DE1281404B - Verfahren zur Herstellung einer halbleitenden Verbindung mit zwei oder mehr Komponenten - Google Patents
Verfahren zur Herstellung einer halbleitenden Verbindung mit zwei oder mehr KomponentenInfo
- Publication number
- DE1281404B DE1281404B DES70592A DES0070592A DE1281404B DE 1281404 B DE1281404 B DE 1281404B DE S70592 A DES70592 A DE S70592A DE S0070592 A DES0070592 A DE S0070592A DE 1281404 B DE1281404 B DE 1281404B
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- components
- compound
- elements
- compounds
- alkyls
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F9/00—Making metallic powder or suspensions thereof
- B22F9/16—Making metallic powder or suspensions thereof using chemical processes
- B22F9/30—Making metallic powder or suspensions thereof using chemical processes with decomposition of metal compounds, e.g. by pyrolysis
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B19/00—Selenium; Tellurium; Compounds thereof
- C01B19/007—Tellurides or selenides of metals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B25/00—Phosphorus; Compounds thereof
- C01B25/06—Hydrogen phosphides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G30/00—Compounds of antimony
- C01G30/008—Sulfides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C1/00—Making non-ferrous alloys
- C22C1/007—Preparing arsenides or antimonides, especially of the III-VI-compound type, e.g. aluminium or gallium arsenide
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
- C01P2002/70—Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
- C01P2006/60—Optical properties, e.g. expressed in CIELAB-values
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/056—Gallium arsenide
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/065—Gp III-V generic compounds-processing
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S420/00—Alloys or metallic compositions
- Y10S420/903—Semiconductive
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLAND DEUTSCHES 41W1W PATENTAMT
Int. Cl.:
Nummer:
Aktenzeichen:
Anmeldetag:
Auslegetag:
Aktenzeichen:
Anmeldetag:
Auslegetag:
BOIj
Deutsche Kl.: 12 g -1/01
P 12 81 404.9-41 (S 70592)
28. September 1960
31. Oktober 1968
Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung einer halbleitenden Verbindung mit zwei
oder mehr Komponenten aus der Gasphase durch thermischen Abbau von Verbindungen mindestens
einer der Komponenten, das dadurch gekennzeichnet ist, daß mindestens eine der Komponenten als Alkyl
und die übrigen Komponenten als Metallalkylhydride oder Elemente eingesetzt werden und daß der thermische
Abbau unterhalb 400° C erfolgt. Hierbei empfiehlt es sich, die Alkyle und Metallalkylhydride
bzw. Elemente im Molverhältnis 1:1 einzusetzen. Zur Dotierung der herzustellenden Verbindung können
auch die Dotiersubstanzen als Alkyle und/oder als Metallalkylhydride und/oder als Elemente zugeführt
werden.
Bei einer besonderen Ausführungsform des Verfahrens gemäß der Erfindung wird die halbleitende
Verbindung in kompakter Form aus der Gasphase des Verbindungsgemisches der Komponenten und
gegebenenfalls der Dotiersubstanzen gewonnen. Hierbei wird so verfahren, daß das Gemisch an einer
mindestens auf die Abbautemperatur der thermisch stabilsten Verbindung erhitzten Stelle der Syntheseeinrichtung
thermisch abgebaut und dort die Verbindung in kristalliner Form niedergeschlagen wird.
Dabei kann bei mindestens einem Teil der Komponentenverbindung von einer flüssigen Mischphase
ausgegangen und diese durch Wärmezufuhr in die Dampfphase übergeführt werden. Die Verbindungen
der Komponenten und Dotiersubstanzen können aber auch einzeln in die Gasphase übergeführt und
dann gemischt werden. Das Verfahren eignet sich besonders zum Herstellen von verhältnismäßig dünnen
Schichten aus halbleitenden Verbindungen.
Verfahren zur Abscheidung von Heilbleitersubstanzen aus der Gasphase von Verbindungen dieser
Substanzen sind bereits bekannt. So wird beispielsweise bei einem bekannten Verfahren die Herstellung
von halbleitendem Material durch thermische Zersetzung von Hydriden, Alkylen oder Carbonylen der
Halbleiterkomponenten beschrieben, wobei die Alkyle oder Carbonyle jedoch nur dann eingesetzt
werden sollen, wenn die Elemente der III. Hauptgruppe des Periodischen Systems keine gasförmigen
•^f Hydride bilden.
