DE2062897A1 - Halbleitervorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung - Google Patents
Halbleitervorrichtung und Verfahren zu ihrer HerstellungInfo
- Publication number
- DE2062897A1 DE2062897A1 DE19702062897 DE2062897A DE2062897A1 DE 2062897 A1 DE2062897 A1 DE 2062897A1 DE 19702062897 DE19702062897 DE 19702062897 DE 2062897 A DE2062897 A DE 2062897A DE 2062897 A1 DE2062897 A1 DE 2062897A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- semiconductor
- alloy
- contact
- gold
- conductivity type
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 61
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 22
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 25
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 23
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 19
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 17
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 15
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000006023 eutectic alloy Substances 0.000 claims description 5
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 claims description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- 229910001096 P alloy Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 15
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 11
- 229910001020 Au alloy Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910000676 Si alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910001245 Sb alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L potassium carbonate Chemical compound [K+].[K+].[O-]C([O-])=O BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000013021 overheating Methods 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 229910000027 potassium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- LFAGQMCIGQNPJG-UHFFFAOYSA-N silver cyanide Chemical compound [Ag+].N#[C-] LFAGQMCIGQNPJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940098221 silver cyanide Drugs 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
- H01L23/532—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body characterised by the materials
- H01L23/53204—Conductive materials
- H01L23/53209—Conductive materials based on metals, e.g. alloys, metal silicides
- H01L23/53242—Conductive materials based on metals, e.g. alloys, metal silicides the principal metal being a noble metal, e.g. gold
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
- H01L23/532—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body characterised by the materials
- H01L23/53204—Conductive materials
- H01L23/53209—Conductive materials based on metals, e.g. alloys, metal silicides
- H01L23/53242—Conductive materials based on metals, e.g. alloys, metal silicides the principal metal being a noble metal, e.g. gold
- H01L23/53247—Noble-metal alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/13001—Core members of the bump connector
- H01L2224/1302—Disposition
- H01L2224/13021—Disposition the bump connector being disposed in a recess of the surface
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/13001—Core members of the bump connector
- H01L2224/1302—Disposition
- H01L2224/13022—Disposition the bump connector being at least partially embedded in the surface
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01019—Potassium [K]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/0132—Binary Alloys
- H01L2924/01322—Eutectic Alloys, i.e. obtained by a liquid transforming into two solid phases
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
- H01L2924/1025—Semiconducting materials
- H01L2924/10251—Elemental semiconductors, i.e. Group IV
- H01L2924/10253—Silicon [Si]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
DA - 4115
Beschreibung zu der Patentanmeldung
der Firma
HITACHILIMITED
1-5-1, Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokio, Japan
- betreffend
Priorität: 26. Dezember 1969, Nr. 104 417; Japan.
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Ausbilden eines ohmschen
Kontakts an einer Halbleitervorrichtung, insbesondere ein Verfahren, mit dem eine vorspringende Elektrode, die Gold
enthält, an einem Siliziumbereich eines Leitfähigkeitstyps ausgebildet werden kann.
Ziel der Erfindung ist es, den Beriihrungswiderstand zwischen
einem Halbleiterbereich und einer daran angebrächten Elektrode zu vermindern. '
Die Erfindung bezweckt außerdem die Verbesserung der elektrischen
Eigenüchaften einer Halbleiterdiode in Durchgangsrichtung.
109829/1608
mm O ^
Weiteres Ziel der Erfindung ist eine Erhöhung der Selektivität
Q einer Diode mit variabler Kapazität.
Erfindungsgegenstand ist daher eine Halbleitervorrichtung,
die einen Halbleiterkörper eines ersten Leitfähigkeitstyps
enthält und die gekennzeichnet ist durch' einen auf dem Halbleiterbereich des Halbleiterkörpers ausgebildeten Kontakt
aus einer Legierung, die im wesentlichen aus Gold und einer
Verunreinigung besteht und demselben Leitfähigkeitstyp angehört, wie dieser Halbleiterbereich, sowie durch eine zwischen
dem Halbleiterkörper und dem Kontakt aus der Legierung angeordnete Schicht eines Eutektikums aus dem Halbleitermaterial,
der Verunreinigung und Gold.
