JPH11268996A - 化合物半導体混晶の成長方法 - Google Patents
化合物半導体混晶の成長方法Info
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- JPH11268996A JPH11268996A JP9249998A JP9249998A JPH11268996A JP H11268996 A JPH11268996 A JP H11268996A JP 9249998 A JP9249998 A JP 9249998A JP 9249998 A JP9249998 A JP 9249998A JP H11268996 A JPH11268996 A JP H11268996A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】窒素濃度が高く、かつ結晶性の良い窒素を必須
として含むIII-Ｖ族化合物半導体混晶（α（β
1-XＮX）；０＜Ｘ≦１）の製造方法を提供すること。 【解決手段】 III族元素（α）を含む原料ガスと、窒素
（Ｎ）を含む原料ガスと、窒素以外のＶ族元素（β）を
含む原料ガスを用いて、基板１上に化合物半導体（α
（β1-XＮX）；０＜Ｘ≦１）を作成するＭＯＣＶＤ法に
おいて、その窒素を含む原料ガスとして、バブラ１２ｃ
に有機アジド、例えばアジ化エチルＥｔＮ3 を入れ、気
相エピタキシャル成長を行う。ＥｔＮ3 は、吸湿性がな
いので、半導体性能を低下させる酸素を化合物半導体中
に混入させることはない。また、窒素濃度を高める窒素
ラジカルは発生させるが、同じく半導体性能を低下させ
るＮＨ、ＮＨ2 など不純物を発生させない。よって、窒
素濃度が高く、不純物の混入のない化合物半導体を作成
することができる。
として含むIII-Ｖ族化合物半導体混晶（α（β
1-XＮX）；０＜Ｘ≦１）の製造方法を提供すること。 【解決手段】 III族元素（α）を含む原料ガスと、窒素
（Ｎ）を含む原料ガスと、窒素以外のＶ族元素（β）を
含む原料ガスを用いて、基板１上に化合物半導体（α
（β1-XＮX）；０＜Ｘ≦１）を作成するＭＯＣＶＤ法に
おいて、その窒素を含む原料ガスとして、バブラ１２ｃ
に有機アジド、例えばアジ化エチルＥｔＮ3 を入れ、気
相エピタキシャル成長を行う。ＥｔＮ3 は、吸湿性がな
いので、半導体性能を低下させる酸素を化合物半導体中
に混入させることはない。また、窒素濃度を高める窒素
ラジカルは発生させるが、同じく半導体性能を低下させ
るＮＨ、ＮＨ2 など不純物を発生させない。よって、窒
素濃度が高く、不純物の混入のない化合物半導体を作成
することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、気相エピタキシャ
ル成長法によって作製される窒素を含む化合物半導体混
晶に関する。特に、窒素を含む原料ガスとして有機アジ
ドを用い、窒素含有量を高めると同時にその結晶性を高
めた化合物半導体混晶の成長方法に関する。
ル成長法によって作製される窒素を含む化合物半導体混
晶に関する。特に、窒素を含む原料ガスとして有機アジ
ドを用い、窒素含有量を高めると同時にその結晶性を高
めた化合物半導体混晶の成長方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から III族元素、Ｖ族元素および窒
素元素からなる化合物半導体は、それらの元素を含むガ
スを原料として、基板上に有機金属気相成長法（Ｍetal
l ｏrganic Ｃhemical Ｖapor Ｄeposition 、以下、
ＭＯＣＶＤ法と略す）によって製造されている。ＭＯＣ
ＶＤ法は、有機金属化合物および水素化物をキャリアガ
スによって反応室まで運び熱分解させる事によって、目
的とする構成元素を生成し基板上に結晶成長させるもの
である。具体的には、 III族元素の有機金属ガスと、窒
素以外のＶ族水素化物と、窒素を含む原料ガスを使用
し、Ｖ族に窒素を必須として含む III−Ｖ族化合物半導
体混晶( 以下、 III−（Ｖ，Ｎ）化合物半導体という）
を得ている。この場合、窒素の原料ガスとしては、アン
モニア（以下、ＮＨ3 ）が最も一般的に用いられてい
る。
素元素からなる化合物半導体は、それらの元素を含むガ
スを原料として、基板上に有機金属気相成長法（Ｍetal
l ｏrganic Ｃhemical Ｖapor Ｄeposition 、以下、
ＭＯＣＶＤ法と略す）によって製造されている。ＭＯＣ
ＶＤ法は、有機金属化合物および水素化物をキャリアガ
スによって反応室まで運び熱分解させる事によって、目
的とする構成元素を生成し基板上に結晶成長させるもの
である。具体的には、 III族元素の有機金属ガスと、窒
素以外のＶ族水素化物と、窒素を含む原料ガスを使用
し、Ｖ族に窒素を必須として含む III−Ｖ族化合物半導
体混晶( 以下、 III−（Ｖ，Ｎ）化合物半導体という）
を得ている。この場合、窒素の原料ガスとしては、アン
モニア（以下、ＮＨ3 ）が最も一般的に用いられてい
る。
【０００３】ところが、ＮＨ3 の分解には８００℃以上
の高温が必要とされるため、必然的に III−（Ｖ，Ｎ）
化合物半導体も８００℃以上で成長させられることにな
る。しかしながら、このような高い成長温度では、上記
化合物半導体に含まれる砒素（以下、Ａｓ）やリン（以
下、Ｐ）などのＶ族元素の離脱が激しく、完全な III−
（Ｖ，Ｎ）化合物半導体を得ることは困難であった。
の高温が必要とされるため、必然的に III−（Ｖ，Ｎ）
化合物半導体も８００℃以上で成長させられることにな
る。しかしながら、このような高い成長温度では、上記
化合物半導体に含まれる砒素（以下、Ａｓ）やリン（以
下、Ｐ）などのＶ族元素の離脱が激しく、完全な III−
（Ｖ，Ｎ）化合物半導体を得ることは困難であった。
【０００４】この問題を解決するために、窒素原料ガス
としてモノメチルヒドラジン（ＣＨ3Ｎ2Ｈ3 ）、ジメチ
ルヒドラジン（（ＣＨ3）2Ｎ2Ｈ2、以下ＤＭＨｙ）など
