JP3141628B2 - 化合物半導体素子及びその製造方法 - Google Patents
化合物半導体素子及びその製造方法Info
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- JP3141628B2 JP3141628B2 JP05146650A JP14665093A JP3141628B2 JP 3141628 B2 JP3141628 B2 JP 3141628B2 JP 05146650 A JP05146650 A JP 05146650A JP 14665093 A JP14665093 A JP 14665093A JP 3141628 B2 JP3141628 B2 JP 3141628B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、Ｎ+型ＩnyＧa1-yＡs結
晶層（但しｙ≦１）〔即ち、ドナー不純物を高濃度にド
ープしたＩnＧaＡs結晶層又はＩnＡs結晶層〕を素子構
成層の一部として有する化合物半導体素子及びその製造
方法に関するものである。
晶層（但しｙ≦１）〔即ち、ドナー不純物を高濃度にド
ープしたＩnＧaＡs結晶層又はＩnＡs結晶層〕を素子構
成層の一部として有する化合物半導体素子及びその製造
方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、ヘテロ接合バイポーラトランジス
タ（図１）、高電子移動度トランジスタ（図２）、ヘテ
ロ接合電界効果型トランジスタ（図３）、ドープチャネ
ル型電界効果型トランジスタ（図４）など、結晶基板上
に所望組成の複数の化合物半導体結晶層をエピタキシャ
ル成長させることによって構成する化合物半導体素子で
は、図１〜図４に示す如く、動作領域（コレクタ、ベー
ス、エミッタなど）を構成する素子本体２上に更にＮ+
型ＩnyＧa1-yＡs結晶層３を気相成長させ、当該結晶層
をノンアロイ抵抗接触領域として使用するほか、図４に
示す如く、素子本体２の一部を同様の結晶層をもって構
成し、当該結晶層をチャネル領域として使用することが
行われている。Ｎ+型ＩnyＧa1-yＡs結晶層３，４の形成
は、有機金属気相成長方法（ＭＯＣＶＤ）によって行な
い、その場合のドーパント原料としては、ジシラン（Ｓ
i2Ｈ6）又はモノシラン（ＳiＨ4）を使用するのが普通
である。
タ（図１）、高電子移動度トランジスタ（図２）、ヘテ
ロ接合電界効果型トランジスタ（図３）、ドープチャネ
ル型電界効果型トランジスタ（図４）など、結晶基板上
に所望組成の複数の化合物半導体結晶層をエピタキシャ
ル成長させることによって構成する化合物半導体素子で
は、図１〜図４に示す如く、動作領域（コレクタ、ベー
ス、エミッタなど）を構成する素子本体２上に更にＮ+
型ＩnyＧa1-yＡs結晶層３を気相成長させ、当該結晶層
をノンアロイ抵抗接触領域として使用するほか、図４に
示す如く、素子本体２の一部を同様の結晶層をもって構
成し、当該結晶層をチャネル領域として使用することが
行われている。Ｎ+型ＩnyＧa1-yＡs結晶層３，４の形成
は、有機金属気相成長方法（ＭＯＣＶＤ）によって行な
い、その場合のドーパント原料としては、ジシラン（Ｓ
i2Ｈ6）又はモノシラン（ＳiＨ4）を使用するのが普通
である。
【０００３】もっとも、Ｎ+型ＩnyＧa1-yＡs結晶層をノ
ンアロイ抵抗接触領域やチャネル領域として使用する場
合は、インジウム組成比ｙを少なくとも０.５以上とす
るのが普通であるが、このような組成のＩnＧaＡs結晶
層を気相成長させるのに適した温度は４００〜５００℃
であって、ＧaＡs結晶層やＡlＧaＡs結晶層を気相成長
させる場合の６００〜８００℃に比較してかなり低い。
一方、ドーパント原料であるジシランやモノシランのド
ーピング効率は、図５に示す如く、ＧaＡs結晶層やＡl
ＧaＡs層の気相成長に適した６００〜８００℃の温度範
囲では良好であるが、それ以下の温度、即ち、ＩnＧaＡ
s結晶層の気相成長に適した温度では著しく低下する。
ジシランやモノシランを熱分解して得られるシリコン
は、ＩＶ族元素であるため、低温度領域での活性化率が
特に悪く、ドナー不純物としてもアクセプタ不純物とし
ても機能するからである。
ンアロイ抵抗接触領域やチャネル領域として使用する場
合は、インジウム組成比ｙを少なくとも０.５以上とす
るのが普通であるが、このような組成のＩnＧaＡs結晶
