JPS60178618A - 薄膜形成法 - Google Patents
薄膜形成法Info
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- JPS60178618A JPS60178618A JP3496684A JP3496684A JPS60178618A JP S60178618 A JPS60178618 A JP S60178618A JP 3496684 A JP3496684 A JP 3496684A JP 3496684 A JP3496684 A JP 3496684A JP S60178618 A JPS60178618 A JP S60178618A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明の分野
本発明は、基板上に、燐、砒素、アンチモン、ビスマス
、ボロン、アルミニウム、ガリウム、またはインジウム
などの不純物を含んでいるシリコンまたはシリコン化合
物でなる薄膜を形成りる、８ｔ９膜形成法に関づる。
、ボロン、アルミニウム、ガリウム、またはインジウム
などの不純物を含んでいるシリコンまたはシリコン化合
物でなる薄膜を形成りる、８ｔ９膜形成法に関づる。
本発明のｆ！景
基板上に形成されている上述した不純物を含んでいる薄
膜は、それがシリコンでなり、そして、そのシリコンで
なる簿膜は、それに含まれている不純物が、燐、砒素、
アンチモンまたはどスマスＣある場合、ｎ型半導体Ｎ膜
であり、また、ボロン、アルミニウム、ガリウムまたは
インジウムである場合、ｐ型半導体薄膜であるので、ｉ
＋９膜１−ランジスタなどの半導体素子を構成りるため
の素子形成用半導体薄膜として広く用いられている。
膜は、それがシリコンでなり、そして、そのシリコンで
なる簿膜は、それに含まれている不純物が、燐、砒素、
アンチモンまたはどスマスＣある場合、ｎ型半導体Ｎ膜
であり、また、ボロン、アルミニウム、ガリウムまたは
インジウムである場合、ｐ型半導体薄膜であるので、ｉ
＋９膜１−ランジスタなどの半導体素子を構成りるため
の素子形成用半導体薄膜として広く用いられている。
また、基板上に形成されている上述した不純物を含んで
いる博股は、その基板が半導体ＹＪ板でなり、また薄膜
がシリコン化合物でなり、イして、そのシリコン化合物
がシリコン酸化物またはシリコン窒化物でなり、さらに
、シリ−コン化合物ぐなる薄膜に含まれている不純物が
、燐、砒素、アンチモン、ビスマスなどの１１型不純物
、または、ボロン、アルミニウム、ガリウム、インジウ
ムなどのｐ型不純物でなる場合、Ｎ４々休基板内に、１
〕型不純物またはｐ型不純物を導入させるための不純物
拡散源用薄膜として広く用いられＣいる。
いる博股は、その基板が半導体ＹＪ板でなり、また薄膜
がシリコン化合物でなり、イして、そのシリコン化合物
がシリコン酸化物またはシリコン窒化物でなり、さらに
、シリ−コン化合物ぐなる薄膜に含まれている不純物が
、燐、砒素、アンチモン、ビスマスなどの１１型不純物
、または、ボロン、アルミニウム、ガリウム、インジウ
ムなどのｐ型不純物でなる場合、Ｎ４々休基板内に、１
〕型不純物またはｐ型不純物を導入させるための不純物
拡散源用薄膜として広く用いられＣいる。
さらに、基板に形成されているし述した不純物を含んで
いる薄膜は、それがシリ−」ン化合物でなり、そして、
そのシリコン化合物がシリコン酸化物でなり、さらに、
シリコン化合物でなる薄膜に含まれている不純物が、燐
、砒素、アンチモン、ビスマスなどの１１型不純物、ま
たは、ボロン、アルミニウム、ガリウム、インジウムな
どのｐ型不純物でなる場合、光電変換用薄膜ダイオード
を構成するための光電変換用半導体７Ｉ！Ｊ膜どしで広
く用いられている。
いる薄膜は、それがシリ−」ン化合物でなり、そして、
そのシリコン化合物がシリコン酸化物でなり、さらに、
シリコン化合物でなる薄膜に含まれている不純物が、燐
、砒素、アンチモン、ビスマスなどの１１型不純物、ま
たは、ボロン、アルミニウム、ガリウム、インジウムな
どのｐ型不純物でなる場合、光電変換用薄膜ダイオード
を構成するための光電変換用半導体７Ｉ！Ｊ膜どしで広
く用いられている。
上述し！、：素子形成用半導体ｙｉ？膜、不純物拡散源
用薄膜、光電変換用半導体１ｌｉ１１膜として用いられ
る、基板上に形成されている上述した不純物を含んぐい
るシリコンまたはシリコン化合物でなる薄膜を形成り゛
る方法として、従来、基板上に、気相成長法（ＣＶＤ法
