排出口
（３）を設けた反応管（１）の外周に、冷却ジャケット
（４）を介して高周波誘導加熱コイル（５）を設け、反
応管（１）内に六角錐台状のカーボン製サセプタ（６）
を配置した気相成長装置を用い、サセプタ（６）の角錐
面にGaAs基板（７）を取付け、サセプタ（６）を矢印方
向に回転させて反応管（１内に導入口（２）より原料ガ
スを導入して下端排出口（３）より排出させる。このよ
うにして常圧又は減圧状態で加熱コイル（５）により基
板（７）を所定温度に加熱し、基板（７）の表面近傍で
原料ガスを熱分解させることにより、基板（７）上にGa
Asの結晶を堆積させている。
原料ガスとしては、有機ガリウムガス、例えばトリメチ
ルガリウム〔Ga（CH3）３〕とアルシンガス（AsH3）を
用いる。意図的に不純物添加を行なわない場合の成長結
晶の導電型およびキャリア密度は、一般の有機金属気相
成長法（Metal Organic Chemical Vapour Depositi
on,以下MOCVD法と略記）では第７図に示すように、Ga
（CH3）３（III）とAsH3（Ｖ）の供給比（V/III）に依
存し、結晶成長中の反応炉の圧力が常圧の場合は実線で
示すようにV/IIIが10〜20より小さい場合は、ｐ型結
晶、10〜20より大きい場合はｎ型結晶、10〜20でキャリ
ア密度の最も低い高抵抗結晶となり、減圧、例えば100T
orrの場合は点線で示すようにｐ型ｎ型の変化するV/III
は20〜50と常圧に比べて大となる。また両原料ガスに電
子の生成源となる不純物を成分元素にもつガスを加える
ことにより、成長するGaAs結晶に不純物を加えてｎ型結
晶膜としてる。不純物としては硫黄が多く用いられ、こ
れを含むガスには硫化水素ガス（H2S）を用い、このガ
スの流量を変化させることにより、ｎ型結晶の電子濃度
即ちキャリア密度を制御している。
ルガリウム〔Ga（CH3）３〕とアルシンガス（AsH3）を
用いる。意図的に不純物添加を行なわない場合の成長結
晶の導電型およびキャリア密度は、一般の有機金属気相
成長法（Metal Organic Chemical Vapour Depositi
on,以下MOCVD法と略記）では第７図に示すように、Ga
（CH3）３（III）とAsH3（Ｖ）の供給比（V/III）に依
存し、結晶成長中の反応炉の圧力が常圧の場合は実線で
示すようにV/IIIが10〜20より小さい場合は、ｐ型結
晶、10〜20より大きい場合はｎ型結晶、10〜20でキャリ
ア密度の最も低い高抵抗結晶となり、減圧、例えば100T
orrの場合は点線で示すようにｐ型ｎ型の変化するV/III
は20〜50と常圧に比べて大となる。また両原料ガスに電
子の生成源となる不純物を成分元素にもつガスを加える
ことにより、成長するGaAs結晶に不純物を加えてｎ型結
晶膜としてる。不純物としては硫黄が多く用いられ、こ
れを含むガスには硫化水素ガス（H2S）を用い、このガ
スの流量を変化させることにより、ｎ型結晶の電子濃度
即ちキャリア密度を制御している。
このようにして従来FET用エピタキシャルウエハを成長
させるには、GaAs基板上に厚さ２〜３μｍの高抵抗結晶
膜（以下バッファ層と略記）を成長させ、その上に厚さ
0.5μｍ程度のｎ型結晶膜（以下ドーピング層と略記）
を成長させている。バッファ層には意図的に不純物を添
加しないノンドープ結晶を用い、一般のMOCVD法の結晶
では最も高抵抗となるように原料供給比（V/III）を常
圧成長の場合10〜20、減圧例えば100Torrの成長の場合2
0〜50としてバッファ層を成長し、連続して原料ガスに
硫化水素ガスを加えて供給し、基板を600〜700℃に加熱
して反応させドーピング層を成長させている。
させるには、GaAs基板上に厚さ２〜３μｍの高抵抗結晶
膜（以下バッファ層と略記）を成長させ、その上に厚さ
0.5μｍ程度のｎ型結晶膜（以下ドーピング層と略記）
を成長させている。バッファ層には意図的に不純物を添
加しないノンドープ結晶を用い、一般のMOCVD法の結晶
では最も高抵抗となるように原料供給比（V/III）を常
圧成長の場合10〜20、減圧例えば100Torrの成長の場合2
0〜50としてバッファ層を成長し、連続して原料ガスに
硫化水素ガスを加えて供給し、基板を600〜700℃に加熱
して反応させドーピング層を成長させている。
