DE2434988A1

DE2434988A1 - Verfahren zum aufbringen einer feststoff-lage auf ein substrat sowie in verbindung mit einem solchen verfahren aufgebrachtes halbleitermaterial

Info

Publication number: DE2434988A1
Application number: DE2434988A
Authority: DE
Inventors: Maurice H Francombe; Alexander J Noreika
Original assignee: Westinghouse Electric Corp
Current assignee: CBS Corp
Priority date: 1973-07-23
Filing date: 1974-07-20
Publication date: 1975-02-06
Also published as: CA1036470A; JPS5044777A; FR2239016A1; GB1468948A; US3979271A

Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf die Herstellung von Halbleitermaterialien und insbesondere auf Halbleitermaterialien mit Komponenten oder Zusammensetzungen, die sich von herkömmlichen Halbleitermaterialien unterscheiden.

Bei der Herstellung bestimmter Halbleiter-Bauelemente ist es von entscheidender Bedeutung, daß die Möglichkeit besteht, die Parameter wie den Bandabstand, Ladungsträger-Beweglichkeit und den Wärmeleitwert von Halbleitermaterialien verändern zu können. Praktisch geht es dabei um die Herstellung neuer Halbleitermaterialien. Bauelemente wie Infrarotfilter und -Detektoren, sichtbares und infrarotes Licht emittierende Dioden und Bauelemente mit übergängen entgegengesetzter Leitfähigkeit, die bestimmte Fähigkeiten haben sollen, erfordern Halbleitermaterialien mit Eigenschaften, die zwischen dem Bereich oder außerhalb des Bereiches herkömmlicher Halbleitermaterialien liegen. Ein zur Erzielung dieser nicht herkömmlichen Eigenschaften verwendetes. Verfahren erfordert die Bildung.einer Feststofflösung aus zwei oder mehr Halbleitermaterialien.

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Ungünstigerweise weisen viele legierte Halbleitermateralien, die Eigenschaften von erheblichem Interesse im Hinblick auf die Herstellung bestimmter gewünschter Bauelemente haben, Komponenten auf, die sich nicht ohne weiteres oder so gut wie gar nicht mischen lassen. Es ist eine Glühbehandlung über Monate oder langer erforderlich, um ein gewisses Gleichgewicht für diese Halbleitermaterialien und für verschiedene Zusammensetzungsbereiche dieser Halbleitermaterialien zu erzielen. Beispielsweise benötigen InAs Sb₁ -Legierun-

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gen, die gegenüber Strahlung zwischen 3 - 12 ,u empfindlich und für infrarotes Licht emittierende Dioden und -Detektoren wertvoll sind, etwa drei Monate Glühbehandlung (vgl. Woolley, J. C. und Smith, B. A., Proc. Phys. Soc, 72, 214 (1958)). In ähnlicher Weise erfordern Ga In₁ Sb-Legierungen eine Glühbehandlungsdauer von acht Wochen, um im wesentlichen einen Gleichgewichtszustand zu erzielen (vgl. Woolley, J. C. und Smith, B. A., Proc. Phys. Soc, 72, 214 (1958)) .

Es sind zahlreiche Verfahren experimentell angewendet worden, um eine raschere Mischbarkeit für diese Materialien und Zusammensetzungsbereiche dieser Materialien zu erzielen. Bei Bulk-Materialien ist beispielsweise gerichtetes Kühlen oder Einfrieren teilweise erfolgreich gewesen, um einige Bestandteile von InAs Sb₁ zu legie-

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ren (vgl. Woolley, J. C. und Warner, J. J.,. Electrochem. Soc. 111, 1142 (1964)). Zonenrekristallisation von InAs Sb₁ -Legierungen

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hat ebenfalls zu einem gewissen Erfolg geführt, wenngleich homogene Materialien im Bereich 0,5<:x<:0,8 sich schwer erhalten ließen (vgl. Woolley, J. C. und Warner, J. J., Electrochem. Soc. 111, 1142 (1964)). Abschreck- und Czochralski-Verfahren wurden ebenfalls verwendet, um Halbleiterlegierungen zu erhalten (vgl. Hilsum, C, "Proc. of the International Conference on the Physics of Semiconductors", S. 1127, Dunod, Paris (1964) sowie Sirota, N.N. und Bolvanovich, E. I., Dokl. Akad. Nauk B.S.S.R. 11, 593 (1967)).

Ebenso ist es möglich, die Mischbarkeit einiger Materialkomponenten durch Dünnfilmverfahren zu erweitern. Beispielsweise hat sich bei der Dampfabschreckung von Metallen (vgl. Mader, S..in "The Use

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of Thin Films in Physical Investigations", Ed. J. C. Anderson, 1966, Academic Press, P. 433), gezeigt, daß das Spritz-Kühlen von , Ga in GaSb (vgl. Duwez, P., Willens, R. H. und Klement, W. Jr., J. Appl. Phys., 31, 1500 (1960) und das Entspannungs-Verdampfen von.verschiedenen III-V-Gruppen-Legierungen einschließlich (Ga, In), (As, P) und GaSb P_1- (vgl. Richards, J. L., in "The Use of Thin Films in Physical Investigations", ed. J. C. Anderson, 1966, Academic Press, S. 419) in beschränkten Zusammensetzungsbereichen homogene Legierungsschichten zwischen Komponenten erzeugen, die sich in Bulk-Form nicht ohne weiteres mischen lassen. Diese ' Schichten sind jedoch normalerweise amorph oder polykristallin und nicht epitaxial.

Die Bildung epitaxialer Schichten ist besonders wichtig, wenn die elektrischen Eigenschaften der gewünschten Bauelemente von den Halbleiter-Parametern wie Ladungsträger-Beweglichkeit, die gegenüber Löchern empfindlich sind, abhängen. Es ergab sich keine Schwierigkeit bei der Herstellung legierter Schichten der verschiedenen Halbleiterbestandteile durch Epitaxialverfahren, beispielsweise chemischen Dampfauftrag und Flüssigphasen-Epitaxie, wenn die Mischbarkeit der Komponenten sich in Bulk-Form Ohne weiteres erzielen läßt. Für andere Halbleiterkomponenten, bei denen die Mischbarkeit in Bulk-Form begrenzt ist, liefern der chemische Dampfauftrag und die Flüssigphasen-Epitaxie epitaxiale Filme von nur begrenzter Mischbarkeit (vgl. Stringfellow, G. B. und Greene, P. E., J. Electrochem. Soc., 118, 805 (1971)).

Aufgabe vorliegender Erfindung ist es, diese Beschränkungen und Nachteile zu beseitigen und eine Möglichkeit zu schaffen, im wesentlichen homogene Materialien aus den bisher als unmischbar, langsam mischbar oder teilmischbar angesehenen Halbleiterkomponentenmaterialien leicht herstellen zu können.

Zur Lösung dieser Aufgabe ist ein Verfahren zum Aufbringen einer Feststoff-Lage auf ein Substrat in einer Teilvakuum-Kammer erfindungsgemäß dadurch gekennzeichnet, daß in die Kammer ein Gas, das

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mindestens einen reaktiven Gasbestandteil mit mindestens einer Komponente zur Bildung von auf das Substrat aufzubringendem Material enthält, eingeleitet; mindestens ein Komponentenmaterial von einem Zerstäubungstarget zum Aufbringen auf das Substrat zerstäubt; gleichzeitig mit dem Zerstäuben unter Bildung des auf das Substrat aufzubringenden Materials aus dem zerstäubten Material und dem Gas das reaktive Gas mit einer elektrischen Entladung zur Reaktion gebracht; und schließlich das so gebildete Material auf das Substrat aufgebracht wird.

Ferner ist ein Halbleitermaterial mit mindestens drei aus drei Gruppen ausgewählten Komponenten erfindungsgemäß dadurch gekennzeichnet, daß mindestens eine der Komponenten aus einer ersten Gruppe ausgewählt ist, die B, Al, Ga und In umfaßt; mindestens eine weitere Komponente aus einer zweiten Gruppe ausgewählt ist, die N, P, As, Sb umfaßt; daß mindestens noch eine weitere der Komponenten aus einer dritten Gruppe ausgewählt ist, die Si, Ge, Sn umfaßt; und daß jede der Komponenten mindestens etwa 0,5 % des Materials ausmacht und alle Komponenten aus den drei Gruppen ausgewählt sind.

Nach einem weiteren Merkmal der Erfindung besteht ein Zerstäubungstarget aus einem im wesentlichen homogenen Material mit mindestens zwei Komponenten-Materialien.

Es wird ein Verfahren zum Aufbringen eines Feststoff-Lagen-Materials auf ein Substrat zur Verfügung gestellt. Materialien zur Bildung des Lagen-Stoffes werden gleichzeitig aus einem Zerstäubungstarget durch Zerstäubung und aus einem reaktiven Gas durch elektrische Entladungsreaktion gewonnen, vorzugsweise durch Anlegen einer HF-Potentialdifferenz.

Vorzugsweise wird das Verfahren zur epitaxialen Züchtung einer im wesentlichen homogenen Lage aus mindestens zwei Halbleiter-Komponenten eingesetzt. Die einzelnen Schritte umfassen die Bildung mindestens eines Zerstäubungstargets mit mindestens einem ersten Halbleiterkomponenten-Material, das Anordnen des gebildeten

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Zerstäubungstargets und eines zur epitaxialen Züchtung vorbereiteten Substrats in einem bestimmten räumlichen Abstand voneinander in einer Teilvakuum-Kammer, das Einführen mindestens einer reaktiven Gasmischung mit mindestens einem zweiten Halbleitermaterial in die Teilvakuum-Kammer, das Aufbringen des ersten Halbleiterkomponentenmaterials auf das Substrat durch Zerstäuben und gleichzeitiges zur Reaktion Bringen des reaktiven Gases durch elektrische Entladung und Aufbringen des zweiten Halbleiterkomponentenmateri-.als auf das Substrat. Dabei enthalten die Zerstäubungstargets und die reaktiven Gase alle Komponentenmaterialien, die zur Bildung . der Feststoff-Lösung von Halbleiterkomponenten, wie sie sich in der Lage finden sollen, notwendig sind, entweder unmittelbar oder durch chemische Reaktionen mit einem anderen Gas oder Targetmaterial.

Das Verfahren kann auch eingesetzt werden, um Zerstäubungstargets aus zwei oder mehr Materialien herzustellen, so daß die Materialien gleichzeitig zerstäubt (sputtered) werden können.

Darüber hinaus wurde gefunden, daß das Verfahren ohne weiteres im wesentlichen homogene Materialien aus neuartigen metastabilen Halbleitermaterialien bilden kann, die bisher als im wesentlichen unmischbar oder teilweise mischbar angesehen wurden. Zusätzlich wurden durch die Erfindung weitere neue Halbleitermaterialien hergestellt.

Die Erfindung wird nachstehend in Verbindung mit der zugehörigen Zeichnung anhand von Ausführungsbeispielen weiter erläutert. In der Zeichnung zeigen:

Fig. 1 im Schnitt eine Seitenansicht, teilweise schematisch, eines Elektrische' Entladungs-/Zerstäubungsaufbaus, wie er sich für die Durchführung und Verwirklichung der vorliegenden Erfindung eignet;

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Fig. 2 schematisch ein Ersatzschaltbild für den Zerstäubungsbetrieb der Anordnung nach Pig. 1;

Fig. 3 ein Diagramm, das die Änderung des Bandabstands und des Gitterabstands in Abhängigkeit von der prozentualen Änderung der Materialzusammensetzung und der Änderung des Teildrucks des Silangases von Galliumarsenid * und Silicium in einer Feststoff-Lage nach der Erfindung veranschaulicht;

Fig. 4 ein Diagramm, das die Änderung des Bandabstands in Abhängigkeit von der Änderung der prozentualen Zusammensetzung von Germanium und Silizium in einer Feststoff-Lage veranschaulicht; und

Fig. 5 ein Diagramm, das die Änderung des Bandabstands in Abhängigkeit von der Änderung der prozentualen Zusammensetzung von Indiumantimonid und Indiumarsenid veranschaulicht.

Im einzelnen läßt Fig. 1 eine Anordnung zur Züchtung einer Feststoff-Lage, vorzugsweise aus zwei oder mehr Halbleitermaterialien, in Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung erkennen. Eine hermetisch abgedichtete Kammer 10 weist eine zylindrische Seitenwandung 11 aus nichtporösem Material wie Metall, Glas oder rekristallisiertem Keramikmaterial auf, die typischerweise vertikal ausgerichtet ist. Kreisförmige Endplatten 12 und 13, die typischerweise aus einem elektrisch leitenden Material wie Stahl mit niedrigem Kohlenstoffgehalt oder Aluminium bestehen, sind typischerweise horizontal ausgerichtet. Die zylindrische Seitenwandung 11 ist hermetisch im Verhältnis zu den Platten 12 und 13 durch L-förmige Standard-Dichtungen 14 abgedichtet, um so ein leichtes öffnen der Kammer 10 zwecks Einbringen bzw. Entfernen von Anordnungen in die Kammer bzw. aus der Kammer zu ermöglichen.

Etwa mittig weist die Endplatte 12 einen Vakuumanschluß 15 auf, der hermetisch dicht an eine Leitung 16 über einen Flansch 17

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angeschlossen ist. Die Leitung 16 steht mit einer Standard-Öldiffusions-Vakuumpumpe (nicht dargestellt) in Verbindung, um so ein Teilvakuum in der Kammer 10 nach deren hermetischer Abdichtung aufbauen und aufrechterhalten zu können. Im Zuge der Leitung 16 findet sich zwischen der Kammer 10 und der Vakuumpumpe außerdem eine Standard-Flüssigstickstoff-Kühlfalle (nicht gezeigt) , um flüchtige Reaktionsprodukte zu beseitigen, wie sie durch die zuvor erwähnte elektrische Entladungsreaktion des reaktiven Gases gebildet werden.

In der Kammer 10 ist eine Masseelektrode 18 angeordnet. Die Masseelektrode 18 wird durch mehrere vertikale Stäbe 19 horizontal gelagert, die mit Enden 20 in Gewindelöcher 21 in der Endplatte 12 eingeschraubt sind. Die Stäbe 19 weisen außerdem mit Gewinde versehene Enden 22 auf, die sich durch Muttern 23 hindurch erstrecken, mittels deren die Stäbe 19 an der Masseelektrode 18 befestigt sind und diese Masseelektrode 18 abstützen. Die Stäbe 19 verbinden die Masseelektrode 18 elektrisch mit der Endplatte 12, die ihrerseits in der angegebenen Weise geerdet ist.

Die Masseelektrode 18 ist ringförmig gestaltet und weist in ihrem Mittelbereich einen rechteckigen Ausschnitt 24 auf. In dem Ausschnitt 24 ist eine Substrathalteanordnung 25 mit rechteckiger Gestalt durch Stäbe 26 abgestützt. Die Stäbe 26 sind elektrisch mit einer Energiequelle (nicht gezeigt) über Öffnungen 27 in der Endplatte 12 verbunden. In den Öffnungen 27 sind die Stäbe 26 durch Isolierbüchsen 28 geführt, die die Stäbe 26 gegenüber der Endplatte 12 elektrisch isolieren und zugleich für eine hermetische Abdichtung sorgen. Die Substrathalteanordnung 25 weist außerdem einen horizontal verlaufenden Probenhalter 29 mit rechteckiger Gestalt auf, der mittels Kopfschrauben 30 an den Enden der Stäbe 26 befestigt ist. Der Probenhalter 29 hat einen erhöhten dünnen mittleren Bereich (mit einer Dicke von beispielsweise 125/U) und einen dicken L-förmigen Umfangsbereich (mit einer Dicke von beispielsweise 1,5 mm), um einen Bereich hohen elektrischen Widerstands in dem mittleren Bereich zu bilden, wo das

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Substrat 33 aufruht. Die Substrathalteanordnung 25 weist ferner Federelemente 31 auf, die an dem Probenhalter 29 mittels Kopfschrauben 32 befestigt sind. Durch diese Anordnung kann das Substrat 33 in der Substrathalteanordnung 25 durch mechanisches Vorspannen der Federelemente 31 im Verhältnis zu dem Probenhalter 29 angeordnet werden. Der Probenhalter 29 ist über die Stäbe 26 elektrisch mit der Außenseite der Kammer 10 verbunden, dabei jedoch gegenüber der Endplatte 12 elektrisch isoliert.

In der Kammer 10 ist ferner eine Zerstäubungselektrodenanordnung 34 angeordnet, die etwa zentrisch durch die Endplatte 13 geführt ist. Die Zerstäubungselektrodenanordnung 34 weist eine kreisförmige Targetanordnung 35 auf, die zentrisch' zu einer hohlen Abstützplatte 37 angeordnet und mit O-Ringdichtungen 45A versehen ist, um zwischen der Abstützplatte 37 und der Targetanordnung 35 sowohl eine luft- als auch wasserdichte Abdichtung zu gewährleisten. Die Targetanordnung 35 weist eine kreisförmige Zerstäubungselektrode 36 mit einem zentrischen integralen Gewindeschaft 36A auf, über den die Zerstäubungselektrode 36 in einßn Isolierkern 38 eingeschraubt werden kann, der zentrisch in der hohlen Abstützplatte 37 angeordnet ist. Die Targetanordnung 35 enthält ferner ein Zerstäubungstarget 39, das sich über die Zerstäubungselektrode 36 hinweg erstreckt. Das Zerstäubungstarget 39 besteht aus einem Material, vorzugsweise einem oder mehreren Halbleitermaterialien, das als Lage auf das Substrat 33 aufgebracht werden soll. Die Dicke des Zerstäubungstargets 39 ist für den Zerstäubungsvorgang nicht wichtig, beträgt jedoch typischerweise etwa 3-6 mm.

Die Zerstäubungselektrodenanordnung 34 ist unter elektrischer Isolierung gegenüber der Endplatte 13 mittels Kopfschrauben 4OA befestigt, die durch die Abstützplatte 37 hindurch in die Kopfplatte 40 eingeschraubt sind, um den Isolierring 41 festzuklemmen. Der Isolierring 41 sitzt zentrisch in einer Aussparung 41A in der Endplatte 13 bzw. der Abstützplatte 37 und ist gegenüber der Endplatte 13 und der Abstützplatte 37 mittels O-Ringdichtungen 45A

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hermetisch abgedichtet. Der Isolierring 41 ist gegenüber der Endplatte 13 durch einen Spannring 42 abgedichtet und festgelegt, der am äußeren Umfang des Isolierrings 41 sitzt und mittels ihn durchsetzender, in die Endplatte 13 eingeschraubter Kopfschrauben 42A gehalten ist.

Das Kühlen der Targetanordnung 35 erfolgt mittels Wasser, das durch die von der Zerstäubungselektrode 36, der Abstützplatte 37 und die Ö-Ringdichtungen 45A gebildeten Kanäle geleitet wird. Das Wasser wird der Anordnung durch eine Leitung 43A zugeführt bzw. über eine Leitung 43B von dieser abgezogen, wobei diese Leitungen die Kopfplatte 40 durchsetzen und in den oberen Bereich der Abstützplatte 37 ausmünden, mit der sie verschweißt sind.