O Die vorliegende Erfindung baut auf der über- ·*# raschenden Feststellung auf, daß die bisher bekannti—ι
gewordenen Verfahren wesentlich verbessert werden CO können, wenn zur Abscheidung aus der Gasphase
^ die Komponenten bzw. deren Verbindungen sowie ■""f die Dotiersubstanzen in der oben angegebenen Form
L-4 zugeführt werden. Insbesondere hat es sich gezeigt,
Verfahren zur Herstellung einer halbleitenden
Verbindung mit zwei oder mehr Komponenten
Verbindung mit zwei oder mehr Komponenten
Anmelder:
Siemens Aktiengesellschaft, Berlin und München, 8520 Erlangen 2, Werner-von-Siemensstr. 50
Als Erfinder benannt:
Dr. Richard Dötzer, 8500 Nürnberg
daß durch diese neue Lösung das Herstellen von halbleitenden Verbindungen mit mehr als zwei Komponenten
in einwandfrei kristalliner Form und reproduzierbar möglich ist. Überdies bereitet die Herstellung,
Reinigung und Umsetzung der meisten gas-
ao förmigen Hydride erhebliche Schwierigkeiten. Leichtflüchtige, gut darstellbare und als Flüssigkeiten durch
fraktionelle Destillation bequem zu reinigende Alkylverbindungen
sind ihnen daher vorzuziehen. Der besondere Vorteil gegenüber den bisher bekannten
Verfahren besteht unter anderem auch darin, daß die Abbautemperaturen verhältnismäßig niedrig gehalten
werden können. Dies gilt insbesondere in bezug auf die neuerdings bekanntgewordenen Verfahren
dieser Art, bei denen die Komponenten in Form von anorganischen Verbindungen, z. B. Halogen-Verbindungen,
zugeführt werden.
Die Verwendung von Alkylen als Ausgangsverbindungen führt zu besonders reinen Verbindungen,
da mit dem Herstellen dieser Verbindungen ein erheblicher Reinigungseffekt verbunden ist. Hinzu
kommt, daß diese Alkyle sich z. B. durch Destillation verhältnismäßig einfach weiter reinigen lassen. Die
schon oben erwähnte verhältnismäßig niedrige Abbautemperatur der Alkyle bringt bei allen Ausführungsformen
des erfindungsgemäßen Verfahrens erhebliche Vorteile, unter anderem auch dadurch, daß
der apparative Aufwand einfacher gehalten werden kann und Verunreinigungen durch die Apparatur
wesentlich geringer sind. Schließlich entstehen beim thermischen Abbau der Alkyle und der Synthese der
Verbindungen nur elektronisch unbedenkliche, nicht korrodierende und weitgehend inerte Nebenprodukte,
wie Kohlenwasserstoffe und Wasserstoff.
Ein weiterer Vorteil des erfindungsgemäßen Verfahrens besteht hinsichtlich der sehr einfachen und
sehr genau vorzugebenden Dotierung der halbleitenden Verbindung während der Entstehung. Die ver-
809 629/1431
Il 281 404
3 4
hältnismäßig niedrige Synthesetemperatur erlaubt AniBv-Verbindungen inerte Körper beliebiger Oberinsbesondere
auch eine homogene Überdotierung, flächengestalt als Abscheidungsträger verwendet
was für spezielle Anwendungen, z. B. für die Her- werden. Insbesondere kann das Aufwachsen auf
stellung von Tunneldioden, von großer Bedeutung einen halbleitenden kristallinen Keim, vorzugsweise
ist. Vor allem ist es möglich, die Dotierung in sehr 5 von gleicher Struktur und/oder gleicher kristalliner
einfacher Weise diskontinuierlich durchzuführen und Orientierung wie die, der herzustellenden halbleitenso
eine inhomogene Dotierung mit extrem abrupten den Verbindung, erfolgen. Auch kann die Abschei-Übergängen,
z. B. p-n-, p-n-p- oder n-p-n-Übergänge, dung z. B. in Rohren und andersgeformten Körpern
zu bilden. Auch dieser Sachverhalt ist für zahlreiche erfolgen.