成長するドーピング層のキャリア密度はH2Sの流量によ
り制御可能であるが、他の成長条件にも依存する。即ち
AsH3とGa（CH3）３の供給比（V/III）によってもキャリ
ア密度は変化し、更にGa（CH3）３の流量やサセプタの
温度によってもキャリア密度は変化する。その結果大面
積ウエハの結晶成長において、サセプタの温度分布、あ
るいはAsH3のサセプタ上の位置による分解率の相異等に
より、ウエハ面内でキャリア密度分布にバラツキが生ず
る問題があった。例えば前述の従来法によるとバラツキ
は６〜７％であった。
り制御可能であるが、他の成長条件にも依存する。即ち
AsH3とGa（CH3）３の供給比（V/III）によってもキャリ
ア密度は変化し、更にGa（CH3）３の流量やサセプタの
温度によってもキャリア密度は変化する。その結果大面
積ウエハの結晶成長において、サセプタの温度分布、あ
るいはAsH3のサセプタ上の位置による分解率の相異等に
より、ウエハ面内でキャリア密度分布にバラツキが生ず
る問題があった。例えば前述の従来法によるとバラツキ
は６〜７％であった。
本発明はこれに鑑み種々検討の結果、気相成長により大
面積のウエハにおいても、ウエハ面内のキャリア密度分
布のバラツキが小さい（３〜５％）のウエハの気相成長
法を開発したもので、アルシンガスと有機ガリウムガス
を常圧又は減圧状態で熱分解反応させ、更に両ガスに硫
黄を含むガスを不純物として加えてドーピング層を成長
させる方法においてアルシンガス（Ｖ）と有機ガリウム
ガス（III）の供給をｐ型結晶の成長する供給比（V/II
I）とし、これに硫黄を含むガスを不純物として加えて
供給し、基板を昇温保持して、キャリア密度が１×1016
cm-3以上のドーピング層とすることを特徴とするもので
ある。
面積のウエハにおいても、ウエハ面内のキャリア密度分
布のバラツキが小さい（３〜５％）のウエハの気相成長
法を開発したもので、アルシンガスと有機ガリウムガス
を常圧又は減圧状態で熱分解反応させ、更に両ガスに硫
黄を含むガスを不純物として加えてドーピング層を成長
させる方法においてアルシンガス（Ｖ）と有機ガリウム
ガス（III）の供給をｐ型結晶の成長する供給比（V/II
I）とし、これに硫黄を含むガスを不純物として加えて
供給し、基板を昇温保持して、キャリア密度が１×1016
cm-3以上のドーピング層とすることを特徴とするもので
ある。
即ち本発明は気相成長装置、例えば第６図に示す装置に
より有機ガリウムガスとアルシンガスを気相反応させ、
更に不純物を成分元素にもつガスを加えてGaAs基板上に
ドーピング層を成長させるのに、アルシンガス（Ｖ）と
有機ガリウムガス（III）の供給を意図的に不純物を添
加しないときにｐ型結晶が成長する供給比（V/III）と
し、これに硫黄を含むガスを不純物として加えて供給
し、基板を昇温保持して成長を行なうものである。
より有機ガリウムガスとアルシンガスを気相反応させ、
更に不純物を成分元素にもつガスを加えてGaAs基板上に
ドーピング層を成長させるのに、アルシンガス（Ｖ）と
有機ガリウムガス（III）の供給を意図的に不純物を添
加しないときにｐ型結晶が成長する供給比（V/III）と
し、これに硫黄を含むガスを不純物として加えて供給
し、基板を昇温保持して成長を行なうものである。
ドーピング層の成長に、硫黄を含むガスを不純物として
加えないときに、アルシンガスと有機ガリウムガスの供
給をｐ型結晶の成長する供給比（V/III）とし、これに
硫黄を含むガスを不純物として加えて供給し、基板の温
度を650〜800℃に昇温することにより、ドーピング層の
キャリア密度分布のバラツキを３〜５％と低減すること
ができる。その理由は明らかではないが、ｐ型結晶の成
長する供給比（V/III）では、原料ガス中のアルシンガ
ス量が少なくなるため、硫黄を含むガスから硫黄がとり
込まれやすくなるためと考えられる。しかして所定のV/
IIIとともに基板の温度を650℃以上望ましくは700℃以
上に昇温することにより温度上昇と共にバラツキは減少
するも、その温度が800℃を越えると基板が劣化する恐
れが生ずる。
加えないときに、アルシンガスと有機ガリウムガスの供
給をｐ型結晶の成長する供給比（V/III）とし、これに
硫黄を含むガスを不純物として加えて供給し、基板の温