層を気相成長させるのに適した温度は４００〜５００℃
であって、ＧaＡs結晶層やＡlＧaＡs結晶層を気相成長
させる場合の６００〜８００℃に比較してかなり低い。
一方、ドーパント原料であるジシランやモノシランのド
ーピング効率は、図５に示す如く、ＧaＡs結晶層やＡl
ＧaＡs層の気相成長に適した６００〜８００℃の温度範
囲では良好であるが、それ以下の温度、即ち、ＩnＧaＡ
s結晶層の気相成長に適した温度では著しく低下する。
ジシランやモノシランを熱分解して得られるシリコン
は、ＩＶ族元素であるため、低温度領域での活性化率が
特に悪く、ドナー不純物としてもアクセプタ不純物とし
ても機能するからである。
【０００４】それ故、ジシラン又はモノシランをドーパ
ント原料として使用し、ノンアロイ抵抗接触層やチャネ
ル層の形成に必要な５×１０19ｃｍ-3程度の高濃度ドー
ピングをＩnＧaＡs結晶の気相成長に適した４００〜５
００℃の温度で行なうためには、ＧaＡs結晶やＡlＧaＡ
s結晶を気相成長させる場合の１０〜１００倍の濃度で
原料ガスを成長炉に流し込む必要がある。しかし、この
ような高い濃度で原料ガスを供給した場合は、ドーパン
ト原料そのものや同原料の熱分解で生じたシリコンによ
って成長炉が汚染され、高純度の結晶成長を行なうこと
が困難である。
ント原料として使用し、ノンアロイ抵抗接触層やチャネ
ル層の形成に必要な５×１０19ｃｍ-3程度の高濃度ドー
ピングをＩnＧaＡs結晶の気相成長に適した４００〜５
００℃の温度で行なうためには、ＧaＡs結晶やＡlＧaＡ
s結晶を気相成長させる場合の１０〜１００倍の濃度で
原料ガスを成長炉に流し込む必要がある。しかし、この
ような高い濃度で原料ガスを供給した場合は、ドーパン
ト原料そのものや同原料の熱分解で生じたシリコンによ
って成長炉が汚染され、高純度の結晶成長を行なうこと
が困難である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、ＩnＧaＡs
結晶層又はＩnＡs結晶層の気相成長に適した温度におい
て高いドーピング効率を有するドーパント材料を使用す
ることにより、化合物半導体素子の性能を改善し、か
つ、同素子製造の際の成長炉汚染を防止することを目的
とする。
結晶層又はＩnＡs結晶層の気相成長に適した温度におい
て高いドーピング効率を有するドーパント材料を使用す
ることにより、化合物半導体素子の性能を改善し、か
つ、同素子製造の際の成長炉汚染を防止することを目的
とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の前記課題は、ド
ーパント（ドナー不純物）としてセレンを使用すること
によって解決することが出来る。ＶＩ族元素であるセレ
ンは、ＩnＧaＡs結晶層又はＩnＡs結晶層の気相成長に
適した比較的低い温度でも常に安定なドナー不純物とし
て機能し、その活性化率が低下することがないからであ
る。
ーパント（ドナー不純物）としてセレンを使用すること
によって解決することが出来る。ＶＩ族元素であるセレ
ンは、ＩnＧaＡs結晶層又はＩnＡs結晶層の気相成長に
適した比較的低い温度でも常に安定なドナー不純物とし
て機能し、その活性化率が低下することがないからであ
る。
【０００７】セレンをドーパントとして供給するための
原料としては、例えばセレン化水素を使用することが出
来る。セレン化水素は、３００℃程度の温度で完全に熱
分解し、しかも、３００〜６００℃の温度範囲では、温
度が低ければ低い程、ＩnＧaＡs結晶又はＩnＡs結晶中
に取り込まれるセレンの量が多くなる。セレンとアンチ
モンは、相互に競合吸着の関係にあるため、アンチモン
の原料であるアルシン〔ＡsＨ3〕の分解効率が低温で低
下する分、結晶中へのセレンの吸着率が高まるからであ
る。
原料としては、例えばセレン化水素を使用することが出
来る。セレン化水素は、３００℃程度の温度で完全に熱
分解し、しかも、３００〜６００℃の温度範囲では、温
度が低ければ低い程、ＩnＧaＡs結晶又はＩnＡs結晶中
に取り込まれるセレンの量が多くなる。セレンとアンチ
モンは、相互に競合吸着の関係にあるため、アンチモン
の原料であるアルシン〔ＡsＨ3〕の分解効率が低温で低
下する分、結晶中へのセレンの吸着率が高まるからであ
る。
【０００８】このほか、本発明者等は、試作実験を通し
て各種の材料を吟味した結果、有機セレン化合物である