Anwendungen, z. B. für die Herstellung der Tunnel- io Nach Beendigung des Abscheidungsvorganges wird
dioden, von Bedeutung. der abgeschiedene Körper im Vakuum oder im Inert-Die vorgenannten Eigenschaften und Vorteile des gasstrom abgekühlt und dann mit hochreinem Benzol,
erfindungsgemäßen Verfahrens machen es besonders η-Hexan oder einem anderen geeigneten Lösungsgeeignet
zum Herstellen von halbleitenden Verbin- mittel von eventuell noch anhaftenden Alkylen gedungen
vom Typ AniBv (deutsches Patent 970 420), 15 reinigt. Es empfiehlt sich, den Abscheidungsvorgang
von Mischkristallen (französisches Patent 1136 711) nicht bis zum völligen Verbrauch des Komponentenoder
von tertiären Nachbildungen (deutsche Auslege- gemisches durchzuführen, da sich im Gemisch evenschrift
1044 980) dieser Verbindungen oder von tuell noch vorhandene Verunreinigungen anreichern
Mischkristallen aus AmBv-Verbindungen und ihren können. Durch eine Temperung kann in an sich beternären
Nachbildungen (französisches Patent ao kannter Weise eine Beeinflussung der Struktur oder
1238 050), und zwar mit homogener oder inhomo- eine oberflächenhafte Dotierung durchgeführt wergener
Dotierung. den. Auch kann der Quarzzapfen bis zum Abschmel-An Hand nachfolgender Beispiele und der Figur zen der Verbindung aufgeheizt und diese in gewünschwird
das erfindungsgemäße Verfahren noch näher ter Form weiterverarbeitet werden,
erläutert. as Zur Durchführung einer Dotierung werden dem In der Figur ist mit 11 ein Quarzgefäß, mit 12 ein Ausgangsalkylgemisch Dotiersubstanzen als Alkyle, mit Paraffinöl 13 gefülltes Heizbad, mit 14 ein Metallalkylhydride oder auch direkt als Elemente in Rückflußkühler mit Absaugstutzen, mit 15 sind zwei dem gewünschten Umfang zugegeben.
Einlaßstutzen, und mit 16 ist ein Quarzzapfen mit Die Wahl der Abscheidungsbedingungen, insbesoneiner Glühspirale 17 zur Innenbeheizung bezeichnet. 30 dere der zur Anwendung gelangenden Abbautempe-Bei 18 ist das Reaktionsgemisch angedeutet. An- raturen, der Partialdampfdrücke der Verbindungen schlußstutzen zur Schutzgasbespülung, Zuführung und auch die geometrischen Verhältnisse, z. B. die von Komponentenverbindungen oder Dotiersub- räumliche Lage der Aufwachsfläche, können in weistanzen u. dgl. sind der Übersicht halber nicht an- ten Grenzen variieren und damit die physikalischen gegeben. 35 Eigenschaften der abgeschiedenen Verbindung erheb-
erläutert. as Zur Durchführung einer Dotierung werden dem In der Figur ist mit 11 ein Quarzgefäß, mit 12 ein Ausgangsalkylgemisch Dotiersubstanzen als Alkyle, mit Paraffinöl 13 gefülltes Heizbad, mit 14 ein Metallalkylhydride oder auch direkt als Elemente in Rückflußkühler mit Absaugstutzen, mit 15 sind zwei dem gewünschten Umfang zugegeben.
Einlaßstutzen, und mit 16 ist ein Quarzzapfen mit Die Wahl der Abscheidungsbedingungen, insbesoneiner Glühspirale 17 zur Innenbeheizung bezeichnet. 30 dere der zur Anwendung gelangenden Abbautempe-Bei 18 ist das Reaktionsgemisch angedeutet. An- raturen, der Partialdampfdrücke der Verbindungen schlußstutzen zur Schutzgasbespülung, Zuführung und auch die geometrischen Verhältnisse, z. B. die von Komponentenverbindungen oder Dotiersub- räumliche Lage der Aufwachsfläche, können in weistanzen u. dgl. sind der Übersicht halber nicht an- ten Grenzen variieren und damit die physikalischen gegeben. 35 Eigenschaften der abgeschiedenen Verbindung erheb-
Zum Herstellen einer A111BV-Verbindung in korn- lieh beeinflußt werden.
pakter Form werden in eine Einrichtung der vor- Das vorstehend allgemein beschriebene Verfah-
stehend beschriebenen Art die durch fraktionierte rensbeispiel für das Herstellen von AinBv-Verbin-
Destillation hochgereinigten Alkyle oder Alkyl- düngen in kompakter Form wird noch durch die
hydride, der Komponenten, z. B. vom Typ Me111R3, 40 nachstehenden Beispiele ergänzt.