度を650〜800℃に昇温することにより、ドーピング層の
キャリア密度分布のバラツキを３〜５％と低減すること
ができる。その理由は明らかではないが、ｐ型結晶の成
長する供給比（V/III）では、原料ガス中のアルシンガ
ス量が少なくなるため、硫黄を含むガスから硫黄がとり
込まれやすくなるためと考えられる。しかして所定のV/
IIIとともに基板の温度を650℃以上望ましくは700℃以
上に昇温することにより温度上昇と共にバラツキは減少
するも、その温度が800℃を越えると基板が劣化する恐
れが生ずる。
実施例１ 第６図に示す装置を用い、原料ガスにAsH3とGa（CH3）
３を使用し、常圧状態で直径２インチのGaAs基板上にバ
ッファ層を約３μｍの厚さに成長させた後、原料ガスの
供給比（V/III）を6.25（本発明の条件）,10,20（従来
の条件）とし、これに硫黄を含むガスとしてH2Sを加え
て厚さ約0.5μｍのドーピング層を成長させ、FET用エピ
タキシャルウエハを製造した。
３を使用し、常圧状態で直径２インチのGaAs基板上にバ
ッファ層を約３μｍの厚さに成長させた後、原料ガスの
供給比（V/III）を6.25（本発明の条件）,10,20（従来
の条件）とし、これに硫黄を含むガスとしてH2Sを加え
て厚さ約0.5μｍのドーピング層を成長させ、FET用エピ
タキシャルウエハを製造した。
Ga（CH3）３のモル分率は1.23×10-4、H2Sのモル分率は
1.83×10-6、基板の温度は650℃、710℃及び750℃とし
た。
1.83×10-6、基板の温度は650℃、710℃及び750℃とし
た。
このようにして製造した直径２インチのウエハについて
ドーピング層における直径4mm内のキャリア密度とキャ
リア密度のバラツキを測定し、その結果を第１図及び第
２図に示す。
ドーピング層における直径4mm内のキャリア密度とキャ
リア密度のバラツキを測定し、その結果を第１図及び第
２図に示す。
第１図はキャリア密度と原料供給比（V/III）の関係を
示したもので、図から明らかなように何れの基板温度に
おいても原料供給比（V/III）が6.25と小さくなると、
硫黄がとり込まれやすくなってドーピング層のキャリア
密度が大きくなることが判る。また第２図はキャリア密
度のバラツキと原料供給比（V/III）の関係を示したも
ので、図から明らかにドーピング層のキャリア密度のバ
ラツキは基板温度650℃の場合、原料供給比（V/III）が
6.25で約4.8％、10で6.0％、20で7.3％、基板温度710℃
の場合原料供給比（V/III）が6.25で約3.7％、10で5.6
％、20で6.7％となっており、原料供給比（V/III）を小
さくすることにより、ドーピング層のキャリア密度のバ
ラツキが小さくなることが判る。更に第２図の結果から
明らかなごとく、基板温度が710,750℃と高温にした場
合、バラツキが小さいものが得られる。
示したもので、図から明らかなように何れの基板温度に
おいても原料供給比（V/III）が6.25と小さくなると、
硫黄がとり込まれやすくなってドーピング層のキャリア
密度が大きくなることが判る。また第２図はキャリア密
度のバラツキと原料供給比（V/III）の関係を示したも
ので、図から明らかにドーピング層のキャリア密度のバ
ラツキは基板温度650℃の場合、原料供給比（V/III）が
6.25で約4.8％、10で6.0％、20で7.3％、基板温度710℃
の場合原料供給比（V/III）が6.25で約3.7％、10で5.6
％、20で6.7％となっており、原料供給比（V/III）を小
さくすることにより、ドーピング層のキャリア密度のバ
ラツキが小さくなることが判る。更に第２図の結果から
明らかなごとく、基板温度が710,750℃と高温にした場
合、バラツキが小さいものが得られる。
尚上記常圧の場合のFET用エピタキシャルウエハの製造
のタイムチャートの一例を第３図に示す。即ちまず原料
供給比（V/III）を10としてバッファ層を成長させ、そ
の上に原料供給比（V/III）を6.25としてドーピング層
を成長させる。この場合AsH3をモル分率1.23×10-3の割
合で供給して基板を加熱し、基板が所定の温度（650〜8
00℃）に達したときにGa（CH3）３をモル分率1.23×10
-4の割合で供給し、原料供給比（V/III）を10として60
