JP2002344000A - 半導体放射線検出素子 - Google Patents
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- H01L31/118—Devices sensitive to very short wavelength, e.g. X-rays, gamma-rays or corpuscular radiation of the surface barrier or shallow PN junction detector type, e.g. surface barrier alpha-particle detectors
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ポーラリゼーション効果の影響を受けにくい
ショットキー障壁型半導体放射線検出素子を提供する。 【解決手段】 カドミウムとテルルを主成分とする化合
物半導体結晶に電圧を印加するための手段として、該化
合半導体結晶の一方の面にインジウムとカドミウムとテ
ルルからなる化合物 InｘCdｙTeｚを有することを特徴
とするショットキー障壁型半導体放射線検出素子。
ショットキー障壁型半導体放射線検出素子を提供する。 【解決手段】 カドミウムとテルルを主成分とする化合
物半導体結晶に電圧を印加するための手段として、該化
合半導体結晶の一方の面にインジウムとカドミウムとテ
ルルからなる化合物 InｘCdｙTeｚを有することを特徴
とするショットキー障壁型半導体放射線検出素子。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は核医学、放射線診
断、原子力、天文学、宇宙線物理学等の分野で利用され
る化合物半導体放射線検出素子に関するものである。
断、原子力、天文学、宇宙線物理学等の分野で利用され
る化合物半導体放射線検出素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に半導体放射線検出素子は入射放射
線の電離作用によって検出素子内に生成された電荷を、
両電極間に印加された電界によって掃引・収集し信号化
するものである。したがって入射放射線に対する高いエ
ネルギー分解能を得るために、生成した電荷を高い効率
で収集することが重要である。
線の電離作用によって検出素子内に生成された電荷を、
両電極間に印加された電界によって掃引・収集し信号化
するものである。したがって入射放射線に対する高いエ
ネルギー分解能を得るために、生成した電荷を高い効率
で収集することが重要である。
【０００３】高い電荷収集率を得るためには、電荷キャ
リア（電子・正孔）の移動距離: l =μτE （ただし、
μ:キャリアの移動度、 τ: キャリアの寿命、E: 電極
間の電界強度）が長いほど、つまり電界強度が大きいほ
ど有利である。
リア（電子・正孔）の移動距離: l =μτE （ただし、
μ:キャリアの移動度、 τ: キャリアの寿命、E: 電極
間の電界強度）が長いほど、つまり電界強度が大きいほ
ど有利である。
【０００４】一方全ての半導体放射線検出素子では、入
射放射線のない場合においても印加電圧に応じた定常状
態の漏れ電流が存在し、これがエネルギー分解能劣化の
原因となるので、両電極間に印加できる電圧が制限され
る。
射放射線のない場合においても印加電圧に応じた定常状
態の漏れ電流が存在し、これがエネルギー分解能劣化の
原因となるので、両電極間に印加できる電圧が制限され
る。
【０００５】放射線検出素子用P型CdTe結晶の電気的比
抵抗は~109 Ωcm程度であり、対向する２つの面にオー
ミック電極を形成したMSM (金属電極−半導体−金属電
極) 型の半導体放射線検出素子では、電荷収集に十分な
バイアス電圧を印加しようとした場合に漏れ電流の抑制
が十分でなく、逆に漏れ電流を低減しようとしてバイア
ス電圧を下げると電荷収集が不十分となり満足の行くエ
ネルギー分解能を得ることが出来ないという不都合があ
った。
抵抗は~109 Ωcm程度であり、対向する２つの面にオー
ミック電極を形成したMSM (金属電極−半導体−金属電
極) 型の半導体放射線検出素子では、電荷収集に十分な
バイアス電圧を印加しようとした場合に漏れ電流の抑制
が十分でなく、逆に漏れ電流を低減しようとしてバイア
ス電圧を下げると電荷収集が不十分となり満足の行くエ
ネルギー分解能を得ることが出来ないという不都合があ
った。
【０００６】このようなMSM型CdTe半導体放射線検出素
子の弱点を克服するために、P型CdTe結晶との間にショ
ットキー接触を形成するインジウム電極等を一方の面
