DE1188555B - Verfahren zur Herstellung hochreiner kristalliner Koerper aus Nitriden, Phosphiden oder Arseniden der III. Hauptgruppe des Periodensystems - Google Patents

Verfahren zur Herstellung hochreiner kristalliner Koerper aus Nitriden, Phosphiden oder Arseniden der III. Hauptgruppe des Periodensystems

Info

Publication number
DE1188555B
DE1188555B DEW27823A DEW0027823A DE1188555B DE 1188555 B DE1188555 B DE 1188555B DE W27823 A DEW27823 A DE W27823A DE W0027823 A DEW0027823 A DE W0027823A DE 1188555 B DE1188555 B DE 1188555B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
iii
periodic table
main group
production
arsenides
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DEW27823A
Other languages
English (en)
Inventor
Dr Eduard Enk
Dr Herbert Jacob
Dr Julius Nickl
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Wacker Chemie AG
Original Assignee
Wacker Chemie AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Wacker Chemie AG filed Critical Wacker Chemie AG
Priority to DEW27823A priority Critical patent/DE1188555B/de
Priority to US103833A priority patent/US3077384A/en
Priority to FR860148A priority patent/FR1292435A/fr
Priority to GB16691/61A priority patent/GB990026A/en
Priority to BE603625A priority patent/BE603625A/fr
Publication of DE1188555B publication Critical patent/DE1188555B/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
    • C30B11/04—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt
    • C30B11/08—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt every component of the crystal composition being added during the crystallisation
    • C30B11/12—Vaporous components, e.g. vapour-liquid-solid-growth
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B19/00—Selenium; Tellurium; Compounds thereof
    • C01B19/007—Tellurides or selenides of metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B25/00—Phosphorus; Compounds thereof
    • C01B25/06—Hydrogen phosphides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
    • C01B32/90—Carbides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/06—Metal silicides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B35/00—Boron; Compounds thereof
    • C01B35/02—Boron; Borides
    • C01B35/04—Metal borides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
    • C01G1/00—Methods of preparing compounds of metals not covered by subclasses C01B, C01C, C01D, or C01F, in general
    • C01G1/12—Sulfides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C1/00—Making non-ferrous alloys
    • C22C1/007—Preparing arsenides or antimonides, especially of the III-VI-compound type, e.g. aluminium or gallium arsenide
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
    • C30B11/04—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt
    • C30B11/06—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt at least one but not all components of the crystal composition being added
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
    • C30B11/04—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt
    • C30B11/08—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt every component of the crystal composition being added during the crystallisation
    • C30B11/10—Solid or liquid components, e.g. Verneuil method
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
    • Y10S117/906—Special atmosphere other than vacuum or inert
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/056—Gallium arsenide
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S420/00—Alloys or metallic compositions
    • Y10S420/903—Semiconductive

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Silicates, Zeolites, And Molecular Sieves (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Description

BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLAND
DEUTSCHES
PATENTAMT
AUSLEGESCHRIFT
Int. α.:
BOIj
Deutsche Kl.: 12 c-2
Nummer: 1188 555
Aktenzeichen: W 27823 IV c/12 c
Anmeldetag: 10. Mai 1960
Auslegetag: 11. März 1965
Es ist bekannt, hochreine Verbindungen mit Halbleitereigenschaften dadurch herzustellen, daß eine der Komponenten in einem Gefäß aufgeschmolzen und die andere gas- oder dampfförmig der Schmelze zugeführt wird. Bei diesen Verfahren berührt die Schmelze stets die Gefäßwände. Da die Reinheit der Gefäßwände über Art und Menge der Verunreinigungen in der hergestellten Verbindung entscheidet, ist die Verwendung all jener Verfahren, bei denen die Schmelze Gefäßwände berührt, durch die Reinheit der Gefäßmaterialien begrenzt.
Ein weiterer Nachteil der bekannten Verfahren liegt in der Begrenzung der äußeren Form der hergestellten Verbindung durch die Form des Gefäßes. So können beispielsweise zylindrische Stäbe nur hergestellt werden, wenn in Röhren gearbeitet wird. Dies hat jedoch den Nachteil, daß die Schmelze verhältnismäßig viel Gefäßmaterial berührt und Verunreinigungen aufnimmt.
Die Halbleitertechnik, die optische Industrie und viele andere Industriezweige suchen vor allem z.B. II-VI-, III-V- oder IV-IV-Verbindungen mit extrem geringen Verunreinigungen. Die Mehrzahl dieser Verbindungen besitzt eine flüchtige Komponente, so vor allem die Nitride, Phoshide, Arsenide, Selenide·, und Sulfide, d.h. unter den Bedingungen der Verbindungsbildung weist eine der Komponenten eine größere Flüchtigkeit auf als die andere. So beträgt z. B. der Dampfdruck von Arsen bei der Bildung von Galliumarsenid aus Gallium und Arsen etwa 1 Atmosphäre, während der Galliumdruck nicht meßbar ist.
Es wurde nun ein Verfahren gefunden zur Herstellung hochreiner kristalliner Körper aus Nitriden, Phosphiden oder Arseniden der III. Hauptgruppe des Periodensystems der chemischen Elemente durch chemische Reaktion von dampfförmigem Stickstoff, Phosphor oder Arsen mit in einem Tiegel geschmolzenen Element der ΠΙ. Hauptgruppe des Periodensystems. Das Verfahren ist dadurch gekennzeichnet, daß das feste Reaktionsprodukt und nicht umgesetzte Schmelze mittels einer oder mehrerer fester Körper aus gleichem oder inertem Material nach oben weggezogen und zonengeschmolzen wird.
Für das Verfahren ist es wesentlich, daß von einem festen Keim bzw. Impfling ausgegangen wird. Dieser Keim kann aus dem gleichen oder einem anderen Material als die herzustellende Verbindung bestehen. Ist er polykristallin, so eignet er sich bevorzugt zur Herstellung von polykristallinen Körpern, besitzt er einen einkristallinen Aufbau, so ist es möglich, einkristalline Körper aufzubauen.
Verfahren zur Herstellung hochreiner
kristalliner Körper aus Nitriden, Phosphiden
oder Arseniden der III. Hauptgruppe des
Periodensystems
Anmelder:
Wacker-Chemie G. m. b. H.,
München 22, Prinzregentenstr. 22
Als Erfinder benannt:
Dr. Eduard Enk,
Dr. Herbert Jacob,
Dr. Julius Nicki, Burghausen (Obb.)
Die Arbeitsweise ist auch verschiedenartig variier-J bar und anpassungsfähig. So ist das Verfahren nicht nur für die Herstellung von Verbindungen geeignet,, die Halbleitereigenschaften besitzen. Auch Verbin-, düngen mit anderen dominierenden Eigenschaften,' wie- z.B. mechanischen, magnetischen, optischen,
>5 katalytischem thermischen, lassen sich damit herstellen.