）によって、上述した不純物を含んでいるシリコンまた
はシリコン化合物でなる薄膜の形成づる方法が提案され
ている。
用薄膜、光電変換用半導体１ｌｉ１１膜として用いられ
る、基板上に形成されている上述した不純物を含んぐい
るシリコンまたはシリコン化合物でなる薄膜を形成り゛
る方法として、従来、基板上に、気相成長法（ＣＶＤ法
）によって、上述した不純物を含んでいるシリコンまた
はシリコン化合物でなる薄膜の形成づる方法が提案され
ている。
しかしながら、このような方法の場合、薄膜を形成りる
どきに、比較的高い温度を必要とする、という欠く（を
有していた。
どきに、比較的高い温度を必要とする、という欠く（を
有していた。
また、従来、基板上に、プラズマ気相成長法（プラズマ
ＣＶ Ｉ）法）、真空蒸着法、またはスパッタリング法
によって、上述した不純物を含んでいるシリコンまたは
シリコン化合物でなる薄膜の形成覆る方法も提案されて
いる。
ＣＶ Ｉ）法）、真空蒸着法、またはスパッタリング法
によって、上述した不純物を含んでいるシリコンまたは
シリコン化合物でなる薄膜の形成覆る方法も提案されて
いる。
このよう（ｊ方法の場合、薄膜を形成するときに、ＣＶ
Ｄ法の場合のような高い温度を必要どしないという利益
を有する。
Ｄ法の場合のような高い温度を必要どしないという利益
を有する。
しかしながら、薄膜を、プラズマＣＶＤ法または蒸着法
で形成する場合、その制御性が比較的低い、という欠点
を右し゛（いＩζ。
で形成する場合、その制御性が比較的低い、という欠点
を右し゛（いＩζ。
また、Ｒ９１Ｊを、スパッタリングによって形成リ−る
場合、その制御性が、プラズマＣＶ Ｄ法また【よ蒸着
法で形成づる場合に比し、高い。
場合、その制御性が、プラズマＣＶ Ｄ法また【よ蒸着
法で形成づる場合に比し、高い。
従って、薄膜を形成づ゛る場合、スパッタリング法によ
る場合の方が、ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、または蒸
着法による場合に比し、好適である。
る場合の方が、ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、または蒸
着法による場合に比し、好適である。
ところで、薄膜を、スパッタリング法にＪ、って形成す
る方法どして、従来、次に述べる方法が提案されている
。
る方法どして、従来、次に述べる方法が提案されている
。
すなわち、第１図に示りＪ、うな、導電性ｆ−ｔ−シバ
１内に、電極２及び３を配しＣいる構成を有するスパッ
タリング装＠Ｕを用い、そして、電極２上に基板４を配
し、電極３１に薄＃９と４る材料による不純物を含んで
いるターゲラｈ ５を配Ｊるとともに、導電性チャンバ
１内にアルゴンガスのような不活性ガスを導入さけた状
態で、１つ電極２及び３に導電性チャンバ１を基準とり
るｉ！１周波電圧または負電圧でなるバイアス電源をイ
れぞれ印加させた状態で、導電性チ１１ンバ１内でスパ
ッタリングを起さＵることによっ゛Ｃ１基板４上に、薄
膜を、スパッタ堆積させて形成さける。
１内に、電極２及び３を配しＣいる構成を有するスパッ
タリング装＠Ｕを用い、そして、電極２上に基板４を配
し、電極３１に薄＃９と４る材料による不純物を含んで
いるターゲラｈ ５を配Ｊるとともに、導電性チャンバ
１内にアルゴンガスのような不活性ガスを導入さけた状
態で、１つ電極２及び３に導電性チャンバ１を基準とり
るｉ！１周波電圧または負電圧でなるバイアス電源をイ
れぞれ印加させた状態で、導電性チ１１ンバ１内でスパ
ッタリングを起さＵることによっ゛Ｃ１基板４上に、薄
膜を、スパッタ堆積させて形成さける。
以上が、薄膜を、スパッタリング法によって形成する従
来の方法である。
来の方法である。
しかしながら、このような従来の薄膜を形成づる方法の
場合、基板４上に、不純物を含んでいるターゲット５を
用いたスパッタリング法によって、不純物を含ｌυでい
る薄膜を形成する、という方法であるｌこめ、ターゲラ
１−５としで、不純物を含ｌυでいるものを用意りる必
要がある。
場合、基板４上に、不純物を含んでいるターゲット５を
用いたスパッタリング法によって、不純物を含ｌυでい
る薄膜を形成する、という方法であるｌこめ、ターゲラ
１−５としで、不純物を含ｌυでいるものを用意りる必
要がある。
また、その不純物を含ｌυでいるターゲット５を、不純
物が所望の量含まれているものとして用意Ｊるのが、困
難である。例えば、不純物を含んでいるターゲット５を
