DE2457130A1 - Germanium-dotierte galliumarsenidschicht als ohmscher kontakt - Google Patents

Germanium-dotierte galliumarsenidschicht als ohmscher kontakt

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DE2457130A1 DE19742457130 DE2457130A DE2457130A1 DE 2457130 A1 DE2457130 A1 DE 2457130A1 DE 19742457130 DE19742457130 DE 19742457130 DE 2457130 A DE2457130 A DE 2457130A DE 2457130 A1 DE2457130 A1 DE 2457130A1
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Description

BLUMBACH ■ WESER ■ BERGEN & KRAMER
PATENTANWÄLTE IN WIESBADEN JHD MÜNCHEN DlPL-ING. P. G. BLUMBACH · DIPL-PHYS. DR. W. WESER . DIPL-ING. DR. JUR. P. BERGEN DIPL-ING. R. KRAMER WIESBADEN · SONNENBERGER STRASSE 43 · TEL. (06121) S62943, 561998 ' MÖNCHEN
Ketchow, D. R.
WESTERN ELECTRIC COMPANY INCORPORATED New York, N.Y., V.St.A.
"Germanium-dotierte Galliumarsenidschicht als
ohmscher Kontakt"
Die Erfindung betrifft eine Halbleiteranordnung mit einer germanium-dotierten Galliumarsenidschicht als öhmschen Kontakt sowie ein Verfahren zu ihrer Herstellung. Das Verfahren zur Herstellung der Halbleiteranordnung, auf das sich die Erfindung bezieht, enthält folgende Schritte:
Ein Körper aus Verbindungs-Halbleitermaterial aus Elementen
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der Gruppen III und V des Periodischen Systems (im folgenden vereinfacht: Ill-V-Verbindungshalbleiter) wird bei einer ersten Temperatur mit einer Lösung in Kontakt gebracht, die als Lösungsmittel Gallium und als gelöste Stoffe Galliumarsenid zusammen mit wenigstens Germanium als leitfähigkeits-bestimmendem Dotierstoffenthäli; der Körper und die Lösung werden auf eine zweite Temperatur abgekühlt, was eine epitaxiale Abscheidung einer kristallinen Schicht aus Galliumarsenid zusammen mit wenigstens dem leitfähigkeits-bestimmenden Dotierstoff auf dem Körper zur Folge hat; auf die abgeschiedene Schicht wird ein Metall gebracht.
Ein ständiges Problem beim Entwurf und der Herstellung von Halbleiter-Anordnungen liegt in der Schaffung eines elektrischen Kontakts zwischen der Halbleiter-Anordnung und einem äußeren metallischen Schaltungsteil bzw. -anschluß. Die grundsätzliche Forderung ist dabei, daß der Kontakt ohmsch oder nicht-gleichrichtend sein soll, so daß die Eigenschaften des Kontaktes selbst nicht die Eigenschaften der kontaktierten Halbleiter-Anordnung beeinflussen. Das direkte Anbringen eines Metalls an einen Halbleiter, der durch Dotierung eine Ladungsträgerkonzentration besitzt, wie sie für die gewöhnliche Verwendung einer solchen Anordnung geeignet ist, erzeugt einen Kontakt, der selbst eine (gleichrichtende) Diode darstellt. Zur Lösung dieses Problems wurden viele Techni-
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ken entwickelt, darunter Legierungs- oder Diffusionsschritte, mittels derer eine Obergangs zone aus stark dotiertem Halbleitermaterial zwischen dem aktiven Teil der Halbleiter-Anordnung und dem metallischen Kontakt erzeugt wurde. So wurde beispielsweise eine Diffusion von
20 Zink zu einer Ladungsträgerkonzentration von nahezu 10 pro ecm in Galliumarsenid zur Schaffung eines ohmschen Kontaktes mit dem p-leitenden Teil von Galliumarsenid-' Anordnungen verwendet (Ripper et al, IEEE Journal of Quantum Electronics, QE6 (1970) 300). . Diese Lösung des Kontaktierungsproblems erfordert anschließend an die Verfahrensschritte zur Bildung.der aktiven Halbleiter-Anordnung gesonderte Verdampfungs- und Diffusionsschritte.