の有機ヒドラジンが使用される。これらの原料は、分解
温度が５００℃程度と低いため、成長過程における窒素
以外の上記Ｖ族元素の離脱を抑えることが容易であり、
数％の窒素含有量を持つ III−（Ｖ，Ｎ）化合物半導体
の作成が可能である。これらは、例えば、Japanease Jo
urnal of Ａpplied Physics Vol.36 （1997）pp2671-2
675 に報告されている。
としてモノメチルヒドラジン（ＣＨ3Ｎ2Ｈ3 ）、ジメチ
ルヒドラジン（（ＣＨ3）2Ｎ2Ｈ2、以下ＤＭＨｙ）など
の有機ヒドラジンが使用される。これらの原料は、分解
温度が５００℃程度と低いため、成長過程における窒素
以外の上記Ｖ族元素の離脱を抑えることが容易であり、
数％の窒素含有量を持つ III−（Ｖ，Ｎ）化合物半導体
の作成が可能である。これらは、例えば、Japanease Jo
urnal of Ａpplied Physics Vol.36 （1997）pp2671-2
675 に報告されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ＤＭＨｙなどの有機ヒドラジンは吸湿性が高いため、原
料ガスの製造工程あるいは反応室内における吸湿を避け
ることが難しい。この吸湿のため、有機ヒドラジンを原
料として成長した III−（Ｖ，Ｎ）化合物半導体中には
酸素が混入し易い。混入した酸素は、化合物半導体中で
深い準位を形成し、光の放出を伴わないエネルギーの吸
収・放出を行う非発光中心を形成する。このため、例え
ばこれを用いて発光／受光素子を作成した場合は、光−
電気変換効率が著しく低下させられると同時に、その時
発生する熱により素子の劣化を促進するという問題があ
った。
ＤＭＨｙなどの有機ヒドラジンは吸湿性が高いため、原
料ガスの製造工程あるいは反応室内における吸湿を避け
ることが難しい。この吸湿のため、有機ヒドラジンを原
料として成長した III−（Ｖ，Ｎ）化合物半導体中には
酸素が混入し易い。混入した酸素は、化合物半導体中で
深い準位を形成し、光の放出を伴わないエネルギーの吸
収・放出を行う非発光中心を形成する。このため、例え
ばこれを用いて発光／受光素子を作成した場合は、光−
電気変換効率が著しく低下させられると同時に、その時
発生する熱により素子の劣化を促進するという問題があ
った。
【０００６】また、有機ヒドラジンでは熱分解によりイ
ミノ基（以下、ＮＨ）およびアミノ基（以下、ＮＨ2 ）
が生成され、これが窒素源として働く。このため、 III
−（Ｖ，Ｎ）化合物半導体中には窒素と同時に水素が取
り込まれる。水素は III−（Ｖ，Ｎ）化合物半導体中
で、一般にキャリアを供給する不純物を補償し、不活性
化させる働きがある。従って、不純物添加により III−
（Ｖ，Ｎ）化合物半導体のキャリア濃度を制御しようと
する場合、所望のキャリア濃度が得られないという問題
が生じる。
ミノ基（以下、ＮＨ）およびアミノ基（以下、ＮＨ2 ）
が生成され、これが窒素源として働く。このため、 III
−（Ｖ，Ｎ）化合物半導体中には窒素と同時に水素が取
り込まれる。水素は III−（Ｖ，Ｎ）化合物半導体中
で、一般にキャリアを供給する不純物を補償し、不活性
化させる働きがある。従って、不純物添加により III−
（Ｖ，Ｎ）化合物半導体のキャリア濃度を制御しようと
する場合、所望のキャリア濃度が得られないという問題
が生じる。
【０００７】また、窒素濃度が３％以上の III−（Ｖ，
Ｎ）化合物半導体を得るためには、窒素原料ガスの供給
量を増やすことが必要である。このため、例えばＶ族原
料ガスにおける窒素原料ガス割合を９０％以上とするこ
とがある。ところが、有機ヒドラジンはＮＨあるいはＮ
Ｈ2 を発生させ、ガリウム砒素（以下、ＧａＡｓ）表面
を窒化する作用がある。そのため、窒素原料ガスの割合
が増すほど成長初期におけるＧa Ａｓ表面の窒化が強く
現れ、ＧａＮ層が界面に形成される。ＧａＮ層が界面に
形成されると、ＧａＮとＧａＡｓはその格子定数が大き
く異なるため、良好なヘテロ接合界面を形成できないと
いう問題が生じる。従って、窒素濃度の高い III−
（Ｖ，Ｎ）化合物半導体を得るためには、熱分解によっ
てＮＨあるいはＮＨ2 を生成しない原料ガスが必要とな
る。
Ｎ）化合物半導体を得るためには、窒素原料ガスの供給
量を増やすことが必要である。このため、例えばＶ族原
料ガスにおける窒素原料ガス割合を９０％以上とするこ
とがある。ところが、有機ヒドラジンはＮＨあるいはＮ
Ｈ2 を発生させ、ガリウム砒素（以下、ＧａＡｓ）表面
を窒化する作用がある。そのため、窒素原料ガスの割合
が増すほど成長初期におけるＧa Ａｓ表面の窒化が強く
現れ、ＧａＮ層が界面に形成される。ＧａＮ層が界面に
形成されると、ＧａＮとＧａＡｓはその格子定数が大き
く異なるため、良好なヘテロ接合界面を形成できないと
いう問題が生じる。従って、窒素濃度の高い III−
（Ｖ，Ｎ）化合物半導体を得るためには、熱分解によっ
てＮＨあるいはＮＨ2 を生成しない原料ガスが必要とな
る。
【０００８】このようにＭＯＣＶＤによる成膜過程で混
入する酸素、水素、ＮＨ, ＮＨ2 は、化合物半導体素子
の性能を劣化させる原因となる。そこで本発明の目的
は、上記ＭＯＣＶＤ法において、上記元素を発生させな
い窒素原料ガスに着目し、そのガスを使用することによ
って窒素濃度が高く高品質な III−（Ｖ，Ｎ）化合物半
導体を提供することにある。さらには、この III−
（Ｖ，Ｎ）化合物半導体を光半導体素子に適用し、光−
電気変換効率が高く耐久性に優れた化合物半導体素子を
提供することにある。
入する酸素、水素、ＮＨ, ＮＨ2 は、化合物半導体素子
の性能を劣化させる原因となる。そこで本発明の目的
は、上記ＭＯＣＶＤ法において、上記元素を発生させな
い窒素原料ガスに着目し、そのガスを使用することによ
って窒素濃度が高く高品質な III−（Ｖ，Ｎ）化合物半
導体を提供することにある。さらには、この III−
（Ｖ，Ｎ）化合物半導体を光半導体素子に適用し、光−
電気変換効率が高く耐久性に優れた化合物半導体素子を