、シリ」ンによる燐を含んでいるものとしで用意する場
合、燐がシリコンに比し大なる蒸気圧を有している！こ
め、燐を多量に含ＩνでいるものとしＣ用意りることが
できない。
物が所望の量含まれているものとして用意Ｊるのが、困
難である。例えば、不純物を含んでいるターゲット５を
、シリ」ンによる燐を含んでいるものとしで用意する場
合、燐がシリコンに比し大なる蒸気圧を有している！こ
め、燐を多量に含ＩνでいるものとしＣ用意りることが
できない。
従って、薄膜を、スパッタリング法にＪζって形成する
従来の方法の場合、薄膜を、不純物を所望の量含／Ｖで
いるものとし゛Ｃ１容易に、形成することができない、
という欠点を有しくいた。
従来の方法の場合、薄膜を、不純物を所望の量含／Ｖで
いるものとし゛Ｃ１容易に、形成することができない、
という欠点を有しくいた。
本発明の目的
よつ−（、本発明は、上述した欠点のない、新規な薄膜
形成法を提案せんとづるものである。
形成法を提案せんとづるものである。
水元１１の開示 ３
本願第１番目の発明による薄膜形成法によれば、基板上
に、シリ」ンまたはシリコン化合物でなるターゲラ１〜
を用いた、不純物を加熱熱光さぜＣいる雰囲気中でのス
パッタリング法によって、不純物を含んでいるシリ：１
ンまたはシリコン化合物′Ｃなる薄膜を形成する。
に、シリ」ンまたはシリコン化合物でなるターゲラ１〜
を用いた、不純物を加熱熱光さぜＣいる雰囲気中でのス
パッタリング法によって、不純物を含んでいるシリ：１
ンまたはシリコン化合物′Ｃなる薄膜を形成する。
このような本願第ｉ′ｒｉ目の発明による薄膜形成法に
よれば、ターゲラ１−として不純物を含／ｖでいるもの
を用いる必要なしに、不純物を含んでいるシリコンまた
はシリコン化合物でなる薄膜を形成づることができる。
よれば、ターゲラ１−として不純物を含／ｖでいるもの
を用いる必要なしに、不純物を含んでいるシリコンまた
はシリコン化合物でなる薄膜を形成づることができる。
ま／ｊ、シリコンまたはシリコン化合物でなる薄膜を、
不純物を所望の量含んでいるものとして、容易に、形成
することができる。
不純物を所望の量含んでいるものとして、容易に、形成
することができる。
また、本願第２番目の発明による薄膜形成法によれば、
基板上に、シリコンでなるターゲットと、シリ：１ンと
反応づるガスを含んでいる反応性ガスとを用いた、不純
物を加熱蒸発させている雰囲気中での反応性スパッタリ
ング法によって、不純物を含んでいるシリコン化合物で
なる薄膜を形成づる。
基板上に、シリコンでなるターゲットと、シリ：１ンと
反応づるガスを含んでいる反応性ガスとを用いた、不純
物を加熱蒸発させている雰囲気中での反応性スパッタリ
ング法によって、不純物を含んでいるシリコン化合物で
なる薄膜を形成づる。
このような本願第２番目の発明による薄膜形成法ににる
場合も、ターゲットとして不純物を含んＣいるものを用
いる必要なしに、不純物を含んでいるシリコン化合物で
なる簿膜を形成することができる。
場合も、ターゲットとして不純物を含んＣいるものを用
いる必要なしに、不純物を含んでいるシリコン化合物で
なる簿膜を形成することができる。
ま／Ｓ、シリコン化合物でなるＦａ膜を、不純物を所望
の偵含んでいるしのとして、容易に、形成することがで
きる。
の偵含んでいるしのとして、容易に、形成することがで
きる。
本発明のりｆ適な゛施例
先ず、本願第１番１１の発明にＪ：る薄膜形成法の実施
例を述べよう。
例を述べよう。
実施例１−１
第２図に示Ｊような、第１図で上述したと同様の、導電
性チャンバ１内に、電（へ２及び３を配している構成を
右りるスバツタリジグ装置ＦＩＪを用い、そして、電極
２上に基板４を配し、電４ｉｉ３」−にシリコンによる
ターゲット５を配りるととしに、導電性チャンバ１内に
アルゴンガスのような不活性ガスを導入させた状態で、
まｌこ、導電性ヂ１ｚンバ１内に、燐、砒素、アンチモ
ン、ビスマス、ボロン、アルミニウム、ガリウムまたは
インジウムなどの不純物の＋Ａ Ｉ＋ ６を収容してい
るボー１〜７から、それを導電性チャンバ１外から加熱
して、不純物の材ｎ６から不純物の蒸気を１！？（いる
状態で、■１つ電極２及び３にシ９電性チャンバ１を基
準とする高周波電圧または負電圧でなるバイアス電源を
それぞれ印加さぜた状態で、導電性チｒンバ内でスパッ
タリングを起さ「ることによって、基板４上に、シリコ
ンでなる薄膜を、スパッタ堆積させて形成さｕｌそして