Kürzlich entwickelte III-V-Verbindungshalbleiter-Anordnungen wurden durch epitaxiale Abscheidung aufeinanderfolgender Halbleiterschichten aus der flüssigen Phase in einer einzigen Verfahrensfolge hergestellt (Hayashi et al, Applied Physics Letters, 17 (1970) 109). Es wäre günstig, die für einen ohmschen Kontakt erforderliche stark dotierte Zone dadurch herzustellen, daß in dieser Folge der epitaxialen Abscheidun^ieinfach ein besonderer Schritt vorgesehen wird. Obwohl Germanium als Dotierstoff für Galliumarsenid bekannt ist, der unter gewissen Wachstumsbedingungen eine p-Leitung hervorruft (Journal of Physics and Chemistry of Solids, 28 (1967) 2397, Japanese Journal of Applied Physics, 8 (1969) 348),
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. 24571;
hat es sich bei früheren Arbeiten als unmöglich erwiesen, Ladungsträgerkonzentrationen in der für ohmsche Kontakte
191
ausreichenden Höhe (d.h. >3,5 χ 10 J zu erreichen(Journal of Applied Physics, 41 (1970) 264).
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Halbleiter-Anordnung und ein Verfahren zu ihrer Herstellung zu schaffen, bei dem die aufgeführten Probleme vermieden werden.
Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe dadurch gelöst, daß die mit dem Körper aus Halbleitermaterial in Kontakt gebrachte Lösung Germanium in einer Konzentration von 20 bis 50 Atom-% enthält, daß die erste und die zweite Temperatur zwischen 85O0C und 700°C liegen und daß der Unterschied zwischen der ersten und der zweiten Temperatur wenigstens 0,5°C beträgt.
Es hat sich gezeigt, daß germanium-dotiertem Galliumarsenid, das bei niedrigeren Temperaturen als in diesem Zusammenhang bisher benutzt, aus der flüssigen Phase epitaxial abgeschieden wurde,eine für die Schaffung eines ohmschen Kontakts zwischen einer III-V-Verbindungshalbleiter-Anordnung und einem äußeren metallischen Schaltungsteil ausreichend hohe p-Ladungsträgerkonzentration gegeben werden kann. Obwohl die niedrigere Löslichkeit des Halbleiters in der Lösung bei der Abscheidung aus begrenzten Lösungsschichten größere Lösungsmengen erforderlich macht, um eine gewünschte Schichtdicke zu erzeugen, rechtfertigt
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die Wirtschaftlichkeit des Einfügens der Herstellung einer Zone mit hoher Ladungsträgerkonzentration in die vorangegangene Wachstumsfolge den möglicherweise größeren Verbrauch an Rohmaterialien. Wenn das epitaxiale Aufwachsen aus der flüssigen Phase bei einer Temperatur von 850 C oder darunter und mit einer Germaniumkonzentration in der Lösung zwischen 20 und 50 Atom-3 begonnen wird, ergeben sich glatte, gleichmäßige Abscheidungen
mit p-Ladungsträgerkonzentrationen oberhalb von -3,5 χ pro ecm. Diese Ladungsträgerkonzentrationen reichen für die Erzeugung eines Kontakts mit solchen gewöhnlich benutzten Metallkontaktschichten, wie Chrom und Titan, mit einer Anlaufspannung von weniger als 50 Millivolt aus. Für die Erfordernisse der in Frage kommenden Halbleiter-Anordnungen ist diese Anlaufspannung niedrig genug, um den Kontakt als "ohmsch" bezeichnen zu können.
Die Erfindung wird im folgenden anhand von Beispielen und drei Figuren näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 eine Schnittansicht einer beispielhaften Vorrichtung für das epitaxiale Aufwachsen aus der flüssigen Phase,
Fig. 2 eine graphische Darstellung der
p-Ladungsträgerkonzentration . (Ordinate) im aus der flüssigen
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Phase epitaxial abgeschiedenen Galliumarsenid als Funktion der Germaniumkonzentration (Abszisse) in der Wachs turns lösung, und
Fig. 3 eine Schnittansicht einer beispielhaften mehrschichtigen III-V-Verbindungshalbleiter-Anordnung.