Um die Zerstäubungselektrodenanordnung 34 herum ist eine Abschirmung 44 angeordnet, die elektrisch gegenüber der Zerstäubungselektrodenanordnung 34 isoliert ist. Die Abschirmung 44 ist an der Endplatte 13 mittels Kopfschrauben 44A befestigt, die sich durch die Abschirmung 44 hindurch erstrecken und in die Endplatte 13 eingeschraubt sind. Über die Bodenplatte 13 liegt die Abschirmung 44 auf Massepotential. Die Abschirmung 44 erstreckt sich von der Endplatte 13 aus in Abwärtsrichtung, so daß ihre untere Stirnfläche mit der Außenfläche des Zerstäubungstargets 39 fluchtet. Durch diesen Aufbau sorgt die Abschirmung 44 für eine Unterdrückung der Entladung auf der Rückseite der Zerstäubungselektrodenanordnung 34, so daß das Zerstäuben von Metall von der Elektrodenanordnung verhindert wird. Der Abstand zwischen der Abschirmung 44 und der Zerstäubungselektrodenanordnung 34 ist kritisch, um ein Zerstäuben zu unterdrücken, wobei ein Abstand von etwa 0,5 cm geeignet ist. Der Abstand zwischen dem Zerstäubungstarget 39 und der Masseelektrode 18 ist ebenfalls im Hinblick auf die Auftraggeschwindigkeit durch Zerstäuben ebenso wie im Hinblick auf die elektrische Entladung kritisch und wird vorzugsweise auf einem Wert von etwa 2,0 cm gehalten.

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In der Kammer 10 ist außerdem eine Verschlußanordnung 46 angeordnet, die ein Verschlußelement 47 aufweist, das in horizontaler Erstreckung zwischen der Masseelektrode 18 und dem Zerstäubungstarget 39 angeordnet ist. Das Verschlußelement 47 ist an einem Stift 48 befestigt, der exzentrisch angeordnet ist und sich durch die Endplatte 12 und die Masseelektrode 18 hindurch in Aufwärtsrichtung erstreckt. Dadurch kann die Verschlußanordnung 46 das Verschlußelement 47 aus seiner Stellung zwischen der Masseelektrode 18 und dem Zerstäubungstarget 39 verschwenken, um das Substrat 33 dem Einfluß des Targetmaterials und dem Material des reaktiven Gases auszusetz-en.

An der Kammer 10 ist außerdem an einem Anschluß 49 eine Gaszuführ ungs anordnung 50 angebracht, um so für die Zufuhr von Gasen sorgen zu können, die für die elektrische Reaktion und das Zerstäuben in der Kammer 10 notwendig sind. Die GasZuführungsanordnung 50 enthält eine Mischeinrichtung 51, die mit der Endplatte 12 über den Anschluß 49 mittels eines Flansches 52 festgelegt ist. Die Mischeinrichtung 51 ist über eine Leitung 53 und ein Ventil 54 mit einem unter Druck stehenden Behälter 55 verbunden, der ein Gas wie Argon enthält, das sich zur Aufrechterhaltung der Ionisierung zur Zerstäubung eignet. Mit der Mischeinrichtung 51 ist ferner eine Leitung 56 mit einem Dreiwegventil 57 verbunden. An die beiden anderen Eingänge des Dreiwegventils 57 sind Leitungen 58 und 59 angeschlossen, die mit unter Druck stehenden Behältern 60 bzw. 61 verbunden sind. An den unter Druck stehenden Behälter 61 ist gegenüber der Leitung 59 außerdem eine Leitung 62 angeschlossen, die ihrerseits über ein Ventil 63 mit einem unter Druck stehenden Behälter 64 verbunden ist. Durch diese Anordnung kann die GasZuführungsanordnung 50 der Kammer 10 ein Gemisch aus einem Ionisierungsgas, das sich für die Zerstäubung eignet, und einem Reakt'ionsgas, das sich für die elektrische Entladungs-Reaktion eignet, zuführen. Reaktionsgase, die sich bei den in Frage kommenden Drücken im gasförmigen Zustand befinden, werden dem System durch Anordnung im Behälter 60 zugeführt. Die Reaktionsgase, die sich bei den in Frage kommenden Drücken im

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flüssigen Zustand befinden und dem System in Dampfform in einem Trägergas zugeführt werden müssen, sind in dem Behälter 61 angeordnet. Der Behälter 64 enthält ein geeignetes Trägergas wie Argon, das ,durch die im Behälter 61 angeordnete Flüssigkeit (blasenartig) hindurchgeleitet wird, sobald es zur öffnung des Ventils 63 gekommen ist.

Die Zerstäubungselektrode 36 ist über einen Kontakt 45, die Kopfplatte 40 und die Abstützplatte 37 mit einem elektrischen Potential von einer Energiequelle 65 beaufschlagt, die sowohl für das Zerstäuben des Zerstäubungstargets 39 als auch die elektrische Entladungsreaktion des reaktiven Gases sorgen kann. Das Potential ändert sich mit der Zusammensetzung oder Beschaffenheit des Zerstäubungstargets 39 und des reaktiven Gases. Typischerweise ist die Energiequelle eine HF-Quelle mit einer Spannung .von 1000 3500 V bei einer Frequenz von mehr als einigen MHz (beispielsweise 13,56 MHz) und einer Leistung von 0,5 - 5 kW. Wenn die Frequenz der angelegten Spannung zu niedrig ist, baut sich kein Gleichspannungspotential auf, weil genügend Ionen die Targetfläche während der negativen Hälfte einer Periode erreichen, um die negative Flächenladung zu neutralisieren. Je niedriger die Frequenz, desto höher muß die Spannung sein, um die zur Zerstäubung benötigte Ionisierung zu erzielen. Bei höheren Frequenzen erreichen in einer Periode nur weniger Ionen die Targetfläche, so daß wiederum die negative Vorspannung und das Feld im Dunkelraum (wie das nachstehend erläutert wird) und die Zerstäubungsgeschwindigkeiten erhöht werden. Zwischen der Energiequelle 65 und der Zerstäubungselektrode ist außerdem ein Kondensator 66 angeordnet, um das Fließen eines Gleichstroms in dem Stromkreis zu verhindern und somit den Aufbau einer negativen Vorspannung an dem Zerstäubungstarget 39 zu ermöglichen.

Die optimale Energiezufuhr hängt auch von dem Druck des ionisierenden Gases (beispielsweise Argon) und des Reaktionsgasgemisches in der Kammer sowie der Geometrie des Systems ab. Typischerweise beträgt der Druck in dem Gemisch 1-5 mTorr. Es wurden HF-Energie-

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quellen von 1 - 5 kW erfolgreich eingesetzt, wobei die höheren Energien für die größerflächigen Elektroden gedacht sind. Mit höherer Energiezufuhr werden auch höhere Auftraggeschwindigkeiten erzielt, so daß die Energiezufuhr einen der hauptsächlichen Regelparameter des Systems, zusammen mit dem Gasdruck in der Kammer 10, darstellt. In jedem Fall wird die elektrische Spannungsdifferenz an der Strecke zwischen dem Zerstäubungstarget und der Masseelektrode 18 durch Erdung der Masseelektrode 18 über die Endplatte 12 angelegt. Die Masseelektrode 18 ist mit einem typischen Durchmesser von ca. 35 cm viel größer als das Zerstäubungstarget 39, das einen typischen Durchmesser von 10 cm hat, um die gewünschte Vorspannung für das Ionenbombardement zu schaffen, so'daß es zu dem Zerstäubungs-Auftrag auf dem Substrat kommt.

Ein weiterer Regel-Parameter sowohl für die Auftragsgeschwindigkeit als auch das Ausrichtungsverhalten der aufgebrachten Lage ist die Temperatur des Substrats. Die Erhitzung erfolgt durch Hindurchleiten eines hohen elektrischen Stroms durch den Probenhalter 29 durch Anlegen eines Potentials über die Stäbe 26. Der dünne mittlere Bereich des Probenhalters 29 bildet ein Gebiet hohen Widerstands, wo das Erwärmen des Substrats erfolgen kann. Die höchsten Auftraggeschwindigkeiten werden bei den niedrigsten Substrattemperaturen erzielt. So wird die Temperatur des Substrats geregelt, um einen Ausgleich zwischen der Auftraggeschwindigkeit und der gewünschten Auftraggeschwindigkeit zu erhalten.

Das Erhitzen des Substrats ist besonders wichtig, um das Ausrichtungsverhalten der aufgebrachten Lage zu bestimmen. Bei einer niedrigeren Temperatur von typischerweise weniger als etwa 300° C ist die auf dem Substrat gebildete Lage amorph. Die Erwärmung erfolgt typischerweise auf über 300° C, um ein polykristallines Wachstum zu erhalten, und typischerweise auf über 500 C, um ein in hohem Maße ausgerichtetes epitaxiales Aufwachsen zu erhalten. Die genaue Temperatur, wie sie sich für polykristallines und epitaxiales Wachstum eignet, schwankt mit dem Substratmaterial

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und der Kristallausrichtung des verwendeten Substrats. Typischerweise wird für ein Galliumarsenid-Substrat, dessen Oberfläche eine (1,1,1)-Ausrichtung hat, oberhalb 300° C ein polykristallines Wachstum und zwischen 530 C und 650 C ein epitaxiales Wachstum erzielt. Temperaturen zwischen 530° C und 650 C lassen sich mit elektrischen Strömen im Bereich von 6 V und 200 A erzielen. Höhere Temperaturen von etwa 700 - 800° C werden möglicherweise für das epitaxiale Wachstum auf Siliziumsubstraten benötigt, jedoch ist diese Temperatur immer noch erheblich niedriger als die Temperaturen, die für epitaxiales Wachstum durch Pyrolyse (d. h. etwa 1100 - 1200° C) erforderlich sind.

Es sei auch darauf hingewiesen, daß der Aufbau der epitaxialen Lage noch von dem Kristallaufbau und der Kristallausrichtung des Substrats abhängt, wie das allgemein bekannt ist. Für eine epitaxiale Lage sollte ein Einkristallsubstrat verwendet werden, das eine angemessen enge Anpassung an den Gitteraufbau und die Gitterabmessungen der zu züchtenden Lage aufweist. Ferner sollte das Substrat vor dem Aufbringen des Materials gereinigt, geläppt und poliert werden, um Mangel in der epitaxial gezüchteten Lage auf einem Minimum zu halten. Es ist auch allgemein auf dem Gebiet der Epitaxial-Technologie bekannt, daß die Kristallausrichtung der Oberfläche des Substrats, auf der die epitaxiale Lage gezüchtet wird,, für die Wachstumsgeschwindigkeit der Lage wichtig ist. Es sei in diesem Zusammenhang darauf hingewiesen, daß wegen der Differenz in den Gitterabständen zwischen dem Substrat und der epitaxialen Lage der epitaxiale Aufbau verlorengehen kann und Spannungen in die Lage eingeführt werden können, wenn die Lage eine nennenswerte Dicke hat.

Mit Fig. 2 ist zur Veranschaulichung der Arbeitsweise der Erfindung die Ersatzschaltung für den Zerstäubungsauftrag und die Entladungsreaktion entsprechend der vorliegenden Erfindung wiedergegeben. Beim Zerstäuben, wird ein Glimmstrecke zwischen dem Zerstäubungstarget 39 und der Masseelektrode 18 durch Elektronen gebildet, die in dem elektrischen Feld so oszillieren, daß sie

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elastische Kollisionen mit Gasatomen hervorrufen, die zur Ionisierung des Gases führen. Zwischen der Elektrode und der Glimmstrecke bilden"sich Dunkelräume. Die Potentialdifferenz zwischen der Elektrode, die in erster Linie kapazitiv ist, erstreckt sich nahezu völlig über die Dunkelräume und ist durch Kondensatoren repräsentiert, wobei die Glimmstrecke sich auf einem nahezu gleichförmigen Potential befindet. Ferner hat infolge der großen Differenz hinsichtlich der Ionen- und Elektronenmobilität die Glimmstrecke stets ein höheres Potential als die Elektrodenflächen, so daß es an den Glimmstrecken-Grenzen zu einer Gleichrichterwirkung kommt, wie durch die Dioden repräsentiert. Eine gewisse Ionenleitung wird zu den Wänden und Flächen der Kammer 10 und Masseelektrode 18 sowie dem Probenhalter 29 und dem Substrat 33 gerichtet, wie mit Fig. 2 gezeigt, aber diese Leitung wird durch geeignete Bemessung des Zerstäubungstargets 39 und der Masseelektrode 18 auf einem Minimum gehalten (vgl. hierzu auch Koenig und Maissei, IBMJ. Res. Develop. 14, 168 (März 1970); Logan, IBMJ. Res. Develop'. 14, 172 (März 1970); Maissei, Jones und Standley, IBM J. Res. Develop. 14, 176 (März 1970); Logan, Maddocks und Davidse, IBMJ. Res. Develop. 14, 182 (März 1970); und Mazza, IBM J. Res. Develop. 14, 192 (März 197O)).

Die Reaktion oder Zerlegung des reaktiven Gases erfolgt ebenfalls in der Glimmstrecke. Das Oszillieren der Elektronen, das zu einer Erwärmung führt, so daß in den Gasmolekülen hohe Temperaturen erzeugt werden, verursacht ihre Reaktion und Zerlegung zu dem aufgetragenen Halbleitermaterial und einem flüchtigen Gas oder Gasen, die in das Vakuumsystem abgesaugt und in der Kühlfalle aufgefangen werden, wie oben beschrieben. Diese Reaktion und/oder Zerlegung erfolgt wiederum bei viel niedrigeren Temperaturen als sie bei pyrolytischer Zerlegung benötigt werden, wenngleich das Substrat wie oben beschrieben erwärmt wird, um die Kristallstruktur der aufgebrachten Lage unter Kontrolle zu halten.

Bei der Durchführung der Erfindung erfolgt zunächst ein kurzes Reinigungs-Zerstäuben in Argon oder einem anderen geeigneten

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inerten Gas-. Es wird dann ein reaktives Gas, das das Halbleitermaterial enthält, in die Kammer 10 von der Gaszuführungsanordnung 50, gemischt mit Argon oder einem anderen inerten Gas zur Aufrechterhaltung des Zerstäubungsvorgangs, zugeführt. Die Verschlußanordnung 46 wird verschwenkt, um so das Substrat 33 freizugeben, und es beginnt dann das Aufbringen durch gleichzeitiges Zerstäuben des Targetmaterials und elektrisches Reagieren des reaktiven Gases. Die relativen Prozentwerte der Komponenten in dem aufgebrachten Material werden durch Einstellung des Verhältnisses von reaktivem Gas zu Argon und der Auftraggeschwindigkeit bestimmt. In diesem Zusammenhang sei darauf hingewiesen, daß die Auftraggeschwindigkeit sowohl der zerstäubten Komponenten als auch der Komponenten des reaktiven Gases von der von der Energiequelle 65 abgegebenen Spannung abhängen. Das epitaxiale Aufwachsen wird durch Verwendung polierter, gereinigter und erwärmter Einkristallsubstrate erleichtert, die in angemessener Weise auf das Gefüge und die Gitterabmessungen der epitaxial aufgebrachten Lage abgestimmt sind.

Die vorliegende Erfindung eignet sich in besonderer Weise zum epitaxialen Aufbringen einer mischbaren Feststoff-Lage aus zwei oder mehr Halbleitermaterialien, die bisher als unmischbar oder zumindest nur nach langer Glühbehandlung als mischbar betrachtet wurden. Solche mischbaren Lagen erweisen sich bei Erwärmung auf Temperaturen von mehreren hundert Grad oberhalb der Züchtungsbder Auftragstemperatur als metastabil. Zusätzlich kann das Züchten bei Temperaturen erfolgen, die niedrig genug sind, um eine stark erweiterte Fest-Löslichkeit zu begünstigen. Auf diese Weise lassen sich amorphe, polykristalline und Einkristall-Lagen aus IV-IV-, III-V- und II-VI-Halbleiterverbindungen verhältnismäßig leicht epitaxial herstellen.

Mit der nachstehenden Tabelle I sind Beispiele einer Festlösungs-Aufbereitung unter Verwendung verschiedener Alternativen sowohl für das Targetmaterial als auch für die Zusammensetzung des reaktiven Gases zusammengestellt. Einer der wesentlichen Vorteile

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des Verfahrens ergibt sich aus der Leichtigkeit, mit der die reaktiven Gasarten, beispielsweise GeH., Bi(CH_)₃ etc. in einer begrenzten elektrischen Entladung zerlegt werden können, die es der freigesetzten Metallkomponente ermöglicht, sich mit den durch Zerstäuben transportierten Elementen zu vereinigen und so an der Substratoberfläche ein innig gemischtes, im wesentlichen homogenes Material zu bilden.

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CO CO CO CD

Tabelle I

Beispiele für Fest-Lösungen und vorbereitete Zerstäubungstargets sowie reaktive Gase

Festlösungs-Material

-X

(InSb)

1-X

(InAs), (InSb)

-X μ \X

(InAs)₃.¹¹' Sb)

(InSb)₁^ Ge_x

(D

(CdTe)₁^_x Hg/ (CdTe)₁^ (HgTeJ_x ⁽¹⁾

(SnTe)

⁽¹⁾

S1C

Zerstäubungstargetmaterial

S1

Ge

InSb

InAs

InSb

InSb CdTe CdTe PbTe C

Reaktives Gas-Material

GeH₄ od.Ge(CH₃J₃

SiCl-od. S1H-4 4

AsH₃ & In(CH₃J₃
SbH₃ & In(CH₃J₃
B1(CH₃)₃
SiH₄ od.SICl₄

GeH₄ od.Ge(CH₃J₃

Hg (DampfJ Hg (Dampf) & (^5)2 ^Te
Sn(CH.)- & (C₉H,), Te
SiH_-

Bandabstand

eV bei Raumtemp.

1.08 - 0.66

0.17 - 0.10 - 0.36

0.10 - 0.36

<0.17 0.17-1.08

0.17 - 0.66 0.18 - 0 - 1 .45 0.18 - 0 - 1.45 0.25 - 0 - 0.22 3.0

(1) Wobei χ eine Zahl größer als etwa 0.01 und χ + (1-x) =

,r.> to co co

Wie aus Tabelle I ersichtlich, lassen sich eine Reihe bekannter Halbleiter-Materialien mit dem Verfahren nach der vorliegenden Erfindung ohne weiteres herstellen, wobei diese Halbleitermaterialien bisher als nur teilweise mischbar oder "langsam ins Gleichgewicht bringbar", bei Beanspruchung langer Glühbehandlungszeiten, angesehen wurden.

Wie mit der nachfolgenden Tabelle II dargestellt, ist die Erfindung auch in der Lage, neuartige Halbleitermaterialien herzustellen, die bisher noch nicht bekannt waren. Die Tabelle II enthält Beispiele von Materialien, die bekannt sind und als durch die vorliegende Erfindung herstellbar in Betracht gezogen werden, und ist ganz offensichtlich nicht als abschließend anzusehen.