、このときそのシリコンでなる薄膜内に上）ホした不純
物を含有させ、よって、不純物を含／υでいるシリコン
でなる薄膜を形成づる。
性チャンバ１内に、電（へ２及び３を配している構成を
右りるスバツタリジグ装置ＦＩＪを用い、そして、電極
２上に基板４を配し、電４ｉｉ３」−にシリコンによる
ターゲット５を配りるととしに、導電性チャンバ１内に
アルゴンガスのような不活性ガスを導入させた状態で、
まｌこ、導電性ヂ１ｚンバ１内に、燐、砒素、アンチモ
ン、ビスマス、ボロン、アルミニウム、ガリウムまたは
インジウムなどの不純物の＋Ａ Ｉ＋ ６を収容してい
るボー１〜７から、それを導電性チャンバ１外から加熱
して、不純物の材ｎ６から不純物の蒸気を１！？（いる
状態で、■１つ電極２及び３にシ９電性チャンバ１を基
準とする高周波電圧または負電圧でなるバイアス電源を
それぞれ印加さぜた状態で、導電性チｒンバ内でスパッ
タリングを起さ「ることによって、基板４上に、シリコ
ンでなる薄膜を、スパッタ堆積させて形成さｕｌそして
、このときそのシリコンでなる薄膜内に上）ホした不純
物を含有させ、よって、不純物を含／υでいるシリコン
でなる薄膜を形成づる。
以上が１本願第１番目の発明による薄膜形成法の第１の
実施例である。
実施例である。
このような本願第１番目の発明による薄膜形成法の第１
の実施例によれば、ターゲット５としＣ不純物を含／ｖ
でいるものを用いる必要なしに、不純物を含／Ｖでいる
シリコンでなる薄膜を形成刃ることができる。
の実施例によれば、ターゲット５としＣ不純物を含／ｖ
でいるものを用いる必要なしに、不純物を含／Ｖでいる
シリコンでなる薄膜を形成刃ることができる。
また、シリコンでなる薄膜を、不純物を所望の司含んで
いるｂのとして、容易に、形成することができる。
いるｂのとして、容易に、形成することができる。
実施例１−２
第２図に承りような、第１図で上述したと同様の、導電
性チャンバ１内に、電極２及び３を配し゛（いる構成を
有するスパッタリング装置を用い、そして、電極２上に
基板４を配し、電極３上に例えばシリコン酸化物（Ｓｉ
Ｏ１ＳｉＯ２などの）でなるシリ−１ン化合物によるタ
ーグツ］−５を配りるとともに、導電性チャンバ１内に
アルゴンガスのような不活性ガスを導入さＵだ状態で、
また、実施例１−１の場合と同様に、導電性チャンバ１
内に、前述した不純物の＋Ａ料６を収容しているボート
７から、不純物の蒸気を得ている状態で、且つ、電極２
及び３に導電性ヂｔ１ンバ１を基準とする高周波電圧よ
Ｉ〔は負電圧でなるバイアス電源をそれぞれ印加さけた
状態で、導電性チャンバ内でスパッタリングを起させる
ことによって、基板４土に、シリ−１ン化合物でなるＦ
ｉｌＪＷＡを、スパッタ堆積させて形成させ、そして、
このときシリコン化合物′Ｃ−４ｊる薄膜内に上述した
不純物を含有さけ、よって、不純物を含んでいるシリコ
ン化合物（ＳｉＯ１Ｓ！Ｏ＋などの）でなる薄膜を形成
する。
性チャンバ１内に、電極２及び３を配し゛（いる構成を
有するスパッタリング装置を用い、そして、電極２上に
基板４を配し、電極３上に例えばシリコン酸化物（Ｓｉ
Ｏ１ＳｉＯ２などの）でなるシリ−１ン化合物によるタ
ーグツ］−５を配りるとともに、導電性チャンバ１内に
アルゴンガスのような不活性ガスを導入さＵだ状態で、
また、実施例１−１の場合と同様に、導電性チャンバ１
内に、前述した不純物の＋Ａ料６を収容しているボート
７から、不純物の蒸気を得ている状態で、且つ、電極２
及び３に導電性ヂｔ１ンバ１を基準とする高周波電圧よ
Ｉ〔は負電圧でなるバイアス電源をそれぞれ印加さけた
状態で、導電性チャンバ内でスパッタリングを起させる
ことによって、基板４土に、シリ−１ン化合物でなるＦ
ｉｌＪＷＡを、スパッタ堆積させて形成させ、そして、
このときシリコン化合物′Ｃ−４ｊる薄膜内に上述した
不純物を含有さけ、よって、不純物を含んでいるシリコ
ン化合物（ＳｉＯ１Ｓ！Ｏ＋などの）でなる薄膜を形成
する。
以上が、本願第１番目の発明による／ＩＩＪ膜形成法の
第２の実施例である。
第２の実施例である。
このような本願第１番目の発明による薄膜形成法の第２
の実施例によってｂ１ターゲット５として不純物を含ん
でいるしのを用いる必要なしに、不純物を含ｌυでいる
シリコン化合物でなる薄膜を形成り−ることができ、ま
ｌ〔、シリコン化合物Ｔ” ／、にる薄膜を、不純物を
所望の聞合ｌυでいるしのとして、容易に、形成するこ
とができる。
の実施例によってｂ１ターゲット５として不純物を含ん
