WO2018234159A1 - Halbleiterkörper und verfahren zur herstellung eines halbleiterkörpers - Google Patents

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WO2018234159A1
WO2018234159A1 PCT/EP2018/065861 EP2018065861W WO2018234159A1 WO 2018234159 A1 WO2018234159 A1 WO 2018234159A1 EP 2018065861 W EP2018065861 W EP 2018065861W WO 2018234159 A1 WO2018234159 A1 WO 2018234159A1
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PCT/EP2018/065861
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Ingrid Koslow
Massimo DRAGO
Joachim Hertkorn
Alexander Frey
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Osram Opto Semiconductors Gmbh
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Definitions

  • One of the objects to be solved is, inter alia, to specify a semiconductor body which has improved electrical and / or optical properties.
  • Another object to be solved is to specify a method for producing such a semiconductor body.
  • the semiconductor body is, for example, a part of an electronic or optoelectronic
  • Semiconductor body is formed to a radiation-emitting or radiation-detecting component, such as a light-emitting diode chip or a laser diode chip.
  • a radiation-emitting or radiation-detecting component such as a light-emitting diode chip or a laser diode chip.
  • the semiconductor body may be adapted to operate in normal operation electromagnetic
  • the Semiconductor body made of semiconductor material.
  • the Semiconductor body may be formed with regions having different dopants.
  • semiconductor body a III-V compound semiconductor material.
  • the semiconductor body is based on a
  • Nitride compound semiconductor material "On one
  • Nitride compound semiconductor material based "means in the present context that the semiconductor layer sequence or at least a part thereof, particularly preferably at least one active region
  • Nitride compound semiconductor material preferably Al n Ga m In ] __ n _ m N, or consists of this, where 0 -S n ⁇ 1, 0 -S m ⁇ 1 and n + m ⁇ 1.
  • This material does not necessarily have a mathematical have exact composition according to the above formula. Rather, it may, for example, have one or more dopants and additional constituents.
  • the above formula contains only the essential constituents of the crystal lattice (Al, Ga, In, N), even if these can be partially replaced and / or supplemented by small amounts of further substances.
  • Semiconductor body a p-type region which is doped with a p-type dopant.
  • the p-type dopant is generated
  • impurities in the compound semiconductor material of the semiconductor body and changes properties
  • the p-type dopant is a dopant which acts as an electron acceptor within the semiconductor body.
  • the p-type dopant comprises magnesium or consists of magnesium.
  • the p-type region comprises at least a first, a second and a third portion.
  • the p-type region may comprise a plurality of first, a plurality of second and a plurality of third portions.
  • the sections differ for example by their material composition. The sections extend in lateral directions along the
  • each section may be congruent with each other.
  • each section extends perpendicular to the lateral direction over the entire cross-sectional area of the semiconductor body.
  • Each section then comprises at least one layer of the semiconductor body.
  • the layers of the semiconductor body are epitaxially deposited over one another and along the
  • the second section is arranged between the first and the third section. For example, stand the first
  • Section and the third section are not in direct contact with each other, but are at least through the second
  • Section directly to the first and the third section is in direct contact with the third portion and / or the first portion.
  • the second section may be materially connected to the third and / or first section.
  • the first and / or the third section are connected to one another in a material-locking manner via intermolecular bonding forces.
  • the sections can only under at least partial destruction of one of the sections are detached from each other.
  • one of the sections has a higher indium concentration than the other two
  • one of the sections has a lower indium concentration than the other two
  • the indium concentration is at least ten times higher
  • III-V compound semiconductor material having a p-type region which is doped with a p-type dopant, wherein the p-type region comprises at least a first, a second and a third portion, the second portion between the first and the third
  • Section is arranged, the second section directly adjacent to the first section and the third section, and the indium concentration of at least one of the sections
  • a semiconductor body described here is based inter alia on the following considerations. To within individual portions of a p-type region, the optical and / or electrical properties of a p-type
  • the semiconductor body described here makes use of the idea of increasing the concentration of a p-type dopant within a p-type region of a semiconductor body by means of the addition of indium
  • Semiconductor body during the epitaxial growth of the semiconductor body, reduced, since otherwise segregated p-type dopant atoms improved in the semiconductor body
  • this allows particularly high rates of change of the concentration of the p-type dopant along the growth direction of the
  • the first, the second and the third section have different dimensions
  • Concentrations of the p-type dopant wherein the second portion has a higher concentration of the p-type dopant than the first portion, and the second portion has a higher indium concentration than the first portion.
  • the indium concentration and / or the concentration of the p-type dopant varies transversely to Main extension direction of the semiconductor body.
  • a maximum of 5% relative for example, a maximum of 1% relative, be constant.
  • the second portion may have a concentration of the p-type dopant of at least 2 ⁇ 10 19 atoms per cm 3 .
  • the second section can be a
  • the semiconductor body may have at least 5% indium in the second section.
  • the first section may, for example, have a concentration of the p-type dopant of not more than 2x10 19 atoms per cm 2.
  • the first section may have an indium concentration of at most
  • the semiconductor body can have a maximum of 1% indium in the first section.
  • the first, the second and the third section have different dimensions
  • the second portion has a higher concentration of the p-type dopant than the third portion.
  • the second section has a Indium concentration of at least lxlO 10 atoms per cm J and / or the first section an indium concentration of at most 1 10 ⁇ indium atoms per cm- ⁇ on.
  • the second section has a concentration of the p-type dopant of at least 2 ⁇ 10 19 atoms per cm 2
  • the third section has a concentration of the p-type dopant of not more than 2 ⁇ 10 19 atoms per cm 2.
  • Section a particularly high rate of change of the concentration of the p-type dopant at the transition from the second to the third section.
  • the concentration of the p-type dopant has a local maximum in the second section.
  • the concentration of the p-type dopant in the second section initially increases in the direction of the third section.
  • the concentration of the p-type impurity in the second portion may decrease toward the third portion.
  • the concentration of the p-type dopant in the second portion has a value greater than the concentration of the p-type dopant in the first portion.
  • the concentration of the p-type dopant in the second portion, in the direction of the third portion drops below the concentration of the p-type dopant in the first portion.
  • the concentration of the p-type dopant in the second section may be higher than in the first and third
  • Concentration of the p-type dopant within the Semiconductor body specifically within a predeterminable region can be arranged.
  • the concentration of the p-type dopant in the p-type region perpendicular to the main plane of extension of the first, second and third
  • the p-type region has a rate of change of the p-type dopant of at least ⁇ 2x10 ⁇ 1 atoms per cm3 per ym exclusively in portions in which the indium concentration is at least 1x10 atoms per cm- ⁇ . For example, at a transition in
  • this particularly high rate of change of the concentration of the p-type dopant allows a particularly precise adjustment of the optical and / or electronic properties of the p-type
  • the semiconductor body comprises an active region.
  • the p-type region according to the embodiment includes a
  • Electron blocking layer wherein the
  • Electron blocking layer is present at an active region side facing the p-type region, and the first portion and / or the second portion are at least partially within the electron-blocking layer, wherein the second portion has a greater maximum
  • the active area is set up in normal operation
  • the active area comprises a plurality of
  • the electron blocking layer Adjacent to the active region, the electron blocking layer may be formed.
  • a first and a second portion may be formed in the electron blocking layer.
  • the first portion may lie completely within the electron blocking layer.
  • the second portion may be completely within the electron blocking layer.
  • the electron-blocking layer can be designed, for example, to operate in normal operation
  • the electron-blocking layer has a particularly high concentration of the p-type dopant.
  • the p-type dopant has a particularly high concentration of the p-type dopant.
  • the first section is arranged between the second section and the active region.
  • the first section may have a thickness of not more than 200 nm, in particular not more than 50 nm.
  • the first section preferably has a thickness of not more than 30 nm, in particular not more than 5 nm.
  • the concentration of the p-type dopant decreases starting from the second section in the direction of the third
  • the direction of the change may be parallel to a growth direction along which the layers of the semiconductor body
  • the concentration of the p-type dopant is in the third
  • an electron-blocking layer having a high concentration of the p-type dopant allows electrons to block from the active region so that they do not pass through the p-type region.
  • a low concentration of the p-dopant in the third section allows particularly good optical properties, so that a particularly small proportion of the electromagnetic radiation generated in the active region during normal operation is absorbed within the p-conducting region.
  • the semiconductor body comprises an active region.
  • the p-type region according to the embodiment has a p-type contact layer, wherein the p-type contact layer is present on a side of the p-type region facing away from the active region, and the second portion lies at least partially within the p-type contact layer the second
  • Section has a greater indium concentration than the adjacent to the second section first section.
  • the first section may be formed in a region of the semiconductor body adjacent to the p-contact layer.
  • the p-contact layer may be configured, for example, over an outer surface of the
  • the p-contact layer is configured to have a low resistance region with a specific
  • the second section has a maximum
  • the p-contact layer in particular the second section, can have an indium concentration which is at least 1 ⁇ 10 -4 atoms per cm 2, preferably at least 1 ⁇ 10 19 atoms per cm 2.
  • the second portion may have a higher maximum concentration of the p-type dopant than the first portion.
  • the maximum concentration of the p-type dopant in the second section is at least tenfold the maximum concentration of the p-type dopant in the first section.
  • Section towards the third section at least
  • the third portion forms an outer surface of the p-type conductor facing away from the semiconductor body
  • the concentration of the p-type dopant in the second section may be at most ten times the concentration of the p-type dopant in the third section
  • the p-contact layer has a high conductivity for positive charge carriers and a low absorption for electromagnetic radiation generated in the active region. Furthermore, a method for producing a semiconductor body is specified. With the method can
  • the method for producing a semiconductor body is, for example, an epitaxial method.
  • Process chamber is arranged, deposited.
  • Epitaxie Kunststoffs for example, several layers of semiconductor materials with different Compositions are deposited on each other.
  • composition of the layers is, for example, via the flow rates of the supplied process gases and / or
  • Semiconductor materials may be, for example, III-V compound semiconductor materials, in particular
  • Nitride compound semiconductor materials act.
  • Range may include a p-type dopant, for example magnesium.
  • the entire p-type region has grown epitaxially.
  • the first, second, and third sections may be a different one
  • the first, the second and / or the third section differ in the concentration of the p-type dopant.
  • the second section has grown during a second period and the third section has grown during a third period.
  • the second period is chronologically between the first and the third period.
  • the second period directly follows the first period.
  • the third period directly follows the second period.
  • the first, second and / or third periods may have a different duration.
  • Period different amounts of the semiconductor material are deposited.
  • the first section, the second portion and / or the third portion have a different thickness along the growth direction.
  • Periods set a different indium flow rate than during the other two periods.
  • indium flow rate In particular, relative to other process gases or absolutely another
  • Indium flow rate can be adjusted.
  • the indium flow rate is an amount of an indium-containing gas or an indium-containing liquid which is supplied to a process chamber per unit time.
  • the process gas is around
  • TIn Trimethylindium
  • the supplied indium is at least partially
  • Semiconductor body forms.
  • a higher indium flow rate is set during the first period than during the second and / or third period.
  • a higher indium flow rate is set during the first period than during the second and / or third period.
  • a higher indium flow rate is set during the second period than during the second and / or third period.
  • a higher indium flow rate may be set during the third period than during the first and / or second period.
  • the indium concentration of a portion which is deposited during this period can be increased.