Das erfindungsgemäße Verfahren zum Ausbilden eines ohmschen Kontakts auf einem Halbleiterbereich besteht darin, daß man
eine aus Gold und einer Verunreinigung bestehende Legierung desselben Leitfähigkeitstyps, wie der Halbleiterbereich, auf
dem die Elektrode ausgebildet werden soll, auf den Halb- '
leiterbereich aufbringt, während das Halbleitersubstrat auf eine Temperatur oberhalb des eutektisehen Punkts von Gold
und Silizium erhitzt wird und danach ein Metall, wie Silber, auf die Schicht der Legierung aus Gold und Silizium aufträgt«
"'..'...
In den Figuren 1 bis 3 sind Schnittansichten einer Halbleitervorrichtung
in jeder Stufe des erfindungsgemäßen
109 aas/ta ο β
■■■'"■■■■■■■ ' '■!':· !'! !! !IBB!!! ifip :'
_ 3_ 2Q62897
Verfahrens zum Ausbilden einer Elektrode auf einem vorbestimmten Teil der Oberfläche eines Halbleitersubstrats
gezeigt. Die Figur 4 ist eine Schnittansicht einer Halbleitervorrichtung,
die nach einer anderen Ausführungsform
der Erfindung ausgebildet wurde. Figur 5 ist die graphische
Darstellung einer Diodenkennlinie in Durchgangsrichtung für eine erfindungsgemäße Halbleitervorrichtung und
eine bekannte Halbleitervorrichtung.
Nachstehend werden einige Ausführungsformen des erfindungsgemäßen
Verfahrens zum Ausbilden eines ohmschen Kontakts an einer Halbleitervorrichtung beschrieben. Die verwendete
Halbleitervorrichtung ist in diesen- Fällen eine Diode mit PN-Übergangen.
Wie in Figur 1 gezeigt ist, wird unter Anwendung konventioneller epitaxischer Wachstumsmethoden eine Siliziumschicht
2 des N-Typs auf einem N+(N-angereicherten) SiIi- *
ziumsubstrat ausgebildet. Darauf wird teilweise ein Siliziumoxydfilm erzeugt und $in Diffusionsbereich 3 des P-Typs
wird ausgebildet, indem eine Akzeptor-Verunreinigung,
wie Bor, durch eine in dem Film 4 angebrachte Öffnung in die Siliziumschicht 2 des N-Typs diffundieren gelassen
wird. In der Öffnung des Siliziumoxydfilms 4 wird in der Biffusionsstufe ein weiterer Siliziumoxydfilm 5 ausgebildet
- 4- -109829/1608
und danach wird eine vorbestimmte Oberfläche des Diffusionsbereichs
3 des P-Typs durch selektives Wegätzen des
Siliziumoxydfilms 5 freigelegt.
's*
Bs wird eine Legierung aus Gold und einer geringen Menge
an Gallium hergestellt. Es ist wünschenswert9 daß die
Legierung Gallium in einem Anteil von 0,1 bis 10,0 Gewichtsprozent
enthält, der optimale Gehalt beträgt 0,8
bis 1,0 io. Die genannte Legierung wird in einer Dicke von
etwa 1000 Angströmeinheiten auf die. Oberfläche des Diffusionsbereiehes
3 des P-Typs unter Bildung eines Films 6 aufgedampft. Dabei wird die Bedingung eingehalten, daß
das Substrat auf eine Temperatur oberhalb der eutektischen Temperatur (etwa 370° 0) von Gold und Silizium, beispielsweise
auf 400° C, erhitzt v/ird. Danach wird, wie in Figur 2 gezeigt ist, Silber auf die Oberfläche des Legierungsfilms
6 unter Bildung einer Silberschicht 7 von etwa 0,2 Mikron Dicke aufgedampft, während die Temperatur
beispielsweise bei 400° C gehalten wird. In der Praxis können diese Filme auf die gesamte Oberfläche des Substrats,
einschließlich der Schutzfilme 4 und 5 aufgetragen werden und danach können die Metallfilme auf· den
Schutzschichten 4 und 5 durch eine übliche Ätzmethode entfernt werden. Durch die oben beschriebenen Stufen
wird auf dem Bereich 2 des P-Typs eine eutektische Legierung von Gold und Ξΐΐΐζΐμπι ausgebildet. Da sich das
109829/1608 .
Silber mit dem nicht mit Silizium legierten Gold verbindet,
wird in diesem Pail Silber wirksam eingesetzt, um das Abschälen der Silberschicht 7 von dem Legierungsfilm 6 und
das Auftreten eines übermässigen Legierens von Gold mit
Silizium zu verhindern.