に、他方の面にオーミック接触を形成する金や白金電極
等を設けたショットキー障壁型半導体放射線検出素子が
用いられるようになってきた。
子の弱点を克服するために、P型CdTe結晶との間にショ
ットキー接触を形成するインジウム電極等を一方の面
に、他方の面にオーミック接触を形成する金や白金電極
等を設けたショットキー障壁型半導体放射線検出素子が
用いられるようになってきた。
【０００７】このショットキー障壁型放射線検出素子は
優れた整流特性を示すため、逆方向電圧を印可すること
により、高い電界強度においてもリーク電流を最低限に
抑制することができ、優れたエネルギー分解能を示す。
優れた整流特性を示すため、逆方向電圧を印可すること
により、高い電界強度においてもリーク電流を最低限に
抑制することができ、優れたエネルギー分解能を示す。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述のような
金属インジウムをショットキー障壁側の電極材料とした
CdTe放射線検出素子は、バイアス電圧印加後、時間と共
に電荷収集率が著しく劣化していくいわゆる偏極現象
（ポーラリゼーション効果）がみられる。この現象は、
陽極側のショットキー性または陰電極側のオーム接触性
が完全でないためにバンド構造に歪みを生じ、結果とし
て正孔が陰極へ到達する前に充満帯に閉じ込められ電子
捕獲中心となることが原因と考えられている。即ち金属
インジウムを電極材料としたショットキー障壁型CdTe放
射線検出素子の場合、電圧印加直後は優れたエネルギー
分解能を示すものの、時間経過とともにこの性能が劣化
するという問題があり、実用上の大きな障害になってい
た。
金属インジウムをショットキー障壁側の電極材料とした
CdTe放射線検出素子は、バイアス電圧印加後、時間と共
に電荷収集率が著しく劣化していくいわゆる偏極現象
（ポーラリゼーション効果）がみられる。この現象は、
陽極側のショットキー性または陰電極側のオーム接触性
が完全でないためにバンド構造に歪みを生じ、結果とし
て正孔が陰極へ到達する前に充満帯に閉じ込められ電子
捕獲中心となることが原因と考えられている。即ち金属
インジウムを電極材料としたショットキー障壁型CdTe放
射線検出素子の場合、電圧印加直後は優れたエネルギー
分解能を示すものの、時間経過とともにこの性能が劣化
するという問題があり、実用上の大きな障害になってい
た。
【０００９】本発明は、このような従来の電極構成の有
していた課題を解決しようとするものであり、適切な電
極構造にすることによってポーラリゼーション効果の影
響を受けにくいショットキー障壁型放射線検出素子を実
現することを目的とするものである。
していた課題を解決しようとするものであり、適切な電
極構造にすることによってポーラリゼーション効果の影
響を受けにくいショットキー障壁型放射線検出素子を実
現することを目的とするものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】そして、本発明は上記目
的を達成するために、カドミウムとテルルを主成分とす
る化合物半導体結晶に電圧を印加するための手段とし
て、該化合物半導体結晶の一方の面にインジウムとカド
ミウムとテルルの化合物InxCdyTezを有するショットキ
ー障壁型半導体放射線検出素子を作製したものである。
的を達成するために、カドミウムとテルルを主成分とす
る化合物半導体結晶に電圧を印加するための手段とし
て、該化合物半導体結晶の一方の面にインジウムとカド
ミウムとテルルの化合物InxCdyTezを有するショットキ
ー障壁型半導体放射線検出素子を作製したものである。
【００１１】さらに、上記化合物InxCdyTezのテルルの
占める割合zが原子数比で42.9%以上50%以下の範囲であ
り、カドミウムの占める割合yが原子数比で0%以上10%以
下の範囲としたものである。
占める割合zが原子数比で42.9%以上50%以下の範囲であ
り、カドミウムの占める割合yが原子数比で0%以上10%以
下の範囲としたものである。
【００１２】
【発明の効果】上記の課題解決手段による効用は次のと
おりである。すなわちInxCdyTez とCdTe化合物半導体と
の間にショットキー障壁性接合が形成され優れた整流特
性を示す。つまりInxCdyTez側が高電位になるような向
きに電圧を印可すると、漏れ電流を効果的に抑制しつつ
高電荷収集率を実現し、結果としてエネルギー分解能に
優れた放射線検出素子として動作することが出来る。
おりである。すなわちInxCdyTez とCdTe化合物半導体と
の間にショットキー障壁性接合が形成され優れた整流特