  • the indium concentration can be adapted in individual sections of the p-type region by means of an increased indium flow rate, so that the semiconductor body has predefinable properties in these regions. For example, in areas with elevated
  • Indium concentration of the incorporation of the p-type dopant improves, so that in these areas, an increased concentration of the p-type dopant is possible. Furthermore, the improved incorporation of the p-type dopant due to the increased
  • Indium concentration a particularly accurate adjustment of the concentration of the p-type dopant in the semiconductor body.
  • a higher flow rate of a p-type dopant and a higher indium flow rate are set during the second time period than during the first time period.
  • the p-type dopant is magnesium.
  • the magnesium can be supplied in a substance connection to a process chamber.
  • the p-type dopant is in the form of
  • Bis (cyclopentadienyl) magnesium (Cp 2 Mg) fed to the process chamber For example, the flow rate of the p-type dopant is adjusted so that during the second
  • the concentration of the p-type dopant is at least five times, in particular at least ten times, higher than in the section which is grown during the respective period.
  • the concentration of the p-type dopant is at least five times, in particular at least ten times, higher than in the section which is grown during the respective period.
  • a lower indium flow rate is set during the third period of time than during the second period and during the third period
  • the duration of the second period is adjusted depending on the concentration of the p-type dopant in the second portion of the p-type region grown during the second period.
  • the second period is completed as soon as a predetermined
  • the indium flow rate is increased during periods during which this
  • the rate of change in a section is at least 3x10 ⁇ 1 atoms per cm 2 per ym.
  • a section is at least 3x10 ⁇ 1 atoms per cm 2 per ym.
  • the indium flow can be reduced if a desired concentration of the p-type dopant within the semiconductor body is reached.
  • the increased flow of indium is not necessary to reach once
  • the amount of the p-type dopant which is attached to the surface of the semiconductor body increases
  • a constant concentration of the p-type dopant in the respective portion of the p-type region is adjustable.
  • a higher indium flow rate is set during the second period than during the first period and during the second period lower flow rate of the p-type impurity set than during the first period.
  • the predetermined limit is one
  • a flow rate of the p-type dopant of 0 liters per second is set during the second period.
  • no p-dopant is supplied during the second period.
  • the increased indium flow rate during the second period allows increased incorporation of p-type dopant atoms in the second portion of the semiconductor body.
  • the combination of the increased indium flow rate during the second period and the flow rate of the p-type dopant of 0 liters per second during the second period allows a particularly high rate of change of the p-type dopant within the second
  • the p-type dopant comprises magnesium or is magnesium.
  • the p-type dopant is configured to function as an electron acceptor in a III-V compound semiconductor material.
  • the electrical and / or optical Properties of the semiconductor body can be specifically adapted in individual sections.
  • FIGS. 1A, 1B and 1C are sectional views of a semiconductor body described herein and a graph of the FIGS
  • FIGS. 2, 3A and 3B show the indium concentration and the concentration of a p-dopant in a first, second and third section of a semiconductor body
  • FIGS. 4A and 5A show indium and p-type dopant flow rates during a method for producing a
  • FIGS. 4B and 5B show concentrations of the p-type dopant and indium in a first, a second and a third portion of a p-type region of a semiconductor body.
  • FIG. 1A shows a schematic sectional view of a semiconductor body 1 according to a first exemplary embodiment described here.
  • the semiconductor body 1 is epitaxially grown on a carrier 50.
  • the semiconductor body comprises an n-type region 30, an active region 20 and a p-type region 10.
  • the semiconductor body is formed with a compound semiconductor material, in particular a III-V compound semiconductor material, for example a nitride compound semiconductor material.
  • the semiconductor body is set up in normal operation
  • the p-type region 10 has an electron-blocking layer 11 on a side 10 a facing the active region 20.
  • the electron blocking layer 11 is, for example, adapted to operate in normal operation
  • the p-type region 10 has at its the active region 20th
  • the p-contact layer 12 is configured to be in
  • Figure 1A shows a graph in which the
  • Concentration C of indium I and a p-type impurity M along the growth direction X of the p-type region 10 and the active region 20 is plotted.
  • the graph shows that only in the active region 20 indium nominal
  • the semiconductor body 1 in the area the electron blocking layer 11 and in the region of the p-contact layer 12 a particularly high concentration M of the p-type dopant.
  • the concentration of the p-type dopant M in the region of the electron-blocking layer 11 and the p-contact layer 12 has local maxima.
  • Electron blocking layer 11 is provided on a side of p-type region 10 facing active region 20.
  • the first portion 101 and / or the second portion 102 are at least partially within the
  • Electron blocking layer 11 wherein the second portion 102 has a greater maximum indium concentration I than the first portion adjacent to the active region 20 and the third portion 103 adjacent to the second portion 102.
  • the first portion 101 has a maximum thickness of 30 nm, in particular of a maximum of 5 nm.
  • FIG. 1B shows a schematic sectional representation of a semiconductor body 1 described here according to a second exemplary embodiment.
  • the semiconductor body 1 differs from the semiconductor body 1 illustrated in FIG. 1A by the concentration of the p-type dopant M and of indium I within the p-type region 10.
  • the p-type region 10 has a first portion 101, a second portion 102 and a third section 103.
  • the second section 102 directly adjoins the first 101 and the third 103
  • the indium concentration I of the second portion 102 is different from the indium concentration I of the first portion 101 and the third portion 103. Further, the first 101, the second 102, and the third 103
  • the p-type dopant comprises magnesium, in particular the p-type dopant is magnesium.
  • the second portion 102 has a higher indium concentration than the first portion 101 and the second portion 102 has a higher concentration M of the p-type impurity than the third portion 103.
  • the p-type region 10 in the third section 103 has a lower minimum concentration of the p-type dopant M than the semiconductor body 1 shown in FIG. 1A.
  • the concentration of the p-type impurity decreases in the transition from the second region 102 to the third region 103 in FIG. 1A
  • Growth direction X at least with a magnitude maximum rate of change of 1x10 ⁇ 1 atoms per cm ⁇ per ym.
  • the first portion and / or the second portion are at least partially within the electron blocking layer, the second portion having a larger maximum
  • FIG. 1C shows a schematic sectional representation of a semiconductor body 1 described here according to a third exemplary embodiment.
  • the semiconductor body 1 has a different concentration of indium I and of the p-type dopant M in the p-type region 10.
  • the p-type region 10 comprises a further first 101, a further second 102 ⁇ and a further third 103 ⁇ portion, which in
  • Growth direction X are arranged side by side.
  • the further second 102 ⁇ and / or further third 103 ⁇ section are arranged at least partially in the region of the p-contact layer 12.
  • the further second section 102 ⁇ M a higher concentration of the p-type dopant than the further first section 101 ⁇ on.
  • the further second section 102 ⁇ a higher indium I than the further first section 101 ⁇ .
  • the curve increases
  • the rate of change is not constant.
  • the rate of change of the concentration of the p-type dopant along the growth direction has a maximum value, which
  • FIG. 2 shows a graph in which a
  • Concentration C of indium I and a p-type dopant M in a first 101, a second 102 and a third 103 section along the growth direction X are shown.
  • Dopant M between 8x 10 19 and 3xl0 19 atoms per cm- ⁇ .
  • the indium concentration I in the first section 101 is less than 1 ⁇ 10 17 atoms per cm 2. in the growth direction X, the indium concentration I increases from the first section 101 in the direction of the second section 102.
  • the indium concentration I increases from the first section 101 in the direction of the second section 102.
  • Magnesium concentration M from 3xl0 19 to lxlO 20 atoms per cm- 3 .
  • the indium concentration I in the entire second section 102 is at least 1 ⁇ 10 atoms per cm 2.
  • the concentration of the p-type dopant M decreases from a concentration of 10 x 20 atoms per cm 2 to a concentration of less than 3 x 10 -4 atoms per cm 3.
  • the flow rate of the p-type dopant is 0 liters per second. Nevertheless, the magnesium concentration in the second section 102 increases in
  • Semiconductor body 1 is added, recorded in the grown during this period region of the semiconductor body 1. Since no further p-type dopant is supplied to the process chamber during the growth of the second portion 102, the concentration of the p-type dopant in the second portion 102 decreases.
  • the third section 103 in which the indium concentration I is less than 1 ⁇ 10 -4 atoms per cm 3, adjoins the second section 102.
  • the third section 103 takes the
  • p-type dopant has been supplied to the process chamber.
  • the indium concentration may be given in units other than the Y axis.
  • Indium concentration in the second section 102 at least 2.5%, preferably at least 3%.
  • FIG. 3A shows a profile of an indium concentration I and a concentration of the p-type dopant M within a p-type region 10 and an active region 20 of a semiconductor body 1.
  • the concentration of the p-type dopant M in the p-type region 10 is between 3 ⁇ 10 19 and 3xl0 20
  • the indium concentration I in the p-type region 10 is substantially less than 1 10 ⁇ atoms per cm-3.
  • the concentration of the p-type dopant M increases to a value of approximately 8 ⁇ 10 19 atoms per cm 3 .
  • the concentration of the p-type dopant M drops to a value of 3 ⁇ 10 19 atoms per cm 3 .
  • the entire p-type region 10 is the
  • Concentration of the p-dopant M at least 3xl0 19 atoms per cm ⁇ . in the first 101, second 102 and in the third 103
  • Section is the indium concentration I less than 1x10
  • FIG. 3B shows the concentration of the p-type dopant M and of indium I in a p-type region 10 and an active region 20. In contrast to that in FIG. 3A
  • the incorporation of the p-type dopant M by means of the addition of indium I is adapted in sections in the p-type region 10.
  • the indium concentration I is increased with respect to the first 101 and the third 103 sections.
  • amounts the indium concentration I in the second section 102 at least
  • Growth direction X at least 3xl0 21 atoms per cm- ⁇ per ym.
  • the concentration of the p-dopant M initially increases in the growth direction in the second section is attributable to the fact that the incorporation of the p-dopant, in particular magnesium, into the semiconductor body is improved by means of the increased indium concentration I.
  • the concentration of the p-dopant M initially increases in the growth direction in the second section is attributable to the fact that the incorporation of the p-dopant, in particular magnesium, into the semiconductor body is improved by means of the increased indium concentration I.
  • the magnesium concentration M is at most 2 ⁇ 10 19 atoms per cm 2.
  • Concentration of the p-type dopant in the second section 102 has a local maximum.
  • the indium concentration may be given in units other than the Y axis.
  • the indium concentration in the first section 101, and in the third section 103 is a maximum of 0.01%.
  • FIG. 4A shows the flow rate of indium IF and the
  • the second period T2 is chronologically between the first Tl and the third T3 period.
  • the indium is in the form of a
  • the semiconductor body 1 is grown epitaxially.
  • the p-dopant is conducted at a flow rate MF into the process chamber, in which the semiconductor body 1 is grown epitaxially.
  • a different indium flow rate IF is set during one of the periods than during the other two periods.
  • Period Tl and the third period T3 set.
  • Dopant MF higher than during the second period T2.
  • a flow rate of the p-type dopant MF of 0 liters per second is set.
  • the indium flow rate IF is lower than during the second
  • the indium flow rate IF is lower than during the second time period T2.
  • the indium flow rate IF during the third time period T3 is the same as the indium flow rate IF during the first time period T1.
  • FIG. 4B shows, by way of example, the concentration of indium and the p-dopant within the first 101, the second 102 and the third 103 sections, which have grown epitaxially during a first period T1, a second period T2 and a third period T3.
