DE2603745A1 - Mehrschichtiger metallanschlusskontakt - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 49
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract description 16
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 title claims description 39
- 239000010931 gold Substances 0.000 title claims description 39
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 34
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 title abstract description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title abstract 7
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims abstract description 4
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 claims abstract description 3
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 12
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 8
- 150000002343 gold Chemical class 0.000 claims description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 5
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 4
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract description 7
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 abstract description 2
- 239000006060 molten glass Substances 0.000 abstract 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003378 silver Chemical class 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L24/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
-
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/05001—Internal layers
- H01L2224/05099—Material
- H01L2224/051—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/05163—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
- H01L2224/05164—Palladium [Pd] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/05001—Internal layers
- H01L2224/05099—Material
- H01L2224/051—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/05163—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
- H01L2224/05166—Titanium [Ti] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/05599—Material
- H01L2224/056—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/05638—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/05639—Silver [Ag] as principal constituent
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/13001—Core members of the bump connector
- H01L2224/13099—Material
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01006—Carbon [C]
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01015—Phosphorus [P]
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/0102—Calcium [Ca]
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
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- H01L2924/01022—Titanium [Ti]
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01029—Copper [Cu]
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- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01033—Arsenic [As]
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- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01046—Palladium [Pd]
-
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01047—Silver [Ag]
-
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01051—Antimony [Sb]
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
-
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/0132—Binary Alloys
- H01L2924/01322—Eutectic Alloys, i.e. obtained by a liquid transforming into two solid phases
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Description
- Mehrschichtiger Metallanschlußkontakt
- Die Erfindung betrifft einen mehrschichtigen Metallanschlußkontakt an einen Halbleiterkörper bestimmten Leitungstyps, bei dem eine Schicht aus Gold besteht.
- Es sind bereits Anschlußkontakte an Halbleiterkörper aus Gold bekannt. Diese Goldkontakte haben eine relativ geringe Temperaturfestigkeit, da die Eutektikumstemperatur zwischen Gold und dem Halbleitermaterial aus Silizium ca. 3700 C beträgt. Halbleiteranordnungen mit solchen Kontakten können daher nicht für den Einbau in Glasgehäuse verwendet werden, da bei der Glaseinschmelzung Temperaturen zwischen 500 und 7000 C angewandt werden.
- Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen mehrschichtigen Metallanschlußkontakt anzugeben, der auf dem Halbleiterkörper gut haftet und eine hohe Temperaturfestigkeit aufweist. Der Kontakt soll mindestens Temperaturen bis zu 7000 C widerstehen. Außerdem wird verlangt, daß der Kontakt eine niederohmige Verbindung zum Halbleiterkörper darstellt und der Übergangswiderstand zu weiteren Anschluß leitungen möglichst gering bleibt.
- Diese Aufgabe wird bei einem mehrschichtigen Metallanschlußkontakt der angegebenen Art erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß unmittelbar auf dem Halbleiterkörper eine Goldschicht angeordnet ist, daß diese Goldschicht mit einer weiteren Goldschicht bedeckt ist, die ein den Leitungstyp des Halbleiterkörpers bestimmendes Störstellenmaterial enthält, daß diese Goldschicht mit einer dritten Goldschicht bedeckt ist und daß auf den Goldschichten eine Nickelschicht und auf der Nickelschicht eine Silberschicht angeordnet ist.
- Bei einem derartigen Kontakt gewährleisten die Goldschichten eine guteHaftfestigkeit auf dem Halbleiterkörper und eine niederohmige Verbindung mit der angeschlossenen Halbleiterzone. Eine zusätzliche Verbesserung der Übergangseigenschaften zwischen dem Metall und dem Halbleiter ergibt sich durch die Verwendung eines Dotierungsstoffes in der mittleren Goldschicht.
- Da diese Dotierstoffe bei erhöhter Temperatur zur Halbleiteroberfläche gelangen, verhindern sie die Bildung von Sperrschichten an dieser Oberfläche. Da die Goldschichten mit weiteren Metallschichten aus Nickel und Silber abgedeckt sind, weist der Gesamtkontakt eine hohe Temperaturfestigkeit auf und gewährleistet ferner eine niederohmige Verbindung zu weiteren Anschlußelementen.
- Die beschriebene Schichtenfolge hat ferner den wesentlichen Vorteil, daß vor der Abscheidung der Nickel-und der Silberschicht an der Halbleiteranordnung Zwischenbehandlungsverfahren durchgeführt werden können.
- So besteht beispielsweise die Möglichkeit, nach der Abscheidung der Goldschichten an einer anderen Oberflächenseite des Halbleiterkörpers bzw. an einer anderen Zone Metallschichten galvanisch abzuscheiden.
- Hierbei dient der mehrschichtige Goldkontakt als Anschluß an die bei der galvanischen Abscheidung verwendete Spannungsquelle. Außerdem können vor der Abscheidung der Nickel- und der Silberschicht auf dem mehrschichtigen Goldkontakt Teile des Halbleiterkörpers mit einer Passivierungsschicht, die vorzugsweise aus Glas besteht, überzogen werden.