性を示す。つまりInxCdyTez側が高電位になるような向
きに電圧を印可すると、漏れ電流を効果的に抑制しつつ
高電荷収集率を実現し、結果としてエネルギー分解能に
優れた放射線検出素子として動作することが出来る。
【００１３】このとき、インジウムとテルルの化合物で
あるInxCdyTezのうち、テルルの占める割合zを原子数比
で42.9%以上50 %以下の範囲とし、カドミウムの占める
割合yを原子数比で0%以上10%以下の範囲とすることによ
って、常温においても長時間に渡って電荷収集率をバイ
アス印加直後の高い水準に維持し、偏極現象の影響を受
けにくい安定な動作を実現できる。これに対してInxCdy
Tezのテルルの占める割合zが原子数比で42.9%未満の場
合または以上50%を超える場合、あるいはカドミウムの
占める割合yが原子数比で10%を超える場合は、バイアス
印加後極短時間のうちに電荷収集率の低下をみる事等か
ら不適当である。
あるInxCdyTezのうち、テルルの占める割合zを原子数比
で42.9%以上50 %以下の範囲とし、カドミウムの占める
割合yを原子数比で0%以上10%以下の範囲とすることによ
って、常温においても長時間に渡って電荷収集率をバイ
アス印加直後の高い水準に維持し、偏極現象の影響を受
けにくい安定な動作を実現できる。これに対してInxCdy
Tezのテルルの占める割合zが原子数比で42.9%未満の場
合または以上50%を超える場合、あるいはカドミウムの
占める割合yが原子数比で10%を超える場合は、バイアス
印加後極短時間のうちに電荷収集率の低下をみる事等か
ら不適当である。
【００１４】以上のように、本発明の半導体放射線検出
素子は、従来のショットキー障壁型放射線検出素子にお
いて電荷収集効率が時間と共に劣化するいわゆるポーラ
リゼーション効果が数分から数十分という極短時間の間
に発生するのに対して、室温において数時間に及ぶ安定
動作を実現したものである。
素子は、従来のショットキー障壁型放射線検出素子にお
いて電荷収集効率が時間と共に劣化するいわゆるポーラ
リゼーション効果が数分から数十分という極短時間の間
に発生するのに対して、室温において数時間に及ぶ安定
動作を実現したものである。
【００１５】
【発明の実施の形態】CdTe半導体結晶ウェーハーの一方
の面にスパッタリング法等の製膜技術によってInxCdyTe
z薄膜のショットキー性接合を形成し、他方の面には白
金等を用いてオーミック電極を形成する。この際、CdTe
とInxCdyTezとによりショットキー接合が形成される。
InxCdyTez層の表面にコンタクト材料としてアルミニウ
ム等の金属薄膜を製膜してもよい。また、InxCdyTez薄
膜を形成する方法はスパッタリングに限定されない。
の面にスパッタリング法等の製膜技術によってInxCdyTe
z薄膜のショットキー性接合を形成し、他方の面には白
金等を用いてオーミック電極を形成する。この際、CdTe
とInxCdyTezとによりショットキー接合が形成される。
InxCdyTez層の表面にコンタクト材料としてアルミニウ
ム等の金属薄膜を製膜してもよい。また、InxCdyTez薄
膜を形成する方法はスパッタリングに限定されない。
【００１６】さらに、上記CdTe半導体結晶はこれのみに
限定されず、カドミウムとテルルとを主成分とする化合
物半導体結晶において、カドミウムの占める割合が原子
数比で30%以上50%以下である化合物、例えばカドミウム
亜鉛テルル(Cd1-x Znx Te)に置き換えることができる。
限定されず、カドミウムとテルルとを主成分とする化合
物半導体結晶において、カドミウムの占める割合が原子
数比で30%以上50%以下である化合物、例えばカドミウム
亜鉛テルル(Cd1-x Znx Te)に置き換えることができる。
【００１７】電極形成後、ウェーハーをダイシングによ
って適当な大きさのチップに分割する。
って適当な大きさのチップに分割する。
【００１８】
【実施例１】カドミウムとテルルを主成分とする化合物
半導体結晶に電圧を印加するための手段として該化合物
半導体結晶表面にインジウムとカドミウムとテルルの化
合物InxCdyTezを有することを特徴とするショットキー
障壁型半導体放射線検出素子の製法と本素子を用いた放
射線エネルギースペクトル計測の例を示す。まず比抵抗
109 ΩcmのＰ型CdTe半導体結晶ウェーハーの一方の面
に、スパッタリングによってショットキー障壁形成面の
電極として、テルルとカドミウムとインジウムの化合物
InxCdyTez層を形成し、また他方の面にはオーム性の電
極として無電解メッキ法により白金電極を形成した(図