Als nichtflüchtige Ausgangsprodukte werden Elemente der III. Hauptgruppe des Periodensystems eingesetzt. Dabei kann der nichtflüchtige Anteil der Schmelze flüssig oder fest zugeführt werden. Bei diskontinuierlicher Zufuhr ist es möglich, Bereiche verschiedener Zusammensetzung zu bilden. Dies kann auch dadurch erreicht werden, daß die flüchtigen Ausgangsprodukte bei verschiedenem Druck oder unterschiedlicher Strömungsgeschwindigkeit oder Konzentration der Schmelze zugeführt werden.
Das direkte Erhitzen der Schmelze bzw. Schmelzzone erfolgt vorteilhafterweise mittels elektrischer Hochfrequenz. Jedoch ist auch eine Heizung mittels elektrischem S'tromdurchgang, Wärmestrahlung oder -konvektion, Elektronenbombardement oder Kombination der genannten Erhitzungsarten möglich. Wenn die Kondensationstemperatur der flüchtigen Komponente oberhalb Raumtemperatur liegt, so ist es meist notwendig, die Gefäßwände ebenfalls zu erhitzen und auf einer anderen Temperatur zu halten als die Schmelze. Zum Erhitzen der Gefäßwände eignen sich Wärmestrahlung bzw. -konvektion, Heizdrahtwicklung oder sonstige leitende Überzüge, bei-
spielsweise halbleitende Oxyd- oder Metallfilme.
Das Verfahren wird so durchgeführt, daß innerhalb des geschmolzenen Materials ein Temperatur-
509 518/281
gradient aufrechterhalten wird, wobei die Oberfläche der Schmelze die höchste Temperatur besitzt. Es kann aber auch vorteilhaft so gearbeitet werden, daß beim Hochziehen des Materials die in dem Tiegel sich befindende nicht umgesetzte Messe nur an der Oberfläche aufgeschmolzen vorliegt.
Die flüchtige Komponente kann strömend oder als stationäre Gasphase an die Schmelzzone herangeführt werden. Bei strömender Arbeitsweise ist es gegebenenfalls vorteilhaft, ein inertes Gas als Trägerstoff zu benutzen. Dieses Verfahren eignet sich beispielsweise zur Herstellung von nicht stöchiometrisch zusammengesetzten Verbindungen.
Die nichtflüchtigen Komponenten können von oben, von der Seite oder von unten in fester Form als Körner, Stangen oder Drähte oder in flüssiger Form mittels Schwerkraft, Zentrifugalkraft, magnetischer und/oder elektrischer Kräfte an die Schmelze herangeführt werden.
Als Materialien für das Reaktionsgefäß eignen ao sich Quarzglas, Graphit, Siliciumcarbid, Tantal, Titan und als Dichtungsstoffe die herzustellenden Verbindungen oder zu verarbeitende Elemente, z. B. bei der Herstellung von Galliumarsenid Gallium.
Eine beispielsweise Anordnung zeigt die Zeichnung. In dem Gefäß 1 befindet sich im unteren Teil die Schmelze 2 aus Indium. Oberhalb der Schmelze wird im Gasraum 3 eine Atmosphäre aus Phosphor aufrechterhalten. Von der Seite her über den Stutzen 4 erfolgt die Zuführung von flüssigem oder festem Indium. Der Phosphor wird in diesem Falle auf einmal in der Tasche 5 vorgelegt und von dort aus mit der Temperiervorrichtung 6 auf konstanter Temperatur gehalten und somit im Raum 3 ein definierter Phosphordruck aufrechterhalten. Taucht man nun einen Indiumphosphidstab 7 von oben her in die Schmelze ein, so gelingt es, die an der Oberfläche der Schmelze 8 gebildeten Indiumsphosphidteile zusammen mit der Schmelze nach oben wegzuziehen und schließlich mit der Heizvorrichtung 9 erneut aufzuschmelzen und endgültig in Indiumphosphid umzuwandeln. Auf diese Weise gelingt es, den vorgelegten Indiumvorrat 2 kontinuierlich in hochreines Indiumphosphid umzuwandeln.
Wenn das Material nicht in vollem Umfange umgewandelt wird, so ist es möglich, mit der Heizvorrichtung 10 das Material nochmals aufzuschmelzen, wobei jedoch im Kern des Stabes ein fester Steg übrigbleibt. Auf diese Weise gelingt es, Material, vor allem Indium, das nach außen gelangt ist und noch nicht vollkommen umgewandelt ist, vollkommen in Indiumphosphid überzuführen. An die Heizvorrichtung 10 können weitere Heizvorrichtungen angeschlossen werden.