ジエチルセレナイド〔（Ｃ2Ｈ5)2Ｓe〕、ジイソプロピ
ルセレナイド〔（Ｃ3Ｈ9)2Ｓe〕、ジアリルセレナイド
〔（Ｃ3Ｈ5)2Ｓe〕、エチルセレニウムハイドライド
〔Ｃ2Ｈ5ＳeＨ〕、ターシャルブチルセレニウムハイド
ライド〔（ｔ-Ｃ4Ｈ9)ＳeＨ〕なども、セレン化水素と
同様、ドーパント原料として使用することが充分に可能
であることを確認した。これらの有機セレン化合物は、
その１種又は２種以上を適宜選択し、当該有機セレン化
合物単独で又は必要に応じてセレン化水素と共に使用す
ることにより、セレン化水素の場合と同等又はそれ以上
のドーピング効率を実現することが出来る。
て各種の材料を吟味した結果、有機セレン化合物である
ジエチルセレナイド〔（Ｃ2Ｈ5)2Ｓe〕、ジイソプロピ
ルセレナイド〔（Ｃ3Ｈ9)2Ｓe〕、ジアリルセレナイド
〔（Ｃ3Ｈ5)2Ｓe〕、エチルセレニウムハイドライド
〔Ｃ2Ｈ5ＳeＨ〕、ターシャルブチルセレニウムハイド
ライド〔（ｔ-Ｃ4Ｈ9)ＳeＨ〕なども、セレン化水素と
同様、ドーパント原料として使用することが充分に可能
であることを確認した。これらの有機セレン化合物は、
その１種又は２種以上を適宜選択し、当該有機セレン化
合物単独で又は必要に応じてセレン化水素と共に使用す
ることにより、セレン化水素の場合と同等又はそれ以上
のドーピング効率を実現することが出来る。
【０００９】
【実施例】以下、実施例を参照して本発明を更に詳細に
説明する。
説明する。
【００１０】〈実施例１〉高純度水素をキャリアガスと
する有機金属気相成長炉（ＭＯＣＶＤ）のグラファイト
製サセプタ上に［１００］ＧaＡs結晶基板を載置し、当
該基板上に従来方法と同様の方法で所望組成の複数の化
合物半導体結晶層をエピタキシャル成長させることによ
り、図１に示した素子本体２と同じような多層構造の素
子本体を形成した。各結晶層を形成するための原料とし
ては、トリメチルガリウム、トリメチルアルミニウム、
アルシン及びジシランを適宜選択して使用し、かつ、結
晶成長温度は、４００〜７００℃の範囲で適宜調整し
た。
する有機金属気相成長炉（ＭＯＣＶＤ）のグラファイト
製サセプタ上に［１００］ＧaＡs結晶基板を載置し、当
該基板上に従来方法と同様の方法で所望組成の複数の化
合物半導体結晶層をエピタキシャル成長させることによ
り、図１に示した素子本体２と同じような多層構造の素
子本体を形成した。各結晶層を形成するための原料とし
ては、トリメチルガリウム、トリメチルアルミニウム、
アルシン及びジシランを適宜選択して使用し、かつ、結
晶成長温度は、４００〜７００℃の範囲で適宜調整し
た。
【００１１】次に、基板温度を４５０℃まで下げて一定
に保持し、高純度水素をキャリアガスとしてトリメチル
ガリウム、トリメチルインジウム、アルシン及びセレン
化水素を成長炉に供給し、素子本体の上にセレンドープ
Ｎ+型Ｉn0.5Ｇa0.5Ａs結晶層を０.１μｍの厚さで気相
成長させた。成長炉の内部におけるトリメチルガリウ
ム、トリメチルインジウム、アルシン及びセレン化水素
の気相濃度は、それぞれ１．５×１０-4、３×１０-5、
５×１０-3及び２×１０-8とした（単位はモル分率）。
に保持し、高純度水素をキャリアガスとしてトリメチル
ガリウム、トリメチルインジウム、アルシン及びセレン
化水素を成長炉に供給し、素子本体の上にセレンドープ
Ｎ+型Ｉn0.5Ｇa0.5Ａs結晶層を０.１μｍの厚さで気相
成長させた。成長炉の内部におけるトリメチルガリウ
ム、トリメチルインジウム、アルシン及びセレン化水素
の気相濃度は、それぞれ１．５×１０-4、３×１０-5、
５×１０-3及び２×１０-8とした（単位はモル分率）。
【００１２】このようにして形成したセレンドープ結晶
層の表面を微分干渉式光学顕微鏡を用いて観察し、別
途、同じ組成のＧaＡs基板上に６００〜８００℃の温度
で気相成長させることによって得たＧaＡs結晶層の表面
と比較した結果、どちらも同程度の良好な鏡面を有する
ことを確認した。また、セレンドープ結晶層のドーピン
グ活性化率を２次イオン質量分析器（ＳＩＭＳ）による
セレン元素濃度測定及びホール効果による自由電子濃度
測定によって計測した結果、９０％の良好な活性化率を
有することを確認した。この場合の自由電子濃度は、３
×１０18cm-3であり、電子移動度は、６５０cm2／V・sで
あった。
層の表面を微分干渉式光学顕微鏡を用いて観察し、別
途、同じ組成のＧaＡs基板上に６００〜８００℃の温度