分間バッファ層を成長させる。次にGa（CH3）３の導入
を停止してAsH3の供給量をモル分率7.69×10-4の割合に
減少させた後、再びGa（CH3）３をモル分率1.23×10-4
の割合で供給して、原料供給比（V/III）を6.25とする
と同時にH2Sをモル分率1.23×10-6の割合で供給し、10
分間ドーピング層を成長させればよい。
のタイムチャートの一例を第３図に示す。即ちまず原料
供給比（V/III）を10としてバッファ層を成長させ、そ
の上に原料供給比（V/III）を6.25としてドーピング層
を成長させる。この場合AsH3をモル分率1.23×10-3の割
合で供給して基板を加熱し、基板が所定の温度（650〜8
00℃）に達したときにGa（CH3）３をモル分率1.23×10
-4の割合で供給し、原料供給比（V/III）を10として60
分間バッファ層を成長させる。次にGa（CH3）３の導入
を停止してAsH3の供給量をモル分率7.69×10-4の割合に
減少させた後、再びGa（CH3）３をモル分率1.23×10-4
の割合で供給して、原料供給比（V/III）を6.25とする
と同時にH2Sをモル分率1.23×10-6の割合で供給し、10
分間ドーピング層を成長させればよい。
実施例２ 第６図に示す装置を用い、原料ガスにAsH3とGa（CH3）
３を使用し、成長時の反応炉の圧力を100Torrとし、直
径２インチのGaAs基板上にバッファ層を約３μｍの厚さ
に成長させた後、原料ガスの供給比（V/III）を12.5
（本発明の条件）,20,40（従来の条件）とし、これに硫
黄を含むガスとしてH2Sを加えて厚さ約0.5μｍのドーピ
ング層を成長させ、FET用エピタキシャルウエハを製造
した。
３を使用し、成長時の反応炉の圧力を100Torrとし、直
径２インチのGaAs基板上にバッファ層を約３μｍの厚さ
に成長させた後、原料ガスの供給比（V/III）を12.5
（本発明の条件）,20,40（従来の条件）とし、これに硫
黄を含むガスとしてH2Sを加えて厚さ約0.5μｍのドーピ
ング層を成長させ、FET用エピタキシャルウエハを製造
した。
Ga（CH3）３のモル分率は1.23×10-4、H2Sのモル分率は
1.83×10-6、基板の温度は710℃とした。
1.83×10-6、基板の温度は710℃とした。
このようにして製造した直径２インチのウエハについて
ドーピング層における直径40mm内のキャリア密度とキャ
リア密度のバラツキを測定し、その結果を第４図及び第
５図に示す。
ドーピング層における直径40mm内のキャリア密度とキャ
リア密度のバラツキを測定し、その結果を第４図及び第
５図に示す。
第４図はキャリア密度と原料供給比（V/III）の関係を
示したもので、図から明らかなように原料供給比（V/II
I）が小さくなると、硫黄がとり込まれやすくなってド
ーピング層のキャリア密度が大きくなることが判る。ま
た第５図はキャリア密度のバラツキと原料供給比（V/II
I）の関係を示したもので、図から明らかにドーピング
層のキャリア密度のバラツキは原料供給比（V/III）が1
2.5で約2.7％、20で4.5％、40で5.0％となっており、原
料供給比（V/III）が小さくかつ基板の温度を高温にす
ることにより、ドーピング層のキャリア密度のバラツキ
が小さくなることが判る。
示したもので、図から明らかなように原料供給比（V/II
I）が小さくなると、硫黄がとり込まれやすくなってド
ーピング層のキャリア密度が大きくなることが判る。ま
た第５図はキャリア密度のバラツキと原料供給比（V/II
I）の関係を示したもので、図から明らかにドーピング
層のキャリア密度のバラツキは原料供給比（V/III）が1
2.5で約2.7％、20で4.5％、40で5.0％となっており、原
料供給比（V/III）が小さくかつ基板の温度を高温にす
ることにより、ドーピング層のキャリア密度のバラツキ
が小さくなることが判る。
尚上記減圧の場合のFET用エピタキシャルウエハの製造
は、原料供給比（V/III）を30としてバッファ層を成長
させ、その上に原料供給比（V/III）を12.5としてドー
ピング層を成長させる。この場合AsH3をモル分率3.69×
10-3の割合で供給して基板を加熱し、基板が所定温度
（650〜800℃）に達したときにGa（CH3）３をモル分率
