JP5135651B2 - 半導体放射線検出素子 - Google Patents
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- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims abstract description 46
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 34
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 35
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 28
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 28
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 26
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 26
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 22
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 22
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 21
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 18
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 23
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 20
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 10
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 8
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 7
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 5
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 5
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 230000005251 gamma ray Effects 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- CEKJAYFBQARQNG-UHFFFAOYSA-N cadmium zinc Chemical compound [Zn].[Cd] CEKJAYFBQARQNG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JJWKPURADFRFRB-UHFFFAOYSA-N carbonyl sulfide Chemical compound O=C=S JJWKPURADFRFRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000003745 diagnosis Methods 0.000 description 1
- 238000010893 electron trap Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000009206 nuclear medicine Methods 0.000 description 1
- 150000003057 platinum Chemical class 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
- H01L31/0264—Inorganic materials
- H01L31/0296—Inorganic materials including, apart from doping material or other impurities, only AIIBVI compounds, e.g. CdS, ZnS, HgCdTe
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
- H01L31/0264—Inorganic materials
- H01L31/032—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/115—Devices sensitive to very short wavelength, e.g. X-rays, gamma-rays or corpuscular radiation
- H01L31/118—Devices sensitive to very short wavelength, e.g. X-rays, gamma-rays or corpuscular radiation of the surface barrier or shallow PN junction detector type, e.g. surface barrier alpha-particle detectors
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- Inorganic Chemistry (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Measurement Of Radiation (AREA)