  • the sections 101, 102, 103 of FIG. 4B have been grown to the time periods T1, T2, T3 shown in FIG. 4B.
  • the p-type region 10 has a nearly constant concentration of indium I and the p-type dopant M.
  • the concentration of the p-type dopant M in the growth direction X first increases to a maximum value and subsequently drops below the value of the concentration of the p-type dopant M in the first region 101.
  • the increase of the concentration of the p-type impurity M in the second portion 102 is thereon
  • p-type dopant which accumulates on the surface of the semiconductor body during the epitaxy process, is incorporated into the lattice structure of the semiconductor body in an improved manner as the indium concentration I increases.
  • the concentration of the p-type dopant M in the second section 102 decreases at least with a maximum absolute rate of change of 1 x 10 ⁇ 1 atom per cm ⁇ per ym.
  • the indium concentration I decreases in the growth direction X. For example, the falls
  • Indium concentration I to a value which is at most equal to the value in the first region 101.
  • concentration of the p-type dopant M in decreases as well
  • FIG. 5A shows
  • the first section 101 is grown during a first time period T1
  • the second section 102 has grown during a second time period T2
  • the third section 103 has grown during a third time period T3.
  • a higher flow rate of the p-type dopant MF and a higher flow rate of the indium IF is set during the second time period T2 than during the first time period T1.
  • FIG. 5B shows the concentration C of a p-type dopant M and indium I in a first 101, a second 102 and a third 103 portion of a p-type region, which during the first T1, the second T2 and the third T3 period, which are shown in Figure 5A, epitaxially grown.
  • the indium concentration I and the concentration of the p-type dopant M are almost constant.
  • the indium concentration I in the growth direction X increases to a maximum value.
  • Section 102 first with a low rate of change and then with a high rate of change to one
  • the indium concentration I decreases in the growth direction X.
  • the sinks For example, the sinks
  • Indium concentration I in the first section 101 corresponds.
  • concentration C of the p-type impurity M in the third section 103 decreases in the growth direction X. This is on it
  • the incorporation of the p-dopant M in the third section 103 decreases with decreasing indium concentration I.
  • the invention is not described by the description with reference to

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Abstract

Die Erfindung betrifft einen Halbleiterkörper (1) umfassend ein III-V-Verbindungshalbleitermaterial mit einem p-leitenden Bereich (10), der mit einem p-Dotierstoff dotiert ist, wobei der p-leitende Bereich (10) zumindest einen ersten (101), einen zweiten (102) und einen dritten (103) Abschnitt umfasst, der zweite Abschnitt (102) zwischen dem ersten (101) und dem dritten Abschnitt (103) angeordnet ist, der zweite Abschnitt (102) direkt an den ersten (101) und den dritten (103) Abschnitt angrenzt, und die Indiumkonzentration (I) zumindest einer der Abschnitte (101, 102, 103) unterschiedlich von den Indiumkonzentrationen (I) der anderen beiden Abschnitte (101, 102, 103) ist.

Description

Beschreibung
HALBLEITERKÖRPER UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES
HALBLEITERKÖRPERS
Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldungen 102017113765.3 und 102017121484.4, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird. Es wird ein Halbleiterkörper angegeben. Darüber hinaus wird ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterkörpers angegeben .
Eine zu lösende Aufgabe besteht unter anderem darin, einen Halbleiterkörper anzugeben, der verbesserte elektrische und/oder optische Eigenschaften aufweist. Eine weitere zu lösende Aufgabe besteht darin, ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Halbleiterkörpers anzugeben. Bei dem Halbleiterkörper handelt es sich beispielsweise um einen Teil einer elektronischen oder optoelektronischen
Komponente. Beispielsweise handelt es sich bei der
optoelektronischen Komponente, welche mit dem
Halbleiterkörper gebildet ist, um eine Strahlungsemittierende oder Strahlung detektierende Komponente, wie zum Beispiel einen Leuchtdiodenchip oder einen Laserdiodenchip.
Insbesondere kann der Halbleiterkörper dazu eingerichtet sein, im bestimmungsgemäßen Betrieb elektromagnetische
Strahlung zu emittieren oder zu detektieren.
Beispielsweise ist der Halbleiterkörper mit einem
Halbleitermaterial gebildet. Insbesondere kann der
Halbleiterkörper aus Halbleitermaterial bestehen. Der Halbleiterkörper kann mit Bereichen gebildet sein, welche unterschiedliche Dotierungen aufweisen.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst der
Halbleiterkörper ein III-V-Verbindungshalbleitermaterial . Beispielsweise basiert der Halbleiterkörper auf einem
Nitridverbindungshalbleitermaterial . „Auf einem
Nitridverbindungshalbleitermaterial basierend" bedeutet im vorliegenden Zusammenhang, dass die Halbleiterschichtenfolge oder zumindest ein Teil davon, besonders bevorzugt zumindest einen aktiven Bereich, ein
Nitridverbindungshalbleitermaterial , vorzugsweise AlnGamIn]__ n_mN, aufweist oder aus diesem besteht, wobei 0 -S n < 1, 0 -S m < 1 und n+m < 1. Dabei muss dieses Material nicht zwingend eine mathematisch exakte Zusammensetzung nach obiger Formel aufweisen. Vielmehr kann es beispielsweise ein oder mehrere Dotierstoffe sowie zusätzliche Bestandteile aufweisen. Der Einfachheit halber beinhaltet obige Formel jedoch nur die wesentlichen Bestandteile des Kristallgitters (AI, Ga, In, N) , auch wenn diese teilweise durch geringe Mengen weiterer Stoffe ersetzt und/oder ergänzt sein können.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst der
Halbleiterkörper einen p-leitenden Bereich, der mit einem p- Dotierstoff dotiert ist. Der p-Dotierstoff erzeugt
beispielsweise Störstellen im Verbindungshalbleitermaterial des Halbleiterkörpers und verändert Eigenschaften,
insbesondere elektrische und/oder optische Eigenschaften, des Halbleiterkörpers. Bei dem p-Dotierstoff handelt es sich um einen Dotierstoff, welcher innerhalb des Halbleiterkörpers als Elektronenakzeptor fungiert. Beispielsweise umfasst der p-Dotierstoff Magnesium oder besteht aus Magnesium. Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst der p-leitende Bereich zumindest einen ersten, einen zweiten und einen dritten Abschnitt. Insbesondere kann der p-leitende Bereich mehrere erste, mehrere zweite und mehrere dritte Abschnitte umfassen. Die Abschnitte unterscheiden sich beispielsweise durch ihre Materialzusammensetzung. Die Abschnitte erstrecken sich in lateralen Richtungen entlang der
Haupterstreckungsebene des Halbleiterkörpers. Insbesondere können die Abschnitte senkrecht zur lateralen Richtung kongruent zueinander sein. Zum Beispiel erstreckt sich jeder Abschnitt senkrecht zur lateralen Richtung über die gesamte Querschnittsfläche des Halbleiterkörpers. Jeder Abschnitt umfasst dann zumindest eine Schicht des Halbleiterkörpers. Die Schichten des Halbleiterkörpers sind zum Beispiel epitaktisch übereinander abgeschieden und entlang der
Wachstumsrichtung übereinander gestapelt.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Halbleiterkörpers ist der zweite Abschnitt zwischen dem ersten und dem dritten Abschnitt angeordnet. Beispielsweise stehen der erste
Abschnitt und der dritte Abschnitt nicht in direktem Kontakt zueinander, sondern sind zumindest durch den zweiten
Abschnitt voneinander getrennt. Gemäß zumindest einer Ausführungsform grenzt der zweite
Abschnitt direkt an den ersten und den dritten Abschnitt. Beispielsweise steht der zweite Abschnitt mit dem dritten Abschnitt und/oder dem ersten Abschnitt in direktem Kontakt. Der zweite Abschnitt kann mit dem dritten und/oder ersten Abschnitt stoffschlüssig verbunden sein. Beispielsweise sind der erste und/oder der dritte Abschnitt über intermolekulare Bindungskräfte stoffschlüssig miteinander verbunden.
Insbesondere können die Abschnitte nur unter zumindest teilweiser Zerstörung einer der Abschnitte voneinander gelöst werden .
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist die
Indiumkonzentration zumindest einer der Abschnitte
unterschiedlich von den Indiumkonzentrationen der anderen beiden Abschnitte. Beispielsweise weist einer der Abschnitte eine höhere Indiumkonzentration als die beiden anderen
Abschnitte auf. Alternativ weist einer der Abschnitte eine geringere Indiumkonzentration als die anderen beiden
Abschnitte auf. Beispielsweise ist in einem der Abschnitte die Indiumkonzentration zumindest zehnmal höher oder
zumindest zehnmal geringer, insbesondere zumindest 100-mal höher oder zumindest 100-mal geringer, als in den beiden anderen Abschnitten. Dabei ist es insbesondere möglich, dass alle Abschnitte eine Indiumkonzentration größer Null
aufweisen. Das heißt dann, dass alle Abschnitte Indium enthalten . Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst der
Halbleiterkörper ein III-V-Verbindungshalbleitermaterial mit einem p-leitenden Bereich, der mit einem p-Dotierstoff dotiert ist, wobei der p-leitende Bereich zumindest einen ersten, einen zweiten und einen dritten Abschnitt umfasst, der zweite Abschnitt zwischen dem ersten und dem dritten
Abschnitt angeordnet ist, der zweite Abschnitt direkt an den ersten Abschnitt und den dritten Abschnitt angrenzt, und die Indiumkonzentration zumindest einer der Abschnitte
unterschiedlich von den Indiumkonzentrationen der anderen beiden Abschnitte ist.
Einem hier beschriebenen Halbleiterkörper liegen dabei unter anderem die folgenden Überlegungen zugrunde. Um innerhalb einzelner Abschnitte eines p-leitenden Bereichs die optischen und/oder elektrischen Eigenschaften eines p-leitenden
Materials eines Halbleiterkörpers gezielt anzupassen, werden in den Abschnitten unterschiedliche Konzentrationen eines p- Dotierstoffs benötigt.
Der hier beschriebene Halbleiterkörper macht nun unter anderem von der Idee Gebrauch, die Konzentration eines p- Dotierstoffs innerhalb eines p-leitenden Bereichs eines Halbleiterkörpers mittels der Zugabe von Indium zu
beeinflussen. Dabei wurde überraschend festgestellt, dass in Abschnitten, in denen der Halbleiterkörper eine erhöhte
Indiumkonzentration aufweist, dieser eine erhöhte Akzeptanz für den Einbau des p-Dotierstoffs , insbesondere Magnesium, aufweist. Insbesondere wird mittels einer erhöhten
Konzentration von Indium im Halbleiterkörper eine Segregation von p-Dotierstoffatomen an der Oberfläche des
Halbleiterkörpers, während des epitaktischen Wachstums des Halbleiterkörpers, reduziert, da ansonsten segregierte p- Dotierstoffatome verbessert in den Halbleiterkörper
integriert werden. Vorteilhafterweise ermöglicht dies besonders hohe Änderungsraten der Konzentration des p- Dotierstoffs entlang der Wachstumsrichtung des
Halbleiterkörpers .