１)。尚、上記InxCdyTez層の組成をＸ線回折法（XRD）
とエネルギー分散型Ｘ線分析装置（EDX）等によって調
査した結果、組成はIn49.5Cd0.5Te50 であった（図
２）。その後、電極がついたウェーハーを適当な大きさ
のチップに分割し、ショットキー障壁型半導体放射線検
出素子を作製した。
半導体結晶に電圧を印加するための手段として該化合物
半導体結晶表面にインジウムとカドミウムとテルルの化
合物InxCdyTezを有することを特徴とするショットキー
障壁型半導体放射線検出素子の製法と本素子を用いた放
射線エネルギースペクトル計測の例を示す。まず比抵抗
109 ΩcmのＰ型CdTe半導体結晶ウェーハーの一方の面
に、スパッタリングによってショットキー障壁形成面の
電極として、テルルとカドミウムとインジウムの化合物
InxCdyTez層を形成し、また他方の面にはオーム性の電
極として無電解メッキ法により白金電極を形成した(図
１)。尚、上記InxCdyTez層の組成をＸ線回折法（XRD）
とエネルギー分散型Ｘ線分析装置（EDX）等によって調
査した結果、組成はIn49.5Cd0.5Te50 であった（図
２）。その後、電極がついたウェーハーを適当な大きさ
のチップに分割し、ショットキー障壁型半導体放射線検
出素子を作製した。
【００１９】図３にスペクトル計測の概略を示す。本図
に示すように白金電極側（陰極）は接地し、InxCdyTez
電極側（陽極）は高電圧電源及び、前置増幅器に接続し
た。
に示すように白金電極側（陰極）は接地し、InxCdyTez
電極側（陽極）は高電圧電源及び、前置増幅器に接続し
た。
【００２０】図４は上記の放射線エネルギースペクトル
の57Coガンマ線源に対する応答の経時変化を示したもの
である。ここでは57Coガンマ線源から放出される光子エ
ネルギーのうち特に、122keV光電吸収ピークに対するピ
ークチャンネルの経時変化をもって検出器特性劣化の評
価を行った。本図から分かるように、本発明のショット
キー障壁型CdTe放射線検出素子はバイアス電圧印加後の
180分間、122keV光電吸収事象に対し一定の応答を示し
た。即ち、本発明によるショットキー障壁型放射線検出
器素子は室温において長時間に渡り安定な動作を実現し
ている。
の57Coガンマ線源に対する応答の経時変化を示したもの
である。ここでは57Coガンマ線源から放出される光子エ
ネルギーのうち特に、122keV光電吸収ピークに対するピ
ークチャンネルの経時変化をもって検出器特性劣化の評
価を行った。本図から分かるように、本発明のショット
キー障壁型CdTe放射線検出素子はバイアス電圧印加後の
180分間、122keV光電吸収事象に対し一定の応答を示し
た。即ち、本発明によるショットキー障壁型放射線検出
器素子は室温において長時間に渡り安定な動作を実現し
ている。
【００２１】
【実施例２】比抵抗 109 ΩcmのＰ型CdTe半導体結晶ウ
ェーハーの一方の面に、抵抗加熱蒸着によってショット
キー障壁形成面の電極として、テルルとカドミウムとイ
ンジウムの化合物InxCdyTez層を形成し、また他方の面
にはオーム性の電極として無電解メッキにより白金電極
を形成した(図１)。尚上記InxCdyTez層の組成をＸ線回
折法（XRD）とエネルギー分散型Ｘ線分析装置（EDX）に
よって調査した結果、組成はIn57.1Cd0Te42.9(In4Te3)
であった（図２）。その後、このショットキー障壁型Cd
Te半導体放射線検出素子を用いて上記実施例１の場合と
同様なスペクトロメータを構成し、単色放射線に対する
応答を調べたところ、上記実施例１の場合と同様高電荷
収集率と長時間に渡る安定な動作を示した。
ェーハーの一方の面に、抵抗加熱蒸着によってショット
キー障壁形成面の電極として、テルルとカドミウムとイ
ンジウムの化合物InxCdyTez層を形成し、また他方の面
にはオーム性の電極として無電解メッキにより白金電極
を形成した(図１)。尚上記InxCdyTez層の組成をＸ線回
折法（XRD）とエネルギー分散型Ｘ線分析装置（EDX）に
よって調査した結果、組成はIn57.1Cd0Te42.9(In4Te3)
であった（図２）。その後、このショットキー障壁型Cd
Te半導体放射線検出素子を用いて上記実施例１の場合と
同様なスペクトロメータを構成し、単色放射線に対する
応答を調べたところ、上記実施例１の場合と同様高電荷
収集率と長時間に渡る安定な動作を示した。
【００２２】
【実施例３】比抵抗 109 ΩcmのＰ型CdTe半導体結晶ウ
ェーハーの一方の面に、抵抗加熱蒸着によってショット
キー障壁形成面の電極として、テルルとカドミウムとイ