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は核医学、放射線診断、原子力、天文学、宇宙線物理学等の分野で利用される化合物半導体放射線検出素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
一般に半導体放射線検出素子は入射放射線の電離作用によって検出素子内に生成された電荷を、両電極間に印加された電界によって掃引・収集し信号化するものである。したがって入射放射線に対する高いエネルギー分解能を得るために、生成した電荷を高い効率で収集することが重要である。
【０００３】
高い電荷収集率を得るためには、電荷キャリア（電子・正孔）の移動距離: l =μτE （ただし、 μ:キャリアの移動度、 τ: キャリアの寿命、E: 電極間の電界強度）が長いほど、つまり電界強度が大きいほど有利である。
【０００４】
一方全ての半導体放射線検出素子では、入射放射線のない場合においても印加電圧に応じた定常状態の漏れ電流が存在し、これがエネルギー分解能劣化の原因となるので、両電極間に印加できる電圧が制限される。
【０００５】
放射線検出素子用P型CdTe結晶の電気的比抵抗は~109 Ωcm程度であり、対向する２つの面にオーミック電極を形成したMSM (金属電極−半導体−金属電極) 型の半導体放射線検出素子では、電荷収集に十分なバイアス電圧を印加しようとした場合に漏れ電流の抑制が十分でなく、逆に漏れ電流を低減しようとしてバイアス電圧を下げると電荷収集が不十分となり満足の行くエネルギー分解能を得ることが出来ないという不都合があった。
【０００６】
このようなMSM型CdTe半導体放射線検出素子の弱点を克服するために、P型CdTe結晶との間にショットキー接触を形成するインジウム電極等を一方の面に、他方の面にオーミック接触を形成する金や白金電極等を設けたショットキー障壁型半導体放射線検出素子が用いられるようになってきた。
【０００７】
このショットキー障壁型放射線検出素子は優れた整流特性を示すため、逆方向電圧を印可することにより、高い電界強度においてもリーク電流を最低限に抑制することができ、優れたエネルギー分解能を示す。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上述のような金属インジウムをショットキー障壁側の電極材料としたCdTe放射線検出素子は、バイアス電圧印加後、時間と共に電荷収集率が著しく劣化していくいわゆる偏極現象（ポーラリゼーション効果）がみられる。この現象は、陽極側のショットキー性または陰電極側のオーム接触性が完全でないためにバンド構造に歪みを生じ、結果として正孔が陰極へ到達する前に充満帯に閉じ込められ電子捕獲中心となることが原因と考えられている。即ち金属インジウムを電極材料としたショットキー障壁型CdTe放射線検出素子の場合、電圧印加直後は優れたエネルギー分解能を示すものの、時間経過とともにこの性能が劣化するという問題があり、実用上の大きな障害になっていた。
【０００９】
本発明は、このような従来の電極構成の有していた課題を解決しようとするものであり、適切な電極構造にすることによってポーラリゼーション効果の影響を受けにくいショットキー障壁型放射線検出素子を実現することを目的とするものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
そして、本発明は上記目的を達成するために、カドミウムとテルルを主成分とする化合物半導体結晶に電圧を印加するための手段として、該化合物半導体結晶の一方の面にインジウムとカドミウムとテルルからなる化合物InxCdyTez であって、テルルの占める割合ｚが原子数比で42.9%以上50 %以下の範囲であり、カドミウムの占める割合ｙが原子数比で10%以下の範囲であり、インジウムが残りの割合を占める化合物、またはインジウムとテルルからなる化合物In x Te ｚ であって、テルルの占める割合ｚが原子数比で42.9%以上50 %以下の範囲であり、インジウムが残りの割合を占める化合物を有することを特徴とする。
【００１２】
【発明の効果】
上記の課題解決手段による効用は次のとおりである。すなわちInxCdyTezまたは In x Te ｚ とCdTe化合物半導体との間にショットキー障壁性接合が形成され優れた整流特性を示す。つまりInxCdyTezまたはIn x Te側が高電位になるような向きに電圧を印可すると、漏れ電流を効果的に抑制しつつ高電荷収集率を実現し、結果としてエネルギー分解能に優れた放射線検出素子として動作することが出来る。
【００１３】
このとき、インジウムとカドミウムとテルルの化合物であるInxCdyTezのうち、テルルの占める割合zを原子数比で42.9%以上50 %以下の範囲とし、カドミウムの占める割合yを原子数比で10%以下の範囲とし、インジウムを残りの割合を占めるものとし、またはインジウムとテルルからなる化合物であるIn x Te z のうち、テルルの占める割合ｚが原子数比で４２．９％以上５０％以下の範囲であり、インジウムが残りの割合を占めるものとすることによって、常温においても長時間に亘って電荷収集率をバイアス印加直後の高い水準に維持し、偏極現象の影響を受けにくい安定な動作を実現できる。これに対してInxCdyTezのテルルの占める割合zが原子数比で42.9%未満の場合または以上50%を超える場合、あるいはカドミウムの占める割合yが原子数比で10%を超える場合は、バイアス印加後極短時間のうちに電荷収集率の低下をみる事等から不適当である。
【００１４】
以上のように、本発明の半導体放射線検出素子は、従来のショットキー障壁型放射線検出素子において電荷収集効率が時間と共に劣化するいわゆるポーラリゼーション効果が数分から数十分という極短時間の間に発生するのに対して、室温において数時間に及ぶ安定動作を実現したものである。
【００１５】
【発明の実施の形態】
CdTe半導体結晶ウェーハーの一方の面にスパッタリング法等の製膜技術によってInxCdyTez薄膜のショットキー性接合を形成し、他方の面には白金等を用いてオーミック電極を形成する。この際、CdTe とInxCdyTezとによりショットキー接合が形成される。InxCdyTez層の表面にコンタクト材料としてアルミニウム等の金属薄膜を製膜してもよい。また、InxCdyTez薄膜を形成する方法はスパッタリングに限定されない。