Gemäß zumindest einer Ausführungsform weisen der erste, der zweite und der dritte Abschnitt unterschiedliche
Konzentrationen des p-Dotierstoffs auf, wobei der zweite Abschnitt eine höhere Konzentration des p-Dotierstoffs als der erste Abschnitt aufweist, und der zweite Abschnitt eine höhere Indiumkonzentration als der erste Abschnitt aufweist. Beispielsweise variiert die Indiumkonzentration und/oder die Konzentration des p-Dotierstoffs quer zur Haupterstreckungsrichtung des Halbleiterkörpers. Insbesondere kann die Indiumkonzentration und/oder die Konzentration des p-Dotierstoffs entlang der Haupterstreckungsrichtung eines Abschnitts innerhalb eines Toleranzbereichs von
beispielsweise maximal 5% relativ, insbesondere maximal 1% relativ, konstant sein.
Beispielsweise kann der zweite Abschnitt eine Konzentration des p-Dotierstoffs von zumindest 2xl019 Atomen pro cm-3 aufweisen. Weiter kann der zweite Abschnitt eine
Indiumkonzentration von zumindest 1x10 Atomen pro cm-^ aufweisen. Insbesondere kann der Halbleiterkörper zumindest 5% Indium im zweiten Abschnitt aufweisen. Der erste Abschnitt kann beispielsweise eine Konzentration des p-Dotierstoffs von maximal 2xl019 Atomen pro cm-^ aufweisen. Insbesondere kann der erste Abschnitt eine Indiumkonzentration von maximal
1x101 Atomen pro cm-^ aufweisen. Beispielsweise kann der Halbleiterkörper maximal 1% Indium im ersten Abschnitt aufweisen. Vorteilhafterweise ist mittels der erhöhten
Indiumkonzentration im zweiten Abschnitt die
Magnesiumkonzentration, in dem Abschnitt mit der erhöhten Indiumkonzentration, entlang der Wachstumsrichtung des
Abschnitts mit einer besonders hohen Änderungsrate
einstellbar .
Gemäß zumindest einer Ausführungsform weisen der erste, der zweite und der dritte Abschnitt unterschiedliche
Konzentrationen des p-Dotierstoffs auf, wobei der zweite Abschnitt eine höhere Indiumkonzentration als der erste
Abschnitt aufweist, und der zweite Abschnitt eine höhere Konzentration des p-Dotierstoffs als der dritte Abschnitt aufweist. Beispielsweise weist der zweite Abschnitt eine Indiumkonzentration von zumindest lxlO10 Atomen pro cmJ auf und/oder der erste Abschnitt eine Indiumkonzentration von maximal 1 10^ Indium Atomen pro cm-^ auf. Weiter weist beispielsweise der zweite Abschnitt eine Konzentration des p- Dotierstoffs von zumindest 2xl019 Atomen pro cm-^ auf und der dritte Abschnitt eine Konzentration des p-Dotierstoffs von maximal 2xl019 Atomen pro cm-^ auf. Vorteilhafterweise
ermöglicht die erhöhte Indiumkonzentration im zweiten
Abschnitt eine besonders hohe Änderungsrate der Konzentration des p-Dotierstoffs beim Übergang vom zweiten zum dritten Abschnitt. Insbesondere reduziert die erhöhte
Indiumkonzentration, während des epitaktischen Wachstums des zweiten Abschnitts, ein Anlagern von p-Dotierstoffatomen an der Oberfläche des Halbleiterkörpers.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist die Konzentration des p-Dotierstoffs im zweiten Abschnitt ein lokales Maximum auf. Beispielsweise steigt die Konzentration des p- Dotierstoffs im zweiten Abschnitt in Richtung des dritten Abschnitts zunächst an. Weiter kann die Konzentration des p- Dotierstoffs im zweiten Abschnitt in Richtung des dritten Abschnitts abfallen. Insbesondere weist die Konzentration des p-Dotierstoffs im zweiten Abschnitt einen größeren Wert als die Konzentration des p-Dotierstoffs im ersten Abschnitt auf. Beispielsweise sinkt die Konzentration des p-Dotierstoffs im zweiten Abschnitt, in Richtung des dritten Abschnitts, unter die Konzentration des p-Dotierstoffs im ersten Abschnitt. Insbesondere kann die Konzentration des p-Dotierstoffs im zweiten Abschnitt höher sein als im ersten und dritten
Abschnitt. Vorteilhafterweise kann mittels einer Änderung der Indiumkonzentration im Halbleiterkörper das Maximum der
Konzentration des p-Dotierstoffs innerhalb des Halbleiterkörpers gezielt innerhalb einer vorgebbaren Region anordenbar sein.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist die Konzentration des p-Dotierstoffs im p-leitenden Bereich, senkrecht zur Haupterstreckungsebene des ersten, zweiten und dritten
Abschnitts, eine Anderungsrate von zumindest ±lx 1020 Atomen pro cm-3 pro ym, bevorzugt zumindest llxlO21 Atomen pro cm-3 pro ym, auf. Insbesondere weist der p-leitende Bereich eine Änderungsrate des p-Dotierstoffs von zumindest ±2x10^1 Atomen pro cm3 pro ym ausschließlich in Abschnitten auf, in denen die Indiumkonzentration zumindest 1x10 Atome pro cm-^ beträgt. Beispielsweise bei einem Übergang in
Wachstumsrichtung von einem ersten Abschnitt zu einem zweiten Abschnitt, wobei der erste Abschnitt eine geringere maximale Konzentration des p-Dotierstoffs als der zweite Abschnitt aufweist, nimmt die Konzentration des p-Dotierstoffs
betragsmäßig mit einer maximalen Änderungsrate von mindestens
2xl021 Atomen pro cm-^ pro ym, insbesondere mit einer
maximalen Änderungsrate von mindestens 4xl021 Atomen pro cm-^ pro ym, zu. Beispielsweise bei einem Übergang in
Wachstumsrichtung von einem ersten Abschnitt zu einem zweiten Abschnitt, wobei der erste Abschnitt eine höhere maximale Konzentration des p-Dotierstoffs als der zweite Abschnitt aufweist, nimmt die Konzentration des p-Dotierstoffs
betragsmäßig mit einer maximalen Änderungsrate von mindestens lxlO20 Atomen pro cm-^ pro ym, insbesondere mindestens 2xl021 Atomen pro cm-^ pro ym, ab. Vorteilhafterweise ermöglicht diese besonders hohe Änderungsrate der Konzentration des p- Dotierstoffs ein besonders exaktes Einstellen der optischen und/oder elektronischen Eigenschaften des p-leitenden
Bereichs . Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst der Halbleiterkörper einen aktiven Bereich. Weiter umfasst der p- leitende Bereich gemäß der Ausführungsform eine
Elektronenblockierschicht, wobei die
Elektronenblockierschicht an einer dem aktiven Bereich zugewandten Seite des p-leitenden Bereichs vorhanden ist, und der erste Abschnitt und/oder der zweite Abschnitt zumindest teilweise innerhalb der Elektronenblockierschicht liegen, wobei der zweite Abschnitt eine größere maximale
Indiumkonzentration aufweist als der an den aktiven Bereich angrenzende erste Abschnitt und der an den zweiten Abschnitt angrenzende dritte Abschnitt, und der erste und/oder zweite Abschnitt eine höhere Konzentration des p-Dotierstoffs aufweist als der an die Elektronenblockierschicht angrenzende aktive Bereich und der an den zweiten Abschnitt angrenzende dritte Abschnitt. Beispielsweise ist der aktive Bereich dazu eingerichtet, im bestimmungsgemäßen Betrieb
elektromagnetische Strahlung zu erzeugen. Insbesondere umfasst der aktive Bereich eine Vielzahl von
Quantentopfstrukturen . Angrenzend an den aktiven Bereich kann die Elektronenblockierschicht ausgebildet sein.
Beispielsweise können in der Elektronenblockierschicht ein erster und ein zweiter Abschnitt ausgebildet sein.
Insbesondere kann der erste Abschnitt vollständig innerhalb der Elektronenblockierschicht liegen. Weiter kann der zweite Abschnitt vollständig innerhalb der Elektronenblockierschicht liegen. Weiter kann ein dritter Abschnitt an einer dem aktiven Bereich abgewandten Seite der
Elektronenblockierschicht, insbesondere direkt angrenzend an die Elektronenblockierschicht, ausgebildet sein. Die Elektronenblockierschicht kann beispielsweise dazu eingerichtet sein, im bestimmungsgemäßen Betrieb die
räumliche Ausbreitung von Elektronen innerhalb des
Halbleiterkörpers zu begrenzen. Beispielsweise weist die Elektronenblockierschicht eine besonders hohe Konzentration des p-Dotierstoffs auf. Insbesondere weist die
Elektronenblockierschicht eine Konzentration von zumindest lxlO19 Atomen pro cm-^ des p-Dotierstoffs auf. Insbesondere ist zwischen dem zweiten Abschnitt und dem aktiven Bereich der erste Abschnitt angeordnet. Der erste Abschnitt kann beispielsweise eine Dicke von maximal 200 nm, insbesondere maximal 50 nm, aufweisen. Bevorzugt weist der erste Abschnitt eine Dicke von maximal 30 nm, insbesondere maximal 5 nm, auf. Beispielsweise sinkt die Konzentration des p-Dotierstoffs ausgehend vom zweiten Abschnitt in Richtung des dritten
Abschnitts mit einer betragsmäßigen Änderungsrate von
zumindest lxlO21 Atomen pro cm-^ pro ym, insbesondere
zumindest 2xl021 Atomen pro cm-^ pro ym. Zum Beispiel kann die Richtung der Änderung parallel zu einer Wachstumsrichtung sein, entlang der die Schichten des Halbleiterkörpers
epitaktisch übereinander abgeschieden sind. Insbesondere beträgt die Konzentration des p-Dotierstoffs im dritten
Abschnitt maximal 2xl019 Atome pro cm-^ . Vorteilhafterweise ermöglicht eine Elektronenblockierschicht, welche eine hohe Konzentration des p-Dotierstoffs aufweist, aus dem aktiven Bereich kommende Elektronen zu blockieren, so dass diese den p-leitenden Bereich nicht durchlaufen. Weiter ermöglicht eine geringe Konzentration des p-Dotierstoffs im dritten Abschnitt besonders gute optische Eigenschaften, so dass ein besonders geringer Anteil der im aktiven Bereich im bestimmungsgemäßen Betrieb erzeugten elektromagnetischen Strahlung innerhalb des p-leitenden Bereichs absorbiert wird. Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst der Halbleiterkörper einen aktiven Bereich. Weiter weist der p- leitende Bereich gemäß der Ausführungsform eine p- Kontaktschicht auf, wobei die p-Kontaktschicht an einer dem aktiven Bereich abgewandten Seite des p-leitenden Bereichs vorhanden ist, und der zweite Abschnitt zumindest teilweise innerhalb der p-Kontaktschicht liegt, wobei der zweite
Abschnitt eine größere Indiumkonzentration aufweist als der an den zweiten Abschnitt angrenzende erste Abschnitt.
Beispielsweise können der zweite und/oder der dritte
Abschnitt vollständig in der p-Kontaktschicht liegen. Weiter kann beispielsweise der erste Abschnitt in einem an die p- Kontaktschicht angrenzenden Bereich des Halbleiterkörpers ausgebildet sein. Die p-Kontaktschicht kann beispielsweise dazu eingerichtet sein, über eine Außenfläche des
Halbleiterkörpers elektrisch leitend kontaktiert zu werden. Insbesondere ist die p-Kontaktschicht dazu eingerichtet, einen niederohmschen Bereich mit einem spezifischen
Widerstand von maximal lxlO-7 — im Halbleiterkörper
m
auszubilden .