ンジウムの化合物InxCdyTez層を形成し、また他方の面
にはオーム性の電極として無電解メッキにより白金電極
を形成した(図１)。尚上記InxCdyTez層の組成をＸ線回
折法（XRD）とエネルギー分散型Ｘ線分析装置（EDX）に
よって調査した結果、組成はIn56.6Cd0.5Te42.9であっ
た（図２）。その後、このショットキー障壁型CdTe半導
体放射線検出素子を用いて上記実施例１の場合と同様な
スペクトル計測を実施し、単色放射線に対する応答を調
べたところ、上記実施例１の場合と同様高電荷収集率と
長時間に渡る安定な動作を示した。
ェーハーの一方の面に、抵抗加熱蒸着によってショット
キー障壁形成面の電極として、テルルとカドミウムとイ
ンジウムの化合物InxCdyTez層を形成し、また他方の面
にはオーム性の電極として無電解メッキにより白金電極
を形成した(図１)。尚上記InxCdyTez層の組成をＸ線回
折法（XRD）とエネルギー分散型Ｘ線分析装置（EDX）に
よって調査した結果、組成はIn56.6Cd0.5Te42.9であっ
た（図２）。その後、このショットキー障壁型CdTe半導
体放射線検出素子を用いて上記実施例１の場合と同様な
スペクトル計測を実施し、単色放射線に対する応答を調
べたところ、上記実施例１の場合と同様高電荷収集率と
長時間に渡る安定な動作を示した。
【００２３】
【比較例１】CdTe半導体結晶ウェーハーの一方の面に、
スパッタリング等によりインジウム層を製膜し、反対側
には白金電極を形成した（図５）。尚、上記インジウム
層の元素組成をＸ線回折法（XRD）とエネルギー分散型
Ｘ線分析装置（EDX）等によって調査した結果、この層
は単体のインジウム(In100Cd0Te0) であった（図２）。
この方法で製作された放射線検出素子は、実施例による
ものと同様にショットキー性を示し高い電界を印可する
ことが可能で、電荷収集率が高かった。しかし、このCd
Te放射線検出器の性能は、図６に示すように時間と共に
劣化した。つまり、57Coガンマ線源から放出される122k
eVの光子に対する光電吸収ピークチャンネルはバイアス
印加後わずか２０分から３０分程度で下がり始め、５０
分後には約９０％にまで低下し、経時的に安定した素子
にならなかった。
スパッタリング等によりインジウム層を製膜し、反対側
には白金電極を形成した（図５）。尚、上記インジウム
層の元素組成をＸ線回折法（XRD）とエネルギー分散型
Ｘ線分析装置（EDX）等によって調査した結果、この層
は単体のインジウム(In100Cd0Te0) であった（図２）。
この方法で製作された放射線検出素子は、実施例による
ものと同様にショットキー性を示し高い電界を印可する
ことが可能で、電荷収集率が高かった。しかし、このCd
Te放射線検出器の性能は、図６に示すように時間と共に
劣化した。つまり、57Coガンマ線源から放出される122k
eVの光子に対する光電吸収ピークチャンネルはバイアス
印加後わずか２０分から３０分程度で下がり始め、５０
分後には約９０％にまで低下し、経時的に安定した素子
にならなかった。
【００２４】
【比較例２】CdTe半導体結晶ウェーハーの一方の面に、
スパッタリング等の製膜技術によりテルルとカドミウム
とインジウムの化合物のうち各構成元素の占める割合が
In57 .1Cd0.5Te42.4である化合物の層を形成し（図
２）、反対側には白金電極を形成した。この方法で製作
された放射線検出素子は、実施例によるものと同様にシ
ョットキー性を示し高い電界を印可することが可能で、
電荷収集効率が高かった。しかし、比較例１に示した放
射線検出素子の場合と同様、時間と共に性能が劣化し経
時的に安定した素子にならなかった。
スパッタリング等の製膜技術によりテルルとカドミウム
とインジウムの化合物のうち各構成元素の占める割合が
In57 .1Cd0.5Te42.4である化合物の層を形成し（図
２）、反対側には白金電極を形成した。この方法で製作
された放射線検出素子は、実施例によるものと同様にシ
ョットキー性を示し高い電界を印可することが可能で、
電荷収集効率が高かった。しかし、比較例１に示した放
射線検出素子の場合と同様、時間と共に性能が劣化し経
時的に安定した素子にならなかった。
【００２５】
【比較例３】CdTe半導体結晶ウェーハーの一方の面に、
スパッタリング等の製膜技術によりテルルとカドミウム
とインジウムの化合物のうち各構成元素の占める割合が
In42 .9Cd0Te57.1 （即ち、In3Te4）である化合物の層を
形成し（図２）、反対側にはプラチナ電極を形成した。
この方法で製作された放射線検出素子は、実施例による
ものと同様にショットキー性を示し高い電界を印可する