【００１６】
さらに、上記CdTe半導体結晶はこれのみに限定されず、カドミウムとテルルとを主成分とする化合物半導体結晶において、カドミウムの占める割合が原子数比で30%以上50%以下である化合物、例えばカドミウム亜鉛テルル(Cd1-x Znx Te)に置き換えることができる。
【００１７】
電極形成後、ウェーハーをダイシングによって適当な大きさのチップに分割する。
【００１８】
【実施例１】
カドミウムとテルルを主成分とする化合物半導体結晶に電圧を印加するための手段として該化合物半導体結晶表面にインジウムとカドミウムとテルルの化合物InxCdyTezを有することを特徴とするショットキー障壁型半導体放射線検出素子の製法と本素子を用いた放射線エネルギースペクトル計測の例を示す。まず比抵抗 109 ΩcmのＰ型CdTe半導体結晶ウェーハーの一方の面に、スパッタリングによってショットキー障壁形成面の電極として、テルルとカドミウムとインジウムの化合物InxCdyTez層を形成し、また他方の面にはオーム性の電極として無電解メッキ法により白金電極を形成した(図１)。尚、上記InxCdyTez層の組成をＸ線回折法（XRD）とエネルギー分散型Ｘ線分析装置（EDX）等によって調査した結果、組成はIn49.5Cd0.5Te50 であった（図２）。その後、電極がついたウェーハーを適当な大きさのチップに分割し、ショットキー障壁型半導体放射線検出素子を作製した。
【００１９】
図３にスペクトル計測の概略を示す。本図に示すように白金電極側（陰極）は接地し、InxCdyTez電極側（陽極）は高電圧電源及び、前置増幅器に接続した。
【００２０】
図４は上記の放射線エネルギースペクトルの57Coガンマ線源に対する応答の経時変化を示したものである。ここでは57Coガンマ線源から放出される光子エネルギーのうち特に、122keV光電吸収ピークに対するピークチャンネルの経時変化をもって検出器特性劣化の評価を行った。本図から分かるように、本発明のショットキー障壁型CdTe放射線検出素子はバイアス電圧印加後の180分間、122keV光電吸収事象に対し一定の応答を示した。即ち、本発明によるショットキー障壁型放射線検出器素子は室温において長時間に渡り安定な動作を実現している。
【００２１】
【実施例２】
比抵抗 109 ΩcmのＰ型CdTe半導体結晶ウェーハーの一方の面に、抵抗加熱蒸着によってショットキー障壁形成面の電極として、テルルとカドミウムとインジウムの化合物InxCdyTez層を形成し、また他方の面にはオーム性の電極として無電解メッキにより白金電極を形成した(図１)。尚上記InxCdyTez層の組成をＸ線回折法（XRD）とエネルギー分散型Ｘ線分析装置（EDX）によって調査した結果、組成はIn57.1Cd0Te42.9(In4Te3)であった（図２）。その後、このショットキー障壁型CdTe半導体放射線検出素子を用いて上記実施例１の場合と同様なスペクトロメータを構成し、単色放射線に対する応答を調べたところ、上記実施例１の場合と同様高電荷収集率と長時間に渡る安定な動作を示した。
【００２２】
【実施例３】
比抵抗 109 ΩcmのＰ型CdTe半導体結晶ウェーハーの一方の面に、抵抗加熱蒸着によってショットキー障壁形成面の電極として、テルルとカドミウムとインジウムの化合物InxCdyTez層を形成し、また他方の面にはオーム性の電極として無電解メッキにより白金電極を形成した(図１)。尚上記InxCdyTez層の組成をＸ線回折法（XRD）とエネルギー分散型Ｘ線分析装置（EDX）によって調査した結果、組成はIn56.6Cd0.5Te42.9であった（図２）。その後、このショットキー障壁型CdTe半導体放射線検出素子を用いて上記実施例１の場合と同様なスペクトル計測を実施し、単色放射線に対する応答を調べたところ、上記実施例１の場合と同様高電荷収集率と長時間に渡る安定な動作を示した。
【００２３】
【比較例１】
CdTe半導体結晶ウェーハーの一方の面に、スパッタリング等によりインジウム層を製膜し、反対側には白金電極を形成した（図５）。尚、上記インジウム層の元素組成をＸ線回折法（XRD）とエネルギー分散型Ｘ線分析装置（EDX）等によって調査した結果、この層は単体のインジウム(In100Cd0Te0) であった（図２）。この方法で製作された放射線検出素子は、実施例によるものと同様にショットキー性を示し高い電界を印可することが可能で、電荷収集率が高かった。しかし、このCdTe放射線検出器の性能は、図６に示すように時間と共に劣化した。つまり、57Coガンマ線源から放出される122keVの光子に対する光電吸収ピークチャンネルはバイアス印加後わずか２０分から３０分程度で下がり始め、５０分後には約９０％にまで低下し、経時的に安定した素子にならなかった。
【００２４】
【比較例２】
CdTe半導体結晶ウェーハーの一方の面に、スパッタリング等の製膜技術によりテルルとカドミウムとインジウムの化合物のうち各構成元素の占める割合がIn57 .1Cd0.5Te42.4である化合物の層を形成し（図２）、反対側には白金電極を形成した。この方法で製作された放射線検出素子は、実施例によるものと同様にショットキー性を示し高い電界を印可することが可能で、電荷収集効率が高かった。しかし、比較例１に示した放射線検出素子の場合と同様、時間と共に性能が劣化し経時的に安定した素子にならなかった。
【００２５】
【比較例３】
CdTe半導体結晶ウェーハーの一方の面に、スパッタリング等の製膜技術によりテルルとカドミウムとインジウムの化合物のうち各構成元素の占める割合がIn42.9Cd0Te57.1 （即ち、In3Te4）である化合物の層を形成し（図２）、反対側にはプラチナ電極を形成した。この方法で製作された放射線検出素子は、実施例によるものと同様にショットキー性を示し高い電界を印可することが可能で、電荷収集効率が高かった。しかし、比較例１に示した放射線検出素子の場合と同様、時間と共に性能が劣化し経時的に安定した素子にならなかった。