Beispielsweise weist der zweite Abschnitt eine maximale
Konzentration des p-Dotierstoffs von zumindest lxlO19 Atomen pro cm-3 auf. Weiter kann die p-Kontaktschicht, insbesondere der zweite Abschnitt, eine Indiumkonzentration aufweisen, welche zumindest lxlO-^ Atome pro cm-^, bevorzugt zumindest lxlO19 Atome pro cm-^, beträgt. Der zweite Abschnitt kann beispielsweise eine höhere maximale Konzentration des p- Dotierstoffs als der erste Abschnitt aufweisen.
Beispielsweise beträgt die maximale Konzentration des p- Dotierstoffs im zweiten Abschnitt zumindest ein Zehnfaches der maximalen Konzentration des p-Dotierstoffs im ersten Abschnitt. Insbesondere beträgt die maximale Änderungsrate der Dotierstoffkonzentration im ersten und/oder zweiten
Abschnitt in Richtung des dritten Abschnitts zumindest
+lxl021 Atome pro cm-^ pro ym.
Weiter bildet beispielsweise der dritte Abschnitt eine dem Halbleiterkörper abgewandte Außenfläche des p-leitenden
Bereichs. Insbesondere kann die Konzentration des p- Dotierstoffs im zweiten Abschnitt maximal ein Zehnfaches der Konzentration des p-Dotierstoffs im dritten Abschnitt
betragen. Vorteilhafterweise ermöglicht ein Dotierprofil, senkrecht zur Haupterstreckungsebene des p-leitenden
Bereichs, welches eine besonders hohe Änderungsrate des p- Dotierstoffs aufweist, eine besonders dünne p-Kontaktschicht . Dabei weist die p-Kontaktschicht eine hohe Leitfähigkeit für positive Ladungsträger auf und eine geringe Absorption für im aktiven Bereich erzeugte elektromagnetische Strahlung. Es wird des Weiteren ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterkörpers angegeben. Mit dem Verfahren kann
insbesondere ein hier beschriebener Halbleiterkörper
hergestellt werden. Das heißt, sämtliche für den
Halbleiterkörper offenbarten Merkmale sind auch für das
Verfahren offenbart und umgekehrt.
Bei dem Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterkörpers handelt es sich beispielsweise um ein Epitaxieverfahren.
Insbesondere wird bei dem Epitaxieverfahren
Halbleitermaterial auf einem Träger, welcher in einer
Prozesskammer angeordnet ist, abgeschieden. Mittels des
Epitaxieverfahrens können beispielsweise mehrere Schichten von Halbleitermaterialien mit unterschiedlichen Zusammensetzungen aufeinander abgeschieden werden. Die
Zusammensetzung der Schichten ist beispielsweise über die Flussraten der zugeführten Prozessgase und/oder
Prozessflüssigkeiten einstellbar. Bei den
Halbleitermaterialien kann es sich beispielsweise um III-V- Verbindungshalbleitermaterialien, insbesondere
Nitridverbindungshalbleitermaterialien, handeln .
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens zum Herstellen eines Halbleiterkörpers wird ein p-leitender
Bereich mit zumindest einem ersten, einem zweiten und einem dritten Abschnitt epitaktisch gewachsen. Der p-leitende
Bereich kann einen p-Dotierstoff, beispielsweise Magnesium, umfassen. Insbesondere ist der gesamte p-leitende Bereich epitaktisch gewachsen. Der erste, der zweite und der dritte Abschnitt können beispielsweise eine unterschiedliche
Materialzusammensetzung aufweisen. Beispielsweise
unterscheiden sich der erste, der zweite und/oder der dritte Abschnitt in der Konzentration des p-Dotierstoffes .
Gemäß zumindest einer Ausführungsform wird der erste
Abschnitt während eines ersten Zeitraums gewachsen, der zweite Abschnitt während eines zweiten Zeitraums gewachsen und der dritte Abschnitt während eines dritten Zeitraums gewachsen. Dabei liegt der zweite Zeitraum chronologisch zwischen dem ersten und dem dritten Zeitraum. Beispielsweise folgt der zweite Zeitraum direkt auf den ersten Zeitraum. Insbesondere folgt der dritte Zeitraum direkt auf den zweiten Zeitraum. Der erste, der zweite und/oder der dritte Zeitraum können beispielsweise eine unterschiedliche Dauer aufweisen. Weiter können während des ersten, zweiten und dritten
Zeitraums unterschiedliche Mengen des Halbleitermaterials abgeschieden werden. Insbesondere weisen der erste Abschnitt, der zweite Abschnitt und/oder der dritte Abschnitt entlang der Wachstumsrichtung eine unterschiedliche Dicke auf.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens zum Herstellen eines Halbleiterkörpers wird während einem der
Zeiträume eine andere Indiumflussrate eingestellt als während den anderen beiden Zeiträumen. Insbesondere kann relativ zu weiteren Prozessgasen oder absolut eine andere
Indiumflussrate eingestellt werden. Beispielsweise handelt es sich bei der Indiumflussrate um eine Menge eines Indium- haltigen Gases oder einer Indium-haltigen Flüssigkeit, welche pro Zeiteinheit einer Prozesskammer zugeführt wird.
Insbesondere handelt es sich bei dem Prozessgas um
Trimethylindium (TMIn) .
Dabei wird das zugeführte Indium zumindest teilweise
epitaktisch abgeschieden, so dass dieses einen
Halbleiterkörper bildet. Beispielsweise ist während des ersten Zeitraums eine höhere Indiumflussrate als während des zweiten und/oder dritten Zeitraums eingestellt. Alternativ kann während des zweiten Zeitraums eine höhere
Indiumflussrate als während des ersten und/oder dritten
Zeitraums eingestellt sein. Insbesondere kann während des dritten Zeitraums eine höhere Indiumflussrate als während des ersten und/oder zweiten Zeitraums eingestellt sein.
Insbesondere kann mittels einer erhöhten Indiumflussrate die Indiumkonzentration eines Abschnitts, welcher während dieses Zeitraums abgeschieden wird, erhöht werden. Vorteilhafterweise ist mittels einer erhöhten Indiumflussrate die Indiumkonzentration in einzelnen Abschnitten des p- leitenden Bereichs anpassbar, so dass der Halbleiterkörper in diesen Bereichen vorgebbare Eigenschaften aufweist. Beispielsweise ist in Bereichen mit erhöhter
Indiumkonzentration der Einbau des p-Dotierstoffs verbessert, so dass in diesen Bereichen eine erhöhte Konzentration des p- Dotierstoffs möglich ist. Weiter ermöglicht der verbesserte Einbau des p-Dotierstoffs aufgrund der erhöhten
Indiumkonzentration ein besonders exaktes Einstellen der Konzentration des p-Dotierstoffs im Halbleiterkörper.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens zum Herstellen eines Halbleiterkörpers werden während des zweiten Zeitraums eine höhere Flussrate eines p-Dotierstoffs und eine höhere Indiumflussrate eingestellt als während des ersten Zeitraums. Beispielsweise handelt es sich bei dem p- Dotierstoff um Magnesium. Insbesondere kann das Magnesium in einer StoffVerbindung einer Prozesskammer zugeführt werden. Beispielsweise wird der p-Dotierstoff in Form von
Bis (cyclopentadienyl) magnesium (Cp2Mg)der Prozesskammer zugeführt. Beispielsweise wird die Flussrate des p- Dotierstoffs so eingestellt, dass während des zweiten
Zeitraums die Konzentration des p-Dotierstoffs zumindest fünffach, insbesondere zumindest zehnfach, höher ist als in dem Abschnitt, welcher während des jeweiligen Zeitraums gewachsen wird. Vorteilhafterweise ermöglicht eine hohe
Indiumflussrate und eine hohe Flussrate des p-Dotierstoffs eine hohe Änderungsrate der Konzentration des p-Dotierstoffs entlang der Wachstumsrichtung des Halbleiterkörpers.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens zum Herstellen eines Halbleiterkörpers wird während des dritten Zeitraums eine niedrigere Indiumflussrate als während des zweiten Zeitraums eingestellt und während des dritten
Zeitraums eine zumindest genauso hohe Flussrate des p- Dotierstoffs eingestellt wie während des zweiten Zeitraums. Beispielsweise wird die Dauer des zweiten Zeitraums abhängig von der Konzentration des p-Dotierstoffs , in dem während des zweiten Zeitraums aufgewachsenen zweiten Abschnitts des p- leitenden Bereichs, eingestellt. Beispielsweise ist der zweite Zeitraum beendet, sobald eine vorgegebene
Konzentration des p-Dotierstoffs im zweiten Abschnitt
erreicht ist.
Insbesondere kann, um in einem Abschnitt eine hohe
Änderungsrate der Konzentration des p-Dotierstoffs entlang der Wachstumsrichtung zu erreichen, die Indiumflussrate während Zeiträumen erhöht werden, währenddessen dieser
Abschnitt epitaktisch abgeschieden wird. Beispielsweise beträgt die Änderungsrate in einem Abschnitt zumindest 3x10^1 Atome pro cm-^ pro ym. Vorteilhafterweise ermöglicht eine
Erhöhung der Indiumflussrate eine erhöhte Änderungsrate der Konzentration des p-Dotierstoffs innerhalb eines Abschnitts. Insbesondere kann der Indiumfluss reduziert werden, wenn eine gewünschte Konzentration des p-Dotierstoffs innerhalb des Halbleiterkörpers erreicht ist. Insbesondere ist der erhöhte Indiumfluss nicht notwendig, um eine einmal erreichte
Konzentration des p-Dotierstoffs zu erhalten.
Vorteilhafterweise erhöht sich die Menge des p-Dotierstoffs , welcher sich an der Oberfläche des Halbleiterkörpers
anlagert, während die Indiumflussrate reduziert wird, nur langsam. Somit ist während des Epitaxieverfahrens eine konstante Konzentration des p-Dotierstoffs in dem jeweiligen Abschnitt des p-leitenden Bereichs einstellbar. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens zum
Herstellen eines Halbleiterkörpers wird während des zweiten Zeitraums ein höhere Indiumflussrate eingestellt als während des ersten Zeitraums und während des zweiten Zeitraums eine niedrigere Flussrate des p-Dotierstoffs eingestellt als während des ersten Zeitraums. Beispielsweise wird die
Indiumflussrate solange erhöht, bis die Konzentration des p- Dotierstoffs , an der Oberfläche des während des zweiten
Zeitraums gewachsenen Abschnitts, unter einen vorgegebenen Grenzwert gefallen ist. Beispielsweise ist der zweite
Zeitraum dann beendet, wenn die Konzentration des p- Dotierstoffs unter diesen vorgegebenen Wert gefallen ist. Beispielsweise beträgt der vorgegebene Grenzwert eine
Konzentration des p-Dotierstoffs von 2xl019 Atome pro cm-3, insbesondere lxlO19 Atome pro cm-3.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens zum Herstellen eines Halbleiterkörpers wird während des zweiten Zeitraums eine Flussrate des p-Dotierstoffs von 0 Litern pro Sekunde eingestellt. Insbesondere wird während des zweiten Zeitraums kein p-Dotierstoff zugeführt. Vorteilhafterweise ermöglicht die erhöhte Indiumflussrate während des zweiten Zeitraums einen erhöhten Einbau von p-Dotierstoffatomen im zweiten Abschnitt des Halbleiterkörpers. Die Kombination aus der erhöhten Indiumflussrate während des zweiten Zeitraums und der Flussrate des p-Dotierstoffs von 0 Litern pro Sekunde während des zweiten Zeitraums ermöglicht eine besonders hohe Änderungsrate des p-Dotierstoffs innerhalb des zweiten
Abschnitts in Wachstumsrichtung des Halbleiterkörpers.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst der p- Dotierstoff Magnesium oder ist Magnesium. Insbesondere ist der p-Dotierstoff dazu eingerichtet, als Elektronenakzeptor in einem III-V-Verbindungshalbleitermaterial zu fungieren. Vorteilhafterweise können mittels Konzentrationsänderungen des p-Dotierstoffs die elektrischen und/oder optischen Eigenschaften des Halbleiterkörpers in einzelnen Abschnitten spezifisch angepasst werden.