でいるしのを用いる必要なしに、不純物を含ｌυでいる
シリコン化合物でなる薄膜を形成り−ることができ、ま
ｌ〔、シリコン化合物Ｔ” ／、にる薄膜を、不純物を
所望の聞合ｌυでいるしのとして、容易に、形成するこ
とができる。
次に、木願第２番目の発明による薄膜形成法の実施例を
述べよう。
述べよう。
実施例２
第２図に示ηような、第１図で上述したと同様の、導電
性チトンバ１内に、電極２及び３を配している構成を右
りるスパッタリング装置を用い、工して、電極２上に基
板４を配し、電極３十に、シリコンによるターグツＩ〜
５を配するとともに、導電性ヂｒンバ１内に酸素、窒素
、水素などのシリコンと反応りるガスとｊ′ルゴンガス
のような不活性ガスとの混合ガスでなる反応性ガスを導
入させＩＣ状態で、まＩこ、実施例１−１及び１−２の
場合ど同様に、専電牲ヂ亀・シバ１内に、１）０述した
不純物の材料６を収容しているボート７から、不純物の
蒸気を得Ｃいる状態で、且つ、電極２及び３に導電性チ
ャンバ１を基準どりる高周波電圧または負電バー（・イ
ｊるバイアス電源をそれぞれ印加させた状態ひ、■電性
チＶンバ１４内でスパッタリングを起さけることによっ
て、基板４士に、シリ」ン化合物でなる薄膜を、スパッ
タ堆積さｔＩＣ形成させ、そして、このとき、シリ」ン
化合物でなる薄膜内に上述した不純物を含有さＵ、よっ
て、不純物を含んでいるシリコン化合物（Ｓｉ Ｏ，Ｓ
ｉ Ｏ＋ 、Ｓｆ＋ Ｎ＋ 、Ｓ！ Ｉ−１＋なトノ）
テなルｎ’Ｉ ｎ’）を形成刃る。
性チトンバ１内に、電極２及び３を配している構成を右
りるスパッタリング装置を用い、工して、電極２上に基
板４を配し、電極３十に、シリコンによるターグツＩ〜
５を配するとともに、導電性ヂｒンバ１内に酸素、窒素
、水素などのシリコンと反応りるガスとｊ′ルゴンガス
のような不活性ガスとの混合ガスでなる反応性ガスを導
入させＩＣ状態で、まＩこ、実施例１−１及び１−２の
場合ど同様に、専電牲ヂ亀・シバ１内に、１）０述した
不純物の材料６を収容しているボート７から、不純物の
蒸気を得Ｃいる状態で、且つ、電極２及び３に導電性チ
ャンバ１を基準どりる高周波電圧または負電バー（・イ
ｊるバイアス電源をそれぞれ印加させた状態ひ、■電性
チＶンバ１４内でスパッタリングを起さけることによっ
て、基板４士に、シリ」ン化合物でなる薄膜を、スパッ
タ堆積さｔＩＣ形成させ、そして、このとき、シリ」ン
化合物でなる薄膜内に上述した不純物を含有さＵ、よっ
て、不純物を含んでいるシリコン化合物（Ｓｉ Ｏ，Ｓ
ｉ Ｏ＋ 、Ｓｆ＋ Ｎ＋ 、Ｓ！ Ｉ−１＋なトノ）
テなルｎ’Ｉ ｎ’）を形成刃る。
この場合、シリコンど反応りるガスと不活１４ガスとの
混合ガスでなる反応性ガスにお番ノるシリコンと反応す
るガスが、酸素である場合、シリコン化合物でなる薄膜
が、シリコン酸化物（ＳｉＯｌＳｔ（ｈなトノ）テなく
＞ ｉｆ、９膜トシテ形成されるが、この場合の反応性
ガスにお＄ノる酸素は、その吊が反応性ガスに対して５
容量％以下の少ない量である場合、シリコン酸化物でな
る薄膜が良好な膜特性を有して形成されず、また、９５
容吊％以上の大なる量である場合、シリコン酸化物でな
る７ａ膜が形成される速度が著しく小さくなって実用的
Ｃなくなることから、反応性ガスに対して５〜９５容川
％の間であるのが望ましい。
混合ガスでなる反応性ガスにお番ノるシリコンと反応す
るガスが、酸素である場合、シリコン化合物でなる薄膜
が、シリコン酸化物（ＳｉＯｌＳｔ（ｈなトノ）テなく
＞ ｉｆ、９膜トシテ形成されるが、この場合の反応性
ガスにお＄ノる酸素は、その吊が反応性ガスに対して５
容量％以下の少ない量である場合、シリコン酸化物でな
る薄膜が良好な膜特性を有して形成されず、また、９５
容吊％以上の大なる量である場合、シリコン酸化物でな
る７ａ膜が形成される速度が著しく小さくなって実用的
Ｃなくなることから、反応性ガスに対して５〜９５容川
％の間であるのが望ましい。
また、シリコンと反応Ｊるガスと不活性ガスとの混合ガ
スでなる反応性ガスにおけるシリ」ンと反応りるガスが
、窒素または水素である場合、シリ」ン化合物でなる薄
膜が、シリコン窒化物まＩ〔はシリコン水素化物でなる
薄膜とし−Ｃ形成されるが、この場合の反応性ガスにお
ける窒素または水素は、その量が反応性ガスに対して１
０容吊％以下の少ない■である場合、シリコン窒化物ま
たはシリコン水素化物でなる薄膜が良好なＷＡ膜特性有
して形成されず、また、９０容聞％以上の人なるＲであ
る場合、シリコン窒化物よｌこはシリコン水素化物でな