【００２６】
【比較例４】
CdTe半導体結晶ウェーハーの一方の面に、スパッタリング等の製膜技術によりテルルとカドミウムとインジウムの化合物のうち各構成元素の占める割合がIn45.1Cd12Te42.9である化合物の層を形成し（図２）、反対側にはプラチナ電極を形成した。この方法で製作された放射線検出素子は、実施例によるものと同様にショットキー性を示し高い電界を印可することが可能で、電荷収集効率が高かった。しかし、比較例１に示した放射線検出素子の場合と同様、時間と共に性能が劣化し経時的に安定した素子にならなかった。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の放射線検出素子の電極構造図である。
【図２】 各実施例・比較例におけるInxCdyTezの組成および本発明の範囲を示す図である。
【図３】 本発明の実施例を示す放射線検出素子を用いたスペクトル計測の概略図である。
【図４】 本発明の放射線検出素子の単色放射線に対する応答の経時変化を示す図である。
【図５】 比較例を示す従来の放射線検出素子の電極構造および電極形成法の説明図である。
【図６】 比較例の放射線検出素子の単色放射線に対する応答の経時変化を示す図である。
【発明の属する技術分野】
本発明は核医学、放射線診断、原子力、天文学、宇宙線物理学等の分野で利用される化合物半導体放射線検出素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
一般に半導体放射線検出素子は入射放射線の電離作用によって検出素子内に生成された電荷を、両電極間に印加された電界によって掃引・収集し信号化するものである。したがって入射放射線に対する高いエネルギー分解能を得るために、生成した電荷を高い効率で収集することが重要である。
【０００３】
高い電荷収集率を得るためには、電荷キャリア（電子・正孔）の移動距離: l =μτE （ただし、 μ:キャリアの移動度、 τ: キャリアの寿命、E: 電極間の電界強度）が長いほど、つまり電界強度が大きいほど有利である。
【０００４】
一方全ての半導体放射線検出素子では、入射放射線のない場合においても印加電圧に応じた定常状態の漏れ電流が存在し、これがエネルギー分解能劣化の原因となるので、両電極間に印加できる電圧が制限される。
【０００５】
放射線検出素子用P型CdTe結晶の電気的比抵抗は~109 Ωcm程度であり、対向する２つの面にオーミック電極を形成したMSM (金属電極−半導体−金属電極) 型の半導体放射線検出素子では、電荷収集に十分なバイアス電圧を印加しようとした場合に漏れ電流の抑制が十分でなく、逆に漏れ電流を低減しようとしてバイアス電圧を下げると電荷収集が不十分となり満足の行くエネルギー分解能を得ることが出来ないという不都合があった。
【０００６】
このようなMSM型CdTe半導体放射線検出素子の弱点を克服するために、P型CdTe結晶との間にショットキー接触を形成するインジウム電極等を一方の面に、他方の面にオーミック接触を形成する金や白金電極等を設けたショットキー障壁型半導体放射線検出素子が用いられるようになってきた。
【０００７】
このショットキー障壁型放射線検出素子は優れた整流特性を示すため、逆方向電圧を印可することにより、高い電界強度においてもリーク電流を最低限に抑制することができ、優れたエネルギー分解能を示す。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上述のような金属インジウムをショットキー障壁側の電極材料としたCdTe放射線検出素子は、バイアス電圧印加後、時間と共に電荷収集率が著しく劣化していくいわゆる偏極現象（ポーラリゼーション効果）がみられる。この現象は、陽極側のショットキー性または陰電極側のオーム接触性が完全でないためにバンド構造に歪みを生じ、結果として正孔が陰極へ到達する前に充満帯に閉じ込められ電子捕獲中心となることが原因と考えられている。即ち金属インジウムを電極材料としたショットキー障壁型CdTe放射線検出素子の場合、電圧印加直後は優れたエネルギー分解能を示すものの、時間経過とともにこの性能が劣化するという問題があり、実用上の大きな障害になっていた。
【０００９】
本発明は、このような従来の電極構成の有していた課題を解決しようとするものであり、適切な電極構造にすることによってポーラリゼーション効果の影響を受けにくいショットキー障壁型放射線検出素子を実現することを目的とするものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
そして、本発明は上記目的を達成するために、カドミウムとテルルを主成分とする化合物半導体結晶に電圧を印加するための手段として、該化合物半導体結晶の一方の面にインジウムとカドミウムとテルルからなる化合物InxCdyTez であって、テルルの占める割合ｚが原子数比で42.9%以上50 %以下の範囲であり、カドミウムの占める割合ｙが原子数比で10%以下の範囲であり、インジウムが残りの割合を占める化合物、またはインジウムとテルルからなる化合物In x Te ｚ であって、テルルの占める割合ｚが原子数比で42.9%以上50 %以下の範囲であり、インジウムが残りの割合を占める化合物を有することを特徴とする。
【００１２】
【発明の効果】
上記の課題解決手段による効用は次のとおりである。すなわちInxCdyTezまたは In x Te ｚ とCdTe化合物半導体との間にショットキー障壁性接合が形成され優れた整流特性を示す。つまりInxCdyTezまたはIn x Te側が高電位になるような向きに電圧を印可すると、漏れ電流を効果的に抑制しつつ高電荷収集率を実現し、結果としてエネルギー分解能に優れた放射線検出素子として動作することが出来る。
【００１３】