提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
本発明の請求項１記載の化合物半導体は、基板上に、II
I族元素（ III族元素を「α」とする）を含む原料ガス
と、窒素（Ｎ）を含む原料ガスと、窒素以外の少なくと
も１つのＶ族元素（Ｖ族元素を「β」とする）を含む原
料ガスを用い、基板上にＶ族元素として窒素を必須とし
て含むIII-Ｖ族化合物半導体混晶（α（β1-XＮX）；０
＜Ｘ≦１）をエピタキシャル成長させる方法において、
窒素を含む原料ガスに、有機アジドを用いることを特徴
とする。ここで、有機アジド（ＲＮ3 、但し、Ｒはエチ
ル基（Ｃ2Ｈ5）などの炭素化水素基を表す）例えば、ア
ジ化エチル（Ｃ2Ｈ5Ｎ3 ）、アジ化メチル（ＣＨ3Ｎ3）
等である。又、III-Ｖ族化合物半導体混晶（α（β1-X
ＮX）；０＜Ｘ≦１）の成長時に有機アジドと同時にＮ
2 を供給するようにしても良い。
本発明の請求項１記載の化合物半導体は、基板上に、II
I族元素（ III族元素を「α」とする）を含む原料ガス
と、窒素（Ｎ）を含む原料ガスと、窒素以外の少なくと
も１つのＶ族元素（Ｖ族元素を「β」とする）を含む原
料ガスを用い、基板上にＶ族元素として窒素を必須とし
て含むIII-Ｖ族化合物半導体混晶（α（β1-XＮX）；０
＜Ｘ≦１）をエピタキシャル成長させる方法において、
窒素を含む原料ガスに、有機アジドを用いることを特徴
とする。ここで、有機アジド（ＲＮ3 、但し、Ｒはエチ
ル基（Ｃ2Ｈ5）などの炭素化水素基を表す）例えば、ア
ジ化エチル（Ｃ2Ｈ5Ｎ3 ）、アジ化メチル（ＣＨ3Ｎ3）
等である。又、III-Ｖ族化合物半導体混晶（α（β1-X
ＮX）；０＜Ｘ≦１）の成長時に有機アジドと同時にＮ
2 を供給するようにしても良い。
【００１０】
【発明の作用及び効果】有機アジドは吸湿性がないた
め、有機ヒドラジンと比較して成膜した結晶内に酸素が
混入する可能性が低い。よって、酸素によって化合物半
導体中に光−電気変換効率を低下させたり素子劣化の原
因となる深い不純物準位が形成されることがない。従っ
て、例えばこの III−（Ｖ，Ｎ）化合物半導体を光素子
に適用した場合、従来に比較して、光−電気変換効率を
上げるとともに半導体素子の寿命を延ばすことができ
る。
め、有機ヒドラジンと比較して成膜した結晶内に酸素が
混入する可能性が低い。よって、酸素によって化合物半
導体中に光−電気変換効率を低下させたり素子劣化の原
因となる深い不純物準位が形成されることがない。従っ
て、例えばこの III−（Ｖ，Ｎ）化合物半導体を光素子
に適用した場合、従来に比較して、光−電気変換効率を
上げるとともに半導体素子の寿命を延ばすことができ
る。
【００１１】有機アジドは、例えば熱分解反応によって
窒素ラジカルは生成するが、水素を含むＮＨやＮＨ2 を
生成することはない。この窒素ラジカルは、 III−
（Ｖ，Ｎ）化合物半導体を成長させる窒素源となり、高
濃度な III−（Ｖ，Ｎ）化合物半導体が実現できる。ま
た、この熱分解によって従来のように水素を発生させる
ことがない。従って、水素による不純物添加の補償効果
がなく、半導体中のキャリア濃度は減少することはな
い。よって、化合物半導体を半導体動作に必要な所定の
キャリア濃度に制御できる。また、ＮＨやＮＨ2 も生成
されないので、従来のようにＧａＡｓ表面を窒化し、界
面を乱すことがない。また他に、基板を腐食させるガス
種の発生もない。よって、広い流量条件の範囲で良好な
ヘテロ界面が形成でき、光素子に適用した場合、光−電
気変換効率の優れた III−（Ｖ，Ｎ）化合物半導体素子
が実現できる。
窒素ラジカルは生成するが、水素を含むＮＨやＮＨ2 を
生成することはない。この窒素ラジカルは、 III−
（Ｖ，Ｎ）化合物半導体を成長させる窒素源となり、高
濃度な III−（Ｖ，Ｎ）化合物半導体が実現できる。ま
た、この熱分解によって従来のように水素を発生させる
ことがない。従って、水素による不純物添加の補償効果
がなく、半導体中のキャリア濃度は減少することはな
い。よって、化合物半導体を半導体動作に必要な所定の
キャリア濃度に制御できる。また、ＮＨやＮＨ2 も生成
されないので、従来のようにＧａＡｓ表面を窒化し、界
面を乱すことがない。また他に、基板を腐食させるガス
種の発生もない。よって、広い流量条件の範囲で良好な
ヘテロ界面が形成でき、光素子に適用した場合、光−電
気変換効率の優れた III−（Ｖ，Ｎ）化合物半導体素子
が実現できる。
【００１２】また、 III−（Ｖ，Ｎ）化合物半導体の成
長時に有機アジドと同時にＮ2 を供給した場合には、有
機アジドの分解により生成したＮ2 ラジカルと窒素分子
とが基板上で混合されることになり、両者の相互作用に
より新たなＮ2 ラジカルが生成され、Ｎ2 ラジカルを多
くすることができる。また、加えた窒素は結晶中に取り
込まれた窒素の表面からの脱離反応を抑制する効果もあ
り、窒素組成の高い混晶を気相成長する上で有効であ
る。
長時に有機アジドと同時にＮ2 を供給した場合には、有
機アジドの分解により生成したＮ2 ラジカルと窒素分子
とが基板上で混合されることになり、両者の相互作用に
より新たなＮ2 ラジカルが生成され、Ｎ2 ラジカルを多
くすることができる。また、加えた窒素は結晶中に取り
込まれた窒素の表面からの脱離反応を抑制する効果もあ
り、窒素組成の高い混晶を気相成長する上で有効であ
る。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明を具体的な実施例に
基づいて説明する。尚、本発明は下記実施例に限定され
るものではない。また、本発明は、ＭＯＣＶＤ法に有機
アジドを用いて、高濃度窒素を含有する化合物半導体を
得ることが主旨であるので、第１実施例、第２実施例で
は、その製造過程とその結果得られた化合物半導体の組
成について説明し、第３実施例にて、それを半導体レー
ザに応用した例を示す。
基づいて説明する。尚、本発明は下記実施例に限定され
るものではない。また、本発明は、ＭＯＣＶＤ法に有機