る薄膜が形成される速度が著しく小さくなって実用的で
なくなることから、反応性ガスに対して１０〜９０容場
％のｍであるのが望ましい。
スでなる反応性ガスにおけるシリ」ンと反応りるガスが
、窒素または水素である場合、シリ」ン化合物でなる薄
膜が、シリコン窒化物まＩ〔はシリコン水素化物でなる
薄膜とし−Ｃ形成されるが、この場合の反応性ガスにお
ける窒素または水素は、その量が反応性ガスに対して１
０容吊％以下の少ない■である場合、シリコン窒化物ま
たはシリコン水素化物でなる薄膜が良好なＷＡ膜特性有
して形成されず、また、９０容聞％以上の人なるＲであ
る場合、シリコン窒化物よｌこはシリコン水素化物でな
る薄膜が形成される速度が著しく小さくなって実用的で
なくなることから、反応性ガスに対して１０〜９０容場
％のｍであるのが望ましい。
以上が、本願第２番１１の発明による薄膜形成法の実施
例である。
例である。
このような本願第２番１］の発明による薄膜形成法の実
施例によっても、ターゲラ１−５として不純物を含んぐ
いるものを用いる必要なしに、不純物を含んでいるシリ
コン化合物でなる薄膜を形成ηることができ、また、シ
リコン化合物でなる薄膜を、不純物を所望の暴含ｌυで
いるものとしＣ１容易に、形成りることができる。
施例によっても、ターゲラ１−５として不純物を含んぐ
いるものを用いる必要なしに、不純物を含んでいるシリ
コン化合物でなる薄膜を形成ηることができ、また、シ
リコン化合物でなる薄膜を、不純物を所望の暴含ｌυで
いるものとしＣ１容易に、形成りることができる。
因みに、シリコンと反応するガスと不活性ガスとの混合
ガスでなる反応性ガスを、それに対して５０容量％の＠
象と５０容吊％のアルゴンガスとの混合ガスで４Ｔるｂ
のとし、また、不純物の祠１３１６を燐とし、それを２
５０℃の）易磨で蒸発させ、さらに、３．！板４の温度
を室温〜１００℃として、シリコン化合物でなる薄膜を
、シリコン酸化物でなる薄ｖＡとして形成し、そのシリ
コン酸化物でなる１ｌｌｆｆの赤外線吸収特性を測定し
たところ、第３図に示すように、横軸を波ｖ１．（ｃｍ
−’ ） 、１１軸を赤外線透過ｍ（任意単位）とりる
特性曲線に、９．５μｍ、１２．５μ−及び２５μｍの
波長位置において、シリコン酸化物のピークが１９られ
、また、７．６μ量の波長位置において、燐酸化物のピ
ークが得られるが、他の波長位置にＪ３いて、ピークが
冑られない、という結果が得られた。
ガスでなる反応性ガスを、それに対して５０容量％の＠
象と５０容吊％のアルゴンガスとの混合ガスで４Ｔるｂ
のとし、また、不純物の祠１３１６を燐とし、それを２
５０℃の）易磨で蒸発させ、さらに、３．！板４の温度
を室温〜１００℃として、シリコン化合物でなる薄膜を
、シリコン酸化物でなる薄ｖＡとして形成し、そのシリ
コン酸化物でなる１ｌｌｆｆの赤外線吸収特性を測定し
たところ、第３図に示すように、横軸を波ｖ１．（ｃｍ
−’ ） 、１１軸を赤外線透過ｍ（任意単位）とりる
特性曲線に、９．５μｍ、１２．５μ−及び２５μｍの
波長位置において、シリコン酸化物のピークが１９られ
、また、７．６μ量の波長位置において、燐酸化物のピ
ークが得られるが、他の波長位置にＪ３いて、ピークが
冑られない、という結果が得られた。
この結果からし、本発明による薄膜形成法にＪ：れば、
シリコン化合物でなる薄膜を良好に得ることがＣきるこ
とが明らかであろう。。
シリコン化合物でなる薄膜を良好に得ることがＣきるこ
とが明らかであろう。。
まｌこ、上述したと同様に、シリコン化合物でなる酵Ｉ
９を、燐を含ｌυでいるシリ」ン酸化物でなる薄膜とし
て形成りる場合において、材ｒ１６から燐の不純物を蒸
発させるときの温度に対する、シリコン酸化物でなる薄
膜が含有りる燐の不純物ｍ度を測定したところ、第４図
に示す結果が１！ｌられｌこ。
９を、燐を含ｌυでいるシリ」ン酸化物でなる薄膜とし
て形成りる場合において、材ｒ１６から燐の不純物を蒸
発させるときの温度に対する、シリコン酸化物でなる薄
膜が含有りる燐の不純物ｍ度を測定したところ、第４図
に示す結果が１！ｌられｌこ。
（のｔＩ′ｒ ’Ａからも、本発明による薄膜形成法に
よれば、祠１１６から燐を蒸発させる渇麿を２００℃の
ような低い）一度にしＵ ’ｂ、シリコン化合物ぐなる
ＩＩＦＪを、それにｉ Ｘ ｌ （＋ ” ａｔ（１１
１１，／’Ｃｌ１１’という多くの準含ませることがで
きるとともに、不純物の量を容易に制御りることができ
ることが明らかであろう。