このとき、インジウムとカドミウムとテルルの化合物であるInxCdyTezのうち、テルルの占める割合zを原子数比で42.9%以上50 %以下の範囲とし、カドミウムの占める割合yを原子数比で10%以下の範囲とし、インジウムを残りの割合を占めるものとし、またはインジウムとテルルからなる化合物であるIn x Te z のうち、テルルの占める割合ｚが原子数比で４２．９％以上５０％以下の範囲であり、インジウムが残りの割合を占めるものとすることによって、常温においても長時間に亘って電荷収集率をバイアス印加直後の高い水準に維持し、偏極現象の影響を受けにくい安定な動作を実現できる。これに対してInxCdyTezのテルルの占める割合zが原子数比で42.9%未満の場合または以上50%を超える場合、あるいはカドミウムの占める割合yが原子数比で10%を超える場合は、バイアス印加後極短時間のうちに電荷収集率の低下をみる事等から不適当である。
【００１４】
以上のように、本発明の半導体放射線検出素子は、従来のショットキー障壁型放射線検出素子において電荷収集効率が時間と共に劣化するいわゆるポーラリゼーション効果が数分から数十分という極短時間の間に発生するのに対して、室温において数時間に及ぶ安定動作を実現したものである。
【００１５】
【発明の実施の形態】
CdTe半導体結晶ウェーハーの一方の面にスパッタリング法等の製膜技術によってInxCdyTez薄膜のショットキー性接合を形成し、他方の面には白金等を用いてオーミック電極を形成する。この際、CdTe とInxCdyTezとによりショットキー接合が形成される。InxCdyTez層の表面にコンタクト材料としてアルミニウム等の金属薄膜を製膜してもよい。また、InxCdyTez薄膜を形成する方法はスパッタリングに限定されない。
【００１６】
さらに、上記CdTe半導体結晶はこれのみに限定されず、カドミウムとテルルとを主成分とする化合物半導体結晶において、カドミウムの占める割合が原子数比で30%以上50%以下である化合物、例えばカドミウム亜鉛テルル(Cd1-x Znx Te)に置き換えることができる。
【００１７】
電極形成後、ウェーハーをダイシングによって適当な大きさのチップに分割する。
【００１８】
【実施例１】
カドミウムとテルルを主成分とする化合物半導体結晶に電圧を印加するための手段として該化合物半導体結晶表面にインジウムとカドミウムとテルルの化合物InxCdyTezを有することを特徴とするショットキー障壁型半導体放射線検出素子の製法と本素子を用いた放射線エネルギースペクトル計測の例を示す。まず比抵抗 109 ΩcmのＰ型CdTe半導体結晶ウェーハーの一方の面に、スパッタリングによってショットキー障壁形成面の電極として、テルルとカドミウムとインジウムの化合物InxCdyTez層を形成し、また他方の面にはオーム性の電極として無電解メッキ法により白金電極を形成した(図１)。尚、上記InxCdyTez層の組成をＸ線回折法（XRD）とエネルギー分散型Ｘ線分析装置（EDX）等によって調査した結果、組成はIn49.5Cd0.5Te50 であった（図２）。その後、電極がついたウェーハーを適当な大きさのチップに分割し、ショットキー障壁型半導体放射線検出素子を作製した。
【００１９】
図３にスペクトル計測の概略を示す。本図に示すように白金電極側（陰極）は接地し、InxCdyTez電極側（陽極）は高電圧電源及び、前置増幅器に接続した。
【００２０】
図４は上記の放射線エネルギースペクトルの57Coガンマ線源に対する応答の経時変化を示したものである。ここでは57Coガンマ線源から放出される光子エネルギーのうち特に、122keV光電吸収ピークに対するピークチャンネルの経時変化をもって検出器特性劣化の評価を行った。本図から分かるように、本発明のショットキー障壁型CdTe放射線検出素子はバイアス電圧印加後の180分間、122keV光電吸収事象に対し一定の応答を示した。即ち、本発明によるショットキー障壁型放射線検出器素子は室温において長時間に渡り安定な動作を実現している。
【００２１】
【実施例２】
比抵抗 109 ΩcmのＰ型CdTe半導体結晶ウェーハーの一方の面に、抵抗加熱蒸着によってショットキー障壁形成面の電極として、テルルとカドミウムとインジウムの化合物InxCdyTez層を形成し、また他方の面にはオーム性の電極として無電解メッキにより白金電極を形成した(図１)。尚上記InxCdyTez層の組成をＸ線回折法（XRD）とエネルギー分散型Ｘ線分析装置（EDX）によって調査した結果、組成はIn57.1Cd0Te42.9(In4Te3)であった（図２）。その後、このショットキー障壁型CdTe半導体放射線検出素子を用いて上記実施例１の場合と同様なスペクトロメータを構成し、単色放射線に対する応答を調べたところ、上記実施例１の場合と同様高電荷収集率と長時間に渡る安定な動作を示した。
【００２２】
【実施例３】
比抵抗 109 ΩcmのＰ型CdTe半導体結晶ウェーハーの一方の面に、抵抗加熱蒸着によってショットキー障壁形成面の電極として、テルルとカドミウムとインジウムの化合物InxCdyTez層を形成し、また他方の面にはオーム性の電極として無電解メッキにより白金電極を形成した(図１)。尚上記InxCdyTez層の組成をＸ線回折法（XRD）とエネルギー分散型Ｘ線分析装置（EDX）によって調査した結果、組成はIn56.6Cd0.5Te42.9であった（図２）。その後、このショットキー障壁型CdTe半導体放射線検出素子を用いて上記実施例１の場合と同様なスペクトル計測を実施し、単色放射線に対する応答を調べたところ、上記実施例１の場合と同様高電荷収集率と長時間に渡る安定な動作を示した。
【００２３】
【比較例１】
CdTe半導体結晶ウェーハーの一方の面に、スパッタリング等によりインジウム層を製膜し、反対側には白金電極を形成した（図５）。尚、上記インジウム層の元素組成をＸ線回折法（XRD）とエネルギー分散型Ｘ線分析装置（EDX）等によって調査した結果、この層は単体のインジウム(In100Cd0Te0) であった（図２）。この方法で製作された放射線検出素子は、実施例によるものと同様にショットキー性を示し高い電界を印可することが可能で、電荷収集率が高かった。しかし、このCdTe放射線検出器の性能は、図６に示すように時間と共に劣化した。つまり、57Coガンマ線源から放出される122keVの光子に対する光電吸収ピークチャンネルはバイアス印加後わずか２０分から３０分程度で下がり始め、５０分後には約９０％にまで低下し、経時的に安定した素子にならなかった。