Weitere Vorteile und vorteilhafte Ausgestaltungen und
Weiterbildungen des Halbleiterkörpers ergeben sich aus den folgenden, im Zusammenhang mit den Figuren dargestellten Ausführungsbeispielen. Es zeigen:
Die Figuren 1A, 1B und IC Schnittansichten eines hier beschriebenen Halbleiterkörpers und einen Verlauf der
Magnesium- und Indiumkonzentration innerhalb des aktiven Bereichs und des p-leitenden Bereichs; die Figuren 2, 3A und 3B die Indiumkonzentration und die Konzentration eines p-Dotierstoffs in einem ersten, zweiten und dritten Abschnitt eines Halbleiterkörpers; die Figuren 4A und 5A Indium- und p-Dotierstoffflussraten während eines Verfahrens zum Herstellen eines
Halbleiterkörpers; die Figur 4B und 5B Konzentrationen des p-Dotierstoffs und Indiums in einem ersten, einem zweiten und einem dritten Abschnitt eines p-leitenden Bereichs eines Halbleiterkörpers.
Gleiche, gleichartige oder gleich wirkende Elemente sind in den Figuren mit gleichen Bezugszeichen versehen. Die Figuren und die Größenverhältnisse der in den Figuren dargestellten Elemente untereinander sind nicht als maßstäblich zu
betrachten, es sei denn, Einheiten sind ausdrücklich
angegeben. Vielmehr können einzelne Elemente zur besseren Darstellbarkeit und/oder für eine bessere Verständlichkeit übertrieben groß dargestellt sein. Die Figur 1A zeigt eine schematische Schnittdarstellung eines hier beschriebenen Halbleiterkörpers 1 gemäß eines ersten Ausführungsbeispiels. Der Halbleiterkörper 1 ist auf einem Träger 50 epitaktisch aufgewachsen. Der Halbleiterkörper umfasst einen n-leitenden Bereich 30, einen aktiven Bereich 20 und einen p-leitenden Bereich 10. Beispielsweise ist der Halbleiterkörper mit einem Verbindungshalbleitermaterial, insbesondere einem III-V-Verbindungshalbleitermaterial, beispielsweise einem Nitridverbindungshalbleitermaterial , gebildet. Beispielsweise ist der Halbleiterkörper dazu eingerichtet, im bestimmungsgemäßen Betrieb
elektromagnetische Strahlung zu emittieren. Der p-leitende Bereich 10 weist an einer dem aktiven Bereich 20 zugewandten Seite 10a eine Elektronenblockierschicht 11 auf. Die Elektronenblockierschicht 11 ist beispielsweise dazu eingerichtet, im bestimmungsgemäßen Betrieb einen
Elektronenfluss von dem aktiven Bereich in den p-leitenden Bereich zu reduzieren oder zu verhindern. Weiter weist der p- leitende Bereich 10 an seiner dem aktiven Bereich 20
abgewandten Seite 10c eine p-Kontaktschicht 12 auf. Die p- Kontaktschicht 12 ist dazu eingerichtet, im
bestimmungsgemäßen Betrieb elektrisch leitend kontaktiert zu sein und positive Ladungsträger in Richtung des aktiven
Bereichs 20 zu leiten.
Weiter zeigt die Figur 1A einen Graphen, in welchem die
Konzentration C von Indium I und eines p-Dotierstoffs M entlang der Wachstumsrichtung X des p-leitenden Bereichs 10 und des aktiven Bereichs 20 aufgetragen ist. Der Graph zeigt, dass lediglich im aktiven Bereich 20 Indium nominell
vorhanden ist. Weiter weist der Halbleiterkörper 1 im Bereich der Elektronenblockierschicht 11 und im Bereich der p- Kontaktschicht 12 eine besonders hohe Konzentration M des p- Dotierstoffs auf. Insbesondere weist die Konzentration des p- Dotierstoffs M im Bereich der Elektronenblockierschicht 11 und der p-Kontaktschicht 12 lokale Maxima auf. Die
Elektronenblockierschicht 11 ist an einer dem aktiven Bereich 20 zugewandten Seite des p-leitenden Bereichs 10 vorhanden. Der erste Abschnitt 101 und/oder der zweite Abschnitt 102 liegen zumindest teilweise innerhalb der
Elektronenblockierschicht 11, wobei der zweite Abschnitt 102 eine größere maximale Indiumkonzentration I aufweist als der an den aktiven Bereich 20 angrenzende erste Abschnitt und der an den zweiten Abschnitt 102 angrenzende dritte Abschnitt 103. Beispielsweise weist der erste Abschnitt 101 eine maximale Dicke von 30 nm, insbesondere von maximal 5 nm auf.
Die Figur 1B zeigt eine schematische Schnittdarstellung eines hier beschriebenen Halbleiterkörpers 1 gemäß eines zweiten Ausführungsbeispiels. Der Halbleiterkörper 1 unterscheidet sich von dem in Figur 1A dargestellten Halbleiterkörper 1 durch die Konzentration des p-Dotierstoffs M und von Indium I innerhalb des p-leitenden Bereichs 10. Der p-leitende Bereich 10 weist einen ersten Abschnitt 101, einen zweiten Abschnitt 102 und einen dritten Abschnitt 103 auf. Der zweite Abschnitt 102 grenzt direkt an den ersten 101 und den dritten 103
Abschnitt. Die Indiumkonzentration I des zweiten Abschnitts 102 ist unterschiedlich von der Indiumkonzentration I des ersten Abschnitts 101 und des dritten Abschnitts 103. Weiter weisen der erste 101, der zweite 102 und der dritte 103
Abschnitt unterschiedliche Konzentrationen M des p-
Dotierstoffs auf. Beispielsweise umfasst der p-Dotierstoff Magnesium, insbesondere handelt es sich bei dem p-Dotierstoff um Magnesium. Weiter weist der zweite Abschnitt 102 eine höhere Indiumkonzentration als der erste Abschnitt 101 auf und der zweite Abschnitt 102 eine höhere Konzentration M des p- Dotierstoffs als der dritte Abschnitt 103 auf. Insbesondere weist der p-leitende Bereich 10 im dritten Abschnitt 103 eine geringere minimale Konzentration des p-Dotierstoffs M als der in Figur 1A dargestellte Halbleiterkörper 1 auf. Weiter sinkt die Konzentration des p-Dotierstoffs beim Übergang vom zweiten Bereich 102 zum dritten Bereich 103 in
Wachstumsrichtung X zumindest mit einer betragsmäßigen maximalen Änderungsrate von 1x10^1 Atomen pro cm-^ pro ym.
Der erste Abschnitt und/oder der zweite Abschnitt liegen zumindest teilweise innerhalb der Elektronenblockierschicht , wobei der zweite Abschnitt eine größere maximale
Indiumkonzentration aufweist als der an den aktiven Bereich angrenzende erste Abschnitt und der an den zweiten Abschnitt angrenzende dritte Abschnitt. Weiter weist der erste und/oder zweite Abschnitt eine höhere Konzentration des p-Dotierstoffs auf als der an die Elektronenblockierschicht angrenzende aktive Bereich und der an den zweiten Abschnitt angrenzende dritte Abschnitt. Die Figur IC zeigt eine schematische Schnittdarstellung eines hier beschriebenen Halbleiterkörpers 1 gemäß eines dritten Ausführungsbeispiels. Im Unterschied zum ersten und zum zweiten Ausführungsbeispiel weist der Halbleiterkörper 1 eine andere Konzentration von Indium I und des p-Dotierstoffs M im p-leitenden Bereich 10 auf. Der p-leitende Bereich 10 umfasst einen weiteren ersten 101 einen weiteren zweiten 102 λ und einen weiteren dritten 103 λ Abschnitt, die in
Wachstumsrichtung X nebeneinander angeordnet sind. Der weitere zweite 102 λ und/oder weitere dritte 103 λ Abschnitt sind zumindest teilweise im Bereich der p-Kontaktschicht 12 angeordnet. Insbesondere weist der weitere zweite Abschnitt 102 λ eine höhere Konzentration M des p-Dotierstoffs auf als der weitere erste Abschnitt 101 λ auf. Weiter weist der weitere zweite Abschnitt 102 λ eine höhere Indiumkonzentration I als der weitere erste Abschnitt 101 λ auf. Beispielsweise steigt im weiteren ersten 101 λ und/oder weiteren zweiten 102 λ Abschnitt entlang der Wachstumsrichtung X die
Magnesiumkonzentration M mit einer Änderungsrate von
zumindest 3xl021 Atomen pro cm-^ pro ym an. Insbesondere ist die Änderungsrate nicht konstant. Beispielsweise weist die Änderungsrate der Konzentration des p-Dotierstoffs entlang der Wachstumsrichtung einen Maximalwert auf, welcher
zumindest 3xl021 Atome pro cm-^ pro ym beträgt.
Die Figur 2 zeigt einen Graphen, in welchem eine
Konzentration C von Indium I und eines p-Dotierstoffs M in einem ersten 101, einem zweiten 102 und einem dritten 103 Abschnitt entlang der Wachstumsrichtung X dargestellt sind. Im ersten Abschnitt 101 beträgt die Konzentration des p-
Dotierstoffs M zwischen 8x 1019 und 3xl019 Atome pro cm-^ . Die Indiumkonzentration I beträgt im ersten Abschnitt 101 weniger als 1x1017 Atome pro cm-^ . in Wachstumsrichtung X steigt die Indiumkonzentration I vom ersten Abschnitt 101 in Richtung des zweiten Abschnitts 102 an. Insbesondere ist die
Indiumkonzentration I im Bereich des zweiten Abschnitts 102 größer als lxlO-^ Atome pro cm-^ . in dem Bereich, in dem die Indiumkonzentration I einen Anstieg von lxlO-^ auf über lxlO20 Atome pro cm-^ aufweist, steigt die
Magnesiumkonzentration M von 3xl019 auf lxlO20 Atome pro cm-3. Beispielsweise beträgt die Indiumkonzentration I im gesamten zweiten Abschnitt 102 zumindest 1x10 Atome pro cm^ .