Me^R3, MeIHR2H, MeVR2H, oder Elemente, vor-
Me^R3, MeIHR2H, MeVR2H, oder Elemente, vor-
zugsweise im Molverhältnis 1:1, unter Inertgas- Beispiel 1
atmosphäre, z. B. Stickstoff oder Argon, zusammen- In einem senkrecht stehenden Quarzrohr von etwa
gegeben. Mit Me1'11 und MeY ist jeweils das Element 40 mm lichter Weite wird eine geätzte, in 111-Rich-
der III. bzw. V. Gruppe des Periodensystems und 45 tung orientierte GaAs-Einkristallscheibe von 12,5 mm
mit R ein Alkylrest bezeichnet. Durchmesser und 0,8 mm Dicke von außen auf 380° C
Bei schwacher bis starker Wärmetönung entstehen aufgeheizt. Unterhalb der GaAs-Scheibe befindet sich
dabei farblose Flüssigkeiten oder farblose kristalline auf 370° C erhitztes elementares Arsen im Abstand
Körper. Unter vermindertem Druck, z. B. bei einem von 10 mm, das einen nach oben und zur Wandung
Wasserstrahlvakuum, werden die Verbindungen 50 des Reaktionsrohres gerichteten As-Dampfstrom ab-
durch Wärmezufuhr über das Heizbad zum lang- gibt. Senkrecht von oben strömt gleichzeitig auf die
samen kontinuierlichen Verdampfen gebracht, und GaAs-Scheibe ein bei 20° C mit Ga-triäthyl belade-
das Dampfgemisch wird am heißen Quarzzapfen ner Wasserstoffstrom mit einer Strömungsgeschwin-
thermisch zu der Verbindung MeniMev, zu Kohlen- digkeit von 1,8 l/Stunde. Auf der GaAs-Scheibe schei-
wasserstoffen und Wasserstoff abgebaut. Die Ver- 55 det sich unter diesen Bedingungen in 40 Minuten eine
bindung wächst kompakt und kristallin auf den etwa 30 μ dicke Schicht von feinkristallinem GaAs
Quarzzapfen 16 auf, während die anderen leicht- ab. Durch Röntgenstrukturanalyse wird die aufge-
flüchtigen Abbauprodukte fortlaufend abgepumpt wachsene Schicht eindeutig als GaAs identifiziert,
werden. Durch eine richtige Bemessung der Tempe- . .
ratur des Rückflußkühlers wird das Abziehen noch 60 Beispiel 2
nicht abgebauter Alkyle oder Alkylhydride verhin- Durch fraktionierte Destillation hochgereinigtes,
dert und dadurch eine hohe Ausbeute gesichert. Zu- auf 110° C aufgeheiztes Zink-diäthyl wird mittels
sätzlich können in den Absaugweg eingeschaltete eines Inertgasstromes in ein Reaktionsrohr eingeführt
Kühlfallen zur Rückgewinnung von flüchtigen Metall- und diesem Dampfstrom ein mit Stickstoff oder Ar-
alkylen und Kohlenwasserstoffen dienen. 65 gon verdünnter Sauerstoffstrom beigemischt. Das Re-
An Stelle des beheizten Quarzzapfens können auch aktionsrohr ist auf 170° C bis 200° C aufgeheizt. Der
andere auf die erforderliche Abbautemperatur auf- verdünnte Sauerstoff kann unmittelbar in dem durch
heizbare und gegenüber den Alkylen und den die Temperatur von 180° C bestimmten Abbaube-
reich des Zink-diäthyls zugeführt werden. Es entsteht
unmittelbar ein weißes, sehr feinteiliges Pulver, das röntgenographisch als hexagonales ZnO mit einer
Teilchengröße von 7OA identifiziert wird. Die Ausbeute liegt bei etwa 80% der Theorie, bezogen auf
das eingesetzte Zink-diäthyl.
Claims (6)
1. Verfahren zur Herstellung einer halbleitenden Verbindung mit zwei oder mehr Komponenten
aus der Gasphase durch thermischen Abbau von Verbindungen mindestens einer der Komponenten,
dadurch gekennzeichnet, daß mindestens eine der Komponenten als Alkyl und die übrigen Komponenten als Metallalkylhydride
oder Elemente eingesetzt werden und daß der thermische Abbau unterhalb 400° C erfolgt.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Alkyle und Alkylhydride
bzw. Elemente jeweils im Molverhältnis 1:1 ein- ao gesetzt werden.