【００２４】
【比較例２】
CdTe半導体結晶ウェーハーの一方の面に、スパッタリング等の製膜技術によりテルルとカドミウムとインジウムの化合物のうち各構成元素の占める割合がIn57 .1Cd0.5Te42.4である化合物の層を形成し（図２）、反対側には白金電極を形成した。この方法で製作された放射線検出素子は、実施例によるものと同様にショットキー性を示し高い電界を印可することが可能で、電荷収集効率が高かった。しかし、比較例１に示した放射線検出素子の場合と同様、時間と共に性能が劣化し経時的に安定した素子にならなかった。
【００２５】
【比較例３】
CdTe半導体結晶ウェーハーの一方の面に、スパッタリング等の製膜技術によりテルルとカドミウムとインジウムの化合物のうち各構成元素の占める割合がIn42.9Cd0Te57.1 （即ち、In3Te4）である化合物の層を形成し（図２）、反対側にはプラチナ電極を形成した。この方法で製作された放射線検出素子は、実施例によるものと同様にショットキー性を示し高い電界を印可することが可能で、電荷収集効率が高かった。しかし、比較例１に示した放射線検出素子の場合と同様、時間と共に性能が劣化し経時的に安定した素子にならなかった。
【００２６】
【比較例４】
CdTe半導体結晶ウェーハーの一方の面に、スパッタリング等の製膜技術によりテルルとカドミウムとインジウムの化合物のうち各構成元素の占める割合がIn45.1Cd12Te42.9である化合物の層を形成し（図２）、反対側にはプラチナ電極を形成した。この方法で製作された放射線検出素子は、実施例によるものと同様にショットキー性を示し高い電界を印可することが可能で、電荷収集効率が高かった。しかし、比較例１に示した放射線検出素子の場合と同様、時間と共に性能が劣化し経時的に安定した素子にならなかった。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の放射線検出素子の電極構造図である。
【図２】 各実施例・比較例におけるInxCdyTezの組成および本発明の範囲を示す図である。
【図３】 本発明の実施例を示す放射線検出素子を用いたスペクトル計測の概略図である。
【図４】 本発明の放射線検出素子の単色放射線に対する応答の経時変化を示す図である。
【図５】 比較例を示す従来の放射線検出素子の電極構造および電極形成法の説明図である。
【図６】 比較例の放射線検出素子の単色放射線に対する応答の経時変化を示す図である。
Claims (1)
- カドミウムとテルルを主成分とする化合物半導体結晶に電圧を印加するための手段として、該化合物半導体結晶の一方の面にインジウムとカドミウムとテルルからなる化合物InxCdyTez であって、テルルの占める割合ｚが原子数比で42.9%以上50 %以下の範囲であり、カドミウムの占める割合ｙが原子数比で10%以下の範囲であり、インジウムが残りの割合を占める化合物、またはインジウムとテルルからなる化合物In x Te ｚ であって、テルルの占める割合ｚが原子数比で42.9%以上50 %以下の範囲であり、インジウムが残りの割合を占める化合物を有することを特徴とするショットキー障壁型半導体放射線検出素子。
Priority Applications (9)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001144313A JP5135651B2 (ja) | 2001-05-15 | 2001-05-15 | 半導体放射線検出素子 |
| EP02718533A EP1391940B1 (en) | 2001-05-15 | 2002-04-11 | Semiconductor radiation detecting element |
| PCT/JP2002/003615 WO2002093654A1 (fr) | 2001-05-15 | 2002-04-11 | Element de detection de radiations a semiconducteurs |
| RU2003133302/28A RU2281531C2 (ru) | 2001-05-15 | 2002-04-11 | Полупроводниковый элемент-детектор излучения |
| CA2447403A CA2447403C (en) | 2001-05-15 | 2002-04-11 | Semiconductor radiation detecting element |
| DE60223358T DE60223358T2 (de) | 2001-05-15 | 2002-04-11 | Halbleiter-strahlungsdetektionselement |
| AT02718533T ATE377845T1 (de) | 2001-05-15 | 2002-04-11 | Halbleiter-strahlungsdetektionselement |
| TW091109369A TW541708B (en) | 2001-05-15 | 2002-05-06 | Semiconductor radiation detection element |
| US10/697,129 US6975012B2 (en) | 2001-05-15 | 2003-10-29 | Semiconductor radiation detector having voltage application means comprises InxCdyTez on CdTe semiconductor substrate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001144313A JP5135651B2 (ja) | 2001-05-15 | 2001-05-15 | 半導体放射線検出素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002344000A JP2002344000A (ja) | 2002-11-29 |