Der Anschluß einer Halbleiteranordnung an einen äußeren metallischen Schaltungsteil bzw. -anschluß ist mit dem Problem der Nicht-Linearitäten verbunden, die normalerweise am Kontakt zwischen einem Halbleiter, der auf die typischen Dotiergrade dotiert ist und einem Metall vorhanden sind. Obwohl solche Nicht-Linearitäten ein gewünschter Teil der Gesamtcharakteristik eines Bauelements sein können (beispielsweise bei einer Schottky-Sperrschichtdiode), sind sie gewöhnlich unerwünscht. Die Nicht-Linearitäten lassen sich als "Anlaufspannung" am Kontakt ausdrücken. Diese Anlaufspannung kann ermittelt werden, in dem der Strom-Spannungsverlauf dieses Kontakts in Durchlaßrichtung gemessen und der lineare Teil zum Stromwert extrapoliert wird. Ein Kontakt mit einer in bezug auf die Eigenschaften der übrigen Anordnung bzw. des übrigen Bauteils vernachlässigbar niedrigen AnIaufspannung wird häufig als "ohmsch" bezeichnet. Das Material unter sol chen Kontakten stellt noch einen linearen Reihenwiderstand
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dar. Gewöhnlich ist es erwünscht, diesen Reihenwiderstand möglichst klein zu machen.
Die gebräuchlichsten Techniken zur Erzeugung von (ohmschen) Kontakten mit niedriger Anlaufspannung gehen von der Erzeugung einer. Zone aus Halbleitermaterial mit einer hohen Ladungsträgerkonzentration am Kontakt zum Metall aus. Dies wurde durch Verfahren wie Legieren oder Diffusion von Dotierstoffen in die Anordnung an der Stelle, an der der Kontakt hergestellt werden soll, erzielt. Bei einigen Materialsystemen können mittels der Epitaxie aus der flüssigen Phase Ladungsträgerkonzentrationen mit für diese Funktion ausreichender Höhe erzeugt werden. Diese Zone mit hoher Ladungsträgerkonzentration kann einfach als Obergangszone zwischen einer darunterliegenden Zone gleichen Leitfähigkeitstyps und dem äußeren metallischen Schaltungsteil bzw. -anschluß dienen. Der Kontakt zwischen der Zone mit hoher Ladungsträgerkonzentration und der darunterliegenden Zone kann andererseits aber auch erwünschter Teil der Eigenschaften des Bauelements sein.
Das Aufwachsen einer kristallinen Schicht auf einem Substratkristall aus einer mit diesem in Kontakt stehenden Nährlösung (LPE Kristallwachstum) ist bei III-V-Verbindungshalbleitern in großem Umfang angewendet worden. Bei diesem Verfahren ist die Nährlösung vornehmlich eine nicht-stöchiometrische Schmelze der beiden Hauptbestandteile mit einem Oberschuß des der Gruppe III des Perio-
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dischen Systems entsprechenden Bestandteils. Hierzu wird häufig eine Menge des Verbindungshalbleiters in einer Menge des reinen HI-Bestandteils aufgelöst. GaI-liumphosphidepitaxialschichten wachsen beispielsweise aus einer Schmelze auf, dessen Hauptbestandteile in Gallium aufgelöstes Galliumphosphid sind. Die relativen Mengen dieser Bestandteile werden (unter Bezug auf das entsprechende Phasendiagramm - Journal of the Physics and Chemistry of Solids, 26 (1965) 789) so ausgewählt, daß sich bei der Temperatur, bei der das Wachstum eingeleitet werden soll, eine gesättigte Lösung ergibt. Wenn die Temperatur reduziert wird, scheidet sich eine kristalline Schicht auf dem Substrat ab. Zusätzlich zu diesen Bestandteilen werden geringere Mengen zusätzlicher Arten als Dotierstoffe zugesetzt, um solche Bauteilaerkmale wie die elektrische Leitfähigkeit und den Lumineszenz-Wirkungsgrad der aufgewachsenen kristallinen Schicht zu modifizieren bzw. in gewünschter Weise zu beeinflussen.
Die die Leitfähigkeit bestimmenden Dotierstoffe, die in Verbindung mit IH-V-Verbindungshalbleitern verwendet werden, können in die folgenden drei Klassen eingeordnet werden:
1. Die Donatoren, die eine n- oder Elektronenleitung hervorrufen, sind hauptsächlich die Elemente der Gruppe VI, wie Schwefel,
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Selen und Tellur.
2. Die Akzeptoren, die eine ρ- oder Löcherleitung hervorrufen, sind hauptsächlich die Elemente der Gruppe II, wie Zink, Kadmium und Quecksilber.
3. Die Elemente der Gruppe IV, wie Silicium,
Germanium, Zinn und Blei sind amphotere Dotierstoffe, die abhängig von den Wachstumsbedingungen eine η-Leitung oder eine p-Leitung hervorrufen.