409886/1062

Tabelle II

Beispiele für neuartige Fest-Lösungen sowie Ausgangs-Zerstäubungstargets und -Reaktivgase

243Λ988

. , Zerstaubungstarget- , . . _n

Fest-Losungs-Material · : , Reaktivgas-Material

^ Material

(GaAs)

^(GaP)l-x ^G*x

Ae_y Si₈(2)

A«

^Gax	Sb_ySi	_s(2)
^Gex	Sb_y Ge
Ga X	^Py^S1*	(2)
^G*x	^Py^Gee	(2)
(GaAs) Si	Ge y *

(GaSbV Si Ge (²> χ y ζ

(GaPV Si Ge.(2)

χ y ^z

<^BN>

l-x

(InN) _1-x Si_x(D

Si_x(D

GaAs	SiH₇ od.SiCl. 4' 4
GaAs	GeH₄ od. Ge(CH₃)₃
GaSb	SiH od. SiCl₄
GaSb	GeH_A od. Ge(CH,).
GaP	SiH₄ od. SiCl₄
GaP	GeH₄ od. Ge(CHj)₃
Ga od. Si	AeH₃ & SiH₄ od. Ga(CH₃)₃'4 AaH₃
Ga	AsH₃ & GeH₄
Ga	Sb(CH,)- & SiH, J 3 4
Ga	Sb(CH₃)₃ & Ge(CH₃),
Ga	PH₃ & SiH₄
Ga	PH₃ & GeH₄
GaAs	SlH. & GeH. 4 4
GaSb	SiH. & GeH. 4 4
GaP	SiH. & GeH. 4 4 ,
BN	SiH₄Od. SiCl₄
AlN	SiH₄Od. SiCl₄
GaN	SiH₄Od. SiCl₄
InN	SiH₄Od. SiCl₄
BP	SiH, od. SiCl. 4 4

(1) Wobei χ eine Zahl größer als etwa 0,01 und χ + (1-x) = 1

(2) Wobei x, y und ζ Zahlen größer als etwa 0,01 und χ + y + ζ = 1

409886/1062

Tabelle II (Forts.)

Fest-Lösungs-Material

(AiSb)

_1-,

ca,

(D

Ga

c«,(D

(AlSb)

_1-,

Ga_x(D Sn_x(D

(AlM)

_1-,

(InN)_1-, Sn_x(D (ΙΡ)_1-χ Sn_x(D

Zerstäubungstarget- Material	Reaktivgas-Material
AIP	SU₄ od. SlCl₄
AlSb	SH₄ od. SlCl₄
InP	SIl₄ od. SlCl₄
AUa	SIl₄ od. 11Cl₄
InAa	11I₄ od. 11Cl₄
M	OaI₄ od. Oa (Oj)₄
Al»	OaI₄ od. Oa(Oj)₄
OaK	OaI₄ od. Oa(Oj)₄
In»	OaI₄Od-Oa(Oj)₄
IP	OaI₄ od. Oa(Oj)₄
AIP	OaI₄ od. Oa(Oj)₄
AlSb	OaI₄ od. Oa(Oj)₄
InP	OaI₄ od. Oa(Oj)₄
AUa	OaI₄ od. Oa(Oj)₄
InAt	OaI₄ od. Oa(Oj)₄
AlSb	GaI₄Od-Oa(Oj)₄
InSb	8H₄ od. SlCl₄
InSb	OaI₄Od-Oa(Oj)₄

AlX GaH InM IP

Sa(Oj)₄ Sn(Oj)₄

(1) Wobei χ eine Zahl größer als etwa 0,01 und χ + (1-x) = 1

409886/1062

Tabelle II (Forts.)

3-1988

Fest-Lösungs-Material

Zerstaubungstarget- , . . „ . . _Ί . , Reaktivgas-Material Material

(AlP)_1-1J Sn_x(D	AlP	Sn(CHj)₄
(G.P)_1-X Sn_x(D	GaP	Sn(CHj)₄
(ΙηΡ)_1-χ Sn_x(D	InP	Sn(CHj)₄
0OAa)_1-JJ Sn_x(D	AlAa	Sn(CHj)₄
(GaAa)_1-1J Sn_x(D	GaAa	Sn(CHj)₄
(ΙηΑβ)_1-χ Sn_x(D	InAa	Sn(CHj)₄
*G^i- ^Sb⁽¹⁾*	AlSb	Sn(CHj)₄
(GaSb) _1-χ Sn_x(D	GaSb	Sn(CHj)₄
(InSb) _1-χ Sn_x(D	InSb	Sn(CHj)₄
(ΒΝ)_χ Sn₇ 51,(2)	BN	Sn(CHj)₄ k SiH₄
(AlN)_x Sn Si,(2)	AlN	Sn(CHj)₄ & SiH₄
(GaN)_x Sn Si,(2)	GaN	Sn(CHj)₄ fc SiH₄
(InN)_x Sn_y Si^²)	InN	Sn(CHj)₄ fc SiH₄
(BP)_x Sn. Si_£(2)	BP	Sn(CHj)₄ & SiH₄
(AlP)_x SnSi_B(2)	AlP	Sn(CH-), & SiH, 3 4 4
(GaP)_x Sn_y Si^²)	GaP	Sn(CHj)₄ fc SiH₄
(InP) Sn Si (²) XyE	InP	Sn(CHj)₄ fc SiH
(AlAa)_x Sn_y Si^²)	AlAa	Sn(CH,), t SiH, 3 4 4
(GaAa) Sn Si ⁽²> 'x y ε	GaAa	Sn(CHj)₄ & SiH
(AlSb)_x Sn_y Si,(2)	AlSb	Sn(CHj)₄ fc SlH₄
(GaSb)_x Sn Si (2)	GaSb	Sn(CH ) & SiH₄
(InSb)_xSn₇ Si₈(2)	InSb	Sn(CH ) & SiH₄

(1) Wobei χ eine Zahl größer als etwa 0,01 und χ + (1-x) = 1

(2) Wobei x, y und ζ Zahlen größer als etwa 0,01 und χ + y + ζ =

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	Zerstäubungstarget- Material	¹^ 2434988
Fest-Lösungs-Material	BN	Reaktivgas-Material
(BN)_x Sn_y Ga/²)	AlN	Sn(CHj)₄ fc GeH₄
(AlM)_x Sn_y Ga₁<²>	GaN	Sn(CH,). fc GaHi 3 4 ♦
(GaN)_x Sn Ga₁(²>	InN	Sn(CHj)₄ fc GaH₄
(InM)_x Sn Ga₁(²J	BP	Sn(CHj)₄ fc GaH₄
(BP)_x Sn Ge_g(2)	AIP	Sn(CHj)₄ fc GeH₄
(AlP)_x Sn_y Ga₁W	GaP	Sn(CHj)₄ fc GaH₄
(GaP)_x Si»y Ga₁ ⁽²⁾	InP	Sn(CHj)₄ fc GeH₄
(InP)_x Sn_y Ca₁^²)	AUa	Sn(CH₃) fc GaH₄
(AUa)_x Sn₇Ga₁^)	GaAa	Sn(CHj)₄ fc GaH₄
(GaAa)_x Sn Ge_e(²>	AlSb	Sn(CHj)₄ fc GaH₄
(AlSb)_x Sny Ga₁^²)	GaSb	Sn(CHj)₄ fc GaH₄
(GaSb)_x Sn Ga_g<²)	InSb	Sn(CHj)₄ fc GeH₄
(InSb)_x Sn Ga_gU)	BN	Sn(CHj)₄ & GaH₄
(BN)_x Sly Ga₁ U)	AlN	SiH₄ fc GaH₄
(AlN)_x Siy Ga_gU)	GaN	SiH₄ fc GeH₄
(GaN), Si Ga (2) *. y *	InN	SiH₄ fc GaH
(InN)_x Siy Ga₁(2)	BP	SiH₄ fc GaH
(BP)_x Siy Ga₁(2)	AIP	SiH, fc GaH, 4 4
(AlP)_x Siy Ga_gU)	AlSb	SiH, fc GaH. 4 4
(AlSb)_x Si Ga₁(2)	InP	SiH₄ fc GaH₄
(InP)_x Siy Ga₁U)	AUa	SiH₄ fc GaH₄
(AUa)_x Si Ga_g(2)	InAa	SlB. t GaH,
(InAa)_x Si Ga_g(²)	SiH₄ & GaH₄

(2) Wobei x, y und ζ Zahlen größer als etwa 0,01 und χ + y + ζ = 1

409866/1062

- 23 Tabelle II (Forts.) -.,

Fest-Lösungs-Material Zerstäubungstarget- _{Reakti Material}

Material *

	InSb	SlB. ft GaB.
¹N * ⁸S ^G«⁽³⁾*	In	AaB₃ ft SlB₄ ft GaB₄
**Ia ^^m H c# ^ *** V cm ^ al	Ga	In(CB₃)J ft AO₃ ft 8IB₄
¹K "y ^flt^(2>	81	I₂B₄ ft Β,
Al₁₁ B_x W₁U)	Al	B₂ ft 81B₄
*ο·_χ «_y ·,<>*	81	C(CBj)₃ ft B₂
U_x B_y et/²>	Im	SlB₄ ft B₂
	81	I₂B₄ ft SlB₄
Al_xFyU₁W	U	FB₃ ft SlB₄
*Al 8b, 81 <>**	Al	SbB₃ ft SlB₄ '
	In	FB₃ ft SlB₄
Al_xAe₇₈I₁₁W	Al	AaB₃ ft SlB₄
In Ae 81 * *	In	AaB₃ ft SlB₄
¹X S ^q#«^<2>	Ga	I₂B₄ ft B₂
Al_x B_y 0.,«)	Al	H₂ ft G-I₄
Ga_x B_y C«_t	Ca	M₂ ft GaH₄
In_x B_y Ga,(2)	Ga	In(CHj)₃ ft B₂
	Ga	I₂B₄ ft FH₃
*Al_EF_ye_tW**	G«	Al(CBj)₃ ft FB₃
Al Sb Ga (2) JWi_x »e_y w»_e	Al	SbH₃ ft GaH₄
In_x F_y G._e(2)	In	FB₃ ft GaH₄
Α1_χ Aa_y Ga,	Al	AaH₃ ft GaH₄
	Al	SbH₃ ft GeH₄

(2) Wobei χ, y und ζ Zahlen größer als etwa 0,01 und χ + y + ζ = 1

(3) Wobei v, x, y und ζ Zahlen größer als etwa O,Ol und v+x+y+z=l

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Tabelle II (Forts.)

. , Zerstäubungstarget- „ . ^ . , Fest-Losungs-Material . Reaktivgas-Matenal

Material

Al Sb Ga O) X J Z	Ga	Al(CHj)j ft SbHj
Ιη_χ Sb Si, O)	In	SbHj ft SiH₄
Ιη_χ Sb Ga, (2)	Ga	In(CHj)₃ ft SbH₃
JP η wO XJZ	Sn	*^B2^H6 ^N2**
Α1_χ Ny Sa₁O)	Al	Nj ft Sn(CH₃)₄
Ga_x N₇ Sn,O>	Sn	Ga(CH₃)₃ ft N₂
Ιη_χ Ν Sn, O)	In	N₂ ft Sn(CHg)₄
Β_χ Py Sn,O)	B	PH₃ ft Sn(CHj)₄
Al_x Έ Sn (2)	Al	PHj ft Sn(CHj)₄
Ga_x Py Sn,(2)	Sn	Ga(CHj)₃ ft PH₃
In_x P Sn,O)	In	PH₃ ft Sn(CHj)₄
Al, Aa Sn O) *XjX*	Al	AaHj ft Sn(CHj)₄
Ga_x Aa Sn, O)	Ga	AaH₃ ft Sn(CHj)₄
In_x Aa₇ Sn,(2)	Sn	In(CHj)₃ ft AaH₃
Al_x Sby Sn,<2)	Al	SbH₃ ft Sn(CHj)₄
Ga_x Sb Sn, O)	Ga	SbH₃ ft Sn(CHj)₄
Ιη_χ Sb Sn,C2)	In	SbH₃ ft Sn(CHj)₄
B_v N_x Sn_y Si₁O)	B	N₉ ft Sn(CH,), ft SiH.
Al N Sn Si (3)	Al	Nj ft Sn(CHj)₄ ft SiH₄
Ga_v N_x Sn_y Si, O)	Ga	Nj ft Sn(CHj)₄ 6 SiH₄
ln_v N_x Sn_y Si,(3)	In	Nj ft Sn(CHj)₄ ft SiH₄

(2) Wobei χ, y und ζ Zahlen größer als etwa O,01 und χ + y + ζ = 1

(3) Wobei v, x, y und ζ Zahlen größer als etwa 0,01 und v+x+y+z=l

409886/1062

- 25 -Tabelle II (Forts.) ? 4 3 4 9 8 8

„ . _τ.. . . . -ι Zerstaubungstarget- , . . ,

Fest-Losungs-Material . ^ Reaktivgas-Material

- _ Material

I P Sn Si ⁽³> B PH, & Sn(CH,). & SiH₇

vxys j j 4 4

AIy Ρ_χ Sn Si₈(³^ Al PH₃ & Sn(CHj)₄ & SiH₄

Ga_v P Sn Si₈ ⁽³⁾ Ga PH₃ & Sn(CH₃)₄ 6 SiH₄

In_y Ρ_χ Sn Si₈ ⁽³⁾ In PH₃ & Sn(CHj)₄ & SiH₄

Al Aa Sn Si ⁽³⁾ Al AaH, & Sn(CH ). & SiH.

vxye 3 3 44

Ga Aa Sn Si ⁽³⁾ Ga AsH. & Sn(CH,). & SiH,

vxys 3344

Al Sb Sn Si ⁽³⁾ Sn Al(CH,), & SbH, t SiH,

ν χ y ε JjJ*

Gay Sb Sn Si ⁽³⁾ Ga SbH₃ & Sn(CHj)₄ 6 SlH₄ In_v Sb_x Sn Si₈ Sn In(CHj)₃ & SbH & SiH

¹ N on t»a ο M. * on(cn.J, « bait,

vxys 2 3 4 4

Al N Sn Ga Al N₉ & Su(CH,), & GaH,

ν χ y ζ 2 3'4 4

G«_v Ν_χ Sn Ga Ga N₂ & Sn (CH₃) ^ & GaH₄

In N Sn Ga Sn In(CH,). & N₀ & GaH.

ν * . y χ j 3 * 4 .

B P Sn Ga Sn B„H- & PH. & GeH.

vxyz 2634

Al P Sn Ga Al PH, & Sn(CH,). & GeH_y

ν χ y 2 3 34 4

^w ^ J ** ** *J J *ψ

In_v Ρ_χ Sn_y Ga₈ Ge In(CH₃)₃ & PH₃ & Sn(C^)₄

Al Aa Sn Ge Sn Al(CH,), & AaH, & GeH₇

ν x. y ι 3334

Αβ_χ Sn Ge₈ Ga Ga(CH₃)₃ & AsH₃ & Sn(CHj)₄

Sb Sn Ge Sn Al(CH ) & SbH, & GaH Ga_v Sb Sn Ga Ge Ga(CH₃) & SbH₃ & Sn(CHj)₄ In Sb Sn Ge Sn In(CH,), & SbH, & GaH,

ν x y ζ 3334

(3) Wobei v, x, y und ζ Zahlen größer als etwa O,01 und v+x+y+z=l

409886/1062

Tabelle II (Forts.)

Fest-Lösungs-Material

Zerstäubungstarget-Material

Reaktivgas-Material

B N Si Ge ν χ y ζ	Ge	od.	B₉H. & N₉ & SiH. *2 6 4**
Al_v N_x Si_y Ge_z	Al	od.	N₂ & SiH₄ & GeH₄
Ga. N Sl Ge VXy Z	Ga	od.	N₂ & SiH₄ i GeH₄
In N Si Ge ν χ y ζ	In	od.	N₂ t SiH₄ i GeH₄
BN Si Ge ν χ y ζ	B	od.	N₉ & SiH. & GeH. * 4 4
Al P Sl Ge ν χ y ζ	Ge	od.	Al(CH.). & PH, & SiH 3 3 -^
Al Sb Si Ge ν χ y ζ	Al	od.	SbH. & SiH, & GeH. 3 4 4
In P Si Ge ν χ y ζ	In	PH₀ 6 SiH. & GeH₇ 3 4 4
*^A1v ·χ ^S1v ^G·«**	Ge	Al(CH₃)₃ & AeH 6 Si
*G Ae Si Ge (3) ν χ y ζ**	Ga	AeH₃ & SiH₄ & GeH₄
Ga Sb, Si Ge ^³> ν x y ζ	Ga	Sb(CH₃)₃ & SiH₄ 6 Ge
Ga^ P Si Ge (3)	Ga	PH₃ & SiH₄ & GeH₄
	GaAe InAe	In(CH₃)₃ & AeH₃ od. Ga(CHp₃ & AeH₃
(GaSb)₁ (InAe) (D χ—χ χ	GaSb InAe	In(CH₃)₃ & AeH od. Ga(CHp₃ & SbH₃ ¹
*<«>;_ «».),(»**	GaP InAe	In(CH₃) & AeH₃ od. *Ga(CHp & PH₃**
(GaAe)^_x(InSb)_x(D	GaAe InSb	In(CH₃)₃ & SbH od. Ga(CHp₃ & AeH₃ ¹
(GaSb)₁^_x(InSb)_x(D	GaSb InSb	In(CH₃). ti SbH₃ od. Ga(CHp₃ & SbH₃
(GaP)₁^_x(InSb)_x(D	GaP InSb	In(CH₃)₃ & SbH₃ od. Ga(CH₃)₃ & PH₃
(GaAe) _1χ (InP)_x (D	GaAe InP	In(CH₃), & PH₃ od. Ga(CHpJ & AeH₃

(1) Wobei χ eine Zahl größer als etwa 0,Ol und χ + (1-x) = 1

(3) Wobei v, x, y und ζ Zahlen größer als etwa 0,01 und v+x+y+z=l

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Tabelle II (Forts.)

Fest-Lösungs-Material

Zerstäubungstarget-Material Reaktivgas-Material

(GaAa)_x(InAa)₇ Si_g

⁽²>

(GaSb)_x(InAa) Sl_g ⁽²> (GaSb)_x(InAa) Ga_g<²>

GaSb od. InP

GaP ed. InP

GaAa od. InAa

GaSb ad. InAa

GaSb od. InAa

(GaP)₉(InAa), Sl <²) GaP od. * InAa

(GaSb)_v(InAa)_xSi

GaP od. InAa

(GaAa)_v(InAa) Sl Ga ⁽³> GaAa od.

GaSb od.

InAa

GaP od. InAa - In(CH ), 4 Ga(CHj)J &

In(CHO, * (CHj)¹ 4

PH. od.

In(CH,), 4 Ga(CH₃)J 4

In(CH,) 4 Ga(CBJ)J 4

In(CBJ, 4

>: 4

ra, od.

AaH.