Claims (2)

Patentansprüche:
1. Verfahren zur Herstellung hochreiner kristalliner Körper aus Nitriden, Phosphiden oder Arseniden der III. Hauptgruppe des Periodensystems der chemischen Elemente durch chemische Reaktion von dampfförmigen Stickstoff, Phosphor oder Arsen mit in einem Tiegel geschmolzenen Element der III. Hauptgruppe des Periodensystems, dadurch gekennzeichnet, daß das feste Reaktionsprodukt und nicht umgesetzte Schmelze mittels eines oder mehrerer fester Körper aus gleichem oder inertem Material nach oben weggezogen und zonengeschmolzen wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß beim Hochziehen des Materials die in dem Tiegel sich befindende nicht umgesetzte Masse nur an der Oberfläche aufgeschmolzen vorliegt.
In Betracht gezogene Druckschriften:
Britische Patentschrift Nr. 809 163;
USA.-Patentschrift Nr. 2 768 914.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
509 518/281 3.65 © Bundesdruckerei Berlin
DEW27823A 1960-05-10 1960-05-10 Verfahren zur Herstellung hochreiner kristalliner Koerper aus Nitriden, Phosphiden oder Arseniden der III. Hauptgruppe des Periodensystems Pending DE1188555B (de)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DEW27823A DE1188555B (de) 1960-05-10 1960-05-10 Verfahren zur Herstellung hochreiner kristalliner Koerper aus Nitriden, Phosphiden oder Arseniden der III. Hauptgruppe des Periodensystems
US103833A US3077384A (en) 1960-05-10 1961-04-18 Process for manufacturing indium phosphide and gallium arsenide of high purity
FR860148A FR1292435A (fr) 1960-05-10 1961-04-27 Procédé de préparation de composés très purs
GB16691/61A GB990026A (en) 1960-05-10 1961-05-08 Process for the production of binary compounds of high purity
BE603625A BE603625A (fr) 1960-05-10 1961-05-10 Procédé de préparation de composés de grande pureté

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DEW27823A DE1188555B (de) 1960-05-10 1960-05-10 Verfahren zur Herstellung hochreiner kristalliner Koerper aus Nitriden, Phosphiden oder Arseniden der III. Hauptgruppe des Periodensystems

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1188555B true DE1188555B (de) 1965-03-11

Family

ID=7598758

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DEW27823A Pending DE1188555B (de) 1960-05-10 1960-05-10 Verfahren zur Herstellung hochreiner kristalliner Koerper aus Nitriden, Phosphiden oder Arseniden der III. Hauptgruppe des Periodensystems

Country Status (4)

Country Link
US (1) US3077384A (de)
BE (1) BE603625A (de)
DE (1) DE1188555B (de)
GB (1) GB990026A (de)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3260573A (en) * 1963-06-26 1966-07-12 Siemens Ag Zone melting gallium in a recycling arsenic atmosphere
US3291574A (en) * 1963-12-23 1966-12-13 Gen Motors Corp Semiconductor crystal growth from a domical projection
BE676042A (de) * 1965-02-10 1966-06-16
DE1264418B (de) * 1965-06-25 1968-03-28 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung hochreiner, silichiumfreier Einkristalle aus AB-Verbin-dungen
DE1544265A1 (de) * 1965-07-05 1970-07-09 Siemens Ag Verfahren zum Herstellen von epitaktischen Aufwachsschichten aus binaeren,halbleitenden Verbindungen
FR1473984A (fr) * 1966-01-10 1967-03-24 Radiotechnique Coprim Rtc Procédé et dispositif destinés à la fabrication de composés binaires monocristallins
US3899572A (en) * 1969-12-13 1975-08-12 Sony Corp Process for producing phosphides
US3665888A (en) * 1970-03-16 1972-05-30 Bell Telephone Labor Inc Horizontal liquid phase crystal growth apparatus
FR2175595B1 (de) * 1972-03-15 1974-09-13 Radiotechnique Compelec
US3902860A (en) * 1972-09-28 1975-09-02 Sumitomo Electric Industries Thermal treatment of semiconducting compounds having one or more volatile components
US4000030A (en) * 1975-06-09 1976-12-28 International Business Machines Corporation Method for drawing a monocrystal from a melt formed about a wettable projection
US4263064A (en) * 1980-02-19 1981-04-21 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Method of liquid phase epitaxial growth
JPS60176997A (ja) * 1984-02-23 1985-09-11 Sumitomo Electric Ind Ltd 低転位密度の３−５化合物半導体単結晶