ことが可能で、電荷収集効率が高かった。しかし、比較
例１に示した放射線検出素子の場合と同様、時間と共に
性能が劣化し経時的に安定した素子にならなかった。
スパッタリング等の製膜技術によりテルルとカドミウム
とインジウムの化合物のうち各構成元素の占める割合が
In42 .9Cd0Te57.1 （即ち、In3Te4）である化合物の層を
形成し（図２）、反対側にはプラチナ電極を形成した。
この方法で製作された放射線検出素子は、実施例による
ものと同様にショットキー性を示し高い電界を印可する
ことが可能で、電荷収集効率が高かった。しかし、比較
例１に示した放射線検出素子の場合と同様、時間と共に
性能が劣化し経時的に安定した素子にならなかった。
【００２６】
【比較例４】CdTe半導体結晶ウェーハーの一方の面に、
スパッタリング等の製膜技術によりテルルとカドミウム
とインジウムの化合物のうち各構成元素の占める割合が
In45 .1Cd12Te42.9である化合物の層を形成し（図２）、
反対側にはプラチナ電極を形成した。この方法で製作さ
れた放射線検出素子は、実施例によるものと同様にショ
ットキー性を示し高い電界を印可することが可能で、電
荷収集効率が高かった。しかし、比較例１に示した放射
線検出素子の場合と同様、時間と共に性能が劣化し経時
的に安定した素子にならなかった。
スパッタリング等の製膜技術によりテルルとカドミウム
とインジウムの化合物のうち各構成元素の占める割合が
In45 .1Cd12Te42.9である化合物の層を形成し（図２）、
反対側にはプラチナ電極を形成した。この方法で製作さ
れた放射線検出素子は、実施例によるものと同様にショ
ットキー性を示し高い電界を印可することが可能で、電
荷収集効率が高かった。しかし、比較例１に示した放射
線検出素子の場合と同様、時間と共に性能が劣化し経時
的に安定した素子にならなかった。
【図１】 本発明の放射線検出素子の電極構造図であ
る。
る。
【図２】 各実施例・比較例におけるInxCdyTezの組成お
よび本発明の範囲を示す図である。
よび本発明の範囲を示す図である。
【図３】 本発明の実施例を示す放射線検出素子を用い
たスペクトル計測の概略図である。
たスペクトル計測の概略図である。
【図４】 本発明の放射線検出素子の単色放射線に対す
る応答の経時変化を示す図である。
る応答の経時変化を示す図である。
【図５】 比較例を示す従来の放射線検出素子の電極構
造および電極形成法の説明図である。
造および電極形成法の説明図である。
【図６】 比較例の放射線検出素子の単色放射線に対す
る応答の経時変化を示す図である。
る応答の経時変化を示す図である。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１３年５月１６日（２００１．５．１
６）
６）
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１】
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正内容】
【図３】
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正内容】
【図４】
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正内容】
【図５】
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正内容】
【図６】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 喜屋武 篤史 沖縄県具志川市字州崎13番地23 株式会社 アクロラド内 (72)発明者 大野 良一 沖縄県具志川市字州崎13番地23 株式会社 アクロラド内 Ｆターム(参考） 2G088 FF02 FF03 FF04 FF15 GG21 JJ32 JJ37 LL05 4M118 AA08 AA10 AB04 CA06 CB05 CB14 EA01 GA10 5F088 AB09 BA10 BB07 BB10 FA01 LA07
Claims (3)
- 【請求項１】 カドミウムとテルルを主成分とする化合
物半導体結晶に電圧を印加するための手段として、該化
合物半導体結晶の一方の面にインジウムとカドミウムと
テルルからなる化合物InxCdyTezを有することを特徴と
するショットキー障壁型半導体放射線検出素子。 - 【請求項 ２】 インジウムとカドミウムとテルルから
なるの化合物InxCdyTezにおけるテルルの占める割合zが
原子数比で42.9%以上50 %以下の範囲であることを特徴