アジドを用いて、高濃度窒素を含有する化合物半導体を
得ることが主旨であるので、第１実施例、第２実施例で
は、その製造過程とその結果得られた化合物半導体の組
成について説明し、第３実施例にて、それを半導体レー
ザに応用した例を示す。
【００１４】（第１実施例）図１に本発明方法で製造さ
れる化合物半導体の構成断面図を示す。主面が（００
１）面である半絶縁性ＧａＡｓ基板１の上に、順に、Ｇ
ａＡｓからなる厚さ１μｍのバッファ層２、厚さ１μｍ
のＧａＡｓＮ層３、ＧａＡｓからなるキャップ層４が形
成される。尚、キャップ層４は、表面からの窒素の離脱
を防止するためのものである。
れる化合物半導体の構成断面図を示す。主面が（００
１）面である半絶縁性ＧａＡｓ基板１の上に、順に、Ｇ
ａＡｓからなる厚さ１μｍのバッファ層２、厚さ１μｍ
のＧａＡｓＮ層３、ＧａＡｓからなるキャップ層４が形
成される。尚、キャップ層４は、表面からの窒素の離脱
を防止するためのものである。
【００１５】図２にその製造装置を示す。本製造法は、
複数の原料ガスを熱分解させ、所定の元素を基板上に堆
積成長させるＭＯＣＶＤ法である。本発明においては、
Ｇａを含む原料ガスとしてトリメチルガリウム（（ＣＨ
3）3Ｇａ、以下ＴＭＧと略す）が、砒素を含む原料ガス
としてターシャリブチルアルシン（（Ｃ4Ｈ9ＡｓＨ2、
以下ＴＢＡｓと略す）が、窒素を含む原料として有機ア
ジドの一種であるアジ化エチル（Ｃ2Ｈ5Ｎ3 、以下Ｅｔ
Ｎ3 と略す）が用いられる。これらの原料ガスは常温で
は液体であるため、それぞれ気化器であるバブラ１２
ａ、１２ｂ，１２ｃに入れられ、窒素あるいは水素から
なるキャリアガスによって気化された後、反応室５に運
ばれる。尚、このキャリアガスは、マスフローコントロ
ーラ１３によってその流量が精密にコントロールされ、
バブラ１２ａ，１２ｂ，１２ｃに送られるため、気化さ
れるガス量も精密にコントロールされ、反応室５に送ら
れる。
複数の原料ガスを熱分解させ、所定の元素を基板上に堆
積成長させるＭＯＣＶＤ法である。本発明においては、
Ｇａを含む原料ガスとしてトリメチルガリウム（（ＣＨ
3）3Ｇａ、以下ＴＭＧと略す）が、砒素を含む原料ガス
としてターシャリブチルアルシン（（Ｃ4Ｈ9ＡｓＨ2、
以下ＴＢＡｓと略す）が、窒素を含む原料として有機ア
ジドの一種であるアジ化エチル（Ｃ2Ｈ5Ｎ3 、以下Ｅｔ
Ｎ3 と略す）が用いられる。これらの原料ガスは常温で
は液体であるため、それぞれ気化器であるバブラ１２
ａ、１２ｂ，１２ｃに入れられ、窒素あるいは水素から
なるキャリアガスによって気化された後、反応室５に運
ばれる。尚、このキャリアガスは、マスフローコントロ
ーラ１３によってその流量が精密にコントロールされ、
バブラ１２ａ，１２ｂ，１２ｃに送られるため、気化さ
れるガス量も精密にコントロールされ、反応室５に送ら
れる。
【００１６】反応室５は、石英製のフローチャネルから
構成され、その中には熱電対７を伴ったカーボン製のサ
セプタ６が設置されている。半絶縁性ＧａＡｓ基板１
は、このサセプタ６上に設置される。このサセプタ６
は、下方に設置された熱源である赤外線ランプ１４によ
って熱せられ、基板表面で上記ガスの熱分解が行われる
よう所定の温度に保たれる。また、反応ガスは、ガス導
入口８から供給され、油回転ポンプ１０によって排気口
９から排気される。従って、常に新しいガスが供給され
るとともに、その供給速度は、油回転ポンプ１０に取り
付けられたコンダクタンスバルブ１１によって制御され
るので、所定の圧力に保たれる。
構成され、その中には熱電対７を伴ったカーボン製のサ
セプタ６が設置されている。半絶縁性ＧａＡｓ基板１
は、このサセプタ６上に設置される。このサセプタ６
は、下方に設置された熱源である赤外線ランプ１４によ
って熱せられ、基板表面で上記ガスの熱分解が行われる
よう所定の温度に保たれる。また、反応ガスは、ガス導
入口８から供給され、油回転ポンプ１０によって排気口
９から排気される。従って、常に新しいガスが供給され
るとともに、その供給速度は、油回転ポンプ１０に取り
付けられたコンダクタンスバルブ１１によって制御され
るので、所定の圧力に保たれる。
【００１７】このような装置を使用して III−（Ｖ，
Ｎ）化合物半導体は作製される。その順序を以下に示
す。先ず、図２の成長装置のサセプタ６上に半絶縁性Ｇ
ａＡｓ基板１を置き、油回転ポンプ１０にて反応室５内
を排気する。次に、高純度水素ガスを１Ｌ／min （リッ
トル／分）の速さで供給しながら、コンダクタンスバル
ブ１１の開度を調節することにより圧力を４０Ｔｏｒｒ
に設定する。次に、水素ガスをキャリアガスとしてＴＢ
Ａｓを２００μmol ／min の速さで反応室５に供給し、
その後赤外線ランプ１４によりサセプタ６を加熱し、基
板温度を６５０℃とする。この状態で１０分間保持する
ことによりＧａＡｓ表面の酸化膜を取り除くことができ
る。さらに、同じくキャリアガスによってＴＭＧを２５
μmol ／min の速さで１０分間供給することにより、Ｇ
ａＡｓバッファ層２を形成する。
Ｎ）化合物半導体は作製される。その順序を以下に示
す。先ず、図２の成長装置のサセプタ６上に半絶縁性Ｇ
ａＡｓ基板１を置き、油回転ポンプ１０にて反応室５内
を排気する。次に、高純度水素ガスを１Ｌ／min （リッ
トル／分）の速さで供給しながら、コンダクタンスバル
ブ１１の開度を調節することにより圧力を４０Ｔｏｒｒ
に設定する。次に、水素ガスをキャリアガスとしてＴＢ
Ａｓを２００μmol ／min の速さで反応室５に供給し、
その後赤外線ランプ１４によりサセプタ６を加熱し、基
板温度を６５０℃とする。この状態で１０分間保持する
ことによりＧａＡｓ表面の酸化膜を取り除くことができ
る。さらに、同じくキャリアガスによってＴＭＧを２５
μmol ／min の速さで１０分間供給することにより、Ｇ
ａＡｓバッファ層２を形成する。
【００１８】バッファ層２の形成後、ＴＭＧの供給を停
止しＴＢＡｓを流した状態で、基板温度を降下させる。
基板温度が４７５〜６２５℃の範囲で安定した後、Ｅｔ
Ｎ3を４３４０μｍol／min の速さで供給する。流量お
よび圧力が安定した後、再びＴＭＧを２５μｍol/minの
速さで１０分間供給することによりＧａＡｓＮ層３を成
長させる。さらに、ＧａＡｓＮ層３の形成後、ＥｔＮ3
の供給のみ停止し、ＧａＡｓＮと同じ成長温度にて、Ｇ
ａＡｓキャップ層４を１０分間成長させる。キャップ層
４を形成した後は、ＴＭＧの供給を停止し、さらに赤外
線ランプを消灯することにより基板温度を低下させ、２
００℃でＴＢＡｓの供給を停止させ、その後室温まで低
下させる。このような操作により、基板１上に形成され
た３層からなる図１の化合物半導体が形成される。
止しＴＢＡｓを流した状態で、基板温度を降下させる。
基板温度が４７５〜６２５℃の範囲で安定した後、Ｅｔ
Ｎ3を４３４０μｍol／min の速さで供給する。流量お
よび圧力が安定した後、再びＴＭＧを２５μｍol/minの
速さで１０分間供給することによりＧａＡｓＮ層３を成
長させる。さらに、ＧａＡｓＮ層３の形成後、ＥｔＮ3
の供給のみ停止し、ＧａＡｓＮと同じ成長温度にて、Ｇ
ａＡｓキャップ層４を１０分間成長させる。キャップ層
４を形成した後は、ＴＭＧの供給を停止し、さらに赤外
線ランプを消灯することにより基板温度を低下させ、２
００℃でＴＢＡｓの供給を停止させ、その後室温まで低
下させる。このような操作により、基板１上に形成され
た３層からなる図１の化合物半導体が形成される。
【００１９】図３に、この化合物半導体の深さ方向の窒
素濃度分布を示す。縦軸に窒素濃度、横軸に試料深さを
示す。この窒素濃度量分布は、２次イオン質量分析法に
よって調べることができる。窒素は、深さ１μｍ〜２μ
ｍ深さに集中して分布しており、上記操作によって、所
定深さにＧａＡｓＮが形成されていることが示される。
従って、ＭＯＣＶＤ法によって III−（Ｖ，Ｎ）化合物
半導体を製造する場合、窒素を含む原料ガスとして、有
機アジドの一種であるアジ化エチルが有効であることが
示される。
素濃度分布を示す。縦軸に窒素濃度、横軸に試料深さを
示す。この窒素濃度量分布は、２次イオン質量分析法に
よって調べることができる。窒素は、深さ１μｍ〜２μ
ｍ深さに集中して分布しており、上記操作によって、所
定深さにＧａＡｓＮが形成されていることが示される。
従って、ＭＯＣＶＤ法によって III−（Ｖ，Ｎ）化合物
半導体を製造する場合、窒素を含む原料ガスとして、有
機アジドの一種であるアジ化エチルが有効であることが
示される。
【００２０】図４に、ＧａＡｓＮ層３の窒素濃度と基板
１の温度（以下、基板温度と記す）との関係図を示す。
縦軸に窒素濃度を、横軸に基板温度の逆数を示す。これ
は、ＧａＡｓＮ層３中に取り込まれる窒素量と基板温度
との関係を見るために、基板温度を４７５℃〜６２５℃
の間で変化させ、上記と同条件で成膜操作を行ったもの
である。基板温度が低い程、窒素の離脱が少なく濃度が
高いことが示される。また、基板温度を４７５℃〜６２
５℃の間で変化させることにより、窒素濃度を１×１０
18ｃｍ-3〜５×１０21ｃｍ-3の範囲で制御されることが
示される。従って、化合物半導体素子に必要な所定の窒
素濃度を得ることができる。
１の温度（以下、基板温度と記す）との関係図を示す。
縦軸に窒素濃度を、横軸に基板温度の逆数を示す。これ
は、ＧａＡｓＮ層３中に取り込まれる窒素量と基板温度
との関係を見るために、基板温度を４７５℃〜６２５℃
の間で変化させ、上記と同条件で成膜操作を行ったもの
である。基板温度が低い程、窒素の離脱が少なく濃度が
高いことが示される。また、基板温度を４７５℃〜６２
５℃の間で変化させることにより、窒素濃度を１×１０
18ｃｍ-3〜５×１０21ｃｍ-3の範囲で制御されることが
示される。従って、化合物半導体素子に必要な所定の窒
素濃度を得ることができる。
【００２１】また、化合物半導体中で非発光中心を形成
する酸素については、従来例のようにＤＭＨｙを使用し
た場合、１×１０17〜７×１０21ｃｍ-3の窒素濃度に対
してほぼ同量の１×１０17〜３×１０21ｃｍ-3の酸素濃
度が検出されたが、ＥｔＮ3を用いた場合では、窒素濃
度に関してはほぼ同量であるものの酸素濃度は検出限界
（２×１０17ｃｍ-3）以下であった。従って、本発明に
よれば、酸素濃度が従来より低い化合物半導体、すなわ
ち非発光中心の濃度がより低い化合物半導体が形成され
る。よって、これを光素子に適用した場合、非発光中心
によるエネルギーの吸収・放出が少ないため、変換効率
のよい素子となり、またそれに伴う発熱も少ない。従っ
て、長寿命な光素子となる。
する酸素については、従来例のようにＤＭＨｙを使用し
た場合、１×１０17〜７×１０21ｃｍ-3の窒素濃度に対
してほぼ同量の１×１０17〜３×１０21ｃｍ-3の酸素濃
度が検出されたが、ＥｔＮ3を用いた場合では、窒素濃
度に関してはほぼ同量であるものの酸素濃度は検出限界
（２×１０17ｃｍ-3）以下であった。従って、本発明に
よれば、酸素濃度が従来より低い化合物半導体、すなわ
ち非発光中心の濃度がより低い化合物半導体が形成され
る。よって、これを光素子に適用した場合、非発光中心
によるエネルギーの吸収・放出が少ないため、変換効率
のよい素子となり、またそれに伴う発熱も少ない。従っ
て、長寿命な光素子となる。
【００２２】また、形状効果によって変換効率に影響を
あたえるヘテロ界面形成については、従来例のようにＤ
ＭＨｙを使用した場合、窒素濃度が５％時に表面に格子
不整合による筋状の紋様が観測されたが、ＥｔＮ3 を用
いた場合では窒素濃度が１５％時においても、その紋様
は観測されず良好であった。従って、例えば半導体レー
ザ発振器など光素子に適用した場合、その良好なヘテロ
界面が光導波路を形成することになる。よって、界面反
射によって減衰することのない変換効率のよい素子を作
ることができる。
あたえるヘテロ界面形成については、従来例のようにＤ
ＭＨｙを使用した場合、窒素濃度が５％時に表面に格子
不整合による筋状の紋様が観測されたが、ＥｔＮ3 を用
いた場合では窒素濃度が１５％時においても、その紋様