1.23×10-4の割合で供給し、原料供給比（V/III）を30
として60分間バッファ層を成長させる。次にGa（CH3）
３の導入を停止してAsH3の供給量をモル分率1.54×10-3
の割合に減少させた後、再びGa（CH3）３をモル分率1.2
3×10-4の割合で供給して、原料供給比（V/III）を12.5
とすると同時にH2Sをモル分率1.23×10-6の割合で供給
し、10分間ドーピング層を成長させればよい。
は、原料供給比（V/III）を30としてバッファ層を成長
させ、その上に原料供給比（V/III）を12.5としてドー
ピング層を成長させる。この場合AsH3をモル分率3.69×
10-3の割合で供給して基板を加熱し、基板が所定温度
（650〜800℃）に達したときにGa（CH3）３をモル分率
1.23×10-4の割合で供給し、原料供給比（V/III）を30
として60分間バッファ層を成長させる。次にGa（CH3）
３の導入を停止してAsH3の供給量をモル分率1.54×10-3
の割合に減少させた後、再びGa（CH3）３をモル分率1.2
3×10-4の割合で供給して、原料供給比（V/III）を12.5
とすると同時にH2Sをモル分率1.23×10-6の割合で供給
し、10分間ドーピング層を成長させればよい。
本発明はGaAs基板上にドーピング層を成長させる気相成
長において、原料ガスの供給をｐ型結晶が成長する原料
供給比（V/III）とし、これに硫黄を含むガスを加えて
供給し、基板を加熱保持することにより、直径２インチ
のウエハのドーピング層における直径40mm内のキャリア
密度分布のバラツキを低減し、直径２インチのウエハか
らキャリア密度分布のバラツキが５％以内の電子デバイ
ス素子をより多く作製することができる顕著な効果を奏
するものである。
長において、原料ガスの供給をｐ型結晶が成長する原料
供給比（V/III）とし、これに硫黄を含むガスを加えて
供給し、基板を加熱保持することにより、直径２インチ
のウエハのドーピング層における直径40mm内のキャリア
密度分布のバラツキを低減し、直径２インチのウエハか
らキャリア密度分布のバラツキが５％以内の電子デバイ
ス素子をより多く作製することができる顕著な効果を奏
するものである。
第１図は常圧におけるドーピング層のキャリア密度に及
ぼす原料ガス供給比（V/III）の影響を示す説明図、第
２図は常圧におけるドーピング層のキャリア密度分布の
バラツキと原料ガス供給比（V/III）の関係を示す説明
図、第３図は本発明気相成長法のタイムチャートの一例
を示す説明図、第４図は減圧におけるドーピング層のキ
ャリア密度に及ぼす原料ガスの供給比（V/III）の影響
を示す説明図、第５図は減圧におけるドーピング層のキ
ャリア密度分布のバラツキと原料ガス供給比（V/III）
の関係を示す説明図、、第６図は気相成長装置の一例を
示す説明図、第７図は硫黄を含むガスを不純物として加
えない場合の原料ガス供給比（V/III）と導電型及びキ
ャリア密度との関係を示す説明図である。 １……反応管 ２……原料ガス導入口 ３……排出口 ４……冷却ジャケット ５……高周波誘導加熱コイル ６……サセプタ ７……GaAs基板
ぼす原料ガス供給比（V/III）の影響を示す説明図、第
２図は常圧におけるドーピング層のキャリア密度分布の
バラツキと原料ガス供給比（V/III）の関係を示す説明
図、第３図は本発明気相成長法のタイムチャートの一例
を示す説明図、第４図は減圧におけるドーピング層のキ
ャリア密度に及ぼす原料ガスの供給比（V/III）の影響
を示す説明図、第５図は減圧におけるドーピング層のキ
ャリア密度分布のバラツキと原料ガス供給比（V/III）
の関係を示す説明図、、第６図は気相成長装置の一例を
示す説明図、第７図は硫黄を含むガスを不純物として加
えない場合の原料ガス供給比（V/III）と導電型及びキ
ャリア密度との関係を示す説明図である。 １……反応管 ２……原料ガス導入口 ３……排出口 ４……冷却ジャケット ５……高周波誘導加熱コイル ６……サセプタ ７……GaAs基板
Claims (3)
- 【請求項１】アルシンガスと有機ガリウムガスを熱分解
させて、GaAs加熱基板上へGaAs結晶を成長させる有機金
属気相成長法において、ｎ型GaAs結晶の成長にアルシン
ガス（Ｖ）と有機ガリウムガス（III）の供給を、意図