で気相成長させることによって得たＧaＡs結晶層の表面
と比較した結果、どちらも同程度の良好な鏡面を有する
ことを確認した。また、セレンドープ結晶層のドーピン
グ活性化率を２次イオン質量分析器（ＳＩＭＳ）による
セレン元素濃度測定及びホール効果による自由電子濃度
測定によって計測した結果、９０％の良好な活性化率を
有することを確認した。この場合の自由電子濃度は、３
×１０18cm-3であり、電子移動度は、６５０cm2／V・sで
あった。
【００１３】〈実施例２〉セレン化水素以外の原料の気
相濃度及び結晶成長温度を実施例１と同じ値に設定し、
成長炉内へ供給するセレン化水素の流量をマスフローコ
ントローラを用いて制御することによってセレン化水素
の気相濃度を変えた。同様の実験をジシランをドーパン
ト原料として行い、得られたシリコンドープ結晶層のド
ーピング特性を前記方法によって得たセレンドープ結晶
層のドーピング特性と比較した（結晶層のインジウム組
成比ｙはいずれも０.５)。なお、セレン化水素は、高純
度水素によって濃度１０ppm に希釈したものを供給源と
し、ジシランは、同じく高純度水素によって１０００pp
m に希釈したものを供給源とした。
相濃度及び結晶成長温度を実施例１と同じ値に設定し、
成長炉内へ供給するセレン化水素の流量をマスフローコ
ントローラを用いて制御することによってセレン化水素
の気相濃度を変えた。同様の実験をジシランをドーパン
ト原料として行い、得られたシリコンドープ結晶層のド
ーピング特性を前記方法によって得たセレンドープ結晶
層のドーピング特性と比較した（結晶層のインジウム組
成比ｙはいずれも０.５)。なお、セレン化水素は、高純
度水素によって濃度１０ppm に希釈したものを供給源と
し、ジシランは、同じく高純度水素によって１０００pp
m に希釈したものを供給源とした。
【００１４】ドーピング特性の比較結果を図６に示す。
同図から明らかなように、４５０℃の温度でセレンをド
ーピングした場合は、５００℃及び６００℃の温度でシ
リコンをドーピングした場合に比較して２桁近くドーピ
ング効率が良好である。
同図から明らかなように、４５０℃の温度でセレンをド
ーピングした場合は、５００℃及び６００℃の温度でシ
リコンをドーピングした場合に比較して２桁近くドーピ
ング効率が良好である。
【００１５】〈実施例３〉［１００］ＧaＡs基板の表面
に実施例２と同様の条件でＩnＡs結晶を気相成長させて
セレンドープＮ+型ＩnＡs結晶層を形成し、そのドーピ
ング特性を調べた。その結果、図７に示すように、Ｉn
Ａsの場合でもＩnＧaＡsの場合と同程度の高いドーピン
グ効率を得ることが出来ることを確認した。
に実施例２と同様の条件でＩnＡs結晶を気相成長させて
セレンドープＮ+型ＩnＡs結晶層を形成し、そのドーピ
ング特性を調べた。その結果、図７に示すように、Ｉn
Ａsの場合でもＩnＧaＡsの場合と同程度の高いドーピン
グ効率を得ることが出来ることを確認した。
【００１６】〈実施例４〉実施例１と同様の手順で複数
のエピタキシャル結晶層からなる素子本体を気相成長さ
せた後、基板温度を４００〜５００℃の範囲に保持し、
トリメチルガリウム及びトリメチルインジウムの流量を
連続的に変えることにより、図８に示す傾斜組成のセレ
ンドープＮ+型ＩnyＧa1-yＡs結晶層３（但しｙ＝０→
０.５）を成長させた（アルシン及びセレン化水素の流
量は一定）。得られた結晶層３の表面は、実施例１〜実
施例３によるセレンドープＩnＧaＡs結晶層又はＩnＡs
結晶層の表面と比較し、鏡面性状が更に良好であった。
ドーピング効率は、同程度であった。
のエピタキシャル結晶層からなる素子本体を気相成長さ
せた後、基板温度を４００〜５００℃の範囲に保持し、
トリメチルガリウム及びトリメチルインジウムの流量を
連続的に変えることにより、図８に示す傾斜組成のセレ
ンドープＮ+型ＩnyＧa1-yＡs結晶層３（但しｙ＝０→
０.５）を成長させた（アルシン及びセレン化水素の流
量は一定）。得られた結晶層３の表面は、実施例１〜実
施例３によるセレンドープＩnＧaＡs結晶層又はＩnＡs
結晶層の表面と比較し、鏡面性状が更に良好であった。
ドーピング効率は、同程度であった。
【００１７】
【発明の効果】本発明の効果を列挙すると、次の通りで
ある。 ドーパントとしてセレンを使用しているた
め、シリコンをドーパントする場合のように、ドーパン
トがアクセプタ不純物として機能することがない。この