Gewünschtenfalls kann auf der Schicht 7 eine andere Elektrode
ausgebildet werden. Wie in Figur 3 gezeigt ist, wird
Silber mit Hilfe einer konventionellen Plattiermethode, die % nachstehend beschrieben werden soll, und dergleichen, dick als
Vorsprung auf dem Silberfilm .7 aufgetragen. Dabei wird eine sogenannte "Höckerelektrode" (bump electrode) mit einer
Dicke von 60 bis 80 Mikron gebildet.. Als Plattierlösung zur Herstellung der Höckerelektrode wird ein Gemisch aus Kaliumeyanid
(KCN), Kaliumcarbonat (K2GO5) und Silbercyanid (AgGN)
verwendet. Die Höckerelektrode kann durch Anv/endung eines Elektroplattierverfahrens erhalten werden. Da die Oxydfilrae
4 und 5 aus dielektrischem Material bestehen, wirken diese ä
Filme 4 und 5 als Maske für das Elektroplattieren und Silber wird nur auf dem Silberfilm 7 abgelagert.
Beim Ausbilden einer Elektrode auf einem Halbleiterbereich
des N-Typ-s kann der ohmsche Kontakt nach einer ähnlichen
Methode erzeugt werden, wie sie in der ersten Ausführungsform beschrieben wird. Es wird ein Siliziumsubatrat des
109629/160 8
P-5yps hergestellt und eine Verunreinigung des N-Leitfähigkeitstyps,
wie Phosphor, unter Bildung eines Diffu- . sionsbereiches des N-Typs selektiv' eindiffundieren gelassen,
Nachdem die Oberfläche des- Substrats teilweise mit einem Isolierfilm bedeckt wurde, wird eine Legierung von Gold
und Antimon auf die Oberfläche des auf etwa 400° G erhitzten
Bereiches des N-Typs aufgedampft und danach wird Silber auf die Legierungsschicht aufgetragen« In diesem
Pail ist es wünschenswert, daß Antimon in der Legierung
innerhalb eines Mengenbereiches von 0,1 bis 10,0 Gewichtsprozent enthalten ist, wobei der optimale Gehalt 0,8 bis
1,0 fo beträgt. In der Oberfläche des F-Bereiches wird eine
eutektische Legierung aus Gold und Silizium-gebildet. Erforderlichenfalls kann ferner nach derselben Methode wie
in der beschriebenen Ausführungsform eine Höckerelektrode
erzeugt werden. ·
Dritte Ausführungsform
Durch Kombinieren der Methoden gemäß der ersten Ausführungsform und der zweiten Ausführungsform wird ein außerordentlich
guter ohmscher Kontakt erzeugt.
Eine Diode wird nach dem Verfahren der ersten Ausführungsform hergestellt. V/ie in Figur 4 gezeigt ist, wird eine
Legierung aus Gold und Antimon auf die Oberfläche des Substrats 1 des N-Typs aufgedampft, wobei eine Legierungsschicht 9 aus Gold und Silizium bei einer Temperatur von
109829/1608
-T-
400° 0 gebildet wird. Dann wird eine Silberschicht 10 auf der Legierungsschicht 9 erzeugt. Eine nach dieser
Ausführungsform hergestellte Diode oder Diode mit variabler
Kapazität ist stark verbessert. Die Stromanstiegseigenschaften der erfindungsgemäßen Diode in Durchgangsrichtung gehen von einer Kurve 14 entsprechend dem Stand
der Technik in eine Kurve 12 über, wie sie in Figur 5 gezeigt ist und die Selektivität Q einer Diode mit variabler
Kapazität erhöht sich von 200 auf einen Wert im Bereich von 400 bis 1500. Da Gold und Silber nacheinander unter
Erhitzen des Halbleitersubstrats auf eine Temperatur, die nicht weniger beträgt als die eutektische Temperatur
des Substrats und Golds, nacheinander aufgetragen werden, bildet ein Teil des Goldes eine eutektische Legierung mit
dem Sili2iumsubstrat und wird fest mit der Oberfläche des
Substrats verbunden und Silber verbindet sich mit dem überschüssigen Gold, so daß die übliche Erscheinung des
Abschälens von Gold verhindert werden kann.