とする請求項１記載のショットキー障壁型半導体放射線
検出素子。 - 【請求項 ３】インジウムとカドミウムとテルルからな
るの化合物InxCdyTezにおけるカドミウムの占める割合y
が原子数比で0%以上10%以下の範囲であることを特徴と
する請求項１記載のショットキー障壁型半導体放射線検
出素子。
Priority Applications (9)
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|---|---|---|---|
| JP2001144313A JP5135651B2 (ja) | 2001-05-15 | 2001-05-15 | 半導体放射線検出素子 |
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| RU2003133302/28A RU2281531C2 (ru) | 2001-05-15 | 2002-04-11 | Полупроводниковый элемент-детектор излучения |
| EP02718533A EP1391940B1 (en) | 2001-05-15 | 2002-04-11 | Semiconductor radiation detecting element |
| PCT/JP2002/003615 WO2002093654A1 (fr) | 2001-05-15 | 2002-04-11 | Element de detection de radiations a semiconducteurs |
| CA2447403A CA2447403C (en) | 2001-05-15 | 2002-04-11 | Semiconductor radiation detecting element |
| DE60223358T DE60223358T2 (de) | 2001-05-15 | 2002-04-11 | Halbleiter-strahlungsdetektionselement |
| TW091109369A TW541708B (en) | 2001-05-15 | 2002-05-06 | Semiconductor radiation detection element |
| US10/697,129 US6975012B2 (en) | 2001-05-15 | 2003-10-29 | Semiconductor radiation detector having voltage application means comprises InxCdyTez on CdTe semiconductor substrate |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001144313A JP5135651B2 (ja) | 2001-05-15 | 2001-05-15 | 半導体放射線検出素子 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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| JP5135651B2 JP5135651B2 (ja) | 2013-02-06 |
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ID=18990280
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001144313A Expired - Lifetime JP5135651B2 (ja) | 2001-05-15 | 2001-05-15 | 半導体放射線検出素子 |
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| CA (1) | CA2447403C (ja) |
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| RU (1) | RU2281531C2 (ja) |
| TW (1) | TW541708B (ja) |
| WO (1) | WO2002093654A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014238327A (ja) * | 2013-06-07 | 2014-12-18 | シーメンス アクチエンゲゼルシヤフトＳｉｅｍｅｎｓ Ａｋｔｉｅｎｇｅｓｅｌｌｓｃｈａｆｔ | 半導体ウェハをダイシングしてなる放射線検出器及びそのダイシング方法 |