SlH, od. SlHj

In(CH ) 4 ^ 4

AaB, AaBJ	4 4	GaB, GaB*	od
AaB,	4	SlB.	od
SbBJ	4	sibJ
AaB,	4	GaB.	od
SbB₃	4	GaB*

In(CB,), 4 Ga(CHpJ 4

In(CHJ, 4 Ga(CHJ)J 4

In(CH J, 4

(CH,), 4 V

Ga GaH AaH, PH₃ ^J

AaH PH₃ ³

AaH₃ AaH₃

SlH. od. SlHT

GaH od. GaH*

SlH,

SlH₄

In GaH

5V:

AaH 4 SlH

Ga(CH₃)₃ 4 AeH₃ 4 SlB₄ AaH₃ 4 SlH

In(CH,), 4

- ~ ³ od.

Ga(CH ) 4 GaH.^J *

PH₃ 4 SiH₄

(1) Wobei χ eine Zahl größer als etwa 0,01 und χ + (1-x) = 1

(2) Wobei x, y und ζ Zahlen größer als etwa O,Ol und χ + y + ζ = 1

(3) Wobei v, x, y und ζ Zahlen größer als etwa 0,01 und v+x+y+z=l

409886/1062

Tabelle II (Forts.)

^ .._■■, Zerstaubungstarget- „ , ^. _w ^ . ,

Fest-Losungs-Material 7 , Reaktivgas-Material

Material ^

(GaAa)-(InSb)

(GaSb)„(InSb) Si

(2)

(GaSb)_x(InSb) Ge^⁽²>

(GaP)_x(InSb) Si

(GaP)_x(InSb) Ga_x

(2)

(GaAa)_v(InSb)_xSi G

(GaSb)_v(InSb)_xSi

<³>

GaAa InSb	od.	od.	In(CHj)₃	4 4	SbH₃	AaH₃	4 4	SiH SiHj	od.
GaAa InSb	od.		In(CHj)₃	4 4	SbH. AaH₃	SbH₃ i.	4 4	GaH. GaHj	Od.
GaSb InSb	ad.	ed.	In(CH-), Ga(CHp³	4 4	SbH. SbH₃	SbH	4 4	SiH, SiH?	Od
GaSb InSb	Od.		In(CHj)₃	4 4	SbH, SbH³	4 4	GaH₄ GaHj	Od.
GaP ad. InSb	In(CH-), Ga(CHp³	4 4	SbH, ⁿ?	4 4	SlH SlHJ	Od.
GaP od. InSb	In(CHj)₃	4 4	SbH, PH₃ ³	4 4	GaH GaHj	od.
GaAa InSb	I»(CH,), GaH₄ ^{3 3}	4 SbH. Od. ³	4	SiH₄	4
	Ga(CH-)- GaH.^{3 3} 4	4	4	SiH₄	4
GaSb InSb	In(CH ) GaH₄ ^{3 3}	4 oc	4	SiH. 4	4
	Ga(CHj)₃	4	4	SiH₄	4

(GaAa)_x(InP)₇

⁽²>

(AlSb)_x(AUa)₇ Si_x <²> GaP od. InSb

AlSb od. BP

GaAa od. InP

AlSb od. AUa

In(CH₃)₃ & SbH₃ fc SlH₄ &

GaH

od.

Ga(CH,), 4 PH- 4 SlH, 4

GaH.^{3 3} *

B₀H₄. 4 PH₃ 4 SlH₄ Od.

j)3 4 SbH₃ 4 SiH₄

In(CH-) 4 PH 6 SiH od. Ga(CHp| 4 ^JAaH₃ *4 SlH

Al(CH,) 4 AaH. fc SlH, od. Al(CHpf 4 SbH₃ 4 SiH₄*

(2) Wobei χ, γ und ζ Zahlen größer als etwa 0,01 und χ + y + ζ = 1

(3) Wobei v, x, y und ζ Zahlen größer als etwa 0,01 und v+x+y+z=l

409 886/1062

- 29 Tabelle II (Forts.)

Fest-Lösungs-Material

(GaAa)_x(InP)_y Ge/²)

Zerstäubungstarget-Material Reaktivgas-Material

(GaSb)_x(InP) Si <²>

(BP) (InAs) Si ⁽²>
x y ζ

(GaSb) (InP) Ga ⁽²⁾
χ y ζ

(BN)_x (InN) Ge/²>
(GaP)_x(InP)_y Si/²)

(AlAa)_(AlP)_v Si

™ Jf 2

(GaP) (InP) Ge ⁽²> χ y ζ

(AlSb) (InAs) Si <²) χ y ζ

(GaAe)_v(InP)_xSi G

GaAs od. InP

AlN od. GaN

GaSb od. InP

BP od. InAs

GaSb od. InP

BN od. InN

GaP od. InP

AlAs od. AlP

GaP od. InP

AlSb od. InAs

GaAe od. InP In(CH ), Ga(CHp₃

Ga(CH-). Al(CH,),

In(CH )

& PH- & GaH. od. & AsB₃ & ⁴GeH₄

& N₂ & GeH, od. & N, & GaH?

& PH- & SiH, od. & ^JSbH₄ ST SiH₄

In(CH₃) B₂H₆ S

AaH- & SiH od. ^J

PH

In(CH )- & PH- & GaH. od. Ga(CHp^ & "¹SbH % G

In(CH ) B₂H₆

In(CH ) Ga(CHp₃

Al(CH-) 'Cl(CHf)J

In(CH )

In(CH ) Al (CHp J

In(CH ) GaH.³

Ga(Cfl ) GaH.^{J J}

& "¹SbH₃ %

& N- & GaH. od. SHJl GaHj

& PH- it SiH. od. & PH₃ & SiH₄*

& PH- & SiH, od.

& Asfl- & ⁴SiH. 3 A

& PH & GaH. od. & PH₃ ¹ & GeHj

& AsH- & SiH, od.

& SbH, & SiH, 3

& PH, & SiH. & od. ³

& AsH, & SiH. &

(GaSb) (InP) Si Ge <³>

V A Jf 2

BN od. InN

GaAs od. InP SiH

In(CH ), & PH, & GeH₇ & SiH^J od. ³ *

& SiH₄ & GeH

& PH, & SiH. & od. ³

In(CH ) ³

GeH

) ³

Ga(CH-)- & SbH, & SiH. & GaH/ ³ 3

(2) Wobei x, y und ζ Zahlen größer als etwa 0,01 und χ + y + ζ = 1

(3) Wobei v, x, y und ζ Zahlen größer als etwa 0,01 und ν + χ + y + ζ

409886/1

Tabelle II (Forts.)

Zerstäubungstarget-

	(AlN). Si Ge (3)	Material	Al(CH ) GeH₄ ^J Ga(CH₃)3	4 N. 4 SiH, 4 od.^{2 4} 4 N₂ 4 SiH₄ 4
(GaN)_v	(InP)_xSi_yGe_r(³>	GaN od. AlN	In(CHj)₃ G«(CH₃)₃	4 PH. & SiH₄ 4 Od. 4 PH- & SiH. 4 3 A
(GaP)_v	1-x (^·>_χ ⁽¹⁾	GaP od. InP	G«(CH₃)₃	4 AaH₃
(GaA.)	_χ__χ (AUs)_x(D	AUa	G.(CH₃)₃	4 SbH₃
(GaSb)	_1-x (AlSb)_x(D	AUa	Ga(CHj)₃ Ga(CH₃)₃ Ga(CH₃)₃	4 PH₃ 4 Α·Η₃ 4 SbH₃
Ξ	(GaP)₁- (AlSb) (D A""X X	AUa AlSb AlSb	Ga(CH₃)₃	4 PH₃
	(GaA.)	AlSb	Ga(CH₃)₃	4 AaH₃
(GaSb)	AIP	Ga(CH₃)₃ Ga(CH₃)₃	4 SbH 4 PH₃
(GaAa) (GaAs).	AIP AIP	Ga(CHj)₃ Ga(CH₃)₃	4 AeH₃ 4 SiH₄ 4 AsH₃ 4 GeH₄
(GaSb).	AUs AUs	Ga(CH₃)₃	4 SbH₃ 4 SiH₄
(GaSb).	AUs	Ga(CH₃)₃	4 SbH₃ 4 GeH₄
(GaP)_x	AUs	Ga(CH₃)₃	4 PH₃ 4 SiH₄
(GaP)_x	AUs	Ga(CH₃)₃	4 PH₃ 4 GeH₄
(GaAs),	AUs	Ga(CH₃)₃	4 AsH₃ 4 SiH₄ &
_1-x (AiP)_x(D	AUs
_1-x (AiP)_x(D __x (AiP)_x(D
_χ (AUa)_y Si_z(2> _χ (AUa)_y Ge₈(2)
χ (AlA.)_y Si_z(2)
_ (AUs) Ge (2) *■ Jr Z .**
(AUa)_y Si_z(2)
(AUs)_y Ge₂. (2)
/AUs)_xSi₃G.^³)

(1) Wobei χ eine Zahl größer als etwa O,Ol und χ + (1-x) = 1

(2) Wobei x, y und ζ Zahlen größer als etwa 0;0l und χ + y + ζ = 1

(3) Wobei ν, χ, γ und ζ Zahlen größer als etwa 0,01 und v+x+y+z=l

409886/1062

Tabelle II (Forts.)

j:434988

. ·, Zerstaubungstarget- , . , . ,

Fest-Losungs-Material . , Reaktivgas-Material

. Material '

(GaP),

AUa

(GaAa)_x (AlSb) Si ⁽²⁾ χ y ζ	AlSb
(GaAa) (AlSb). Ga '²' X Jt	AlSb
(GaSb)_x (AlSb)₇ Si_e(²>	AlSb
(GaSb)_x (AlSb)₇ Ga_e<²>	AlSb
(GaP)_x (AlSb)₇ Si_t<²>	AlSb
(GaP)_x (AlSb)₇ Ga_E ^<2)	AlSb
(GaAe)_v(AlSb)_xSi_yGe_g<³>	AlSb
(GaSb) (AlSb) Sl Ga ' ' ν χ y β	AlSb
(GaP) _v (AlSb)_xSi₇Ga^i³)	AlSb
(GaAa)_x (AlP)₇ Si_x ⁽²⁾	AlP
(GaAa)_x (AlP)₇ Ga_t ⁽²>	AlP
(GaSb)_x (AlP) Si W	AlP
(GaSb)_x (AlP) ββ_χ ⁽²⁾	AlP
(GaP)_x (AlP)₇ Si_g(²)	AlP
(GaP), (AlP) Ga,, <²> * y *	AlP
(GaAaV (AlP) Si Ga ^³) ν λ, y 2	AlP

Ga(CH₃) fc SbH₃ &

GaB

Ga(CH.). t PH- & SiH, fc GeH₄

Ga(CH₃)₃ & AaH₃ & SiH₄ Ga(CH₃)₃ & AeH₃ & GaH₄ Ga(CH₃)₃ & SbH₃ fc SlH₄ Ga(CH₃)₃ & SbH₃ & GaH₄ Ga(CHj)₃ & PH₃ fc SiH₄ Ga(CHj)₃ fc PH₃ fc GaH₄ Ga(CH.). & AaH. & SlH. & GaH₄ ^{33 3} * Ga(CH ), & SbH & SiH, & GeH₄ * ^{J J} _

Ga(CH-), & PH- fc SiH, &

GaH, * * *

Ga(CH₃)₃ & AaH₃ fc SiH₄ ₃ & AaH₃ fc GaH

₃ fc GaH₄ & SbH₃ & SiH₄ Ga(CHj)₃ fc SbH & GaH₄ Ga(CH₃)₃ fc PH₃ fc SiH₄ Ga(CHj)₃ fc PH₃ fc GeH₄ Ga(CH-), & AaH, fc SiH. & GaH, ^{3 3 3} *

(2) Wobei χ, γ und ζ Zahlen größer als etwa 0,01 und χ + y + ζ = 1

(3) Wobei v, x, y und ζ Zahlen größer als etwa 0,01 und v+x+y+z=l

409886/1062

Tabelle II (Forts.)

Fest-Losungs-Material

Zerstäubungstarget-Material Reaktivgas-Material

(GeSb) (AIP) Si Ge ⁽³> (GeP)_v(AlP)_xSIyGe₂ ⁽³⁾

(AlSb)

⁽¹⁾

(AlP)₁^ Sl. (AIP). _ Ge

Al Ae Si
χ y ζ

Al_ As_ Ge_

Al Sb Si (2)
χ y ζ

Al Sb Ge
χ y ζ

Al P Si
χ y ζ

Al P Ge (2)
χ y ζ

Al As Si Ge
ν χ y ζ

Si

Al P Si Ge ⁽²>
ν x y ζ

(AUs) Si Ge

* Jr Z

(AlSb) Si Ge <²)
x y ζ

AIP AIP

AUs

AlSb

AIP

Al

AUs

AlSb

Ge(CH₃)₃ & SbH & SlH₄ &

Ge(CB-)- & PH- & SiH & GeH ^{3 3 3}

SiH. od.SiCl, 4

GeH od.Ge(CH₃)₄ SiH₄ od.SiCl₄ GeH₄ od.Ge(CH₃)₄ SiH₄ od.Ge(CH₃)₄ GeH₄ od.Ge(CHj)₄ AeH₃ & SiH₄ AsH₃ & GeH₄ SbH₃ & SiH₄ SbH₃ & GeH₄

PH- & SiH, j 4

PH- & GeH. 3 4

AsH- & SiH. & GeH. 3 4

SbH, & SiH. & GeH.

3 4

PH. & SiH. & GeH. 3 4

SiH. & GeH,

4 4

SiH₄ & GeH₄

(1) Wobei χ eine Zahl größer als etwa 0,01 und χ + (1-x) = 1 ■

(2) Wobei x, y und ζ Zahlen größer als etwa 0,01 und χ + y + ζ = 1

(3) Wobei v, x, y und ζ Zahlen größer als etwa 0,01 und v+x+y+z=l

409886/1062

Tabelle II (Forts.)

'M34980

Fest-Losungs-Matenal

(AIP) Si G· (2)
Xy*

Zerstaubungstarget-Materxal Reaktivgas-Material

(AlSb)_1- (InAs)	(D χ	Si₈(2)
(AUs)₁^_x (InSb)	(D χ	Ge_e(2)
(AlSb)₁^_x (InSb)	χ
(AIP),(InSb) · X	(D
(AUe)₁ „ (InP)	(D m
(AlP)_1-1 (ΙηΡ)_χ(¹^
(AUe), (InAe)
(AUe)_x (InAe)

(AlSb)_x (InAs) Si_z ⁽²>

(AlSb)_x (InAs) Ge^⁽²>

(AIP) "(InAs) Si ⁽²>
χ y ζ

(AlP)_x (InAs) Ge_z

(AUs)

Si

(3)

(AlSb) (InAs)_xSi

(AIP) (InAa) Si Ge

ν α y

AIP

AUs

AlSb

AIP

AUs

AlSb

AIP

AUs

AlSb

AIP

AUs

AlSb

AIP

AUe

AlSb AIP

SiB. & GeH, 4 4

AeH₃ &

AeH₃ & In(CH₃)₃

AeH₃ 6 In(CH₃)₃

SbH₃ & In(CH₃)

SbH₃ & In(CH₃)₃ PH₃ I. In(CH₃) ₃

PH₃ & In

PH₃ t In(CH )₃

AsH₃ & In(CH₃)₃ & SiH₄ AeH₃ & In(CH₃) & GeH₄

AsH, & In(CH.), & SiH. J 3 3 4

AsH₃ & In(CH₃)₃ & GeH₄ AsH₃ & In(CH₃)₃ & GeH₄

AsH, & In(CH,), & GeH. 3 3 3 4

AsH₃ & In(CH₃)₃ & SiH₄ &

GeH AsH, & In(CH,), & SiH. & n-rAvt \ 3 3 4

AsH. & In(CH.). & ³ G^(CH)^{3 3}

(1) Wobei χ eine Zahl größer als etwa 0,01 und χ + (1-x) = 1

(2) Wobei x, y und ζ Zahlen größer als etwa 0,01 und χ + y + ζ = 1

(3) Wobei v, x, y und ζ Zahlen größer als etwa 0,0l· und v+x+y+z=l

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Tabelle II (Forts.)

Pest-Lösungs-Material

Zerstäubungstarget-Material Reaktivgas-Material

(AlAe) (InSb) Si ⁽²⁾	AlAs
(AlAs)_x(InSb)_yGe_e<2)	AlAs
(AlSb) (InSb) Si (2) χ y ζ	AlSb
(AlSb) (InSb) Ge,⁽²) χ 7 ζ	AlSb
(AlP)_x (InSb)y Si₈(2)	AlP
(AlP)_x (InSb)_y Ge_x<2)	AlP
(Α1Α·)_ν(InSb)_xSIyGe_x <³>	AlAs
(AlSb)_v(InSb)_xSi Ge₈ ⁽³⁾	AlSb
(AlP)_v(InSb)_xSiyGe_x ⁽³⁾	AlP
(AlAs)_x (InP)y Si₂<2)	AlAs
(AlAs) (InP) Ge/2) λ. y z	AUs
(AlSb)_x (InP)y Si₂ ⁽²>	AlSb
(AlSb) (InP) Ge (2> a y Z	AlSb
(AlP) (InP) Si <²) χ y ζ	AlP
(AlP)_x (InP) Ge <²>	AlP
(AlAs"» ίΙηΡΪ Si Ge (³)	AlAs

AlSb In(CH₃K & Sb(CH ) 6 SiH₄ ^{3 3 3}

In(CH-)₃ & Sb(CH₃), & GeH₄

In(CH₃)₃ & Sb(CH₃)₃ & SiH₄ In(CHj)₃ & Sb(CHj)₃ & GeH₄ In(CH₃)₃ i Sb(CHj)₃ & SiH₄ In(CH₃)₃ & Sb(CH₃)₃ & GeH₄

In(CHj)₃ & Sb(CH₃)₃ & SiH₄ & GeH₄

In(CH₃)₃ & Sb(CH₃) & SiH. & GeHT * ^Λ ^J

In(CH₃), 6 Sb(CH₃), & SiH₄

* ^GeH4

In(CH₃J₃ & PH₃ & SiH₄ In(CH₃)₃ & PH₃ fc GeH₄

In(CH₃)₃ & PH₃ 6 SiH₄

In(CH₃)₃ & PH₃ & GeH₄

In(CH₃)₃ & PH₃ & SiH₄

In(CH₃)₃ & PH₃ & GeH₄

In(CH-), & PH₃ & SiH₄ &

GeH. * 4

In(CH₃)₃ & PH₃ & SiH₄ & GeH, ^J

(2) Wobei x, y und ζ Zahlen größer als etwa 0,01 und χ + y + ζ = 1

(3) Wobei v, x, y und ζ Zahlen größer als etwa O,Ol und v+x+y+z=l

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Tabelle II (Forts.)

Fest-Lösungs-Material

(AlP)_v(InP)_xSi In As

In As

In_x Sb_y In Sb_

Zerstäubungstarget-Material

Reaktivgas-Material

In,

^IDX^PX

In.

Ae_ Si.

^Si

Si_y G.,<3)

(InA.) _x_

(InP)₁ Ge_v

(InAe) Si Ge, * y ζ

(InSb)_x Si_y Ge^ (InP) Si.. Ge

Si_z

AIP

In

InAs

InAe

InSb

InP

InAe

InSb

InP

GeAe od. Ga

& PH₃ &

In(CH₃ AeH₃ & AeH₃ & GeH₄ SbH₃ · SbH₃ & GeH₄ PH₃ & SiH₄ PH, & GeH.