よれば、祠１１６から燐を蒸発させる渇麿を２００℃の
ような低い）一度にしＵ ’ｂ、シリコン化合物ぐなる
ＩＩＦＪを、それにｉ Ｘ ｌ （＋ ” ａｔ（１１
１１，／’Ｃｌ１１’という多くの準含ませることがで
きるとともに、不純物の量を容易に制御りることができ
ることが明らかであろう。
なお、上述に於いては、本発明にＪ、る：１ｇ膜形成法
の僅かな実施例を示したに留まり、本発明の精神をＩＩ
Ｑ 、、￥ることなしに、種々の変型、変更をなしく９
るであろう。
の僅かな実施例を示したに留まり、本発明の精神をＩＩ
Ｑ 、、￥ることなしに、種々の変型、変更をなしく９
るであろう。
−２゜
第１図は、征来の薄膜形成法を示づ路線的断面図である
。 第２図は、本発明に依る薄膜形成法の実施例を示４゛路
線的断面図である。 第３図は、本発明による薄膜形成υ、の説明に供する、
本発明による薄膜形成法の具体例にＪ：って得られる薄
膜の赤外線吸収特性を承り図ぐある。 第４図は、本発明による薄膜形成法の説明に供する、不
純物を蒸発させるときの温度に対゛す゛る、本発明によ
る薄膜形成法の具体例によって得られる薄膜が含有（る
不純物濃度の関係を示１図である。 １・・・・・・・・・・・・・・・・・・８Ｉ電性チト
ンバ２．３・・・・・・・・・・・・電極 ４・・・・・・・・・・・・・・・・・・基板５・・・
・・・・・・・・・・・・・・・ターゲット６・・・・
・・・・・・・・・・・・・・不純物の材１″４７・・
・・・・・・・・・・・・・・・・ホー １−出願人
日本型（ｇ電話公社
。 第２図は、本発明に依る薄膜形成法の実施例を示４゛路
線的断面図である。 第３図は、本発明による薄膜形成υ、の説明に供する、
本発明による薄膜形成法の具体例にＪ：って得られる薄
膜の赤外線吸収特性を承り図ぐある。 第４図は、本発明による薄膜形成法の説明に供する、不
純物を蒸発させるときの温度に対゛す゛る、本発明によ
る薄膜形成法の具体例によって得られる薄膜が含有（る
不純物濃度の関係を示１図である。 １・・・・・・・・・・・・・・・・・・８Ｉ電性チト
ンバ２．３・・・・・・・・・・・・電極 ４・・・・・・・・・・・・・・・・・・基板５・・・
・・・・・・・・・・・・・・・ターゲット６・・・・
・・・・・・・・・・・・・・不純物の材１″４７・・
・・・・・・・・・・・・・・・・ホー １−出願人
日本型（ｇ電話公社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、基扱１に、 シリ１ンまｌこはシリニＩン化合物でなるターグツ１−
を用いた、不純物を加熱蒸発させている雰囲気中−Ｃの
スパッタリング法によって、１記不純物を含んＣいるシ
リコンまたはシリＩＩン化合物でなる薄膜を形成りるこ
とを特徴どりるλ９． Ｉｔ！ｉ！形成ン去。 ２、基板上に、 シリＴ１ン−（−なるターゲットど、シリコ１ンど反応
りるガスを含んＣいる反応Ｕガスとを用いた、不純物を
加熱熱光さｔＩＣいる雰囲気中Ｃの反１５ Ｍスパッタ
リングＣ人にＪ、つＣ１」記不純物を含んひいるシリコ
１ン化含物ぐなる薄膜を形成づることを特１？ｌｌとす
る薄膜形成 ン人 、１ ３ 、 ＃！＋訂品〕１２の範囲第２項記載の化１１９
形成法に＋ｌｊいて、 上記反応性ガスとして、上記反応性ガスに対して５〜９
５容吊％の１ｌｉ１２木を曾／υ（−いるガスを用い、 上記不純物を含んでいる１１Ｉ９を、シリ」ン酸化物で
なるＮ膜として形成づることを’４４４ 徴とする薄１
１す形成法。 ４、特許請求の範囲第２項記載の薄膜形成法にＪ３いて
、上記反応性ガスとしＣ１反反応１ガスに対して１０〜
９０容邑％の窒素または水素を含んでいるガスを用い、 に記不純物を含ｌυでいる薄膜を、シリコン窒化物また
はシリコン水素化物′Ｃなる薄膜としＣ形成Ｊることを
特徴と１８簿脱形成法。 ５、特許請求の範囲第２項記載の薄膜形成法にＪ３いて
、上記不純物として、燐、砒素、ｊ′アンチモンビスマ
ス、ボロン、アルミニウム、ガリウム、またはインジウ
ムを用い、 上記不純物を含んでいる７７ｆＪ膜を、燐、砒素、アン
チモン、ビスマス、ボロン、アルミニウム、ガリウム、
またはインジウムを含／υぐいる薄膜として形成するこ