Innerhalb des zweiten Abschnitts 102 sinkt die Konzentration des p-Dotierstoffs M von einer Konzentration von lxlO20 Atome pro cm^ auf eine Konzentration von weniger als 3x10^- Atome pro cm-3 ab. Insbesondere beträgt, während des epitaktischen Wachstums des gesamten zweiten Abschnitts 102, die Flussrate des p-Dotierstoffs 0 Liter pro Sekunde. Dennoch steigt die Magnesiumkonzentration im zweiten Abschnitt 102 in
Wachstumsrichtung X zunächst an, da mittels der erhöhten Indiumkonzentration I der Einbau von Magnesium in den p- leitenden Bereich 10 unterstützt wird. Somit wird zunächst p- Dotierstoff, insbesondere Magnesium, welches während des epitaktischen Wachstums an der Oberfläche des
Halbleiterkörpers 1 angelagert ist, in den während dieses Zeitraums gewachsenen Bereichs des Halbleiterkörpers 1 aufgenommen. Da während des Wachstums des zweiten Abschnitts 102 kein weiterer p-Dotierstoff der Prozesskammer zugeführt wird, sinkt die Konzentration des p-Dotierstoffs im zweiten Abschnitt 102.
An den zweiten Abschnitt 102 grenzt der dritte Abschnitt 103, in welchem die Indiumkonzentration I weniger als lxlO-^ Atome pro cm-3 beträgt. Im dritten Abschnitt 103 nimmt die
Konzentration des p-Dotierstoffs M in Wachstumsrichtung X zu. Insbesondere ist während des epitaktischen Wachstums des dritten Abschnitts 103 p-Dotierstoff der Prozesskammer zugeführt worden.
Insbesondere kann die Indiumkonzentration in von der Y-Achse abweichenden Einheiten angegeben sein. Beispielsweise beträgt die Indiumkonzentration im ersten Abschnitt 101, und im dritten Abschnitt 103 maximal 0,01%. Weiter beträgt die
Indiumkonzentration im zweiten Abschnitt 102 zumindest 2,5%, bevorzugt zumindest 3%.
Die Figur 3A zeigt einen Verlauf einer Indiumkonzentration I und einer Konzentration des p-Dotierstoffs M innerhalb eines p-leitenden Bereichs 10 und eines aktiven Bereichs 20 eines Halbleiterkörpers 1. Die Konzentration des p-Dotierstoffs M beträgt im p-leitenden Bereich 10 zwischen 3xl019 und 3xl020
Atome pro cm^ . Die Indiumkonzentration I beträgt im p- leitenden Bereich 10 im Wesentlichen weniger als 1 10^ Atome pro cm-3. In einem ersten Abschnitt 101 steigt die Konzentration des p- Dotierstoffs M auf einen Wert von zirka 8x 1019 Atomen pro cm-3 an. In einem zweiten Abschnitt 102 fällt die Konzentration des p-Dotierstoffs M auf einen Wert von 3xl019 Atomen pro cm-3 ab. Im gesamten p-leitenden Bereich 10 beträgt die
Konzentration des p-Dotierstoffs M zumindest 3xl019 Atomen pro cm^ . im ersten 101, zweiten 102 und im dritten 103
Abschnitt ist die Indiumkonzentration I geringer als 1x10
Atome pro cm-^ . Die Figur 3B zeigt die Konzentration des p-Dotierstoffs M und von Indium I in einem p-leitenden Bereich 10 und einem aktiven Bereich 20. Im Unterschied zu dem in Figur 3A
dargestellten Ausführungsbeispiel wird in dem p-leitenden Bereich 10 der Einbau des p-Dotierstoffs M mittels der Zugabe von Indium I abschnittsweise angepasst. Im zweiten Abschnitt 102 ist die Indiumkonzentration I gegenüber dem ersten 101 und dem dritten 103 Abschnitt erhöht. Insbesondere beträgt die Indiumkonzentration I im zweiten Abschnitt 102 zumindest
1x10 Atome pro cm^ . In dem ersten Abschnitt 101 beträgt die
Konzentration des p-Dotierstoffs maximal 5xl019 Atome pro cm^ . in Wachstumsrichtung X steigt zunächst die
Magnesiumkonzentration im zweiten Abschnitt an. Anschließend sinkt in Wachstumsrichtung X die Konzentration des p-
Dotierstoffs M von über 9xl019 Atome pro cm-^ auf unter 2xl019
Atome pro cm-^ ab. Beispielsweise beträgt die maximale
Änderungsrate der Konzentration des p-Dotierstoffs in
Wachstumsrichtung X zumindest 3xl021 Atome pro cm-^ pro ym.
Während des epitaktischen Wachstums des zweiten 102 und dritten 103 Abschnitts wurde nominell kein p-Dotierstoff M der Prozesskammer zugeführt. Dass die Konzentration des p- Dotierstoffs M in Wachstumsrichtung im zweiten Abschnitt zunächst ansteigt, ist darauf zurückzuführen, dass mittels der erhöhten Indiumkonzentration I der Einbau des p- Dotierstoffs , insbesondere Magnesium, in den Halbleiterkörper verbessert wird. In einem an den zweiten Abschnitt 102 angrenzenden dritten Abschnitt 103 beträgt die
Indiumkonzentration I maximal lxlO-^ Atome pro cm-^ . in dem dritten Abschnitt 103 beträgt die Magnesiumkonzentration M maximal 2xl019 Atome pro cm-^ . Insbesondere weist die
Konzentration des p-Dotierstoffs im zweiten Abschnitt 102 ein lokales Maximum auf.
Insbesondere kann die Indiumkonzentration in von der Y-Achse abweichenden Einheiten angegeben sein. Beispielsweise beträgt die Indiumkonzentration im ersten Abschnitt 101, und im dritten Abschnitt 103 maximal 0,01%. Weiter beträgt die
Indiumkonzentration im zweiten Abschnitt 102 zumindest 0,1%, bevorzugt zumindest 0,5%. Die Figur 4A zeigt die Flussrate von Indium IF und die
Flussrate des p-Dotierstoffs MF während des epitaktischen Wachstums eines ersten Abschnitts 101 während eines ersten Zeitraums Tl, eines zweiten Abschnitts 102 während eines zweiten Zeitraums T2 und eines dritten Abschnitts 103 während eines dritten Zeitraums T3. Der zweite Zeitraum T2 liegt chronologisch zwischen dem ersten Tl und dem dritten T3 Zeitraum. Beispielsweise wird das Indium in Form eines
Indium-haltigen Gases oder einer Indium-haltigen Flüssigkeit mit einer Flussrate IF in eine Prozesskammer geleitet. In der Prozesskammer wird beispielsweise der Halbleiterkörper 1 epitaktisch gewachsen. Weiter wird der p-Dotierstoff mit einer Flussrate MF in die Prozesskammer geleitet, in welcher der Halbleiterkörper 1 epitaktisch gewachsen wird.
Insbesondere wird während einem der Zeiträume eine andere Indiumflussrate IF eingestellt als während den anderen beiden Zeiträumen. Vorliegend wird während des zweiten Zeitraums T2 eine andere Indiumflussrate IF als während des ersten
Zeitraums Tl und des dritten Zeitraums T3 eingestellt.
Insbesondere sind die Flussraten des p-Dotierstoffes MF und des Indiums IF in Figur 4A nicht relativ zueinander
dargestellt . Während des ersten Zeitraums Tl ist die Flussrate des p-
Dotierstoffs MF höher als während des zweiten Zeitraums T2. Beispielsweise wird während des zweiten Zeitraums T2 eine Flussrate des p-Dotierstoffs MF von 0 Liter pro Sekunde eingestellt. Weiter ist während des ersten Zeitraums Tl die Indiumflussrate IF niedriger als während des zweiten
Zeitraums T2. Während des dritten Zeitraums T3 kann die
Flussrate des p-Dotierstoffs MF zumindest genauso groß wie die Flussrate des p-Dotierstoffs MF während des zweiten Zeitraums T2 sein. Während des dritten Zeitraums T3 ist die Indiumflussrate IF geringer als während des zweiten Zeitraums T2. Insbesondere ist die Indiumflussrate IF während des dritten Zeitraums T3 genauso groß wie die Indiumflussrate IF während des ersten Zeitraums Tl.
Die Figur 4B zeigt beispielhaft die Konzentration von Indium und des p-Dotierstoffs innerhalb des ersten 101, des zweiten 102 und des dritten 103 Abschnitts, welche während eines ersten Zeitraums Tl, eines zweiten Zeitraums T2 und eines dritten Zeitraums T3 epitaktisch gewachsen sind. Insbesondere sind die Abschnitte 101, 102, 103 aus Figur 4B zu den in Figur 4B dargestellten Zeiträumen Tl, T2, T3 gewachsen worden. Im ersten Abschnitt 101 weist der p-leitende Bereich 10 eine nahezu konstante Konzentration von Indium I und des p-Dotierstoffs M auf. Im zweiten Abschnitt 102 steigt die Konzentration des p-Dotierstoffs M in Wachstumsrichtung X zunächst auf einen Maximalwert an und fällt anschließend unter den Wert der Konzentration des p-Dotierstoffs M im ersten Bereich 101 ab. Der Anstieg der Konzentration des p- Dotierstoffs M im zweiten Abschnitt 102 ist darauf
zurückzuführen, dass p-Dotierstoff, welcher sich während des Epitaxieverfahrens an der Oberfläche des Halbleiterkörpers anlagert, mit steigender Indiumkonzentration I verbessert in die Gitterstruktur des Halbleiterkörpers eingebaut wird.
Während des zweiten Zeitraums 102 wird mehr p-Dotierstoff M pro Zeiteinheit in dem Halbleiterkörper 1 eingebaut als über die Flussrate des p-Dotierstoffs MF während des zweiten
Zeitraums T2 bereitgestellt wird. Somit sinkt in
Wachstumsrichtung X die Konzentration des p-Dotierstoffs M im zweiten Abschnitt 102. Insbesondere sinkt die Konzentration des p-Dotierstoffs zumindest mit einer maximalen betragsmäßigen Änderungsrate von 1x10^1 Atomen pro crn-^ pro ym.
Im dritten Abschnitt 103 fällt die Indiumkonzentration I in Wachstumsrichtung X ab. Beispielsweise fällt die
Indiumkonzentration I auf einen Wert ab, der maximal genauso groß wie der Wert im ersten Bereich 101 ist. In Bereichen, in denen die Indiumkonzentration I in Wachstumsrichtung X sinkt, sinkt auch Konzentration des p-Dotierstoffs M in
Wachstumsrichtung X.