的に不純物を添加しない場合にｐ型GaAs結晶が成長する
供給比（V/III）とし、これにVI族元素化合物のガスを
添加し、キャリア密度が１×1016cm-3以上のｎ型GaAs結
晶とすることを特徴とするGaAs薄膜の気相成長法。 - 【請求項２】加熱基板を650〜800℃に昇温保持する特許
請求の範囲第１項記載のGaAs薄膜の気相成長法。 - 【請求項３】加熱基板を700〜800℃に昇温保持する特許
請求の範囲第１項記載のGaAs薄膜の気相成長法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10462685 | 1985-05-16 | ||
| JP60-104626 | 1985-05-16 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6254424A JPS6254424A (ja) | 1987-03-10 |
| JPH0754802B2 true JPH0754802B2 (ja) | 1995-06-07 |
Family
ID=14385648
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61109264A Expired - Lifetime JPH0754802B2 (ja) | 1985-05-16 | 1986-05-13 | ＧａＡｓ薄膜の気相成長法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4798743A (ja) |
| EP (1) | EP0201933B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0754802B2 (ja) |
| CA (1) | CA1274429A (ja) |
| DE (1) | DE3689387T2 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| JPS61275191A (ja) * | 1985-05-29 | 1986-12-05 | Furukawa Electric Co Ltd:The | ＧａＡｓ薄膜の気相成長法 |
| DE3707672A1 (de) * | 1987-03-10 | 1988-09-22 | Sitesa Sa | Epitaxieanlage |
| US5304820A (en) * | 1987-03-27 | 1994-04-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for producing compound semiconductor and semiconductor device using compound semiconductor obtained by same |
| DE3726971A1 (de) * | 1987-08-13 | 1989-02-23 | Standard Elektrik Lorenz Ag | Methode zur herstellung planarer epitaxieschichten mittels selektiver metallorganischer gasphasenepitaxie (movpe) |
| CN101372760B (zh) * | 2008-09-10 | 2011-08-24 | 太原理工大学 | 一种发红光的掺氧砷化镓多晶薄膜的制备方法 |
| CN103147038B (zh) * | 2012-12-19 | 2014-10-29 | 常州星海电子有限公司 | 一种制备GaAs薄膜材料的方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56133819A (en) * | 1980-03-25 | 1981-10-20 | Toshiba Corp | Manufacture of epitaxial wafer for field effect transistor |
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|---|---|---|---|---|