は観測されず良好であった。従って、例えば半導体レー
ザ発振器など光素子に適用した場合、その良好なヘテロ
界面が光導波路を形成することになる。よって、界面反
射によって減衰することのない変換効率のよい素子を作
ることができる。
【００２３】（第２実施例）上述の第１実施例では、化
合物半導体のＧａＡｓＮ層３を作成する場合、キャリア
ガスに水素ガスを用いた。この水素ガスに代えてキャリ
アガスを窒素ガスとしたのが、第２実施例の特徴であ
る。その他の成膜条件は、第１実施例と同じである。キ
ャリアガスを窒素ガスとした場合、反応室５内では水素
に代わりより多くの窒素ラジカルが生成される。窒素ラ
ジカル雰囲気中で、気相エピタキシャル成長が行われる
と、従来のＧａＡｓＮ層３からの窒素の離脱する確率の
低下に加え、逆にＧａＡｓＮ層３に捕獲される確率が増
加することになる。その結果、正味の窒素含有量が増加
する。これにより、水素をキャリアガスとした場合の、
およそ５倍の窒素濃度を有するＧａＡｓＮ層３の作製が
可能となった。従って、この化合物半導体を光素子に適
用した場合、より光−電気変換効率のよい素子とするこ
とができる。また、アジ化エチルの使用効率を大幅に改
善させることもできる。
合物半導体のＧａＡｓＮ層３を作成する場合、キャリア
ガスに水素ガスを用いた。この水素ガスに代えてキャリ
アガスを窒素ガスとしたのが、第２実施例の特徴であ
る。その他の成膜条件は、第１実施例と同じである。キ
ャリアガスを窒素ガスとした場合、反応室５内では水素
に代わりより多くの窒素ラジカルが生成される。窒素ラ
ジカル雰囲気中で、気相エピタキシャル成長が行われる
と、従来のＧａＡｓＮ層３からの窒素の離脱する確率の
低下に加え、逆にＧａＡｓＮ層３に捕獲される確率が増
加することになる。その結果、正味の窒素含有量が増加
する。これにより、水素をキャリアガスとした場合の、
およそ５倍の窒素濃度を有するＧａＡｓＮ層３の作製が
可能となった。従って、この化合物半導体を光素子に適
用した場合、より光−電気変換効率のよい素子とするこ
とができる。また、アジ化エチルの使用効率を大幅に改
善させることもできる。
【００２４】（第３実施例）上記の方法を用いて作成さ
れた III−（Ｖ，Ｎ）化合物半導体は、半導体レーザに
適用することができる。図５に、適用した半導体レーザ
の構成断面図を示す。図５中央の活性層１９が、本発明
による III−（Ｖ，Ｎ）化合物半導体である。この半導
体レーザも図２に示したＭＯＣＶＤ装置によって作成さ
れる。この時、アルミニュウムの原料としてトリメチル
アルミニュウム（（ＣＨ3）3Ａｌ）,インジュウムの原
料としてトリメチルインジュウム（（ＣＨ3）3Ｉｎ）、
亜鉛の原料としてジエチルジンク((Ｃ2Ｈ5)2Ｚｎ）がそ
れぞれ図示しないバブラに入れられ設置されている。こ
れらも上述の様に、キャリアガスで気化された後、その
流量を図示しないマスフローコントローラで制御され、
反応室５に運ばれる構成となっている。また、ｎ型層形
成は、モノメチルシラン（ＣＨ3ＳｉＨ3）を用いたシリ
コン（Ｓｉ）のドーピングによって、ｐ型層形成は、ジ
エチルジンク（（Ｃ2Ｈ5)2Ｚｎ) を用いたＺｎのドーピ
ングによって行われる。
れた III−（Ｖ，Ｎ）化合物半導体は、半導体レーザに
適用することができる。図５に、適用した半導体レーザ
の構成断面図を示す。図５中央の活性層１９が、本発明
による III−（Ｖ，Ｎ）化合物半導体である。この半導
体レーザも図２に示したＭＯＣＶＤ装置によって作成さ
れる。この時、アルミニュウムの原料としてトリメチル
アルミニュウム（（ＣＨ3）3Ａｌ）,インジュウムの原
料としてトリメチルインジュウム（（ＣＨ3）3Ｉｎ）、
亜鉛の原料としてジエチルジンク((Ｃ2Ｈ5)2Ｚｎ）がそ
れぞれ図示しないバブラに入れられ設置されている。こ
れらも上述の様に、キャリアガスで気化された後、その
流量を図示しないマスフローコントローラで制御され、
反応室５に運ばれる構成となっている。また、ｎ型層形
成は、モノメチルシラン（ＣＨ3ＳｉＨ3）を用いたシリ
コン（Ｓｉ）のドーピングによって、ｐ型層形成は、ジ
エチルジンク（（Ｃ2Ｈ5)2Ｚｎ) を用いたＺｎのドーピ
ングによって行われる。
【００２５】本発明を適用した半導体レーザは、以下の
様に製造される。先ず、面方位を（００１）としたｎ型
ＧａＡｓ基板（キャリア濃度３×１０18ｃｍ-3）１５上
に、基板温度６５０℃においてキャリア濃度１×１０18
ｃｍ-3，厚さ１μｍのｎ型ＧａＡｓ層１６が形成され
る。続いて、厚さ１．５μｍの同じくｎ型Ａｌ0.3 Ｇａ
0.7 Ａｓ層１７が形成される。続いて、基板温度を５２
５℃に降温して、厚さ１００ｎｍのＧａＡｓからなるガ
イド層１８が形成される。そして、その上に本発明に用
いた方法、すなわち窒素原料としてＥｔＮ3 を用い、ま
たキャリアガスとして窒素を用いた気相エピタキシャル
成長によって、厚さ１０ｎｍのＧa0.8Ｉｎ0.2 Ｎ0.05Ａ
ｓ0.95からなる活性層１９が形成される。
様に製造される。先ず、面方位を（００１）としたｎ型
ＧａＡｓ基板（キャリア濃度３×１０18ｃｍ-3）１５上
に、基板温度６５０℃においてキャリア濃度１×１０18
ｃｍ-3，厚さ１μｍのｎ型ＧａＡｓ層１６が形成され
る。続いて、厚さ１．５μｍの同じくｎ型Ａｌ0.3 Ｇａ
0.7 Ａｓ層１７が形成される。続いて、基板温度を５２
５℃に降温して、厚さ１００ｎｍのＧａＡｓからなるガ
イド層１８が形成される。そして、その上に本発明に用
いた方法、すなわち窒素原料としてＥｔＮ3 を用い、ま
たキャリアガスとして窒素を用いた気相エピタキシャル
成長によって、厚さ１０ｎｍのＧa0.8Ｉｎ0.2 Ｎ0.05Ａ
ｓ0.95からなる活性層１９が形成される。
【００２６】レーザ光はこの活性層１９内で、電子と正
孔が結合することによって発振する。この活性層１９に
は、不純物はドーピングされていない。さらにこの活性
層１９の上に、順に厚さ１００ｎｍのＧａＡｓからなる
ガイド層２０、厚さ１．５μｍ，キャリア濃度１×１０