| JP5135651B2 true JP5135651B2 (ja) | 2013-02-06 |
Family
ID=18990280
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001144313A Expired - Lifetime JP5135651B2 (ja) | 2001-05-15 | 2001-05-15 | 半導体放射線検出素子 |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6975012B2 (ja) |
| EP (1) | EP1391940B1 (ja) |
| JP (1) | JP5135651B2 (ja) |
| AT (1) | ATE377845T1 (ja) |
| CA (1) | CA2447403C (ja) |
| DE (1) | DE60223358T2 (ja) |
| RU (1) | RU2281531C2 (ja) |
| TW (1) | TW541708B (ja) |
| WO (1) | WO2002093654A1 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8237126B2 (en) | 2007-08-17 | 2012-08-07 | Csem Centre Suisse D'electronique Et De Mictrotechnique Sa | X-ray imaging device and method for the manufacturing thereof |
| CN102016639A (zh) * | 2008-04-24 | 2011-04-13 | 住友重机械工业株式会社 | 半导体探测器模块及使用该半导体探测器模块的正电子断层摄影装置 |
| GB0908583D0 (en) * | 2009-05-19 | 2009-06-24 | Durham Scient Crystals Ltd | Semiconductor device contacts |
| US8165266B2 (en) * | 2009-09-10 | 2012-04-24 | General Electric Company | Transverse scanning bone densitometer and detector used in same |
| DE102012215041A1 (de) * | 2012-08-23 | 2014-02-27 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterelementes eines direktkonvertierenden Röntgendetektors |
| JP6433644B2 (ja) * | 2013-06-07 | 2018-12-05 | シーメンス アクチエンゲゼルシヤフトＳｉｅｍｅｎｓ Ａｋｔｉｅｎｇｅｓｅｌｌｓｃｈａｆｔ | 半導体ウェハのダイシング方法 |
| RU2578103C1 (ru) * | 2014-11-10 | 2016-03-20 | Федеральное государственное казенное военное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Военная академия Ракетных войск стратегического назначения имени Петра Великого" Министерства обороны Российской Федерации | Полупроводниковый комбинированный приемник электромагнитного излучения |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4190486A (en) * | 1973-10-04 | 1980-02-26 | Hughes Aircraft Company | Method for obtaining optically clear, high resistivity II-VI, III-V, and IV-VI compounds by heat treatment |
| FR2336804A1 (fr) * | 1975-12-23 | 1977-07-22 | Telecommunications Sa | Perfectionnements apportes aux dispositifs semi-conducteurs, notamment aux detecteurs photovoltaiques comprenant un substrat a base d'un alliage cdxhg1-xte, et procede de fabrication d'un tel dispositif perfectionne |
| JPS5630771A (en) * | 1979-08-20 | 1981-03-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacture of photoreceptor |
| US4613495A (en) * | 1984-07-20 | 1986-09-23 | Hughes Aircraft Company | Growth of single crystal Cadmium-Indium-Telluride |
| JPS62115391A (ja) * | 1985-11-13 | 1987-05-27 | Nippon Mining Co Ltd | ＣｄＴｅ放射線検出器 |
| JPH03248578A (ja) * | 1990-02-27 | 1991-11-06 | Nikko Kyodo Co Ltd | 半導体放射線検出素子の製造方法 |