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| US8237126B2 (en) | 2007-08-17 | 2012-08-07 | Csem Centre Suisse D'electronique Et De Mictrotechnique Sa | X-ray imaging device and method for the manufacturing thereof |
| CN102016639A (zh) * | 2008-04-24 | 2011-04-13 | 住友重机械工业株式会社 | 半导体探测器模块及使用该半导体探测器模块的正电子断层摄影装置 |
| GB0908583D0 (en) * | 2009-05-19 | 2009-06-24 | Durham Scient Crystals Ltd | Semiconductor device contacts |
| US8165266B2 (en) * | 2009-09-10 | 2012-04-24 | General Electric Company | Transverse scanning bone densitometer and detector used in same |
| DE102012215041A1 (de) * | 2012-08-23 | 2014-02-27 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterelementes eines direktkonvertierenden Röntgendetektors |
| RU2578103C1 (ru) * | 2014-11-10 | 2016-03-20 | Федеральное государственное казенное военное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Военная академия Ракетных войск стратегического назначения имени Петра Великого" Министерства обороны Российской Федерации | Полупроводниковый комбинированный приемник электромагнитного излучения |
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| FR2336804A1 (fr) * | 1975-12-23 | 1977-07-22 | Telecommunications Sa | Perfectionnements apportes aux dispositifs semi-conducteurs, notamment aux detecteurs photovoltaiques comprenant un substrat a base d'un alliage cdxhg1-xte, et procede de fabrication d'un tel dispositif perfectionne |
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-
2001
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-
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- 2002-04-11 RU RU2003133302/28A patent/RU2281531C2/ru active
- 2002-04-11 DE DE60223358T patent/DE60223358T2/de not_active Expired - Lifetime
- 2002-04-11 EP EP02718533A patent/EP1391940B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-04-11 CA CA2447403A patent/CA2447403C/en not_active Expired - Lifetime
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-
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