とを特徴とする薄膜形成法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3496684A JPS60178618A (ja) | 1984-02-25 | 1984-02-25 | 薄膜形成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3496684A JPS60178618A (ja) | 1984-02-25 | 1984-02-25 | 薄膜形成法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60178618A true JPS60178618A (ja) | 1985-09-12 |
Family
ID=12428883
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3496684A Pending JPS60178618A (ja) | 1984-02-25 | 1984-02-25 | 薄膜形成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60178618A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6324056A (ja) * | 1986-06-20 | 1988-02-01 | エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション | デバイスの製造方法 |
| JPS63166965A (ja) * | 1986-12-27 | 1988-07-11 | Koujiyundo Kagaku Kenkyusho:Kk | 蒸着用タ−ゲツト |
| JPH0324525A (ja) * | 1989-06-21 | 1991-02-01 | Seiko Instr Inc | 電気光学装置の製造方法 |
| US7658822B2 (en) | 2005-08-11 | 2010-02-09 | Wintek Electro-Optics Corporation | SiOx:Si composite articles and methods of making same |
| US7749406B2 (en) * | 2005-08-11 | 2010-07-06 | Stevenson David E | SiOx:Si sputtering targets and method of making and using such targets |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5044777A (ja) * | 1973-07-23 | 1975-04-22 | ||
| JPS5855328A (ja) * | 1981-09-26 | 1983-04-01 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | アモルフアスシリコンの製造方法 |
-
1984
- 1984-02-25 JP JP3496684A patent/JPS60178618A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5044777A (ja) * | 1973-07-23 | 1975-04-22 | ||
| JPS5855328A (ja) * | 1981-09-26 | 1983-04-01 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | アモルフアスシリコンの製造方法 |
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| JPH0324525A (ja) * | 1989-06-21 | 1991-02-01 | Seiko Instr Inc | 電気光学装置の製造方法 |
| US7658822B2 (en) | 2005-08-11 | 2010-02-09 | Wintek Electro-Optics Corporation | SiOx:Si composite articles and methods of making same |
| US7749406B2 (en) * | 2005-08-11 | 2010-07-06 | Stevenson David E | SiOx:Si sputtering targets and method of making and using such targets |
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