18ｃｍ-3のｐ型Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ層２１、厚さ０．２
μｍのｐ型ＧａＡｓ層２２が形成される。続いて、ｐ型
ＧａＡｓ層２２の表面にＳｉＯからなる絶縁層２３がプ
ラズマＣＶＤ等で形成されたのち、エッチング等により
その中央部に幅３μｍ開口が設けられる。最後に、その
上に電極２４として金亜鉛合金（ＡｕＺｎ）がスパッタ
リングなどで蒸着される。また、ＧａＡｓ基板１５の裏
面にも、電極２５が形成されるが、それは蒸着された金
ゲルマニュウム合金（ＡｕＧｅ）を熱処理することによ
って、オーミック電極となっている。
孔が結合することによって発振する。この活性層１９に
は、不純物はドーピングされていない。さらにこの活性
層１９の上に、順に厚さ１００ｎｍのＧａＡｓからなる
ガイド層２０、厚さ１．５μｍ，キャリア濃度１×１０
18ｃｍ-3のｐ型Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ層２１、厚さ０．２
μｍのｐ型ＧａＡｓ層２２が形成される。続いて、ｐ型
ＧａＡｓ層２２の表面にＳｉＯからなる絶縁層２３がプ
ラズマＣＶＤ等で形成されたのち、エッチング等により
その中央部に幅３μｍ開口が設けられる。最後に、その
上に電極２４として金亜鉛合金（ＡｕＺｎ）がスパッタ
リングなどで蒸着される。また、ＧａＡｓ基板１５の裏
面にも、電極２５が形成されるが、それは蒸着された金
ゲルマニュウム合金（ＡｕＧｅ）を熱処理することによ
って、オーミック電極となっている。
【００２７】このような構造で形成された半導体レーザ
の発振効率は、ほとんど活性層１９に含まれる窒素濃度
と光導波路である界面の平坦性によって決定される。本
発明による化合物半導体を適用した半導体レーザは、そ
の活性層の窒素濃度が従来のそれよりはるかに高く、酸
素あるいは水素の混入が極めて低い。更に、光導波路と
なる界面も平坦であり、界面における損失も少ない。従
って、光−電気変換効率に優れ、かつ長寿命な半導体レ
ーザが実現可能となった。
の発振効率は、ほとんど活性層１９に含まれる窒素濃度
と光導波路である界面の平坦性によって決定される。本
発明による化合物半導体を適用した半導体レーザは、そ
の活性層の窒素濃度が従来のそれよりはるかに高く、酸
素あるいは水素の混入が極めて低い。更に、光導波路と
なる界面も平坦であり、界面における損失も少ない。従
って、光−電気変換効率に優れ、かつ長寿命な半導体レ
ーザが実現可能となった。
【００２８】本実施例は、他に様々な変形が考えられ
る。例えば、ここではＭＯＣＶＤ法を例に挙げ、有機ア
ジドの化合物半導体の製造における有効性を示したが、
ハイドライドＶＰＥ法など他の気相を利用した成長法に
適用してもよい。また、この実施例ではＧａＡｓＮの成
長を例に挙げたが、他の化合物半導体、例えばＧａＰ
Ｎ，ＩｎＧａＡｓＮなど窒素と同時に他のＶ族元素を含
む化合物半導体を気相成長によって得る場合にも適用で
きる。
る。例えば、ここではＭＯＣＶＤ法を例に挙げ、有機ア
ジドの化合物半導体の製造における有効性を示したが、
ハイドライドＶＰＥ法など他の気相を利用した成長法に
適用してもよい。また、この実施例ではＧａＡｓＮの成
長を例に挙げたが、他の化合物半導体、例えばＧａＰ
Ｎ，ＩｎＧａＡｓＮなど窒素と同時に他のＶ族元素を含
む化合物半導体を気相成長によって得る場合にも適用で
きる。
【００２９】その他いろいろな変形例が考えられるが、
様々な原料ガスを基に、気相エピタキシャル成長法によ
って得られるＶ族元素として窒素を必須として含むIII-
Ｖ族化合物半導体混晶（α（β1-XＮX）；０＜Ｘ≦１）
において、その窒素を含む原料ガスに有機アジドを用
い、水素、酸素、ＮＨ、ＮＨ2 など半導体性能を低下さ
せる元素等を、作成過程の化合物半導体に作用あるいは
混入させない本発明の主旨に沿うものであれば、その方
式は問わない。
様々な原料ガスを基に、気相エピタキシャル成長法によ
って得られるＶ族元素として窒素を必須として含むIII-
Ｖ族化合物半導体混晶（α（β1-XＮX）；０＜Ｘ≦１）
において、その窒素を含む原料ガスに有機アジドを用
い、水素、酸素、ＮＨ、ＮＨ2 など半導体性能を低下さ
せる元素等を、作成過程の化合物半導体に作用あるいは
混入させない本発明の主旨に沿うものであれば、その方
式は問わない。
【００３０】
【図１】本発明の具体的な実施例により製造される化合
物半導体の構成断面図。
物半導体の構成断面図。
【図２】実施例方法に使用した成長装置の構成図。
【図３】実施例方法で製造した化合物半導体の深さ方向
の窒素濃度分布図。
の窒素濃度分布図。
【図４】実施例方法で製造した化合物半導体の窒素濃度
と基板温度の関係図。
と基板温度の関係図。
【図５】本発明の第３実施例における半導体レーザの構
成断面図。
成断面図。
１ 半絶縁性Ｇa Ａｓ基板 ２ Ｇa Ａｓバッファ層 ３ Ｇa ＡｓＮ層 ４ Ｇa Ａｓキャップ層 ５ 反応室 ６ カーボンサセプタ １２ａ ＴＭＧ １２ｂ ＴＢＡｓ １２ｃ ＥｔＮ3
Claims (1)
- 【請求項１】 III族元素（α）を含む原料ガスと、窒素
（Ｎ）を含む原料ガスと、窒素以外の少なくとも１つの
Ｖ族元素（β）を含む原料ガスを用い、基板上にＶ族元
素として窒素を必須として含むIII-Ｖ族化合物半導体混
晶（α（β1-XＮX）；０＜Ｘ≦１）をエピタキシャル成
長させる方法において、 前記窒素を含む原料ガスに、有機アジドを用いることを
特徴とするIII-Ｖ族化合物半導体混晶（α（β
1-XＮX）；０＜Ｘ≦１）の成長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9249998A JPH11268996A (ja) | 1998-03-19 | 1998-03-19 | 化合物半導体混晶の成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9249998A JPH11268996A (ja) | 1998-03-19 | 1998-03-19 | 化合物半導体混晶の成長方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11268996A true JPH11268996A (ja) | 1999-10-05 |