ため、ＩｎＧａＡｓ結晶層又はＩｎＡｓ結晶層の気相成
長に適した比較的低い温度でのドーパントの活性化率が
高く、１×１０19cm-3以上の電子濃度を有する結晶層を
容易に得ることが出来る。 ＩｎＧａＡｓ結晶層又は
ＩｎＡｓ結晶層の気相成長に適した４００〜５００℃の
低い温度を採用することが出来るため、得られた結晶層
の鏡面性状が極めて良好である。 ドーパント原料と
して、活性化率の高いセレン化水素又は有機セレン化合
物を使用しているため、ジシランやモノシランをドーパ
ント原料として使用する場合に比較して、原料ガスの濃
度を格段に低くすることが可能となり、ドーパント不純
物による成長炉の汚染を著しく減少させることが出来
る。
ある。 ドーパントとしてセレンを使用しているた
め、シリコンをドーパントする場合のように、ドーパン
トがアクセプタ不純物として機能することがない。この
ため、ＩｎＧａＡｓ結晶層又はＩｎＡｓ結晶層の気相成
長に適した比較的低い温度でのドーパントの活性化率が
高く、１×１０19cm-3以上の電子濃度を有する結晶層を
容易に得ることが出来る。 ＩｎＧａＡｓ結晶層又は
ＩｎＡｓ結晶層の気相成長に適した４００〜５００℃の
低い温度を採用することが出来るため、得られた結晶層
の鏡面性状が極めて良好である。 ドーパント原料と
して、活性化率の高いセレン化水素又は有機セレン化合
物を使用しているため、ジシランやモノシランをドーパ
ント原料として使用する場合に比較して、原料ガスの濃
度を格段に低くすることが可能となり、ドーパント不純
物による成長炉の汚染を著しく減少させることが出来
る。
【図１】素子本体上にＮ+ＩnＧaＡs結晶層からなる抵抗
接触層を備えたヘテロ接合バイポーラトランジスタの概
略構造を示す断面図。
接触層を備えたヘテロ接合バイポーラトランジスタの概
略構造を示す断面図。
【図２】同じく素子本体上にＮ+ＩnＧaＡs結晶層からな
る抵抗接触層を備えた高電子移動度トランジスタの概略
構造を示す断面図。
る抵抗接触層を備えた高電子移動度トランジスタの概略
構造を示す断面図。
【図３】同じく素子本体上にＮ+ＩnＧaＡs結晶層からな
る抵抗接触層を備えたヘテロ接合電界効果型トランジス
タの概略構造を示す断面図。
る抵抗接触層を備えたヘテロ接合電界効果型トランジス
タの概略構造を示す断面図。
【図４】素子本体上にＮ+ＩnＧaＡs結晶層からなる抵抗
接触層を備え、かつ、素子本体内に同様の結晶層からな
るチャネル層を備えたドープチャネル型電界効果型トラ
ンジスタの概略構造を示す断面図。
接触層を備え、かつ、素子本体内に同様の結晶層からな
るチャネル層を備えたドープチャネル型電界効果型トラ
ンジスタの概略構造を示す断面図。
【図５】ジシラン及びモノシランをドーパント原料とし
てＮ+ＩnＧaＡs結晶層を形成する場合のドーパント効率
の温度依存性を説明するため特性曲線図。
てＮ+ＩnＧaＡs結晶層を形成する場合のドーパント効率
の温度依存性を説明するため特性曲線図。
【図６】セレン化水素をドーパント原料としてＮ+ＩnＧ
aＡs結晶層を形成する場合のドーパント効率を説明する
ため特性曲線図。
aＡs結晶層を形成する場合のドーパント効率を説明する
ため特性曲線図。
【図７】セレン化水素をドーパント原料としてＮ+ＩnＧ
aＡs結晶層を形成する場合のドーパント効率を説明する
ため特性曲線図。
aＡs結晶層を形成する場合のドーパント効率を説明する
ため特性曲線図。
【図８】素子本体上に傾斜組成のＮ+ＩnＧaＡs結晶層か
らなる抵抗接触層を備えたヘテロ接合バイポーラトラン
ジスタの概略構造を示す断面図。
らなる抵抗接触層を備えたヘテロ接合バイポーラトラン
ジスタの概略構造を示す断面図。
１…結晶基板、 ２…素子本体、 ３…抵抗接触層（Ｎ+ＩnＧaＡs結晶層)、 ４…チャネル層（Ｎ+ＩnＧaＡs結晶層)。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 土屋 忠厳 茨城県土浦市木田余町3550番地 日立電 線株式会社アドバンスリサーチセンタ内 (56)参考文献 特開 昭62−214673（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−346425（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−83700（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−104023（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−187226（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−217985（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/205 H01L 21/31 H01L 29/00