Die Erfindung ist jedoch nicht auf eine Diode beschränkt. Da erfindungsgemäß eine Verunreinigung desselben Leitfähigkeitstyps,
wie sie im Diffusionsbereich vorliegt, auf dem die Elektrode ausgebildet werden soll, in geringer Menge
in das Gold eingeführt wird und die Elektrode mit einem
vollständig ohmschen Kontakt versehen werden kann, läßt sich die Erfindung in wirksamer Weise auf beliebige
109829/1608
andere Halbleitervorrichtungen anwenden, die einen ohmschen
Kontakt aus Sold erfordern.
Der Kontaktwiderstand einer Elektrode kann durch das erfindungsgemäße
Verfahren vermindert werden. So kann die
Erfindung beispielsweise zum Befestigen eines Siliziumchips an Metall, zum festen Anbringen einer Anode beziehungsweise
eines Kollektors eines Transistors an einem Metall-■t
auflager, einem sogenannten Fuß (stern) angewendet werden, wobei Gold unter Verwendung einer Legierung aus Gold und
Silizium aufgetragen wird. Auf diese Weise wird ein ausgezeichneter ohmscher Kontakt beispielsweise bei einem NTN-Transistor.zwischen
dem Kollektor des Chips und.dem Fuß durch Ausbilden einer legierung von Gold und einer Donor-Verunreinigung,
beispielsweise Antimon, und j£rhitzen des
Fußes entsprechend der Erfindung, erhalten.
109829/1608
Claims (13)
- "" 9 ~
Patentansprüche *■·\ 1 »JHalbleitervorrichtung, enthaltend einen Halbleiterkörper eines ersten Leitfähigkeitstyps, gekennzeichnet durch einen auf dem Halbleiterbereich des Halbleiterkörpers ausgebildeten Kontakt aus einer Legierung, die im wesentlichen aus Gold und einer Verunreinigung besteht und demselben Leitfähigkeitstyp angehört wie dieser Halbleiterbereich, sowie durch eine zwischen dem Halbleiterkörper und dem Kontakt aus der , Legierung angeordnete Schicht eines EutektikumB aus dem Halbleitermaterial, der Verunreinigung und Gold. - 2. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß die Verunreinigung in dem aus der Legierung bestehenden Kontakt in einem Anteil von 0,1 bis 10 Gewichtsprozent vorliegt.
- 3. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterkörper dem P-Leitfahigkeitstyp angehört und als Verunreinigung in der Legierung des Kontakts , Gallium vorliegt.
- 4. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der- 10 -109829/1608- ίο -Halbleiterkörper dem N-Leitfähigkeitstyp angehört .und als Verunreinigung in der legierung des Kontakts" Antimon vorliegt.
- 5. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1 bis 4, d'a durch gekennzeichnet, daß die Verunreinigung, insbesondere Antimon oder Gallium, in derP legierung des Kontakts in einem Anteil von 0,8 bis 1,0 Gewichtsprozent vorliegt.
- 6. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1 bis 5» da,-durch gekennzeichnet, daß sie eine Halbleiterdiode darstellt, die ein Halbleitersubstrat des N-Leitfähigkeitstyps, einen auf einer Hauptfläche dieses Halbleitersubstrats ausgebildeten Halbleiterbereich des P-Leitfähigkeitstyps, einen im wesentlichen^ aus Gold und Gallium bestehenden, auf diesem Halbleiterbereich ausgebildeten ersten Legierungskontakt, der Gallium in einem Anteil von 0,1 bis 10,0 Gewichtsprozent enthält, eine erste eutektische Legierungsschicht aus dem Halbleitermaterial und Gold, die Gallium enthält und zwischen dem ersten Legierungskontakt und dem Halbleiterbereich ausgebildet ist, einen zweiten, im wesentlichen aus Gold und Antimon bestehenden Legierungskontakt, der auf dem Halbleitersubstrat ausgebildet ist und Antimon in einem Anteil- 11 "-.109829/1608von 0,1 bis 10,0 Gewichtsprozent enthält und eine .zweite eutektische Legierungsschicht aus dem Halbleitermaterial und Gold, die Antimon enthält und zwischen dem zweiten Legierungskontakt und dem Halbleitersubstrat ausgebildet ist, umfaßt.
- 7. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß sie außerdem eine auf dem ersten Legierungskontakt ausgebildete Silberschicht aufweist.