AeH₃ & SiH₄ & GeH₄ SbH₃ & SiH₄ & GeH₄

PH₁ & SiH. & GeH. 3 4

SiH₄ od.SiCl₄ GeH₄ od.Ge(CH₃)₄ SiH₄ Od-SiCl₄ GeH₄ od.Ge(CH₃)₄

SlH. od.SiCl. 4

GeH₄ od.Ge(CH₃)₄

SiH, & GeH. 4 4

SiH₄ & GeH

SiH. & GeH. 4 4

Ga (CH₃)₃ & AsH₃ & SiH₄

& GeH,

(1) Wobei- χ eine Zahl größer als etwa 0,01 und χ + (1-x) = 1

(2) Wobei x, y und ζ Zahlen größer als etwa 0,01 und χ + y + ζ = 1

(3) Wobei v, x, y und ζ Zahlen größer als etwa 0,01 und v+x+y+z=l

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Tabelle II (Forts.)

_, ^ ,. _ ., ^ . , Zerstaubungstarget- ^ , . . , Fest-Losungs-Material . ' ^⁵ Reaktivgas-Material

Material ^y

(CaSb) Ga As Si

V X y Z GaSb od.Ga Ga(CH-), & AsH. & SiH, od. Ga(CH,), & SbH, & AsH, &

GaP od.Ga Ga(CH₃),

SiH, 4

& AsH₃ & SiH₄ od. & PH₃ & AsH₃ &

(AlAs)_vGs_xAs Si_x (AlSb)_vGa_xAs_ySi_z ⁽³⁾

(AIP) Ga Ae Si

VXy

(3)

(InSb) Ga AsSi ν x y *

(InP) Ga As Si ν χ y ζ

(GaAs

(GaSb)_vGa_xAs_yGe_z ⁽³⁾

(GaP) Ga As Ge ν χ y

(3)

(3)

(AlAs)_vGa_xAs_yGe_z (AlSb)_vGa_xAs_yGe_z<³>

AlAs	od. Ga	od.Ga	od. Ga	Ga (CH₃)₃	&	AsH₃	&	SiH, 4	od
AlSb	od. Ga	od. Ga	Ga (CH₃)₃	&	AsH₃	&	SiH, 4	od &
AlP	InP OdCGa	GaP od.Ga	Ga(CH₃)₃	&	AsH	&	SiH 4	Od &
InAs	GaAs	AlAs	Ga (CH₃)₃	& &	AsH₃ AsH₃	& &	SiH₄ SiH₄*	Od
InSb	GaSb	AlSb	Ga(CH,), In(CHV SiH₄ 3 ³	& &	AsH ' SbH³	& &	SiH₄ AsH₃	od &
	AlP	Ga(CH,). In(CH³)³ SiH, 4	& &	AsH, PH₃ ³	& &	SiH AsH₃	Od &
	InSb	Ga(CH,), Ga (CHp 3	& &	AeH₃ AsH₃	& &	GeH GeH? 4
		Ga(CH,), Ga(CHp GeH. ^{3 3} 4	& &	AsH, SbH₃	& &	GeH AsH₃
	Ga(CH,)₃ Ga(CHp, GeH, ^J 4	& &	AsH PH,³	& &	GeH AsH*
	Ga (CH₃)₃	&	AeH₃	&	GeH₄	Od
Ga (CH₃)₃	&	AsH	&	GeH. 4
Ga(CH₃)₃	&	AsH	&	GeH₄
Ga(CHp In(CH₃O₃	& &	AsH AeH₃ ⁵	& &	GeH GeH, 4

(3) Wobei v, x, y und ζ Zahlen größer als etwa O,O1 und v+x+y+z=l

409886/1062

Tabelle II (Forts.)

"434988

, , Zerstäubungstarget- , . . ,

Fest-Losungs-Material . , Reaktivgas-Material

Material

(InSb) Ga As Ge ν χ y ζ

(3)

(InF) Ga As Ge 'ν χ y

(3)

InSb od.Ga Ga(CH.)₃ & AeH & GeH od.

In(CH,), & SbH, & AsH* & GeH₄ ^J

InP od.Ga Ga(CH₃), & AsH₃ & GeH₄ od.

In(CH,)³ & PH, & AsH₃ &

GeH, ³ 4

GaAs od.Ga Ga(CH,), & AsH, & SiH &

GeH, od.

Ga GeH₄

(CH₃)

& AsH₀ & SlH, &

GaSb od.Ga Ga(CH ) & AsH, & SiH & GeH₄ ^{3 3} od. ³ *

1, & SbH, & AsH &

SiH.
4

GaP od.Ga Ga(CH.), & AsH, & SiH, & GeH, ^{3 3} od. * *

Ga(CH-) & PH₃ & AsH &

c-iu ^t n~u J

SiH

GeH₄

(AlAs) Ga As Si Ge u ν χ y ζ

(AlSb) Ga As Si₁Ge U ν χ y ζ

(4)

(InSb)_uGa_vAs_xSiyGe_z ⁽⁴>

V.

AlAs

AlSb

InAs

InSb

Ga(CH,)- & AsH, & SiH, &

GeH, ^{J 3} *

Ga(CH,) & AsH, & GeH₄

Ga(CH-). & AsH. & SiH. & GeH ^{3 3} 3 4 4

Ga(CH-). & AsH. & SiH & GeH₄ ^{3 3 3} *

Ga(CH.), & AsH, & SiH, &

GeH₄

Ga(CH,), & AsH & SiH & GeH, ³ *

GaAs

Al(CH )₃ & AsH₃ & SiH₄

(3) Wobei ν, χ, y und ζ Zahlen größer als etwa 0,01 und v+x+y+z=l

(4) Wobei u, v, x, y und ζ Zahlen größer als etwa 0,01 und u+v+x+y+z=l

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Tabelle II (Forts.)

τ, *. τ - W^. -i Zerstaubungstarget

Fest-Losungs-Material . ,

^y . Material

Reaktivgas-Material

(GaSb) Al As Si/³) ν χ y ζ»	GaSb	Al(CHg)₃	&	AaHg	&	SiH₄
	GaP	Al(CH₃)₃	&	AaHg	&	SiH₄
(AUs)^l_xASySi/³)	AUa	Al(CHj)₃	&	AaHg	&	SiH₄
(AlSb)_vAl_xA.ySi/³)	AlSb	Al(CH₃)₃	&	AaHg	&	SiH₄
(AIP) Al As Si ⁽³⁾ ν χ y ζ	AIP	A1(CH₃)₃	&	AaH	&	SiH, 4
(InAa)_vAl_xAaySi/3)	InAa	Al(CH₃)₃	&	AaHg	&	SiH, 4
(InSb)^l_xAa₇Si/³)	InSb	A1(CH₃)₃	&	AaH	&	SiH, 4
(InP)_vAl_xAs_ySi/³⁾	InP	Al(CH₃)₃	&	A-H₃	&	SiH₄
(GaAs)_vAl_xAs₇Ge/³)	GaAs	Al(CHg)₃	&	^ΑβΗ3,	&	SiH, 4
(GaSb)_vAl_xAa_yGa/³)	GaSb	Al(CHg)₃	&	AaHg	&	SiH₄
CCZmI?\ Al Aλ Πλ V»^ *\ w·» ^ AX AV W** ν χ y 2	GaP	Al(CHg)₃	&	AaHg	&	SiH, 4
(AUa)_vAl_xAs Ge/³⁾	AUs	Al(CH₃)₃	&	AaHg	&	SiH₄
(AlSb) Al As Ge ^³) ν χ y ζ	AlSb	Al(CH₃)₃	&	AaHg	&	SiH, 4
(AlP)_vAl_xAs Ge ^³)	AIP	Al(CH₃)₃	&	AaHg	&	SiH, 4
(InAs)^Al_xASyGe/³)	InAs	Al(CHg)₃	&	ASHg	&	GeH₄
(InSb)^l_xAs₇Ge/³)	InSb	Al(CHg)₃	&	AsHg	&	GeH 4
(InP)_vAl_xA8yGe/³)	InP	Al(CHg)₃	&	ASHg	&	GeH, 4
(GaAs) Al As Si Ge ⁽⁴)	GaAa	Al(CH )	&	AsH.	&	SiH₄ &
y		GeH₄ ^{J J}		J
(GaSb)_uAl_vAs_xSiyGe/⁴)	GaSb	Al(CH ) GeH. ^J 4	&	ASHg	&	SiH, & 4
(GaP) Al As Si Ge ⁽⁴⁾ u ν x y ζ	GaP	Al(CH-) GeH, ^{J J} 4	&	ASHg	&	SiH₄ &

(3) Wobei v, x, y und ζ Zahlen größer als etwa 0,01 und v+x+y+z=l

(4) Wobei u, v, x, y und ζ Zahlen größer als etwa O,Ol und u+v+x+y+z=l

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Tabelle II (Forts.)

~ w +. ■ λ Zerstaubungstarget- „ ,^ . ,

Fest-Losungs-Material . Reaktivgas-Material

Material

(AIP) Al As Si Ge u ν χ y z

(lnAe)_uAlA._xSi_yGe_z

(InSb) AL₇Ae Si Ge u " χ y

(4)

(G«As)_vIn_xAe_ySi_z<³)

(InAs) In As Si ν χ y ζ

(InSb)_vIn_xAs Si_z

(GaAs)

AlAs

AlSb

AIP

InAe

InSb

Al(CH₀), & AsH. & SiH, &

GeH, ^{3 3 3 4} 4

Al(CH,), & AeH, &

Al(CH,) & AsH & SiH &

GeH

Al(CH₃)₃ & AsH₃ & SiH &

& AeH₃ & SiH₄ &

Al(CH )

GeH, ^J
4

InP	Al(CH,), GeH, 4	&	AeH₃	&	SiH₄ &
GeAe	In (CH₃)₃	&	AeH₃	&	SiH, 4
GeSb	In(CH₃),	&	AeH₃	&	SiH₄
GaP	In (CH₃ )₃	&	AsH₃	&	SiH₄
AlAs	In (CH₃)₃	&	AeH₃	&	SiH. 4
AlSb	In (CH₃)₃	&	AsH₃	&	SiH, 4
AIP	In(CH₃)	&	AeH₃	&	SiH, 4
InAs	ln(CH₃)₃	&	AsH₃	&	SiH 4
InSb	In(CH₃)₃	&	AsH₃	&	SiH₄
InP	In(CH₃)₃	&	AeH₃	&	SiH, 4
GeAs	In(CH₃)₃	&	AsH₃	&	GeH 4
GaSb	In(CH,)-	&	AsH₃	&	GeH, 4
GaP	In(CH₃)	&	AsH	&	GeH, 4

(3) Wobei ν, χ, y und ζ Zahlen größer als etwa 0,01 und v+x+y+z=l

(4) Wobei u, v, x, y und ζ Zahlen größer als etwa 0,01 und u+v+x+y+z=l

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Tabelle II (Forts.)

_ ^ ,.„ „ ^ . _n Zerstaubungstarget-

Fest-Losungs-Material : ^ Reaktivgas-Material

Material

(AlSb)_vIn_xA8_yGe_z ⁽³⁾ (AlP)_vInA._yGe_zC3)

(InAs)

(InSb)_vIn_xA8_yG._z

<³>

(GeP) In As Si Ge u ν χ y ζ

(AlSb)

AIAb	In (CH₃ )₃	&	AsH₃	&	GeH₄	&
AlSb	In(CH₃)₃	&	AsH₃	&	GeH, 4	&
AIP InAs	In (CH₃)₃ In(CH₃X₃	& &	AeH₃ AsH₃	& &	GeH₄ GeH₄	&
InSb	In (CH₃) ₃	&	AsH₃	&	GeH₄	&
InP	In (CH₃)₃	&	AsH₃	&	GeH, 4	&
GaAs	In(CH ) GeH₄ ^{3 3}	&	AeH₃	&	SiH 4	&
GaSb	In(CH-) GeH₄ ³	&	AeH₃	&	SiH₄	&
GaP	In(CH-)- GeH₄ ³	&	AsH₃	&	SiH, 4
AlAs	In(CH )₃ GeH, 4	&	AsH₃	&	SiH₄
AlSb	In(CH ) GeH₄	&	AsH₃	&	SiH
AIP	In(CH )- GeH, 4	&	AsH₃	&	SiH₄
InAs	In(CH ) GeH. ^{J J}	&	AsH₃	&	SiH₄

(InSb)_uIn_vA8_xSi_yGe_z

⁽⁴>

(InAs)

InSb

InAs

In(CH ) GeH₄ ^{3 3}

In(CH.). GeH₄ ^J

In(CH₃)

& AsH- & SiH &

& AsH- & SiH, &

& AsH₃ & SbH₃

(3) Wobei v, x, y und ζ Zahlen größer als etwa 0,01 und v+x+y+z=l

(4) Wobei u, v, x, y und ζ Zahlen größer als etwa 0,01 und u+v+x+y+z=l

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Tabelle II (Forts.)

,-. w ^ . ι Zerstaubungstarget- „ , . . ,, ^ ". ,

Fest-Losungs-Material τ , Reaktivgas-Material

* ■ Material

(InSb) In As Sb

(GaAs)

(GaSb) In As Sb ⁽³⁾
ν χ y ζ

(AlAs)_v In_x A8_y

> Si <⁴>

y ζ

(4)

(lnP)_uInAs_xSb_ySi_z<*>

(GaAs) In As Sb Si
u ν χ y ζ

InSb

InP

GaAe

GaSb

GaP

AUe

AlSb

AIP

InAs

& SbH.

(InSb) In ,As Sb Si ^K ' InSb U ν X y ζ

InP

GaAs

In(CH₃) In(CH₃) In(CH₃)₃ In(CH₃)₃ In(CH₃)₃

& AsH₃ &

SbH₃

& SbH.

In(CH₃)₃

In(CH ) SiH₄ ^J

In(CH

SiH₁ ^{3 J} 4

In(CH.). SiH₄

In(CH ). SiH, ·

& AeH₃ & & AeH & & AsH₃ & $ AeH₃ & & AsH & & AsH &

& AsH₃ &

& AsH &

SbH,

SbH.

SbH_n

SbU.

SbH_-

SbB₃ &

SbH₃ &

SbH &

(GaSb). In As_vSb Si
u ν ^Λ y

j Si
y ζ

(4)

GaSb

GaP

In(CH-)

SiH. ^J

In(CH ) SiH_y ^J

& AsH₃ &

SbH₃

SbH₃ &

(AlAs) In As Sb Si
u ν χ y ζ

(AlSb) In As Sb Si
u ν χ y ζ

(AIP) In As Sb Si
u ν χ y ζ

(4)

AlAs

AlSb

AIP

In(CH )

SiH.

3'3

In(CH ) SiH₄ ^{3 3}

In(CH K SiH. ^J

& AsH₃ &

& AsH₃ &

SbH₃ &

SbH &

SbH₃ &

(3) Wobei v, x, y und ζ Zahlen größer als etwa 0,01 und v+x+y+z=l

(4) Wobei u, v, x, y und ζ Zahlen größer als etwa 0,01 und u+v+x+y+z=l

409886/1062

Tabelle II (Forts.)

243498S

~ w ^ . ι Zerstaubungstarget- „ , ,_. . ,

Fest-Losungs-Material - . , Reaktrvgas-Material

Material

(InAa)_uIn_vAs_xSb

(InSb) In A« Sb Ge 'u ν χ y ζ

(GaAa) In A« Sb Ge u ν ζ y ζ

(GaSb) In Aa SbGe
u ν χ y ζ

(GaP) In Aa Sb Ge

^u ν χ y ζ

(4)

(AlSb)_uIn_vAs_xSb Ge_z(⁴>

(InAs) In As__Sb Sl Ge

t. U V χ y

(5)

(InP)_1-In As Sb Si Ge

t U V X y Z

(GaAs).In As Sb Si Ge 't u ν χ ν

(GaSb)„In As Sb Si Ge ⁽⁵⁾

C U ^ X Jr Z

InAa In(CH₃)₃ & AaH₃ & SbH₃ &

InSb

InP

GaAa

GaSb

GaP

AUa

AlSb

AlP

InAs

(InSb)_tIn_uA8_vSb_xSi Ge ⁽⁵> InSb

InP

GaAs

GaSb In(CH ) & AaH t SbH. & ^{3 3 J}

In(CH ) & AaH. & SbH & GeH₄ ^{3 3 J}

In(CH.). & AaH. & SbH. &

& AaH.

GeH,

In(CH,). & AaH

GeH,

& SbH₃ &

In GeH

(CH.).

« 3 3

In(CH₃), GeH₄

3 & AaH₃ & SbH &

& AaH₃ & SbH₃ &

In(CH,), & AsH, & SbH, &

GeH, * ^J ^ό 4

In(CH ),

SiH, 4

In(CH )

SiH, 4

In(CH,)

SiH, ^J ■* 4

In(CH ). SiH, ^J ·

& AsH &

& GeHT 4

SbH,

& AeH₃

& GeH, 4

& AsH & GeHT

& SbH, &

& SbH &

& AsH

& GeH³ 4

& SbH & ³

In(CH ) & AaH & SbH, &

SiH. 4

& GeHT 4

(4) Wobei u, v, x, y und ζ Zahlen größer als etwa O,Ol und u+v+x+y+z= 1

(5) Wobei t, u, v, x, y und ζ Zahlen größer als etwa 0,01 und

40&886/Ί062

Tabelle II (Forts.)

„ . _T _■ , . . , Zerstaubungstarget- , .