| US4188244A (en) * | 1975-04-10 | 1980-02-12 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of making a semiconductor light-emitting device utilizing low-temperature vapor-phase deposition |
| US4142924A (en) * | 1976-12-16 | 1979-03-06 | Massachusetts Institute Of Technology | Fast-sweep growth method for growing layers using liquid phase epitaxy |
| US4168998A (en) * | 1978-12-06 | 1979-09-25 | Mitsubishi Monsanto Chemical Co. | Process for manufacturing a vapor phase epitaxial wafer of compound semiconductor without causing breaking of wafer by utilizing a pre-coating of carbonaceous powder |
| JPS582294A (ja) * | 1981-06-29 | 1983-01-07 | Fujitsu Ltd | 気相成長方法 |
| JPS6012724A (ja) * | 1983-07-01 | 1985-01-23 | Agency Of Ind Science & Technol | 化合物半導体の成長方法 |
| US4550031A (en) * | 1984-11-26 | 1985-10-29 | Honeywell Inc. | Control of Si doping in GaAs, (Al,Ga)As and other compound semiconductors during MBE growth |
-
1986
- 1986-05-13 JP JP61109264A patent/JPH0754802B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1986-05-14 US US06/863,187 patent/US4798743A/en not_active Expired - Fee Related
- 1986-05-15 DE DE3689387T patent/DE3689387T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1986-05-15 CA CA000509282A patent/CA1274429A/en not_active Expired - Lifetime
- 1986-05-15 EP EP86106679A patent/EP0201933B1/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56133819A (en) * | 1980-03-25 | 1981-10-20 | Toshiba Corp | Manufacture of epitaxial wafer for field effect transistor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0201933B1 (en) | 1993-12-15 |
| US4798743A (en) | 1989-01-17 |
| CA1274429A (en) | 1990-09-25 |
| EP0201933A2 (en) | 1986-11-20 |
| DE3689387T2 (de) | 1994-06-30 |
| DE3689387D1 (de) | 1994-01-27 |
| JPS6254424A (ja) | 1987-03-10 |
| EP0201933A3 (en) | 1988-12-14 |
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| JPH0346440B2 (ja) |