Claims (3)
- 【請求項１】素子構成層の一部としてＮ+ 型Ｉｎy Ｇａ
1-y ＡＳ結晶層（但しｙ≦１）を有する化合物半導体素
子を製造するための方法であって、当該結晶層を形成す
る際のドーパント原料としてセレン化水素を用い、当該
セレン化水素をＩｎＧａＡｓ結晶層又はＩｎＡｓ結晶層
の気相成長に適した４００〜５００℃の温度でドーピン
グすることを特徴とする化合物半導体素子の製造方法。 - 【請求項２】素子構成層の一部としてＮ+ 型Ｉｎy Ｇａ
1-y ＡＳ結晶層（但しｙ≦１）を有する化合物半導体素
子を製造するための方法であって、当該結晶層を形成す
る際のドーパント原料として有機セレン化合物を用い、
当該有機セレン化合物をＩｎＧａＡｓ結晶層又はＩｎＡ
ｓ結晶層の気相成長に適した４００〜５００℃の温度で
ドーピングすることを特徴とする化合物半導体素子の製
造方法。 - 【請求項３】前記ドーパント原料がジエチルセレナイ
ド、ジイソプロピルセレナイド、ジアリルセレナイド、
エチルセレニウムハイドライド及びターシャルブチルセ
レニウムハイドライドからなる群から選んだ少なくとも
１種の有機セレン化合物であることを特徴とする請求項
２に記載の化合物半導体素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05146650A JP3141628B2 (ja) | 1993-06-18 | 1993-06-18 | 化合物半導体素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05146650A JP3141628B2 (ja) | 1993-06-18 | 1993-06-18 | 化合物半導体素子及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0722327A JPH0722327A (ja) | 1995-01-24 |
| JP3141628B2 true JP3141628B2 (ja) | 2001-03-05 |
Family
ID=15412533
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP05146650A Expired - Lifetime JP3141628B2 (ja) | 1993-06-18 | 1993-06-18 | 化合物半導体素子及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3141628B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9691928B2 (en) * | 2013-10-02 | 2017-06-27 | SolAreo Technologies Corp. | Inverted metamorphic multijunction solar cells with doped alpha layer |
| JP2017011264A (ja) | 2015-06-22 | 2017-01-12 | 住友化学株式会社 | 半導体基板、半導体基板の製造方法およびヘテロ接合バイポーラトランジスタ |
-
1993
- 1993-06-18 JP JP05146650A patent/JP3141628B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0722327A (ja) | 1995-01-24 |
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| R350 | Written notification of registration of transfer |
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