| US5510644A (en) * | 1992-03-23 | 1996-04-23 | Martin Marietta Corporation | CDTE x-ray detector for use at room temperature |
| US5391882A (en) * | 1993-06-11 | 1995-02-21 | Santa Barbara Research Center | Semiconductor gamma ray detector including compositionally graded, leakage current blocking potential barrier layers and method of fabricating the detector |
| US6030853A (en) * | 1993-08-13 | 2000-02-29 | Drs Fpa, L.P. | Method of producing intrinsic p-type HgCdTe using CdTe capping layer |
| JPH07221340A (ja) * | 1994-01-31 | 1995-08-18 | Hitachi Chem Co Ltd | 半導体放射線検出器 |
| US6011264A (en) * | 1994-08-11 | 2000-01-04 | Urigal Technologies, Ltd. | Apparatus, system and method for gamma ray and x-ray detection |
| JP4397012B2 (ja) * | 2001-11-05 | 2010-01-13 | 独立行政法人 宇宙航空研究開発機構 | 孔型電極を有する半導体イメージセンサ及びその製造方法 |
-
2001
- 2001-05-15 JP JP2001144313A patent/JP5135651B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2002
- 2002-04-11 RU RU2003133302/28A patent/RU2281531C2/ru active
- 2002-04-11 EP EP02718533A patent/EP1391940B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-04-11 CA CA2447403A patent/CA2447403C/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-04-11 DE DE60223358T patent/DE60223358T2/de not_active Expired - Lifetime
- 2002-04-11 WO PCT/JP2002/003615 patent/WO2002093654A1/ja active IP Right Grant
- 2002-04-11 AT AT02718533T patent/ATE377845T1/de not_active IP Right Cessation
- 2002-05-06 TW TW091109369A patent/TW541708B/zh not_active IP Right Cessation
-
2003
- 2003-10-29 US US10/697,129 patent/US6975012B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU2281531C2 (ru) | 2006-08-10 |
| EP1391940A4 (en) | 2006-08-09 |
| US20040129994A1 (en) | 2004-07-08 |
| US6975012B2 (en) | 2005-12-13 |
| CA2447403A1 (en) | 2002-11-21 |
| EP1391940A1 (en) | 2004-02-25 |
| DE60223358T2 (de) | 2008-08-28 |
| WO2002093654A1 (fr) | 2002-11-21 |
| CA2447403C (en) | 2012-09-04 |
| ATE377845T1 (de) | 2007-11-15 |
| DE60223358D1 (de) | 2007-12-20 |
| TW541708B (en) | 2003-07-11 |
| RU2003133302A (ru) | 2005-03-20 |
| EP1391940B1 (en) | 2007-11-07 |
| JP2002344000A (ja) | 2002-11-29 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080515 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
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|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151122 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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| R250 | Receipt of annual fees |
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
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|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |