DE2718449C2 - - Google Patents

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Description

Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung mit einem Transistor
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung mit einem Transistor entsprechend dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1.
Ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung mit einem Transistor dieser Art ist u. a. aus Supplement to the Journal of the Japan Society of Applied Physics, (Proceedings of the 6th Conference on Solid State Devices, Tokyo, 1974) Band 44, 1975, Seiten 279 bis 283 bekannt. Der darin beschriebene Transistor enthält eine Emitterzone, die aus einem verhältnismäßig niedrig dotierten Teil, der an den Basis-Emitter- Übergang grenzt, und aus einem verhältnismäßig hoch dotierten Teil besteht, der an die Oberfläche grenzt und mit dem niedriger dotierten Teil einen PP⁺- oder einen NN⁺-Übergang bildet. Es hat sich gezeigt, daß ein derartiger Transistor sehr günstige Eigenschaften, insbesondere einen niedrigen Rauschpegel und auch eine hohe Stromverstärkung aufweisen kann. Weiter können derartige Transistorstrukturen, wenn die Kollektorzone einen an den Kollektor- Basis-Übergang grenzenden niedriger dotierten Teil und einen an diesen niedriger dotierten Teil grenzenden höher dotierten Teil enthält, eine ziemlich symmetrische (N⁺NPNN⁺)- oder (P⁺PNPP⁺)- Struktur aufweisen, wobei die Symmetrieeigenschaften in vielen Schaltungen mit Vorteil angewendet werden können.
Die beschriebenen Transistoren können entweder als diskreter Transistor oder in einer integrierten Schaltung verwendet werden, wobei im letzten Fall die Kollektorzone völlig oder teilweise durch eine vergrabene Schicht vom ersten Leitungstyp gebildet werden kann.
Der hochdotierte, an die Oberfläche grenzende Teil der Emitterzone, der oben als das "vierte Gebiet" bezeichnet wird, kann auf verschiedenen Wegen, z. B. durch Diffusion aus der Gasphase oder durch Ionenimplantation, hergestellt werden, wobei die erhaltene Oberflächendotierung genügend hoch, z. B. bei einem N⁺N- Emitter 1019 bis 1021 Atome/cm3, ist.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren der eingangs genannten Art so zu verbessern, daß eine höhere Stromverstärkung mit besserer Stromunabhängigkeit erzielt wird. Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die kennzeichnenden Merkmale des Anspruchs 1 gelöst.
Die nach der Erfindung hergestellte Halbleiteranordnung kann aus einer integrierten Schaltung mit einem Transistor der obenbeschriebenen Art bestehen.
Nach dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellte Transistoren weisen eine große Stromunabhängigkeit des Stromverstärkungsfaktors aus.
Es sei bemerkt, daß die Erzeugung einer Emitterzone durch Diffusion über eine polykristalline Siliciumschicht an sich für Hochfrequenztransistoren bekannt war, siehe z. B. die DE-OS 24 29 957. Dabei wird im Gegensatz zu der Erfindung die ganze an die Basiszone grenzende Emitterzone auf diesem Wege erzeugt. Es ist nicht klar, warum dieses Verfahren in Kombination mit einer vorher angebrachten dünnen Isolierschicht zu den genannten wichtigen Verbesserungen bei Transistoren mit einem N⁺N- oder P⁺P-Emitter führt, wobei das hochdotierte Emittergebiet in einiger Entfernung von der Basiszone liegt. Es stellt sich aber heraus, daß die Emitterwirkung der durch Anwendung des erfindungsgemäßen Verfahrens erhaltenen Transistoren erheblich stärker als die der beschriebenen bekannten Transistorstrukturen ist, deren hochdotierte Emitteroberflächenschicht auf anderem Wege hergestellt wurde.
Weiter ist es wichtig, zu bemerken, daß der Ausdruck "polykristallines Silicium" in der vorliegenden Anmeldung in weitem Sinne für nicht-einkristallines Silizium aufzufassen ist, so daß unter einer polykristallinen Schicht nicht nur eine Schicht aus größeren oder kleineren, an sich einkristallinen Gebieten, sondern auch eine Schicht mit einer amorphen Struktur zu verstehen ist, in der keine gesonderten Gebiete mit an sich regelmäßiger Ordnung der Atome zu unterscheiden sind.
Mit Vorteil wird eine dünne Isolierschicht mit einer Dicke von mindestens 2 nm und höchstens 6 nm gebildet. Als Material haben sich Siliciumnitrid und Siliciumoxid als besonders günstig erwiesen. Dabei soll in diesem Zusammenhang unter "Siliciumnitrid" eine Schicht verstanden werden, die Silicium, Stickstoff und meistens auch eine gewisse Menge Sauerstoff enthält, aber deren Stickstoffgehalt genügend hoch ist, damit sie erwünschtenfalls als Oxidationsmaske dienen kann. Ebenso ist in diesem Zusammenhang unter "Siliciumoxid" eine Schicht zu verstehen, die Silicium und Sauerstoff in einem Verhältnis enthält, das nicht notwendigerweise mit dem in SiO2 (Siliciumdioxid) übereinstimmt, wobei z. B. an ein Gemisch von SiO2 und SiO zu denken ist.
Weitere Weiterbildungen der Erfindung sind in den weiteren Unteransprüchen gekennzeichnet.
Die Erfindung wird nachstehend für ein Ausführungsbeispiel an Hand der Zeichnung näher erläutert. Es zeigen
Fig. 1 bis 7 schematisch im Querschnitt aufeinanderfolgende Stufen in der Herstellung einer Halbleiteranordnung nach dem Ausführungsbeispiel der Erfindung, und
Fig. 8 eine andere Ausführungsform einer durch das Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen Verfahrens hergestellten Anordnung.
Die Figuren sind schematisch und nicht maßstäblich gezeichnet. Entsprechende Teile sind in den Figuren mit den gleichen Bezugsziffern bezeichnet. Halbleitergebiete vom gleichen Leitungstyp sind in derselben Richtung schraffiert. Sofern Bearbeitungsschritte zur Erzeugung von Halbleitergebieten und Isolierschichten auf der Oberseite des Halbleiterkörpers auch zu der Bildung von Schichten auf oder in der Unterseite führen, sind diese Schichten, die nachher entfernt werden, und für die Erläuterung der Erfindung nicht wesentlich sind, in den Figuren nicht dargestellt. Obgleich die Herstellung nur einer einzigen Anordnung beschrieben ist, werden im allgemeinen in derselben Halbleiterscheibe eine Vielzahl derartiger Anordnungen, die nachher voneinander getrennt werden können, zu gleicher Zeit hergestellt.
Fig. 1 bis 7 zeigen schematisch im Querschnitt verschiedene Stufen in der Herstellung nach dem Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen Verfahrens, wobei von einem Halbleiterkörper 1 mit einem ersten Gebiet (2, 3) von einem ersten Leitungstyp ausgegangen wird. Im vorliegenden Beispiel wird von einem Halbleiterkörper aus Silicium ausgegangen, während das Gebiet (2, 3) n-leitend ist. Es kann aber auch von einem anderen Halbleitermaterial, z. B. von Germanium oder von einer III-V-Verbindung, wie z. B. Gas, ausgegangen werden.
Auf diesem ersten Gebiet (2, 3) wird ein zweites Gebiet 4 vom zweiten Leitungstyp, im vorliegenden Beispiel also ein p-leitendes Gebiet, erzeugt. Das erste Gebiet (2, 3) wird hier dadurch erhalten, daß auf einem Substrat 2 aus n-leitendem Silicium mit einem spezifischen Widerstand von 0,005 bis 0,01 Ω ·cm auf in der Halbleitertechnik allgemein bekannte Weise eine epitaktische Schicht 3 aus n-leitendem Silicium mit einem spezifischen Widerstand von etwa 0,6 Ω · cm und einer Dicke von etwa 10 µm angewachsen wird. Diese Schicht 3 wird dann thermisch oxidiert, wodurch eine Schicht 5 aus Siliziumoxid mit einer Dicke von etwa 0,5 µm erhalten wird. In diese Schicht wird danach unter Verwendung bekannter Fotolack- und Ätztechniken ein Fenster 6 mit Abmessungen von z. B. 100 × 100 µm2 geätzt, wonach in dem Fenster durch eine kurzzeitige thermische Oxidation eine sehr dünne Oxidschicht 7 mit einer Dicke von z. B. 0,05 µm gebildet wird. Durch diese dünne Oxidschicht 7 hindurch werden dann Borionen mit einer Energie von z. B. 70 keV und einer Dosis von z. B. 1013 Atomen/cm2 in die Schicht 3 implantiert. Durch Erhitzung z. B. auf zunächst 900°C während 30 Minuten in trockenem Stickstoff und dann auf 1200°C während 2 Stunden in einer oxidierenden Atmosphäre wird das zweite Gebiet 4 in Form einer p-leitenden Schicht mit einem Flächenwiderstand ρ s von etwa 10 bis 30 kΩ erhalten. Das zweite Gebiet 4 kann aber auch auf anderem Wege, z. B. durch Diffusion aus der Gasphase, aus einer dotierten Schicht, durch epitaktisches Anwachsen oder auf andere Weise, erzeugt werden. So wird die Stufe nach Fig. 1 erhalten.
Anschließend wird auf dem zweiten Gebiet 4 ein drittes Gebiet 8 vom ersten (n)-Leitungstyp erzeugt (siehe Fig. 2). Dazu wird die ganze Siliciumoberfläche reingeätzt und wird durch epitaktisches Anwachsen nach bekannten Techniken eine Schicht 8 aus n-leitendem Silicium mit einer Dicke von etwa 4 µm und einem spezifischen Widerstand von etwa 0,6 cm erhalten. Die Schicht 4 weist eine derart niedrige Dotierung auf, daß sie fast nicht in die Schicht 8 eindiffundiert. Um das Gebiet 4 später kontaktieren zu können, wird nach dem Anwachsen der Schicht 8 auf bekannte Weise durch die Schicht 8 hindurch eine hochdotierte p-leitende ringförmige Zone 9 diffundiert. Dabei bildet sich eine Oxidschicht 10. Anschließend wird in dem dritten Gebiet 8 ein an die Oberfläche grenzendes viertes Gebiet 11 vom ersten Leitungstyp, hier somit ein n-leitendes Gebiet, mit einer höheren Dotierung als das dritte Gebiet 8 erzeugt, wobei das erste Gebiet (2, 3) die Kollektorzone, das zweite Gebiet 4 die Basiszone und das dritte Gebiet 8 samt dem vierten Gebiet 11 die Emitterzone eines Bipolartransistors bilden, wie aus Fig. 7 ersichtlich ist, die einen Querschnitt durch die endgültig erhaltene Anordnung zeigt.
Nach dem Ausführungsbeispiel der Erfindung wird zur Erzeugung des vierten Gebietes auf dem dritten Gebiet 8 eine undotierte Schicht 12 aus polykristallinem Silicium gebildet (siehe Fig. 5), wonach durch Einführung eines Dotierungsstoffes, im vorliegenden Beispiel eines Donators, durch die polykristalline Siliciumschicht 12 hindurch in das dritte Gebiet 8 das vierte Gebiet 11 erhalten wird. Dies findet im vorliegenden Beispiel auf folgende Weise statt.
Zunächst wird an der Stelle des zu erzeugenden vierten Gebietes 11 eine Öffnung in die Oxidschicht 10 geätzt. Mit Vorteil wird nun zunächst (nach Eintauchen in HF, z. B. 30 Sekunden in 1% HF-Lösung) auf der Oberfläche des Gebiets 8 in der Öffnung eine sehr dünne Isolierschicht erzeugt. Diese Schicht kann z. B. aus Siliciumnitrid bestehen. Diese Schicht kann durch Erhitzung bei einer Temperatur zwischen etwa 900°C und 1100°C, z. B. bei 1000°C, während 30 Minuten, in einer Atmosphäre erzeugt werden, die Stickstoff und Ammoniak, z. B. in einem Verhältnis von 1 Volumenteil Ammoniak zu 20 Volumenteilen Stickstoff enthält. Dabei bildet sich auf der Schicht 8 eine etwa 4 nm dicke Schicht 19 (siehe Fig. 3), die neben Silicium und Stickstoff auch Sauerstoff enthält, aber deren Stickstoffgehalt, wie gefunden wurde, wohl genügend hoch ist, um als Antioxidationsmaske dienen zu können. Die Schicht 19 ist in Fig. 3 dargestellt, aber ist in den folgenden Fig. 4 bis 7 und 8 der Deutlichkeit halber weggelassen. Die Siliciumnitridschicht 19 kann auch auf andere Weise, z. B. in einem Stickstoffplasma, das bei Hochfrequenz z. B. mit einer Leistung von 600 W während 60 Minuten unter einem Druck von 4 mbar betrieben wird, oder in einem Ammoniak- (NH3)-Plasma erzeugt werden.
Statt aus Siliciumnitrid kann die Schicht 19 auch aus Siliciumoxid bestehen. Sie kann dann durch thermische Oxidation bei niedriger Temperatur (700 bis 800°C) oder dadurch erzeugt werden, daß eine Behandlung mit einem Sauerstoffplasma durchgeführt wird (in dem z. B. bei Leistungen zwischen 100 und 400 W und während Perioden zwischen 15 und 30 Minuten wahlweise Schichten mit einer Dicke zwischen 2,5 nm und 6 nm µm erhalten werden können). Auch kann eine derartige Oxidschicht durch Behandlung in rauchender bzw. konzentrierter siedender Salpetersäure erhalten werden.
Nach der Erzeugung der Schicht 19 wird eine undotierte Schicht 12 aus polykristallinem Silicium, z. B. durch chemische Umwandlung von SiH4 bei etwa 650°C, abgelagert. Die Schicht 12 weist z. B. eine Dicke von 0,5 µm auf. Um die Schicht 12 in die gewünschte Form zu bringen, wird durch thermische Oxidation eine sehr dünne Oberflächenschicht der Schicht 12 in eine Oxidschicht 13 umgewandelt, die mit einer HF-haltigen Lösung und die gewünschte Form geätzt wird und dann als Ätzmaske zum Ätzen der polykristallinen Schicht 12 dient. Das Ätzen der Schicht 12 kann mit bekannten Ätzmitteln, im allgemeinen mit einer HNO3, HF und Essigsäure enthaltenden Flüssigkeit, erfolgen. So wird die Struktur nach Fig. 4 erhalten. Nach einer Tauchätzbehandlung, bei der keine Maske erforderlich ist, und durch die die dünne Oxidschicht 13 entfernt wird, wird die Struktur nach Fig. 5 erhalten.
Dann wird über die undotierte hochohmige Schicht 12 aus polykristallinem Silicium ein Donator, im vorliegenden Beispiel Phosphor, in das Gebiet 8 eingeführt. Im vorliegenden Beispiel erfolgt dies durch Erhitzung in einer POCl3 enthaltenden Atmosphäre während etwa 20 Minuten bei 880°C, wonach eine Oxidation in feuchtem Stickstoff (etwa 20 Minuten bei 880°C) durchgeführt wird. Während dieser Bearbeitung diffundiert der Phosphor durch die polykristalline Siliciumschicht 12 hindurch in das Gebiet 8 ein und bildet darin eine sehr untiefe, hochdotierte n-leitende Schicht 11 mit einer 0,1 µm unterschreitenden Dicke. Weiter wird während dieser Bearbeitung die polykristalline Siliciumschicht 12 stark mit Phosphor dotiert, während über das Ganze eine Phosphorglasschicht 14 gebildet wird. In diese Phosphorglasschicht werden anschließend auf übliche Weise Kontaktfenster geätzt, wonach durch Aufdampfen einer Metallschicht, z. B. einer Aluminiumschicht, und durch Ätzen auf der ringförmigen Zone 9 eine Basiskontaktschicht 15 und auf der polykristallinen Siliciumschicht 12 eine Emitterkontaktschicht 16 gebildet wird. Die Unterseite der Siliciumscheibe wird, nach Entfernung aller während der vorhergehenden Verfahrensschritte auf und in dieser Unterseite gebildeten Glas- und Diffusionsschichten, mit einer Kollektorkontaktschicht 17 versehen.
Im vorliegenden Beispiel ist das vierte Gebiet 11 bis zu einer derartigen Tiefe in dem Halbleiterkörper erzeugt, daß der Abstand des Übergangs 18 zwischen dem dritten Gebiet 8 und dem vierten Gebiet 11 von dem zweiten Gebiet 4 höchstens eine Diffusionslänge der Minoritätsladungsträger (in diesem Beispiel also Löchern) in dem dritten Gebiet 8 beträgt. Dadurch wird ein hoher Stromverstärkungsfaktor erreicht. Auch wenn der genannte Abstand größer als eine Diffusionslänge ist, werden mit dem beschriebenen Verfahren Vorteile, namentlich eine große Stromunabhängigkeit des Stromverstärkungsfaktors, erzielt, obgleich der Stromverstärkungsfaktor selber dann niedriger ist.
Die nach dem beschriebenen Verfahren hergestellten Transistoren wiesen eine sehr hohe Stromverstärkung auf, was sich aus den gemessenen Emitter-Gummel-Zahlen (G E ) ergibt, die zwischen 5 · 1013 sec · cm-4 und 1014 sec · cm-4 variieren. Unter der Emitter-Gummel-Zahl ist G E = h FE × G B zu verstehen, wobei h FE der Stromverstärkungsfaktor und G B die Basis-Gummel-Zahl ist; G B wird als
definiert,
wobei W B = die Basisbreite in cm, N B = die Basisdotierung in Atomen/cm3 und D n = der Diffusionskoeffizient für Elektronen in der (p-leitenden) Basis in cm2 · sec-1 ist. Für diese Definitionen und deren Bedeutung für das Verhalten des Transistors sei auf z. B. H. C. de Graaff und J. W. Slotboom, "Solid State Electronics"; Band 19, 1976, S. 809-814 verwiesen.
Dadurch, daß in diesem Beispiel von einem Halbleiterkörper ausgegangen wurde, dessen erstes Gebiet durch ein hochdotiertes Substrat gebildet wurde, auf dem eine niedriger dotierte epitaktische Schicht vom gleichen Leitungstyp angewachsen wurde, wird eine N⁺NPNN⁺-Struktur gebildet, die günstige Symmetrieeigenschaften aufweisen kann. Das Kollektorgebiet kann aber auch auf andere Weise, z. B. als ein homogendotiertes Gebiet ohne epitaktische Schicht, gebildet werden. Auch kann das erste Gebiet (2, 3) z. B. in integrierten Schaltungen aus einer "Insel" 2 mit einer vergrabenen Schicht 3 bestehen, die völlig von einem p-leitenden Gebiet 20 umgeben sind (siehe Fig. 8, in der ein derartiger integrierter Transistor als Beispiel dargestellt ist, der in einem p-leitenden Substrat 20 neben einer in einer anderen n-leitenden Insel 21 gebildeten pn-Diode [21, 22] gebildet ist). Im Beispiel nach Fig. 1 bis 7 wurden Phosphoratome durch die polykristalline Schicht 12 hindurch diffundiert. Die Einführung von Dotierungsatomen durch die polykristalline Siliciumschicht 12 hindurch kann aber oft auch mit Vorteil mit Hilfe von Ionenimplantation nach den in Fig. 5 angegebenen Pfeilen stattfinden, wobei die Glasschicht 14 nicht gebildet wird. Wohl kann vor oder nach einer derartigen Implantation eine Isolierschicht, z. B. aus Siliciumoxid, über der Oberfläche erzeugt werden, wobei in dieser Schicht nachher die Kontaktfenster gebildet werden. Sofern eine derartige Schicht vor der Implantation erzeugt wird, muß sie selbstverständlich genügend dünn sein, um Implantation von Dotierungsionen durch diese Isolierschicht und die polykristalline Schicht hindurch zu ermöglichen.
Es sei noch bemerkt, daß die Einführung der Dotierungsatome über die polykristalline Siliciumschicht auch in zwei Schritten erfolgen kann, z. B. dadurch, daß zunächst in die undotierte polykristalline Schicht Dotierungsatome eindiffundiert oder implantiert werden und dann in einem zweiten Schritt durch Erhitzung wenigstens ein Teil dieser Dotierungsatome aus der polykristallinen Siliciumschicht in das Gebiet 8 eindiffundiert wird. Auch kann der Dotierungsstoff statt aus der Gasphase aus einer dotierten Schicht, z. B. einer dotierten Glasschicht oder einer anderen dotierten Schicht, durch die ursprüngliche undotierte polykristalline Siliciumschicht hindurch zur Bildung des vierten Gebiets eingebracht werden.
Weiter sind viele Abwandlungen des beschriebenen Verfahrens möglich; insbesondere können in den Beispielen die Leitungstypen aller Halbleitergebiete (gleichzeitig) vertauscht und andere Isolierschichten, z. B. aus Aluminiumoxid oder Siliciumnitrid, und andere Halbleitermaterialien verwendet werden. Dabei können auch verschiedene Halbleitermaterialien, die durch Heteroübergänge voneinander getrennt sind, Anwendung finden. Auch können andere Dotierungsatome, z. B. statt Phosphor ein anderer Donator und statt Bor ein anderer Akzeptor, verwendet werden.
Weiter kann der beschriebene Transistor auch einen Teil einer verwickelten Anordnung, z. B. eines Thyristors, bilden. So kann in Fig. 8 das p-leitende Gebiet 20 kontaktiert werden, wobei ein pnpn-Thyristor (20, 3, 2, 4, 8, 11,) gebildet wird.

Claims (15)

1. Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung mit einem Transistor, bei dem von einem Halbleiterkörper mit einem ersten Gebiet von einem ersten Leitungstyp ausgegangen wird, auf dem ein zweites Gebiet vom zweiten Leitungstyp erzeugt wird, auf dem ein drittes Gebiet vom ersten Leitungstyp erzeugt wird, wonach in dem dritten Gebiet ein an die Oberfläche grenzendes viertes Gebiet vom ersten Leitungstyp mit einer höheren Dotierung als der in dem dritten Gebiet erzeugt wird, wobei das erste Gebiet die Kollektorzone, das zweite Gebiet die Basiszone und das dritte und das vierte Gebiet die Emitterzone eines Bipolartransistors bilden, dadurch gekennzeichnet, daß zur Bildung des vierten Gebietes zuerst auf dem dritten Gebiet (8) eine dünne Schicht (19) aus einem elektrisch isolierenden Material mit einer Dicke von mindestens 1 nm und höchstens 10 nm erzeugt wird, wonach auf diese dünne Isolierschicht (19) eine undotierte Schicht (12) aus polykristallinem Silicium abgelagert wird und durch Einführung eines Dotierungsstoffes durch die polykristalline Siliciumschicht (12) hindurch in das dritte Gebiet (8) das vierte Gebiet (11) erzeugt wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß eine dünne Isolierschicht (19) mit einer Dicke von mindestens 2 nm und höchstens 6 nm erzeugt wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß eine dünne Isolierschicht (19) aus Siliciumnitrid erzeugt wird.
4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Siliciumnitridschicht (19) durch Erhitzung in einer Stickstoff und Ammoniak enthaltenden Atmosphäre erzeugt wird.
5. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Siliciumnitridschicht (19) in einem Stickstoff- oder Ammoniakplasma erzeugt wird.
6. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß eine dünne Isolierschicht (19) aus Siliciumoxid erzeugt wird.
7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Siliciumoxidschicht (19) durch thermische Oxidation erzeugt wird.
8. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Siliciumoxidschicht (19) in einem Sauerstoffplasma erzeugt wird.
9. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das vierte Gebiet (11) bis zu einer derartigen Tiefe in dem Halbleiterkörper erzeugt wird, daß der Abstand des Übergangs (18) zwischen dem dritten (8) und dem vierten (11) Gebiet von dem zwischen dem dritten (8) und dem zweiten (4) Gebiet höchstens eine Diffusionslänge des Minoritätsladungsträger in dem dritten Gebiet (8) beträgt.
10. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das dritte Gebiet (8) durch epitaktisches Anwachsen auf dem zweiten Gebiet (4) gebildet wird.
11. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterkörper völlig aus Silicium besteht.
12. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Gebiete vom ersten Leitungstyp N-leitend sind.
13. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß von einem Halbleiterkörper ausgegangen wird, dessen erstes Gebiet (2, 3) dadurch erzeugt wird, daß auf einem hochdotierten Halbleitersubstrat (2) vom ersten Leitungstyp eine epitaktische Halbleiterschicht (3) mit niedrigerer Dotierung vom ersten Leitungstyp anwachsen lassen wird, auf der dann das zweite (4) und das dritte (8) Gebiet erzeugt werden.
14. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Dotierungsstoff durch die polykristalline Siliciumschicht (12) hindurchdiffundiert wird.
15. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 13, dadurch gekennzeichnet, daß der Dotierungsstoff durch die polykristalline Siliciumschicht (12) hindurch implantiert wird.
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