Es wird angenommen, daß der Beitrag an Ladungsträgern von diesen Dotierstoffen mit dem Unterschied zwischen der Substitution an Gitterplätzen der Elemente der Gruppe III und der Substitution an Gitterplätzen der Elemente der Gruppe V im Halbleitergitter zusammenhängt.
Germanium ist ein günstiger Dotierstoff für III-V-Verbindungshalbleitermaterialien, da es eine relativ niedrige Diffusionsbeweglichkeit besitzt. Das Germanium bleibt dort, wo es abgeschieden wurde, und wandert nicht regellos während einer weiteren Ablagerung oder anderer Verfahrensschritte mit hoher Temperatur in der Halbleiter-Anordnung umher, was bei hohen Dotiergraden von besonderer Wichtigkeit ist. Anordnungen (z.B. Laserdioden),
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die angrenzend an eine hoch-dotierte Region dünne Schichten anderer Dotierungen besitzen, sind gegenüber einer solchen Wanderung besonders empfindlich. Germanium-dotierte Galliumarsenidschichten mit Ladungsträgerkonzen-
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trationen oberhalb von 3,5 χ 10 /ecm ergeben sich bei, epitaxialen Abscheidungen aus der flüssigen Phase, wenn diese Abscheidung bei Temperaturen von 85O0C oder darunter aus Wachstumslösungen mit einem Germanium-Anteil zwischen 20 und 50 Atom-! eingeleitet, wird; Die Germanium- -JKonzentration ist dabei als prozentualer Anteil der Summe aller Bestandteile der Lösung ausgedrückt. Derart stark dotierte Schichten sind zur Schaffung eines ohmschen Kontakts zwischen III-V-Verbindungshalbleiter-Anordnungen -und einem äußeren metallischen Schaltungsteil bzw. -anschluß insbesondere mit jenen vielfach verwendeten Kontaktmetallen, wie Chrom und Titan, erwünscht. Im Zusammenhang mit dieser Erfindung werden solche Kontakte als ohmsch angesehen, bei denen die am Kontakt festzustellende Anlaufspannung unter 50 Millivolt liegt. Eine vorzugsweise maximale Aufwachstemperatur, die zu Anlaufspannungen unterhalb von 10 Millivolt führt, ist 800°C. Temperaturen unter 7000C sind wegen der übermäßig niedrigen Löslichkeit von Galliumarsenid in Gallium bei solchen Temperaturen ungünstig.
Ein bevorzugter Bereich der Konzentration von Germanium in der Wachsturnslösung liegt bei 25 bis 45 Atom-%. Die ser Bereich liefert an seinem unteren Ende eine geringe
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Anlaufspannung und an seinem oberen Ende abgeschiedene Schichten höherer kristalliner Qualität als bei höheren Temperaturen abgeschiedener Schichten.
Die Galliumarsenid-Konzentration in der Gallium-Lösung, der erforderliche Betrag an Lösung, der Temperaturunterschied, bei dem das epitaxiale Aufwachsen stattfindet und die Dicke der aufgewachsenen Schicht hängen untereinander zusammen. Dieser Zusammenhang wird entsprechend dem Gallium-Arsen-Germanium-Phasendiagramm bestimmt (M.B. Panish, J. Less-Common Metalls 110, 416 (1966)). (Während der Gesamteinschluß von Germanium unter Verwendung dieses Phasendiagramms veranschlagt werden kann, hängt die von diesem amphoteren Dotierstoff hervorgerufene Ladungsträgerkonzentration nicht einfach vom Germanium-Einschluß ab.) Der Temperaturunterschied sollte wenigstens 0,50C betragen, um die Bestandteile der Lösung wirtschaftlich zu nutzen. Die aufgewachsene Schicht sollte zur Schaffung eines verlässlichen ohmschen Kontakts wenigstens eine Dicke von I Mikrometer aufweisen. Schichten mit einer Dicke von mehr als 25 Mikrometern sind unwirtschaftlich und rufen nur eine Vergrößerung des Reihenwiderstands der hergestellten Anordnung hervor.