3. Verfahren nach den Ansprüchen 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Gemisch der
Verbindung bzw. Verbindungen und Elemente an einer mindestens auf die Abbautemperatur der
thermisch stabilsten Verbindung erhitzten Stelle der Syntheseeinrichtung thermisch abgebaut wird
und dort die halbleitende Verbindung in kristalliner Form niedergeschlagen wird.
4. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß bei mindestens
einem Teil der Komponentenverbindung von einer flüssigen Mischungsphase ausgegangen und diese
durch Wärmezufuhr in die Dampfphase übergeführt wird.
5. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß zur Dotierung der
herzustellenden Verbindung die Dotiersubstanzen als Alkyle und/oder Metallalkylhydride und/oder
als Elemente zugeführt werden.
6. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Verbindungen
der Komponenten und Dotiersubstanzen einzeln in die Gasphase übergeführt und anschließend gemischt
werden.
In Betracht gezogene Druckschriften:
österreichische Patentschrift Nr. 211 792.
österreichische Patentschrift Nr. 211 792.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
809 629/1431 10. 6» ® Bundesdruckerei Berlin
Priority Applications (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
NL269557D NL269557A (de) | 1960-09-28 | ||
DE19601667268 DE1667268C3 (de) | 1960-09-28 | 1960-09-28 | Ve.rfahren zur Herstellung von pulverfbrmigen, halbleitenden Verbindungen mit zwei oder mehr Komponenten. Ausscheidung aus: 1281404 |
DES70592A DE1281404B (de) | 1960-09-28 | 1960-09-28 | Verfahren zur Herstellung einer halbleitenden Verbindung mit zwei oder mehr Komponenten |
CH1035461A CH441240A (de) | 1960-09-28 | 1961-09-06 | Verfahren zum Herstellen einer halbleitenden Verbindung aus zwei oder mehreren Komponenten |
BE608496A BE608496A (fr) | 1960-09-28 | 1961-09-25 | Procédé de fabrication d'un composé semi-conducteur comportant deux ou plus de deux composants. |
FR874342A FR1309283A (fr) | 1960-09-28 | 1961-09-27 | Procédé de fabrication d'un composé semi-conducteur comportant deux ou plus de deux composants |
US141488A US3342551A (en) | 1960-09-28 | 1961-09-28 | Method and apparatus for producing a semiconducting compound of two or more components |
GB34990/61A GB1010063A (en) | 1960-09-28 | 1961-09-28 | Method of preparing semi-conducting substances |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DES70592A DE1281404B (de) | 1960-09-28 | 1960-09-28 | Verfahren zur Herstellung einer halbleitenden Verbindung mit zwei oder mehr Komponenten |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1281404B true DE1281404B (de) | 1968-10-24 |
Family
ID=7501851
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DES70592A Pending DE1281404B (de) | 1960-09-28 | 1960-09-28 | Verfahren zur Herstellung einer halbleitenden Verbindung mit zwei oder mehr Komponenten |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3342551A (de) |
BE (1) | BE608496A (de) |
CH (1) | CH441240A (de) |
DE (1) | DE1281404B (de) |
GB (1) | GB1010063A (de) |
NL (1) | NL269557A (de) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3492175A (en) * | 1965-12-17 | 1970-01-27 | Texas Instruments Inc | Method of doping semiconductor material |
US3462323A (en) * | 1966-12-05 | 1969-08-19 | Monsanto Co | Process for the preparation of compound semiconductors |
SU570239A1 (ru) * | 1976-02-12 | 1979-02-10 | Институт химии АН СССР | "Способ получени кристаллических соединений а1у ву14 |
US4594264A (en) * | 1984-11-20 | 1986-06-10 | Hughes Aircraft Company | Method for forming gallium arsenide from thin solid films of gallium-arsenic complexes |
US4814203A (en) * | 1986-09-29 | 1989-03-21 | Ethyl Corporation | Vapor deposition of arsenic |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
AT211792B (de) * | 1953-10-02 | 1960-11-10 | Int Standard Electric Corp | Verfahren zur Herstellung von Kristalliten oder einem Einkristall aus einen Gehalt an Störstoffen besitzendem halbleitendem Material bzw. von Halbleiterlegierungen |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2020298A (en) * | 1935-11-12 | Cyclic ester | ||