Fest-Losungs-Material . , Reaktivgas-Matenal

Material

GaP

in(CH.)_o & AaH, & SbH, &

J 3 » Xl-TI-' J

(AUa) _tIn_uA._vSb_xSi_yGe_z ^	AUs	In(CH ) SiH₄ ^{3 3}	& &	AsH GeH,	&	SbH 3	&
(AlSb)_tIn_uA8_vSb_xSi_yGa_e ⁽⁵⁾	AlSb	In(CH ). SiH, * 4	& &	AsH, GeHj	&	SbH 3	&
*(AlP)₁₁In₁₁Aa^b_xSi₇G/⁵)**	AlP	In(CH ) SiH, ^{J 3} 4	& &	AaH, GeHj	&	SbH₃	&
(InAa)_vAl_xAa_ySb_z ⁽³⁾	InAs	A1(CH₃)₃	&	AsH	&	SbH 3
(InSb)_vAl_xAa_ySb_z ⁽³>	InSb	Al(CH₃)₃	&	AsH₃	&	SbH 3
(InP)_vAl_xAa_ySb_z ⁽³⁾	InP	Al(CH₃)₃	&	AsH₃	&	SbH 3
(GaAa)^l_xAa Sb_z<³)	GaAa	Al(CH₃)₃	&	AaH	&	SbH₃
(3) (GaSb) Al Aa Sb ^VJ' ν χ y ζ	GaSb	Al(CH₃)₃	&	AeH₃	&	SbH
(GaP)_vAl_xA._ySb_z<3)	GaP	Al(CH₃)₃	&	AeH₃	&	SbH₃
(AUs)_vAl_xAa_ySb_z(³)	AUs	Al(CH₃)₃	&	AsH	&	SbH₃
(AlSb)_vAl_xAs_ySb₂ ⁽³⁾	AlSb	Al(CH₃)₃	&	AsH₃	&	SbH₃
(AlP)_vAl_xAs_ySb_z<3)	AlP	Al(CH₃)₃	&	AsH	&	SbH
(InAs)_uAl_vAs_xSb_ySi_z(⁴)	InAs	Al(CH ) SiH ^{3 3} 4	&	AsH₃	&	SbH	&

(InSb) Al As Sb Si u ν χ y z

(4)

(InP) Al As Sb Si 'u ν χ y ζ

(4)

(GaAs) Al As Sb Si u ν χ y ζ

InSb

InP

GaAs

Al(CH₀)

SiH,

T 3

Al(CH )

SiH. ^J 4

Al(CH )

SiH. ^J 4

& AsH & SbH₃ &

& AsH & SbH &

■J O

& AsH & SbH₃ &

(3) Wobei v, x, y und ζ Zahlen größer als etwa 0,01 und v+x+y+z=l

(4) Wobei u, v, x, y und ζ Zahlen größer als etwa 0,01 und u+v+x+y+z

(5) Wobei t, u, v, x, y und ζ Zahlen größer als etwa O,Ol und t + u + v + x+y+z=l

409886/1062

-AA-

Tabelle II (Forts.)

_ . _τ _ ., . . , Zerstaubungstarget- , . . . , Fest-Losungs-Material . ^ Reaktivgas-Material

Material ^a

0=0

(GaP) Al Aa Sb Si u ν χ yζ

(AUe)₁₁A^Ae_xSb₇Si_x

(4)

(AIP) Al Ae Sb Si u ν ζ y ζ

(InAs) Al As_xSb Ge₂ ⁽⁴⁾

Al Aa CV» P« (4)

(4)

(InP) Al As Sb Ge

U V X y Z

(GaAs) Al As Sb Ge u ^v x y ζ

(4)

GaSb	Al(CH ) SiH₄. *	&	AsH₃	&	SbH	&
GaP	Al(CH ) SiH₄ ^{J 3}	&	AeH	&	SbH₃	&
AUe	Al(CH,), SiH, ^{J J} 4	&	AeH₃	&	SbH	&
AlSb	Al(CH )₃ Q J TJ O	&	AsH	&	SbH₃	&
AlP	Al(CH,), SiH₄	&	AeH₃	&	SbB₃	&
InAe	Al(CH ), GeH₄ ^{3 3}	&	AeH₃	&	SbH₃	&
InSb	Al(CH), GeH₄ ^{3 3}	&	A.H₃	&	SbH₃	&
InP	Al(CH )- GeH, ^J 4	&	AsH₃	&	SbH₃	&
GaAs	Al(CH-)- GeH₄	&	AsH₃	&	SbH₃	&

(GaSb) Al As Sb Ge u ν x y ζ

(4)

(GaP)_uAl_vAs_xSb_yGe_z

(4)

(AIP) Al As Sb Ge u ν χ y ζ GaSb

GaP

AUs

AlSb

AIP

(InAa)_1-Al Aa Sb Si Ge ⁽⁵> InAe

t U V X V Z Al(CH ). & AsH & SbH & GeH ^{J 3 3}

GeH

Al(CHJ- & AsH, & SbH, &

GeH, ^{J J} ^ά

Al(CH-)- & AsH & SbH, &

GeH₇ ^J ^{J J}

Al(CH ) & AeH, & SbH &

GeH ^{3 3 J 3}

Al(CH ) & AsH, & SbH &

GeH, ^{J J J 3}

Al(CH ) & AsH- & SbH &

SiH, ^{3 3} & GeH, ³

4 4

(4) Wobei u, v, x, y und ζ Zahlen größer als etwa O,Ol und u+v+x+y+z= 1

(5) Wobei t, u, v, x, y und ζ Zahlen größer als etwa 0,01 und t + u + v + x + y + z= 1

409886/1062

Fest-Lösungs

Tabelle II (Forts.)

. _n Zerstäiibungstarget- _ . . . ... . ,

-Material . , Reaktivgas-Material Material

(InSb)_tAl_u

(GaAs)

<⁵> InSb

InP (5) GaAs ⁽⁵⁾ GaSb

(G.P)_tAlA._vSb_xSi_yGe_z

(AlAs)

(5)

(AlSb) Al As Sb Si Ge tuvxyz

(5)

(InAs)_vGa_xA8_ySb_z (lnSb)_vGa_xAs_ySb_z

(3)

(GaAs) Ga As Sb
ν x y ζ

(GaSb)„Ga_vAs„Sb_z

(3)

)_vGa_xAs_y

(GaP),

(AlP)_vGa_xA8_ySb_z

<³>

GaP AlAs

AlSb

(5) AIP InAe

InSb

InP GaAe

GaSb

GaP

AlAs

AlSb AIP

Al(CH ) & AsH₃ & SbH & SiH₄ ^{3 J} & GeH₄ ³

Al(CHJ, & AsH & SbH & SiH, ^{3 3} & GeHf

Al(CH,). S. AsH & SbH & SiH₄ ^{3 3} & GeH³

Al(CH ) & AsH & SbH₃ &

GeH, ^{3 3} 4

Al(CH,). & AsH & SbH & SiH₄ ^{3 3} & GeH³

Al(CH ) & AsH & SbH &

SiH, ^{3 J} & GeH; 4 4

Al(CH ) & AeH- & SbH₃ & SiH₄ ^{3 J} & GeHj

Al(CH,), & AsH & SbH &

SiH. ³³S GeH³ 4 4

Ga(CHJ₃ &

& SbH₃

Ga (CH₃) & AsH₃ & SbH₃

Ga (CH₃)₃ &

& SbH₃

Ga (CH₃)₃ & AsH₃ & SbH₃ Ga(CH J₃ & AsH₃ & SbH₃ Ga (CH₃)₃ & AsH₃ & SbH₃ Ga(CH )₃ & AsH₃ & SbH₃ Ga(CH J₃ & AsH₃ & SbH₃

Ga(CHJ, & AsH & SbH 3

(3) Wobei ν, χ, γ und ζ Zahlen größer als etwa O,Ol und v+x+y+z=l (5) Wobei t, u, v, x, y und ζ Zahlen größer als etwa 0,01 und

409886/1062

Tabelle II (Forts.)

...._.,- Zerstaubungstarget- „ . ,

Fest-Losungs-Material . Reaktivgas-Material

Material *

(InAe)_uGa_vAe_xSb_ySl_r

(4)

InAs

InSb Ga(CH,), & AsH, & SbH & SiH₄ ■»<»■■» ^J

Ga SiH

(CH,), H ^{J J}

& AsH, & SbH, &

InP. Ga(CH.). & AsH & SbH & SiH ■ ^{J 3 J}

(GaAs)_uGa_vAs_xSb_ySi	(4)	GaAs
(GaSb)_uGa_vAs_xSb_ySi	(4) Z	GaSb
(G.P)_uGa_vA._xSb_ySi_z	(4)	GaP
(AlA.)_uGa_vA._xSb_ySi	_z(4)	AUs
(AlSb)_uGa_vAs_xSb_ySi	z⁽⁴⁾	AlSb
(AlP) Ga As Sb Si	(4)	AlP

u ν χ y ζ

(InAs)_tGa_ui

(5)

InAs

(InSb)JJa As Sb Si Ge ⁽⁵> InSb

t U V X y Z Ga(CH,), & AsH, & SbH, & SiH₁₁ ^{3 J 3 J}

Ga(CH.), & AsH. & SbH. &

SiH, ^Λ ^{J 3 3} 4

Ga(CH ) & AsH & SbH &

SiH. ^{3 3 3 3} 4

Ga(CH,), & AsH, & SbH, &

SiH, * ^{J J J} 4

Ga(CH,). & AsH, & SbH. & SiH, ^J ³ ^J

Ga(CH,), & AsH, & SbH & SiH ^{J J} V ³

Ga(CH ) & AsH & SbH &

SiH. ^{3 J} & GeHf ^J 4 4

Ga(CH ) & AsH, & SbH & SiH, ^{3 3} & GeHT ³

(InP)^Ga As„Sb Si Ge t u ν χ y

(GaAs)

(GaSb) Ga As Sb Sl Ge t u ν χ y ζ

InP

GaAs

GaSb

Ga(CH ) & AsH & SbH &

SiH. ^{3 3} & GeH³ 3 4 4

Ga(CH ) & AsH, & SbH &

SiH.

3'3

& GeHT

Ga(CH ) & AsH & SbH &

SiH ^J & GeH, ^Λ L 4

(4) Wobei u, v, x, y und ζ Zahlen größer als etwa 0,01 und u+v+x+y+z

(5) Wobei t, u, v, x, y und ζ Zahlen größer als etwa O,Ol und

40 98 86/1062

Tabelle II (Forts.)

Fest-Losungs-Material

Zerstaubungstarget-7

7 , Material

(5)

(AlAa)_tGa_uAa_vSb_xSi_yG._x

(5)

(AIP) Ga Aa Sb Si Ge ⁽⁵⁾
^^ t u ν χ y ζ

GaP AUa AlSb AIP

Reaktivgas-Material

Ga(CH ) & AaH, & SiH. ^Λ ^J it GeH

SbH &

Ga(CH.) fc AaH & SbH_n &

in J 3

SiH.

fc GeH.

Ga(CH₃) & AaH. & SbH &

SiH. 3 4 GeHf 4 4

Ga(CH.) & AaH &

SlH_t ^J & GeH³ 4 4

SbH & ⁴

Ιη_χ Sby Aa_x ^x-'	In	SbH k AaH	& SiH, 4
^Ittx^Py^Ae«⁽²⁾	In	PH₃ & AaH₃	SiH, 4
In_xPySb_xW	In	*PH₃ SbH**	SiH₄ & SiH
Ga_x Sby Aa,<²>	Ga	SbH₃ & AaH₃	SiH, 4
Ga_x Py A._xC²>	Ga	PH₃ & AeH₃
Ga_x Py Sb_x(²>	Ga	PH₃ & SbB₃
Al Sb Aa (²> χ y ζ	Al	SbH & AsH
Al P Aa <²> x y ζ	Al	PH & AsH₃
Al_x Py Sb_x <«	Al	PH₃ & SbH₃
In_vSb_xAa_ySi_x ⁽³⁾	In	SbH₃ & AsH
In P Ae Si ⁽³> ν X y ζ	In	PH₃ & AsH₃ &
In P Sb Si ⁽³> ν x y ζ Ga Sb Aa Si ⁽³⁾ ν x y *	In Ga	PH₃ & SbH & SbH t AsH
Ga P Aa Si ^ ν χ y ζ	Ga	PH₃ & AaH &

(2) Wobei χ, y und ζ Zahlen größer als etwa 0,01 und χ + y + ζ = 1

(3) Wobei v, x, y und ζ Zahlen größer als etwa 0,01 und v+x+y+z=l (5) Wobei t, u, v, x, y und ζ Zahlen größer als etwa 0,01 und

409886/1062

Tabelle II {Forts.)

„ ., ^ ■ -, Zerstaiabungstarget- , .

Fest-Losungs-Matenal Mti! Reaktivgas-Material

Ga P Sb Si ^u; Ga PH, & SbH, 6 SiH.

ν χ y ζ 3 3 4

Ga P Sb Si ^ΚΛ) Ga PH, & SbH. &

V X y ζ 3 3η

Al Sb As Si <³> Al SbH, 6 AsH. & SiH_/

ν χ y ζ 3 3

Al P As Si <³⁾ Al PH, & AaH, & SiH,

ν χ y ζ 3 3 4

Al P Sb Si ⁽³⁾ Al PH, & SbH, & SiH,

vxyj ' 334

In Sb Ae Ge *³* In SbH, * AaH, & GaH ν χ y Z 3 3

In P Aa Ga <³> In PH, & AaH, & GeH. ν χ y ζ 3 3 4

In P Sb Ge ^Q3) In PH, & SbH, & GeH.

ν χ j ζ 3 3 4

Ga Sb Aa Ga ⁽³> Ga SbH₃ 6 AsH₃ & GaH₄

Ga P Aa Ge/³' Ga PH, 4 AaH- & GaH,

VXyZ 3 ■* 4

Ga P Sb Ga ⁽³⁾ Ga PH, & SbH, & GeH.

V χ y 55 3 3 4

Al Sb As Ge ⁽³⁾ Al SbH, & AsH, & GeH.

ν X y ζ J _ 3 *»

Al P As Ge <³> Al PH, & AsH, & GeH,

vxy₂ 334

Al P Sb Ge ^³J Al PH, & SbH, & GeH,

ν χ y ζ 3 3 4

In Sb As Si Ge ^w In SbH, & AsH, & SiH. & GeH

uvxyz 3344

In P As Si Ge ^W In PH, & AsH, & SiH. & GeH.

uvxyz 3344

In P Sb Si Ge ^ In PH & SbH & SiH, & GeH

uvxy₈ 3344

Ga Sb As Si Ge <⁴> Ga SbH, & AsH, & SiH. & GeH,

UVxyZ 3344

Ga P As Si Ge ^w Ga PH, & AsH, & SiH. & GeH

u ν χ. _{y E} 3344

Ga P Sb Si Ge ⁽⁴⁾ Ga PH₀ & SbH, & SiH, & GeH,

uvxyz 3344

Al Sb As Si Ge <⁴> Al SbH, & AsH, & SiH, & GeH

uvxyz 3344

(3) Wobei ν, χ, y und ζ Zahlen größer als etwa 0,Ol und v+x+y+z=l

(4) Wobei u, v, x, y und ζ Zahlen größer als etwa 0,01 und u+v+x+y+z=l

409886/1062

- 49 Tabelle II (Forts.) 2 4

2 4 3 A 9 8 8

_ ^ . , Zerstaubungstarget- , .

Fest-Losungs-Material . "* Reaktivgas-Material

. Material

Al P A» Si G· ⁽⁴> Al PH & AeH & SiH & GeH

u ν χ y ζ J J η

Al P Sb Si G· <⁴> Al PH 4 SbH & SiH, & GeH

UVXYz J 3 *»

In Sb Si ⁽²⁾ In SbH, & SiH.

χ y « 3 4

P Si_z

⁽²⁾ In PH₃ & SiH

₃ & SiH₄

In Ae Si ⁽²⁾ In A.H & SiH.

χ y ζ 3 *

G* Sb Si ⁽²> Ga SbH₃ & SiH₄

Ga P Sl ⁽²> G* PH« & SiH. X y s J 4

Ga_x k»_y Si_e ⁽²⁾ G· A«H₃ & SiH₄ Al_x Sb_y Si^<²> Al SbH₃ASiH₄ Al_x P_y Si_t ⁽²> Al PH₃ & SiH₄ Al_x Ae_y Si^⁽²⁾ Al A«H₃ & SiH₄

In Sb Ge ⁽²⁾ In SbH & GeH χ y ζ 3 4

In P_v Ge_r ⁽²⁾ In PH & GeH

In As Ge <²> In AaH & GeH χ y ζ ³ 4

Ga Sb Ge ^ Ga SbH & GeH,

χ y ζ 3 4

Ga_x P Ge_r<²> Ga PH₃ & GeH₄

Ga As Ge ⁽²⁾ Ga AeH & GeH

XyZ J H

Α1_χ P Ge ⁽²⁾ Al PH₃ & GeH₄

Al Sb Ge ⁽²⁾ Al SbH> & GeH

χ y ζ ■> 4

Al As Ge ⁽²⁾ Al AsH₁ & GeH

χ y ζ 34

In Sb Si Ge ⁽³> In SbH & SiH₄ & GeH

ν χ y ζ

(2) Wobei x, y und ζ Zahlen größer als etwa 0,01 und χ + y + ζ =

(3) Wobei v, x, y und ζ Zahlen größer als etwa 0,01 und v+x+y+z=l

(4) Wobei u, v, x, y und ζ Zahlen größer als etwa 0,01 und u+v+x+y+z=l

4 09886/1062

- 5O -

Tabelle II (Forts.)

. , Zerstäubungstarget- „ „ . . _Ί Fest-Lösungs-Material T Reaktivgas-Material

McLtSX^-IcIX

PH. & SiH, & GeH. 3 4 4

AsH & SiH, & GeH, 3 4 4

SbH. & SiH. S GeH. 3 4 4

PH, & SlH. & GeH, 3 4 4

AsH & SiH₄ & GeH₄

PH. & SiH, & GeH, 3 4 4

SbH. & SiH. & GeH. 3 4 4

AsH. & SiH₇ & GeH. 3 4 4

In(CH )₃ & SbH₃ & SiH₄

In(CH,). & SbH. & SiH. 3 3 3 4

In(CH,). & SbH. & SiH 3 3 J _A

In(CH-), & SbH- & SiH, 3 3 3 4

In(CH₃) & SbH₃ & SiH In(CH )₃ & SbH & SiH In(CH ) & SbH & SiH.

In(CH-), & SbH. & SiH. 3 J 3 4

In(CH )„& SbH- & SiH 3 3 J 4

In(CH-). & SbH, & GeH, In(CH₃)₃ & SbH₃ & GeH₄ In(CH₃) & SbH₃ & GeH₄

In(CH₃) & SbH₃ & GeH

In(CH,)- & SbH, & GeH. 3 3 3 4

In (CH₃)₃ & SbH₃ & GeH₄

*In P Si G O)** ν χ y ζ	In
^In _v ^A8x^Siy^G%⁽³⁾	In
G._vSb_xSi_yG._z(³)	Ga
Ga P Si Ge ⁽³⁾ ν x y ζ	Ga
Ga As Si Ge ^³* ν x y ζ	Ga
Al_vP_xSi_yGe_e(³>	Al
Al_vSb_xSi_yGe_r ^<3)	Al
Al_vAe_xSi_yGe_z ⁽³>	Al
(InAs)^₇In_xSb₇Si₈ O)	InAs
(InSb) In Sb Sl ^ vxy*	InSb
(InP)_vIn_xSb_ySi_z<³>	InP
(GaAs)_vIn_xSb_ySi_z(³>	GaAs
(GaP)_vIn_xSb_ySi₂(³>	GaP
(GaSb) In Sb Si ⁽³⁾ 'y χ y ζ	GaSb
(AlP)_vIn_xSb_ySi_z ⁽³⁾	AIP
(AlSb) In Sb Si ⁽³⁾ 'v x y ζ	AlSb
(AlAs)_vIn_xSb_ySi_z ⁽³⁾	AlAs
(lnAs)_vIn Sb Ge ^	InAs
(InSb) In Sb Ge <³> ν χ y ζ	InSb
(InP) In Sb Ge <³> ν χ y ζ	InP
(GaAs)_vIn_xSb_yGe_z<³>	GaAs
(GaP) In Sb Ge ^³^ ν χ y ζ	GaP
(GaSb) In Sb Ge ⁽³⁾ ν χ y ζ	GaSb

(3) Wobei v, x, y und ζ Zahlen größer als etwa 0,Ol und v+x+y+z=l

409886/1062

Tabelle II (Forts.)