Fig. 1 zeigt ein Beispiel einer Vorrichtung für das epitaxiale Aufwachsen aus der flüssigen Phase zur Erzeugung einer Mehrschicht-Halbleiter-Anordnung. In der Vorrichtung 10 wird die Halbleiterscheibe 11 in einer Gleitplat-
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te 12 gehalten, so daß sie nacheinander mit drei getrennten Teilen 13, 14, 15 der Wachsturnslösung in Berührung gebracht werden kann. Die Zusammensetzungen dieser drei Teile der Wachsturns lösung sind entsprechend der erwünschten Qualität oder Eigenschaften der hergestellten Halbleiteranordnung ausgewählt. Zur Erreichung des epitaxialen Wachstums wird die Temperatur der Vorrichtung 10 um bestimmte Beträge gesenkt, während die Halbleiterscheibe 1 1 jeweils mit einem der Lösungsteile 13, 14, 15 in Kontakt steht. Entsprechend der Erfindung ist die Zusammensetzung des Lösungsteils 15 derart, daß eine hoch-dotierte p-leitende Schicht erzeugt wird, wie sie für einen Kontakt der fertigen Anordnung mit niedriger Anlaufspannung erforderlich ist.
Fig. 2 zeigt die Ladungsträgerkonzentrationen solcher Schichten als Funktion der Germanium-Menge in der Wachstumslösung. Die durch ausgefüllte Kreise gekennzeichneten Punkte stellen die Ergebnisse des Wachstums auf <111>Ebenen dar, wobei das Wachstum bei 8000C und den angegebenen Germanium-Konzentrationen in der Lösung eingeleitet wurde. Die durch offene Kreise gekennzeichneten Punkte entsprechen einem ähnlichen Aufwachsen auf <100>Kristallflachen. Die Dreiecke stellen die Ergebnisse früherer Versuche dar, hoch-dotierte Schichten aufzuwachsen (Journal of Applied Physics, 41 (1970) 264).
Fig. 3 zeigt eine beispielsweise hergestellte Anordnung
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mit einem stark η-dotierten Substrat 31, auf das eine n-Schicht 32 und eine p-Schicht 33, die einen pn-übergang bilden, und eine stark dotierte p-Schicht 34, die eine Übergangsschicht zwischen dem aktiven Teil 32, 33 der Anordnung und dem Metallkontakt 35 darstellt, aufgebracht sind. Der dargestellte Metallkontakt 35 ist aus einem Kontaktmetall 36, wie Chrom oder Titan, und .einem besser leitenden Leitungsmetall 37, wie Gold, zusammengesetzt. Solche Kontakte werden gewöhnlich durch eine oder eine Kombination von Techniken, wie Aufdampfbeschichtung, Aufstäuben oder Plattieren, angebracht. Die hier offenbarte stark dotierte Übergangsschicht 34 eignet sich besonders bei Anordnungen, die vorherrschend (wenigstens 901) aus Galliumarsenid bestehen. Eine Klasse von Anordnungen, die auf diese Weise hergestellt werden können, sind die GaAs-Laserdioden mit HeteroÜbergang. Eine solche Anordnung enthält Zwischenschichten 32, 33 aus Gallium-Aluminiumars enid (Ga1 Al As; wobei 0,1 < χ £ 0,4).
Beispiele
Eine Scheibe für die Verwendung als Laserdiode mit HeteroÜbergang wurde wie folgt hergestellt:
1. Füllen eines Abscheidungs-Schiffchens mit vier Positionen mit folgenden Bestandteilen:
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Erste: 3,7g - Ga; 0,23 g - GaAs; 1,0 g - Sn; 0,002 g - Al
Zweite: 5,1 g - Ga; 0,29 g - GaAs; 0,006 g - Ge
Dritte: 4,8 g - Ga; 0,24 g - GaAs; 0,09 g - Ge; 0,003 g - Al
Vierte: 3,3 g - Ga; 0,30 g - GaAs; 1,5 g: - Ge (-30 Atom-S),
2. Einsetzen einer η-leitenden GaAs <100>-Substrat-
scheibe;
3. Aufwachsen der ersten drei Schichten durch aufeinanderfolgendes Anordnen der Substratscheibe unter den ersten drei Wachstumslösungen und Reduzieren der Temperatur des Abscheidungs-Schiffchens um ausgewählte Intervalle;
4. Anordnen der Scheibe unter der vierten Lösung bei
794,5°C; Abkühlen des Abscheidungs-Schiffchens auf 793,40C in 12 Minuten;
5. Entfernen der Scheibe aus der Berührung mit der
vierten Lösung und Abkühlen der Vorrichtung auf Raumtemperatur.