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2768914A (en) * 1951-06-29 1956-10-30 Bell Telephone Labor Inc Process for producing semiconductive crystals of uniform resistivity
GB809163A (en) * 1953-02-14 1959-02-18 Siemens Ag Improvements in or relating to zone-melting processes and apparatus for carrying outsuch processes

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2871100A (en) * 1955-07-22 1959-01-27 Rca Corp Method of preparing indium phosphide

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2768914A (en) * 1951-06-29 1956-10-30 Bell Telephone Labor Inc Process for producing semiconductive crystals of uniform resistivity
GB809163A (en) * 1953-02-14 1959-02-18 Siemens Ag Improvements in or relating to zone-melting processes and apparatus for carrying outsuch processes

Also Published As

Publication number Publication date
GB990026A (en) 1965-04-22
BE603625A (fr) 1961-11-10
US3077384A (en) 1963-02-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE112009000360B4 (de) Verfahren zum Wachsen eines Siliziumkarbideinkristalls
DE69736155T2 (de) Nitrid-Einkristall und Verfahren zu seiner Herstellung
DE1188555B (de) Verfahren zur Herstellung hochreiner kristalliner Koerper aus Nitriden, Phosphiden oder Arseniden der III. Hauptgruppe des Periodensystems
EP1567696A1 (de) Verfahren und vorrichtung zur ein-einkristall-herstellung mit gasdurchlässiger tiegelwand
DE3620329C2 (de)
DE1134459B (de) Halbleiterbauelement mit einem Halbleiterkoerper aus Silizium
DE1911715B2 (de) Verfahren zur Herstellung eines Verbindungshalbleiters
DE1185293B (de) Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung
DE2122192B2 (de) Verfahren zur Vorbehandlung von beim Züchten von halbleitenden Kristallen als Einschließungsmittel verwendetem Boroxid
DE1094710C2 (de) Verfahren zur Zuechtung von Einkristallen durch tiegelfreies Zonenschmelzen
DE1719024A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines Stabes aus Halbleitermaterial fuer elektronische Zwecke
DE60036197T2 (de) Verfahren und vorrichtung zur herstellung von einkristallen aus siliciumcarbid
DE1161036B (de) Verfahren zur Herstellung von hochdotierten AB-Halbleiterverbindungen
DE1273484B (de) Verfahren zum Herstellen von reinem, gegebenenfalls dotiertem Halbleitermaterial mittels Transportreaktionen
DE1261842B (de) Verfahren zum Herstellen von hochreinem Silicium
DE3616358C2 (de) Verfahren zum Aufwachsen einer GaAs-Einkristallschicht
DE2116746C3 (de) Verfahren zum Herstellen von Halbleiterstäben durch thermische Zersetzung einer Halbleiterverbindung
DE1519892A1 (de) Verfahren zum Herstellen von hochreinen kristallinen,insbesondere einkristallinen Materialien
DE1519804B2 (de) Verfahren zum Aufwachsen einen Schicht aus Halbleitermaterial auf einen Keimkristall
DE1281404B (de) Verfahren zur Herstellung einer halbleitenden Verbindung mit zwei oder mehr Komponenten
DE1301799B (de) Verfahren zur Herstellung von hochreinen, halbleitenden A B-Verbindungen, insbesondere von Galliumarsenid
DE1254607B (de) Verfahren zum Herstellen von einkristallinen Halbleiterkoerpoern aus der Gasphase
DE2060673C3 (de) Vorrichtung zur Herstellung von Phosphiden
DE1232558B (de) Verfahren zum Herstellen von kristallinem, insbesondere einkristallinem Bor
DE1211593B (de) Verfahren zur tiegelfreien Herstellung hochreiner, elektrisch halbleitender, kristalliner Verbindungen