Fest-Lösungs-Material

(AIP) In Sb Si ⁽³⁾
ν x y ζ

(AlSb)_vIn_xSb_ySi_z<³> (AlA8)_vIn_xSb_ybi_z ⁽³⁾

Zerstäubungstarget-Material Reaktivgas-Material

(InSb) In Sb Ge
ν χ y ζ

(InP) In Sb Ge
ν χ y ζ

(GaP) In Sb Ge ⁽³⁾
ν χ y ζ

(GaSb) In Sb Ge ⁽³⁾
ν χ y ζ

(AIP) In Sb G· (3)
ν χ y ζ

(AlSb) In Sb_vG·
ν χ y ζ

(AlAs) In Sb Ge
ν χ y 2

(InAs) In Sb Si Ge

U V χ y ζ

(InSb)-In Sb Si Ge
u ν χ y ζ

(A)

AIP

AlSb

AlAs

InAe

InSb

InP

GaAs

GaP

GaSb

AIP

AlSb

AlAs

InAe

InSb In (CH₃)₃ &

In(CH₃)₃ & In(CH
In(CH

In(CH₃)₃ &

In(CH₃)₃ & In(CH₃)₃ & In(CH₃)₃ & In(CH₃)₃ & In(CH₃)₃ & In(CH₃)₃ & In (CH₃)₃ & In(CH ) &

GeH, ^J< ^J 4

In(CH ), &

GeH₇ ^{3 J} 4

SbH₃ & SbH₃ & SbH & SbH & SbH₃ & SbH & SbH₃ & SbH₃ &

SbH & .

SbH & SbH & SbH₃ & SbH &

SiH,

SiH,

GeH.

GeH,

GeH.

GeH,

GeH.

GeH

GeH.

SiH₄ &

SbH, & SiH. & 3

(InP) In Sb Si Ge
u ν χ y ζ

InP In (CHJ „ &

GeH

3'3

SbH & SiH, & 3

GaAs In(CH,), &

GeH, ^J ^ό 4

SbH₃ &

(GaP)_uIn_vSb_xSi_yGe_z<*>

GaP In(CH,). &

GeH ^{J J} 4

SbH & SiH &

(GaSb) In Sb Si Ge
u ν χ y ζ

GaSb In(CH ) &

GeH, ^{J J} 4

SbH, & SiH & ^J

(3) Wobei v, x, y und ζ Zahlen größer als etwa 0,01 und v+x+y+z= 1

(4) Wobei u, v, x, y und ζ Zahlen größer als etwa 0,01 und u+v+x+y+z= 1

409886/1062

Tabelle II (Forts.)

Fest-Losungs-Material·

Zerstäubungstarget- -Material Reaktivgas-Material

(AIP) In Sb Si Ge
u ν χ ν ζ

(4)

(AlSb) In Sb Si Ge
u ν χ y ζ

(AlAs) In Sb Si Ge
u ν χ y ζ

(InAs) As Si Ge

VXyZ

(InSb)_vAs_xSi Ge

^(lnP)v^A8x^Siy^Gez⁽³⁾
(GaAs)_vAs_xSi_yGe_z

(GaP) As Si Ge

V XyZ

(GaSb) As Si Ge ⁽³⁾
ν χ y ζ

(AlP) As Si Ge ⁽³⁾
ν χ y ζ

⁽³⁾

(AlAs)_vAs Si Ge

(InSb)_vSb_xSi_yGe_z ⁽³>
(InP)_vSb_xSi_yGe_z<3)

(GaAs) Sb Si Ge ⁽³⁾
ν χ y ζ

(GaP)_vSb_xSi_yGe_z ⁽³⁾
(GaSb) Sb Si Ge ⁽³⁾

V A Jr 2

(AlP)_vSb_xSi_yGe_z

AlP

AlSb

AlAs

InAs

InSb

InP

GaAs

GaP

GaSb

AlP

AlSb

AlAs

InAs

InSb

InP

GaAs

GaP

GaSb

AlP In(CH,), & SbH, & SiH. & GeH₄ ^{3 3} 3 In(CH₀), & SbH, & SiH. & _r._H 3 3 3 GeH₄

In(CHJ & SbH & SiH, &

GeH, ^{3 3 3} 4

AsH₃ & SiH₄ & GeH

AsH, & SiH. & GeH, 3 4 4

AsH, & SiH, & GeH, 3 4 4

AsH, & SiH, S. GeH, 3 4 4

AsH & SiH₄ & GeH

AsH, & SiH, & GeH, 3 4 4

AsH & SiH, & GeH, 3 4 4

AsH, & SiH, & GeH, 3 4 4

SbH, & SiH, & GeH, J 4 4

SbH, & SiH, & GeH, 3 4 4

SbH₃ & SiH₄ & GeH

SbH, & SiH, & GeH, 3 4 4

SbH, & SiH. & GeH, 3 4 4

SbH, & SiH, & GeH 3 4 4

(3) Wobei v, x, y und ζ Zahlen größer als etwa 0,01 und v+x+y+z= 1

(4) Wobei u, v, x, y und ζ Zahlen größer als etwa 0,01 und u+v+x+y+z=l

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Tabelle II (Forts.)

. , Zerstaubungstarget-Fest-Lösungs-Matenal . ,

Material Reaktivgas-Material

(AlSb) Sb Si Ge
ν χ y ζ

(AlAs)_vSb_xSi_yGe_z
(InAs) (InSb)_vIn

(4)

(InP) (InAs) In A* Sb
u ν χ y z

(GaAs) (InSb) In As Sb
U ν χ y ζ

(GaP) (InSb) In As Sb
U ν χ y ζ

(GaSb)_u(InSb)_vIn_xAs_ySb

(AlSb)_u(InSb)_vIn_xAs_ySb_z

(InSb) _vIn_xAs_ySb₂

(GaAs) (InAs) (AUs) Sb
ν χ y ζ

(4)

(3)

AlSb
AlAs

InAs & InSb InP & InAs GaAs & InSb GaP & InSb GaSb & InSb AIP & InSb AlSb & InSb AlAs & InSb

GaAs & InAs S. AlAs

(GaAs) (InSb) (AIP) Si ⁽³⁾ GaAs & InSb

& AIP

(GaSb) (InP) (AlSb) Ge ⁽³⁾ GaSb & InP . ^{Χ y} & AlSb

(GaAs)_ν(InAs)_x(AlAs)_yAs,

GaAs & InAs & AlAs

(GaP) (InSb) (AlSb) Sb (4) GaP & InSb ^{U X y}

(GaAs) (GaSb) (GaP) In
Sb ^{u v x}

(GaAs) (GaSb) (InAs) As

Sb ^{V Χ y}

& AlSb

GaAe & GaSb & GaP

GaAs & GaSl) & InAs

SbH & SiH, & GeH. 3 4 4

SbH- & SiH. & GeH₇ 3 4 4

In(CH₃) & AsH₃ & SbH₃ In(CH ) & AsH & SbH

J J J j

In(CH₃)₃ & AsH₃ & SbH₃ In(CH ) & AsH₃ & SbH In(CH ) & AsH & SbH₃

In(CH ) & AsH & SbH 3 ₃ 3 3

In (CH₃)₃ & AsH₃ & SbH₃ In (CH₃)₃ 6. AsH & SbH₃ SbH₃ or Sb (CH₃)₃

SiH or SiCl,
4 4

GeH. or Ge(CH₇) 4 -j 4

or As (CH₃)₃

SbH₃ & AsH

In(CH ) & SbH 3 3 3

AsH & SbH

(3) Wobei v, x, y und ζ Zahlen größer als etwa 0,Ol und v+x+y+z=l

(4) Wobei u, v, x, y und ζ Zahlen größer als etwa 0,Ol und u+v+x+y+z=l

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Tabelle II (Forts.

„ ^ .. . -, Zerstäubungstarget-

Fest-Losungs-Material r , Reaktivgas-Material

Material

(GaAs)_v	(GaSb)	_x(InSb)_ySb_z(³>	GaAs & & InSb	GaSb	SbH₃
(GaAs)_v	(GaSb)	_v(InP) As,<³>" Λ J Z	GaAs & & InP	GaSb	AsH
(GaAs) Si ^U Z	(GaSb)	_v (AlP)_xAs_y ⁽⁴⁾	GaAs & & AlP	GaSb	AsH & SiH 3 4
(GaAs) Si_yGe_z	(GaSb)	_u(AUs)_vAs_x<5)	GaAs & & AlAs	GaSb	AsH & SiH & GeH, 3 4 4
(GaAs)	(GaSb)	(AlSb) Sb ⁽³> χ y ζ	GaAs & & AlSb	GaSb	SbH₃
(GaAs) Sb ^u Z	(InSb)	(GaP) In <⁴> ν χ y	GaAs & & GaP	InSb	In(CH )_o & SbH 3 3 3
(GaAs)	(InSb)	*(AlA) As W** ν χ y	GaAs & & AlAs	InSb	AsH & SbH
(GaAs) Sb ^u Z	(InSb)	_v(AlSb)_xP_y<⁴>	GaAs & & AlSb	InSb	PH & SbH₃
(GaAs)₁₁ As Z	(InSb)	(InP) In <⁴> ν χ y	GaAs & & InP	InSb	In(CH₃)₃ & AeH₃
(GaAs) Si ^u Z	(InSb)	(InAs) Ga <⁴> ν χ y	GaAs & & InAs	InSb	Ga(CH ) & SiH, 3 3 4
(GaAs) Si Ge ^C y ^z (GaAs) V	(GaP) U (GaP)_x	(InSb) Ga ^⁵) ν χ (InP) Si ⁽³⁾	GaAs & & InSb GaAs & & InP	GaP GaP	Ga(CH.) & SiH & G ³ 3 4 SiH or SiCl₄
(GaAs)	(GaP)^	(AlSb) Ge ⁽³⁾ : y ζ	GaAs & & AlSb	GaP	Ge(CH ), or GeH 3 4 4

(3) Wobei v, x, y und ζ Zahlen größer als etwa 0,01 und v+x+y+z=l

(4) Wobei u, v, x, y und ζ Zahlen größer als etwa 0,Ol und u+v+x+y+z=l

(5) Wobei t, u, v, x, y und ζ Zahlen größer als etwa O,Ol und

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Tabelle II (Forts.)

„ . ., Zerstaubungstarget-

Fest-Losungs-Material . ^ Reaktivgas-Material

Material

(InSb) (InAs) (InP) In^³) InSb & InAs In(CH₃J₃

(AlSb) (AUs) (AIP) Al <³> AlSb & AUs Al(CH-).

v χ y ζ _{& Alp} 3

(BN) (AlN) (GaN) In Sb ⁽⁴⁾ BN & AlN In(CH ) & SbH x y ζ Jj j

(AlN) (GaN) (InN) Sb <³> AlN & GaN SbH,

^{v X y z} & InN

(GaN) (BN) (InN) Si ⁽³⁾ GaN & BN SiH

^{V x y z} & InN ⁴

(InN) (AlIn) (BN) Ge ^w/ InN & AlN GeH

^{v x y z} & BN

(BP) (InSb) (AlSb) Aa ⁽⁴> BP & InSb AeH & SbH

Sb ^{U V X y} & AlSb ³

(AlP) (BP) (InP) Sb ⁽³⁾ AlP & BP SbH

^{v x y z} & InP ³

(AlSb) (AlP) (InAs) P ⁽⁴⁾ AlSb & AlP PH & SbH

Sb ^{u V x y} & InAs ³

(InP) (.AlAs) (InAs) Si ⁽³> InP & AlAs SiH,

^{v x y z} & InAs ⁴

(AlAs) (InSb) (AlSb) Sb <³> AlAs & InSb SbH_n

^{V x} Υ ^z & AlSb ³

(InAs) (AlSb) (AlAs) As ⁽³⁾ InAs & AlSb AsH

^{v x y z} & AlAs ³

(AlSb) (InSb) (InP) Ge ^³^ AlSb & InSb GeH

^v x y ζ & *

(InSb) (BP) (AIP) Si Ge ^ InSb & BP SiH & GeH. ^{U v x y z} &A1P ⁴

(3) Wobei v, x, y und ζ Zahlen größer als etwa 0,01 und v-+x+y+z=l

(4) Wobei u, v, x, y und ζ Zahlen größer als etwa 0,01 und u+v+x+y+z=l

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Die Tabelle II zeigt somit zahlreiche Beispiele neuer Halbleitermaterialien, wie sie sich durch das erfindungsgemäße Verfahren herstellen lassen, und manifestiert zugleich, daß die Grenzen der erfindungsgemäß herstellbaren neuen Materialien sich nicht einwandfrei festlegen lassen, außer durch das Verfahren nach der Erfindung. Außerhalb des Bereichs der Tabelle II liegen neue Halbleiter- und Nichthalbleiter-Materialien mit Halbleitern der Gruppe Hb - VIb und der Gruppe IVb - IVb wie Cadmiumsulfid, Cadmiumselenid, Zinkoxid, Zinnoxid und Bleitellurid, hergestellt nach der vorliegenden Erfindung. In ähnlicher Weise können Elemente der Gruppe lib, IHb, IVb, Vb und VIb des periodischen Systems, einschließlich Wismut, Blei und Thallium, in nach der vorliegenden Erfindung hergestellten neuen Materialien enthalten sein. Es ist davon auszugehen, daß praktisch jedes im wesentlichen homogene (oder in Festlösung befindliche) Material, das sich denken läßt oder gedacht worden ist, mit Hilfe des beschriebenen Verfahrens hergestellt werden kann, vorausgesetzt, daß mindestens eine der Komponenten in einem reaktiven Gas enthalten sein und mindestens eine der Komponenten von einem Zerstäubungstarget zerstäubt werden kann.

Die Tabelle II zeigt, daß bestimmte neuartige pseudobinäre Halbleitersysteme mit Hilfe der Erfindung hergestellt werden können. Solche neuartigen binären Halbleitermaterialien haben die Formel: (A) ₁ (B) , wobei A eine Halbleiterverbindung der Gruppe IHb -

I ~X X

Vb ist, die aus der BN, AlN, GaN, InN, BP, AIP, GaP, InP, AlAs, GaAs, InAs, AlSb, GaSb und InSb enthaltenden Gruppe ausgewählt ist, während B ein Element der Gruppe IVb ist, das aus der Si, Ge' und Sn enthaltenden Gruppe ausgewählt ist, und χ ist eine Zahl größer als etwa 0,01 und vorzugsweise größer als 0,05, wobei χ + (1-x) = 1. Unter diesen Materialien sind die BP-, AIP-, GaP-, InP-, AlAs-, GaAs-, InAs-, AlSb- und GaSb-Materialien wegen ihrer größeren Kompatibilität im Gitteraufbau mit den Elementen der Gruppe IVb von größerem Interesse, und (GaAs). Si , (GaAs)₁^Ge_x, (InSb)^_xSi_x, (InSb)₁^Ge_x, (InAs) ^_xSi_x und (InAs)₁ Ge sind von größtem Interesse. GaAs-Si und GaAs-Ge-

I "**X X

Systeme wurden bisher als im wesentlichen nicht mischbare Systeme

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angesehen. Diese neuen Materialien sind daher von großem Interesse für die Herstellung von Halbleiter-Bauelementen, die einzigartige Halbleiter-Parameter erfordern, insbesondere in epitaxialen Schichten oder Lagen, wie sie die vorliegende Erfindung vorsieht.

Weiter zeigt Tabelle II, daß eine breitere Klasse neuer Materialien hergestellt werden kann, um Halbleiter-Bauelemente in Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung herzustellen. Diese neuen Materialien haben die allgemeine Formel: (A₁) (A₀) ...

X^ £ ο

(A ) , wobei A₁, A₀...A jeweils aus der Gruppe ausgewählt sind, η χ ι & η
η

die Verbindungen der Gruppen IHb - Vb und IVb - IVb, nämlich BN, AlN, GaN, InN, BP, AIP, GaP, InP, AlAs, GaAs, InAs, AlSb, GaSb, InSb und GeSi, sowie Elemente der Gruppen IHb, IVb und Vb enthält, und mindestens eine der Halbleiterverbindungen der Gruppen IHb - Vb und IVb - IVb,- mindestens ein Element der Gruppe IVb, das unter Si und Ge ausgewählt ist, oder mindestens ein Element der Gruppe IHb und mindestens ein Element der Gruppe Vb enthalten, wobei ferner X₁, x_o ... χ jeweils Zahlen größer als etwa 0,01 und vorzugsweise größer als 0,05 sind und X₁ + χ + ... +χ = 1, η eine ganze Zahl größer 2, mit Ausnahme der Zahl 4, ist und A₁, A₂, A« und A. jeweils Halbleiter-Verbindungen sind. Die Elemente der Gruppe IHb sind Bor (B) , Aluminium (Al) , Gallium (Ga) , Indium (In) und Thallium (Tl); die Elemente der Gruppe IVb sind Kohlenstoff (C), Silizium (Si), Germanium (Ge), Zinn (Sn) und Blei (Pb); und die Elemente der Gruppe Vb sind Stickstoff (N), Phosphor (P), Arsen (As), Antimon (Sb) und Wismut (Bi). In diesem Zusammenhang sei darauf hingewiesen, daß (1.) teilweise lösliche Lösungen von (A..) (A₀) (A ) (A.)-Materialien, wobei A₁, A₀, A und A. jeweils Verbindungen der Gruppen IHb - Vb sind, auf andere Weise erhalten wurden (vgl. J. L. Richards, "Solubility Studies in Semiconductor Alloy Films", The Use of Thin Films in Physical Investigations, ed. J. C. Anderson (1966), S. 419) und daß (2.) InBi, TlSb und TlBi als metallische Materialien angesehen werden (vgl. 0. Madelung, Physics of Ill-V-Verbindungen (1964), S. 8).