- Der beschriebene mehrschichtige Metallanschlußkontakt eignet sich insbesondere für Halbleiterbauelemente, die bei hohen Temperaturen in ein Gehäuse eingebaut werden. Dies gilt beispielsweise für DH-Dioden, die in ein Glasgehäuse eingeschmolzen werden. Der Kontakt wird vorzugsweise an einkristalline, n-leitende Halbleiterkörper bzw. Halbleiterzonen aus Silizium angebracht.
- Die Erfindung und ihre weitere vorteilhafte Ausgestaltung soll im folgenden noch anhand eines Ausführungsbeispiels näher erläutert werden.
- Die Figur 1 zeigt im Schnitt eine Halbleiterdiode nach dem Aufbringen der 3 Goldschichten auf eine Oberflächenseite.
- Die Figur 2 zeigt die Diode in einem Fertigungsstadium nach Herstellung des zweiten Kontaktes.
- In der Figur 3 ist die Diode nach der Passivierung der Halbleiteroberfläche mit einer Glasschicht dargestellt.
- Die Figur 4 zeigt die Halbleiterdiode nach der Herstellung sämtlicher Kontaktschichten.
- Die Figur 5 zeigt die in ein DH-Gehäuse eingebaute Halbleiterdiode.
- In der Figur 1 ist ein Halbleiterkörper 1 dargestellt, der beispielsweise aus n-leitendem Silizium besteht.
- Zur Herstellung eines pn-Uberganges wird in den Halbleiterkörper eine p-leitende Zone 3 durch die Öffnung in einer die Halbleiteroberfläche bedeckenden Oxidmaske 4 eindiffundiert. Auf diese Weise entsteht eine Diode aus der p-leitenden Zone 2 und der n-leitenden Halbleiterzone 2, wobei sich letztere über die gesamte Rückseitenoberfläche des Halbleiterkörpers erstreckt.
- Auf diese Rückseite werden nun zur Kontaktierung der n-leitenden Zone nacheinander 3 Goldschichten 5, 6, 7 aufgedampft. Die erste Goldschicht 5 hat eine Dicke von beispielsweise 0,15 /um und enthält keine Verunreinigungen. Die zweite Goldschicht 6 ist beispielsweise 0,3 #um dick und enthält mit einem Anteil von ca. 1 % ein Störstellenmaterial, das den in der Zone 2 vorhandenen Leitungstyp im Halbleiterkörper erzeugen würde. Dieses Störstellenmaterial ist vorzugsweise Antimon; es kann aber auch aus Phosphor oder Arsen bestehen.
- Durch diese mit einem Störstellenmaterial versetzte Goldschicht wird die Donnatordichte an der Halbleiteroberfläche erhöht, wenn in einem nachfolgenden Temperaturprozeß die Antimonatome zur Halbleiteroberfläche gelangen. Die dritte Schicht 7 besteht wiederum aus reinem Gold und weist vorzugsweise eine Dicke von 0,15 /um auf.
- Der aus den 3 Schichten 5, 6, 7 bestehende Metallanschlußkontakt wird nun gemäß Figur 2 als elektrischer Anschluß bei einem nachfolgenden galvanischen Abscheidungsprozeß benötigt. Zunächst wird aber gemäß Figur 2 auf die p-leitende Zone 3 ein dünner Vorderseitenkontakt 8 üblicher Art aufgebracht. Dieser Kontakt kann beispielsweise aus Titan, Palladium und Silber bestehen. Danach wird auf dieser dünnen Kontaktschicht 8 in einem galvanischen Abscheidungsprozeß ein dicker Silberberg 9 abgeschieden. Dieser Silberkontakt 9 hat eine Dicke von etwa 20 - 50 /um.
- Gemäß Figur 3 wird dann die mit der Oxidschicht 4 bedeckte Oberflächenseite des Halbleiterkörpers mit einer zusätzlichen Glasschicht 10 passiviert, durch die Verunreinigungen vom Halbleiterkörper ferngehalten und Inversionsschichten im Halbleiterkörper verhindert werden. Diese Glasschicht 10 wird bei einer Temperatur von 500 - 7000 C auf die Oberfläche aufgeschmolzen. Bei diesem Temperaturprozeß gelangen Antimonatome aus der Goldschicht 6 zur Halbleiteroberfläche und sorgen so für einen niederohmigen Anschlußkontakt zwischen dem Halbleiterkörper und dem durch die Temperaturbehandlung anlegierten, mehrschichtigen Metallkontakt.
- Nach diesen Zwischenbehandlungsschritten werden gemäß Figur 4 die restlichen Schichten 11, 12 des mehrschichtigen Anschlußkontaktes an die n-leitende Zone 2 hergestellt. Zuerst wird auf die oberste Goldschicht 7 eine beispielsweise 0,15 /um dicke Nickelschicht 11 aufgedampft. Danach wird auf die Nickelschicht 11 eine Silberschicht 12 aufgedampft, die ihrerseits eine Dicke von vorzugsweise 0,1 - 0,6 /um aufweist.