- 8. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 6 oder 7» dadurch gekennzeichnet, daß sie eine auf dem ersten Legierungskontakt ausgebildete Silberschicht und einen auf der Silberschicht ausgebildeten, im wesentlichen aus Silber bestehenden Höckerkontakt aufweist,
- 9. Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß man auf einer Hauptfläche eines Halbleitersubstrats einen Halbleiterbereich mit gegebenem Leitfähigkeitstyp ausbildet, auf diesen HaIbleiterbereich einen Kontakt aus einer Legierung aufträgt, die im wesentlichen aus Gold und einer Verunreinigung besteht, die zu demselben Leitfähigkeitstyp■ - 12 -109829/1608führt, dem dieser Halbleiterbereich angefrört, und daß während des Auftragens dieses Kontakts der Halbleiterbereich auf eine Temperatur nicht unterhalb der eutektischen Temperatur von Gold und dem Halbleitermaterial erhitzt wird.
- 10. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß man einen Halbleiterbereich des P-Ieitfähigkeitstyps erzeugt und als Verunreinigung Gallium verwendet.
- 11. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch g e ke η n-Zv e i c h η e t , daß man einen Halbleiterbereich des N-Leitfähigkeitstyps ausbildet und als Verunreinigung Antimon verwendet.
- 12. Verfahren nach Anspruch 9 bis 11, dadurch gekennzei. chnet, daß'man zum Ausbilden des Kontakts eine Legierung verwendet, welche die Verun- . reinigung in einer Menge von 0,1 bis 10 Gewichtsprozent enthält.
- 13. Verfahren nach Anspruch 9 bis 12, dadurch gekennzeichnet; daß man auf den aus der legierung bestehenden Kontakt einen im wesentlichen aus Silber bestehenden Metallkontakt aufbringt.109829/1608
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP441769 | 1969-12-26 | ||
JP10441769 | 1969-12-26 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2062897A1 true DE2062897A1 (de) | 1971-07-15 |
Family
ID=26338176
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19702062897 Pending DE2062897A1 (de) | 1969-12-26 | 1970-12-21 | Halbleitervorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3686698A (de) |
DE (1) | DE2062897A1 (de) |
FR (1) | FR2074233A5 (de) |
GB (1) | GB1337283A (de) |
NL (1) | NL7018311A (de) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2603745A1 (de) * | 1976-01-31 | 1977-08-11 | Licentia Gmbh | Mehrschichtiger metallanschlusskontakt |
DE2634263A1 (de) * | 1976-07-30 | 1978-02-02 | Licentia Gmbh | Mehrschichtiger metallanschlusskontakt |
DE3025859A1 (de) * | 1980-07-08 | 1982-01-28 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zum aufbringen einer metallschicht auf einen halbleiterkoerper |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
BE789498A (fr) * | 1971-09-29 | 1973-01-15 | Siemens Ag | Contact metal-semiconducteur de faible superficie |
JPS59213145A (ja) * | 1983-05-18 | 1984-12-03 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
US4742023A (en) * | 1986-08-28 | 1988-05-03 | Fujitsu Limited | Method for producing a semiconductor device |
FR2606551B1 (fr) * | 1986-11-07 | 1989-03-10 | Arnaud D Avitaya Francois | Procede de formation de contacts ohmiques sur du silicium |
US5244833A (en) * | 1989-07-26 | 1993-09-14 | International Business Machines Corporation | Method for manufacturing an integrated circuit chip bump electrode using a polymer layer and a photoresist layer |
DE68927931T2 (de) * | 1989-07-26 | 1997-09-18 | Ibm | Verfahren zur Herstellung einer Packungsstruktur für einen integrierten Schaltungschip |
US5349239A (en) * | 1991-07-04 | 1994-09-20 | Sharp Kabushiki Kaisha | Vertical type construction transistor |
US5411400A (en) * | 1992-09-28 | 1995-05-02 | Motorola, Inc. | Interconnect system for a semiconductor chip and a substrate |
US5665639A (en) * | 1994-02-23 | 1997-09-09 | Cypress Semiconductor Corp. | Process for manufacturing a semiconductor device bump electrode using a rapid thermal anneal |
US6100194A (en) * | 1998-06-22 | 2000-08-08 | Stmicroelectronics, Inc. | Silver metallization by damascene method |