US2464685A (en) * | 1946-12-02 | 1949-03-15 | Diamond Alkali Co | Continuous grignard method |
US2980500A (en) * | 1958-04-25 | 1961-04-18 | Monsanto Chemicals | Method for the preparation of semiconductor cadmium compounds |
US3010792A (en) * | 1959-08-31 | 1961-11-28 | Union Carbide Corp | Preparation of indium phosphide |
-
0
- NL NL269557D patent/NL269557A/xx unknown
-
1960
- 1960-09-28 DE DES70592A patent/DE1281404B/de active Pending
-
1961
- 1961-09-06 CH CH1035461A patent/CH441240A/de unknown
- 1961-09-25 BE BE608496A patent/BE608496A/fr unknown
- 1961-09-28 GB GB34990/61A patent/GB1010063A/en not_active Expired
- 1961-09-28 US US141488A patent/US3342551A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
AT211792B (de) * | 1953-10-02 | 1960-11-10 | Int Standard Electric Corp | Verfahren zur Herstellung von Kristalliten oder einem Einkristall aus einen Gehalt an Störstoffen besitzendem halbleitendem Material bzw. von Halbleiterlegierungen |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US3342551A (en) | 1967-09-19 |
NL269557A (de) | |
GB1010063A (en) | 1965-11-17 |
BE608496A (fr) | 1962-01-15 |
CH441240A (de) | 1967-08-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE3230727C2 (de) | Verfahren zum Herstellen von Einkristallen aus Siliziumkarbid SiC | |
DE1023889B (de) | Verfahren zur Herstellung reinster kristalliner Substanzen, vorzugsweise Halbleitersubstanzen | |
DE2840331A1 (de) | Verfahren zum aufbringen einer halbleitenden verbindung von elementen der gruppen iii und v des periodensystems | |
DE3620329A1 (de) | Verfahren zur herstellung von einkristall-substraten aus siliciumcarbid | |
DE3446956A1 (de) | Verfahren zum herstellen eines einkristall-substrates aus siliciumcarbid | |
DE69712520T2 (de) | Züchtung von siliziumkarbid einkristallen | |
DE2648275A1 (de) | Einkristallzuechtungsverfahren fuer ii-vi- und iii-v-verbindungshalbleiter | |
DE1281404B (de) | Verfahren zur Herstellung einer halbleitenden Verbindung mit zwei oder mehr Komponenten | |
DE2806070C2 (de) | Hartstoff aus BCN und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE1188555B (de) | Verfahren zur Herstellung hochreiner kristalliner Koerper aus Nitriden, Phosphiden oder Arseniden der III. Hauptgruppe des Periodensystems | |
DE1265716C2 (de) | Verfahren zum Herstellen von AB-Verbindungen in kristalline Form | |
DE1176102B (de) | Verfahren zum tiegelfreien Herstellen von Galliumarsenidstaeben aus Galliumalkylen und Arsenverbindungen bei niedrigen Temperaturen | |
DE1444502B2 (de) | Verfahren zur Regelung der Schärfe von an Galliumarsenid-Einkristallen zu bildenden pn-übergängen | |
DE2040761A1 (de) | Infrarotempfindliches photoleitendes Halbleiterbauelement und Verfahren zum Herstellen dieses Halbleiterbauelementes | |
DE1719498A1 (de) | Epitaxialwachstum von Galliumarsenid | |
DE1519812B1 (de) | Verfahren und vorrichtung zum herstellen epitaktisch auf einer einkristallinen unterlage aufgewachsener schichten aus germanium | |
DE1519892A1 (de) | Verfahren zum Herstellen von hochreinen kristallinen,insbesondere einkristallinen Materialien | |
DE3616358C2 (de) | Verfahren zum Aufwachsen einer GaAs-Einkristallschicht | |
DE1254607B (de) | Verfahren zum Herstellen von einkristallinen Halbleiterkoerpoern aus der Gasphase | |
DE1042553B (de) | Verfahren zur Herstellung von Silicium grosser Reinheit | |
DE1267198C2 (de) | Verfahren zum Herstellen einer halbleitenden Verbindung | |
DE1544265A1 (de) | Verfahren zum Herstellen von epitaktischen Aufwachsschichten aus binaeren,halbleitenden Verbindungen | |
AT250441B (de) | Verfahren zum Herstellen von kristallinem vorzugsweise einkristallinem Silizium | |
DE1045995B (de) | Verfahren zur Herstellung von reinstem Silicium | |
AT211792B (de) | Verfahren zur Herstellung von Kristalliten oder einem Einkristall aus einen Gehalt an Störstoffen besitzendem halbleitendem Material bzw. von Halbleiterlegierungen |