Mittels dieses Verfahrens wurde eine Laserdioden-Scheibe
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hergestellt, bei der keine Anlaufspannung am Kontakt zwischen der stark p-dotierten Zone (vierte Schicht) und einem Kontaktmetall beobachtet wurde.
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Claims (12)

  1. DlPL-ING. R. KRAMER MÖNCHEN
    - 16 -
    Patentansprüche
    Verfahren zur Herstellung einer Halbleiter-Anordnung mit folgenden Schritten: Ein Körper aus Verbindungs-Halbleitermaterial aus Elementen der Gruppen III und V des Periodischen Systems (im folgenden vereinfacht: Hl-V-Verbindungshalbleiter) wird bei einer ersten Temperatur mit einer Lösung in Kontakt gebracht, die als Lösungsmittel Gallium und als gelöste Stoffe Galliumarsenid; zusammen mit wenigstens Germanium als leitfähigkeitsbestimmendem Dotierstoff enthält.; der Körper und die Lösung werden, auf eine zweite Temperatur abgekühlt, was eine epitaxiale Abscheidung einer Kristallinen Schicht aus Galliumarsenid zusammen mit wenigstens dem leitfähigkeits-bestimmenden Dotierstoff auf dem Körper zur Folge hat; auf die abgeschiedene Schicht wird ein Metall gebracht, dadurch gekennzeichnet, .daß die mit dem Körper aus Halbleitermaterial in Berührung gebrachte Lösung Germanium in einer Konzentration von 20 bis 50 Atom-! enthält, daß die erste und die zweite Temperatur zwischen 85O0C und 70O0C
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    liegen und daß der Unterschied zwischen der ersten und der zweiten Temperatur wenigstens O,5°C beträgt.
  2. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Teil des Körpers, auf dem die epitaxiale
    Abscheidung stattfindet, p-leitend ist.
  3. 3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Körper aus III-V-Verbindungs-Halbleitermaterial einen pn-Obergang enthält.
  4. 4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Körper aus III-V-Verbindungs-rHalbleitermaterial wenigstens 90 Volumen! GaAs enthält.
  5. 5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Körper aus III-V-Verbindungs-Halbleitermaterial, einen Teil mit niedrigem Brechungsindex, bestehend aus Ga1-Al As, wobei χ wenigstens einen
    I"™" Jv Jv
    Wert zwischen 0,1 und 0,4 annimmt, aufweist.
  6. 6. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Lösung Germanium in einer atomaren Konzentration von 25 bis 45$ enthält.
  7. 7. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke der abgeschiedenen Schicht zwischen 0,5 und 25 Mikrometern liegt.
    '509824/0647
  8. 8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Temperatur im Bereich von 8OO°C bis 75O°C liegt.
  9. 9. Halbleiter-Anordnung, hergestellt nach dem Verfahren von Anspruch 1, mit einem Körper aus III-V-Verbindungs-Halbleitermaterial, einer epitaktischen Oberflächenschicht aus p-leitendem GaAs, die Germanium als den die Leitfähigkeit vorwiegend bestimmenden Dotierstoff enthält, und mit einem mit der Oberflächenschicht in Kontakt stehenden Metallkörper, dadurch gekennzeichnet, daß das Germanium in einer zur Schaffung einer Ladungsträgerkonzentration von
    ι ο
    wenigstens 3,5 χ 10 p-Ladungsträgern pro ecm erforderlichen Menge enthalten ist und daß die Anlaufspannung zwischen der Oberflächenschicht und dem Metallkörper weniger als 50 Millivolt beträgt.
  10. 10. Halbleiter-Anordnung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß sie einen pn-Obergang enthält.
  11. 11. Halbleiter-Anordnung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß der Körper aus Ill-V-Verbindungs-Halbleitermaterial wenigstens 90 Volumen^ GaAs enthält.
  12. 12. Halbleiter-Anordnung nach Anspruch .11, dadurch gekennzeichnet, daß der Körper des Ill-V-Verbindungs-
    Halbleiters einen Teil mit niedrigem Brechungsindex, 509824/0647
    bestehend aus Ga1- Al As enthält, wobei χ wenigstens einen Wert zwischen 0,1 und 0,4 annimmt.
    13- Halbleiter-Anordnung nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß die Oberflächenschicht eine Dicke im Bereich von 0,5 bis 25 Mikrometern aufweist.
    509824/06 47
    IO
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