Family
ID=14056008
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9249998A Pending JPH11268996A (ja) | 1998-03-19 | 1998-03-19 | 化合物半導体混晶の成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11268996A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7453096B2 (en) | 2001-03-27 | 2008-11-18 | Ricoh Company, Ltd. | Method of fabricating a semiconductor light-emitting device |
| US7518161B2 (en) | 2001-03-27 | 2009-04-14 | Ricoh Company, Ltd. | Semiconductor light-emitting device, surface-emission laser diode, and production apparatus thereof, production method, optical module and optical telecommunication system |
| JP2009281944A (ja) * | 2008-05-23 | 2009-12-03 | Meidensha Corp | 基板温度測定方法とその装置及びプロセス制御方法とそのシステム |
| JP2010258134A (ja) * | 2009-04-23 | 2010-11-11 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 量子井戸構造、半導体レーザ、化合物半導体層を製造する方法及びｍｂｅ装置の状態を管理する方法 |
| US7968362B2 (en) | 2001-03-27 | 2011-06-28 | Ricoh Company, Ltd. | Semiconductor light-emitting device, surface-emission laser diode, and production apparatus thereof, production method, optical module and optical telecommunication system |
-
1998
- 1998-03-19 JP JP9249998A patent/JPH11268996A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7453096B2 (en) | 2001-03-27 | 2008-11-18 | Ricoh Company, Ltd. | Method of fabricating a semiconductor light-emitting device |
| US7518161B2 (en) | 2001-03-27 | 2009-04-14 | Ricoh Company, Ltd. | Semiconductor light-emitting device, surface-emission laser diode, and production apparatus thereof, production method, optical module and optical telecommunication system |
| US7968362B2 (en) | 2001-03-27 | 2011-06-28 | Ricoh Company, Ltd. | Semiconductor light-emitting device, surface-emission laser diode, and production apparatus thereof, production method, optical module and optical telecommunication system |
| US8293555B2 (en) | 2001-03-27 | 2012-10-23 | Ricoh Company, Ltd. | Semiconductor light-emitting device, surface-emission laser diode, and production apparatus thereof, production method, optical module and optical telecommunication system |
| JP2009281944A (ja) * | 2008-05-23 | 2009-12-03 | Meidensha Corp | 基板温度測定方法とその装置及びプロセス制御方法とそのシステム |
| JP2010258134A (ja) * | 2009-04-23 | 2010-11-11 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 量子井戸構造、半導体レーザ、化合物半導体層を製造する方法及びｍｂｅ装置の状態を管理する方法 |
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|---|---|---|---|
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040413 |
|
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