Analog zu Figur 4A zeigt die Figur 5A ein
Herstellungsverfahren zum Herstellen eines Halbleiterkörpers 1, bei dem ein p-leitender Bereich 10 mit zumindest einem ersten 101, einem zweiten 102 und einem dritten 103 Abschnitt epitaktisch gewachsen wird. Dabei wird der erste Abschnitt 101 während eines ersten Zeitraums Tl gewachsen, der zweite Abschnitt 102 während eines zweiten Zeitraums T2 gewachsen und der dritte Abschnitt 103 während eines dritten Zeitraums T3 gewachsen. Im Unterschied zu dem in Figur 4A dargestellten Ausführungsbeispiel wird während des zweiten Zeitraums T2 eine höhere Flussrate des p-Dotierstoffs MF und eine höhere Flussrate des Indiums IF eingestellt als während des ersten Zeitraums Tl. Weiter wird während des dritten Zeitraums T3 eine niedrigere Indiumflussrate IF als während des zweiten
Zeitraums T2 eingestellt und während des dritten Zeitraums T3 eine zumindest genauso hohe Flussrate des p-Dotierstoffs MF eingestellt, wie während des zweiten Zeitraums T2. Die Figur 5B zeigt die Konzentration C eines p-Dotierstoffs M und Indiums I in einem ersten 101, zweiten 102 und dritten 103 Abschnitt eines p-leitenden Bereichs, die während des ersten Tl, des zweiten T2 und des dritten T3 Zeitraums, welche in Figur 5A dargestellt sind, epitaktisch gewachsen wurden. Im ersten Abschnitt 101 ist die Indiumkonzentration I und die Konzentration des p-Dotierstoffs M nahezu konstant. Im zweiten Abschnitt 102 steigt die Indiumkonzentration I in Wachstumsrichtung X auf einen Maximalwert an. Die
Konzentration C des p-Dotierstoffs M steigt im zweiten
Abschnitt 102 zunächst mit einer geringen Änderungsrate und anschließend mit einer hohen Änderungsrate auf einen
Maximalwert an. Insbesondere steigt die Konzentration des p- Dotierstoffs mit zunehmendem Indiumgehalt I mit einer
größeren Änderungsrate an. Dies ist darauf zurückzuführen, dass ein erhöhter Indiumgehalt den Einbau des p-Dotierstoffs in den Halbleiterkörper verbessert. Im dritten Abschnitt 103 sinkt die Indiumkonzentration I in Wachstumsrichtung X ab. Beispielsweise sinkt die
Indiumkonzentration I im dritten Abschnitt 103 in
Wachstumsrichtung X auf einen Wert ab, welcher der
Indiumkonzentration I im ersten Abschnitt 101 entspricht. Die Konzentration C des p-Dotierstoffs M im dritten Abschnitt 103 sinkt in Wachstumsrichtung X ab. Dies ist darauf
zurückzuführen, dass mit sinkender Indiumkonzentration I der Einbau des p-Dotierstoffs M in den Halbleiterkörper 1
erschwert wird. Somit wird während des epitaktischen
Wachstums des dritten Abschnitts 103 vermehrt der p-
Dotierstoff M an der Oberfläche des Halbleiterkörpers 1 angelagert. Der Einbau von dem p-Dotierstoff M im dritten Abschnitt 103 sinkt mit sinkender Indiumkonzentration I. Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der
Ausführungsbeispiele auf diese beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den
Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.
Bezugs zeichenliste
I Halbleiterkörper
10 p-leitender Bereich
10a dem aktiven Bereich zugewandte Seite des p-leitenden Bereichs
10c dem aktiven Bereich abgewandte Seite des p-leitenden
Bereichs
20 aktiver Bereich
30 n-leitender Bereich
50 Träger
II Elektronenblockierschicht
12 p-Kontaktschicht
I Indium
M p-Dotierstoff
C Konzentration
101 erster Abschnitt
101 λ weiterer erster Abschnitt
102 zweiter Abschnitt
102 λ weiterer zweiter Abschnitt
103 dritter Abschnitt
103 λ weiterer dritter Abschnitt
Tl erster Zeitraum
T2 zweiter Zeitraum
T3 dritter Zeitraum
X Wachstumsrichtung

Claims

Patentansprüche
1. Halbleiterkörper (1) umfassend ein III-V- Verbindungshalbleitermaterial mit
- einem p-leitenden Bereich (10), der mit einem p- Dotierstoff dotiert ist, wobei
- der p-leitende Bereich (10) zumindest einen ersten
(101) , einen zweiten (102) und einen dritten (103)
Abschnitt umfasst,
- der zweite Abschnitt (102) zwischen dem ersten (101) und dem dritten Abschnitt (103) angeordnet ist,
- der zweite Abschnitt (102) direkt an den ersten (101) und den dritten (103) Abschnitt angrenzt, und
- die Indiumkonzentration (I) zumindest einer der
Abschnitte (101, 102, 103) unterschiedlich von den
Indiumkonzentrationen (I) der anderen beiden Abschnitte (101, 102, 103) ist.
2. Halbleiterkörper (1) gemäß dem vorherigen Anspruch, bei dem
- der erste (101), der zweite (102) und der dritte (103) Abschnitt unterschiedliche Konzentrationen des p- Dotierstoffs (M) aufweisen,
- der zweite Abschnitt (102) eine höhere Konzentration des p-Dotierstoffs (M) als der erste Abschnitt (101) aufweist, und
- der zweite Abschnitt (102) eine höhere
Indiumkonzentration (I) als der erste Abschnitt (101) aufweist .
3. Halbleiterkörper (1) gemäß einem der vorherigen
Ansprüche, bei dem zumindest der erste (101), der zweite
(102) oder der dritte (103) Abschnitt eine Indiumkonzentration von zumindest lxlO17 Atomen pro cm3 aufweist .
4. Halbleiterkörper (1) gemäß einem der vorherigen
Ansprüche, bei dem
- der erste (101), der zweite (102) und der dritte (103) Abschnitt unterschiedliche Konzentrationen des p- Dotierstoffs (M) aufweisen,
- der zweite Abschnitt (102) eine höhere
Indiumkonzentration (I) als der erste Abschnitt (101) aufweist, und
- der zweite Abschnitt (102) eine höhere Konzentration des p-Dotierstoffs (M) als der dritte Abschnitt (103) aufweist .
5. Halbleiterkörper (1) gemäß dem vorherigen Anspruch,
bei dem die Konzentration des p-Dotierstoffs (M) im zweiten Abschnitt (102) ein lokales Maximum aufweist.
6. Halbleiterkörper (1) gemäß einem der vorherigen
Ansprüche,
bei dem die Konzentration des p-Dotierstoffs (M) im p- leitenden Bereich (10), senkrecht zur
Haupterstreckungsebene des ersten (101), zweiten (102) und dritten (103) Abschnitts, eine Änderungsrate von zumindest 11E+21 Atome/cm-Vym aufweist.
7. Halbleiterkörper (1) gemäß einem der vorherigen Ansprüche mit einem aktiven Bereich (20),
bei dem der p-leitende Bereich (10) eine
Elektronenblockierschicht (11) aufweist, wobei
- die Elektronenblockierschicht (11) an einer dem aktiven Bereich (20) zugewandten Seite (10a) des p-leitenden Bereichs (10) vorhanden ist, und
- der erste Abschnitt (101) und/oder der zweite Abschnitt
(102) zumindest teilweise innerhalb der
Elektronenblockierschicht (11) liegen, wobei
- der zweite Abschnitt (102) eine größere maximale
Indiumkonzentration (I) aufweist als der an den aktiven Bereich (20) angrenzende erste Abschnitt (101) und der an den zweiten Abschnitt (102) angrenzende dritte Abschnitt
(103) , und
- der erste (101) und/oder zweite (102) Abschnitt eine höhere Konzentration des p-Dotierstoffs (M) aufweist als der an die Elektronenblockierschicht (11) angrenzende aktive Bereich (20) und der an den zweiten Abschnitt (102) angrenzende dritte Abschnitt (103).
Halbleiterkörper (1) gemäß einem der vorherigen Ansprüche mit einem aktiven Bereich (20),
bei dem der p-leitende Bereich (10) eine p-Kontaktschicht (12) aufweist, wobei
- die p-Kontaktschicht (12) an einer dem aktiven Bereich (20) abgewandten Seite (10c) des p-leitenden Bereichs (10) vorhanden ist, und
- der zweite Abschnitt (102) zumindest teilweise
innerhalb der p-Kontaktschicht (12) liegt, wobei der zweite Abschnitt (102) eine größere
Indiumkonzentration ( I ) aufweist als der an den zweiten Abschnitt (102) angrenzende erste Abschnitt (101)..
Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterkörpers (1), wobei
- ein p-leitender Bereich (10) mit zumindest einem ersten (101), einem zweiten (102) und einem dritten (103)
Abschnitt epitaktisch gewachsen wird, - der erste Abschnitt (101) während eines ersten
Zeitraums (Tl) gewachsen wird, der zweite Abschnitt (102) während eines zweiten Zeitraums (T2) gewachsen wird und der dritte Abschnitt (103) während eines dritten
Zeitraums (T3) gewachsen wird,
- der zweite Zeitraum (T2) chronologisch zwischen dem ersten (Tl) und dem dritten (T3) Zeitraum liegt, und
- während einem der Zeiträume (Tl, T2, T3) eine andere Indiumflussrate (IF) eingestellt wird als während den anderen beiden Zeiträumen (Tl, T2, T3) .
Verfahren gemäß dem vorherigen Anspruch,
wobei während des zweiten Zeitraums (T2) eine höhere Flussrate eines p-Dotierstoffs (MF) und eine höhere
Indiumflussrate (IF) eingestellt wird als während des ersten Zeitraums (Tl) .
Verfahren gemäß dem vorherigen Anspruch, wobei
- während des dritten Zeitraums (T3) eine niedrigere Indiumflussrate (IF) als während des zweiten Zeitraums (T2) eingestellt wird, und
- während des dritten Zeitraums (T3) eine zumindest genauso hohe Flussrate des p-Dotierstoffs (MF)
eingestellt wird wie während des zweiten Zeitraums (T2) .
Verfahren gemäß einem der vorherigen Ansprüche, wobei
- während des zweiten Zeitraums (T2) eine höhere
Indiumflussrate (IF) eingestellt wird als während des ersten Zeitraums (Tl), und
- während des zweiten Zeitraums (T2) eine niedrigere Flussrate des p-Dotierstoffs (MF) eingestellt wird als während des ersten Zeitraums (Tl) .
13. Verfahren gemäß dem vorherigen Anspruch, wobei während des zweitens Zeitraums (T2) eine Flussrate des p- Dotierstoffs (MF) von 0 L/sec eingestellt wird. 14. Verfahren oder Halbleiterkörper nach einem der vorherigen Ansprüche,
bei dem der p-Dotierstoff (M) Magnesium umfasst oder Magnesium ist.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11374146B2 (en) * 2019-05-16 2022-06-28 Epistar Corporation Semiconductor device
JP7402139B2 (ja) * 2020-09-14 2023-12-20 株式会社東芝 半導体発光装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130082273A1 (en) * 2011-09-29 2013-04-04 Bridgelux, Inc. P-type doping layers for use with light emitting devices
US20150263228A1 (en) * 2012-10-22 2015-09-17 Iljin Led Co., Ltd Nitride semiconductor light-emitting device having excellent brightness and esd protection properties

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3551101B2 (ja) * 1999-03-29 2004-08-04 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体素子
JP3453558B2 (ja) * 2000-12-25 2003-10-06 松下電器産業株式会社 窒化物半導体素子
US20070290230A1 (en) * 2003-09-25 2007-12-20 Yasutoshi Kawaguchi Nitride Semiconductor Device And Production Method Thereof
US8785965B2 (en) * 2008-09-09 2014-07-22 Panasonic Corporation Nitride-based semiconductor light-emitting device and method for fabricating the same
JP5426007B2 (ja) * 2010-02-19 2014-02-26 シャープ株式会社 窒化物半導体発光素子および窒化物半導体発光素子の製造方法
JP5437533B2 (ja) * 2011-04-12 2014-03-12 パナソニック株式会社 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子およびその製造方法
JP2013033930A (ja) 2011-06-29 2013-02-14 Sumitomo Electric Ind Ltd Ｉｉｉ族窒化物半導体素子、及び、ｉｉｉ族窒化物半導体素子の製造方法
JP2013038394A (ja) * 2011-07-14 2013-02-21 Rohm Co Ltd 半導体レーザ素子

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130082273A1 (en) * 2011-09-29 2013-04-04 Bridgelux, Inc. P-type doping layers for use with light emitting devices
US20150263228A1 (en) * 2012-10-22 2015-09-17 Iljin Led Co., Ltd Nitride semiconductor light-emitting device having excellent brightness and esd protection properties

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