- Die Aufdampftemperaturen für die Schichten 11, 12 liegen in der Größe von 3500 C oder darunter.
- In der Figur 5 ist schließlich die gebrauchsfertige DH-Diode dargestellt. Hierzu wird eine Diode gemäß Figur 4 zwischen 2 Stempel 15, 13 gebracht, die vorzugsweise aus Kupfer bestehen und nur einen geringen übergangswiderstand zu den Silberkontakten aufweisen.
- Die Kupferstempel 14, 15 werden zusammen mit dem Halbleiterbauelement 1 in ein Glasgehäuse 13 eingeschmolzen. Hierzu ist eine Temperatur von ca. 7000 C erforderlich.
- Es hat sich gezeigt, daß die erfindungsgemäß ausgebildeten Halbleiteranordnungen so gut wie keine durch die Kontakte bedingten Ausfälle mehr aufweisen. Außerdem kann bei der beschriebenen Verfahrensweise auf Kontaktdiffusionen zur Erzeugung eines niederohmigen Anschlußkontaktes an eine n-leitende Halbleiterzone verzichtet werden. Ferner besteht nun die Möglichkeit, in einem Fertigungszwischenstadium für den mehrschichtigen Anschlußkontakt die galvanische Abscheidung vorzunehmen.
- Leerseite
Claims (5)
- Patentansprüche Mehrschichtiger Metallanschlußkontakt an einen Halbleiterkörper bestimmten Leitungstyps, bei dem eine Schicht aus Gold besteht, dadurch gekennzeichnet, daß unmittelbar auf dem Halbleiterkörper eine Goldschicht angeordnet ist, daß diese Goldschicht mit einer weiteren Goldschicht bedeckt ist, die ein den Leitungstyp des Halbleiterkörpers bestimmendes Störstellenmaterial enthält, daß diese Goldschicht mit einer dritten Goldschicht bedeckt ist und daß auf den Goldschichten eine Nickelschicht und auf der Nickelschicht eine Silberschicht angeordnet ist.
- 2) Metallanschlußkontakt nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch seine Verwendung als Kontakt für einen n-leitenden Halbleiterkörper bzw. eine n-leitende Halbleiterzone, wobei die zweite Goldschicht Antimon, Phosphor oder Arsen enthält.
- 3) Metallanschlußkontakt nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Goldschicht das Störstellenmaterial zu einem Anteil von ca. 1 % enthält.
- 4) Verfahren zum Herstellen eines Metallanschlußkontaktes nach einem der vorangehenden Patentansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Goldschichten nacheinander auf den Halbleiterkörper aufgedampft werden, daß die Halbleiteranordnung danach bei einer Temperatur behandelt wird, die über der Eutektikumstemperatur des Goldes mit dem Halbleitermaterial liegt und daß schließlich die beiden restlichen Schichten auf den Goldkontakt aufgedampft werden.
- 5) Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß nach dem Aufdampfen der Goldschichten auf Teile des Halbleiterkörpers Glas-Passivierungsschichten bei Temperaturen zwischen 500 und 7000 C aufgebracht werden, daß danach an einer weiteren Zone des Halbleiterkörpers eine dicke Silberschicht galvanisch abgeschieden wird und daß schließlich auf die Goldschichten eine Nickel- und danach eine Silberschicht aufgedampft wird.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2603745A DE2603745C3 (de) | 1976-01-31 | 1976-01-31 | Mehrschichtiger Metallanschlußkontakt und Verfahren zu seiner Herstellung |
US05/762,455 US4142202A (en) | 1976-01-31 | 1977-01-25 | Multi-layer metal connecting contact and method for making it |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2603745A DE2603745C3 (de) | 1976-01-31 | 1976-01-31 | Mehrschichtiger Metallanschlußkontakt und Verfahren zu seiner Herstellung |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2603745A1 true DE2603745A1 (de) | 1977-08-11 |
DE2603745B2 DE2603745B2 (de) | 1980-10-16 |
DE2603745C3 DE2603745C3 (de) | 1981-07-23 |
Family
ID=5968758
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2603745A Expired DE2603745C3 (de) | 1976-01-31 | 1976-01-31 | Mehrschichtiger Metallanschlußkontakt und Verfahren zu seiner Herstellung |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE2603745C3 (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4914054A (en) * | 1983-05-18 | 1990-04-03 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of producing a semiconductor device provided with front and back surface electrodes |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2634263A1 (de) * | 1976-07-30 | 1978-02-02 | Licentia Gmbh | Mehrschichtiger metallanschlusskontakt |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR1374183A (fr) * | 1962-11-15 | 1964-10-02 | Westinghouse Brake & Signal | Procédé pour la fixation d'un premier élément sur un second élément de contact en molybdène |
DE2062897A1 (de) * | 1969-12-26 | 1971-07-15 | Hitachi Ltd | Halbleitervorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung |
-
1976
- 1976-01-31 DE DE2603745A patent/DE2603745C3/de not_active Expired
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE2603745C3 (de) | 1981-07-23 |
DE2603745B2 (de) | 1980-10-16 |
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