Unter diesen neuen Materialien der Formel sind die Materialien,

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bei denen η eine Zahl von vorzugsweise kleiner als 7 und insbesondere gleich 3 ist, von besonderem.Interesse bei der Herstellung von Halbleiter-Bauelementen. Die ternären Materialien haben die größte Bedeutung, die die allgemeine Formel (A₁) (A₀) (A,,) haben, wobei A₁, A₂ und A₃ jeweils aus der Gruppe IHb, IVb und Vb ausgewählte Elemente, nämlich B, Al, Ga, In, Si, Ge, Sn, N, P, As und Sb, sind und mindestens ein Element der Gruppe IVb, das unter Si und Ge ausgewählt ist oder mindestens ein Element der Gruppe IHb und der Gruppe Vb enthalten und wobei x, y und ζ jeweils Zahlen größer als etwa 0,01 und vorzugsweise größer als 0,05 sind und χ + y + ζ = 1. Unter diesen ternären Materialien sind Ga As -

Si , Ga As Ge , Ga Sb Si , Ga Sb Ge , Ga As Sb , In Sb Si , ζ χ y ζ χ y ζ χ y ζ χ y ζ χ y ζ

In Sb Ge , In Sb As , In As Si und In As Ge von größtem Interesse, xyz' xyz' xyz xyz ³

Bezüglich aller dieser allgemeinen Formeln sollte beachtet werden, daß der Anteil jeder der Komponenten größer als etwa 0,01 und vorzugsweise größer als 0,05 ist. Eine Zusammensetzung oder ein Material mit einem geringeren Anteil an einer Komponente wirkt als anderes Material, dem die Komponente mit geringerem Anteil fehlt oder als anderes Material, das mit der Komponente geringeren Anteils dotiert ist. Beispielsweise ist AsSiIn, bei dem As

—12 —20 3

und In in Mengen von 10 bis 10 Atomen/cm enthalten sind, einfach ein Siliziummaterial, das mit Arsen und Indium dotiert ist. Weiter ist es für den einschlägigen Fachmann ersichtlich, daß, wo ein Halbleitermaterial gewünscht wird, die,. Komponenten innerhalb der Formel verändert werden müssen, so daß die Halbleiter-Elemente oder Halbleiter-Verbindungen dominieren oder die IHb - Vb-Elemente im richtigen Gleichgewicht dominieren. Sn wird in einer Kristallform bevorzugt, in der es halbleitend ist. Jedoch können sich in den Bereich der allgemeinen Formel fallende Nichthalbleiter-Materialien als nützlich erweisen, beispielsweise■ zur Herstellung integraler Zerstäubungstargets, wie zuvor erläutert .

Die Tabelle II manifestiert auch eine bevorzugte Arbeitsweise für die Verbindungsbildung mit der vorliegenden Erfindung. Allgemein lagern sich zerstäubte Arten in der Lage auf dem Substrat

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unverändert ab, d. h. sie behalten ihre Verbindungs-Integrität, während Gas-Arten sich in der Lage in elementarer Form ablagern. Somit werden von dem Zerstäubungstarget typischerweise Verbindungen abgelagert, während von dem reaktiven Gas Elemente abgelagert werden, um eine größere Breite in den Arbeitsbedingungen zu erhalten. Um die Verbindung durch die Reaktion reaktiver Gase zu bilden, erfordern die Konzentration und der Teildruck der reaktiven Gase und die Substrattemperatur eine sorgfältige überwachung, um die gewünschte Verbindung in einem homogenen Material oder einer homogenen Zusammensetzung zu erhalten.

Andererseits besteht die Schwierigkeit bei der Ablagerung von Material von dem Zerstäubungstarget darin, daß (1.) eine Ionisierung manchmal eine Dissoziation schwach gebundener Elemente in einer Verbindung hervorruft und daß (2.) dort, wo zwei oder mehr Materialien zerstäubt werden, eine körperliche Trennung von Mehrfach-Zerstäubungstargets eine Ungleichförmigkeit in dem zerstäubten Material und damit eine Inhomogenität im abgelagerten Material hervorruft. Wo die ersterwähnte Schwierigkeit auftritt, wird die Verbindung vorzugsweise durch elektrische Entladungsreaktion der reaktiven Gase abgelagert. Wo die zweiterwähnte Schwierigkeit auftritt, kann ein einziges integrales Zerstäubungstarget, das eine Zusammensetzung aus zwei oder mehr zu zerstäubenden Materialien enthält, unter Anwendung des Verfahrens nach der vorliegenden Erfindung hergestellt werden.

Das heißt, eine für eine Zerstäubungstargetelektrode geeignete Elektrode kann in der Lage des Substrats in Fig. 1 angeordnet werden. Auf der Elektrode können entsprechend dem oben erwähnten Verfahren zwei oder mehr Materialien abgelagert werden, um auf der Elektrode ein integrales Zerstäubungstarget im wesentlichen homogener Zusammensetzung zu bilden, die die gewünschten Verbindungen enthält, die auf dem Substrat abgelagert werden sollen. Danach wird die Elektrode mit dem auf sie aufgebrachten Targetmaterial in der Anordnung nach Fig. 1 als der Zerstäubungelektroden-/Zerstäubung.starget-Aufbau angeordnet. Die gewünschten Halbleiterverbindungen können so gleichzeitig von dem einzigen

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integralen Zerstäubungstarget zerstäubt werden. Statt dessen kann auch ein Einzeltarget mit gescheckten oder schachbrettartigen Stücken der zu zerstäubenden unterschiedlichen Verbindungen hergestellt werden. Jedoch ist diese Target-Ausführung allgemein schwieriger und teurer herzustellen als das oben erwähnte integrale Zerstäubungstarget mit einer im wesentlichen homogenen Zusammensetzung aus zwei oder mehr zu zerstäubenden Materialien.

Es sei in Verbindung mit Tabelle II - ebenso wie mit Tabelle I und der allgemeinen Arbeitsweise der Anordnung nach Fig. 1 erwähnt, daß ein zusätzliches Gas im Gemisch mit dem reaktiven Gas erforderlich sein kann, um für die elektrische Entladungsreaktion zu sorgen. Beispielsweise kann Wasserstoffgas (H₃) eingeführt werden, um SiCl. und In(CH₃J₃ zu reduzieren und HCl sowie CH. als Nebenprodukte zu liefern. Dies kann einfach durch Hinzufügung eines weiteren Gefäßes und Ventilverbindung mit der Mischkammer in der Anordnung nach Fig. 1 erfolgen. Ferner sei in Verbindung mit Tabelle II darauf hingewiesen, daß die aufgeführten Materialien für das Target und das reaktive Gas lediglich ausgewählte Beispiele sind, um verschiedene der Ausgangsmaterialien aufzuzeigen, und nicht unbedingt die bevorzugtesten Ausgangsmaterialien für die Herstellung des bestimmten Materials darstellen.

Wie zuvor erwähnt, zeigt Tabelle II, daß im wesentlichen homogene (oder Fest-Lösungs-) Materialien nach dem erfindungsgemäßen Verfahren aus Materialien hergestellt werden können, die bisher als "nicht mischbar" angesehen wurden. Speziell wird die maximale Löslichkeit von Si in BuIk-GaAs mit etwa 0,5 % angegeben. Aus diesem Grunde wurde das System (GaAs)₁ Si besonders vollständig untersucht.

Unter Verwendung der in Verbindung mit Fig. 1 beschriebenen Anordnung wurden (GaAs)_1- Si -Lagen epitaxial auf Einkristallsubstraten aus Galliumarsenid gezüchtet. Die Anordnung wurde evakuiert und mit Argon auf 2 χ 10 Torr aufgefüllt. Nach einem kurzen Reinigungs-Zerstäuben wurde das reaktive Gas - Silan

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(SiH.) - in die Kammer eingeleitet und das Verschlußelement verschwenkt, um das Auftragen von Material auf das Substrat beginnen zu lassen. An die Zerstäubungselektrode wurde ein HF-Potential von etwa 1000 V (d. h. etwa 1,3 W/cm ) mit einer Frequenz von 13,56 MHz angelegt. Das Substrat wurde erhitzt und während des Materialauftrags auf einer Temperatur zwischen 530° und 600 C gehalten. Die so hergestellten Lagen wurden untersucht, um ihre Zusammensetzung zu ermitteln.

Zur Bestimmung des Gitterparameters a wurde mit Röntgenbeugung 'gearbeitet. Unter Verwendung des GaAs-Substrats als Referenzwert· wurden Werte bis zu einer Genauigkeit von +0,01 A leicht erhalten. Die Röntgen-Daten bestätigten für alle Zusammensetzungen, daß nur eine einzige Phase eines ungeordneten Zinkmischgefüges vorhanden war.

Es wurden Zusammensetzungen von Elektronen-Mikroprobendaten ermittelt. Bei dieser Messung werden hohe Intensitätsdaten einem Standard-Computerprogramm zugeführt. Eine Aufzeichnung des Gitterabstands a in Abhängigkeit von der Zusammensetzung in Fig. 3 zeigt Übereinstimmung mit dem Vegardschen Gesetz der linearen Änderung des Gitterparameters mit der Zusammensetzung. In den leichter mischbaren Systemen ist ein solches Verhalten repräsentativ für die Homogenität in gut abgeglichenen Systemen.

Es wurden optische Übertragungsinessungen mit einem Cary-Spectrophotometer bei Wellenlängen zwischen 0,7 und 2,5,u (1,76 und 0,49 eV) vorgenommen. Für diese Messungen wurden die Zusammensetzungen bzw. Materialien auf ebenen.Flächen von Siliziumdioxid-Rohlingen hoher Reinheit durch ein nichtabsorbierendes Harz gehalten. Die GaAs-Substrata wurden unter Verwendung eines Brommethanol-Ätzmittels weggeätzt,. Die Fest-Lösungsfilme wurden nur sehr schwach chemisch angegriffen. Der Absorptionskoeffizient öC wurde anhand von Übertragungsdaten für Filme vieler Zusammensetzungen oder Materialien ermittelt. Es wurden dann die Band-

2
abstände E durch Auftragen von oc ±_n Abhängigkeit von (hv-E )

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oder 1/2 in Abhängigkeit von (hy-E ) ermittelt. Geradlinige Abschnitte der Energieachse ergeben E . Alle untersuchten Zusammensetzungen bzw. Materialien (x < 0,55) zeigten direktes übergangsverhalten.

Mit Fig. 4 und 5 ist die Änderung des Bandabstands in Abhängigkeit von Änderungen in den prozentualen Zusammensetzungen der bekannten Germaniumsilizium- und Indiumantimonid-Indiumarsenid-Materialien gezeigt. Die Kurven lassen erkennen, daß die Änderung des Bandabstands für Änderungen in der Zusammensetzung nicht immer linear ist. In dem GermaniumsiIiζium-System steigt der Bandabstand ständig an, enthält jedoch in der Kurve einen Knick. Bei dem Indiumantimonid-Indiumarsenid-System läßt sich für 60 Mol% Indiumantimonid ein Minimum von 0,10 eV beobachten.

Patentansprüche;

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Claims

P atentansprüche

1. Verfahren zum Aufbringen einer Feststoff-Lage auf ein Substrat in einer Teilvakuum-Kammer, dadurch gekennzeichnet, daß in die Kammer (10)ein Gas, das mindestens einen reaktiven Gasbestandteil mit mindestens einer Komponente zur Bildung von auf das Substrat (33) aufzubringendem Material enthält, eingeleitet; mindestens ein Komponentenmaterial von einem Zerstäubungstarget (35) zum Aufbringen auf das Substrat zerstäubt; gleichzeitig mit dem Zerstäuben unter Bildung des auf das Substrat aufzubringenden Materials aus dem zerstäubten Material und dem Gas das reaktive Gas mit einer elektrischen Entladung zur Reaktion gebracht; und schließlich das so gebildete Material auf das Substrat aufgebracht wird.

2. Verfahren zum Aufbringen einer Feststoff-Lage auf ein Substrat nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Aufbringen sowohl durch Zerstäuben als auch durch ' elektrische Entladungsreaktion durch Anlegen eines HF-Potentials zwischen dem Substrat und dem Zerstäubungstarget erfolgt.

3. Verfahren zum Züchten einer im wesentlichen homogenen Lage aus Halbleitermaterialien nach den Ansprüchen 1 und 2, gekennzeichnet durch die vorbereitenden Schritte: Bildung mindestens eines Zerstäubungstargets mit mindestens einem Komponentenmaterial zur Bildung des zu züchtenden Halbleitermaterials und Anordnung des gebildeten Zerstäubungstargets und eines für den Materialauftrag darauf vorbereiteten Substrats im Abstand voneinander in einer Teilvakuum-Kammer.

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4. , Verfahren zum Züchten einer im wesentlichen homogenen

Lage aus Halbleitermaterialien nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß das Gas zwei Kornponenten zur Bildung des zu züchtenden Halbleitermaterials enthält, so daß das gebildete Zerstäubungstarget und das eingeführte reaktive Gas in der Lage sind, alle auf dem Substrat niederzuschlagenden Halbleitermaterialien zu bilden, daß das erste Komponentenmaterial vom Zerstäubungstarget unter Ablagerung eines ersten Halbleitermaterials auf dem .Substrat zerstäubt und daß gleichzeitig damit das reaktive Gas unter Ablagerung eines zweiten Halbleitermaterials auf dem Substrat und unter Bildung einer im wesentlichen homogenen Lage aus Halbleitermaterialien auf dem Substrat zusammen mit dem ersten Halbleitermaterial einer elektrischen Entladungsreaktion ausgesetzt wird.

5. Verfahren zum Züchten einer im wesentlichen homogenen Lage aus Halbleitermaterialien nach Anspruch 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet, daß zusätzlich das zweite Zerstäubungstarget in der Vakuumkammer mit dem ersten Zerstäubungstarget und dem Substrat angeordnet und gleichzeitig mit dem Zerstäuben und der elektrischen Entladungsreaktion das dritte Komponentenmaterial unter Niederschlagen eines dritten Halbleitermaterials auf dem Substrat und unter Bildung einer im wesentlichen homogenen Lage aus dem ersten und dem zweiten Halbleitermaterial zerstäubt wird.

6. Verfahren zum Züchten einer im wesentlichen homogenen Lage aus Halbleitermaterialien nach Anspruch 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet, daß das Zerstäubungstarget zusätzlich ein drittes Komponentenmaterial enthält und die dritte Komponente gleichzeitig mit dem Zerstäuben des ersten Komponentenmaterials unter Aufbringen eines dritten Halbleitermaterials auf das Substrat und Bildung einer im wesentlichen homogenen Lage aus Halbleiterkom-

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ponentenmaterialien in Verbindung mit dem ersten und dem zweiten Halbleitermaterial die dritte Komponente zerstäubt wird.

7. Verfahren zum Züchten einer im wesentlichen homogenen Lage aus Halbleitermaterialien nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß eines der reaktiven Gase unter Bildung eines flüchtigen Nebenprodukt-Gases und eines der Halbleitermaterialien mit einem weiteren reaktiven Gas zur Reaktion gebracht wird, das mindestens ein Komponehtenmaterial enthält.

8. Verfahren zum Züchten einer im wesentlichen homogenen Lage aus Halbleitermaterialien nach einem der Ansprüche 1-6, dadurch gekennzeichnet, daß eines der reaktiven Gase ein zweites Komponentenmaterial enthält und daß ein zweites reaktives Gasgemisch eingeleitet wird, das ein drittes Komponentenmaterial enthält.

9. Im wesentlichen homogene Zusammensetzung aus mindestens _t drei Komponentenmaterialien, die durch ein Verfahren nach einem der Ansprüche 1-8 hergestellt worden sind, dadurch gekennzeichnet, daß die Komponentenmaterialien aus der Gruppe ausgewählt sind, die Verbindungen der Gruppe Hb-VIb, der Gruppe 11 Ib-Vb, der Gruppe IVa-IVb und der Gruppe IVa-VIb sowie Elemente der Gruppe Hb, IHb, IVa, Vb und VIb enthält.

10. Zerstäubungstarget für ein Verfahren nach Anspruch 3, gekennzeichnet durch eine im wesentliche Zusammensetzung aus mindestens zwei Komponentenmaterialien.

11. Halbleitermaterial mit mindestens drei aus drei Gruppen ausgewählten Komponenten, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens eine der Komponenten aus einer ersten Gruppe

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ausgewählt ist, die B₇ Al, Ga und In umfaßt; mindestens eine weitere Komponente aus einer zweiten Gruppe ausgewählt ist, die N, P, As und Sb umfaßt; mindestens noch eine weitere der Komponenten aus einer dritten Gruppe ausgewählt ist, die Si, Ge, Sn umfaßt; und daß jede der Komponenten mindestens etwa 0,5 % des Materials ausmacht und alle Komponenten aus den drei Gruppen ausgewählt sind.

12. Halbleitermaterial nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens eine Verbindung aus den Komponenten der Gruppe 1 und der Gruppe 2 gebildet und unter BN, AlN, GaN, InN, BP, AIP, GaP, InP, AlAs, GaAs, InAs, AlSb, GaSb und InSb ausgewählt ist, wobei die oder jede Verbindung und pde nicht in einer Verbindung enthaltene Eleraentarkomponente mindestens etwa 1 % des Materials ausmacht.

_ 13. Halbleitermaterial nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß die oder jede Verbindung und die oder jede elementare Komponente mindestens 5 % des Materials ausmacht .

14. Halbleitermaterial nach Anspruch 12 oder 13, dadurch gekennzeichnet, daß die oder jede Verbindung unter BP, AIP, GaP, InP, AlAs, GaAs, InAs, AlSb, GaSb und InSb ausgewählt ist.

15. Halbleitermaterial nach einem der Ansprüche 11 bis 14, dadurch gekennzeichnet, daß die dritte Gruppe auf Si und Ge beschränkt ist.

16. Halbleitermaterial nach einem der Ansprüche 11 bis 15, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens zwei Komponenten aus der dritten Gruppe ausgewählt sind und mindestens zwei der aus der dritten Gruppe ausgewählten Komponenten

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die Verbindung GeSi bilden.

17. Halbleitermaterial nach einem der Ansprüche 11 bis 16, dadurch gekennzeichnet, daß die Anzahl der Komponenten nicht größer als 9 ist.

18. Halbleitermaterial nach einem der Ansprüche 12, 13
oder 14 und 15, 16 oder 17, dadurch gekennzeichnet,
daß die Gesamtzahl elementarer Komponenten und Verbindungen kleiner als 7 ist.

19. Halbleitermaterial nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, daß die Gesamtzahl elementarer Komponenten und Verbindungen kleiner als 3 ist.

20. Halbleitermaterial nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß es aus drei Komponenten besteht.

21. Halbleitermaterial nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, daß jede der Komponenten mindestens 5 % des Materials ausmacht.

22. Verfahren zur Bildung eines integralen Zerstäubungstargets aus einem im wesentlichen homogenen Material mit mindestens zwei gewünschten Materialien, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens ein Zerstäubungstarget, das mindestens ein Komponentenmaterial zur Bildung
eines Materials für das Bilden eines integralen Zerstäubungstargets enthält, gebildet; das so gebildete Zerstäubungstarget und eine Elektrode zur Bildung des integralen Zerstäubungstargets darauf im Abstand voneinander in einer Teilvakuumkammer angeordnet; in die Teilvakuumkammer ein Gasgemisch mit mindestens einer reaktiven Gaszusammensetzung, die ein Komponentenmaterial zur Bildung eines Materials für das Bilden
eines integralen Zerstäubungstargets so, daß die gebil-

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deten Zerstäubungstargets und die eingeleiteten reaktiven Gase in der Lage sind, alle für ein integrales Zerstäubungstarget gewünschten Materialien zu bilden, eingeleitet; das Komponentenmaterial von dem gebildeten
Target unter Ablagerung der gewünschten Materialien auf den Elektroden zerstäubt; und gleichzeitig mit dem vorerwähnten Zerstäuben das reaktive Gas einer elektrischen Entladungsreaktion ausgesetzt wird, um ein gewünschtes
Material auf der Elektrode abzulagern und auf der Elektrode mit dem durch Zerstäuben abgelagerten Material
das integrale Zerstäubungstarget im wesentlichen homogener Zusammensetzung aus mindestens zwei gewünschten
Materialien zu bilden.

KN/sg/jn/ot 3

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