JP2002124654A (ja) * | 2000-10-13 | 2002-04-26 | Mitsubishi Electric Corp | 固体撮像装置 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3172829A (en) * | 1961-01-24 | 1965-03-09 | Of an alloy to a support | |
NL135880C (de) * | 1961-07-12 | 1900-01-01 | ||
NL279651A (de) * | 1961-07-14 | |||
NL297607A (de) * | 1962-09-07 | |||
GB1095047A (en) * | 1964-09-09 | 1967-12-13 | Westinghouse Brake & Signal | Semi-conductor devices and the manufacture thereof |
US3408271A (en) * | 1965-03-01 | 1968-10-29 | Hughes Aircraft Co | Electrolytic plating of metal bump contacts to semiconductor devices upon nonconductive substrates |
US3510734A (en) * | 1967-10-18 | 1970-05-05 | Hughes Aircraft Co | Impatt diode |
US3496428A (en) * | 1968-04-11 | 1970-02-17 | Itt | Diffusion barrier for semiconductor contacts |
-
1970
- 1970-12-15 GB GB5944970A patent/GB1337283A/en not_active Expired
- 1970-12-16 NL NL7018311A patent/NL7018311A/xx unknown
- 1970-12-21 DE DE19702062897 patent/DE2062897A1/de active Pending
- 1970-12-23 FR FR7046476A patent/FR2074233A5/fr not_active Expired
- 1970-12-24 US US101274A patent/US3686698A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2603745A1 (de) * | 1976-01-31 | 1977-08-11 | Licentia Gmbh | Mehrschichtiger metallanschlusskontakt |
DE2634263A1 (de) * | 1976-07-30 | 1978-02-02 | Licentia Gmbh | Mehrschichtiger metallanschlusskontakt |
DE3025859A1 (de) * | 1980-07-08 | 1982-01-28 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zum aufbringen einer metallschicht auf einen halbleiterkoerper |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US3686698A (en) | 1972-08-29 |
FR2074233A5 (de) | 1971-10-01 |
NL7018311A (de) | 1971-06-29 |
GB1337283A (en) | 1973-11-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE69120995T2 (de) | Hochgeschwindigkeitsdiode und Verfahren zur Herstellung | |
DE2854750C2 (de) | Silizium-Solarzelle und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
EP0330122B1 (de) | Verfahren zur Herstellung eines durch Feldeffekt steuerbaren Bipolartransistors | |
DE2062897A1 (de) | Halbleitervorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
DE3135993A1 (de) | "verfahren zur herstellung von kontakten mit geringem widerstand in halbleitervorrichtungen" | |
DE2921971A1 (de) | Schottky-anordnung, insbesondere schottky-diode, und verfahren zu ihrer herstellung | |
DE2707180A1 (de) | Avalanche-photodiode mit verringerter lawinendurchbruchspannung | |
DE1246890B (de) | Diffusionsverfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements | |
DE2160427B2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterwiderstandes mit implantierten Ionen eines neutralen Dotierungsstoffes | |
EP1749317B1 (de) | Verfahren zur herstellung eines bereichs mit reduzierter elektrischer leitfähigkeit innerhalb einer halbleiterschicht und optoelektronisches halbleiterbauelement | |
DE3131914A1 (de) | Leistungs-mos-feldeffekttransistor und verfahren zu seiner herstellung | |
DE2457130A1 (de) | Germanium-dotierte galliumarsenidschicht als ohmscher kontakt | |
DE3413885C2 (de) | ||
DE3888462T2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer gegen Überspannungen selbst-geschützten Halbleiteranordnung. | |
EP0037005A1 (de) | Sperrfreier niederohmiger Kontakt auf III-V-Halbleitermaterial und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE2031831A1 (de) | Halbleiterdiode und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
DE2702451B2 (de) | Halbleiteranordnung | |
DE3419225A1 (de) | Gaas-halbleitervorrichtung | |
DE3010986A1 (de) | Integrierte halbleiterschaltung | |
DE1961492A1 (de) | Auf Druck ansprechende Halbleitervorrichtung | |
DE1806980A1 (de) | Halbleiter-Bauelement | |
DE2112114B2 (de) | Hochfrequenz-siliziumtransistor und verfahren zu seiner herstellung | |
DE1170082B (de) | Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauelementen | |
DE2721744A1 (de) | Heterojonctions-transistor | |
DE69304130T2 (de) | Verfahren zur Abscheidung eines ohmischen Kontaktes auf einer ZnSe-Schicht |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OHW | Rejection |